JPH0834927A - Sealing resin composition - Google Patents

Sealing resin composition

Info

Publication number
JPH0834927A
JPH0834927A JP19126794A JP19126794A JPH0834927A JP H0834927 A JPH0834927 A JP H0834927A JP 19126794 A JP19126794 A JP 19126794A JP 19126794 A JP19126794 A JP 19126794A JP H0834927 A JPH0834927 A JP H0834927A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicone
fine powder
group
resin composition
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19126794A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Inagaki
裕之 稲垣
Shigeru Koshibe
茂 越部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SIEGEL KK
Original Assignee
SIEGEL KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SIEGEL KK filed Critical SIEGEL KK
Priority to JP19126794A priority Critical patent/JPH0834927A/en
Publication of JPH0834927A publication Critical patent/JPH0834927A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain the composition, containing a silicone fine powder having reactional functional groups on the surface, having a small internal stress and high reliability, excellent in interfacial adhesion and useful as a sealing material for transistors, IC's, etc. CONSTITUTION:This sealing resin composition contains a silicone fine powder having reactional functional groups (preferably epoxy, an alkoxy, silanol, SiH, amino, hydroxyl group, etc.) on the surface and preferably 0.02-200mum, especially preferably 0.1-50mum average particle diameter D50. Furthermore, the silicone fine powder is preferably contained in an amount of preferably 0.1-90wt.%, especially preferably 0.5-40wt.% based on the weight of the composition. The silicone fine powder is preferably prepared by modifying a silicone having silanol groups on the surface with a silane coupling agent.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、封止用樹脂組成物に関
する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a sealing resin composition.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の技術の進歩に伴い、現在では半導
体はLSI、VLSIと呼ばれる高集積化されたものに
なっている。この高集積度半導体素子はその外部環境か
ら保護すべく合成樹脂組成物で封止されている。しか
し、一般に半導体封止材料として使用されている合成樹
脂組成物の熱膨張係数は、半導体素子の熱膨張係数に比
べて非常に大きい。従って、この熱膨張係数の相違が、
封止、アフタキュア又はその後の熱履歴等により半導体
素子に過大な内部応力を与える(日経マイクロデバイ
ス、1984年6月11日発行)。また、半導体封止材
料にクラックを生じさせたり、半導体素子との間に隙間
を生じさせ、この隙間に水が侵入して配線を腐食させ半
導体素子の劣化を招く要因にもなっている。
2. Description of the Related Art With the advance of technology in recent years, semiconductors are now highly integrated such as LSI and VLSI. This highly integrated semiconductor device is sealed with a synthetic resin composition to protect it from the external environment. However, the coefficient of thermal expansion of a synthetic resin composition generally used as a semiconductor encapsulating material is much higher than the coefficient of thermal expansion of a semiconductor element. Therefore, the difference in the coefficient of thermal expansion is
Excessive internal stress is applied to the semiconductor element by encapsulation, after-cure, or subsequent thermal history (Nikkei Microdevice, issued June 11, 1984). In addition, it also causes cracks in the semiconductor encapsulating material and creates a gap between the semiconductor encapsulation material and water, which intrudes into the gap to corrode the wiring and cause deterioration of the semiconductor element.

【0003】半導体封止材料の内部応力を緩和するには
ダンパー効果のあるシリコーンの配合が有効であり、ま
たシリコーンの配合量を増すことによって、内部応力を
より一層緩和し得ることが知られている。従って、シリ
コーンをより多量に配合することが試みられた。該方法
では、封止材料の流動性が著しく低下し、注型、トラン
スファー成形、ポッティング、滴下等の作業が実質上不
可能であった。
It is known that the composition of silicone having a damper effect is effective for relieving the internal stress of the semiconductor encapsulating material, and that the internal stress can be further relieved by increasing the compounding amount of the silicone. There is. Therefore, it has been attempted to add a larger amount of silicone. According to this method, the fluidity of the sealing material was remarkably reduced, and casting, transfer molding, potting, dropping and other operations were substantially impossible.

【0004】そこで、流動性の低下がなく、かつ低熱膨
張係数、低内部応力を持つ熱硬化性樹脂組成物を半導体
封止材料として使用することが提案された。特公昭62
‐28971号公報には、線状オルガノシロキサンブロ
ックを10重量%以上含むポリマー硬化物を分散させた
熱硬化性エポキシ樹脂組成物、あるいは特公平3‐30
620号公報及び特公昭63‐12489号公報には、
球状の上記ポリマー硬化物及びこれを分散させた熱硬化
性エポキシ樹脂組成物が開示されている。
Therefore, it has been proposed to use a thermosetting resin composition having a low coefficient of thermal expansion and a low internal stress without lowering the fluidity as a semiconductor encapsulating material. Japanese Examiner Sho 62
-28971, a thermosetting epoxy resin composition in which a polymer cured product containing 10% by weight or more of a linear organosiloxane block is dispersed, or Japanese Patent Publication No. 3-30
No. 620 and Japanese Patent Publication No. 63-12489,
A spherical cured polymer and a thermosetting epoxy resin composition having the polymer dispersed therein are disclosed.

【0005】しかし、一般にシリコーンは離型剤として
使用されているように接着性が悪く、界面で剥離すると
いう性質を持っている。従って、封止材料中にシリコー
ンを使用すると封止材料と半導体素子との接着性が低下
するという欠陥が生じる。その結果、封止材料と半導体
素子の界面に水が侵入して配線を腐食させ半導体素子の
劣化を招く。即ち、シリコーンを含む封止材料は耐湿性
に劣るという一面を持っていた。
However, in general, silicone has poor adhesiveness as used as a release agent and has the property of peeling at the interface. Therefore, the use of silicone in the encapsulating material causes a defect that the adhesiveness between the encapsulating material and the semiconductor element is reduced. As a result, water enters the interface between the sealing material and the semiconductor element, corrodes the wiring, and deteriorates the semiconductor element. That is, the encapsulating material containing silicone has one side inferior in moisture resistance.

【0006】殊に、最近は高密度実装化の面から半導体
そのものが応力に対して弱くなっている。また、パッケ
ージは小形化、薄形化した表面実装の傾向にあり、水の
侵入経路が短くなること等のため極端に寿命が短くなる
現象が顕在していた。このためシリコーンに特殊官能基
を付けたり、その粒径を小さくする対策もとられたが、
不純物の増加や流動性の低下等の諸問題を生じ解決に至
っていない。
Particularly, in recent years, the semiconductor itself has become vulnerable to stress in terms of high-density packaging. In addition, packages tend to be smaller and thinner for surface mounting, and there has been a phenomenon that the life of the package is extremely shortened due to a shortened water entry path. For this reason, measures have been taken to add special functional groups to silicone and to reduce the particle size.
Various problems such as an increase in impurities and a decrease in liquidity have occurred and have not been solved yet.

【0007】従来のシリコーン微粉は二次凝集が生じ易
く、従ってエポキシ樹脂組成物等を製造するに際してシ
リコーン微粉を均一に混合することが容易ではないとい
う問題もあった。
The conventional silicone fine powder is liable to cause secondary agglomeration, so that it is not easy to uniformly mix the silicone fine powder when producing an epoxy resin composition or the like.

【0008】上記の種々の問題に鑑み、本出願人は既
に、平均粒径が0.02〜200μmである、表面を酸
化処理されたシリコーン微粉を、組成物重量に対して
0.1〜90重量%含み、かつ該シリコーン微粉の酸化
層厚が粒径の90%以下であることを特徴とする封止用
樹脂組成物を出願した(特願平6‐78150号)。
In view of the above-mentioned various problems, the present applicant has already proposed that the surface-oxidized silicone fine powder having an average particle diameter of 0.02 to 200 μm is 0.1 to 90 weight% of the composition. An application was made for a resin composition for encapsulation, which contains 50% by weight of the silicone fine powder and has an oxide layer thickness of 90% or less of the particle size (Japanese Patent Application No. 6-78150).

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、内部応力が
小さく、かつ界面接着性に優れた高信頼性の封止用樹脂
組成物を提供するものである。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention provides a highly reliable encapsulating resin composition having a small internal stress and excellent interfacial adhesion.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、シリコー
ンを用いる利点を保持したまま、接着性を高めた封止用
樹脂組成物を見出すべく、種々の検討を重ねた。その結
果、表面に反応性官能基を有するシリコーン微粉を使用
することにより、上記課題を効果的に解決し得ることを
発見し、本発明を完成するに至った。
Means for Solving the Problems The present inventors have conducted various studies in order to find a resin composition for encapsulation having improved adhesiveness while retaining the advantage of using silicone. As a result, they have found that the above problems can be effectively solved by using finely divided silicone powder having a reactive functional group on the surface, and have completed the present invention.

【0011】即ち、本発明は、表面に反応性官能基を有
するシリコーン微粉を含むことを特徴とする封止用樹脂
組成物である。
That is, the present invention is a resin composition for encapsulation, which comprises a fine silicone powder having a reactive functional group on the surface thereof.

【0012】本発明のシリコーン微粉の平均粒径は、積
算分布の50%に対応する粒子径D50で好ましくは0.
02〜200μm、特に好ましくは0.1〜50μmで
ある。平均粒径が、上記下限未満では封止用樹脂組成物
の粘度が大きくなり流動性が低下し高充填が困難であ
る。上記上限を超えては樹脂組成物内で局部応力が発生
するため好ましくない。ここで、シリコーン微粉の平均
粒径は走査型電子顕微鏡観察により求めた値である。
The average particle diameter of the silicone fine powder of the present invention is a particle diameter D 50 corresponding to 50% of the cumulative distribution, and preferably 0.
It is from 02 to 200 μm, particularly preferably from 0.1 to 50 μm. If the average particle size is less than the above lower limit, the viscosity of the encapsulating resin composition is increased, the fluidity is lowered, and high filling is difficult. Exceeding the above upper limit is not preferable because local stress is generated in the resin composition. Here, the average particle size of the silicone fine powder is a value obtained by observation with a scanning electron microscope.

【0013】また、該シリコーン微粉は、粒度分布にお
いて好ましくは粒径が150μm以下の粒子が90重量
%以上であり、特に好ましくは粒径が74μm以下の粒
子が95重量%以上がよい。150μm以下の粒子が9
0重量%未満の場合には、局部応力を発生するため好ま
しくない。
The silicone fine powder preferably has a particle size distribution of 90% by weight or more of particles having a particle size of 150 μm or less, and particularly preferably 95% by weight or more of particles having a particle size of 74 μm or less. 9 particles less than 150 μm
If it is less than 0% by weight, local stress is generated, which is not preferable.

【0014】上記所望の平均粒径を有するシリコーン微
粉の調製は、例えば下記の通りに行うことができる。塊
状重合によりシリコーンを調製する場合には、生成した
シリコーンを粉砕機を使用して上記所望の平均粒径を持
つシリコーン微粉に粉砕する、あるいは更に篩分けする
ことにより実施する。また、乳化重合によりシリコーン
を調製する場合には、例えば熱によって硬化し得る液状
シリコーンゴム組成物を、温度25℃以下の水の中に分
散させ、該組成物が水の中に不連続相として分散した分
散液を造り、次いで、該分散液を温度50℃以上の液体
中に分散させ、液状シリコーンゴム組成物を硬化させる
方法等により調製することができる(特開昭63‐77
942号公報)。また、特公昭63‐12489号公報
あるいは特公平3‐30620号公報に記載の、スプレ
ードライヤーを用いる方法によっても調製することがで
きる。
The silicone fine powder having the desired average particle size can be prepared, for example, as follows. When the silicone is prepared by bulk polymerization, it is carried out by pulverizing the produced silicone into a fine powder of silicone having the above-mentioned desired average particle size or further sieving. Further, in the case of preparing a silicone by emulsion polymerization, for example, a liquid silicone rubber composition that can be cured by heat is dispersed in water at a temperature of 25 ° C. or less, and the composition is dispersed in water as a discontinuous phase. It can be prepared by a method of preparing a dispersed dispersion, and then dispersing the dispersion in a liquid having a temperature of 50 ° C. or higher to cure the liquid silicone rubber composition (JP-A-63-77).
942). It can also be prepared by a method using a spray dryer described in JP-B-63-12489 or JP-B-3-30620.

【0015】本発明に使用されるシリコーン微粉は、そ
の表面に反応性官能基を有するものである。該反応性官
能基は、シリカ及び樹脂と安定な結合を形成し得るもの
が好ましく、好ましくはエポキシ基、アルコキシ基、シ
ラノール基、ヒドロシリル基、アミノ基、ヒドロキシル
基及びメルカプト基より成る群から選ばれた少なくとも
一の基が挙げられる。上記以外の官能基では、得られた
半導体の信頼性が低下するという欠点が生じることがあ
る。例えば、カルボキシル基を有するシリコーン微粉で
は、封止後に加水分解を起こし半導体素子を腐食させる
ため好ましくない。 シリコーン微粉の表面に上記反応
性官能基を付与する方法としては、好ましくは下記に示
す方法を挙げることができる。
The fine silicone powder used in the present invention has a reactive functional group on its surface. The reactive functional group is preferably one capable of forming a stable bond with silica and a resin, and preferably selected from the group consisting of an epoxy group, an alkoxy group, a silanol group, a hydrosilyl group, an amino group, a hydroxyl group and a mercapto group. And at least one group. Functional groups other than the above may cause a drawback that the reliability of the obtained semiconductor is lowered. For example, a silicone fine powder having a carboxyl group is not preferable because it causes hydrolysis after sealing and corrodes the semiconductor element. As a method for imparting the above-mentioned reactive functional group to the surface of the silicone fine powder, preferably the following methods can be mentioned.

【0016】第一の方法は次の通りである。上記のよう
にして調製した所望の平均粒径を有するシリコーン微粉
を、例えば溶射による方法、プラズマ溶射による方法、
あるいは回転型又は固定型加熱炉を使用する方法等によ
り酸化処理に付し、表面酸化されたシリコーン微粉を調
製する。溶射による方法、プラズマ溶射による方法ある
いは回転型加熱炉を使用する方法が好ましく、該方法の
使用により、表面処理中にシリコーン微粉の形状を、角
のない形状好ましくは球状とすることができる。該形状
のシリコーン微粉を使用することにより、樹脂組成物の
流動性を低下させることなく、シリコーン微粉の使用量
を増大せしめることができるため好ましい。 シリコー
ン微粉の酸化層厚は、好ましくはシリコーン微粉の粒径
の90%以下、特に好ましくは1〜50%である。酸化
層厚が上記上限を超えては、内部応力を緩和する効果が
減少するため好ましくない。
The first method is as follows. Silicon fine powder having a desired average particle size prepared as described above, for example, a method by thermal spraying, a method by plasma spraying,
Alternatively, the surface-oxidized silicone fine powder is prepared by subjecting it to an oxidation treatment by a method using a rotary or fixed heating furnace. A method by thermal spraying, a method by plasma spraying or a method using a rotary heating furnace is preferable, and by using the method, the shape of the fine silicon powder during the surface treatment can be made into a shape without corners, preferably a spherical shape. It is preferable to use the silicone fine powder having such a shape because the amount of the silicone fine powder used can be increased without lowering the fluidity of the resin composition. The oxide layer thickness of the silicone fine powder is preferably 90% or less, particularly preferably 1 to 50% of the particle size of the silicone fine powder. When the thickness of the oxide layer exceeds the above upper limit, the effect of relaxing the internal stress decreases, which is not preferable.

【0017】該酸化処理の温度は、好ましくは200〜
1,500℃、特に好ましくは400〜1,000℃で
ある。該温度が上記下限未満では酸化効率が悪く、上記
上限を超えては極端な無機化を生じるため好ましくな
い。
The temperature of the oxidation treatment is preferably 200-
1,500 ° C., particularly preferably 400-1,000 ° C. If the temperature is lower than the lower limit, the oxidation efficiency is poor, and if it exceeds the upper limit, extreme mineralization occurs, which is not preferable.

【0018】実際の操作においては、上記酸化処理温
度、あるいは酸化処理時間は、実験的に容易に定めるこ
とができ、シリコーン微粉の酸化層厚を所定の値に制御
することができる。酸化層厚は、FTIRを使用してシ
ラノール基を定量し、計算で求めることができる。
In the actual operation, the oxidation treatment temperature or the oxidation treatment time can be easily determined experimentally, and the thickness of the oxide layer of the silicone fine powder can be controlled to a predetermined value. The oxide layer thickness can be calculated by quantifying silanol groups using FTIR.

【0019】上記酸化処理によりシリコーン微粉の表面
にはシラノール基が形成される。
By the above oxidation treatment, silanol groups are formed on the surface of the silicone fine powder.

【0020】次いで、該シリコーン微粉に、シラノール
基と反応し得る基(例えばSiOR)並びに前記反応性
官能基を有する化合物を加えて反応させることにより、
シリコーン微粉の表面に反応性官能基が付与される。か
かる化合物としては、シランカップリング剤が挙げら
れ、例えばγ‐グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、γ‐グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラ
ン、γ‐グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラ
ン、β‐(3,4‐エポキシシクロヘキシル)エチルト
リメトキシシラン;γ‐アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、N‐β(アミノエチル)γ‐アミノプロピルトリ
メトキシシラン、N‐β(アミノエチル)γ‐アミノプ
ロピルトリエトキシシラン、N‐β(アミノエチル)γ
‐アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N‐β(ア
ミノエチル)γ‐アミノイソブチルメチルジメトキシシ
ラン、N‐フェニル‐γ‐アミノプロピルトリメトキシ
シラン;γ‐メルカプトプロピルトリメトキシシラン、
γ‐メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン;ビニ
ルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビ
ニルトリス(β‐メトキシエトキシ)シラン;及びγ‐
メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ‐メタ
クリロキシプロピルメチルジメトキシシランが挙げられ
る。ここで、シランカップリング剤の添加量は、シリコ
ーン微粉100重量部に対して、好ましくは0.1〜1
0重量部である。反応は攪拌下に、好ましくは20〜1
40℃で1分間〜24時間行われる。シランカップリン
グ剤の添加は、例えばシリコーン微粉へのシランカップ
リング剤水溶液のスプレーにより、あるいはシリコーン
微粉の水スラリー中にシランカップリング剤を加えるこ
とにより行うことができる。また、この際、酸又は塩基
を触媒として加えてもよい。
Next, a compound having a group capable of reacting with a silanol group (eg, SiOR) and the above-mentioned reactive functional group is added to the silicone fine powder and reacted,
Reactive functional groups are provided on the surface of the silicone fine powder. Examples of such compounds include silane coupling agents, for example, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, β- (3, 4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane; γ-aminopropyltriethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltriethoxysilane, N- β (aminoethyl) γ
-Aminopropylmethyldimethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminoisobutylmethyldimethoxysilane, N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane; γ-mercaptopropyltrimethoxysilane,
γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane; vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris (β-methoxyethoxy) silane; and γ-
Methacryloxypropyltrimethoxysilane and γ-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane may be mentioned. Here, the addition amount of the silane coupling agent is preferably 0.1 to 1 with respect to 100 parts by weight of the silicone fine powder.
0 parts by weight. The reaction is carried out with stirring, preferably 20 to 1
It is carried out at 40 ° C. for 1 minute to 24 hours. The addition of the silane coupling agent can be performed, for example, by spraying the silicone fine powder with an aqueous solution of the silane coupling agent, or by adding the silane coupling agent to an aqueous slurry of the silicone fine powder. At this time, an acid or a base may be added as a catalyst.

【0021】ここで使用されるシリコーンは、例えばジ
メチルシリコーン、ジフェニルシリコーン、メチルフェ
ニルシリコーン、メチルオクチルシリコーン、メチルシ
クロヘキシルシリコーン、メチル(α‐フェニルエチ
ル)シリコーン、メチル(3,3,3‐トリフルオロプ
ロピル)シリコーン、ジメチルシリコーン・ジフェニル
シリコーン共重合体、メチルビニルシリコーン、又はジ
メチルシリコーン・メチルビニルシリコーン共重合体等
のいずれでもよく、あるいはこれらの任意の組み合わせ
でもよい。ジメチルシリコーンが経済性の面から好まし
い。
The silicone used here is, for example, dimethyl silicone, diphenyl silicone, methylphenyl silicone, methyloctyl silicone, methylcyclohexyl silicone, methyl (α-phenylethyl) silicone, methyl (3,3,3-trifluoropropyl). ) Silicone, dimethyl silicone / diphenyl silicone copolymer, methyl vinyl silicone, dimethyl silicone / methyl vinyl silicone copolymer, or the like, or any combination thereof may be used. Dimethyl silicone is preferred from the economical point of view.

【0022】上記シリコーンの重合度は、好ましくは1
0〜1,000、特に好ましくは20〜1,000であ
る。上記範囲未満では、封止用樹脂組成物の熱膨脹係数
及び内部応力に与える効果が小さく、上記範囲を超えて
は、粉砕が困難となり好ましくない。該シリコーンとし
て、例えば特公昭62‐28971号公報に記載された
硬化した状態で式‐(R2 SiO)‐n (式中、Rは同
種又は異種の一価の炭化水素基であり、nは10以上の
整数である)で示される線状オルガノポリシロキサンブ
ロックを10重量%以上含むポリマー硬化物、あるいは
特公昭63‐12489号公報及び特公平3‐3062
0号公報に記載された上記式中のnが5以上の整数であ
る球状硬化物等を使用し得る。
The degree of polymerization of the above silicone is preferably 1
It is 0 to 1,000, particularly preferably 20 to 1,000. If it is less than the above range, the effect on the thermal expansion coefficient and internal stress of the encapsulating resin composition is small, and if it exceeds the above range, pulverization becomes difficult, which is not preferable. As the silicone, for example, a compound of the formula-(R 2 SiO) -n (wherein R is the same or different monovalent hydrocarbon group, and n is the cured state described in Japanese Patent Publication No. 62-28971) is used. A cured product of a polymer containing 10% by weight or more of a linear organopolysiloxane block represented by an integer of 10 or more), or JP-B-63-12489 and JP-B-3-3062.
It is possible to use a spherical cured product or the like in which n in the above-mentioned formula described in Japanese Patent Publication No. 0 is an integer of 5 or more.

【0023】第二の方法は次の通りである。アルコキシ
基含有ケイ素化合物例えばイソブチルトリメトキシシラ
ン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシ
ラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエト
キシシラン、テトラメトキシシラン、又はテトラエトキ
シシランを加水分解及び脱水縮合に付してシリコーンを
調製する。この際、触媒として、ギ酸、酢酸などの有機
酸、塩酸、硫酸などの鉱酸、トリエチルアミン、ジアザ
ビシクロウンデンなどのアミン、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウムなどのアルカリ、又はオクチル酸亜鉛、オ
クチル酸スズ、ジブチルスズラウレートなどの塩を用い
ることができる。ここで、製造したシリコーンの重合度
は上記第一の方法で使用したシリコーンと同じ範囲であ
ることが好ましい。上記所定の平均粒径を持つシリコー
ン微粉を得るために、塊状重合によりシリコーンを製造
し、液体窒素冷却下で粉砕して所定の粒径とすることが
できる。該シリコーン微粉は、その表面にシラノール基
を有する。
The second method is as follows. Silicon compounds containing alkoxy groups such as isobutyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, tetramethoxysilane, or tetraethoxysilane subjected to hydrolysis and dehydration condensation To prepare. At this time, as a catalyst, organic acids such as formic acid and acetic acid, mineral acids such as hydrochloric acid and sulfuric acid, amines such as triethylamine and diazabicyclounden, alkalis such as sodium hydroxide and potassium hydroxide, or zinc octylate and octyl Salts such as tin acid and dibutyltin laurate can be used. Here, the polymerization degree of the produced silicone is preferably in the same range as the silicone used in the first method. In order to obtain silicone fine powder having the above-mentioned predetermined average particle size, silicone can be produced by bulk polymerization and pulverized under cooling with liquid nitrogen to obtain a predetermined particle size. The silicone fine powder has silanol groups on its surface.

【0024】次に、該シリコーン微粉に上記の化合物例
えばシランカップリング剤を加えて反応せしめ、シリコ
ーン微粉の表面に反応性官能基を付与する。ここで、シ
ランカップリング剤の添加量は上記第一の方法と同じで
ある。
Next, the above-mentioned compound such as a silane coupling agent is added to the silicone fine powder and reacted to give a reactive functional group to the surface of the silicone fine powder. Here, the addition amount of the silane coupling agent is the same as in the first method.

【0025】第三の方法は、第二の方法で使用したアル
コキシ基含有ケイ素化合物の代わりに、シラノール基含
有ケイ素化合物を用いる。シラノール基含有ケイ素化合
物としては、例えばジメチルシランジオール、ジメトキ
シシランジオール、トリメトキシシラノール、トリエト
キシシラノール、ジフェニルシランジオール等を挙げる
ことができる。製造されたシリコーン微粉は、その表面
にシラノール基が残存している。
The third method uses a silanol group-containing silicon compound instead of the alkoxy group-containing silicon compound used in the second method. Examples of silanol group-containing silicon compounds include dimethylsilanediol, dimethoxysilanediol, trimethoxysilanol, triethoxysilanol, and diphenylsilanediol. The produced silicone fine powder has silanol groups remaining on its surface.

【0026】次に、該シリコーン微粉に上記の化合物例
えばシランカップリング剤を加えて反応せしめ、シリコ
ーン微粉の表面に反応性官能基を付与する。ここで、シ
ランカップリング剤の添加量は第一の方法と同じであ
る。
Next, the above-mentioned compound, for example, a silane coupling agent, is added to the silicone fine powder and reacted to give a reactive functional group to the surface of the silicone fine powder. Here, the addition amount of the silane coupling agent is the same as in the first method.

【0027】該シリコーン微粉は、封止用樹脂組成物重
量に対して好ましくは0.1〜90重量%、特に好まし
くは0.5〜40重量%含まれる。上記下限未満では、
内部応力を緩和する効果が得られず、上記上限を超えて
は、樹脂組成物の熱膨張率の増大あるいは粘度が上昇し
流動性低下を生ずるため好ましくない。
The fine silicone powder is contained in an amount of preferably 0.1 to 90% by weight, particularly preferably 0.5 to 40% by weight, based on the weight of the encapsulating resin composition. Below the above lower limit,
If the effect of alleviating the internal stress cannot be obtained and the amount exceeds the above upper limit, the thermal expansion coefficient of the resin composition increases or the viscosity increases, and the fluidity decreases, which is not preferable.

【0028】本発明で使用するシリコーン微粉は、イオ
ン性不純物が少ないものが好ましい。即ち、純水を使用
して120℃で20時間抽出した際のイオン総量が好ま
しくは50ppm以下、特に好ましくは10ppm以下
である。イオン総量が上記の値を超えると、半導体素子
の配線の腐食を促進し好ましくない。
The silicone fine powder used in the present invention preferably has a small amount of ionic impurities. That is, the total amount of ions when extracted with pure water at 120 ° C. for 20 hours is preferably 50 ppm or less, particularly preferably 10 ppm or less. When the total amount of ions exceeds the above value, corrosion of the wiring of the semiconductor element is promoted, which is not preferable.

【0029】本発明で使用される樹脂は通常使用されて
いるものでよく、例えばビスフェノール型、ビフェノー
ル型、クレゾールノボラック型のエポキシ樹脂、シリコ
ーン樹脂、ポリイミド樹脂、アルキド樹脂、不飽和ポリ
エステル樹脂、アクリル樹脂、あるいは特公昭62‐2
8971号公報に記載の上記樹脂とシリコーンとのブロ
ック共重合体等が挙げられる。該樹脂は、イオン性不純
物の含有量が多いと封止後の半導体の耐湿信頼性に悪影
響を及ぼすため、ナトリウムイオンや塩素イオン等のイ
オン性不純物の含有量の極力少ないものが好ましい。
The resin used in the present invention may be a resin usually used, for example, bisphenol type, biphenol type, cresol novolac type epoxy resin, silicone resin, polyimide resin, alkyd resin, unsaturated polyester resin, acrylic resin. , Or Japanese Examined Japanese Patent Sho 62-2
Examples thereof include block copolymers of the above-mentioned resin and silicone described in JP-A-8971. If the content of ionic impurities is large, the resin adversely affects the moisture resistance reliability of the semiconductor after encapsulation. Therefore, it is preferable that the content of ionic impurities such as sodium ions and chlorine ions is as small as possible.

【0030】本発明で使用される硬化剤も通常使用され
ているものでよく、多価フェノール類、芳香族系多塩基
酸類、芳香族ポリアミン類、酸無水物類、シリコーン類
等が挙げられ、例えばフェノールノボラック、ビフェノ
ール型ノボラック、ビスフェノールA型ノボラック等の
ノボラック、無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水
ベンゾフェノンテトラカルボン酸等の酸無水物あるいは
ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホ
ン、メタフェニレンジアミン等のアミン等が使用され
る。
The curing agent used in the present invention may be a commonly used one, and examples thereof include polyhydric phenols, aromatic polybasic acids, aromatic polyamines, acid anhydrides and silicones. For example, novolaks such as phenol novolac, biphenol type novolac, bisphenol A type novolac, acid anhydrides such as phthalic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic acid anhydride, and amines such as diaminodiphenylmethane, diaminodiphenyl sulfone, and metaphenylenediamine. Is used.

【0031】充填剤としては、シリカ、窒化ケイ素、ア
ルミナ、窒化アルミニウム、タルク、クレー等の熱膨張
率の小さいものが使用される。
As the filler, those having a small coefficient of thermal expansion such as silica, silicon nitride, alumina, aluminum nitride, talc and clay are used.

【0032】本発明の樹脂組成物は、以上述べた成分の
他に、必要に応じて通常使用される種々の添加剤、例え
ば第三級アミン類や有機リン化合物等の硬化触媒、又は
難燃材、着色剤、離型剤、カップリング剤等を配合する
ことができる。
In addition to the components described above, the resin composition of the present invention contains, if necessary, various additives that are usually used, such as curing catalysts such as tertiary amines and organic phosphorus compounds, or flame retardants. Materials, colorants, release agents, coupling agents and the like can be added.

【0033】本発明の樹脂組成物の調製は、以上述べた
成分を、例えばニーダー、ロール、ミキサー等により混
練することにより行うことができる。
The resin composition of the present invention can be prepared by kneading the components described above with a kneader, roll, mixer or the like.

【0034】本発明の封止用樹脂組成物は、例えばトラ
ンジスター、IC、ダイオード、サーミスター等の電子
部品や変圧器のコイル、抵抗器等の各種電気部品の封止
材として極めて有用である。
The encapsulating resin composition of the present invention is extremely useful as an encapsulating material for electronic parts such as transistors, ICs, diodes and thermistors, and various electric parts such as coils of transformers and resistors.

【0035】以下、実施例、比較例により本発明を更に
詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to these Examples.

【0036】[0036]

【実施例】本発明で使用した評価方法は下記の通りであ
る。 <配合し易さ>シリコーン微粉を円筒に入れ、5g/m
2の荷重をかけてブロッキングを起させる。これを1
00メッシュ篩上で20秒間振とうし、篩上に残ったシ
リコーンの割合を求めた。 ○:良好 10%未満 Δ:普通 10%以上、50%未満 ×:不良 50%以上 <流動性>EMMI 1‐66に準拠し、スパイラルフ
ロー法を使用して測定した。 ○:良好 Δ:普通 ×:不良 <熱膨張率>熱膨張率計(TMA)を使用して測定し
た。 <弾性率>JIS K‐6911に準拠し、曲げ弾性率
計を使用して測定した。 <界面接着>各樹脂組成物で曲げテストピースを作成
し、これを125℃、湿度100%条件下で20時間置
いた後、破断する。この破断面をSEMで観察し、シリ
コーンと樹脂との界面が0.1mm以上の隙間を有する
か否かを調べた。蛍光液侵入テストは、上記テストピー
スを蛍光液中に一晩浸漬した後、界面を破断する。この
破断面を蛍光顕微鏡で観察し、蛍光液の浸入度を確認す
る。表1中の評価は、以下の内容を示す。 強:0.1mm以上の隙間を持つ界面、及び蛍光液の浸
入のいずれも認められなかった。 中:0.1mm以上の隙間を持つ界面、又は蛍光液の浸
入のいずれかが認められた。 弱:0.1mm以上の隙間を持つ界面、及び蛍光液の浸
入のいずれもが認められた。 <耐冷熱衝撃性(T/C)>実施例において封止したI
Cに−65℃〜室温〜150℃の熱履歴を1000サイ
クル与えた後のパッケージクラックを観察し、結果をク
ラック発生数/テスト総数で示した。 <耐湿性(PCT)>実施例において封止したICを1
25℃、湿度100%条件下1000時間放置後の結果
を腐食発生数/テスト総数で示した。 <半田後耐湿性(半田後PCT)>実施例において封止
したICを85℃、湿度85%条件下168時間置いた
後、260℃の半田浴に10秒間浸漬させる。その後、
125℃、湿度100%条件下で500時間放置した後
の結果を腐食発生数/テスト総数で示した。 <総合評価>表1中の各記号は以下の内容を示す。 ◎:非常に良好 ○:良好 ×:不良
EXAMPLES The evaluation methods used in the present invention are as follows. <Ease of compounding> 5g / m of silicone fine powder put in a cylinder
A load of m 2 is applied to cause blocking. This one
The mixture was shaken on a 00 mesh screen for 20 seconds, and the proportion of silicone remaining on the screen was determined. ◯: Good less than 10% Δ: Normal 10% or more, less than 50% X: Poor 50% or more <Fluidity> Measured using the spiral flow method according to EMMI 1-66. ◯: Good Δ: Normal x: Poor <Thermal expansion coefficient> Measured using a thermal expansion coefficient meter (TMA). <Elastic Modulus> According to JIS K-6911, the elastic modulus was measured using a bending elastic modulus meter. <Interfacial Adhesion> A bending test piece is prepared from each resin composition, and the bending test piece is left under conditions of 125 ° C. and 100% humidity for 20 hours, and then broken. This fractured surface was observed by SEM, and it was examined whether or not the interface between the silicone and the resin had a gap of 0.1 mm or more. In the fluorescent liquid penetration test, the interface is broken after the test piece is immersed in the fluorescent liquid overnight. The fracture surface is observed with a fluorescence microscope to confirm the degree of penetration of the fluorescent liquid. The evaluation in Table 1 shows the following contents. Strength: Neither the interface having a gap of 0.1 mm or more nor the infiltration of the fluorescent liquid was observed. Medium: Either an interface having a gap of 0.1 mm or more or infiltration of a fluorescent liquid was observed. Weak: Both an interface having a gap of 0.1 mm or more and infiltration of the fluorescent liquid were observed. <Cold and thermal shock resistance (T / C)> I sealed in the examples
Package cracks were observed after C was subjected to a thermal history of -65 ° C to room temperature to 150 ° C for 1000 cycles, and the results are shown as the number of cracks generated / total number of tests. <Moisture resistance (PCT)> 1 of the sealed IC in the example
The results after 1000 hours of standing at 25 ° C. and 100% humidity are shown by the number of corrosion occurrences / total number of tests. <Moisture resistance after soldering (PCT after soldering)> The IC sealed in the example is left under conditions of 85 ° C and 85% humidity for 168 hours, and then immersed in a solder bath at 260 ° C for 10 seconds. afterwards,
The results after standing for 500 hours at 125 ° C. and 100% humidity are shown as the number of corrosion occurrences / total number of tests. <Comprehensive Evaluation> Each symbol in Table 1 has the following contents. ◎: Very good ○: Good ×: Poor

【0037】[0037]

【実施例1〜6及び比較例1〜3】 <表面に反応性官能基を有するシリコーン微粉の調製>製造例1 ジメチルシリコーン中間体(NUC製、M2 ビニル、D
4 )に触媒量の硫酸を加え、これを室温で3時間攪拌し
て重合した。次に、重ソウを用いて中和した後、濾過し
た。次いで、純水で洗浄した後、デカンテーションによ
り分離してシリコーンオイルを得た。該シリコーンオイ
ルにベンゾイルパーオキサイド(RC‐1、商標、トー
レシリコーン株式会社製)を加え、練りロール機(2本
ロール)を用いて室温で10分間混練し、シリコーンを
調製した。該シリコーンの重合度は400であった。
Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3 <Preparation of Silicone Fine Powder Having Reactive Functional Group on Surface> Production Example 1 Dimethyl silicone intermediate (NUC, M 2 vinyl, D
A catalytic amount of sulfuric acid was added to 4 ), and this was polymerized by stirring at room temperature for 3 hours. Next, the mixture was neutralized with heavy sow and then filtered. Then, after washing with pure water, the product was separated by decantation to obtain a silicone oil. Benzoyl peroxide (RC-1, trademark, manufactured by Toray Silicone Co., Ltd.) was added to the silicone oil and kneaded at room temperature for 10 minutes using a kneading roll machine (two rolls) to prepare silicone. The degree of polymerization of the silicone was 400.

【0038】得られたシリコーンをハンマーミルを使用
して、液体窒素で冷却しながら粉砕し、所定の平均粒径
を持つシリコーン微粉を調製した。
The obtained silicone was crushed by using a hammer mill while being cooled with liquid nitrogen to prepare silicone fine powder having a predetermined average particle diameter.

【0039】上記のようにして調製したシリコーン微粉
を溶射法により酸化処理した。酸化層厚の制御は、下記
のようにして実施した。まず、処理時間を0.5秒と
し、火炎の温度を適宜変化させることにより、火炎温度
と酸化層厚との相関関係を求めた(図1)。次に、火炎
温度を所定の温度に制御して、下記所定の酸化層厚に調
製した。即ち、火炎温度600℃で酸化層厚が粒径の1
0%となり、700℃で20%、800℃で40%、そ
して900℃で95%となった。
The silicone fine powder prepared as described above was oxidized by a thermal spraying method. The oxide layer thickness was controlled as follows. First, the treatment time was set to 0.5 seconds and the flame temperature was changed appropriately to obtain the correlation between the flame temperature and the oxide layer thickness (FIG. 1). Next, the flame temperature was controlled to a predetermined temperature to prepare the following predetermined oxide layer thickness. That is, at a flame temperature of 600 ° C, the oxide layer thickness is 1
0%, 20% at 700 ° C, 40% at 800 ° C, and 95% at 900 ° C.

【0040】上記のようにして得た20%の酸化層厚を
有するシリコーン微粉100重量部をヘンシェルミキサ
ーに入れ、十分な攪拌下にN‐β(アミノエチル)γ‐
アミノプロピルトリメトキシシラン(KBM603、商
標、信越化学株式会社製)の10重量%水溶液20重量
部を少量づつスプレー噴霧した。その後、110℃に昇
温して、30分間攪拌、乾燥して、表面に反応性官能基
を有するシリコーン微粉(A)を得た。FT‐IR法に
よりシラノール基を定量したところ、シラン化合物で処
理する前に比べて78%のシラノール基が消失してい
た。
100 parts by weight of the silicone fine powder having an oxide layer thickness of 20% obtained as described above was put into a Henschel mixer, and N-β (aminoethyl) γ-
20 parts by weight of a 10% by weight aqueous solution of aminopropyltrimethoxysilane (KBM603, trademark, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was spray-sprayed little by little. Then, it heated up at 110 degreeC, stirred for 30 minutes, and dried, and obtained the silicone fine powder (A) which has a reactive functional group on the surface. When the silanol groups were quantified by the FT-IR method, 78% of the silanol groups had disappeared as compared with those before the treatment with the silane compound.

【0041】製造例2 上記製造例1で得た10%の酸化層厚を有するシリコー
ン微粉50重量部を水1,000重量部に分散してスラ
リー化した後、γ‐グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン(KBM403、商標、信越化学株式会社製)
0.5重量部及び0.01重量部の酢酸を攪拌しながら
添加した。その後、脱水し、120℃で2時間乾燥を行
って表面に反応性官能基を有するシリコーン微粉(B)
を得た。
Production Example 2 50 parts by weight of the silicone fine powder having an oxide layer thickness of 10% obtained in the above Production Example 1 was dispersed in 1,000 parts by weight of water to form a slurry, and γ-glycidoxypropyltrimethoxy was then added. Silane (KBM403, trademark, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
0.5 parts by weight and 0.01 parts by weight of acetic acid were added with stirring. Then, it is dehydrated and dried at 120 ° C. for 2 hours to obtain a silicone fine powder (B) having a reactive functional group on the surface.
I got

【0042】製造例3 還流冷却器を備えた四つ口フラスコ中に、メチルトリメ
トキシシラン(SZ6070、商標、東レ・ダウコーニ
ング・シリコーン株式会社製)100重量部と50%酢
酸水溶液4重量部を入れ、温度120℃、圧力5mmH
gで5時間重合反応を実施した。反応終了後、130
℃、1mmHgの条件下で生成物中から軽質分を除去
し、シリコーンを得た。該シリコーンのGPC分析によ
る分子量は、ポリスチレン換算でMn (数平均分子量)
28,000であった。
Production Example 3 In a four-necked flask equipped with a reflux condenser, 100 parts by weight of methyltrimethoxysilane (SZ6070, trademark, manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) and 4 parts by weight of 50% acetic acid aqueous solution were added. Put, temperature 120 ℃, pressure 5mmH
The polymerization reaction was carried out at 5 g for 5 hours. After completion of the reaction, 130
The light components were removed from the product under the conditions of ° C and 1 mmHg to obtain silicone. The molecular weight of the silicone measured by GPC is M n (number average molecular weight) in terms of polystyrene.
It was 28,000.

【0043】得たシリコーンを、ハンマーミルを用いて
液体窒素冷却下で粉砕して、所望粒径のシリコーン微粉
を調製した。
The obtained silicone was pulverized with a hammer mill under cooling with liquid nitrogen to prepare silicone fine powder having a desired particle size.

【0044】次に、該シリコーン微粉を水1,000重
量部に分散してスラリー化した後、N‐β(アミノエチ
ル)γ‐アミノプロピルトリメトキシシラン(KBM6
03)0.8重量部と1,8‐ジアザ‐ビシクロ‐
[5.4.0]ウンデセン‐7(DBU、サンアプロ株
式会社製)0.5重量部を添加し、還流下で2時間反応
させた。反応終了後、100℃、5mmHgの条件下で
生成物中から軽質分を除去し、表面に反応性官能基を有
するシリコーン微粉(C)を得た。
Next, the silicone fine powder was dispersed in 1,000 parts by weight of water to form a slurry, and then N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane (KBM6
03) 0.8 parts by weight and 1,8-diaza-bicyclo-
[5.4.0] 0.5 parts by weight of undecene-7 (DBU, manufactured by San-Apro Co., Ltd.) was added, and the mixture was reacted under reflux for 2 hours. After the completion of the reaction, light components were removed from the product under the conditions of 100 ° C. and 5 mmHg to obtain a silicone fine powder (C) having a reactive functional group on the surface.

【0045】製造例4 シラノール基含有ジメチルシリコーン(商標SH601
8,東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社)に触
媒量のオクチル酸スズを加え、160℃で5時間攪拌し
て重合させた。以下、製造例3と同様にして粉砕し、そ
してシラン化合物で処理してシリコーン微粉末(D)を
得た。但し、用いたシラン化合物は、N‐β(アミノエ
チル)γ‐アミノプロピルメチルジメトキシシラン(K
BM602)であった。 <樹脂組成物の製造>使用した各成分は下記の通りであ
る。
Production Example 4 Silanol group-containing dimethyl silicone (trademark SH601
8. Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) was added with a catalytic amount of tin octylate, and the mixture was stirred at 160 ° C. for 5 hours for polymerization. Thereafter, it was pulverized in the same manner as in Production Example 3 and treated with a silane compound to obtain a silicone fine powder (D). However, the silane compound used was N-β (aminoethyl) γ-aminopropylmethyldimethoxysilane (K
BM602). <Production of Resin Composition> The components used are as follows.

【0046】樹脂:クレゾールノボラックエポキシ樹脂
(EOCN‐1020、商標、日本化薬株式会社製) 硬化剤:フェノールノボラック(HF‐1、商標、明和
化成株式会社製) 充填剤:シリカ(球状シリカ、FB‐48、電気化学工
業株式会社) 触媒:トリフェニルホスフィン(北興化学株式会社製) カップリング剤:KBM403(商標、信越化学工業株
式会社製) 離型剤:微粉カルナバ(商標、東亜化成株式会社製) 顔料:カーボンブラック(CK45、商標、三菱化成工
業株式会社) 上記の如く製造した表面に反応性官能基を有する各シリ
コーン微粉の表1に示す量(重量部)、クレゾールノボ
ラックエポキシ樹脂12重量部、硬化剤としてのフェノ
ールノボラック6重量部、触媒としてのトリフェニルホ
スフィン0.2重量部、カップリング剤0.8重量部、
離型剤0.5重量部、顔料0.5重量部、及び充填剤と
してのシリカ(残部)を配合して全体として100重量
部とした。次に、該配合物をレーディゲミキサーで混合
後、二軸押出機を使用し、バレル設定温度90℃、回転
数200rpmで3分間混練してペレットを作成した。
次に、出来上がったペレットをシリンダー温度150
℃、金型温度175℃に設定した射出成形機により成形
して試験片を作成し、流動性、熱膨張率、弾性率及び界
面接着の評価に供した。 <半導体素子の封止>模擬アルミ回路を持つモニターI
C(外寸3mm×4mm、アルミ回路幅10μm、隙間
10μm)を各樹脂組成物を用いて低圧移送成形法によ
り封止し、170℃で2分間硬化後、更に170℃で4
時間硬化したものをT/C、PCT、半田後PCTの評
価に供した。
Resin: Cresol novolac epoxy resin (EOCN-1020, trademark, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) Curing agent: phenol novolac (HF-1, trademark, manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.) Filler: silica (spherical silica, FB) -48, Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. Catalyst: Triphenylphosphine (manufactured by Kitako Chemical Co., Ltd.) Coupling agent: KBM403 (trademark, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) Release agent: Fine powder carnauba (trademark, manufactured by Toa Kasei Co., Ltd.) ) Pigment: carbon black (CK45, trademark, Mitsubishi Kasei Co., Ltd.) Amount (parts by weight) of each silicone fine powder having reactive functional groups on the surface produced as described above (parts by weight), cresol novolac epoxy resin 12 parts by weight , 6 parts by weight of phenol novolac as a curing agent, 0.2 weight of triphenylphosphine as a catalyst Parts by weight, 0.8 parts by weight of coupling agent,
0.5 parts by weight of a release agent, 0.5 parts by weight of a pigment, and silica (the balance) as a filler were mixed to make 100 parts by weight as a whole. Next, the mixture was mixed with a Loedige mixer and then kneaded using a twin-screw extruder at a barrel setting temperature of 90 ° C. and a rotation speed of 200 rpm for 3 minutes to prepare pellets.
Next, the resulting pellets are heated to a cylinder temperature of 150.
C. and a mold temperature of 175.degree. C. were molded by an injection molding machine to prepare test pieces, which were used for evaluation of fluidity, coefficient of thermal expansion, elastic modulus, and interfacial adhesion. <Sealing of semiconductor element> Monitor I with simulated aluminum circuit
C (external dimensions 3 mm × 4 mm, aluminum circuit width 10 μm, gap 10 μm) was sealed by a low pressure transfer molding method using each resin composition, cured at 170 ° C. for 2 minutes, and then at 170 ° C. for 4 minutes.
The material that was cured for a period of time was used for evaluation of T / C, PCT and PCT after soldering.

【0047】以上の結果を表1に示す。The above results are shown in Table 1.

【0048】[0048]

【表1】 *1:表面に反応性官能基を持たないシリコーン微粉
(製造例1における酸化処理前のもの) *2:樹脂組成物重量に対するシリコーン含有量であ
る。
[Table 1] * 1: Silicon fine powder having no reactive functional group on the surface (before the oxidation treatment in Production Example 1) * 2: Silicon content based on the weight of the resin composition.

【0049】実施例1は、表面に反応性官能基を持たな
いシリコーン微粉を使用した比較例1と比べて、シリコ
ーン微粉の配合し易さ及び流動性は良好で、かつ界面接
着も強力であった。半導体の信頼性も著しく優れてい
た。比較例2は、シリコーン微粉含有量が多いものであ
る。実施例1と比べて、シリコーン微粉の配合し易さ及
び流動性が著しく悪く、熱膨張率も大きく、弾性率も小
さく、界面接着も弱い。従って、半導体の信頼性も著し
く劣っていた。比較例3は、シリコーン微粉を配合しな
かったものである。実施例1と比べて、樹脂組成物の界
面接着が弱くかつ弾性率も大きく、半導体の信頼性も著
しく劣っていた。
In Example 1, as compared with Comparative Example 1 in which the silicone fine powder having no reactive functional group on the surface was used, the silicone fine powder was easily compounded and the flowability was good, and the interfacial adhesion was strong. It was The reliability of the semiconductor was also extremely excellent. Comparative Example 2 has a large content of silicone fine powder. Compared to Example 1, ease of blending and fine fluidity of the silicone fine powder are remarkably poor, thermal expansion coefficient is large, elastic modulus is small, and interfacial adhesion is weak. Therefore, the reliability of the semiconductor was also extremely poor. Comparative Example 3 is one in which the fine silicone powder was not mixed. Compared to Example 1, the resin composition had weak interfacial adhesion and a large elastic modulus, and the reliability of the semiconductor was significantly inferior.

【0050】実施例2はシリコーン含有量を、実施例1
に比べて増加したものである。弾性率は多少低下する
が、界面接着は強く、半導体の信頼性は著しく良好であ
った。実施例3は、実施例1で使用したシリコーン微粉
とは異なる反応性官能基を持つシリコーン微粉を用いた
ものである。実施例1と同じく、半導体の信頼性は著し
く良好であった。実施例4は、シリコーン微粉含有量を
実施例3に比べて増加したものである。配合し易さ、流
動性は多少低下し、熱膨張率は増加し、弾性率は低下す
るものの、界面接着は強く、半導体の信頼性は十分に満
足し得るものであった。実施例5は、実施例1とは異な
る方法即ち上記第二の方法で表面に反応性官能基を付与
されたシリコーン微粉を使用したものである。各評価結
果は、実施例1と同じであり、半導体の信頼性は著しく
良好であった。実施例6は、上記第三の方法で表面に反
応性官能基を付与されたシリコーン微粉を使用したもの
である。各評価結果は、実施例1と同じであり、半導体
の信頼性は著しく良好であった。
In Example 2, the silicone content was determined as in Example 1.
It is an increase compared to. Although the elastic modulus was slightly lowered, the interfacial adhesion was strong and the reliability of the semiconductor was remarkably good. Example 3 uses a silicone fine powder having a reactive functional group different from the silicone fine powder used in Example 1. As in Example 1, the reliability of the semiconductor was extremely good. In Example 4, the content of fine silicone powder was increased as compared with Example 3. Although the easiness of blending and the fluidity decreased to some extent, the thermal expansion coefficient increased and the elastic modulus decreased, the interfacial adhesion was strong and the reliability of the semiconductor was sufficiently satisfactory. Example 5 uses a method different from that of Example 1, that is, a finely divided silicone powder having reactive functional groups on its surface, which is obtained by the second method. The evaluation results were the same as in Example 1, and the reliability of the semiconductor was remarkably good. Example 6 uses finely divided silicone powder having a surface to which a reactive functional group has been added by the third method. The evaluation results were the same as in Example 1, and the reliability of the semiconductor was remarkably good.

【0051】[0051]

【発明の効果】本発明は、内部応力が小さく、かつ界面
接着性に優れた高信頼性の封止用樹脂組成物を提供す
る。
The present invention provides a highly reliable encapsulating resin composition having a small internal stress and excellent interfacial adhesion.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】火炎温度とシリコーン微粉の酸化層厚との相関
関係を示すグラフである。
FIG. 1 is a graph showing the correlation between flame temperature and oxide layer thickness of fine silicone powder.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 //(C08L 101/00 83:04) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display area // (C08L 101/00 83:04)

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 表面に反応性官能基を有するシリコーン
微粉を含むことを特徴とする封止用樹脂組成物。
1. A resin composition for encapsulation, comprising a fine silicone powder having a reactive functional group on its surface.
【請求項2】 シリコーン微粉の平均粒径D50が0.0
2〜200μmである請求項1記載の樹脂組成物。
2. The average particle diameter D 50 of the silicone fine powder is 0.0.
The resin composition according to claim 1, which has a thickness of 2 to 200 μm.
【請求項3】 シリコーン微粉を、樹脂組成物重量に対
して0.1〜90重量%含む請求項1又は2記載の樹脂
組成物。
3. The resin composition according to claim 1 or 2, which contains the silicone fine powder in an amount of 0.1 to 90% by weight based on the weight of the resin composition.
【請求項4】 反応性官能基がエポキシ基、アルコキシ
基、シラノール基、SiH基、アミノ基、ヒドロキシル
基、メルカプト基、ビニル基及びメタクリロキシ基より
成る群から選ばれた少なくとも一の基である請求項1〜
3のいずれか一つに記載の樹脂組成物。
4. The reactive functional group is at least one group selected from the group consisting of epoxy group, alkoxy group, silanol group, SiH group, amino group, hydroxyl group, mercapto group, vinyl group and methacryloxy group. Item 1
The resin composition according to any one of 3 above.
【請求項5】 シリコーン微粉が、表面にシラノール基
を有するシリコーンをシランカップリング剤で変性した
ものである請求項1〜4のいずれか一つに記載の樹脂組
成物。
5. The resin composition according to any one of claims 1 to 4, wherein the finely divided silicone powder is obtained by modifying a silicone having a silanol group on the surface with a silane coupling agent.
JP19126794A 1994-07-22 1994-07-22 Sealing resin composition Pending JPH0834927A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19126794A JPH0834927A (en) 1994-07-22 1994-07-22 Sealing resin composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19126794A JPH0834927A (en) 1994-07-22 1994-07-22 Sealing resin composition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0834927A true JPH0834927A (en) 1996-02-06

Family

ID=16271706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19126794A Pending JPH0834927A (en) 1994-07-22 1994-07-22 Sealing resin composition

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0834927A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111684010A (en) * 2018-12-06 2020-09-18 浙江华飞电子基材有限公司 Liquid casting resin composition for ultrahigh-voltage device
CN113308021A (en) * 2021-05-28 2021-08-27 江苏联瑞新材料股份有限公司 Preparation method of silicon micropowder for epoxy resin system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111684010A (en) * 2018-12-06 2020-09-18 浙江华飞电子基材有限公司 Liquid casting resin composition for ultrahigh-voltage device
CN111684010B (en) * 2018-12-06 2023-08-04 浙江华飞电子基材有限公司 Liquid casting resin composition for ultrahigh-voltage device
CN113308021A (en) * 2021-05-28 2021-08-27 江苏联瑞新材料股份有限公司 Preparation method of silicon micropowder for epoxy resin system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002146160A (en) Liquid epoxy resin composition and semiconductor device
JPH11310688A (en) Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device
JP2000034393A (en) Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor apparatus
JP3334998B2 (en) Epoxy resin composition
JP2004018803A (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JPH0834927A (en) Sealing resin composition
JP2002241581A (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2002212397A (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2006124420A (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JP3867956B2 (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2541015B2 (en) Epoxy resin composition for semiconductor device encapsulation and semiconductor device
JP2925905B2 (en) Epoxy resin composition
JP3466266B2 (en) Resin composition for sealing
JP2003327792A (en) Sealing resin composition and sealed semiconductor device
JP4145438B2 (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JPH05206331A (en) Resin composition for sealing semiconductor
JP2001240724A (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JP4296820B2 (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JPH03140322A (en) Epoxy resin molding material for semiconductor-sealing and resin-sealed semiconductor device
JP3719767B2 (en) Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation
JP2007084624A (en) Preliminarily kneaded composition, semiconductor sealing epoxy resin composition, and semiconductor device
JPH0885715A (en) Silicone-modified phenolic resin and its production
JPH07188515A (en) Resin composition for semiconductor sealing
JP5191072B2 (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2003171534A (en) Epoxy resin composition for semiconductor sealing and semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Effective date: 20040315

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02