JPH08330394A - 位置合わせ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】グローバル・アライメント方式を用いた場合
に、被加工基板上に存在する局所的な配列の歪みの影響
を小さくする。 【解決手段】被加工基板上の複数の加工領域（Ｓ1 ，Ｓ
2 ，Ｓ3 ）夫々の位置に応じて、被加工基板（Ｗ）上の
複数の加工領域の中から選択したサンプルショット（Ａ
₁ ，Ａ₂ ，Ａ₃ ，Ａ₄ ，Ａ₅ ，Ａ₆ ，Ａ₇ ，Ａ₈ ）のア
ライメントデータに重み付けを行い、重み付けされたア
ライメントデータに基づいて、複数の加工領域夫々の加
工基準位置との相対的な位置関係を決定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体素子製造に使われ
る被加工基板（ウェハ等）の位置合わせ方法に関し、特
に被加工基板上に形成された複数の加工領域を所定の基
準位置に対して順次位置合わせする方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より半導体素子製造用のウェハは数
多くのプロセスの中で、必要に応じて高精度の位置合わ
せ（アライメント）作業を受ける。特にフォトリソグラ
フィー工程におけるレチクルパターン（マスクパター
ン）とウェハ上のパターンとのアライメントは半導体素
子の性能を左右する重要な作業の１つである。またウェ
ハ上に作り込まれた回路の一部に欠陥がある場合、その
部分を予備の回路部分とつなぎ代えるために、ウェハ上
の回路中に予め設けられたフューズをレーザ光によって
切断したり、配線の接続を行ったりするリペア工程にお
いては、レーザ光照射位置へのウェハのアライメントが
重要な作業である。

【０００３】近年のフォトリソグラフィー工程では、縮
小投影型露光装置を用いたステップ・アンド・リピート
方式の露光が主流となっている。この方式におけるウェ
ハのアライメントは現存の装置では、グローバル・アラ
イメント方式とイーチ・ダイ・アライメント方式との２
つに大別される。グローバル・アライメント方式はウェ
ハ上に予め形成されたマークの位置を、レチクルのパタ
ーンの投影点を基準にして検出した後、その検出結果に
基づいてウェハを設計上予め定められた配列で順次ステ
ッピングさせて露光を行なうものである。一方、イーチ
・ダイ・アライメント方式はウェハ上の各露光ショット
領域毎に形成されたマークとレチクル上のパターンに付
随して形成されたマークとを相対的にアライメントした
後に露光するものであり、このアライメントは各露光シ
ョット毎に行なわれる。

【０００４】上記２つの方式で、グローバル・アライメ
ント方式はウェハの露光の前に全てのアライメント動作
が完了してしまうため、スループットが高く、量産向き
である。さらにウェハ上に離散的に位置した複数のマー
クに関して位置検出を行ない、その結果の平均値に基づ
いて全露光ショット位置の設計値からの補正を行なうの
で、アライメントマークの位置検出の誤差にバラつきが
大きい場合でも、平均化できるといった利点がある。イ
ーチ・ダイ・アライメント方式は各ショット毎にアライ
メント（マーク位置検出）を行なうため、スループット
が低く、各ショットでのマークの位置検出の誤差が直接
そのショットでの重ね合わせ精度を左右するといった弱
点がある。

【０００５】現在、半導体製造には主にグローバル・ア
ライメント方式が使用されているが、ウェハの大口径化
に伴ない、ウェハの伸縮等による局所的なショット（チ
ップ）配列誤差が無視できなくなりつつある。このた
め、スループットの低下を極力押えつつ、高い重ね合わ
せ精度を得る位置合わせ法の開発が必須となっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする問題点】ところが従来のよう
なグローバル・アライメント方式では、ウェハ上の数点
でのアライメント結果に基づいて、ウェハ上のショット
配列を規定してしまうため、ウェハ上に局所的な配列誤
差が存在すると、その部分で重ね合わせ精度が低下する
といった問題があった。このことはグローバル・アライ
メント方式の変形であるブロック・アライメント方式で
も同様に起り得る問題である。すなわち、ブロック・ア
ライメント方式はウェハ面をいくつかの大きなブロック
領域に分割し、各ブロック内について数点のアライメン
トを行ない、その結果に基づいてブロック内でのショッ
ト配列を規定するという方法である。従って局所的な配
列誤差が存在すると、ブロックとブロックとの境界付近
に位置するショットについては重ね合わせ誤差が大きく
なる可能性があった。

【０００７】以上のウェハのアライメントに関してはリ
ペア装置でも全く同じであり、同じ問題が生じ得る。特
にリペア装置の場合は、露光装置のような面と面のアラ
イメントではなく、点と点（レーザスポットとフューズ
切断点）のアライメントになるため、グローバル・アラ
イメント方式、又はブロック・アライメント方式ともか
なりの高精度を要求される。さらにリペア装置で扱うウ
ェハは多数回の熱処理を受けてきているため、ウェハ自
体の伸縮（歪み）もかなり大きなものとなっている。

【０００８】

【問題点を解決する為の手段】本発明は被加工基板（半
導体ウェハ等）上の複数の加工領域（露光領域、又はチ
ップ領域）の夫々に所望の加工（露光又はリペア）を施
す際、加工領域と加工基準位置（パターンの投影像位
置、又はレーザスポット照射点）とを相対的に位置合わ
せする方法である。この位置合わせにあたって、本発明
は基本的に以下の３つのステップ（工程）を含んでい
る。 （１）被加工基板上の複数の加工領域のうちのいくつか
をサンプル領域として選択し、該サンプル領域の夫々の
アライメントデータとして前記座標系内での座標位置を
求める第１ステップ。 （２）被加工基板上の各加工領域毎に第１ステップで得
られたアライメントデータの夫々に重み付けを行い、該
重み付けされたアライメントデータに基づいて、被加工
基板上の複数の加工領域の夫々の加工基準位置との相対
的な位置関係を決定する第２ステップ。 （３）該第２ステップで決定された位置関係に基づいて
被加工基板を位置決めする第３ステップ。

【０００９】

【作用】以上のような各ステップを実行することによっ
て、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置におい
てはウェハ上の露光すべきショット位置の変化に応じ
て、そのショット位置を決定するために予備的にアライ
メント（以下サンプルアライメントと呼ぶ）したショッ
ト領域（複数）のアライメントデータに重み付けするこ
とになり、被加工基板上に局所的な配列誤差があって
も、その局所的な誤差に合わせてショット位置が決定さ
れることになる。

【００１０】

【実施例】図１は本発明の方法を実施するのに好適な縮
小投影型露光装置の概略的な構成を示す図である。原版
となるレチクルＲは露光照明系１からの露光光によって
照明され、レチクルＲに形成されたパターン、又はアラ
イメント用のマークＡＭの像は、投影レンズ２によって
所定の結像面に形成される。２次元移動するステージ３
上にはウェハＷが結像面と一致するように載置されてい
る。ステージ３の位置はレーザ光波干渉式測長器（以下
干渉計とする）４によって常時検出される。ステージ制
御系６はモータを含み、コンピュータ５から出力された
目標位置情報（ショットアドレス値）と干渉計４から出
力された現在位置情報とを入力してステージ３のサーボ
制御を行なう。

【００１１】さて、本実施例では３つの異なる方式のア
ライメント系が用意されている。１つはレチクルＲ上の
マークＡＭとウェハＷ上に形成されたマークＢＭとを同
時に観察し、マークＡＭとＢＭとの相対的なずれ量を検
出するＴＴＬ方式のアライメントセンサー１０である。
他の１つはウェハＷのフォトレジストを感光させない波
長のレーザ光をレチクルＲを介することなく、ミラー１
１ａ、１１ｂで反射させて投影レンズ２に入射させ、投
影視野内（結像面）の所定位置にスポット光を形成し、
このスポット光に対してウェハＷをスキャンしたときに
生じるマークＢＭからの光情報を検出することによりウ
ェハＷの位置検出を行なうＴＴＬ方式のアライメントセ
ンサー１２である。さらにもう１つのアライメント系
は、投影レンズ２の光路外に固定された顕微鏡１３によ
ってマークＢＭが検出されるようにウェハＷを位置決め
したとき、顕微鏡１３の内部に設けられた指標マークと
マークＢＭとのアライメント状態を検出するオフ・アク
シス方式のアライメントセンサー１４である。尚、上記
３つのアライメントセンサー１０、１２、１４はともに
マークＢＭを検出するとしたが、実際のウェハＷ上には
各センサーに適した形状、配置のマークが多数設けられ
ている。

【００１２】さて、各センサー１０、１２、１４からの
検出信号はセンサーセレクター部１６を介していずれか
１つのモードが選択され、選択されたセンサーからの検
出信号と干渉計４からの位置情報とが、コンピュータ５
内のサンプルアライメント位置の記憶メモリ５０に格納
される。セレクター部５１はメモリ５０から所定のサン
プルアライメント位置情報を選択して、ウェハＷ上のシ
ョット配列を特定するのに必要な演算に使われる補正パ
ラメータの決定部５２に送る。またセレクター部５１
は、ショット配列の設計位置情報を格納したメモリ５３
から出力される１つの露光ショット設計位置に応答し
て、予め定められた選択基準に従って複数のサンプルア
ライメント位置情報をメモリ５０から呼び出すように機
能する。ショット露光位置の決定部５４は、決定された
補正パラメータと設計位置情報とに基づいて、ステージ
３がステッピング（アドレッシング）すべき実際の位置
を決定する。ここで決定されたショット露光位置情報は
ショットアドレス値としてステージ制御系６に送られ
る。

【００１３】さて図２は図１に示した２つのＴＴＬ方式
のアライメントセンサー１０、１２の投影視野内での検
出中心位置を示す平面図である。直交座標系ＸＹは干渉
計４によって規定されるステージ３の送り座標系を表わ
し、その原点Ｏ₁ は円形の視野領域ＩＦの中心と一致し
ており、この原点Ｏ₁ に投影レンズ２の光軸が通る。レ
チクルＲの中心が光軸と一致していると、ウェハＷ上に
露光すべきパターン領域の像はＰＡであり、領域ＰＡの
外側でＸ軸上とＹ軸上との夫々には、レチクルＲ上のマ
ークＡＭの像ＡＭｘ’、ＡＭｙ’が形成される。マーク
像ＡＭｘ’はＸ方向のアライメント用、マーク像ＡＭ
ｙ’はＹ方向のアライメント用である。また像ＰＡと同
一形状の露光ショット領域ＣＰはウェハＷ上にマトリッ
クス状に複数形成されているが、ここでは代表して１つ
の領域のみを示す。領域ＣＰには、その中心Ｏ₂ が中心
Ｏ₁ と一致させるようにウェハを位置決めしたとき、マ
ーク像ＡＭｘ’と重ね合わせ観察できるマークＢＭｘ
と、マーク像ＡＭｙ’と重ね合わせ観察できるマークＢ
Ｍｙとが予め形成されている。

【００１４】一方、ＴＴＬ方式のアライメントセンサー
１２により、視野領域ＩＦのＸ軸上とＹ軸上との夫々に
はスポット光（シートビーム）ＬＳｘ、ＬＳｙが形成さ
れている。そして領域ＣＰに付随して、スポット光ＬＳ
ｘによって検出されるマークＢＭｘ’と、スポット光Ｌ
Ｓｙによって検出されるマークＢＭｙ’とが予め形成さ
れている。尚領域ＣＰに付随したマークＢＭｘ、ＢＭ
ｙ、ＢＭｘ’、ＢＭｙ’はウェハＷ上の全てのショット
領域毎に設けられている。

【００１５】次に図３、図４を参照して本発明の第１実
施例を説明する。図４はコンピュータ５によって制御さ
れる露光シーケンスの概略的なフローチャート図であ
り、図３はウェハＷ上のショット配列の一例を示す平面
図である。コンピュータ５は特定のサンプル・ショット
として図３に示すショット領域Ａ₁ 、Ａ₂ 、Ａ₃ 、
Ａ₄、Ａ₅ 、Ａ₆ 、Ａ₇ 、Ａ₈ （図２中のＣＰと同等）
の８つを予め選んでいるものとする。この数は８つに限
られるものではなく、またその配置もウェハ上でできる
だけ分散させておくようにすれば、どのようにしてもか
まわない。また８インチ等の大口径ウェハで、一回の露
光で重ね合わせを行なうショット領域が比較的小さな場
合、ウェハ上の全ショット数は数１０〜１００ショット
程度になるため、サンプル・ショットの数もそれに合わ
せて多くする必要がある。

【００１６】以上図４の各ステップを順に説明する。 〔ステップ１００〕ここでは図２に示した８つのサンプ
ル・ショットＡ₁ 〜Ａ₈ の夫々について、アライメント
位置の計測を行なう。この計測には、アライメントセン
サー１０とアライメントセンサー１２のどちらを用いて
もよいが、まず初めにアライメントセンサー１２を用い
た計測動作を説明する。まずサンプル・ショットＡ₁ に
付随したマークＢＭｘ’、ＢＭｙ’とスポット光ＬＳ
ｘ、ＬＳｙとの夫々が相対的に走査されるように、ステ
ージ３を移動させ、センサーセレクター部１６を介して
アライメントセンサー１２の検出信号と干渉計４からの
位置情報をメモリ５０に読み込む。そして順次、サンプ
ル・ショットＡ₂ 、Ａ₃ …Ａ₈ のアライメント位置（マ
ークＢＭｘ’、ＢＭｙ’の座標系ＸＹ内での位置）をメ
モリ５０に読み込む。

【００１７】以上の動作が予備的なアライメント動作で
ある。 〔ステップ１０１〕ここからウェハＷへの露光動作に入
る。まず、露光しようとするショット位置の設計値をメ
モリ５３から読み出し、その情報をセレクター部５１に
送る。セレクター部５１は本実施例では露光ショット位
置の周辺に位置するサンプルショットのうち、距離的に
近い順にｎ個のアライメント位置情報をメモリ５０から
選び出し、それを決定部５２に送る。

【００１８】例えばｎ＝３に設定した場合、図３中に示
した露光ショットＳ₁ に対して露光（位置決め）を行な
うときは、サンプルショットＡ₁ 、Ａ₃ 、Ａ₄ のアライ
メントデータが選ばれ、ショットＳ₂ の露光（位置決
め）に対してはサンプルショットＡ₄ 、Ａ₅ 、Ａ₇ のア
ライメントデータが選ばれ、さらにショットＳ₃ の露光
に対してはサンプルショットＡ₄ 、Ａ₆ 、Ａ₅ のアライ
メントデータが選ばれる。

【００１９】〔ステップ１０２〕さて、決定部５２はｎ
個のサンプルショットの設計上のアライメント位置情報
（メモリ５３に格納）とサンプルショットの計測アライ
メント位置情報とに基づいて、補正パラメータ（補正
値）の演算を行なう。ここで設計アライメント位置を
（Ｘｐ₁ 、Ｙｐ₁ ）、（Ｘｐ₂ 、Ｙｐ₂ ）…（Ｘｐn 、
Ｙｐn ）とし、計測アライメント位置を（Ｘｍ₁ 、Ｙｍ
₁ ）、（Ｘｍ₂ 、Ｙｍ₂ ）、…（Ｘｍn 、Ｙｍn ）とす
ると、補正値（ΔＸ、ΔＹ）の算出は一例として単純な
平均化処理を行なう式（１）、（２）により実行され
る。

【００２０】

【数１】

【００２１】

【数２】

【００２２】この補正値（ΔＸ、ΔＹ）は露光すべきシ
ョットの設計上の位置を補正する決定部５４に送られ、
露光ショットに対するステージ３のステッピング位置が
決定される。決定部５４はこれによりステージ３をステ
ッピングさせ、レチクルＲのパターンの投影像ＰＡとシ
ョット領域（ＣＰ）とを重ね合わせる。 〔ステップ１０３〕ステージ３のステッピングが終了し
た時点で露光照明系からの光を所定時間だけレチクルＲ
に照射する。これによりレチクルＲのパターンはウェハ
Ｗ上のレジスト層に露光される。

【００２３】〔ステップ１０４〕次にウェハＷ上の全シ
ョットについての露光が終了したか否かが判断され、全
て終了していれば一枚のウェハの処理を完了とし、終了
していないときは、次の露光ショットに対して露光を行
なうように再びステップ１０１からの動作を繰り返す。

【００２４】尚、ステップ１０１、１０２は前の露光シ
ョットを露光している間、例えば0.２〜１秒間に実行し
ておくことが可能である。このためスループットは従来
のグローバル・アライメント方式の露光にくらべて、ほ
とんど低下しない。またステップ１０２における補正値
の演算、もしくは露光ショットの最適位置決定の演算
は、本出願人が先に出願した特開昭６２−４４４２９号
公報に開示されているような高度な統計的手法によって
も同様の効果が得られる。この手法は、設計上のショッ
ト配列とサンプルアライメントによって求められたウェ
ハ上の実際のショット配列との写像関係において、その
重ね合わせ誤差がどのショットに関しても平均的に小さ
くなるように、最小二乗法を用いて設計上のショット配
列を補正して、実際のショット位置（ステッピング位
置）を求めるものである。写像関係を規定するパラメー
タは、ウェハ上のショット配列の座標系ＸＹ内での回転
誤差量、ウェハ上のショット配列の直交度、設計上のシ
ョット配列と実際のショット配列とのＸＹ方向のシフト
量、及びウェハの線形な伸縮量の４つである。この方法
を適用する場合はなるべく多くのサンプルショットを設
定し、サンプルアライメントを行なった方が精度上好ま
しい。

【００２５】次に本発明の第２実施例について図５のフ
ローチャート図を参照して説明する。 〔ステップ１１０〕まずウェハＷへの第１ショット露光
に必要な数、及び位置のサンプルショットについてアラ
イメント位置の計測を行なう。例えば図３においてウェ
ハＷ上の最下段左のショット領域から露光を始めるとす
ると、このステップでは少なくともショットＡ₇ 、
Ａ₈ 、Ａ₅ の３つについてサンプルアライメントを行な
い、位置情報を記憶しておけば十分である。他のサンプ
ルショットについてはここではアライメントを行なわな
い。

【００２６】〔ステップ１１１〕このステップ１１１は
図４に示したステップ１０１と全く同じである。ただ
し、少なくとも第１ショット露光の場合は選択すべきア
ライメント位置情報が最低３つしかないから、データサ
ーチに時間がかかることはない。 〔ステップ１１２〕ここでは露光しようとするショット
領域の周辺で、参照すべきサンプルショットについてア
ライメント位置情報が得られているか否か、すなわちサ
ンプルアライメントの追加が必要か否かを判断する。こ
こで追加のサンプルアライメントが必要な場合はステッ
プ１１３に進み、そうでないときはステップ１１４に進
む。

【００２７】〔ステップ１１３〕ここでは、不足分のサ
ンプルショットについてのアライメントを行なう。例え
ば図３中で最下段左のショット領域から露光が進み、シ
ョット領域Ｓ₃ について露光を行なう場合、ショット領
域Ｓ₃ の位置決めにあたっては、サンプルショット
Ａ₈ 、Ａ₄ 、Ａ₆ のアライメントデータを使うものとす
ると、不足分はサンプルショットＡ₄ 、Ａ₆ である。従
ってサンプルショットＡ₄ 、Ａ₆ についてサンプルアラ
イメントを行ない、アライメントデータを記憶する。

【００２８】以下のステップ１１４、１１５、１１６に
ついては図３中のステップ１０２、１０３、１０４と全
く同じであり、ステップ１１６で全ショットの露光が終
了していないと判断されると、ステップ１１１に戻って
繰り返し同様の動作をする。本実施例では一枚のウェハ
の露光動作中に、サンプルアライメント動作が必要に応
じて割り込んでくるが、スループット的には第１実施例
の場合と実質的にほとんど変化しない。

【００２９】また実施例では第１ショットの露光に必要
な最低限のサンプルショットのみについて予備的なアラ
イメントを行なったが、第１実施例と組み合わせるよう
にしてもよい。すなわち図３中の８つのサンプルショッ
トＡ₁ 〜Ａ₈ については露光動作開始前にアライメント
しておき、その８つのサンプルショット以外に別に予め
定めておいたサンプルショットについては、露光動作が
開始された後、必要に応じてアライメント動作を割り込
ませるようにしてもよい。

【００３０】以上本発明の第１、第２実施例を説明した
が、サンプルアライメントの手段は図１のアライメント
センサー１０によっても全く同様に利用することができ
る。さらに、レチクルＲのパターン投影像ＰＡの座標系
ＸＹ上での位置とオフ・アクシス方式のアライメント系
１４の検出中心（視標マーク）位置との距離（ベースラ
イン）が正確に管理されている場合は、アライメント系
１４を用いてサンプルアライメントを行なってもよい。
また、第１、第２実施例とも、ウェハＷ上でのサンプル
ショットの配置、及び数は予め適当に定められ、全露光
ショットの夫々に対しては参照すべきサンプルショット
が予め割りあてられているものとしたが、これは露光動
作中に参照すべきサンプルショットをサーチするための
時間を極力短くするためである。さらに参照すべきサン
プルショットは１つの露光ショットに対して３つとした
が、この数は固定的なものではなくサンプルショットの
選択基準に応じて露光ショット位置毎に変動するような
ものであってもよい。またあるサンプルショット自体の
露光にあたっては、そのサンプルショットのアライメン
トデータとともに、それ以外の最低１つのサンプルショ
ットのアライメントデータとの平均を参照すればよい。

【００３１】尚、サンプルショットの選択にあたって、
着目する露光ショットの周りに隣接した最大８つのショ
ット領域のなかに参照すべきサンプルショットがある場
合は、このサンプルショットのアライメントデータに関
しては大きな重み付けをし、さらにその周辺に隣接した
最大１６のショット領域のなかに参照すべきサンプルシ
ョットがある場合は、そのサンプルショットのアライメ
ントデータに関しては小さな重み付けをするような操作
を行なってもよい。すなわち、露光ショットから参照す
べきサンプルショットまでの距離に対応した重み付け平
均により補正量を求めることによって、露光ショットか
ら離れた部分で生じた局所的な配列誤差が、その露光シ
ョットの位置決定の誤差に現われにくくなるといった利
点がある。

【００３２】以上本発明はステップ・アンド・リピート
方式の露光装置（投影型露光装置、Ｘ線露光装置等）以
外に、リペア装置、ウェハプローバ等のアライメント方
法にも同様に応用できるものである。

【００３３】

【発明の効果】以上本発明によれば、ウェハ等の加工基
板の大型化により、基板上の加工領域の配列に局所的な
歪みが生じたとしても、着目する加工領域の位置に合わ
せてサンプル領域のアライメントデータに重み付けをし
ていくので、グローバル・アライメント法の利点（高速
化）を保ちつつ、配列の局所的な歪みの影響を抑えるこ
とができ、従来のグローバル・アライメント法よりも高
精度なアライメントが実現できる。

【００３４】また今後増々多様化する半導体製造プロセ
スにおいて、半導体基板は様々な熱処理を受け、基板自
体の伸縮も非線形な成分が大きくなってくるが、これに
対しても本発明は十分な精度をもってアライメントがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の方法を実施するのに好適な縮小投影型
露光装置の概略的な構成を示すブロック図。

【図２】投影視野内でのアライメントセンサーの検出中
心、アライメントマーク、及びウェハ上のショット（チ
ップ）の配置を示す平面図。

【図３】ウェハ上のサンプルショットの配置の一例を示
す平面図。

【図４】本発明の第１実施例によるアライメントシーケ
ンスを示すフローチャート図。

【図５】第２実施例によるアライメントシーケンスを示
すフローチャート図。

【主要部分の符号の説明】

Ｒ レチクル Ｗ ウェハ ２ 投影レンズ ３ ステップ ４ 干渉計 ５ コンピュータ １０、１２ ＴＴＬ方式のアライメントセンサー １４ オフ・アクシス方式のアライメント系 ５０、５３ メモリ部 ５１ アライメントデータのセレクター部

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被加工基板上の複数の加工領域の夫々を
   所定の座標系内の加工基準位置と相対的に位置合わせす
   る方法において、 前記被加工基板上の複数の加工領域のうちのいくつかを
   サンプル領域として選択し、該サンプル領域の夫々のア
   ライメントデータとして前記座標系内での座標位置を求
   める第１工程と；前記被加工基板上の各加工領域毎に該
   第１工程で得られたアライメントデータの夫々に重み付
   けを行い、該重み付けされたアライメントデータに基づ
   いて前記被加工基板上の複数の加工領域夫々の前記加工
   基準位置との相対的な位置関係を決定する第２工程と；
   該第２工程で決定された位置関係に基づいて前記被加工
   基板を位置決めする第３工程と；を含むことを特徴とす
   る位置合わせ方法。
2. 【請求項２】 被加工基板上の複数の加工領域の夫々を
   所定の座標系内の加工基準位置と相対的に位置合わせす
   る方法において、 前記被加工基板上の複数の加工領域のうちのいくつかを
   サンプル領域として選択し、該サンプル領域の夫々のア
   ライメントデータとして前記座標系内での座標位置を求
   める第１工程と；前記複数の加工領域のうちの位置合わ
   せすべき１つの加工領域と前記いくつかのサンプル領域
   夫々との位置関係に基づいて、前記第１工程で得られた
   サンプル領域のアライメントデータの夫々に重み付けを
   行い、該重み付けされたアライメントデータに基づいて
   前記位置合わせすべき加工領域の前記加工基準位置との
   相対的な位置関係を決定する第２工程と；該第２工程で
   決定された位置関係に基づいて前記被加工基板を位置決
   めする第３工程と；を含むことを特徴とする位置合わせ
   方法。
3. 【請求項３】 前記第２工程において、前記サンプル領
   域のアライメントデータ夫々の重み付けは、前記位置合
   わせすべき加工領域との距離に応じて行うことを特徴と
   する請求項２に記載の方法。