JPH0831968A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH0831968A JPH0831968A JP6164320A JP16432094A JPH0831968A JP H0831968 A JPH0831968 A JP H0831968A JP 6164320 A JP6164320 A JP 6164320A JP 16432094 A JP16432094 A JP 16432094A JP H0831968 A JPH0831968 A JP H0831968A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 良好に封止され、電磁シールドされた信頼性
の高い半導体装置として提供する。電磁シールドされた
半導体装置の製造コストの低減化を図る。 【構成】 セラミック製のパッケージ本体１０にセラミ
ック製のキャップ２２を低融点ガラス２６により封着し
て成る半導体装置において、前記キャップ２２の前記パ
ッケージ本体に対向する面に前記パッケージ本体に設け
たキャビティ４２を覆う大きさに形成された導電板３０
が低融点ガラス２６を介して取り付けられるとともに、
前記導電板３０の周縁部が前記パッケージ本体の開口部
の上面内周縁に形成された接地用配線パターン１６に当
接され、前記パッケージ本体１０の上面外周縁部に前記
低融点ガラスを介して前記キャップ２２が封着されたこ
とを特徴とする。
の高い半導体装置として提供する。電磁シールドされた
半導体装置の製造コストの低減化を図る。 【構成】 セラミック製のパッケージ本体１０にセラミ
ック製のキャップ２２を低融点ガラス２６により封着し
て成る半導体装置において、前記キャップ２２の前記パ
ッケージ本体に対向する面に前記パッケージ本体に設け
たキャビティ４２を覆う大きさに形成された導電板３０
が低融点ガラス２６を介して取り付けられるとともに、
前記導電板３０の周縁部が前記パッケージ本体の開口部
の上面内周縁に形成された接地用配線パターン１６に当
接され、前記パッケージ本体１０の上面外周縁部に前記
低融点ガラスを介して前記キャップ２２が封着されたこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及びその製造
方法に関し、とくにキャップを電磁シールドして封着し
た半導体装置及びその製造方法に関する。
方法に関し、とくにキャップを電磁シールドして封着し
た半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＧＡ（ピングリッドアレイ）等の半導
体装置では半導体チップが高集積化するとともに配線パ
ターンが高密度化することにより配線パターン間の誘導
性ノイズが問題になる。このため、これら誘導性ノイズ
を低減させるとともに外部からの電磁ノイズの影響を防
止するため、キャップを電磁シールドしてパッケージ本
体に封着した半導体装置が検討されている。電磁シール
ドした半導体装置は高速信号を扱う半導体チップや、水
晶振動子やＳＡＷフィルターといった誘導性ノイズを嫌
う素子が搭載されている。
体装置では半導体チップが高集積化するとともに配線パ
ターンが高密度化することにより配線パターン間の誘導
性ノイズが問題になる。このため、これら誘導性ノイズ
を低減させるとともに外部からの電磁ノイズの影響を防
止するため、キャップを電磁シールドしてパッケージ本
体に封着した半導体装置が検討されている。電磁シール
ドした半導体装置は高速信号を扱う半導体チップや、水
晶振動子やＳＡＷフィルターといった誘導性ノイズを嫌
う素子が搭載されている。
【０００３】図５はキャップを電磁シールドしてパッケ
ージ本体に封着した半導体装置の従来例を示す。この半
導体装置はセラミック製のパッケージ本体１０に金属製
のキャップ１２をはんだ１４で接合してなる。金属製の
キャップ１２を接地電位にするため、パッケージ本体１
０のキャップ接合面にはタングステンなどを用いたメタ
ライズにより形成された接地用配線パターン１６を有
し、パッケージ本体１０の内部に導通パターン１８を設
けて接地電位に設定される接地ピン２０と金属製のキャ
ップ１２とを電気的に接続するようにしている。
ージ本体に封着した半導体装置の従来例を示す。この半
導体装置はセラミック製のパッケージ本体１０に金属製
のキャップ１２をはんだ１４で接合してなる。金属製の
キャップ１２を接地電位にするため、パッケージ本体１
０のキャップ接合面にはタングステンなどを用いたメタ
ライズにより形成された接地用配線パターン１６を有
し、パッケージ本体１０の内部に導通パターン１８を設
けて接地電位に設定される接地ピン２０と金属製のキャ
ップ１２とを電気的に接続するようにしている。
【０００４】図６はセラミック製のキャップを用いた半
導体装置の従来例を示す。この半導体装置は内面にタン
グステンなどの導電膜２４を蒸着したセラミック製のキ
ャップ２２を低融点ガラス２６を用いてパッケージ本体
１０に封着したものである。パッケージ本体１０の半導
体チップが搭載されたキャビティ２３には導電膜２４に
当接させるための接地ピン２８を立設し、セラミック製
のキャップ２２をガラス封着した際に導電膜２４が接地
ピン２８に当接して接地電位となるようにしている。
導体装置の従来例を示す。この半導体装置は内面にタン
グステンなどの導電膜２４を蒸着したセラミック製のキ
ャップ２２を低融点ガラス２６を用いてパッケージ本体
１０に封着したものである。パッケージ本体１０の半導
体チップが搭載されたキャビティ２３には導電膜２４に
当接させるための接地ピン２８を立設し、セラミック製
のキャップ２２をガラス封着した際に導電膜２４が接地
ピン２８に当接して接地電位となるようにしている。
【０００５】図７も図６と同様にセラミック製のキャッ
プ２２の内面にアルミニウムやタングステンなどの導電
膜２４を設けて電磁シールドした半導体装置の従来例を
示す（特開昭59-161843 号公報) 。図は半導体装置の一
部分を拡大して示したもので、セラミック製のキャップ
２２が低融点ガラス２６によってパッケージ本体１０に
接合されている。図６に示す例では接地ピン２８はパッ
ケージ本体１０のキャビティ２３内に配置したのに対し
て、この例では接地ピン２８は低融点ガラス層を通して
導電膜２４に当接している。
プ２２の内面にアルミニウムやタングステンなどの導電
膜２４を設けて電磁シールドした半導体装置の従来例を
示す（特開昭59-161843 号公報) 。図は半導体装置の一
部分を拡大して示したもので、セラミック製のキャップ
２２が低融点ガラス２６によってパッケージ本体１０に
接合されている。図６に示す例では接地ピン２８はパッ
ケージ本体１０のキャビティ２３内に配置したのに対し
て、この例では接地ピン２８は低融点ガラス層を通して
導電膜２４に当接している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにキャップ
により電磁シールドした半導体装置には金属製のキャッ
プを使うものとセラミック製のキャップに金属層が形成
されたものを使う場合があるが、金属製のキャップ１２
で封着する場合は、キャップに金めっきやニッケルめっ
き等の保護めっきをあらかじめ施す必要があり、また、
金属製のキャップ１２をセラミックパッケージ本体１０
に封着するためには金−すずはんだといった高価なはん
だを使用しなければならず製造コストがかかるという問
題点があった。
により電磁シールドした半導体装置には金属製のキャッ
プを使うものとセラミック製のキャップに金属層が形成
されたものを使う場合があるが、金属製のキャップ１２
で封着する場合は、キャップに金めっきやニッケルめっ
き等の保護めっきをあらかじめ施す必要があり、また、
金属製のキャップ１２をセラミックパッケージ本体１０
に封着するためには金−すずはんだといった高価なはん
だを使用しなければならず製造コストがかかるという問
題点があった。
【０００７】また、セラミック製のキャップを使用する
場合は、キャップ２２の内面に設けた導電膜２４に接地
ピン２８を突き当ててガラス封着するから、接地ピン２
８の突出長さが所定長さよりも長い場合にキャップ２２
が浮いてしまってガラスの封止不良がおきるという問題
点があった。また、セラミック製のキャップを使用する
場合は蒸着等で導電膜２４を被着形成するが、この導電
膜２４の形成がコストアップにつながるという問題点も
あった。
場合は、キャップ２２の内面に設けた導電膜２４に接地
ピン２８を突き当ててガラス封着するから、接地ピン２
８の突出長さが所定長さよりも長い場合にキャップ２２
が浮いてしまってガラスの封止不良がおきるという問題
点があった。また、セラミック製のキャップを使用する
場合は蒸着等で導電膜２４を被着形成するが、この導電
膜２４の形成がコストアップにつながるという問題点も
あった。
【０００８】本発明はこれらの問題点を解消すべくなさ
れたものであり、その目的とするところは、キャップに
よる電磁シールドが好適になされ、かつ封着も確実で信
頼性の高い半導体装置及び製造コストの低減化を効果的
に図ることができる半導体装置の製造方法を提供するに
ある。
れたものであり、その目的とするところは、キャップに
よる電磁シールドが好適になされ、かつ封着も確実で信
頼性の高い半導体装置及び製造コストの低減化を効果的
に図ることができる半導体装置の製造方法を提供するに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、次の構成を備える。すなわち、セラミック製
のパッケージ本体にセラミック製のキャップを低融点ガ
ラスにより封着して成る半導体装置において、前記キャ
ップの前記パッケージ本体に対向する面に前記パッケー
ジ本体に設けたキャビティを覆う大きさに形成された導
電板が低融点ガラスを介して取り付けられるとともに、
前記導電板の周縁部が前記パッケージ本体の開口部の上
面内周縁に形成された接地用配線パターンに当接され、
前記パッケージ本体の上面外周縁部に前記低融点ガラス
を介して前記キャップが封着されたことを特徴とする。
また、前記キャップの前記パッケージ本体に対向する面
に前記パッケージ本体に設けたキャビティを覆う大きさ
に形成された導電板が低融点ガラスを介して取り付けら
れるとともに、前記導電板の周縁部が前記パッケージ本
体の開口部の上面内周縁に当接され、前記キャビティに
立設された接地ピンが前記導電板に当接して、前記パッ
ケージ本体の上面外周縁部に前記低融点ガラスを介して
前記キャップが封着されたことを特徴とする。また、半
導体装置の製造方法において、所定形状に形成したセラ
ミック製のキャップの一方の面に、周縁部に低融点ガラ
スを露出させるとともに前記キャップとの間に低融点ガ
ラスを介して導電板を取り付けた導電板付きセラミック
製キャップをパッケージ本体に位置合わせして配置し、
前記導電板の周縁部を前記パッケージ本体の開口部の上
面内周縁に設けた接地用配線パターンに当接させるとと
もに、前記低融点ガラスを介して前記キャップを前記パ
ッケージ本体に封着することを特徴とする。また、前記
導電板としてアルミニウム箔を使用することが有用であ
る。
するため、次の構成を備える。すなわち、セラミック製
のパッケージ本体にセラミック製のキャップを低融点ガ
ラスにより封着して成る半導体装置において、前記キャ
ップの前記パッケージ本体に対向する面に前記パッケー
ジ本体に設けたキャビティを覆う大きさに形成された導
電板が低融点ガラスを介して取り付けられるとともに、
前記導電板の周縁部が前記パッケージ本体の開口部の上
面内周縁に形成された接地用配線パターンに当接され、
前記パッケージ本体の上面外周縁部に前記低融点ガラス
を介して前記キャップが封着されたことを特徴とする。
また、前記キャップの前記パッケージ本体に対向する面
に前記パッケージ本体に設けたキャビティを覆う大きさ
に形成された導電板が低融点ガラスを介して取り付けら
れるとともに、前記導電板の周縁部が前記パッケージ本
体の開口部の上面内周縁に当接され、前記キャビティに
立設された接地ピンが前記導電板に当接して、前記パッ
ケージ本体の上面外周縁部に前記低融点ガラスを介して
前記キャップが封着されたことを特徴とする。また、半
導体装置の製造方法において、所定形状に形成したセラ
ミック製のキャップの一方の面に、周縁部に低融点ガラ
スを露出させるとともに前記キャップとの間に低融点ガ
ラスを介して導電板を取り付けた導電板付きセラミック
製キャップをパッケージ本体に位置合わせして配置し、
前記導電板の周縁部を前記パッケージ本体の開口部の上
面内周縁に設けた接地用配線パターンに当接させるとと
もに、前記低融点ガラスを介して前記キャップを前記パ
ッケージ本体に封着することを特徴とする。また、前記
導電板としてアルミニウム箔を使用することが有用であ
る。
【００１０】
【作用】本発明に係る半導体装置は低融点ガラスを介し
てセラミック製のキャップをパッケージ本体に封着する
際に、導電板により半導体チップを搭載したキャビティ
を覆うとともに、導電板を接地用配線パターンに当接す
ること、あるいは導電板を接地ピンに当接して取り付け
ることを特徴とする。これによって、前記キャップによ
りパッケージ本体を封止でき、同時にキャップにより導
電板を支持し、導電板を接地電位として電磁シールドし
た半導体装置を得ることができる。本発明の半導体装置
の製造方法ではセラミック製のキャップにあらかじめ低
融点ガラスを介して導電板を取り付けた導電板付きセラ
ミック製キャップを用いることによって容易にパッケー
ジ本体を封止して電磁シールドした半導体装置を得るこ
とができる。
てセラミック製のキャップをパッケージ本体に封着する
際に、導電板により半導体チップを搭載したキャビティ
を覆うとともに、導電板を接地用配線パターンに当接す
ること、あるいは導電板を接地ピンに当接して取り付け
ることを特徴とする。これによって、前記キャップによ
りパッケージ本体を封止でき、同時にキャップにより導
電板を支持し、導電板を接地電位として電磁シールドし
た半導体装置を得ることができる。本発明の半導体装置
の製造方法ではセラミック製のキャップにあらかじめ低
融点ガラスを介して導電板を取り付けた導電板付きセラ
ミック製キャップを用いることによって容易にパッケー
ジ本体を封止して電磁シールドした半導体装置を得るこ
とができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る半導体装置
の一実施例を示す断面図である。本実施例の半導体装置
はセラミック製のキャップ２２を用いた半導体装置であ
り、多層セラミック基板によって形成したパッケージ本
体１０に低融点ガラス２６を用いてセラミック製のキャ
ップ２２を封着したものである。キャップ２２の構成は
従来の半導体装置で使用するものと同様である。
づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る半導体装置
の一実施例を示す断面図である。本実施例の半導体装置
はセラミック製のキャップ２２を用いた半導体装置であ
り、多層セラミック基板によって形成したパッケージ本
体１０に低融点ガラス２６を用いてセラミック製のキャ
ップ２２を封着したものである。キャップ２２の構成は
従来の半導体装置で使用するものと同様である。
【００１２】図１で３０はパッケージ本体１０を電磁シ
ールドするための導電板で、パッケージ本体１０のキャ
ビティ４２の開口部を覆うように取り付ける。半導体チ
ップ４０が搭載されたキャビティ４２の開口部の上面内
周縁には接地用配線パターン１６がタングステンメタラ
イズにより形成され、前記導電板３０がこの接地用配線
パターン１６に接している。接地用配線パターン１６は
パッケージ本体１０の内部に設けた導通パターン１８に
より接地ピン２０に電気的に接続される。導通パターン
１８によって接地用配線パターン１６と接地ピン２０と
を電気的に接続する構成は図５に示す従来例と同様であ
る。
ールドするための導電板で、パッケージ本体１０のキャ
ビティ４２の開口部を覆うように取り付ける。半導体チ
ップ４０が搭載されたキャビティ４２の開口部の上面内
周縁には接地用配線パターン１６がタングステンメタラ
イズにより形成され、前記導電板３０がこの接地用配線
パターン１６に接している。接地用配線パターン１６は
パッケージ本体１０の内部に設けた導通パターン１８に
より接地ピン２０に電気的に接続される。導通パターン
１８によって接地用配線パターン１６と接地ピン２０と
を電気的に接続する構成は図５に示す従来例と同様であ
る。
【００１３】導電板３０はその背面側に低融点ガラス２
６を介してセラミック製のキャップ２２に被着されてい
る。セラミック製のキャップ２２をパッケージ本体１０
の上面外周縁に接合するため導電板３０の外形寸法をセ
ラミック製のキャップ２２の外形寸法よりも若干小さく
設定して導電板３０を接地用配線パターン１６に押接す
るとともに、低融点ガラス２６によりパッケージ本体１
０の上面外周縁にセラミック製のキャップ２２を気密に
封着している。
６を介してセラミック製のキャップ２２に被着されてい
る。セラミック製のキャップ２２をパッケージ本体１０
の上面外周縁に接合するため導電板３０の外形寸法をセ
ラミック製のキャップ２２の外形寸法よりも若干小さく
設定して導電板３０を接地用配線パターン１６に押接す
るとともに、低融点ガラス２６によりパッケージ本体１
０の上面外周縁にセラミック製のキャップ２２を気密に
封着している。
【００１４】導電板３０は上記構成により接地電位に設
定され半導体装置を電磁シールドする。導電板３０は導
電性を有するものであれば使用材料はとくに限定されな
いが、低融点ガラス２６を用いる場合はアルミニウムが
好適に使用できる。アルミニウムはガラスとのなじみが
良好で、パッケージ本体１０への封着が確実にできるか
らである。
定され半導体装置を電磁シールドする。導電板３０は導
電性を有するものであれば使用材料はとくに限定されな
いが、低融点ガラス２６を用いる場合はアルミニウムが
好適に使用できる。アルミニウムはガラスとのなじみが
良好で、パッケージ本体１０への封着が確実にできるか
らである。
【００１５】なお、接地用配線パターン１６はメタライ
ズ法によって形成し、保護めっきとしてニッケルめっき
と金めっきを施しておく。また、実施例では接地用配線
パターン１６はパッケージ本体１０の開口部の上面内周
縁のみに設けたが、セラミック製のキャップ２２を接合
するパッケージ本体１０の接合面の全体に設けてもよ
い。本実施例の半導体装置はセラミック製のキャップ２
２に取り付けた導電板３０が接地電位に設定され、好適
に電磁シールドされた半導体装置として提供される。
ズ法によって形成し、保護めっきとしてニッケルめっき
と金めっきを施しておく。また、実施例では接地用配線
パターン１６はパッケージ本体１０の開口部の上面内周
縁のみに設けたが、セラミック製のキャップ２２を接合
するパッケージ本体１０の接合面の全体に設けてもよ
い。本実施例の半導体装置はセラミック製のキャップ２
２に取り付けた導電板３０が接地電位に設定され、好適
に電磁シールドされた半導体装置として提供される。
【００１６】上記実施例の半導体装置はセラミック製の
キャップ２２を低融点ガラス２６によりパッケージ本体
１０に封着するとともに、低融点ガラス２６を介してセ
ラミック製のキャップ２２に取り付けた導電板３０をパ
ッケージ本体１０の開口部の上面内周縁に当接させて取
り付けたことを特徴とするが、半導体装置の製造にあた
っては、セラミック製のキャップ２２に低融点ガラス２
６を介して導電板３０を取り付けた導電板付きセラミッ
ク製キャップを使用するのが有効である。
キャップ２２を低融点ガラス２６によりパッケージ本体
１０に封着するとともに、低融点ガラス２６を介してセ
ラミック製のキャップ２２に取り付けた導電板３０をパ
ッケージ本体１０の開口部の上面内周縁に当接させて取
り付けたことを特徴とするが、半導体装置の製造にあた
っては、セラミック製のキャップ２２に低融点ガラス２
６を介して導電板３０を取り付けた導電板付きセラミッ
ク製キャップを使用するのが有効である。
【００１７】図２に導電板付きセラミック製キャップ３
２の製造方法を示す。図２(a) は所定形状に焼成して形
成したセラミック製のキャップ２２で、まず、このキャ
ップ２２に低融点ガラス２６をグレーズする（図２
(b))。次いで、箔状に形成したアルミニウムの導電板３
０を低融点ガラス２６の上に乗せ、加熱して低融点ガラ
ス２６に導電板３０を被着させる。これにより、導電板
３０は低融点ガラス２６の中に若干沈み込むようにして
取り付けられる（図２(c))。導電板３０はセラミック製
のキャップ２２の外形寸法より若干小さく形成したもの
である。
２の製造方法を示す。図２(a) は所定形状に焼成して形
成したセラミック製のキャップ２２で、まず、このキャ
ップ２２に低融点ガラス２６をグレーズする（図２
(b))。次いで、箔状に形成したアルミニウムの導電板３
０を低融点ガラス２６の上に乗せ、加熱して低融点ガラ
ス２６に導電板３０を被着させる。これにより、導電板
３０は低融点ガラス２６の中に若干沈み込むようにして
取り付けられる（図２(c))。導電板３０はセラミック製
のキャップ２２の外形寸法より若干小さく形成したもの
である。
【００１８】上記の導電板付きセラミック製キャップ３
２の製造方法は、セラミック製のキャップ２２に低融点
ガラス２６を介して導電板３０を被着させるだけであ
り、従来のセラミック製のキャップにガラスグレーズす
る工程に導電板３０を被着させる工程が増えるだけでそ
の製造は容易である。また、導電板付きセラミック製キ
ャップ３２は一度に多数個を形成することも容易であ
り、導電板３０にはめっきを施したりする必要がないか
ら、図６、７に示した従来例のように導電膜２４を形成
する方法等にくらべてはるかに低コストで製造すること
ができる。
２の製造方法は、セラミック製のキャップ２２に低融点
ガラス２６を介して導電板３０を被着させるだけであ
り、従来のセラミック製のキャップにガラスグレーズす
る工程に導電板３０を被着させる工程が増えるだけでそ
の製造は容易である。また、導電板付きセラミック製キ
ャップ３２は一度に多数個を形成することも容易であ
り、導電板３０にはめっきを施したりする必要がないか
ら、図６、７に示した従来例のように導電膜２４を形成
する方法等にくらべてはるかに低コストで製造すること
ができる。
【００１９】上記導電板付きセラミック製キャップ３２
をパッケージ本体１０に接合する場合は、パッケージ本
体１０に導電板付きセラミック製キャップ３２をのせ加
熱することによって低融点ガラス２６が溶融し、パッケ
ージ本体１０と導電板付きセラミック製キャップ３２が
接合されるとともに導電板３０が接地用配線パターン１
６に押接されて取り付けられる。このように、上記導電
板付きセラミック製キャップ３２は従来のセラミック製
のキャップを封着する方法と同様にパッケージ本体１０
を封止でき、あわせて電磁シールドされた半導体装置を
容易に得ることができる。
をパッケージ本体１０に接合する場合は、パッケージ本
体１０に導電板付きセラミック製キャップ３２をのせ加
熱することによって低融点ガラス２６が溶融し、パッケ
ージ本体１０と導電板付きセラミック製キャップ３２が
接合されるとともに導電板３０が接地用配線パターン１
６に押接されて取り付けられる。このように、上記導電
板付きセラミック製キャップ３２は従来のセラミック製
のキャップを封着する方法と同様にパッケージ本体１０
を封止でき、あわせて電磁シールドされた半導体装置を
容易に得ることができる。
【００２０】図３は導電板付きセラミック製キャップ３
２を用いて製造した半導体装置の他の実施例を示す。上
記実施例の半導体装置は外部接続用端子としてパッケー
ジ本体１０にリードピンを立設したのに対して、この実
施例の半導体装置は表面実装用としてパッケージ本体１
０の外側面に配線パターン３４を引き出し、パッケージ
本体１０の下面に実装基板との接続部３４ａを設けたも
のである。
２を用いて製造した半導体装置の他の実施例を示す。上
記実施例の半導体装置は外部接続用端子としてパッケー
ジ本体１０にリードピンを立設したのに対して、この実
施例の半導体装置は表面実装用としてパッケージ本体１
０の外側面に配線パターン３４を引き出し、パッケージ
本体１０の下面に実装基板との接続部３４ａを設けたも
のである。
【００２１】図４は図６に示した従来例と同様に、パッ
ケージ本体１０のキャビティ４２に立設した接地ピン２
８を利用して導電板付きセラミック製キャップ３２を封
着した実施例である。導電板付きセラミック製キャップ
３２を封着することによって接地ピン２８の上端面に導
電板３０が当接し導電板３０が接地電位になる。本実施
例の場合は、導電板付きセラミック製キャップ３２を封
着する際に導電板３０と導電板付きセラミック製キャッ
プとの中間にある低融点ガラス２６が緩衝層として作用
し、接地ピン２８の突出長さが規定長さよりも長い場合
にも導電板３０を若干変形させて封着でき導電板付きセ
ラミック製キャップ３２の封着性に悪影響を与えずに確
実に封止できるという特徴がある。
ケージ本体１０のキャビティ４２に立設した接地ピン２
８を利用して導電板付きセラミック製キャップ３２を封
着した実施例である。導電板付きセラミック製キャップ
３２を封着することによって接地ピン２８の上端面に導
電板３０が当接し導電板３０が接地電位になる。本実施
例の場合は、導電板付きセラミック製キャップ３２を封
着する際に導電板３０と導電板付きセラミック製キャッ
プとの中間にある低融点ガラス２６が緩衝層として作用
し、接地ピン２８の突出長さが規定長さよりも長い場合
にも導電板３０を若干変形させて封着でき導電板付きセ
ラミック製キャップ３２の封着性に悪影響を与えずに確
実に封止できるという特徴がある。
【００２２】なお、上記各実施例ではセラミック製のキ
ャップ２２を低融点ガラス２６で封着した例について説
明したが、低融点ガラス２６のかわりに耐熱性等の所要
の特性を有する接着剤を用いて封着することも可能であ
る。すなわち、導電板３０は低融点ガラス２６あるいは
接着剤等による接合層を介してパッケージ本体１０に接
合する構造とすることも可能である。また、導電板３０
の素材はアルミニウムに限らず種々の金属材を用いるこ
とができる。
ャップ２２を低融点ガラス２６で封着した例について説
明したが、低融点ガラス２６のかわりに耐熱性等の所要
の特性を有する接着剤を用いて封着することも可能であ
る。すなわち、導電板３０は低融点ガラス２６あるいは
接着剤等による接合層を介してパッケージ本体１０に接
合する構造とすることも可能である。また、導電板３０
の素材はアルミニウムに限らず種々の金属材を用いるこ
とができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置及びその製造方
法によれば、上述したように、確実に電磁シールドされ
かつパッケージ本体が封止された信頼性の高い半導体装
置を提供できる。また、半導体装置の製造にあたっては
容易にかつ低コストで製造することができる等の著効を
奏する。
法によれば、上述したように、確実に電磁シールドされ
かつパッケージ本体が封止された信頼性の高い半導体装
置を提供できる。また、半導体装置の製造にあたっては
容易にかつ低コストで製造することができる等の著効を
奏する。
【図１】半導体装置の一実施例を示す断面図である。
【図２】導電板付きセラミック製キャップの製法例を示
す説明図である。
す説明図である。
【図３】半導体装置の他の実施例を示す断面図である。
【図４】半導体装置のさらに他の実施例を示す断面図で
ある。
ある。
【図５】金属製のキャップにより封止した半導体装置の
従来例を示す断面図である。
従来例を示す断面図である。
【図６】セラミック製のキャップにより封止した半導体
装置の従来例を示す断面図である。
装置の従来例を示す断面図である。
【図７】セラミック製のキャップにより封止した半導体
装置の他の従来例を示す断面図である。
装置の他の従来例を示す断面図である。
１０ パッケージ本体 １２ 金属製のキャップ １６ 接地用配線パターン １８ 導通パターン ２０ 接地ピン ２２ セラミック製のキャップ ２４ 導電膜 ２６ 低融点ガラス ２８ 接地ピン ３０ 導電板 ３２ 導電板付きセラミック製キャップ ３４ 配線パターン ４０ 半導体チップ ４２ キャビティ
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミック製のパッケージ本体にセラミ
ック製のキャップを低融点ガラスにより封着して成る半
導体装置において、 前記キャップの前記パッケージ本体に対向する面に前記
パッケージ本体に設けたキャビティを覆う大きさに形成
された導電板が低融点ガラスを介して取り付けられると
ともに、前記導電板の周縁部が前記パッケージ本体の開
口部の上面内周縁に形成された接地用配線パターンに当
接され、 前記パッケージ本体の上面外周縁部に前記低融点ガラス
を介して前記キャップが封着されたことを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項２】 セラミック製のパッケージ本体にセラミ
ック製のキャップを低融点ガラスにより封着して成る半
導体装置において、 前記キャップの前記パッケージ本体に対向する面に前記
パッケージ本体に設けたキャビティを覆う大きさに形成
された導電板が低融点ガラスを介して取り付けられると
ともに、前記導電板の周縁部が前記パッケージ本体の開
口部の上面内周縁に当接され、 前記キャビティに立設された接地ピンが前記導電板に当
接して、前記パッケージ本体の上面外周縁部に前記低融
点ガラスを介して前記キャップが封着されたことを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項３】 所定形状に形成したセラミック製のキャ
ップの一方の面に、周縁部に低融点ガラスを露出させる
とともに前記キャップとの間に低融点ガラスを介して導
電板を取り付けた導電板付きセラミック製キャップをパ
ッケージ本体に位置合わせして配置し、 前記導電板の周縁部を前記パッケージ本体の開口部の上
面内周縁に設けた接地用配線パターンに当接させるとと
もに、前記低融点ガラスを介して前記キャップを前記パ
ッケージ本体に封着することを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項４】 導電板としてアルミニウム箔を使用する
ことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6164320A JPH0831968A (ja) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6164320A JPH0831968A (ja) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831968A true JPH0831968A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15790919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6164320A Pending JPH0831968A (ja) | 1994-07-15 | 1994-07-15 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831968A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002054548A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Module laser a longueur d'onde plus courte et procede de fabrication de ce module laser |
| CN113394170A (zh) * | 2021-04-25 | 2021-09-14 | 福建天电光电有限公司 | 封装结构及其制造方法 |
-
1994
- 1994-07-15 JP JP6164320A patent/JPH0831968A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002054548A1 (fr) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Module laser a longueur d'onde plus courte et procede de fabrication de ce module laser |
| US6847660B2 (en) | 2000-12-28 | 2005-01-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Short-wavelength laser module and method of producing the same |
| US7427522B2 (en) | 2000-12-28 | 2008-09-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Short-wavelength laser module and method of producing the same |
| CN113394170A (zh) * | 2021-04-25 | 2021-09-14 | 福建天电光电有限公司 | 封装结构及其制造方法 |
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