JPH084158B2 - アクチユエ−タ− - Google Patents
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- JPH084158B2 JPH084158B2 JP61212647A JP21264786A JPH084158B2 JP H084158 B2 JPH084158 B2 JP H084158B2 JP 61212647 A JP61212647 A JP 61212647A JP 21264786 A JP21264786 A JP 21264786A JP H084158 B2 JPH084158 B2 JP H084158B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D1/00—Control of position, course, altitude or attitude of land, water, air or space vehicles, e.g. using automatic pilots
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、精密工作機械における位置決め、流体量制
御バルブ、そのファン、光学装置の光路長制御等の駆動
源や圧電ブザー、圧電スピーカー、超音波振動子等の振
動子として使用することができるアクチュエーターに関
するものである。すなわち、本明細書において、「アク
チュエーター」は、接触している他の物対を変位させる
ための素子だけでなく、自らが動くだけの素子をも意味
する総称として用いる。
御バルブ、そのファン、光学装置の光路長制御等の駆動
源や圧電ブザー、圧電スピーカー、超音波振動子等の振
動子として使用することができるアクチュエーターに関
するものである。すなわち、本明細書において、「アク
チュエーター」は、接触している他の物対を変位させる
ための素子だけでなく、自らが動くだけの素子をも意味
する総称として用いる。
[従来の技術] 従来、圧電磁器のたわみを利用する素子としては、分
極処理を施した1枚の圧電薄板磁器を固定した電極板
(シム)に貼り合わせたユニモルフ型や圧電薄板磁器を
シムの両面に貼り合わせたバイモルフ型のものが知られ
ている。
極処理を施した1枚の圧電薄板磁器を固定した電極板
(シム)に貼り合わせたユニモルフ型や圧電薄板磁器を
シムの両面に貼り合わせたバイモルフ型のものが知られ
ている。
[発明が解決しようとする問題点] これらは、高い負電圧あるいは長期にわたる負電圧の
印加により、圧電磁器の脱分極が起こり、また、磁器と
電極材料との接着部が剥離するという問題があった。し
たがって、これらをアクチュエーターとして使用する場
合、当然その寿命が短い。
印加により、圧電磁器の脱分極が起こり、また、磁器と
電極材料との接着部が剥離するという問題があった。し
たがって、これらをアクチュエーターとして使用する場
合、当然その寿命が短い。
[問題点を解決するための手段およびその作用] ところで、本発明者らは、単板であって、しかも分極
処理を施さないにもかかわらず、なぜかたわむ磁器、す
なわちモノモルフ型圧電磁器を見出した。このモノモル
フ型圧電磁器をアクチュエーターとして使用することに
より、上記の問題は大幅に解決されることとなる。
処理を施さないにもかかわらず、なぜかたわむ磁器、す
なわちモノモルフ型圧電磁器を見出した。このモノモル
フ型圧電磁器をアクチュエーターとして使用することに
より、上記の問題は大幅に解決されることとなる。
以下、本発明のアクチュエーターの材料であるモノモ
ルフ型圧電磁器の具体例について説明する。
ルフ型圧電磁器の具体例について説明する。
(誘電損失型BaTiO3系磁器) 従来、実用化されているBaTiO3系磁器は、大きい誘電
率、小さい誘電損失を有することからコンデンサーとし
て使用されている。この種の磁器は、電界−歪特性が良
好でなく、アクチェエーターとして使用することができ
ない。
率、小さい誘電損失を有することからコンデンサーとし
て使用されている。この種の磁器は、電界−歪特性が良
好でなく、アクチェエーターとして使用することができ
ない。
ところが、本発明者らは、1KHzにおける誘電損失が5
%以上であって、かつ、1KHzにおける誘電損失に対する
100HKzにおけるそれの減少率が30%以上であるBaTiO3系
磁器は、モノモルフ型のものであることを見出した。
%以上であって、かつ、1KHzにおける誘電損失に対する
100HKzにおけるそれの減少率が30%以上であるBaTiO3系
磁器は、モノモルフ型のものであることを見出した。
たとえば、BaTiO3に一定量のSiO2または/およびAl2O
3、あるいはさらに磁器の粒成長を抑制する目的で5A族
元素、Ga,Bi,Sb,W、希土類元素等の酸化物のうちの1種
以上を含ませることにより、上記の性質をもたせること
ができる。この種のものとして、SiO2を0.2〜20モル%;
Al2O3を0.2〜1.5モル%;SiO2およびAl2O3を合計0.2〜20
モル%,Al2O3/SiO2モル比0.8以下;SiO2または/およびA
l2O3を1〜2モル%と5A族元素,Ga,Bi,Sb,W、希土類元
素等の酸化物を0.33〜2モル%程度等含んだBaTiO3系磁
器を例示することができる。
3、あるいはさらに磁器の粒成長を抑制する目的で5A族
元素、Ga,Bi,Sb,W、希土類元素等の酸化物のうちの1種
以上を含ませることにより、上記の性質をもたせること
ができる。この種のものとして、SiO2を0.2〜20モル%;
Al2O3を0.2〜1.5モル%;SiO2およびAl2O3を合計0.2〜20
モル%,Al2O3/SiO2モル比0.8以下;SiO2または/およびA
l2O3を1〜2モル%と5A族元素,Ga,Bi,Sb,W、希土類元
素等の酸化物を0.33〜2モル%程度等含んだBaTiO3系磁
器を例示することができる。
(表面酸化型半導体BaTiO3系磁器) 本発明者らは、半導性を示すBaTiO3系磁器の表面が酸
化されたものであって内部に半導体を残したものもモノ
モルフ型であることを見出した。該半導体を示すBaTiO3
系磁器は、従来公知の比抵抗10〜106Ω・cmのものでよ
く、たとえば、BaTiO3単味または5A族元素,Ga,Bi,Sb,
W、希土類元素等の酸化物の1種以上を0.33〜2モル%
程度等含むものなどを挙げることができる。
化されたものであって内部に半導体を残したものもモノ
モルフ型であることを見出した。該半導体を示すBaTiO3
系磁器は、従来公知の比抵抗10〜106Ω・cmのものでよ
く、たとえば、BaTiO3単味または5A族元素,Ga,Bi,Sb,
W、希土類元素等の酸化物の1種以上を0.33〜2モル%
程度等含むものなどを挙げることができる。
(BaTiO3系磁器の製造法) 上記BaTiO3系磁器の製造に供するBaTiO3粉末は、たと
えば、BaCO3粉末とTiO2粉末とを混合して仮焼し、粉砕
するいわゆる固相反応法やバリウムおよびチタンの称賛
塩、塩酸塩等の水溶性塩の混合水溶液のシュウ酸等を添
加して沈殿を生成させ、これを仮焼し、粉砕するいわゆ
る共沈法によって製造することができる。
えば、BaCO3粉末とTiO2粉末とを混合して仮焼し、粉砕
するいわゆる固相反応法やバリウムおよびチタンの称賛
塩、塩酸塩等の水溶性塩の混合水溶液のシュウ酸等を添
加して沈殿を生成させ、これを仮焼し、粉砕するいわゆ
る共沈法によって製造することができる。
本発明のアクチュエーターの材料である磁器の製造
は、磁器一般の製造法と同じく、原料粉末の秤量、混
合、乾燥、成形、焼結等のプロセスをとればよい。ここ
で、混合方法としては、ボールミル、振動ミル等による
方法をとることができ、成形方法としては、金型プレ
ス、ラバープレス、鋳込み成形、射出成形、テープ成形
等による方法をとることができる。
は、磁器一般の製造法と同じく、原料粉末の秤量、混
合、乾燥、成形、焼結等のプロセスをとればよい。ここ
で、混合方法としては、ボールミル、振動ミル等による
方法をとることができ、成形方法としては、金型プレ
ス、ラバープレス、鋳込み成形、射出成形、テープ成形
等による方法をとることができる。
焼結は、成形体に含まれる成分や組成によって難易は
あるものの、前述のものにあっては、いずれも1200〜14
50℃に1〜15時間保持して行えばよい。焼結の際の雰囲
気は、前記の誘電損失に特性をもつ磁器の製造の際に
は、空気でよく、表面酸化型のものであってBaTiO3単味
のものではAr、N2等の不活性雰囲気またはH2等の還元性
雰囲気がよく、表面酸化型であって5A族元素、Ga,Bi,S
b,W,希土類元素等の酸化物を含むものでは空気中または
上記の非酸化性雰囲気のいずれでもよい。
あるものの、前述のものにあっては、いずれも1200〜14
50℃に1〜15時間保持して行えばよい。焼結の際の雰囲
気は、前記の誘電損失に特性をもつ磁器の製造の際に
は、空気でよく、表面酸化型のものであってBaTiO3単味
のものではAr、N2等の不活性雰囲気またはH2等の還元性
雰囲気がよく、表面酸化型であって5A族元素、Ga,Bi,S
b,W,希土類元素等の酸化物を含むものでは空気中または
上記の非酸化性雰囲気のいずれでもよい。
表面酸化型のものにあっては、上記のようにして好ま
しくは比抵抗10〜106Ω・cmの焼結体を得、それをさら
に空気中で、700〜1200℃に10分〜2時間加熱して表面
を酸化すればよい。
しくは比抵抗10〜106Ω・cmの焼結体を得、それをさら
に空気中で、700〜1200℃に10分〜2時間加熱して表面
を酸化すればよい。
[作用] 本発明のアクチュエーターは、前述のとおり、分極処
理を施していない単板であるにもかかわらずたわむ、す
なわちモノモルフ型のものである。そのたわむ理由は、
以下の様に考えられる。一般的に半導体にオーミック接
触を示さない金属を接合させると電子のエネルギーバン
ド構造に、ショットキー型(あるいは、絶縁層がある場
合にはモット型)の障壁が形成される。両面に金属を接
合し、電圧を印加した場合、一方は順方向、他方は逆方
向の構造となる。半導体理論により、電界は磁器内で一
様とならず逆方向である金属−セラミック近傍へ集中す
る。
理を施していない単板であるにもかかわらずたわむ、す
なわちモノモルフ型のものである。そのたわむ理由は、
以下の様に考えられる。一般的に半導体にオーミック接
触を示さない金属を接合させると電子のエネルギーバン
ド構造に、ショットキー型(あるいは、絶縁層がある場
合にはモット型)の障壁が形成される。両面に金属を接
合し、電圧を印加した場合、一方は順方向、他方は逆方
向の構造となる。半導体理論により、電界は磁器内で一
様とならず逆方向である金属−セラミック近傍へ集中す
る。
また半導体磁器のみならず、絶縁体においても、電界
によって泳動する電荷(電子,イオン)が存在すれば、
印加時の電荷の泳動によって電極−セラミックス界面に
障壁が生成し、上記の半導体と同様に、電界が接合部付
近に集中する。
によって泳動する電荷(電子,イオン)が存在すれば、
印加時の電荷の泳動によって電極−セラミックス界面に
障壁が生成し、上記の半導体と同様に、電界が接合部付
近に集中する。
この様に、不均一に電界が集中した側だけに圧電圧を
通じて伸縮が起こり、板全体がたわむこととなる。
通じて伸縮が起こり、板全体がたわむこととなる。
[実施例] 実施例1〜23、比較例1〜7 添加物を使用しない場合は(実施例1および比較例
1)、BaTiO3粉末をそのまま、また添加物を使用する場
合はBaTiO3と各酸化物とを秤量し、エタノール中で24時
間ボールミールによって混合し、乾燥してから、1.5T/c
m2の圧力で長さ約48mm、幅約18mm、厚さ約10mmの板に成
形した。つぎに、これを、実施例1ではAr中で、他の例
では空気中で所定時間、所定温度で焼結し、上記長さ約
48mm、幅約18mmからなる面に相当する面に平行に切断し
て、長さ40mm、幅15mm、厚さ0.5mmの磁器からなるアク
チュエーターを得た。実施例1〜9においては、この磁
器の比抵抗を測定した。つぎに、上記磁器の両面に銀ペ
ーストを塗布して、空気中で800℃に1時間加熱して焼
付けることにより電極をとりつけた。実施例1〜9で
は、この焼付けによって、表面が完全に酸化され、絶縁
化されたことを、抵抗を測定して確認した。実施例10〜
23および比較例1〜7においては、所定の周波数におけ
る誘導損失を測定した。
1)、BaTiO3粉末をそのまま、また添加物を使用する場
合はBaTiO3と各酸化物とを秤量し、エタノール中で24時
間ボールミールによって混合し、乾燥してから、1.5T/c
m2の圧力で長さ約48mm、幅約18mm、厚さ約10mmの板に成
形した。つぎに、これを、実施例1ではAr中で、他の例
では空気中で所定時間、所定温度で焼結し、上記長さ約
48mm、幅約18mmからなる面に相当する面に平行に切断し
て、長さ40mm、幅15mm、厚さ0.5mmの磁器からなるアク
チュエーターを得た。実施例1〜9においては、この磁
器の比抵抗を測定した。つぎに、上記磁器の両面に銀ペ
ーストを塗布して、空気中で800℃に1時間加熱して焼
付けることにより電極をとりつけた。実施例1〜9で
は、この焼付けによって、表面が完全に酸化され、絶縁
化されたことを、抵抗を測定して確認した。実施例10〜
23および比較例1〜7においては、所定の周波数におけ
る誘導損失を測定した。
つぎに、上記の電極をとりつけたアクチュエーターの
長さ方向の一端9mmの部分(図1におけるDの部分)を
固定し、6kV/cmの電界を印加し、固定した箇所から28mm
(図1におけるAの位置)、19mm(図1におけるBの位
置)および9mm(図1におけるCの位置)の位置の変位
量をうず電流式非接触センサーで測定した。
長さ方向の一端9mmの部分(図1におけるDの部分)を
固定し、6kV/cmの電界を印加し、固定した箇所から28mm
(図1におけるAの位置)、19mm(図1におけるBの位
置)および9mm(図1におけるCの位置)の位置の変位
量をうず電流式非接触センサーで測定した。
以上に記載したもの以外の条件および結果を表に示
す。
す。
また、上記のように固定したアクチュエーターに10V
の交流電圧を加えたところ、いずれの例でも、アクチュ
エーターが交流電圧と同じ周波数で振動し、その周波数
の音波を発した。
の交流電圧を加えたところ、いずれの例でも、アクチュ
エーターが交流電圧と同じ周波数で振動し、その周波数
の音波を発した。
実施例24 93mol%BaTiO3−5mol%SiO2−2mol%Al2O3の組成の磁
器を実施例と同様に作製し、図1に示した治具に固定
し、以下の測定をした。変位量はいずれもA点における
ものである。
器を実施例と同様に作製し、図1に示した治具に固定
し、以下の測定をした。変位量はいずれもA点における
ものである。
周波数0.1Hzの交流の印加し、そのとき発生した変位
量を測定した。その結果を図2に示す。(図2中、電界
方向と同じ方向の変位の符号を+とする。) また図3はアクチュエーターをユニポーラ駆動させた
時の電界変位特性であり、電界−変位特性はヒステリシ
スも小さく、電界に対して(2.5,3.8,5,6.8kv/cm)直線
的である。
量を測定した。その結果を図2に示す。(図2中、電界
方向と同じ方向の変位の符号を+とする。) また図3はアクチュエーターをユニポーラ駆動させた
時の電界変位特性であり、電界−変位特性はヒステリシ
スも小さく、電界に対して(2.5,3.8,5,6.8kv/cm)直線
的である。
図4は、ユニポーラ駆動をさせた場合の、周波数と変
位の関係を示したもので、220Hzで変位は最大となり、
機械的共振が引き起こされている。電荷移動の緩和時間
は共振を妨げるほど大きくないことがわかる。
位の関係を示したもので、220Hzで変位は最大となり、
機械的共振が引き起こされている。電荷移動の緩和時間
は共振を妨げるほど大きくないことがわかる。
図5は、種々の電極(両面にGa−Inを塗布したもの
(A)、両面にAuを蒸着したもの(B)、および片面に
Agを焼き付け、他面にGa−Inを塗布したもの(C))の
効果を示したもので、焼き付け銀電極の使用が、変位を
発生させるのに重要である。
(A)、両面にAuを蒸着したもの(B)、および片面に
Agを焼き付け、他面にGa−Inを塗布したもの(C))の
効果を示したもので、焼き付け銀電極の使用が、変位を
発生させるのに重要である。
図1は、実施例におけるアクチュエーターの素子の長さ
および幅の寸法、たわみの測定点および固定部分を示す
概念図である。 A,B,C:たわみの測定点 D:固定部分 図2〜5は、いずれも実施例24における測定データを示
すものであって、図2はバイポーラ駆動時の電界と変位
の関係を示すグラフである。図3はユニポーラ駆動時の
電界と変位の関係を示すグラフである。図4はユニポー
ラ駆動時の変位の周波数依存性を示すグラフである。図
5は、電極材料を変えた際の電解−歪特性を示すグラフ
である。
および幅の寸法、たわみの測定点および固定部分を示す
概念図である。 A,B,C:たわみの測定点 D:固定部分 図2〜5は、いずれも実施例24における測定データを示
すものであって、図2はバイポーラ駆動時の電界と変位
の関係を示すグラフである。図3はユニポーラ駆動時の
電界と変位の関係を示すグラフである。図4はユニポー
ラ駆動時の変位の周波数依存性を示すグラフである。図
5は、電極材料を変えた際の電解−歪特性を示すグラフ
である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 41/18 101 Z C04B 35/46 J (72)発明者 月舘 隆明 東京都日野市程久保344番地の215 審査官 加藤 浩一 (56)参考文献 特開 昭61−77123(JP,A) 特公 昭52−39048(JP,B2) 特公 昭53−47920(JP,B2)
Claims (8)
- 【請求項1】モノモルフ型圧電磁器からなり、この圧電
磁器が1KHzにおける誘電損失5%以上、かつ、1KHzにお
ける誘電損失に対する100KHzにおける誘電損失の減少量
30%以上のBaTiO3系磁器(1)、又は、半導性を示すBa
TiO3系磁器の表面を酸化した磁器(2)であるアクチュ
エーター。 - 【請求項2】磁器(1)がSiO2または/およびAl2O3を
添加物として含むものである特許請求の範囲(1)項記
載のアクチュエーター。 - 【請求項3】磁器(1)がSiO2を0.2〜20モル%含むも
のである特許請求の範囲(2)項記載のアクチュエータ
ー。 - 【請求項4】磁器(1)がAl2O3を0.2〜1.5モル%含む
ものである特許請求の範囲(2)項記載のアクチュエー
ター。 - 【請求項5】磁器(1)がSiO2およびAl2O3を合計0.2〜
20モル%含み、そのAl2O3/SiO2モル比が0.8以下である
特許請求の範囲(2)項記載のアクチュエーター。 - 【請求項6】磁器(1)がSiO2または/およびAl2O3と
周期率表の5A族元素、Ga、Bi、Sb、Wおよび希土類元素
の酸化物のうちの1種以上とを含むものである特許請求
の範囲(1)項記載のアクチュエーター。 - 【請求項7】磁器(2)がBaTiO3のみからなる特許請求
の範囲(1)項記載のアクチュエーター。 - 【請求項8】磁器(2)が周期率表の5A族元素、Ga、B
i、Sb、Wおよび希土類元素の酸化物のうちの1種以上
を含むものである特許請求の範囲(1)項記載のアクチ
ュエーター。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR870004692A KR870011519A (ko) | 1986-05-13 | 1987-05-13 | 작동기 |
EP87106940A EP0252248A3 (en) | 1986-05-13 | 1987-05-13 | Actuator |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61-107660 | 1986-05-13 | ||
JP10766086 | 1986-05-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63114182A JPS63114182A (ja) | 1988-05-19 |
JPH084158B2 true JPH084158B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=14464789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61212647A Expired - Lifetime JPH084158B2 (ja) | 1986-05-13 | 1986-09-11 | アクチユエ−タ− |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH084158B2 (ja) |
KR (1) | KR870011519A (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5239048A (en) * | 1975-09-22 | 1977-03-26 | Koyo Seiko Co Ltd | An automatic stop and safety apparatus on the side of driven portion in an unive rsal coupling shaft |
JPS6177123A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-19 | Canon Inc | ヘツド駆動用アクチユエ−タ |
-
1986
- 1986-09-11 JP JP61212647A patent/JPH084158B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-05-13 KR KR870004692A patent/KR870011519A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63114182A (ja) | 1988-05-19 |
KR870011519A (ko) | 1987-12-24 |
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