JPH0831986A - Semiconductor device having heatsink - Google Patents
Semiconductor device having heatsinkInfo
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は放熱板付半導体装置に係
り、詳しくは半導体チップの発熱を効率よく発散させる
放熱板付半導体装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device with a heat sink, and more particularly to a semiconductor device with a heat sink that efficiently dissipates heat generated by a semiconductor chip.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体チップの発熱により半導体
装置が高温とならないように放熱板を設けており、この
種の半導体装置として、例えば、特開昭６１−３９５５
５号公報に示すものが提案されている。この半導体装置
を図５に示す。2. Description of the Related Art Conventionally, a heat radiating plate is provided to prevent the semiconductor device from reaching a high temperature due to the heat generated by a semiconductor chip.
The one shown in Japanese Patent Publication No. 5 has been proposed. This semiconductor device is shown in FIG.
【０００３】リードフレーム５１と同一となる半導体チ
ップ搭載部５２の上部には図示しない半田等により半導
体チップ５３が接着されて搭載されている。又、半導体
チップ５３とリードフレーム５１とはワイヤ５４によっ
て接続されている。そして、モールド樹脂５６によって
半導体チップ搭載部５２、半導体チップ５３、リードフ
レーム５１が封止されている。又、半導体チップ搭載部
５２の下方には、同半導体チップ搭載部５２と離間した
状態で放熱板５５が配設されている。放熱板５５はその
下面のみが露出するようにモールド樹脂５６に埋め込ま
れている。A semiconductor chip 53 is bonded and mounted on the upper portion of the semiconductor chip mounting portion 52, which is the same as the lead frame 51, by solder (not shown) or the like. The semiconductor chip 53 and the lead frame 51 are connected by a wire 54. The semiconductor chip mounting portion 52, the semiconductor chip 53, and the lead frame 51 are sealed with the molding resin 56. Further, below the semiconductor chip mounting portion 52, a heat dissipation plate 55 is arranged in a state of being separated from the semiconductor chip mounting portion 52. The heat dissipation plate 55 is embedded in the mold resin 56 so that only the lower surface thereof is exposed.
【０００４】従って、半導体チップ５３が発熱すると、
その発熱が放熱板５５に伝達される。そして、放熱板５
５から大気に熱が発散され、半導体チップ５３が高温と
ならないように防止される。Therefore, when the semiconductor chip 53 generates heat,
The generated heat is transmitted to the heat dissipation plate 55. And the heat sink 5
Heat is dissipated from the atmosphere 5 into the atmosphere, and the semiconductor chip 53 is prevented from reaching a high temperature.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体チッ
プ５３の発熱を効率よく行うため、放熱板５５を半導体
チップ５３より大きくする必要がある。又、半導体チッ
プ５３の大型化により放熱板５５も大きくする必要があ
る。そのため、放熱板５５の四方を囲むモールド樹脂５
６の厚さｔは薄くなってしまう。この状態で、半導体チ
ップ５３の発熱による放熱板５５が膨張し、半導体チッ
プ５３の発熱が停止すると放熱板５５が収縮する。する
と、放熱板５５の角部５５ａにおけるモールド樹脂５６
には応力が集中し、クラック６０が発生するという問題
がある。By the way, in order to efficiently generate heat from the semiconductor chip 53, it is necessary to make the heat sink 55 larger than the semiconductor chip 53. In addition, the size of the semiconductor chip 53 must be increased, so that the heat dissipation plate 55 must be enlarged. Therefore, the mold resin 5 that surrounds the heat sink 55 on all sides
The thickness t of 6 becomes thin. In this state, the heat dissipation plate 55 expands due to the heat generation of the semiconductor chip 53, and when the heat generation of the semiconductor chip 53 stops, the heat dissipation plate 55 contracts. Then, the mold resin 56 at the corner 55a of the heat sink 55 is formed.
Has a problem in that stress concentrates and cracks 60 occur.
【０００６】この対策として、モールド樹脂５６の体格
を大きくしてモールド樹脂５６の厚さｔを厚くすること
も考えられるが、半導体装置全体の体格が大型化してし
まうという問題がある。As a countermeasure against this, it is conceivable to increase the size of the mold resin 56 to increase the thickness t of the mold resin 56, but there is a problem that the size of the entire semiconductor device becomes large.
【０００７】そのため、モールド樹脂５６にクラック６
０が発生しないように放熱板５５の大きさを設定する
と、半導体チップ５３の大きさが制約されてしまうとい
う問題がある。Therefore, the mold resin 56 has cracks 6
If the size of the heat dissipation plate 55 is set so that 0 does not occur, there is a problem that the size of the semiconductor chip 53 is restricted.
【０００８】又、半導体チップ搭載部５２に搭載される
半導体チップ５３は放熱板５５に接触していないため、
半導体チップ５３の発熱が放熱板５５に伝達する効率が
悪くなり、半導体チップ５３の発熱を放熱板５５によっ
て発散させることができないという問題がある。Since the semiconductor chip 53 mounted on the semiconductor chip mounting portion 52 does not contact the heat sink 55,
There is a problem in that the heat generated by the semiconductor chip 53 is not efficiently transmitted to the heat sink 55, and the heat generated by the semiconductor chip 53 cannot be dissipated by the heat sink 55.
【０００９】更に、リードフレーム５１にワイヤ５４を
接続するとき、該リードフレーム５１が撓んでしまい、
リードフレーム５１にワイヤ５４を確実に接続すること
が行いにくいという問題がある。Further, when the wire 54 is connected to the lead frame 51, the lead frame 51 is bent,
There is a problem that it is difficult to reliably connect the wire 54 to the lead frame 51.
【００１０】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、第１の目的は封止樹脂にクラックが
発生しないようにするとともに、装置の体格を大きくし
ないで半導体チップを大きくしても半導体チップが高温
とならないようにすることができ、しかも、リードフレ
ームに金属細線を接続する作業を行いやすくすることが
できる半導体装置を提供することにある。The present invention has been made in order to solve the above problems. A first object of the present invention is to prevent cracks from being generated in a sealing resin and to enlarge a semiconductor chip without increasing the size of the device. Even if the semiconductor chip is prevented from reaching a high temperature even if it is used, it is still another object of the present invention to provide a semiconductor device capable of facilitating the work of connecting a thin metal wire to a lead frame.
【００１１】第２の目的は、放熱板と封止樹脂との接合
性を向上させることができる半導体装置を提供すること
にある。第３の目的は、リードフレームの接着作業を容
易に行うことができる半導体装置を提供することにあ
る。A second object is to provide a semiconductor device capable of improving the bondability between the heat sink and the sealing resin. A third object is to provide a semiconductor device that can easily perform the work of bonding the lead frame.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、請求項１記載の発明は、半導体チップの発熱を防止
するために放熱板を備えた放熱板付半導体装置におい
て、前記放熱板の主面に対して半導体チップを搭載する
とともに、リードフレームを絶縁を確保した状態で接着
し、前記半導体チップとリードフレームとを金属細線に
よって接続し、前記半導体チップ、放熱板に接着された
リードフレーム及び金属細線を含む前記放熱板の主面を
封止樹脂により封止したことをその要旨とする。SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, the invention according to claim 1 is a semiconductor device with a radiator plate provided with a radiator plate for preventing heat generation of a semiconductor chip. A semiconductor chip is mounted on the surface, the lead frame is adhered while ensuring insulation, the semiconductor chip and the lead frame are connected by a thin metal wire, and the semiconductor chip and the lead frame adhered to the heat dissipation plate, and The gist of the invention is to seal the main surface of the heat dissipation plate including the thin metal wires with a sealing resin.
【００１３】請求項２記載の発明は、半導体チップが搭
載される放熱板には、該半導体チップと同一又はそれ以
上の大きさとなる突起部を形成したことをその要旨とす
る。請求項３記載の発明は、リードフレームは絶縁性を
有する接着剤により放熱板に接着され、リードフレーム
と放熱板との絶縁性を確保していることをその要旨とす
る。A second aspect of the present invention is characterized in that a heat dissipation plate on which a semiconductor chip is mounted is provided with a protrusion having a size equal to or larger than that of the semiconductor chip. The gist of the third aspect of the invention is that the lead frame is bonded to the heat dissipation plate with an adhesive having an insulating property to ensure insulation between the lead frame and the heat dissipation plate.
【００１４】[0014]
【作用】請求項１記載の発明によれば、封止樹脂と略同
じ大きさの放熱板にすることができるので、半導体チッ
プの発熱を効率よく発散させることが可能となる。又、
放熱板の周囲を封止樹脂によって囲まないので、封止樹
脂には亀裂が発生しないように防止することが可能とな
る。更に、半導体装置の形状を大きくすることなく放熱
板の面積を大きくすることができるので、半導体チップ
を大きくすることが可能となる。しかも、放熱板に対し
て半導体チップは載置され、リードフレームは接着され
ている。従って、半導体チップやリードフレームに金属
細線を接続するとき、半導体チップやリードフレームが
変位したり撓んだりしないので接続作業性を向上させる
ことが可能となる。According to the first aspect of the present invention, since the heat radiating plate having substantially the same size as the sealing resin can be formed, it is possible to efficiently dissipate the heat generated by the semiconductor chip. or,
Since the periphery of the heat sink is not surrounded by the sealing resin, it is possible to prevent cracks from occurring in the sealing resin. Furthermore, since the area of the heat sink can be increased without increasing the shape of the semiconductor device, the size of the semiconductor chip can be increased. Moreover, the semiconductor chip is placed on the heat sink and the lead frame is bonded. Therefore, when connecting the thin metal wire to the semiconductor chip or the lead frame, the semiconductor chip or the lead frame is not displaced or bent, so that the connection workability can be improved.
【００１５】請求項２記載の発明によれば、放熱板には
半導体チップと同一又はそれ以上の大きさとなる突起部
を形成したので、放熱板と封止樹脂との接触面積を稼ぐ
ことができる。従って、放熱板と封止樹脂との接合性を
向上させることが可能となる。According to the second aspect of the present invention, since the protrusions having the same size as or larger than the semiconductor chip are formed on the heat sink, the contact area between the heat sink and the sealing resin can be increased. . Therefore, it becomes possible to improve the bondability between the heat sink and the sealing resin.
【００１６】請求項３記載の発明によれば、リードフレ
ームは放熱板に対して絶縁性を有する接着剤によって接
着されている。従って、リードフレームと放熱板との接
着と絶縁確保とを同時に行うことができるので、放熱板
に対するリードフレームの接着作を容易に行うことが可
能となる。According to the third aspect of the present invention, the lead frame is bonded to the heat dissipation plate with an adhesive having an insulating property. Therefore, since the lead frame and the heat sink can be bonded and the insulation can be secured at the same time, the lead frame can be easily bonded to the heat sink.
【００１７】[0017]
【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図１〜
図３に基づいて説明する。図１に示すように、半導体装
置Ｈを構成する放熱板１は銅により形成されている。前
記放熱板１の主面となる下面中央には半導体チップ３が
半田２により接着されて搭載されている。そして、半導
体チップ３が発熱すると、その発熱は半田２を介して放
熱板１に伝達されるようになっている。放熱板１に伝達
された熱は大気に発散されるようになっている。放熱板
１の下面周囲には、該放熱板１の側方に延出するリード
フレーム５が絶縁性を有するポリイミド樹脂等の接着剤
６によって接着固定されている。又、リードフレーム５
は接着剤６によって放熱板１に対して絶縁された状態と
なっている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT An embodiment embodying the present invention will now be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 1, the heat dissipation plate 1 forming the semiconductor device H is made of copper. A semiconductor chip 3 is mounted on the lower surface of the heat dissipation plate 1, which is the main surface, by being bonded with solder 2. When the semiconductor chip 3 generates heat, the generated heat is transmitted to the heat dissipation plate 1 via the solder 2. The heat transferred to the heat dissipation plate 1 is radiated to the atmosphere. A lead frame 5 extending laterally of the heat sink 1 is adhered and fixed around the lower surface of the heat sink 1 by an adhesive 6 such as a polyimide resin having an insulating property. Also, the lead frame 5
Is insulated from the heat sink 1 by the adhesive 6.
【００１８】前記半導体チップ３の上面３ａに形成され
た図示しない回路とリードフレーム５とは金属細線とし
てのワイヤ７によって接続されている。そして、放熱板
１の下面側にはエポキシ樹脂等のモールド樹脂８が設け
られ、このモールド樹脂８によって放熱板１に接着固定
されたリードフレーム５、半導体チップ３及びワイヤ７
が封止された状態となっている。A circuit (not shown) formed on the upper surface 3a of the semiconductor chip 3 and the lead frame 5 are connected by a wire 7 as a thin metal wire. A mold resin 8 such as an epoxy resin is provided on the lower surface side of the heat dissipation plate 1, and the lead frame 5, the semiconductor chip 3, and the wires 7 that are adhesively fixed to the heat dissipation plate 1 by the mold resin 8.
Is in a sealed state.
【００１９】更に、図示しない成形装置によって放熱板
１の側方に延出するリードフレーム５はモールド樹脂８
側に折曲形成されている。そして、リードフレーム５が
基板１０に接触するように半導体装置Ｈは基板１０に実
装されている。Furthermore, the lead frame 5 extending laterally of the heat sink 1 by a molding device (not shown) is molded resin 8
It is bent to the side. The semiconductor device H is mounted on the substrate 10 so that the lead frame 5 contacts the substrate 10.
【００２０】次に、半導体装置Ｈの製造工程を簡単に説
明する。図２に示すように、放熱板１の下面を上向きに
した状態で、該放熱板１の下面略中央には半田２によっ
て半導体チップ３を接着して搭載するとともに、放熱板
１の下面周囲には、該放熱板１の側方に延出するリード
フレーム５を接着剤６によって接着固定する。このと
き、リードフレーム５と接着剤６との絶縁性を確保す
る。そして、半導体チップ３の上面に形成された図示し
ない回路とリードフレーム５とをワイヤ７によって接続
する。Next, the manufacturing process of the semiconductor device H will be briefly described. As shown in FIG. 2, with the lower surface of the heat sink 1 facing upward, a semiconductor chip 3 is bonded and mounted on the lower surface of the heat sink 1 with solder 2 around the lower surface of the heat sink 1. Adheres and fixes the lead frame 5 extending laterally of the heat sink 1 with an adhesive 6. At this time, the insulation between the lead frame 5 and the adhesive 6 is ensured. Then, a circuit (not shown) formed on the upper surface of the semiconductor chip 3 and the lead frame 5 are connected by the wire 7.
【００２１】次に、図３に示すように、放熱板１の下面
はモールド樹脂８が設けられ、このモールド樹脂８は半
導体チップ３、ワイヤ７及び放熱板１に接着固定される
リードフレーム５を封止する。その後、図１に示すよう
に、図示しない形成装置によってリードフレーム５をモ
ールド樹脂８側に折曲形成する。Next, as shown in FIG. 3, a molding resin 8 is provided on the lower surface of the heat dissipation plate 1, and the molding resin 8 mounts the semiconductor chip 3, the wires 7 and the lead frame 5 adhered and fixed to the heat dissipation plate 1. Seal. After that, as shown in FIG. 1, the lead frame 5 is bent and formed on the mold resin 8 side by a forming device (not shown).
【００２２】さて、上記のように構成された半導体装置
Ｈの作用について説明する。まず、基板１０に対してリ
ードフレーム５が接触するように半導体装置Ｈを搭載す
る。この状態で、半導体装置Ｈの半導体チップ３が動作
して発熱すると、この熱は半田２を介して放熱板１に伝
達される。放熱板１に伝達された熱は大気に発散されて
半導体チップ３が高温とならないように防止される。Now, the operation of the semiconductor device H configured as described above will be described. First, the semiconductor device H is mounted so that the lead frame 5 contacts the substrate 10. In this state, when the semiconductor chip 3 of the semiconductor device H operates to generate heat, this heat is transferred to the heat sink 1 via the solder 2. The heat transferred to the heat dissipation plate 1 is prevented from being dissipated to the atmosphere and the semiconductor chip 3 from reaching a high temperature.
【００２３】又、モールド樹脂８は放熱板１の四方を囲
まないようになっている。この結果、放熱板１が膨張及
び伸縮を行ってもモールド樹脂８にはクラックが発生し
ないように防止することができる。そして、半導体装置
Ｈの体格を大きくすることなく従来の放熱板５５よりも
本発明の放熱板１の方が大きく形成することができる。
この結果、放熱板１を大きくすることができるので、放
熱板１は半導体チップ３の発熱を大気に余裕を持って発
散させることができ、半導体装置Ｈの体格を大きくする
ことなく半導体チップ３の大型化を行うことができる。The mold resin 8 does not surround the radiator plate 1 on all sides. As a result, it is possible to prevent cracks from occurring in the mold resin 8 even if the heat sink 1 expands and contracts. The heat sink 1 of the present invention can be formed larger than the conventional heat sink 55 without increasing the size of the semiconductor device H.
As a result, since the heat sink 1 can be enlarged, the heat sink 1 can dissipate the heat generated by the semiconductor chip 3 into the atmosphere with a margin, and the semiconductor device H can be made larger without increasing the size of the semiconductor device H. The size can be increased.
【００２４】又、リードフレーム５は絶縁剤６を介して
放熱板１に接着固定されている。その結果、リードフレ
ーム５にワイヤ７を接続するとき、該リードフレーム５
が撓まないようにすることができるので、リードフレー
ム５に対するワイヤ７の接続を確実に行うことができ
る。又、リードフレーム５に対するワイヤ７の接続作業
を行いやすくすることができる。Further, the lead frame 5 is adhered and fixed to the heat dissipation plate 1 via an insulating agent 6. As a result, when the wire 7 is connected to the lead frame 5,
Since the wire can be prevented from bending, the wire 7 can be reliably connected to the lead frame 5. Also, the work of connecting the wire 7 to the lead frame 5 can be facilitated.
【００２５】更に、リードフレーム５は接着剤６によっ
て放熱板１に固定されるが、接着剤６は絶縁性を有して
いるので、リードフレーム５と放熱板１との絶縁性を確
実に確保することができる。従って、放熱板１に対する
リードフレーム５の接着作業と、放熱板１に対するリー
ドフレーム５の絶縁処理とを同時に行うことができる。
この結果、放熱板１に対するリードフレーム５の接着作
業を容易に行うことができる。Further, the lead frame 5 is fixed to the heat dissipation plate 1 by the adhesive agent 6. Since the adhesive agent 6 has an insulating property, the insulation property between the lead frame 5 and the heat dissipation plate 1 is surely secured. can do. Therefore, the work of bonding the lead frame 5 to the heat sink 1 and the insulating process of the lead frame 5 to the heat sink 1 can be performed at the same time.
As a result, the work of bonding the lead frame 5 to the heat sink 1 can be easily performed.
【００２６】又、半導体チップ３は半田２を介して放熱
板１に搭載されている。この結果、半導体チップ３の発
熱を効率よく放熱板１に伝達することができるので、半
導体チップ３が高温にならないように防止することがで
きる。The semiconductor chip 3 is mounted on the heat sink 1 via the solder 2. As a result, the heat generated by the semiconductor chip 3 can be efficiently transmitted to the heat dissipation plate 1, so that the semiconductor chip 3 can be prevented from reaching a high temperature.
【００２７】そして、基板１０に半導体装置Ｈを搭載す
るとき、モールド樹脂８が基板１０と近接し、放熱板１
が大気側を向くようにしている。この結果、放熱板１に
伝達された熱を効率よく大気に発散させるようにするこ
とができるので、半導体チップ３が高温にならないよう
に抑制することができる。When the semiconductor device H is mounted on the substrate 10, the mold resin 8 approaches the substrate 10 and the heat sink 1
Is facing the atmosphere. As a result, the heat transferred to the heat dissipation plate 1 can be efficiently dissipated to the atmosphere, so that the semiconductor chip 3 can be prevented from reaching a high temperature.
【００２８】本実施例においては、放熱板１の下面に半
田２を介して半導体チップ３を接着して搭載した。この
他に、図４に示すように、放熱板１の下面には半導体チ
ップ３を搭載する突起部１１を形成する。この突起部１
１は半導体チップ３と同一の大きさに形成されている。
この突起部１１を形成することにより、モールド樹脂８
と放熱板１との接触面積を稼ぐことができる。この結
果、放熱板１とモールド樹脂８との接合性を向上させる
ことができる。又、この別例においては、半導体チップ
３と突起部１１との大きさを同一にしたが、半導体チッ
プ３より突起部１１を大きく形成することも可能であ
る。この結果、一層モールド樹脂８と放熱板１との接触
面積を稼ぐことができ、接合性を一層向上させることが
できる。In this embodiment, the semiconductor chip 3 is bonded and mounted on the lower surface of the heat sink 1 through the solder 2. In addition to this, as shown in FIG. 4, a protrusion 11 for mounting the semiconductor chip 3 is formed on the lower surface of the heat dissipation plate 1. This protrusion 1
1 is formed in the same size as the semiconductor chip 3.
By forming this protrusion 11, the molding resin 8
The contact area between the heat sink 1 and the heat sink 1 can be increased. As a result, the bondability between the heat sink 1 and the mold resin 8 can be improved. Further, in this example, the semiconductor chip 3 and the protrusion 11 have the same size, but it is also possible to form the protrusion 11 larger than the semiconductor chip 3. As a result, the contact area between the mold resin 8 and the heat dissipation plate 1 can be further increased, and the bondability can be further improved.
【００２９】又、放熱板１に対して絶縁性を有する接着
剤６によりリードフレーム５を接着固定した。この他
に、放熱板１に絶縁シートを接着固定し、この絶縁シー
トにリードフレーム５を接着するようにしてもよい。こ
の場合、絶縁シートにより放熱板１とリードフレーム５
との絶縁性が確保される。Further, the lead frame 5 was adhered and fixed to the heat sink 1 with an adhesive 6 having an insulating property. Alternatively, an insulating sheet may be adhesively fixed to the heat dissipation plate 1, and the lead frame 5 may be adhered to the insulating sheet. In this case, the heat dissipation plate 1 and the lead frame 5 are made of an insulating sheet.
Insulation with is secured.
【００３０】次に、上記実施例から把握される請求項以
外の技術思想を、その効果とともに以下に記載する。 （１）請求項１〜３において、封止樹脂と基板とが対向
するように半導体装置を基板に実装する。Next, technical ideas other than the claims understood from the above embodiments will be described below together with their effects. (1) In claims 1 to 3, the semiconductor device is mounted on the substrate such that the sealing resin and the substrate face each other.
【００３１】この構成によれば、放熱板は大気側に露出
することになるので、半導体チップが発熱しても、この
発熱を放熱板が効率よく発散する。この結果、半導体装
置を効率よく冷却して発熱を抑えることができる。According to this structure, since the heat sink is exposed to the atmosphere, even if the semiconductor chip generates heat, the heat sink efficiently dissipates this heat. As a result, the semiconductor device can be efficiently cooled and heat generation can be suppressed.
【００３２】[0032]
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１記載の発
明によれば、半導体装置の体格を大きくすることなく放
熱板の面積を大きくすることができるので、半導体チッ
プの発熱を放熱板から効率よく発散させることが可能と
なる。しかも、放熱板を大きくすることができるので、
半導体チップを大きくすることができる。又、放熱板の
周囲を封止樹脂が囲まないので、封止樹脂に亀裂が発生
しないようにすることができる。更に、リードフレーム
及び半導体チップは放熱板に支持されているので、リー
ドフレームや半導体チップに金属細線を接続する接続作
業性を向上させることができる。As described in detail above, according to the first aspect of the present invention, the area of the heat dissipation plate can be increased without increasing the size of the semiconductor device. It is possible to efficiently diverge. Moreover, since the heat sink can be enlarged,
The semiconductor chip can be enlarged. Further, since the sealing resin does not surround the heat dissipation plate, cracks can be prevented from occurring in the sealing resin. Furthermore, since the lead frame and the semiconductor chip are supported by the heat dissipation plate, the workability of connecting the lead frame and the semiconductor chip to the thin metal wire can be improved.
【００３３】請求項２記載の発明によれば、放熱板に半
導体チップと同一又はそれ以上の大きさとなる突起部が
形成されるので、放熱板と封止樹脂との接触面積と稼ぐ
ことができ、放熱板と封止樹脂との接合性を向上させる
ことができる。According to the second aspect of the present invention, since the heat dissipation plate is formed with the protrusion having the same size as or larger than the semiconductor chip, the contact area between the heat dissipation plate and the sealing resin can be increased. The bondability between the heat sink and the sealing resin can be improved.
【００３４】請求項３記載の発明によれば、放熱板に対
するリードフレームの接着作業を容易に行うことができ
る。According to the third aspect of the invention, the work of bonding the lead frame to the heat sink can be easily performed.
【図１】本発明に係る半導体装置の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device according to the present invention.
【図２】半導体装置の製造過程を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a manufacturing process of a semiconductor device.
【図３】半導体装置の製造過程を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a manufacturing process of the semiconductor device.
【図４】半導体装置の別例を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing another example of a semiconductor device.
【図５】従来の半導体装置の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of a conventional semiconductor device.
【図６】従来の半導体装置の底面図である。FIG. 6 is a bottom view of a conventional semiconductor device.
１…放熱板、３…半導体チップ、５…リードフレーム、
６…接着剤、７…金属細線としてのワイヤ、８…封止樹
脂としてのモールド樹脂、１１…突起部1 ... Heat sink, 3 ... Semiconductor chip, 5 ... Lead frame,
6 ... Adhesive agent, 7 ... Wire as thin metal wire, 8 ... Mold resin as sealing resin, 11 ... Protrusion
Claims (3)
熱板を備えた放熱板付半導体装置において、 前記放熱板の主面に対して半導体チップを搭載するとと
もに、リードフレームを絶縁を確保した状態で接着し、
前記半導体チップとリードフレームとを金属細線によっ
て接続し、前記半導体チップ、放熱板に接着されたリー
ドフレーム及び金属細線を含む前記放熱板の主面を封止
樹脂により封止した放熱板付半導体装置。1. A semiconductor device with a radiator plate provided with a radiator plate for preventing heat generation of the semiconductor chip, wherein the semiconductor chip is mounted on the main surface of the radiator plate, and the lead frame is insulated. Glued,
A semiconductor device with a heat radiating plate, wherein the semiconductor chip and the lead frame are connected by a metal thin wire, and the main surface of the heat radiating plate including the semiconductor chip, the lead frame bonded to the heat radiating plate, and the metal thin wire is sealed with a sealing resin.
該半導体チップと同一又はそれ以上の大きさとなる突起
部を形成した請求項１記載の放熱板付半導体装置。2. A heat dissipation plate on which a semiconductor chip is mounted,
The semiconductor device with a heat sink according to claim 1, wherein a protrusion having a size equal to or larger than that of the semiconductor chip is formed.
により放熱板に接着され、リードフレームと放熱板との
絶縁性を確保している請求項１又は２記載の放熱板付半
導体装置。3. The semiconductor device with a heat sink according to claim 1, wherein the lead frame is adhered to the heat sink by an adhesive having an insulating property to ensure insulation between the lead frame and the heat sink.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16415794A JPH0831986A (en) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | Semiconductor device having heatsink |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16415794A JPH0831986A (en) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | Semiconductor device having heatsink |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831986A true JPH0831986A (en) | 1996-02-02 |
Family
ID=15787828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16415794A Pending JPH0831986A (en) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | Semiconductor device having heatsink |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831986A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012023124A (en) * | 2010-07-13 | 2012-02-02 | Toyota Industries Corp | Semiconductor device with heat dissipation member |
| JP2018125526A (en) * | 2017-01-23 | 2018-08-09 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーＩｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ａｇ | Semiconductor package with heat slug and rivet free die attach area |
| CN110137142A (en) * | 2018-02-08 | 2019-08-16 | 浙江清华柔性电子技术研究院 | Thermally conductive encapsulating structure, production method and the wearable device with it |
-
1994
- 1994-07-15 JP JP16415794A patent/JPH0831986A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012023124A (en) * | 2010-07-13 | 2012-02-02 | Toyota Industries Corp | Semiconductor device with heat dissipation member |
| JP2018125526A (en) * | 2017-01-23 | 2018-08-09 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーＩｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ａｇ | Semiconductor package with heat slug and rivet free die attach area |
| CN110137142A (en) * | 2018-02-08 | 2019-08-16 | 浙江清华柔性电子技术研究院 | Thermally conductive encapsulating structure, production method and the wearable device with it |
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