JPH083736A - チタン酸ストロンチウムスパッタリングターゲット - Google Patents
チタン酸ストロンチウムスパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JPH083736A JPH083736A JP13541994A JP13541994A JPH083736A JP H083736 A JPH083736 A JP H083736A JP 13541994 A JP13541994 A JP 13541994A JP 13541994 A JP13541994 A JP 13541994A JP H083736 A JPH083736 A JP H083736A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sintered
- sintered body
- density
- sto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 Sr、Ti及び酸素から実質的になり、
焼結密度(ρ) が4.61≦ρ≦5.12g/cm3の
範囲にあり、平均結晶粒径(d)が1μm≦d≦10μ
mであるか、または硬度(Hv)が600以上であるチ
タン酸ストロンチウムスパッタリングターゲット。 【効果】 焼結体を加工してターゲットとするとき
に、チッピングや割れなどの損傷が少なくなるため、歩
留まりよく低コストでターゲットが得られる。
焼結密度(ρ) が4.61≦ρ≦5.12g/cm3の
範囲にあり、平均結晶粒径(d)が1μm≦d≦10μ
mであるか、または硬度(Hv)が600以上であるチ
タン酸ストロンチウムスパッタリングターゲット。 【効果】 焼結体を加工してターゲットとするとき
に、チッピングや割れなどの損傷が少なくなるため、歩
留まりよく低コストでターゲットが得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体メモリなどにお
いて、これを構成するキャパシタ誘電体膜用に用いられ
るチタン酸ストロンチウム薄膜を形成させる際に使用す
るスパッタリングターゲットに関するものである。
いて、これを構成するキャパシタ誘電体膜用に用いられ
るチタン酸ストロンチウム薄膜を形成させる際に使用す
るスパッタリングターゲットに関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体メモリのキャパシタ誘電体膜には
シリコン系の酸化膜および/または窒化膜が用いられて
いる。しかし、高集積化に伴い、キャパシタの占める面
積が非常に小さくなる。このため、誘電体膜の薄膜化や
キャパシタ構造の立体化などを計っているが、256M
以上のDRAMなどではすでにこのような方法のみでは
蓄積容量の確保は難しくなってきている。
シリコン系の酸化膜および/または窒化膜が用いられて
いる。しかし、高集積化に伴い、キャパシタの占める面
積が非常に小さくなる。このため、誘電体膜の薄膜化や
キャパシタ構造の立体化などを計っているが、256M
以上のDRAMなどではすでにこのような方法のみでは
蓄積容量の確保は難しくなってきている。
【0003】一方、チタン酸ストロンチウム(以下、S
TOと略称する)やチタン酸ストロンチウムバリウム
(以下、BSTと略称する)などは、シリコン系の酸化
膜或いは窒化膜に比べ非常に高い誘電率を有するので、
大容量DRAMなどのキャパシタ誘電体膜に用いれば、
単純な構造で且つ非常に小さな面積で高い蓄積容量が得
られる。また、これらの薄膜の形成に関しては、スパッ
タリング法、ゾル・ゲル法、CVD法、レーザ・アブレ
ーション法などの方法が検討されている。なかでもスパ
ッタリング法は、量産性や操作性といった点を考慮する
と、現在最も主流な成膜法である。
TOと略称する)やチタン酸ストロンチウムバリウム
(以下、BSTと略称する)などは、シリコン系の酸化
膜或いは窒化膜に比べ非常に高い誘電率を有するので、
大容量DRAMなどのキャパシタ誘電体膜に用いれば、
単純な構造で且つ非常に小さな面積で高い蓄積容量が得
られる。また、これらの薄膜の形成に関しては、スパッ
タリング法、ゾル・ゲル法、CVD法、レーザ・アブレ
ーション法などの方法が検討されている。なかでもスパ
ッタリング法は、量産性や操作性といった点を考慮する
と、現在最も主流な成膜法である。
【0004】しかしながら、スパッタリングによって薄
膜を形成させる際には、焼成粉末をプレスして成形した
粉末ターゲットが用いられていた。粉末ターゲットを用
いた場合、ターゲットと同一組成の膜が得られやすいと
いった利点はあるものの、大きな成膜パワーを投入でき
ず、その結果高い成膜速度が得られないという問題があ
った。また高いパワーを印加した場合には、ターゲット
に破損が生じるという問題があった。
膜を形成させる際には、焼成粉末をプレスして成形した
粉末ターゲットが用いられていた。粉末ターゲットを用
いた場合、ターゲットと同一組成の膜が得られやすいと
いった利点はあるものの、大きな成膜パワーを投入でき
ず、その結果高い成膜速度が得られないという問題があ
った。また高いパワーを印加した場合には、ターゲット
に破損が生じるという問題があった。
【0005】一方、STOの焼結体をターゲットとして
用いた場合には、薄膜を再現性良く成膜できるといった
メリットがあるのはもちろんのこと、粉末ターゲットを
使用したときよりも成膜速度を高くすることが可能であ
る。しかしながら、焼結体をターゲットとして利用すべ
く所望に応じた形状に研削加工する時には、チッピング
が発生し、ターゲットが損傷しやすいことが問題となっ
ている。
用いた場合には、薄膜を再現性良く成膜できるといった
メリットがあるのはもちろんのこと、粉末ターゲットを
使用したときよりも成膜速度を高くすることが可能であ
る。しかしながら、焼結体をターゲットとして利用すべ
く所望に応じた形状に研削加工する時には、チッピング
が発生し、ターゲットが損傷しやすいことが問題となっ
ている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記した誘電体膜の形
成方法において、STO焼結粉末の成形体をタ−ゲット
として用いる場合、成形体の相対密度は冷間静水圧プレ
ス法を用いても精々60%程度であり、タ−ゲット製品
としては非常に取扱いにくいものであり、タ−ゲット作
製時に「割れ」や「欠け」が起こりやすいものであっ
た。そこで、焼結体からなるタ−ゲットが望まれてい
る。特に、寸法を合わせるために研削加工を施し、バッ
キングプレ−トへハンダによってボンディングしてタ−
ゲット製品として製造する際に、その途中で「割れ」や
「欠け」が起こりにくいタ−ゲットが望まれている。し
かしながら、STO焼結体からなるタ−ゲットであって
も、ジルコニア等と比較して脆弱であり、焼結体の研削
加工やその後のタ−ゲットのボンディング工程等製造工
程の途中において「割れ」や「欠け」等が発生するとい
う問題があった。本発明はこのような問題を鑑みなされ
たものであり、特にタ−ゲットの製造工程中に「割れ」
や「欠け」などが発生せず、製造の歩留りも良好である
タ−ゲットを提供することを目的としている。
成方法において、STO焼結粉末の成形体をタ−ゲット
として用いる場合、成形体の相対密度は冷間静水圧プレ
ス法を用いても精々60%程度であり、タ−ゲット製品
としては非常に取扱いにくいものであり、タ−ゲット作
製時に「割れ」や「欠け」が起こりやすいものであっ
た。そこで、焼結体からなるタ−ゲットが望まれてい
る。特に、寸法を合わせるために研削加工を施し、バッ
キングプレ−トへハンダによってボンディングしてタ−
ゲット製品として製造する際に、その途中で「割れ」や
「欠け」が起こりにくいタ−ゲットが望まれている。し
かしながら、STO焼結体からなるタ−ゲットであって
も、ジルコニア等と比較して脆弱であり、焼結体の研削
加工やその後のタ−ゲットのボンディング工程等製造工
程の途中において「割れ」や「欠け」等が発生するとい
う問題があった。本発明はこのような問題を鑑みなされ
たものであり、特にタ−ゲットの製造工程中に「割れ」
や「欠け」などが発生せず、製造の歩留りも良好である
タ−ゲットを提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記のような現状に鑑
み、本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、ストロンチウ
ム、チタンおよび酸素から実質的になるSTOスパッタ
リングターゲットが、その焼結密度が4.61g/cm
3以上であり、平均結晶粒径(d)が1μm≦d≦10
μmの範囲にあるか、または硬度(Hv)が600以上
であるという特徴が満足されれば、上記記載の課題を解
決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
み、本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、ストロンチウ
ム、チタンおよび酸素から実質的になるSTOスパッタ
リングターゲットが、その焼結密度が4.61g/cm
3以上であり、平均結晶粒径(d)が1μm≦d≦10
μmの範囲にあるか、または硬度(Hv)が600以上
であるという特徴が満足されれば、上記記載の課題を解
決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0008】即ち、本発明は、ストロンチウム、チタン
および酸素から実質的になり、その焼結密度(ρ) が
4.61≦ρ≦5.12g/cm3の範囲にあり、平均
結晶粒径(d)が1μm≦d≦10μmであることを特
徴とするSTOスパッタリングターゲット、または、ス
トロンチウム、チタンおよび酸素から実質的になり、そ
の焼結密度(ρ) が4.61≦ρ≦5.12g/cm3
の範囲にあり、硬度(Hv)が600以上であることを
特徴とするSTOスパッタリングターゲットに関する。
および酸素から実質的になり、その焼結密度(ρ) が
4.61≦ρ≦5.12g/cm3の範囲にあり、平均
結晶粒径(d)が1μm≦d≦10μmであることを特
徴とするSTOスパッタリングターゲット、または、ス
トロンチウム、チタンおよび酸素から実質的になり、そ
の焼結密度(ρ) が4.61≦ρ≦5.12g/cm3
の範囲にあり、硬度(Hv)が600以上であることを
特徴とするSTOスパッタリングターゲットに関する。
【0009】以下、本発明を詳細に説明する。
【0010】本発明のSTOスパッタリングターゲット
の組成は、30atm%≦Sr≦70atm%、30a
tm%≦Ti≦70atm%が好ましい。
の組成は、30atm%≦Sr≦70atm%、30a
tm%≦Ti≦70atm%が好ましい。
【0011】一般に、ターゲットは研削加工し、ある特
定の寸法に合わせて仕上げるが、このとき焼結体にはあ
る特定の応力が加えられる。この応力に耐えられない場
合、「チッピング」や「割れ」が発生する。本発明者等
は、STOターゲットの破壊強度と焼結密度および平均
結晶粒径との相関について検討した結果、焼結密度が増
加するにつれてバルク内部に存在する気孔の割合(気孔
率)が低下し、高密度品ほど加工の際に損傷を受けにく
くなるが、加工中の応力に耐え、損傷を被らないために
は、焼結密度が高いだけではなく、平均結晶粒径がある
特定の範囲内であると破壊強度が大きくなるという知見
を得た。そして、さらに詳細に検討した結果、焼結密度
が4.61≦ρ≦5.12g/cm3の範囲にあり、平
均結晶粒径が1μm≦d≦10μmであると、加工中に
ターゲットが損傷を受けることが極端に低下することを
見出したのである。
定の寸法に合わせて仕上げるが、このとき焼結体にはあ
る特定の応力が加えられる。この応力に耐えられない場
合、「チッピング」や「割れ」が発生する。本発明者等
は、STOターゲットの破壊強度と焼結密度および平均
結晶粒径との相関について検討した結果、焼結密度が増
加するにつれてバルク内部に存在する気孔の割合(気孔
率)が低下し、高密度品ほど加工の際に損傷を受けにく
くなるが、加工中の応力に耐え、損傷を被らないために
は、焼結密度が高いだけではなく、平均結晶粒径がある
特定の範囲内であると破壊強度が大きくなるという知見
を得た。そして、さらに詳細に検討した結果、焼結密度
が4.61≦ρ≦5.12g/cm3の範囲にあり、平
均結晶粒径が1μm≦d≦10μmであると、加工中に
ターゲットが損傷を受けることが極端に低下することを
見出したのである。
【0012】一方、STOターゲットの製造中における
「割れ」や「欠け」の発生について検討した結果、焼結
体密度が低い場合、焼結体内部にある特定量の気孔が分
布した状態になり、その結果、研削加工時に気孔の周囲
に応力の集中が起こり、そこが微細な亀裂の発生源とな
って焼結体に「割れ」や「欠け」が生じることがわかっ
た。従って、焼結体中の気孔の割合が少ない(=焼結密
度が大きい)程、研削加工時の応力により「割れ」や
「欠け」などを生じることが少ないが、研削加工時に加
えられる力に耐えるには、さらに硬度が高いほど破壊強
度が大きくなることを見出した。
「割れ」や「欠け」の発生について検討した結果、焼結
体密度が低い場合、焼結体内部にある特定量の気孔が分
布した状態になり、その結果、研削加工時に気孔の周囲
に応力の集中が起こり、そこが微細な亀裂の発生源とな
って焼結体に「割れ」や「欠け」が生じることがわかっ
た。従って、焼結体中の気孔の割合が少ない(=焼結密
度が大きい)程、研削加工時の応力により「割れ」や
「欠け」などを生じることが少ないが、研削加工時に加
えられる力に耐えるには、さらに硬度が高いほど破壊強
度が大きくなることを見出した。
【0013】このような観点から、本発明のSTOスパ
ッタリングターゲットは、焼結密度が4.61≦ρ≦
5.12g/cm3の範囲にあり、硬度(Hv)が60
0以上であることが重要なのである。
ッタリングターゲットは、焼結密度が4.61≦ρ≦
5.12g/cm3の範囲にあり、硬度(Hv)が60
0以上であることが重要なのである。
【0014】次に、本発明のSTOターゲットの製造方
法について詳細に説明する。STOターゲットは、例え
ば、炭酸ストロンチウムおよび酸化チタンを混合、仮
焼、成形、焼結することによって製造することができ
る。
法について詳細に説明する。STOターゲットは、例え
ば、炭酸ストロンチウムおよび酸化チタンを混合、仮
焼、成形、焼結することによって製造することができ
る。
【0015】炭酸ストロンチウムおよび酸化チタンを混
合する方法は特に限定されず、ジルコニアやナイロン製
などのボールを用いた通常のボールミル混合を行えばよ
く、必要に応じて、混合溶媒などを使用してもよい。
合する方法は特に限定されず、ジルコニアやナイロン製
などのボールを用いた通常のボールミル混合を行えばよ
く、必要に応じて、混合溶媒などを使用してもよい。
【0016】続いて、混合粉末を仮焼成することによ
り、STOの仮焼粉末を得、そして仮焼粉末の成形を行
う。成形方法は、目的とした形状に合った成形法を選べ
ばよく、例えば金型成形法や鋳込成形法などを例示する
ことができる。また必要に応じて、冷間静水圧プレス法
によって加圧処理することが望ましい。
り、STOの仮焼粉末を得、そして仮焼粉末の成形を行
う。成形方法は、目的とした形状に合った成形法を選べ
ばよく、例えば金型成形法や鋳込成形法などを例示する
ことができる。また必要に応じて、冷間静水圧プレス法
によって加圧処理することが望ましい。
【0017】以上のようにして得られた成形体を、所定
の温度で1〜5時間焼結することによりSTO焼結体を
得ることができる。得られる焼結体が上述したような焼
結密度、平均結晶粒径、硬度(Hv)を有するように焼
結すれば、焼結条件としては特に限定されない。好まし
くは、焼結を酸素中、大気中、或いは還元雰囲気中で行
えばよく、成形体を焼結するときの温度は1200℃以
上であればよい。また、焼結時間は特に限定されず、1
時間から20時間保持を行えばよい。このようにして製
造した焼結体を研削加工し、所定の寸法に仕上げること
により、製造歩留まりの極めて良好なSTOタ−ゲット
を提供することができる。
の温度で1〜5時間焼結することによりSTO焼結体を
得ることができる。得られる焼結体が上述したような焼
結密度、平均結晶粒径、硬度(Hv)を有するように焼
結すれば、焼結条件としては特に限定されない。好まし
くは、焼結を酸素中、大気中、或いは還元雰囲気中で行
えばよく、成形体を焼結するときの温度は1200℃以
上であればよい。また、焼結時間は特に限定されず、1
時間から20時間保持を行えばよい。このようにして製
造した焼結体を研削加工し、所定の寸法に仕上げること
により、製造歩留まりの極めて良好なSTOタ−ゲット
を提供することができる。
【0018】
【実施例】以下本発明を実施例および比較例によって具
体的に説明を行うが、本発明はこれに限定されるもので
はない。なお、チッピング、割れなどの評価(加工時の
ターゲット損傷)は、ターゲットを10枚製造したとき
の割れの枚数とした。また、硬度はビッカ−ス硬度計
(明石製作所製、型式名「MVK−EII)を用い、印
加荷重:1kgf、対面角136度のダイヤモンド圧子
を用いて、JIS Z2244に準じて測定した。
体的に説明を行うが、本発明はこれに限定されるもので
はない。なお、チッピング、割れなどの評価(加工時の
ターゲット損傷)は、ターゲットを10枚製造したとき
の割れの枚数とした。また、硬度はビッカ−ス硬度計
(明石製作所製、型式名「MVK−EII)を用い、印
加荷重:1kgf、対面角136度のダイヤモンド圧子
を用いて、JIS Z2244に準じて測定した。
【0019】実施例1 純度99.99%炭酸ストロンチウム粉末382.9
g、純度99.99%酸化チタン207.1g、および
直径15mmφの鉄心入りナイロンボール5kg、混合
媒体としてエタノールを、5Lのポリエチレンポットに
入れて、24時間ボールミル混合を行なった。混合後、
スラリーとボールを分離し、得られたスラリーをナス型
フラスコに入れて、エバポレーターにより乾燥した。乾
燥粉末を造粒した後、1200℃で3時間仮焼を行っ
た。
g、純度99.99%酸化チタン207.1g、および
直径15mmφの鉄心入りナイロンボール5kg、混合
媒体としてエタノールを、5Lのポリエチレンポットに
入れて、24時間ボールミル混合を行なった。混合後、
スラリーとボールを分離し、得られたスラリーをナス型
フラスコに入れて、エバポレーターにより乾燥した。乾
燥粉末を造粒した後、1200℃で3時間仮焼を行っ
た。
【0020】仮焼粉末を粉砕した後、150φの金型を
用いて0.2t/cm2の圧力で成形し、さらに冷間静
水圧プレス法で3t/cm2の圧力で処理した後、酸素
雰囲気中1400℃で3時間焼結を行った。
用いて0.2t/cm2の圧力で成形し、さらに冷間静
水圧プレス法で3t/cm2の圧力で処理した後、酸素
雰囲気中1400℃で3時間焼結を行った。
【0021】焼結体の密度をアルキメデス法により測定
したところ、焼結密度は5.09g/cm3であった。
電子顕微鏡により焼結体の組織を観察したところ、焼結
体の平均結晶粒径は2.5μmであった。焼結体の表面
を平面研削盤で削り、側面を円筒研削盤で削りターゲッ
ト製品とした。ターゲット加工時にはチッピング等の発
生は見られなかった。ターゲットの組成分析を行ったと
ころ、Sr:Tiの組成(atm%)は50:50であ
った。
したところ、焼結密度は5.09g/cm3であった。
電子顕微鏡により焼結体の組織を観察したところ、焼結
体の平均結晶粒径は2.5μmであった。焼結体の表面
を平面研削盤で削り、側面を円筒研削盤で削りターゲッ
ト製品とした。ターゲット加工時にはチッピング等の発
生は見られなかった。ターゲットの組成分析を行ったと
ころ、Sr:Tiの組成(atm%)は50:50であ
った。
【0022】実施例2 実施例1と同様な方法で混合、成形し、大気中1400
℃で3時間焼結を行った。焼結密度は4.95g/cm
3であった。電子顕微鏡により焼結体の組織を観察した
ところ、焼結体の平均結晶粒径は2.0μm であった。
焼結体の表面を平面研削盤で削り、側面を円筒研削盤で
削りターゲット製品とした。ターゲット加工時にはチッ
ピング等の発生は見られなかった。ターゲットの組成分
析を行ったところ、Sr:Tiの組成(atm%)は5
0:50であった。
℃で3時間焼結を行った。焼結密度は4.95g/cm
3であった。電子顕微鏡により焼結体の組織を観察した
ところ、焼結体の平均結晶粒径は2.0μm であった。
焼結体の表面を平面研削盤で削り、側面を円筒研削盤で
削りターゲット製品とした。ターゲット加工時にはチッ
ピング等の発生は見られなかった。ターゲットの組成分
析を行ったところ、Sr:Tiの組成(atm%)は5
0:50であった。
【0023】実施例3 純度99.99%炭酸ストロンチウム粉末260.8
g、純度99.99%酸化チタン329.2gを実施例
1と同様な方法で混合、成形し、酸素雰囲気中1400
℃で3時間焼結を行った。焼結密度は4.73g/cm
3であった。電子顕微鏡により焼結体の組織を観察した
ところ、焼結体の平均結晶粒径は2.8μmであった。
焼結体の表面を平面研削盤で削り、側面を円筒研削盤で
削りターゲット製品とした。ターゲット加工時にはチッ
ピング等の発生は見られなかった。ターゲットの組成分
析を行ったところ、Sr:Tiの組成(atm%)は3
0:70であった。
g、純度99.99%酸化チタン329.2gを実施例
1と同様な方法で混合、成形し、酸素雰囲気中1400
℃で3時間焼結を行った。焼結密度は4.73g/cm
3であった。電子顕微鏡により焼結体の組織を観察した
ところ、焼結体の平均結晶粒径は2.8μmであった。
焼結体の表面を平面研削盤で削り、側面を円筒研削盤で
削りターゲット製品とした。ターゲット加工時にはチッ
ピング等の発生は見られなかった。ターゲットの組成分
析を行ったところ、Sr:Tiの組成(atm%)は3
0:70であった。
【0024】比較例1 実施例1と同様な方法で混合、成形し、酸素雰囲気中1
300℃で3時間焼結を行った。焼結密度は4.49g
/cm3であった。電子顕微鏡により焼結体の組織を観
察したところ、焼結体の平均結晶粒径は2.0μmであ
った。焼結体の表面を平面研削盤で削り、側面を円筒研
削盤で削ったが、研削中にチッピングが多数発生し、タ
ーゲットに割れが生じた。ターゲット破材の組成分析を
行ったところ、Sr:Tiの組成(atm%)は50:
50であった。
300℃で3時間焼結を行った。焼結密度は4.49g
/cm3であった。電子顕微鏡により焼結体の組織を観
察したところ、焼結体の平均結晶粒径は2.0μmであ
った。焼結体の表面を平面研削盤で削り、側面を円筒研
削盤で削ったが、研削中にチッピングが多数発生し、タ
ーゲットに割れが生じた。ターゲット破材の組成分析を
行ったところ、Sr:Tiの組成(atm%)は50:
50であった。
【0025】比較例2 純度99.99%炭酸ストロンチウム粉末325.7
g、純度99.99%酸化チタン264.3gを、実施
例1と同様な方法で混合、成形し、酸素雰囲気中120
0℃で3時間焼結を行った。焼結密度は3.38g/c
m3であった。電子顕微鏡により焼結体の組織を観察し
たところ、焼結体の平均結晶粒径は1.2μmであっ
た。焼結体の表面を平面研削盤で削り、側面を円筒研削
盤で削ったが、研削中にチッピングが多数発生し、ター
ゲットに割れが生じた。ターゲット破材の組成分析を行
ったところ、Sr:Tiの組成(atm%)は40:6
0であった。
g、純度99.99%酸化チタン264.3gを、実施
例1と同様な方法で混合、成形し、酸素雰囲気中120
0℃で3時間焼結を行った。焼結密度は3.38g/c
m3であった。電子顕微鏡により焼結体の組織を観察し
たところ、焼結体の平均結晶粒径は1.2μmであっ
た。焼結体の表面を平面研削盤で削り、側面を円筒研削
盤で削ったが、研削中にチッピングが多数発生し、ター
ゲットに割れが生じた。ターゲット破材の組成分析を行
ったところ、Sr:Tiの組成(atm%)は40:6
0であった。
【0026】比較例3 実施例1と同様な方法で混合、成形したものを焼結を行
わずに、ターゲットとした。成形密度は3.05g/c
m3であった。成形体の表面を平面研削盤で削り、側面
を円筒研削盤で削ったが、研削中にチッピングが多数発
生し、ターゲットに割れが生じた。電子顕微鏡により成
形体破材の組織を観察したところ、平均結晶粒径は0.
8μmであった。ターゲット破材の組成分析を行ったと
ころ、Sr:Tiの組成(atm%)は50:50であ
った。
わずに、ターゲットとした。成形密度は3.05g/c
m3であった。成形体の表面を平面研削盤で削り、側面
を円筒研削盤で削ったが、研削中にチッピングが多数発
生し、ターゲットに割れが生じた。電子顕微鏡により成
形体破材の組織を観察したところ、平均結晶粒径は0.
8μmであった。ターゲット破材の組成分析を行ったと
ころ、Sr:Tiの組成(atm%)は50:50であ
った。
【0027】実施例1〜3および比較例1〜3で得られ
たターゲットのバルク特性、加工時のターゲット損傷に
ついての結果を表1に示す。なお、加工時のターゲット
損傷とは、ターゲットを10枚製造したときの割れの枚
数とした。この結果から明らかなように、本実施例で得
られたSTOターゲットは優れた加工特性をもつことが
わかる。
たターゲットのバルク特性、加工時のターゲット損傷に
ついての結果を表1に示す。なお、加工時のターゲット
損傷とは、ターゲットを10枚製造したときの割れの枚
数とした。この結果から明らかなように、本実施例で得
られたSTOターゲットは優れた加工特性をもつことが
わかる。
【0028】
【表1】
【0029】実施例4 大気中1500℃で3時間焼結を行った他は、実施例1
と同様な方法でSTOターゲットを得た。焼結密度は
4.93g/cm3であった。
と同様な方法でSTOターゲットを得た。焼結密度は
4.93g/cm3であった。
【0030】実施例5 ターゲットのSr:Tiの組成(atm%)が46:5
4となるよう、炭酸ストロンチウムと酸化チタンとを混
合し、大気中1400℃で3時間焼結を行った他は、実
施例1と同様な方法でSTOターゲットを得た。
4となるよう、炭酸ストロンチウムと酸化チタンとを混
合し、大気中1400℃で3時間焼結を行った他は、実
施例1と同様な方法でSTOターゲットを得た。
【0031】比較例4 実施例1と同様な方法で混合、成形し、大気中1300
℃で3時間焼結を行ってSTOターゲットを得た。焼結
密度は4.55g/cm3であった。
℃で3時間焼結を行ってSTOターゲットを得た。焼結
密度は4.55g/cm3であった。
【0032】比較例5 実施例1と同様な方法で混合、成形し、大気中1200
℃で3時間焼結を行ってSTOターゲットを得た。焼結
密度は3.08g/cm3であった。
℃で3時間焼結を行ってSTOターゲットを得た。焼結
密度は3.08g/cm3であった。
【0033】実施例2、実施例4〜5および比較例4〜
5で得られたターゲットの硬度(Hv)、加工時のター
ゲット損傷についての結果を表2に示す。この結果から
明らかなように、本実施例で得られたSTOターゲット
は優れた加工特性をもつことがわかる。また、図1に、
実施例4〜5および比較例4〜5におけるタ−ゲットの
ビッカ−ス硬度と相対密度との相関を示した。斜線で示
す領域が、本発明の範囲である。
5で得られたターゲットの硬度(Hv)、加工時のター
ゲット損傷についての結果を表2に示す。この結果から
明らかなように、本実施例で得られたSTOターゲット
は優れた加工特性をもつことがわかる。また、図1に、
実施例4〜5および比較例4〜5におけるタ−ゲットの
ビッカ−ス硬度と相対密度との相関を示した。斜線で示
す領域が、本発明の範囲である。
【0034】
【表2】
【0035】
【発明の効果】本発明によれば、STO焼結体をターゲ
ットとして加工する際、ターゲットの損傷が少なくなる
ため、歩留まりよく低コストのSTOターゲットを与え
ることができる。
ットとして加工する際、ターゲットの損傷が少なくなる
ため、歩留まりよく低コストのSTOターゲットを与え
ることができる。
【図1】 本発明の実施例および比較例における硬度と
相対密度との相関を示した図である。
相対密度との相関を示した図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 ストロンチウム、チタンおよび酸素から
実質的になり、その焼結密度(ρ) が4.61≦ρ≦
5.12g/cm3の範囲にあり、平均結晶粒径(d)
が1μm≦d≦10μmであることを特徴とするチタン
酸ストロンチウムスパッタリングターゲット。 - 【請求項2】 ストロンチウム、チタンおよび酸素から
実質的になり、その焼結密度(ρ) が4.61≦ρ≦
5.12g/cm3の範囲にあり、硬度(Hv)が60
0以上であることを特徴とするチタン酸ストロンチウム
スパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13541994A JPH083736A (ja) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | チタン酸ストロンチウムスパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13541994A JPH083736A (ja) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | チタン酸ストロンチウムスパッタリングターゲット |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH083736A true JPH083736A (ja) | 1996-01-09 |
Family
ID=15151299
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13541994A Pending JPH083736A (ja) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | チタン酸ストロンチウムスパッタリングターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH083736A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5997704A (en) * | 1996-11-01 | 1999-12-07 | Mitsubishi Materials Corporation | Sputtering target for depositing ferroelectric film, method for preparing the same, and method for preparing a DRAM using the same |
US9279178B2 (en) | 2007-04-27 | 2016-03-08 | Honeywell International Inc. | Manufacturing design and processing methods and apparatus for sputtering targets |
CN117051369A (zh) * | 2023-10-11 | 2023-11-14 | 北京航空航天大学宁波创新研究院 | 一种掺铌钛酸锶靶材的制备方法、靶材及磁控溅射薄膜 |
-
1994
- 1994-06-17 JP JP13541994A patent/JPH083736A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5997704A (en) * | 1996-11-01 | 1999-12-07 | Mitsubishi Materials Corporation | Sputtering target for depositing ferroelectric film, method for preparing the same, and method for preparing a DRAM using the same |
US9279178B2 (en) | 2007-04-27 | 2016-03-08 | Honeywell International Inc. | Manufacturing design and processing methods and apparatus for sputtering targets |
CN117051369A (zh) * | 2023-10-11 | 2023-11-14 | 北京航空航天大学宁波创新研究院 | 一种掺铌钛酸锶靶材的制备方法、靶材及磁控溅射薄膜 |
CN117051369B (zh) * | 2023-10-11 | 2024-01-05 | 北京航空航天大学宁波创新研究院 | 一种掺铌钛酸锶靶材的制备方法、靶材及磁控溅射薄膜 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100496115B1 (ko) | 고강도유전체스퍼터링타겟및그의제조방법 | |
JPH01230478A (ja) | 均質窒化珪素焼結体およびその製造方法 | |
US5338713A (en) | Sintered body of alumina and partially stabilized zirconia, a process for making the same and a method of preparing a powder for sintering | |
JPS6054976A (ja) | 窒化珪素焼結体 | |
CN108911738B (zh) | 多孔钛酸钡压电陶瓷及其制备方法 | |
JP3265518B2 (ja) | ジルコニアボールおよびその製造方法 | |
US4952537A (en) | Ceramic products and process for producing the same | |
US5472919A (en) | β-silicon nitride sintered body | |
KR20190098134A (ko) | 배향 AlN 소결체 및 그 제법 | |
JP4331825B2 (ja) | 高強度アルミナ質焼結体の製造方法 | |
JPH083736A (ja) | チタン酸ストロンチウムスパッタリングターゲット | |
JP4582835B2 (ja) | アクチュエータ用圧電部材の製造方法 | |
DE19730770C2 (de) | Porenfreie Sinterkörper auf Basis von Siliciumcarbid, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung als Substrate für Festplattenspeicher | |
JP4017220B2 (ja) | スパッタリング用BaxSr1−xTiO3−yターゲット材 | |
US6432353B1 (en) | Method for producing oxide type ceramic sintered body | |
JPH04209762A (ja) | 圧電磁器の製造方法 | |
US5672553A (en) | Superplastic silicon nitride sintered body | |
EP4382504A1 (en) | Powder composition, calcined body, sintered body, and method for producing same | |
JP7396993B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH10310471A (ja) | 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット | |
JP3245234B2 (ja) | 透光性イットリウム−アルミニウム−ガーネット焼結体の製造方法 | |
JPH05139828A (ja) | 圧電磁器の製造方法 | |
JPH03218974A (ja) | 窒化珪素焼結体およびその製造方法 | |
JPH06116010A (ja) | ビスマス層状化合物の製造方法 | |
JP2001287986A (ja) | 圧電セラミックスおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040210 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040412 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20060912 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |