JPH0836796A

JPH0836796A - 光磁気記録媒体及びその製造方法と製造装置

Info

Publication number: JPH0836796A
Application number: JP6171256A
Authority: JP
Inventors: Satomi Yoshibe; さとみ吉部
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1994-07-22
Filing date: 1994-07-22
Publication date: 1996-02-06

Abstract

(57)【要約】【目的】オーバーライト可能な光磁気記録媒体のＣＮ
比を向上させる。【構成】垂直磁化可能な磁性薄膜からなり、互いに交
換結合しているメモリー層と記録層を積層してなり、室
温でメモリー層の磁化の向きを変えることなく記録層の
磁化の向きを所定の方向に向けておくことが可能な光磁
気記録媒体を用意する工程（第一工程）、室温で記録層
の有する保持力より大きな磁場を印加し、記録層の磁化
の向きを一方向へ揃える工程（第二工程）、媒体にレー
ザービームを照射することによりメモリー層の磁化の向
きを一方向へ揃える工程（第三工程）からなる工程によ
り光磁気記録媒体を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、オーバーライト可能な
光磁気記録媒体及びその製造方法、製造装置に関する。
オーバーライト(over write)とは、前の情報を消去せず
に新たな情報を記録する行為を言う。この場合、再生し
たとき、前の情報は再生されてはならない。本明細書で
言う「オーバーライト」とは、特に、記録磁界Ｈb の向
き及び強度を変調せずに、単にレーザービームを記録す
べき情報に従いパルス変調しながら照射する(irradiat
e) ことにより、オーバーライトすることを言う。

【０００２】

【従来の技術】最近、高密度、大容量、高いアクセス速
度、並びに高い記録及び再生速度を含めた種々の要求を
満足する光学的記録再生方法、それに使用される記録装
置、再生装置及び記録媒体を開発しようとする努力が成
されている。広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁
気記録再生方法は、情報を記録した後、消去することが
でき、再び新たな情報を記録することが繰り返し何度も
可能であるというユニークな利点のために、最も大きな
魅力に満ちている。

【０００３】この光磁気記録再生方法で使用される記録
媒体は、記録を残す層として１層又は多層からなる垂直
磁化膜(perpendicular magnetic layer or layers) を
有する。この磁化膜は、例えばアモルファスのGdFeやGd
Co、GdFeCo、TbFe、TbCo、TbFeCoなどからなる。垂直磁
化膜は、一般に同心円状又はらせん状のトラックを有し
ており、このトラックの上に情報が記録される。トラッ
クは明示的な場合と黙示的な場合の２通りある。〔明示的なトラック〕光磁気記録媒体はディスク形状を
している。明示的なトラックを有するディスクは、ディ
スク平面に対し垂直方向から見た場合、情報を記録する
トラックが渦巻状又は同心円状に形成されている。そし
て、隣接する２つのトラック間にトラッキングのため及
び分離のための溝（グルーブ groove ）が存在する。逆
に溝と溝の間をランド(land)と呼ぶ。実際には、ディス
クの裏表でランドと溝が逆になる。そこで、ビームが入
射するのと同じにディスクを見て、手前を溝、奥をラン
ドと呼ぶ。垂直磁化膜は、溝の上にもランドの上にも一
面に形成するので、溝の部分をトラックにしてもよい
し、ランドの部分をトラックにしてもよい。溝の幅とラ
ンドの幅との間に特に大小関係はない。

【０００４】このようなランドと溝を構成するために、
一般に、基板には、表面に渦巻状又は同心円状に形成さ
れたランドと、２つの隣合うランド間に挟まれた溝が存
在する。このような基板上に薄く垂直磁化膜が形成され
る。これにより垂直磁化膜はランドと溝を持つ。〔マーク〕本明細書では、膜面に対し「上向き（upwar
d) 」又は「下向き(downward)」の何れか一方を、「Ａ
向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。

【０００５】記録すべき情報は、予め２値化されてお
り、この情報が「Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ₁)
と、「逆Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ₀)の２つの
信号で記録される。これらのマークＢ₁，Ｂ₀は、デジ
タル信号の１，０の何れか一方と他方にそれぞれ相当す
る。しかし、一般には記録されるトラックの磁化は、記
録前に強力な外部磁場を印加することによって「逆Ａ向
き」に揃えられる。この磁化の向きを揃える行為は、古
い意味で「初期化^*（initialize^*）」と呼ばれる。そ
の上でトラックに「Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ
₁)を形成する。情報は、このマーク（Ｂ₁)の有無、位
置、マークの前端位置、後端位置、マーク長等によって
表現される。特にマークのエッジ位置が情報を表す方法
はマーク長記録と呼ばれる尚、マークは、過去にピット
又はビットと呼ばれたことがあるが、最近はマークと呼
ぶ。

【０００６】ところで、記録ずみの媒体を再使用するに
は、 (１) 媒体を再び初期化^*装置で初期化^*するか、
又は (２) 記録装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを
併設するか、又は (３) 予め、前段処理として記録装置
又は消去装置を用いて記録ずみ情報を消去する必要があ
る。従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ
情報の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録でき
るオーバーライトは、不可能とされていた。

【０００７】もっとも、もし記録磁界Ｈb の向きを必要
に応じて「Ａ向き」と「逆Ａ向き」との間で自由に変調
することができれば、オーバーライトが可能になる。し
かしながら、記録磁界Ｈb の向きを高速度で変調するこ
とは不可能である。例えば、記録磁界Ｈb が永久磁石で
ある場合、磁石の向きを機械的に反転させる必要があ
る。しかし、磁石の向きを高速で反転させることは、無
理である。記録磁界Ｈbが電磁石である場合にも、大容
量の電流の向きをそのように高速で変調することは不可
能である。

【０００８】しかしながら、技術の進歩は著しく、記録
磁界Ｈb の強度を変調せずに（ON、OFF を含む) 又は記
録磁界Ｈb の向きを変調せずに、照射する光ビームの強
度を記録すべき２値化情報に従い変調するだけで、オー
バーライトが可能な光磁気記録方法と、それに使用され
るオーバーライト可能な光磁気記録媒体と、同じくそれ
に使用されるオーバーライト可能な記録装置が発明さ
れ、特許出願された（特開昭62−175948号＝DE3,619,61
8A1 ＝米国特許出願中 Ser.No453,255) 。以下、この発
明を「基本発明」と引用する。〔基本発明の説明〕基本発明では、「基本的に垂直磁化
可能な磁性薄膜からなる記録再生層recording layer
（本明細書では、この記録再生層をメモリー層 Memory
layer又はＭ層と言う）と、垂直磁化可能な磁性薄膜か
らなる記録補助層 referencelayer （本明細書では、こ
の記録補助層を記録層 Writing layer 又はＷ層と言
う）とを含み、両層は交換結合（exchange-coupled) し
ており、かつ、室温でメモリー層の磁化の向きは変えな
いで記録層の磁化のみを所定の向きに向けておくことが
できるオーバーライト可能な多層光磁気記録媒体」を使
用する。

【０００９】そして、情報をメモリー層（場合により記
録層にも）における「Ａ向き」磁化を有するマークと
「逆Ａ向き」磁化を有するマークで表現し、記録するの
である。この媒体は、記録層が外部手段（例えば初期補
助磁界Hini. ）によって、その磁化の向きを「Ａ向き」
に揃えることができる。しかも、そのとき、メモリー層
は、磁化の向きは反転せず、更に、一旦「Ａ向き」に揃
えられた記録層の磁化の向きは、メモリー層からの交換
結合力を受けても反転せず、逆にメモリー層の磁化の向
きは、「Ａ向き」に揃えられた記録層からの交換結合力
を受けても反転しない。

【００１０】そして、記録層は、メモリー層に比べて低
い保磁力Ｈ_Cと高いキュリー点Ｔ_Cを持つ。基本発明
の記録方法によれば、記録媒体は、記録前までに、外部
手段により記録層の磁化の向きだけが「Ａ向き」に揃え
られる。この行為を本明細書では特別に“初期化(initi
alize)”と呼ぶ。この“初期化”はオーバーライト可能
な媒体に特有なことである。

【００１１】その上で、２値化情報に従いパルス変調さ
れたレーザービームが媒体に照射される。レーザービー
ムの強度は、高レベルＰ_Hと低レベルＰ_Lがあり、これ
はパルスの高レベルと低レベルに相当する。この低レベ
ルは、再生時に媒体を照射する再生レベルＰ_Rよりも高
い。既に知られているように、記録をしない時にも、例
えば媒体における所定の記録場所をアクセスするために
レーザービームを＜非常な低レベル＞で点灯することが
ある。この＜非常な低レベル＞も、再生レベルＰ_Rと同
一又は近似のレベルである。

【００１２】例えば、「Ａ向き」に“初期化(initializ
e)”された媒体は、低レベルＰ_Lのレーザービームの照
射を受けると、媒体の温度が向上してメモリー層の保磁
力Ｈ _c1が非常に小さくなるか極端にはゼロになる。ゼロ
になるのは、媒体の温度がメモリー層のキュリー点以上
であるときである。このとき、記録層の保磁力Ｈ_c2は十
分に大きく、「逆Ａ向き」の記録磁界Ｈb で反転される
ことはない。そして、記録層の力が交換結合力を介して
メモリー層に及ぶ。メモリー層、記録層は、一般に重希
土類金属（heavy rare earth metal：以下、ＲＥと略
す）−遷移金属（transition metal：以下、ＴＭと略
す）合金で構成される。交換結合力は、両層のＲＥ磁気
モーメント同士を揃える力と両層のＴＭ磁気モーメント
同士を揃える力からなる。尚、合金中ではＲＥの副格子
磁化とＴＭの副格子磁化とは、向きが逆であり、大きい
方の副格子磁化の向きが、合金の磁化の向きを決める。
両副格子磁化が等しいとき、その組成を補償組成（comp
ensation composition) と言い、その温度を補償温度
（compensation temperature) と言う。補償温度より
上では、ＴＭ副格子磁化の方が強く、補償温度より下で
は、ＲＥ副格子磁化の方が強い。

【００１３】レーザービームを照射する前のマークの状
態は、メモリー層と記録層との間に界面磁壁が存在す
る状態と、存在しない状態との２種がある。存在し
ない状態のマークは、形成しようとするマークと一致す
る。存在する状態のマークは、形成しようとするマー
クと一致しない。後者の場合、記録層の力が交換結合
力を介してメモリー層に及ぶ結果、非常に小さくなった
保磁力Ｈ_c1を持つメモリー層の磁化は、記録層によって
支配された所定の向き（例えば、「Ａ向き」）を向かさ
れる。その結果、メモリー層と記録層との間に界面磁壁
が存在しないマーク（目的とするマーク）が形成され
る。

【００１４】仮にメモリー層の磁化がゼロだった場合
（Ｔ_c1以上）でもレーザービームの照射がなくなり、媒
体の温度が自然に低下してキュリー点Ｔ_c1よりやや下が
ると、メモリー層に磁化が現れる。このとき、同様に記
録層の力が交換結合力を介してメモリー層に及ぶ。その
ため、メモリー層に現れる磁化は、記録層によって支配
された所定の向き（例えば、「Ａ向き」）を向く。この
状態から室温に戻るが、所定の向きが保たれる。ただ
し、室温へ戻る途中にメモリー層、記録層に補償温度が
あると、そこを越えたとき、その層の磁化の向きは逆転
する。このプロセスは低温サイクル又は低温プロセスと
呼ばれる。

【００１５】他方、例えば、「Ａ向き」に“初期化(ini
tialize)”された媒体は、高レベルＰ_Hのレーザービー
ムの照射を受けると、媒体の温度が向上してメモリー層
の保磁力Ｈ_c1はゼロになり、記録層の保磁力Ｈ_c2は非常
に小さくなるか、極端にはゼロになる。そのため、非常
に小さい保磁力Ｈ_c2を持つ記録層の磁化は、記録磁界Ｈ
bに負けて所定の向き（例えば、「逆Ａ向き」）を向
く。仮に記録層の磁化がゼロだった場合でもレーザービ
ームの照射がなくなり、媒体の温度が自然に低下してキ
ュリー点Ｔ_c2よりやや下がると、記録層に磁化が現れる
が、このとき、同様に記録磁界Ｈb に負けて、記録層の
磁化は所定の向き（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。更
に媒体の温度が冷えてキュリー点Ｔ_c1よりやや下がる
と、メモリー層に磁化が現れる。このとき、記録層の力
が交換結合力を介してメモリー層に及ぶ。そのため、メ
モリー層に現れる磁化は、記録層によって支配された所
定の向き（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。この状態か
ら室温に戻るが、所定の向きが保たれる。但し、室温へ
戻る途中にメモリー層、記録層に補償温度があると、そ
こを越えたとき、メモリー層、記録層の磁化の向きは逆
転する。このプロセスは高温サイクル又は高温プロセス
と呼ばれる。

【００１６】以上の低温サイクル、高温サイクルは、メ
モリー層、記録層の磁化の向きに無関係に、起こる。と
もかく、レーザービームの照射前に記録層が“初期化(i
nitialize)”されておれば良い。そのため、オーバーラ
イトが可能となる。基本発明では、レーザービームは、
記録すべき情報に従いパルス状に変調される。しかし、
このこと自身は、従来の光磁気記録でも行われており、
記録すべき２値化情報に従いビーム強度をパルス状に変
調する手段は既知の手段である。例えば、THE BELL S
YSTEM TECHNICAL JOURNAL, Vol.62(1983),1923 −19
36に詳しく説明されている。従って、ビーム強度の必要
な高レベルと低レベルが与えられれば、従来の変調手段
を一部修正するだけで容易に入手できる。当業者にとっ
て、そのような修正は、ビーム強度の高レベルと低レベ
ルが与えられれば、容易であろう。

【００１７】基本発明に於いて特徴的なことの１つは、
ビーム強度の高レベルと低レベルである。即ち、ビーム
強度が高レベルの時に、記録磁界Ｈb その他の外部手段
により記録層の「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転
（reverse)させ、この記録層の「逆Ａ向き」磁化によっ
てメモリー層に「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁
化〕を有するマークを形成する。ビーム強度が低レベル
の時は、記録層の磁化の向きは、“初期化”状態と変わ
らず、そして、記録層の作用（この作用は交換結合力を
通じてメモリー層に伝わる）によってメモリー層に「Ａ
向き」磁化〔又は「逆Ａ向き」磁化〕を有するマークを
形成する。

【００１８】なお、本明細書で、○○○〔又は△△△〕
という表現は、先に〔〕の外の○○○を読んだときに
は、以下の○○○〔又は△△△〕のときにも、〔〕の
外の○○○を読むことにする。それに対して先に○○○
を読まずに〔〕内の△△△の方を選択して読んだとき
には、以下の○○○〔又は△△△〕のときにも○○○を
読まずに〔〕内の△△△を読むものとする。

【００１９】基本発明で使用される媒体は、第１実施態
様と第２実施態様とに大別される。いずれの実施態様に
おいても、記録媒体は、メモリー層と記録層を含む多
層構造を有する。メモリー層は、室温で保磁力が高く磁
化反転温度が低い磁性層である。記録層はメモリー層に
比べ相対的に室温で保磁力が低く磁化反転温度が高い磁
性層である。なお、メモリー層と記録層ともに、それ自
体多層膜から構成されていてもよい。場合によりメモ
リー層と記録層との間に中間層（例えば、交換結合力σ
_W調整層・・・・この層をＩ層と略してもよい）が存在
していてもよい。中間層については、特開昭64−50257
号や特開平１−273248号を参照されたい。

【００２０】また、オーバーライト可能な光磁気記録に
ついては、その外、特開平４−123339号や特開平４−13
4741号など多くの資料が出されているので、ここでは、
これ以上の説明を省く。なお、特開平４−123339号に開
示された４層構造のディスクは、メモリー層、記録層の
外に、“初期化”層 (Initializing layer：Ｉni.層
と略す）、初期化層と記録層との間に両層の間の交換結
合をオン・オフするスイッチング層（Swithing layer：
Ｓ層）を持つ。

【００２１】Ｃ／Ｎ比を高めるために、メモリー層の上
に（つまり、レーザービームの入射側に）メモリー層よ
りキュリー点が高くカー効果の高い読出層（Readout la
yer：Ｒ層）を積層したものも提案されている。例え
ば、特開昭63−64651 号公報、特開昭63−48637 号公報
を参照されたい。提案された読出層もＲＥ−ＴＭ系合金
で構成される。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】一般に、光磁気記録媒
体の初期化は媒体の持つ保磁力より大きな外部磁場中を
通過させることによって行う。オーバーライト可能な光
磁気記録媒体ではメモリー層および記録層の保磁力は、
図２に示すようになっている。この媒体を初期化するた
めには、図２に示すＨ_INIの磁場を印加することにより
記録層の磁化の向きを一方に揃え、媒体を初期化する事
ができる。

【００２３】前記のように外部からＨ_INIの磁場を印加
することにより媒体を初期化することを試みた。この媒
体にマークを記録し再生信号をスペクトルアナライザー
で観察したところ信号全体でのノイズレベルが高く、良
好な再生信号が得られなかった。

【００２４】

【課題を解決するための手段】上記のように再生信号の
ノイズレベル上昇の原因として次のもが挙げられる。記
録時の磁場またはレーザーパワーの不足、媒体組成のズ
レ、再生パワー照射の昇温による劣化、アンプまたは電
気回路のノイズ、隣あったトラックまたは溝からのクロ
ストーク等々である。

【００２５】発明者は鋭意研究の結果、再生信号のノイ
ズの原因は溝からのクロストークが原因であると判明し
た。そこで本願発明は、第一に「第一工程：垂直磁化可
能な磁性薄膜からなるメモリー層と垂直磁化可能な磁性
薄膜からなる記録層とを順に積層してなり、これらの層
は互いに交換結合しており、室温でメモリー層の磁化の
向きを変えることなく記録層の磁化の向きを所定の方向
に向けておくことが出来るオーバーライト可能な光磁気
記録媒体を用意する工程第二工程：室温で記録層の持つ保磁力より大きな磁場を
印加することにより記録層の磁化の向きを一方向へ揃え
る工程第三工程：媒体にレーザービームを照射することによ
り、メモリー層の磁化の向きを一方向へ揃える工程からなる前記三つの工程により、媒体の磁化の向きを一
方向へと揃えることを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法（請求項１）」を提供する。

【００２６】また第二に「請求項１の三つの工程によ
り、媒体の磁化の向きを一方向へと揃え製造されたこと
を特徴とする光磁気記録媒体（請求項２）」を提供す
る。第三に「少なくとも室温で記録層の持つ保磁力より
大きな磁場を発生するための手段、媒体を回転させなが
らレーザービームを照射するための光源および照射手段
を有する光磁気記録媒体の製造装置（請求項３）」を提
供する。

【００２７】

【作用】オーバーライト可能な光磁気記録媒体のメモリ
ー層および記録層の保磁力の温度との関係は図２に示し
た通りである。記録層を初期化するためには室温で記録
層の磁化の向きを一方向へ揃えるために必要な磁場（Ｈ
_INI）を印加すれば良い。この時の媒体の磁化は図３に
示すようになっている。記録層は初期化され膜面に対し
て垂直に磁化の向きが揃えられているが、メモリー層の
磁化の向きはバラバラのままの状態である。

【００２８】まず、第一回目の記録を行う。オーバーラ
イト記録方式では図４のようにレーザービームのパワー
を変調する。Ｐ_Lで示したパワーを照射することにより
媒体の温度はＴLまで上昇する。この温度はメモリー層
のキュリー温度であり、メモリー層の保磁力は0とな
る。次に、媒体の温度の降下を開始する。キュリー温度
で保磁力を失ったメモリー層は交換結合によって磁化方
向を記録層の磁化方向と同じ向きに揃えながら冷却され
てゆく。温度が室温まで低下したとき、メモリー層の磁
化の向きは記録膜に対して垂直方向に磁化している。ま
た図２に示すように、室温でのメモリー層の保磁力は記
録層の保磁力よりかなり大きいため、室温でメモリー層
に記録されたマークは外部磁場に対して安定である。以
上のような記録過程を経るため、メモリー層は記録前に
予め磁化の向きを揃えておく必要はない。

【００２９】実際に情報の記録消去は図１のランドと呼
ばれるところへレーザービームを照射して行われる。ラ
ンドとランドの間には図１のように仕切りのための溝が
あり、この溝にも光磁気記録媒体が成膜されている。こ
の溝では通常の記録消去は行われないため、レーザービ
ームの照射によって磁化の向きを記録層の磁化の向きに
揃えることは出来ない。すなわち、ランドでオーバーラ
イト記録が繰り返して行われても溝の磁化の向きは初期
のままである。

【００３０】しかしながら、実際には不安定なトラッキ
ングやチルト等の原因により再生信号に溝からのクロス
トークの影響を受けるためにノイズレベルが上昇したよ
うにみえる。上記のような不都合は記録層を初期化した
後に、溝にレーザービームを照射することによって、溝
の磁化の向きを記録層の磁化方向に揃えておくことによ
って解決される。

【００３１】

【実施例１】まず、直径130mmの案内溝付き基板を用意
した。この基板にマグネトロンスパッタリングにより窒
化シリコンを成膜した。次に、Tb₂₁Fe₇₁Co₈（添字は原
子％を表す）を500 Å、Dy₂₆Fe₃₇Co₃₇を700 Å、さらに
その上に窒化シリコン500 Åを続けて成膜し光磁気記録
媒体を作製した。

【００３２】この光磁気記録媒体を5kOeの磁場中を通過
させ記録層の磁化の向きを一方向へ揃えた。次に光磁気
記録媒体を相対速度15m/sの速度で回転させながら5mWの
パワーでレーザービームを溝に焦点を合わせて照射し
た。この媒体に2MHzの信号を記録した。記録時の高パワ
ー（Ｐ_H）は7mW、低パワー（Ｐ_L）は4mW、記録磁場は40
0Oeであった。この信号を1.0mWのレーザーパワーで再生
しスペクトルアナライザーで観察したところ、2MHzでの
キャリアレベルは−９dBm 、1MHzから10MHzまでの平均
ノイズレベルは-61dBmであった。

【００３３】

【実施例２】前記実施例１と同じ方法で光磁気記録媒体
を作製した。この光磁気記録媒体を5kOeの磁場中を通過
させ記録層の磁化の向きを一方向へ揃えた。次に光磁気
記録媒体を15m/sの速度で回転させながら、レーザービ
ームをデフォーカスさせた状態で7mWのパワーで照射し
た。

【００３４】この媒体に2MHzの信号を記録した。記録時
の高パワー（Ｐ_H）は7mW、低パワー（Ｐ_L）は4mW、記録
磁場は400Oeであった。この信号を1.0mWのレーザーパワ
ーで再生しスペクトルアナライザーで観察したところ、
2MHzでのキャリアレベルは−９dBm 、1MHzから10MHzま
での平均ノイズレベルは-61dBmであった。

【００３５】

【比較例１】実施例１と同じ方法で光磁気記録媒体を作
製し、5kOeの磁場中を通過させ記録層の磁化の向きを一
方向へ揃えた。前記実施例１と同じ記録条件で2MHzの信
号を記録し、スペクトルアナライザーで観察したところ
2MHzでのキャリアレベルは-10dBm、1MHzから10MHzまで
の平均ノイズレベルは-53dBmであった。

【００３６】

【比較例２】実施例１と同じ方法で光磁気記録媒体を作
製し、5kOeの磁場中を通過させ記録層の磁化の向きを一
方向へ揃えた。次に光磁気記録媒体を15m/sの速度で回
転させながら5mWのパワーでレーザービームをランド
に焦点を合わせて照射した。前記実施例１と同じ記録条
件で2MHzの信号を記録し、スペクトルアナライザーで観
察したところ2MHzでのキャリアレベルは−９dBm 、1MHz
から10MHzまでの平均ノイズレベルは−56dBm であっ
た。

【００３７】

【発明の効果】本発明では垂直磁化膜の光磁気記録媒体
の製造工程において、記録層を室温で磁場を印加する事
によって初期化する工程およびレーザービームの照射に
よってメモリー層を昇温し初期化する工程に分けること
によって以下のような利点が生じる。

【００３８】１．記録層を反転するための磁石はオーバ
ーライト記録時の初期化磁石をそのまま使用できる。こ
のため、製造時に初期化専用の磁石を用意する必要はな
い。２．レーザービームのパワーは媒体の温度をメモリー層
のキュリー温度まで昇温するパワーで十分である。この
ため初期化のパワーは、記録パワーより十分低いパワー
で十分である。この工程は実際の記録再生装置で十分で
あるため、初期化専用の装置を準備する必要がない。

【図面の簡単な説明】

【図１】は、本発明の方法によって初期化した光磁気記
録媒体の磁化の向きを示してた概略図である。

【図２】は、メモリー層および記録層の保磁力と温度の
関係を示した図である。

【図３】は、記録層をＨ_INIの磁場中を通過させて初期
化した後にオーバーライト記録をした場合の光磁気記録
媒体の磁化の向きを示す概略図である。

【図４】は、オーバーライト記録のレーザーパワーの変
調を示す概念図である。

【符号の説明】

Ｈ_INI・・・初期化磁場強度（kOe）Ｔ_L・・・・オーバーライト記録時の低パワー（Ｐ_L）
を照射したときの媒体温度Ｔ_H・・・・オーバーライト記録時の高パワー（Ｐ_H）
を照射したときの媒体温度Ｒ．Ｔ．・・室温Ｐ_H・・・・高パワー（記録層の磁化を反転させ記録す
るパワー）Ｐ_L・・・・低パワー（メモリー層のキュリー温度まで
媒体を昇温するパワー）Ｐ_R・・・・再生パワー以上

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第一工程：垂直磁化可能な磁性薄膜からな
るメモリー層と垂直磁化可能な磁性薄膜からなる記録層
とを順に積層してなり、これらの層は互いに交換結合し
ており、室温でメモリー層の磁化の向きを変えることな
く記録層の磁化の向きを所定の方向に向けておくことが
出来るオーバーライト可能な光磁気記録媒体を用意する
工程第二工程：室温で記録層の持つ保磁力より大きな磁場を
印加することにより記録層の磁化の向きを一方向へ揃え
る工程第三工程：媒体にレーザービームを照射することによ
り、メモリー層の磁化の向きを一方向へ揃える工程からなる前記三つの工程により、媒体の磁化の向きを一
方向へと揃えることを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法。
【請求項２】前記請求項１の三つの工程により、媒体の
磁化の向きを一方向へと揃え製造されたことを特徴とす
る光磁気記録媒体。
【請求項３】少なくとも室温で記録層の持つ保磁力より
大きな磁場を発生するための手段、媒体を回転させなが
らレーザービームを照射するための光源および照射手段
を有する光磁気記録媒体の製造装置。