JPH08335599A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】従来の技術では、樹脂の有効利用を図るととも
に金型流路内の圧力を均等化する点が配慮されていなか
った。 【構成】本発明は、例えばモールド樹脂を押圧供給する
ための複数個ポットと、該ポット間を相互に連通する連
通路と、直列に配置された複数個のキャビティとからな
る金型上に、半導体素子を載置するタブを縦横方向にそ
れぞれ複数配列するリードフレームを載置し、該ポット
に樹脂を投入し、該ポットを複数のプランジャで押圧
し、金型内のキャビティへ樹脂を注入する。 【効果】本発明によれば、レジンモールド半導体の生産
性と製品品質の大幅な向上を両立できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置製造方法に係
り、特に生産効率と製品品質の向上に好適なモールド金
型とリードフレームとを備えた半導体装置の製造方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の装置は特開昭61−292330号公報お
よび実開昭62−157143号公報に記載のように金型内に補
助ランナを介して互いに連通した複数個のポットを設
け、各ポットに対向接続した１対または２対の主ランナ
の先に製品キャビティをおのおの１個接続する方式にな
っていた。また、もう一つの従来の装置は特開昭62−12
2136号に記載のように、各ポットに複数のランナが接続
され、そしてこの各ランナの先には製品キャビティが複
数個直列に接続される構造になっていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】特開昭61−292330号公
報および実開昭62−157143号公報に記載の従来技術で
は、ポット間の連通路により各ポットに投入されるタブ
レットの量がばらついても金型流路内の圧力を均等にで
きる効果を持つが、各ランナの先にはキャビティが１個
しか具備されておらず、しかも連通路を埋めるための余
分の樹脂が必要であり、樹脂の材料歩留りの向上には限
界があった。

【０００４】前述のもう一つの従来技術は、複数のポッ
トからそれぞれ独立に複数のランナを介して各ランナに
複数個のキャビティを直列に配置する構造になっている
が、各ポットに投入するタブレットは、一般に重量がば
らついていることから、各ポット間における金型流路内
の圧力を均等化するには限界があった。

【０００５】つまり、従来の技術では、樹脂の有効利用
を図るとともに金型流路内の圧力を均等化する点が配慮
されていなかった。

【０００６】本発明の目的は、上記技術課題を解決する
ことにあり、第１の目的は生産効率と製品の品質向上の
両立を図ることができる半導体装置の製造方法を提供す
ることにある。

【０００７】第２の目的は、該半導体装置の製造方法に
好適な生産効率の高いリードフレームを提供することに
ある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
るために、本発明は、モールド樹脂を押圧供給するため
の複数個ポットと、該ポット間を相互に連通する連通路
と、該ポットからの樹脂を流入し、半導体素子を載置す
る。それぞれが直列に配置された複数個のキャビティと
からなる金型上に、リードフレームを載置し、該ポット
に樹脂を投入し、該ポットを複数のプランジャで押圧
し、金型内のキャビティへ樹脂を注入することにより達
成される。

【０００９】次に、第２の目的は、リードフレーム内に
半導体素子を載置するタブを縦横方向にそれぞれ複数配
列することを特徴とするリードフレームにより達成され
る。

【００１０】更に、リードフレーム上の半導体素子の間
にスリットを設けること、又は該スリットの一部にブリ
ッジを設ける変形例もある。

【００１１】

【作用】本発明によれば、ポット連通路を設けたことに
よる樹脂材料歩留りの低下は、キャビティ数を直列に増
加させることにより打ち消され、逆に大幅な樹脂材料歩
留りの向上が図れる。また、各ポットに投入された樹脂
の重量が大幅にばらついてもポット連通路を介しての樹
脂の授受により各ポットへ加わる成形圧力の均等化が図
れる。さらに、リードフレームはモールドすべき半導体
素子を縦横２方向に配列しており、１方向のみに配列し
た従来のリードフレームに比べ１部品当たりの製造コス
トを大幅に低減できる。しかも、半導体素子間のピッチ
を極力小さくできるので樹脂の流路を短くでき、成形中
の樹脂流動抵抗の低減による安定成形や、金型単位面積
当たりの半導体素子数を増加し、生産効率をさらに向上
できるという利点がある。一方、成形機のシリンダロッ
ドと各プランジャとを直接に接続することができるの
で、成形機サイドからの厳密なプランジャ動作制御を行
うことができ、製品品質の大幅な向上を達成できる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づけて説明
する。

【００１３】まず、図１は、本発明の一実施例に係る装
置の構成を示す。図１(a)はモールド金型の下平面図で
あり、１はモールド金型の下型、２は、モールド樹脂に
係るレジンを押圧供給するための複数個のポット（図１
(a)の範囲では３個）、３は、これら各ポット２に設け
たランナである。ランナ３の先端には第１ゲート４が設
けられており、この第１ゲート４に接続して第１キャビ
ティ５が配置されている。第１キャビティ５の後、すな
わちレジン供給時の下流側には、第２ゲート６が設けら
れており、この第２ゲート６に接続して第２キャビティ
７が配置されている。さらに、第２キャビティ７の下流
側には、第３ゲート８を介して第３キャビティが配置さ
れている。また、各ポット２はポット連結流路10により
お互いに連結されている。

【００１４】図１(b)は、リードフレーム11を上型12と
下型１との間に挿設した状態における図１(a)のＡ−Ａ
断面を示している。リードフレーム11には、第１キャビ
ティ５，第２キャビティ７，第３キャビティ９の各キャ
ビティ内に相当する位置で、チャプ13が搭載され、金線
14によりチップ13とリードフレーム11が接続され、モー
ルドすべき電気部品を構成している。

【００１５】図１(c)は上型12と下型１とを閉じ、成形
機（図示せず）のロッド15に剛体接続板16を介してプラ
ンジャ17を取りつけた状態における図１(a)のＢ−Ｂ断
面を示している。

【００１６】図１(a)〜(c)の各ポット２にレジン（図示
せず）を投入し、成形機のロッド15を下降させることに
より、剛体接続板16を介して各プランジャ17もロッド15
に連動してポット２内を下降する。そして各プランジャ
17はレジンをポット連結流路10と各ランナ３を移送し、
さらにレジンは各ランナ３の先に設けられた各ゲート，
キャビティを充填する。

【００１７】図２は、図１のモールド金型に用いるリー
ドフレームの平面図、図３はそれらを用いてレジンを充
填した後の下型の平面図である。

【００１８】図２において、チップ（図示せず）はタブ
18の上にダイボンディングされ、内部リード19の先端部
と金線（図示せず）でワイヤボンディングされ、半導体
部品を構成する。このように１枚のリードフレームには
半導体部品が縦，横２方向に並べられている。

【００１９】図３は図２に示したリードフレーム11を図
１(a)に示した下型１と上型12との間に挿設してレジン2
0の押圧供給を終った状態の下型１の平面図である。レ
ジン20は所定時間経過後、硬化し、成形品21が得られ
る。そして、所定の工程を経てレジンモールド半導体部
品が得られる。なお、本実施例では、レジンモールド半
導体部品の外部端子となる外部リード22のパターンに対
して、キャビティ内のレジンが連続して直交方向に流動
する。

【００２０】図１〜３の実施例ではプランジャ17をポッ
ト２の上方に設けた場合の例を示したが、プランジャ17
をポット２の下方に設けた場合においても、同等の生産
性で同等の品質を有したレジンモールド半導体部品が得
られる。

【００２１】図４は本発明の第２の実施例に係るモール
ド金型の下型の平面図、図５は図４のモールド金型に用
いるリードフレームの平面図、図６はそれらを用いてレ
ジンを充填したのちの下型の平面図である。

【００２２】図４と図１(a)との違いは、第２ゲート，
第３ゲートの加工はされておらず、第２キャビティ７，
第３キャビティ９が独立して配置されていることであ
る。

【００２３】一方、図５に示すように図４のモールド金
型に用いるリードフレーム11には、第２，第３ゲートに
相当する位置に、下流側の第２キャビティ７，第３キャ
ビティ９にレジンを下流に移送するためのスリット23が
形設されている。

【００２４】図６は図５に示したリードフレーム11を図
４に示した下型１と図示しない上型との間に挿設して、
レジンの押圧供給を終った状態の下型１の平面図であ
る。レジン20はポット連結流路10で重量ばらつき補正し
た後、ポット２からランナ３，第１ゲート４を通って第
１キャビティ５を充填し、スリット23を通って第３キャ
ビティ９内に供給され、成形品21が得られる。その後、
所定の工程を経てレジンモール半導体部品が完成する。

【００２５】本実施例では第１の実施例に比べて金型の
ゲート加工費を低減できるという効果がある。

【００２６】図７は本発明の第３の実施例に係るモール
ド金型の下型の平面図、図８は図７はモールド金型に用
いるリードフレーム平面図、図９はそれらを用いてレジ
ンを充填したのちの下型の平面図である。

【００２７】図７と図１(a)との違いは、ランナ３のポ
ット２からではなくポット連結流路10から分岐し、第１
ゲート４と直線状に接続されることである。これにより
金型加工が容易になり、加工費を低減できるという効果
がある。

【００２８】一方、図８と図５のリードフレームとの違
いは、スリット23の中にブリッジ24が設けられているこ
とである。これにより、成形中のレジンの流動圧力によ
りスリット23が広げられリードフレーム11が変形するこ
とを防いでいる。なお、図７に示したように金型のキャ
ビティ間にはゲートが設けられており、ブリッジ24があ
ってもレジンは下流側へ流動することができる。

【００２９】図９は図８に示したリードフレーム11を図
７に示した下型１と図示しない上型との間に挿設して、
レジンの押圧供給を終った状態の下型１の平面図であ
る。レジン20はポット連結流路10で重量ばらつきを補正
するとともに、ポット連結流路10からランナ３，第１ゲ
ート４を通って第１キャビティ５を充填し、スリット23
およびその下の第２ゲート６（図示せず）を通って第２
キャビティ７、さらにスリット23およびその下の第３ゲ
ート８（図示せず）を通って第３キャビティ９に供給さ
れ、成形品21が得られる。この方式ではスリット23と各
ゲートの両方を流路とすることができ、レジンの流動抵
抗を低減できる。しかもブリッジ24によりスリット23の
部分からのリードフレーム21の変形を防止できる。

【００３０】また、キャビティ間隔とポット間隔，ポッ
ト径の関係から、図10に示すようにランナとポットが直
接接する配置にもできる。

【００３１】なお、図７，図10の金型には、図２や図
５，図８、および後で述べる図18のようなリードフレー
ムも用いることができるのはいうまでもない。

【００３２】図11は，本発明の第４の実施例に係るモー
ルド金型の下型の平面図、図12は、図２に示すリードフ
レームを用いてレジンを充填したのちの下型の平面図で
ある。

【００３３】図11と図７及び図10との違いは、ポット連
通10，第２ゲート６，第３ゲート８に接し、金型外部へ
と通じるエアベント（図中斜線部分）25を設けたことで
ある。このエアベント25は、深さ10μm〜40μm程度の範
囲の深さのものである。一方、連絡路10やランナ３の深
さは数mm程度である。このエアベント25により、ポット
連通路10の中央部付近でレジンが衝突する際にレジン中
に混入する空気ならびにゲートを通過するときにレジン
中に含まれる空気は金型外部へ排出される効果がある。

【００３４】ところで、図１（ａ）、若しくは図４の形
状の下金型において、連通路やゲートと接続したエアベ
ントを設けることが可能である。

【００３５】図12は、図２に示したリードフレームを図
11に示した下型１と上型（図示せず）との間に挿入し
て、レジンの充填が終わった状態の下型１の平面図であ
る。この方式により、成形品21内に残存するボイドは大
幅に低減でき、品質の向上が図れる。

【００３６】なお、図11の金型構造の中で第２ゲート
６，第３ゲート８を図10のような位置に配置すれば、図
２，図５，図８，図11に示すリードフレームを用いるこ
とができるのはいうまでもない。

【００３７】図13の下型の平面図、図14は、図２に示す
リードフレームを用いてレジンを充填したのちの下型の
平面図である。

【００３８】図13と図11の違いは、先に述べたエアベン
ト25とともに第３キャビティ９に接続して半導体部品と
ならないダミーキャビティ25を設け、エアベント25だけ
でなく、レジン流動中に流動先端部へ巻き込まれた空気
をダミーキャビティ26へ流し出し、成形品のボイドの一
層の低減ができ、品質の向上が図れる。

【００３９】ところで、図１(a)や図４の形状の下金型
において、ダミーキャビティを設けることは可能であ
る。

【００４０】なお、図13の金型も図10のようなゲート位
置に配置すれば、第２，５，８，11図に示すリードフレ
ームを用いることができるのはいうまでもない。

【００４１】図15は、本発明の第６の実施例に係るモー
ルド金型の下型の平面図、図16は、図２に示すリードフ
レームを用いてレジンを充填したのちの下型の平面図で
ある。

【００４２】図15と図11との違いは、ポット２から出た
レジンはポット連通路10より狭い断面積のポット流出ゲ
ート27を通ってからポット連通路10とランナ３へ導かれ
ることである。これにより、レジン内部のボイドを一度
圧縮し、キャビティ内へ流出するボイドの大きさを小さ
くすることができる。さらに先に述べたようにエアベン
ト25を通じて金型外部へとレジン中に含まれる空気は排
出される。これにより成形品中のボイドの低減が図れ
る。

【００４３】なお、図15の金型も図10のようにゲート位
置に配置すれば、第２，３，８，11図に示すリードフレ
ームを用いることができるのはいうまでもない。

【００４４】図17は本発明の第７の実施例に係るモール
ド金型の下型の平面、図18は、図17のモールド金型に用
いるリードフレームの平面図、図19はそれらを用いてレ
ジンを充填したのちの下型の平面図である。

【００４５】図17と図15との違いは、ポット流出ゲート
25を有し、さらに第３キャビテイ９に接続してダミーキ
ャビテイ２６を設けて、キャビティ内を流動したレジン
中に含まれる空気は最後にここでトラップされる。これ
により、成形品中のボイドが低減できる。

【００４６】そして、図13，14と図17，19の違いは、図
17，19の実施例では、リードフレーム11からはみ出さな
い場所の下型１内にダミーキャビティ26を設け、しかも
ダミーキャビティ26と対応する位置にリードフレーム11
内にもレジン流出スリット28をつけており、モールド後
に不用となるレンジ充填物であるポット２，ランナ３，
第１ゲート４，第２ゲート６，第３ゲート８，ダミーキ
ャビティ26を同時にしかも簡単に打ち抜いて削除できる
という効果もあり、生産工程の自動化が図りやすく生産
性向上を大幅に向上させる機能も併せもっている。

【００４７】図20は本発明の第８の実施例に係るモール
ド金型の下型の平面図、図21は図20のモールド金型に用
いるリードフレームの平面図、図22はそれらを用いてレ
ジンを充填したのちの下型の平面図である。

【００４８】図20は図７とポット連通路10およびランナ
３の分岐のさせ方は同じであるが、キャビティを斜め配
置し、平面図でのキャビティの頂点から隣接するキャビ
ティの頂点へレジンを流動させることが異なっている。
また、隣り合うランナの長さが異なる２種類の仕様にな
っている。

【００４９】図21のリードフレームは外部リード22が４
方向に出されたタイプのものであり、図２，５，８，18
に示した外部リード22が２方向に出されるタイプとは形
状が異なっている。さらに、図２，５，８，18の外部リ
ード22はリードフレームの外枠の一方と平行に配置され
ているのに対し、図21ではリードフレームの外枠と外部
リード22とは所定の角度を成している。

【００５０】図22は図21に示したリードフレーム11を図
20に示した下型１と図示しない上型との間に挿設して、
レジンの供給を終わった状態の下型１の平面図である。
この方式により、外部リード22を４方向に有した半導体
部品を高い生産効率で成形できる。

【００５１】本実施例では、１つの金型構造と１つのリ
ードフレーム構造との組み合わせ例のみ示したが、第７
の実施例までのところで述べたのと同様の種々の組み合
わせができることは言うまでもない。

【００５２】なお、前述の実施例では、１本のランナで
３個のキャビティを直列に配置し、３個の成形品を取り
出す例を説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、成形品の取り数については、成形品の大きさ
は、レジンの流れやすさなどから適切に設定すればよい
ことは言うまでもない。

【００５３】図23は本発明の第９の実施例に係る装置の
全体構成、図24はこの装置での成形プロファイル、図25
はその効果を示した図である。

【００５４】図23は上型12と下型１とを閉じ、金型を成
形機29に取りつけた状態における図１(c)と本発明に係
るレジンモールド半導体製造装置全体の構成を示したも
のである。各プランジャ17は剛体接続板16に固定され、
さらに剛体接続板16に成形機のロッド15がプラジャ17と
逆方向に接続されている。また、各ポット２に投入され
たレジン20はポット連結流路10を通して互いにつながっ
ている。次にロッド15の駆動用装置構成について概要を
説明する。この装置は、ロッド下降用スイッチ（図示せ
ず）をＯＮにすると、剛体接続板16を介してロッド15に
接続されているプランジャ17が下降してポット２内のレ
ジン20を金型内へ注入することができるようにした駆動
回路を備えたものであってこの駆動回路を、電動機に係
るサーボモータ30とこのサーボモータ30の走行距離を検
出することができる走行距離計に係るパルスジェネレー
タ31と、予め、前記サーボモータに与えるべきモータ最
高電流としての１次電流ｉｍａｘ１，２次電流ｉｍａｘ
２（ただしｉｍａｘ１＞ｉｍａｘ２）、および所定の走
行距離を設定しておき、前記プランジャ下降スイッチが
ＯＮになったとき、前記サーボモータ30を速度制御にす
るとともに、モータ最高電流を前記１次電流に設定し、
走行距離が前記設定走行距離になったとき、モータ最高
電流を前記２次電流に切替えて設定し、モータ電流がこ
の２次電流になったとき、前記サーボモータ30をトルク
制御にすることができる駆動制御部32とを有する電気回
路にし、前記サーボモータ30の回転を減速しこれを直線
運動に変換してロッド15に伝達し、このロッド15を下降
させることができる減速・直線運動変換機構に係るボー
ルスクリュジャッキ33を前記サーボモータ30に接続して
設けた成形装置である。

【００５５】以下、詳細に説明する。30は、タコジネレ
ータ34およびパルスジェネレータ31と連結したサーボモ
ータ、35は、前記タコジェネレータ34からの回転信号数
を取込み、速度制御を行う領域では前記サーボモータ30
の回転数がマイコンユニット36（詳細後述）に設定され
た回転数になるように、クローズドルーブ制御をするこ
とができるモータドライバ、31はサーボモータの走行距
離、すなわちプランジャ変位を検出することができるパ
ルスジェネレータ、36は、このパルスジェネレータ31か
らの変位信号を取込み、プランジャ17の動作を制御でき
るマイコンユニット、37は、このマイコンユニット36
へ、モータ最高電流，サーボモータ30の回転数，プラン
ジャ変位を設定することができるコンソールである。

【００５６】このように構成した成形装置の動作を、図
23，図24を用いて説明する。この実施例は、流動性の悪
いレジン（フィラを多量に混合した粘度の高いレジンな
ど）を使用した場合である。

【００５７】コンソール37により、マイコンユニット36
に１次電流ｉｍａｘ１，２次電流ｉｍａｘ２，第１のプ
ランジャ変位ｄ１（プランジャ17の下端がポット２内の
レジンタブレット（図示せず）上端よりもやや上方へ来
る所定位置），第２のプランジャ変位ｄ２（プランジャ
17の下端が前記第１のプランジャ変位ｄ１よりも下方へ
来る所定位置、すなわち、プランジャ17がレジン充填完
了前の位置），第１の回転数Ｎ１，第２の回転数Ｎ２
（ただし、Ｎ１＞Ｎ２）を設定する。

【００５８】ここで、レジンタブレット（図示せず）を
ポット２内に投入し、装置のプランジャ下降スイッチ
（図示せず）をＯＮにすると、マイコンユニット36から
モータドライバ35へ、速度制御指令と第１の回転数Ｎ１
とが出力され、モータ最高電流が１次電流ｉｍａｘ１に
設定され、サーボモータ30が第１の回転数Ｎ１で回転す
る。この回転は、ボールスクリュジャッキ33に伝えられ
る、ここで減速されるとともに、ロッド15および各プラ
ンジャ17の下降運動に変えられる。

【００５９】サーボモータ30の回転数は、タコジェネレ
ータ34によってカウントされ、このタコジェネレーショ
ン34からの回転信号がモータドライバ35へ取込まれ、サ
ーボモータ30の回転が、常に前記第１の回転数Ｎ１にな
るようにクローズドロープ制御される。パルスジェネレ
ータ31からの信号がマイコンユニット36に入り、前記第
１のプランジャ変位d１と比較される。ブランジャ17
は、前記第１の回転数Ｎ１に対応して、ポット２内を高
速で下降し、パルスジェネレータ31によって検出したプ
ランジャ変位が第１のプランジャ変位d１になったと
き、（図24のａ点）マイコンユニット36からの指令によ
ってサーボモータ30の回転数が、第１の回転数Ｎ１から
第２の回転数Ｎ２へ落ち、プランジャ17が低速で下降す
る。

【００６０】下型１，上型12のヒータ（図示せず）によ
って加熱され溶融したレジン20はプランジャ17の下降に
よりポット連結流路10を充填するとともに、図１(a)及
び図１(b)のランナ３，第１ゲート４を通り、下流側へ
順次運ばれる。そして、レジンが最下流の第３キャビテ
ィ９内へ充填完了する直前まで来たとき、すなわちプラ
ンジャ17の変位が第２のプランジャ変位ｄ２になったと
き（図24のｔ１）マイコンユニット36が指令を出し、モ
ータ最高電流が、１次電流ｉｍａｘ１からｉｍａｘ２へ
切り替わる。サーボモータ30は、そのまま第２の回転数
Ｎ２を維持する。そしてレジン20が全てのキャビティへ
充填完了し、プランジャ17が停止したとき（図24のｔ
２）、モータ電流ｉが２次側の設定値ｉｍａｘ２の値を
保持し、トルク制御に移り、ｉｍａｘ２に対応する樹脂
圧力Ｐがレジン20に所定時間負荷されて成形を終了し、
成形装置がＯＦＦになる。

【００６１】このような制御を行わせるので、成形性の
悪いレジンでの充填完了直前までプランジャ17は設定速
度通りに下降する。また、充填完了直前に荷重を下げる
のでキャビティ内に高圧が加わることによるバリの発生
やインサート変形の問題がない。

【００６２】図25は、本発明に係る装置によって成形し
た樹脂封止品のボイド発生率，未充填不良発生率の一例
を、第１図における金型の従来の油圧オープンループ方
式の成形機で成形したものと比較して示す欠陥発生図で
ある。この図25において、Ａは従来の油圧オープンルー
プ方式の回路を備えて成形した樹脂封止品の欠陥を、Ｂ
は本発明に係る装置によって成形した樹脂封止品の欠陥
を、それぞれ示すものであり、本発明の方が、欠陥が著
しく低減していることがわかる。

【００６３】なお、本実施例では電動駆動のクローズド
ループ制御例を示したが油圧駆動のクローズドループ制
御を用いてもよい。

【００６４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によればレ
ジンモールド半導体の生産性と製品品質の大幅な向上を
両立できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例であり、(a)は下型平面
図、(b)は上，下型を閉じた状態での(a)のＡ−Ａ断面
図、(c)はＢ−Ｂ断面図。

【図２】図１のモールド金型に用いるリードフレームの
正面図。

【図３】第１の実施例に係るレジンモールド半導体装置
を用いてレジンを充填した後の下型の平面図。

【図４】第２の実施例の下型平面図。

【図５】図４のモールド金型に用いるリードフレームの
正面図。

【図６】図２の実施例に係るレジンモールド半導体装置
を用いてレジンを充填した後の下型の平面図。

【図７】第３の実施例の下型平面図。

【図８】図７のモールド金型に用いるリードフレームの
正面図。

【図９】第３の実施例に係るレジンモールド半導体装置
を用いてレジンを充填した後の下型の平面図。

【図１０】第３の実施例の下型平面図。

【図１１】第４の実施例の下型平面図。

【図１２】第４の実施例に係るレジンモールド半導体装
置を用いてレジンを充填した後の下型の平面図。

【図１３】第５の実施例の下型平面図。

【図１４】第５の実施例に係るレジンモールド半導体装
置を用いてレジンを充填した後の下型の平面図。

【図１５】第６の実施例の下型平面図。

【図１６】第６の実施例に係るレジンモールド半導体装
置を用いてレジンを充填した後の下型の平面図。

【図１７】第７の実施例の下型平面図。

【図１８】図17のモールド金型に用いるリードフレーム
の正面図。

【図１９】第７の実施例に係るレジンモールド半導体装
置を用いてレジンを充填した後の下型の平面図。

【図２０】第８の実施例の下型平面図。

【図２１】図20のモールド金型に用いるリードフレーム
の正面図。

【図２２】第８の実施例に係るレジンモールド半導体装
置を用いてレジンを充填した後の下型の平面図。

【図２３】第９の実施例の半導体樹脂封止装置全体構成
図。

【図２４】第９の実施例に係る半導体樹脂封止装置によ
り成形した成形プロファイル図。

【図２５】従来の成形法のものと比較して示す欠陥発生
図。

【符号の説明】

１…下型 ２…ポット ３…ランナ ４…第１ゲート ５…第１キャビティ ６…第２ゲート ７…第２キャビティ ８…第３ゲート ９…第３キャビティ １０…ポット連結流路 １１…リードフレーム １２…上型 １５…シリンダロッド １６…剛体接続板 １７…プランジャ ２３…スリット ２４…ブリッジ ２５…エアベント ２６…ダミーキャビティ ２７…ポット流出ゲート ２８…レジン流出スリット ３０…サーボモータ ３１…パルスジェネレータ ３２…駆動制御部 ３４…タコジェネレータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 勇 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 西 邦彦 東京都小平市上水本町1450番地株式会社日 立製作所武蔵工場内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】樹脂を供給するポットと、その樹脂の供給
   を受ける複数個のキャビテイとを配置した金型を使用
   し、その金型にリードフレームを設置し、前記ポットか
   ら前記キャビテイへ樹脂を供給する半導体装置の製造方
   法であって、 前記リードフレームの一部に設けた樹脂流通路を介し
   て、前記キャビテイから他のキャビテイへ樹脂を供給す
   ることを特徴とする半導体装置の製造方法。