JPH08327715A - 共振回路装置 - Google Patents
共振回路装置Info
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- JPH08327715A JPH08327715A JP7157212A JP15721295A JPH08327715A JP H08327715 A JPH08327715 A JP H08327715A JP 7157212 A JP7157212 A JP 7157212A JP 15721295 A JP15721295 A JP 15721295A JP H08327715 A JPH08327715 A JP H08327715A
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- coil
- electrode plates
- resonance circuit
- variable capacitor
- pulse
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 インピーダンス整合の良好な状況で極低温
において高電力ＲＦパルスを印加しても放電せず、また
極低温において電気的・機械的特性が低下せず、さらに
多数回にわたる室温と低温との間の熱サイクルにも耐
え、さらに簡単な構成で実現できるようにした共振回路
装置を提供する。 【構成】 可変コンデンサ部１とコイル部２とを構成
要素とする共振回路装置において、可変コンデンサ部１
の２枚の電極板と前記コイル部２とを、絶縁物質で被覆
した。
において高電力ＲＦパルスを印加しても放電せず、また
極低温において電気的・機械的特性が低下せず、さらに
多数回にわたる室温と低温との間の熱サイクルにも耐
え、さらに簡単な構成で実現できるようにした共振回路
装置を提供する。 【構成】 可変コンデンサ部１とコイル部２とを構成
要素とする共振回路装置において、可変コンデンサ部１
の２枚の電極板と前記コイル部２とを、絶縁物質で被覆
した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、低温でも使用
可能なＮＭＲ・ＮＱＲプローブに好適な共振回路装置に
係わり、特に室温から極低温までの範囲の任意の温度に
おいて高電力ＲＦ（高周波）パルスを印加しても放電し
ない耐圧を有し、その範囲の温度変化の多数回の繰り返
しに耐えるようにした共振回路装置に関するものであ
る。
可能なＮＭＲ・ＮＱＲプローブに好適な共振回路装置に
係わり、特に室温から極低温までの範囲の任意の温度に
おいて高電力ＲＦ（高周波）パルスを印加しても放電し
ない耐圧を有し、その範囲の温度変化の多数回の繰り返
しに耐えるようにした共振回路装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】上記したＮＭＲは核磁気共鳴（Nuclar M
agnetic Rrsonance ）、ＮＱＲは核４重極共鳴（Nuclea
r Quadrupole Resonance）である。従来、このＮＭＲ・
ＮＱＲプローブをヘリウムガス等で実現した極低温（例
えば１Ｋ程度）で使用する際には、高電力ＲＦパルスの
印加によって共振回路が放電する程度にまでにはインピ
ーダンスを整合させない（つまり、共振回路のインピー
ダンスの実数部を同軸ケーブルの特性インスーダンスと
同じ５０Ωに近付けない、あるいは虚数部を０に近付け
ない）使用法が多かった。このような使用法でも放電し
た場合には、インピーダンス整合をさらに劣化させる
か、あるいは意図的にＲＦパルスの電力を下げる（感度
が犠牲になる）かの方法によって、放電発生を防止して
いた。
agnetic Rrsonance ）、ＮＱＲは核４重極共鳴（Nuclea
r Quadrupole Resonance）である。従来、このＮＭＲ・
ＮＱＲプローブをヘリウムガス等で実現した極低温（例
えば１Ｋ程度）で使用する際には、高電力ＲＦパルスの
印加によって共振回路が放電する程度にまでにはインピ
ーダンスを整合させない（つまり、共振回路のインピー
ダンスの実数部を同軸ケーブルの特性インスーダンスと
同じ５０Ωに近付けない、あるいは虚数部を０に近付け
ない）使用法が多かった。このような使用法でも放電し
た場合には、インピーダンス整合をさらに劣化させる
か、あるいは意図的にＲＦパルスの電力を下げる（感度
が犠牲になる）かの方法によって、放電発生を防止して
いた。
【０００３】すなわち、従来では、共振回路のインピー
ダンス整合の良好な状況で高電力ＲＦパルスを印加すれ
ば放電が起こり、その放電が起こらないようにするため
には共振回路に印加するＲＦパルスの電力を下げて感度
を犠牲にするか共振回路のインピーダンス整合を劣化せ
ざるを得ないという相反する問題があった。
ダンス整合の良好な状況で高電力ＲＦパルスを印加すれ
ば放電が起こり、その放電が起こらないようにするため
には共振回路に印加するＲＦパルスの電力を下げて感度
を犠牲にするか共振回路のインピーダンス整合を劣化せ
ざるを得ないという相反する問題があった。
【０００４】そこで、これを解消する１つの解として、
共振回路を真空空間に設置して放電を起こり難くすると
いう方法が提案され、実際に現実の使用に耐えている。
共振回路を真空空間に設置して放電を起こり難くすると
いう方法が提案され、実際に現実の使用に耐えている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法は共
振回路を真空空間で覆う必要があり、また真空実現が難
かしい低温において高真空層を実現しなければならず、
技術的にかなり困難な方法であった。
振回路を真空空間で覆う必要があり、また真空実現が難
かしい低温において高真空層を実現しなければならず、
技術的にかなり困難な方法であった。
【０００６】本発明は以上のような点に鑑みてなされた
ものであって、その目的は、インピーダンス整合の良好
な状況で極低温環境下で高電力ＲＦパルスを印加しても
放電せず、また極低温においても電気的・機械的特性が
低下せず、さらに多数回にわたる室温と低温との間の熱
サイクルにも耐え、さらに真空空間を必要としない簡単
な構成で実現できるようにした共振回路装置を提供する
ことである。
ものであって、その目的は、インピーダンス整合の良好
な状況で極低温環境下で高電力ＲＦパルスを印加しても
放電せず、また極低温においても電気的・機械的特性が
低下せず、さらに多数回にわたる室温と低温との間の熱
サイクルにも耐え、さらに真空空間を必要としない簡単
な構成で実現できるようにした共振回路装置を提供する
ことである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明は、可変コンデンサ部とコイル部とを構
成要素とする共振回路装置において、前記可変コンデン
サ部の２枚の電極板の部分と前記コイル部とが、絶縁物
質で被覆されているように構成した。
に、第１の発明は、可変コンデンサ部とコイル部とを構
成要素とする共振回路装置において、前記可変コンデン
サ部の２枚の電極板の部分と前記コイル部とが、絶縁物
質で被覆されているように構成した。
【０００８】第２の発明は、第１の発明において、前記
絶縁物質が、室温で硬化する２液エポキシ系封止材料で
あるように構成した。
絶縁物質が、室温で硬化する２液エポキシ系封止材料で
あるように構成した。
【０００９】第３の発明は、第２の発明において、前記
２液エポキシ系封止材料の硬化材が、変性脂肪族ポリア
ミンを主成分とするよう構成した。
２液エポキシ系封止材料の硬化材が、変性脂肪族ポリア
ミンを主成分とするよう構成した。
【００１０】
【作用】第１の発明では、放電する恐れのある部分が絶
縁物質によって被覆された構造となるので、極低温環境
下で共振回路をインピーダンス整合させた状況でそこに
高電力ＲＦパルスを印加しても放電が発生することを防
止できる。また、真空空間を必要としない簡単な構成で
共振回路装置を実現できる。
縁物質によって被覆された構造となるので、極低温環境
下で共振回路をインピーダンス整合させた状況でそこに
高電力ＲＦパルスを印加しても放電が発生することを防
止できる。また、真空空間を必要としない簡単な構成で
共振回路装置を実現できる。
【００１１】第２の発明では、絶縁物質として２液エポ
キシ系封止材料を使用するので、極低温においても電気
的・機械的特性が低下せず、また多数回にわたる室温と
低温との間の熱サイクルにも耐え得るようになる。ま
た、この２液エポキシ系封止材料は室温で硬化するの
で、所定の形状を比較的容易に実現できる。
キシ系封止材料を使用するので、極低温においても電気
的・機械的特性が低下せず、また多数回にわたる室温と
低温との間の熱サイクルにも耐え得るようになる。ま
た、この２液エポキシ系封止材料は室温で硬化するの
で、所定の形状を比較的容易に実現できる。
【００１２】第３の発明では、２液エポキシ系封止材料
の硬化材が、変性脂肪族ポリアミンを主成分とするもの
であるので、混合時の粘性が水程度に低く放電の恐れの
ある表面部分を完全に被覆することができる。
の硬化材が、変性脂肪族ポリアミンを主成分とするもの
であるので、混合時の粘性が水程度に低く放電の恐れの
ある表面部分を完全に被覆することができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。本実施例
の共振回路装置は高電圧が生じ放電のおそれのある箇所
（可変コンデンサ部の可動部分を除く２枚の電極板とコ
イル部）を、硬化材の主成分が変性脂肪族ポリアミンで
ある、誘電損失の少ない２液エポキシ系封止材料によっ
て完全に覆ったものである。
の共振回路装置は高電圧が生じ放電のおそれのある箇所
（可変コンデンサ部の可動部分を除く２枚の電極板とコ
イル部）を、硬化材の主成分が変性脂肪族ポリアミンで
ある、誘電損失の少ない２液エポキシ系封止材料によっ
て完全に覆ったものである。
【００１４】以下、詳細に説明する。図１はＮＭＲ・Ｎ
ＱＲプローブに適用した共振回路装置の回路図、図２は
その具体的構造を示す図、図３は図２のＡ−Ａ線断面図
である。
ＱＲプローブに適用した共振回路装置の回路図、図２は
その具体的構造を示す図、図３は図２のＡ−Ａ線断面図
である。
【００１５】図１において、１は可変コンデンサ部、２
はコイル部である。可変コンデンサ部１は、静電容量を
設定するため矢印方向に移動可能な導電性の可動部１１
と、その可動部１１の側面を両側から挟むように設けら
れた電極板１２、１３とから構成されている。またコイ
ル部２はその電極板１２、１３に両端が接続されるコイ
ル２１、一方の同軸線３１に接続されるコイル２２、他
方の同軸線３２に接続されるコイル２３から構成されて
いる。これらコイル２２、２３は各々コイル２１に対し
て電磁結合している。
はコイル部である。可変コンデンサ部１は、静電容量を
設定するため矢印方向に移動可能な導電性の可動部１１
と、その可動部１１の側面を両側から挟むように設けら
れた電極板１２、１３とから構成されている。またコイ
ル部２はその電極板１２、１３に両端が接続されるコイ
ル２１、一方の同軸線３１に接続されるコイル２２、他
方の同軸線３２に接続されるコイル２３から構成されて
いる。これらコイル２２、２３は各々コイル２１に対し
て電磁結合している。
【００１６】このＮＭＲ・ＮＱＲプローブの共振回路装
置においては、同軸線３１から印加された高電力ＲＦパ
ルスが、コイル２２からコイル２１に印加される。ま
た、これによって生じる応答信号（コイル２内に設置さ
れた物質の原子核固有の周波数での誘導起電力）はコイ
ル２１で生じ、コイル２３に誘導されて取り出され、同
軸線３２を伝播し、受信増幅器（図示せず）によって増
幅される。
置においては、同軸線３１から印加された高電力ＲＦパ
ルスが、コイル２２からコイル２１に印加される。ま
た、これによって生じる応答信号（コイル２内に設置さ
れた物質の原子核固有の周波数での誘導起電力）はコイ
ル２１で生じ、コイル２３に誘導されて取り出され、同
軸線３２を伝播し、受信増幅器（図示せず）によって増
幅される。
【００１７】共振回路装置の具体的構造を示す図２およ
び図３において、可変コンデンサ部１の可動部１１は銅
製の円柱で構成され、その可動部１１は絶縁樹脂製の中
空円筒形状のダイフロン１４内にミクロンオーダ（例え
ば、１００μｍ）のギャップで往復スライド自在に設け
られている。電極板１２、１３は銅材質の円筒を２つ割
りした湾曲形状でなり、隣接縁部の相互間隔Ｂが数ｍｍ
の間隔（図３参照）で隔離するようそのダイフロン１４
の外側に密着状態で被着されいる。この電極板１２、１
３の外側には鍔１２ａ、１３ａが延長されていて、そこ
にこの電極板１２、１３自体の取付用およびコイル２１
への接続用端子取付用の穴１２ｂ、１３ｂが形成されて
いる。１５は絶縁成形材であって、電極板１２、１３の
外面および端面を覆い固化されている。つまり、この絶
縁成形材１５は電極板１２、１３のダイフロン１４が位
置する内面側以外の部分を覆っている。特に、両電極板
１２、１３が接近する間隔Ｂの隣接部分はこの絶縁成形
材１５で完全に被覆されている。
び図３において、可変コンデンサ部１の可動部１１は銅
製の円柱で構成され、その可動部１１は絶縁樹脂製の中
空円筒形状のダイフロン１４内にミクロンオーダ（例え
ば、１００μｍ）のギャップで往復スライド自在に設け
られている。電極板１２、１３は銅材質の円筒を２つ割
りした湾曲形状でなり、隣接縁部の相互間隔Ｂが数ｍｍ
の間隔（図３参照）で隔離するようそのダイフロン１４
の外側に密着状態で被着されいる。この電極板１２、１
３の外側には鍔１２ａ、１３ａが延長されていて、そこ
にこの電極板１２、１３自体の取付用およびコイル２１
への接続用端子取付用の穴１２ｂ、１３ｂが形成されて
いる。１５は絶縁成形材であって、電極板１２、１３の
外面および端面を覆い固化されている。つまり、この絶
縁成形材１５は電極板１２、１３のダイフロン１４が位
置する内面側以外の部分を覆っている。特に、両電極板
１２、１３が接近する間隔Ｂの隣接部分はこの絶縁成形
材１５で完全に被覆されている。
【００１８】この絶縁成形材１５として、本実施例で
は、被覆すべき電極板１２、１３が被覆面積、体積とも
に比較的大きいので、接着剤ではなく、成形用エポキシ
樹脂を使用した。このエポキシ樹脂としては、商品名が
スタイキャスト１２６６（グレースジャパン（株）製）
と呼ばれるものを使用し、厚さ３ｍｍ程度に電極板１
２、１３を被覆した。
は、被覆すべき電極板１２、１３が被覆面積、体積とも
に比較的大きいので、接着剤ではなく、成形用エポキシ
樹脂を使用した。このエポキシ樹脂としては、商品名が
スタイキャスト１２６６（グレースジャパン（株）製）
と呼ばれるものを使用し、厚さ３ｍｍ程度に電極板１
２、１３を被覆した。
【００１９】このスタイキャスト１２６６は２液混合エ
ポキシ系封止材で、耐電圧が高く（４００Ｖ／ｍｍ）、
ＲＦ誘電損失が少ない（１０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚでｔ
ａｎδ［誘電正接］はほぼ０．０４）。また、１Ｋ程度
の極低温においても電気的・機械的特性が低下せず、さ
らに、１Ｋ程度の極低温と室温との熱サイクルにも機械
的に充分耐えることができる。さらに、硬化材として変
性脂肪族ポリアミンを主成分としているため混合時の粘
性が低く（水程度）、電極板１２、１３のダイフロン１
４と接する面を除く他の面を完全に被覆することができ
る。したがって、電極板１２、１３は内側のダイフロン
１４と外側の絶縁形成材１５とでその表面の全てが完全
に被覆された構造となる。
ポキシ系封止材で、耐電圧が高く（４００Ｖ／ｍｍ）、
ＲＦ誘電損失が少ない（１０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚでｔ
ａｎδ［誘電正接］はほぼ０．０４）。また、１Ｋ程度
の極低温においても電気的・機械的特性が低下せず、さ
らに、１Ｋ程度の極低温と室温との熱サイクルにも機械
的に充分耐えることができる。さらに、硬化材として変
性脂肪族ポリアミンを主成分としているため混合時の粘
性が低く（水程度）、電極板１２、１３のダイフロン１
４と接する面を除く他の面を完全に被覆することができ
る。したがって、電極板１２、１３は内側のダイフロン
１４と外側の絶縁形成材１５とでその表面の全てが完全
に被覆された構造となる。
【００２０】１６はセラミック製のマコールであって、
可変コンデンサ部１の全体を保持するためのものであ
り、電極板１２、１３の鍔１２ａ、１３ａの穴１２ｂ、
１３ｂからネジ（図示せず）で締め付けることにより、
その電極板１２、１３と一体化される。このネジの締め
付け時に、コイル２１の電極板１２、１３への接続用の
端子板（図示せず）も締め付けられる。なお、電極板１
２、１３を覆っている絶縁成形材１５の上記穴１２ｂ、
１３ｂに相当する部分は、上記締め付けに先だってその
絶縁成形材１４を切除しておく。
可変コンデンサ部１の全体を保持するためのものであ
り、電極板１２、１３の鍔１２ａ、１３ａの穴１２ｂ、
１３ｂからネジ（図示せず）で締め付けることにより、
その電極板１２、１３と一体化される。このネジの締め
付け時に、コイル２１の電極板１２、１３への接続用の
端子板（図示せず）も締め付けられる。なお、電極板１
２、１３を覆っている絶縁成形材１５の上記穴１２ｂ、
１３ｂに相当する部分は、上記締め付けに先だってその
絶縁成形材１４を切除しておく。
【００２１】また、本実施例では、コイル部２は中空ボ
ビンにコイル２１〜２３を巻き付けて構成し、そのコイ
ル２１〜２３のすべてを、絶縁成形材２４によって中空
円筒形状に固形化する方法をとった。ここでは絶縁成形
材２４としてエポキシ樹脂を使用した。詳しくは、商品
名がアラルダイト（昭和高分子（株）販売、キバガイギ
ー・リミテッド製造）と称されるものを使用した。これ
を使用したのは、１Ｋ程度の極低温においても耐久性に
問題がないことが知られていること、また空気中で比較
的短時間に固形化するので成形が容易であること等の理
由からである。なお、絶縁成形材２４としては、このア
ラルダイトに代えて、可変コンデンサ１に使用した絶縁
成形材１５と同じエポキシ樹脂、つまり商品名スタイキ
ャスト１２６６を使用することもできる。
ビンにコイル２１〜２３を巻き付けて構成し、そのコイ
ル２１〜２３のすべてを、絶縁成形材２４によって中空
円筒形状に固形化する方法をとった。ここでは絶縁成形
材２４としてエポキシ樹脂を使用した。詳しくは、商品
名がアラルダイト（昭和高分子（株）販売、キバガイギ
ー・リミテッド製造）と称されるものを使用した。これ
を使用したのは、１Ｋ程度の極低温においても耐久性に
問題がないことが知られていること、また空気中で比較
的短時間に固形化するので成形が容易であること等の理
由からである。なお、絶縁成形材２４としては、このア
ラルダイトに代えて、可変コンデンサ１に使用した絶縁
成形材１５と同じエポキシ樹脂、つまり商品名スタイキ
ャスト１２６６を使用することもできる。
【００２２】以上のような構成の共振回路装置は、印加
する電力のＲＦ周波数を３０ＭＨｚとした試験での測定
で、ネットワークアナライザでインピーダンス整合を調
べた結果、虚数部が０ｐＦ、０ｎＨと完全に共鳴条件を
満たし、実数部が３０〜７０Ωとなり、５０Ωに近かっ
た。反射係数は２０％以下であった。これは、従来の共
振回路が虚数部が３０ｎＨ程度または３ｎＦ程度、実数
部が１００Ω以上、反射係数が５０％以上であるのと比
べると、満足すべき良好な値である。
する電力のＲＦ周波数を３０ＭＨｚとした試験での測定
で、ネットワークアナライザでインピーダンス整合を調
べた結果、虚数部が０ｐＦ、０ｎＨと完全に共鳴条件を
満たし、実数部が３０〜７０Ωとなり、５０Ωに近かっ
た。反射係数は２０％以下であった。これは、従来の共
振回路が虚数部が３０ｎＨ程度または３ｎＦ程度、実数
部が１００Ω以上、反射係数が５０％以上であるのと比
べると、満足すべき良好な値である。
【００２３】共振周波数（３０ＭＨｚ）において、ＲＦ
の吸収（これが大きいほど共振回路への有効供給電力が
大きくなる、つまり反射が少なくなる。）は、室温での
典型的な値として８〜１２ｄＢ、低温の５Ｋでの典型的
な値として１４〜３０ｄＢであった。さらに、透過損失
（供給電力から吸収電力と反射電力を差し引いた電力）
は、室温での典型的な値として４〜６ｄＢ程度、低温の
５Ｋでの典型的な値として２〜５ｄＢ程度であった。
の吸収（これが大きいほど共振回路への有効供給電力が
大きくなる、つまり反射が少なくなる。）は、室温での
典型的な値として８〜１２ｄＢ、低温の５Ｋでの典型的
な値として１４〜３０ｄＢであった。さらに、透過損失
（供給電力から吸収電力と反射電力を差し引いた電力）
は、室温での典型的な値として４〜６ｄＢ程度、低温の
５Ｋでの典型的な値として２〜５ｄＢ程度であった。
【００２４】これも、従来の共振回路のＲＦの吸収が、
室温での典型的な値として３〜６ｄＢ、低温の５Ｋでの
典型的な値として６〜１０ｄＢであり、透過損失が、室
温での典型的な値として６〜８ｄＢ程度、低温の５Ｋで
の典型的な値として５〜８ｄＢ程度であるのと比較し
て、満足すべき良好な値である。
室温での典型的な値として３〜６ｄＢ、低温の５Ｋでの
典型的な値として６〜１０ｄＢであり、透過損失が、室
温での典型的な値として６〜８ｄＢ程度、低温の５Ｋで
の典型的な値として５〜８ｄＢ程度であるのと比較し
て、満足すべき良好な値である。
【００２５】以上のように、本実施例では極低温から室
温の温度範囲において、インピーダンス整合について良
好な結果を得ることができた。
温の温度範囲において、インピーダンス整合について良
好な結果を得ることができた。
【００２６】次に、放電の発生については、絶縁物質で
電極板を被覆しない従来例の共振回路装置を有するＮＭ
Ｒ・ＮＱＲプローブでは、上述程度の良好なインピーダ
ンス整合を実現した場合、供給電力が５０Ｗ程度のＲＦ
パルス（３０ＭＨｚを数μｓｅｃ〜１０μｓｅｃ連続印
加）を、１ｓｅｃ程度の間隔で繰り返し行うと、通常絶
対温度７０Ｋ以下（ヘリウムガス中）において放電を起
していた。
電極板を被覆しない従来例の共振回路装置を有するＮＭ
Ｒ・ＮＱＲプローブでは、上述程度の良好なインピーダ
ンス整合を実現した場合、供給電力が５０Ｗ程度のＲＦ
パルス（３０ＭＨｚを数μｓｅｃ〜１０μｓｅｃ連続印
加）を、１ｓｅｃ程度の間隔で繰り返し行うと、通常絶
対温度７０Ｋ以下（ヘリウムガス中）において放電を起
していた。
【００２７】しかし、絶縁成形材１５で電極板１２、１
３を被覆し、コイル部２を絶縁成形材２４で被覆した本
実施例の共振回路装置を有するＮＭＲ・ＮＱＲプローブ
では、上述したインピーダンス整合において、１ＫＷ程
度のＲＦパルス（３０ＭＨｚを数μｓｅｃ〜１０μｓｅ
ｃ連続印加）を１０ｍｓｅｃ程度の間隔で繰り返して
も、室温から１Ｋまでの任意の絶対温度において放電は
認められなかった。
３を被覆し、コイル部２を絶縁成形材２４で被覆した本
実施例の共振回路装置を有するＮＭＲ・ＮＱＲプローブ
では、上述したインピーダンス整合において、１ＫＷ程
度のＲＦパルス（３０ＭＨｚを数μｓｅｃ〜１０μｓｅ
ｃ連続印加）を１０ｍｓｅｃ程度の間隔で繰り返して
も、室温から１Ｋまでの任意の絶対温度において放電は
認められなかった。
【００２８】また、本実施例の手法により作成したプロ
ーブは、作成後３年以上経過した現段階までに、液体ヘ
リウムを要する温度（１Ｋ〜７０Ｋ）と室温との間の温
度変化を、推定１００回程度往復させる熱サイクルを加
えているが、未だかって何等のトラブルも発生しておら
ず、機械的的強度は現実的な使用に充分耐え得るもので
あることが確認された。
ーブは、作成後３年以上経過した現段階までに、液体ヘ
リウムを要する温度（１Ｋ〜７０Ｋ）と室温との間の温
度変化を、推定１００回程度往復させる熱サイクルを加
えているが、未だかって何等のトラブルも発生しておら
ず、機械的的強度は現実的な使用に充分耐え得るもので
あることが確認された。
【００２９】なお、上記したダイフロン１４や絶縁成形
材１５、２４等の絶縁物質は、誘電損失の小さいものが
好適であり、ＲＦ領域におけるｔａｎδが１０％以下、
好ましくは数％程度が良い。また、上記実施例におい
て、コイル部２のコイル２２、２３は一方のみとして、
その１個のコイルによりＲＦ電力の供給と応答信号の取
り出しを行うようにしても良い。さらに、上記ではダイ
フロン１４を独立して使用しているが、絶縁成形材１５
と同様な材質で同様に成形して電極１２、１３を被覆す
るようにしても良い。
材１５、２４等の絶縁物質は、誘電損失の小さいものが
好適であり、ＲＦ領域におけるｔａｎδが１０％以下、
好ましくは数％程度が良い。また、上記実施例におい
て、コイル部２のコイル２２、２３は一方のみとして、
その１個のコイルによりＲＦ電力の供給と応答信号の取
り出しを行うようにしても良い。さらに、上記ではダイ
フロン１４を独立して使用しているが、絶縁成形材１５
と同様な材質で同様に成形して電極１２、１３を被覆す
るようにしても良い。
【００３０】
【発明の効果】以上から本発明によれば、インピーダン
ス整合の良好な状況で高電力ＲＦパルスを印加しても極
低温においても放電せず、また極低温においても電気的
・機械的特性が低下せず、さらに多数回にわたる室温と
低温との間の熱サイクルにも耐え、さらにこれらの性能
を簡単な構成で実現できるという大きな利点がある。
ス整合の良好な状況で高電力ＲＦパルスを印加しても極
低温においても放電せず、また極低温においても電気的
・機械的特性が低下せず、さらに多数回にわたる室温と
低温との間の熱サイクルにも耐え、さらにこれらの性能
を簡単な構成で実現できるという大きな利点がある。
【図１】 本発明の一実施例の共振回路装置の回路図で
ある。
ある。
【図２】 本発明の一実施例の共振回路装置の構造を示
す図である。
す図である。
【図３】 図２のＡ−Ａ線断面図である。
１：可変コンデンサ部、１１：可動部部（銅製の円
柱）、１２、１３：電極板（銅製の電極板）、１４：ダ
イフロン（絶縁樹脂製）、１５：絶縁成形材（エポキシ
樹脂）、１６：マコール（セラミック） ２：コイル、２１〜２３：コイル、２４：絶縁成形材
（エポキシ樹脂） ３１、３２：同軸線。
柱）、１２、１３：電極板（銅製の電極板）、１４：ダ
イフロン（絶縁樹脂製）、１５：絶縁成形材（エポキシ
樹脂）、１６：マコール（セラミック） ２：コイル、２１〜２３：コイル、２４：絶縁成形材
（エポキシ樹脂） ３１、３２：同軸線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｇ 5/14 7922−5Ｅ Ｈ０１Ｇ 4/40 ３２１Ｚ Ｈ０３Ｈ 5/02 5/14
Claims (3)
- 【請求項１】可変コンデンサ部とコイル部とを構成要素
とする共振回路装置において、前記可変コンデンサ部の
２枚の電極板の部分と前記コイル部とが、絶縁物質で被
覆されていることを特徴とする共振回路。 - 【請求項２】前記絶縁物質が、室温で硬化する２液エポ
キシ系封止材料であることを特徴とする請求項１に記載
の共振回路。 - 【請求項３】前記２液エポキシ系封止材料の硬化材が、
変性脂肪族ポリアミンを主成分とすることを特徴とする
請求項２に記載の共振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7157212A JPH08327715A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 共振回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7157212A JPH08327715A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 共振回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08327715A true JPH08327715A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15644667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7157212A Pending JPH08327715A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 共振回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08327715A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004015438A1 (en) * | 2002-08-12 | 2004-02-19 | Scimed Life Systems, Inc. | Mri enhancing intravascular device with trimmable capacitor |
| JP2007530972A (ja) * | 2004-03-31 | 2007-11-01 | バリアン・インコーポレイテッド | Ｎｍｒ用コンデンサスイッチ |
| CN102509613A (zh) * | 2011-09-27 | 2012-06-20 | 汉王科技股份有限公司 | 可变电容器及使用可变电容器的位置指示器 |
| CN111279207A (zh) * | 2017-11-22 | 2020-06-12 | 通用电气公司 | 用于mr成像的射频线圈的系统 |
-
1995
- 1995-05-31 JP JP7157212A patent/JPH08327715A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004015438A1 (en) * | 2002-08-12 | 2004-02-19 | Scimed Life Systems, Inc. | Mri enhancing intravascular device with trimmable capacitor |
| US7725160B2 (en) | 2002-08-12 | 2010-05-25 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Tunable MRI enhancing device |
| JP2007530972A (ja) * | 2004-03-31 | 2007-11-01 | バリアン・インコーポレイテッド | Ｎｍｒ用コンデンサスイッチ |
| CN102509613A (zh) * | 2011-09-27 | 2012-06-20 | 汉王科技股份有限公司 | 可变电容器及使用可变电容器的位置指示器 |
| CN111279207A (zh) * | 2017-11-22 | 2020-06-12 | 通用电气公司 | 用于mr成像的射频线圈的系统 |
| CN111279207B (zh) * | 2017-11-22 | 2023-03-10 | 通用电气公司 | 用于mr成像的射频线圈的系统 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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