JPH0831745A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0831745A JPH0831745A JP16023994A JP16023994A JPH0831745A JP H0831745 A JPH0831745 A JP H0831745A JP 16023994 A JP16023994 A JP 16023994A JP 16023994 A JP16023994 A JP 16023994A JP H0831745 A JPH0831745 A JP H0831745A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 隔膜真空計の０点ドリフトを補正し、圧力に
関して常に安定した状態で成膜処理を可能とする。 【構成】 隔膜真空計６と保護バルブ８の間と排気ポン
プ１０とを直結したセンサ補正ライン１１を設ける。こ
のライン１１にはストップバルブ７が設けられ、このス
トップバルブ７を開き、保護バルブ８を閉じた状態で真
空引きすることにより、隔膜真空計６の周囲を検出限界
以下にし、そこを０点と定め、隔膜真空計６の０点補正
を行なう。その後、保護バルブ８を開き成膜を行なうこ
とにより、常に補正直後の正確な隔膜真空計６による圧
力制御が可能で安定した成膜処理をすることができる。 【効果】 隔膜真空計の０点補正が容易で、各ウェーハ
成膜毎に補正でき、これにより常に正確な圧力制御下で
成膜でき、成膜のばら付きが抑えられ、生産性が向上す
る。
関して常に安定した状態で成膜処理を可能とする。 【構成】 隔膜真空計６と保護バルブ８の間と排気ポン
プ１０とを直結したセンサ補正ライン１１を設ける。こ
のライン１１にはストップバルブ７が設けられ、このス
トップバルブ７を開き、保護バルブ８を閉じた状態で真
空引きすることにより、隔膜真空計６の周囲を検出限界
以下にし、そこを０点と定め、隔膜真空計６の０点補正
を行なう。その後、保護バルブ８を開き成膜を行なうこ
とにより、常に補正直後の正確な隔膜真空計６による圧
力制御が可能で安定した成膜処理をすることができる。 【効果】 隔膜真空計の０点補正が容易で、各ウェーハ
成膜毎に補正でき、これにより常に正確な圧力制御下で
成膜でき、成膜のばら付きが抑えられ、生産性が向上す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置、特に
隔膜真空計を設けて減圧気相成長を行なう半導体製造装
置に関する。
隔膜真空計を設けて減圧気相成長を行なう半導体製造装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の減圧気相成長による半導体製造装
置を図３によって説明する。石英ボート４上にウェーハ
１６が載せられた後、シールキャップ１５を上昇し反応
室下端を密閉する。
置を図３によって説明する。石英ボート４上にウェーハ
１６が載せられた後、シールキャップ１５を上昇し反応
室下端を密閉する。
【０００３】次に不活性ガス、例えばＮ2をガス導入ラ
イン１７から導入しつつ、反応室２を排気ポンプ１０に
よって真空にしていく。真空引き動作は、反応室内を徐
々に減圧にしていくために、排気ラインのメイン排気ラ
インバルブ９及び保護バルブ８を閉にして、スロー排気
ラインバルブ１３のみを開く。スロー排気ライン１２は
メイン排気ライン１４に比べ、管の径が小さく、さらに
ニードルバルブ１９等により流量を制御しつつ排気する
ので、徐々に減圧することになる。反応室内が或程度減
圧されたら、メイン排気ラインバルブ９を開き効率良く
排気し、反応室内を１〜１０Ｐａ程度まで真空引きす
る。この時スロー排気ラインバルブ１３は開でも閉でも
どちらでも良いが、通常は閉の状態にする。
イン１７から導入しつつ、反応室２を排気ポンプ１０に
よって真空にしていく。真空引き動作は、反応室内を徐
々に減圧にしていくために、排気ラインのメイン排気ラ
インバルブ９及び保護バルブ８を閉にして、スロー排気
ラインバルブ１３のみを開く。スロー排気ライン１２は
メイン排気ライン１４に比べ、管の径が小さく、さらに
ニードルバルブ１９等により流量を制御しつつ排気する
ので、徐々に減圧することになる。反応室内が或程度減
圧されたら、メイン排気ラインバルブ９を開き効率良く
排気し、反応室内を１〜１０Ｐａ程度まで真空引きす
る。この時スロー排気ラインバルブ１３は開でも閉でも
どちらでも良いが、通常は閉の状態にする。
【０００４】反応室内が所定に真空引きされ、さらにヒ
ータ１によりウェーハ１６が所定温度近くに充分に加熱
されたら、次いで、反応室内のリークチェックが行われ
る。リークチェックは、メイン排気ラインバルブ９及び
スロー排気ラインバルブ１３が閉じられ、また保護バル
ブ８が開き、隔膜真空計６により反応室内圧力をモニタ
ーし、所定時間内に反応室内の圧力上昇が許容限界値以
下であれば正常であると判断し、メイン排気ラインバル
ブ９を開き、次に反応に必要なガス、例えばＳiＨ4等が
ガス導入ライン１７から導入され、ウェーハにＣＶＤ膜
の生成が行なわれる。ここでリークチェックが異常とな
った場合には、成膜は行われない。
ータ１によりウェーハ１６が所定温度近くに充分に加熱
されたら、次いで、反応室内のリークチェックが行われ
る。リークチェックは、メイン排気ラインバルブ９及び
スロー排気ラインバルブ１３が閉じられ、また保護バル
ブ８が開き、隔膜真空計６により反応室内圧力をモニタ
ーし、所定時間内に反応室内の圧力上昇が許容限界値以
下であれば正常であると判断し、メイン排気ラインバル
ブ９を開き、次に反応に必要なガス、例えばＳiＨ4等が
ガス導入ライン１７から導入され、ウェーハにＣＶＤ膜
の生成が行なわれる。ここでリークチェックが異常とな
った場合には、成膜は行われない。
【０００５】ウェーハにＣＶＤ膜の成膜工程が終わる
と、反応ガスを止め、次に、例えばＮ2等の不活性ガス
が流され反応室内がパージされる。反応室内がパージさ
れる工程が終わると、次に保護バルブ８、メイン排気ラ
インバルブ９が閉じ、スロー排気ラインバルブ１３だけ
が開いた状態でガス導入ライン１７からの不活性ガスの
導入により、反応室内圧力が徐々に上昇していき、所定
圧力でスロー排気ラインバルブ１３も閉じられ、反応室
内が大気圧に戻されていく。反応室内が大気圧になった
ら、シールキャップ１５を下に降ろして、石英ボート４
からウェーハ１６が取出される。
と、反応ガスを止め、次に、例えばＮ2等の不活性ガス
が流され反応室内がパージされる。反応室内がパージさ
れる工程が終わると、次に保護バルブ８、メイン排気ラ
インバルブ９が閉じ、スロー排気ラインバルブ１３だけ
が開いた状態でガス導入ライン１７からの不活性ガスの
導入により、反応室内圧力が徐々に上昇していき、所定
圧力でスロー排気ラインバルブ１３も閉じられ、反応室
内が大気圧に戻されていく。反応室内が大気圧になった
ら、シールキャップ１５を下に降ろして、石英ボート４
からウェーハ１６が取出される。
【０００６】このように、通常減圧気相成長装置には成
膜時の圧力制御用に隔膜真空計６が用いられている。こ
の真空計は、センサ内部の圧力を被測定系（反応炉）の
圧力との差を円形の隔膜の変位を利用して検出する方式
をとっているため、反応炉の圧力が測定可能レンジより
高くなると０点がドリフトする。即ち、隔膜真空計は隔
膜（ダイヤフラム）の変位を利用する基本構造的に０点
がドリフトするもので、常に真空に近い状態に保持して
おけば、ドリフト量が小さくなるが、上記成膜工程に対
応した反応室内圧力変化にしたがってドリフトすること
は避けられない。
膜時の圧力制御用に隔膜真空計６が用いられている。こ
の真空計は、センサ内部の圧力を被測定系（反応炉）の
圧力との差を円形の隔膜の変位を利用して検出する方式
をとっているため、反応炉の圧力が測定可能レンジより
高くなると０点がドリフトする。即ち、隔膜真空計は隔
膜（ダイヤフラム）の変位を利用する基本構造的に０点
がドリフトするもので、常に真空に近い状態に保持して
おけば、ドリフト量が小さくなるが、上記成膜工程に対
応した反応室内圧力変化にしたがってドリフトすること
は避けられない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記０点のドリフトを
防ぐため、従来は、センサと反応炉の間に保護バルブ８
を設け、反応炉内をウェーハの出し入れのために、大気
開放するときは、この保護バルブ８を閉じ、センサ周囲
を減圧状態に保つ方法が一般的に採用されているが、こ
の方法でも微小な０点のドリフトが発生しており、圧力
制御時に絶対値圧力がシフトしてしまい成膜条件が安定
しない問題が生じている。このような問題がありなが
ら、通常ダイアフラムゲージ等の隔膜真空計６の０点補
正は数ヶ月毎のメンテナンスのみでしか行なわれていな
かった。
防ぐため、従来は、センサと反応炉の間に保護バルブ８
を設け、反応炉内をウェーハの出し入れのために、大気
開放するときは、この保護バルブ８を閉じ、センサ周囲
を減圧状態に保つ方法が一般的に採用されているが、こ
の方法でも微小な０点のドリフトが発生しており、圧力
制御時に絶対値圧力がシフトしてしまい成膜条件が安定
しない問題が生じている。このような問題がありなが
ら、通常ダイアフラムゲージ等の隔膜真空計６の０点補
正は数ヶ月毎のメンテナンスのみでしか行なわれていな
かった。
【０００８】また隔膜真空計６と保護バルブ８の間は構
造上、ガスが滞留するため反応副生成物が留り反応系を
汚染する問題も生じてしまう。
造上、ガスが滞留するため反応副生成物が留り反応系を
汚染する問題も生じてしまう。
【０００９】本発明の目的は、上記従来の問題点の隔膜
真空計の０点ドリフトを解決し、隔膜真空計の簡易な０
点補正をして圧力に関して常に安定した状態で成膜処理
を可能とすることにある。
真空計の０点ドリフトを解決し、隔膜真空計の簡易な０
点補正をして圧力に関して常に安定した状態で成膜処理
を可能とすることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、ボート上
にウェーハを載せて密閉する反応室と、該反応室に反応
ガス等を導入するガス導入ラインと、上記反応室の真空
引きをする排気ラインと、該排気ラインに保護バルブを
介して接続された隔膜真空計と、上記反応室のウェーハ
を加熱するヒータとを設けた減圧気相成長の半導体製造
装置において、上記保護バルブと隔膜真空計の間と上記
排気ラインの真空ポンプに連結してストップバルブを介
在させたセンサ補正ラインを設け、上記保護バルブを閉
じるとともにストップバルブを開いて上記隔膜真空計の
周囲を検出限界以下に真空引きして０点補正を行なうよ
うにしたことによって達成される。
にウェーハを載せて密閉する反応室と、該反応室に反応
ガス等を導入するガス導入ラインと、上記反応室の真空
引きをする排気ラインと、該排気ラインに保護バルブを
介して接続された隔膜真空計と、上記反応室のウェーハ
を加熱するヒータとを設けた減圧気相成長の半導体製造
装置において、上記保護バルブと隔膜真空計の間と上記
排気ラインの真空ポンプに連結してストップバルブを介
在させたセンサ補正ラインを設け、上記保護バルブを閉
じるとともにストップバルブを開いて上記隔膜真空計の
周囲を検出限界以下に真空引きして０点補正を行なうよ
うにしたことによって達成される。
【００１１】
【作用】上記手段によれば、保護バルブを閉じ、ストッ
プバルブを開いて真空引きして隔膜真空計の周囲を検出
限界以下にし、そこを０点と定めることにより、隔膜真
空計の０点補正ができる。その後保護バルブを開き、成
膜を行なえば、常に補正直後の正確な隔膜真空計で圧力
制御が可能で、各ウェーハ毎の成膜成長速度のばらつき
が抑えられ、安定した良好な成膜ができる。また保護バ
ルブと隔膜真空計の間を真空引きし、この部分に滞留す
る残留ガスや不純物を排出することにより反応室内の汚
染を防止することができる。
プバルブを開いて真空引きして隔膜真空計の周囲を検出
限界以下にし、そこを０点と定めることにより、隔膜真
空計の０点補正ができる。その後保護バルブを開き、成
膜を行なえば、常に補正直後の正確な隔膜真空計で圧力
制御が可能で、各ウェーハ毎の成膜成長速度のばらつき
が抑えられ、安定した良好な成膜ができる。また保護バ
ルブと隔膜真空計の間を真空引きし、この部分に滞留す
る残留ガスや不純物を排出することにより反応室内の汚
染を防止することができる。
【００１２】
【実施例】以下本発明を一実施例によって説明する。図
１は本発明の実施例で、図３と同符号は同一もしくは相
当部分を示す。隔膜真空計６と保護バルブ８の間と排気
ポンプ１０とを直結したセンサ補正ライン１１を設け
る。このライン１１にはストップバルブ７が設けられ、
このストップバルブ７を開き、保護バルブ８を閉じた状
態で真空引きすることにより、隔膜真空計６の周囲を検
出限界以下にし、そこを０点と定め、隔膜真空計６の０
点補正を行なう。その後、保護バルブ８を開き成膜を行
なうことにより、常に補正直後の正確な隔膜真空計６に
よる圧力制御が可能で安定した成膜処理をすることがで
きる。
１は本発明の実施例で、図３と同符号は同一もしくは相
当部分を示す。隔膜真空計６と保護バルブ８の間と排気
ポンプ１０とを直結したセンサ補正ライン１１を設け
る。このライン１１にはストップバルブ７が設けられ、
このストップバルブ７を開き、保護バルブ８を閉じた状
態で真空引きすることにより、隔膜真空計６の周囲を検
出限界以下にし、そこを０点と定め、隔膜真空計６の０
点補正を行なう。その後、保護バルブ８を開き成膜を行
なうことにより、常に補正直後の正確な隔膜真空計６に
よる圧力制御が可能で安定した成膜処理をすることがで
きる。
【００１３】図２は、成膜処理のフローチャートで、ス
テップ２１で、ウェーハ１６が載置されたボート４が反
応室内に挿入され、且つ、シールキャップ１５により反
応室内を密閉する。このステップ２１では、保護バルブ
８、メイン排気ラインバルブ９及びスロー排気ラインバ
ルブ１３が閉じている。これと同時にステップ２２で、
ストップバルブ７を開いて隔膜真空計６の周囲を真空引
きし０点補正をする。その後、ステップ２３で、ストッ
プバルブ７を閉じ、スロー排気ラインバルブ１３を開い
て反応室を徐々に減圧し、或る程度減圧されたらメイン
排気ラインバルブ９を開き、保護バルブ８を開いて反応
室内の効率の良い真空引きをする。ステップ２４では、
反応室内が所定の真空引きされ且つウェーハ１６がヒー
タ１によって所望の温度に充分安定に加熱された成膜を
行う直前の状態でリークチェックが行なわれる。
テップ２１で、ウェーハ１６が載置されたボート４が反
応室内に挿入され、且つ、シールキャップ１５により反
応室内を密閉する。このステップ２１では、保護バルブ
８、メイン排気ラインバルブ９及びスロー排気ラインバ
ルブ１３が閉じている。これと同時にステップ２２で、
ストップバルブ７を開いて隔膜真空計６の周囲を真空引
きし０点補正をする。その後、ステップ２３で、ストッ
プバルブ７を閉じ、スロー排気ラインバルブ１３を開い
て反応室を徐々に減圧し、或る程度減圧されたらメイン
排気ラインバルブ９を開き、保護バルブ８を開いて反応
室内の効率の良い真空引きをする。ステップ２４では、
反応室内が所定の真空引きされ且つウェーハ１６がヒー
タ１によって所望の温度に充分安定に加熱された成膜を
行う直前の状態でリークチェックが行なわれる。
【００１４】このリークチェックは前工程ステップ２２
で０点補正された隔膜真空計６によって反応室内の正確
なリークチェックが行なわれる。リークチェックはメイ
ン排気ラインバルブ９及びスロー排気ラインバルブ１３
が閉じられ、保護バルブ８が開いた状態で行なわれる。
リークチェックにより正常であれば、ステップ２５で、
メイン排気ラインバルブ９を開き、ガス導入ライン１７
から反応ガスを導入してＣＶＤ膜の生成が行なわれる。
で０点補正された隔膜真空計６によって反応室内の正確
なリークチェックが行なわれる。リークチェックはメイ
ン排気ラインバルブ９及びスロー排気ラインバルブ１３
が閉じられ、保護バルブ８が開いた状態で行なわれる。
リークチェックにより正常であれば、ステップ２５で、
メイン排気ラインバルブ９を開き、ガス導入ライン１７
から反応ガスを導入してＣＶＤ膜の生成が行なわれる。
【００１５】次にＣＶＤ成膜工程が終ると、ステップ２
６で、反応ガスの導入を止め、不活性ガスが流され反応
室内がパージされる。ステップ２７では、保護バルブ８
及びメイン排気ラインバルブ９を閉じ、スロー排気ライ
ンバルブ１３が開いた状態で不活性ガスを導入し、反応
室内圧力を徐々に上昇して、所定圧力でスロー排気ライ
ンバルブ１３も閉じて大気圧に戻す。ステップ２８でシ
ールキャップ１５を降しボート４上の成膜ウェーハ１６
を取出す。
６で、反応ガスの導入を止め、不活性ガスが流され反応
室内がパージされる。ステップ２７では、保護バルブ８
及びメイン排気ラインバルブ９を閉じ、スロー排気ライ
ンバルブ１３が開いた状態で不活性ガスを導入し、反応
室内圧力を徐々に上昇して、所定圧力でスロー排気ライ
ンバルブ１３も閉じて大気圧に戻す。ステップ２８でシ
ールキャップ１５を降しボート４上の成膜ウェーハ１６
を取出す。
【００１６】なお、この隔膜真空計６の０点補正は、各
ウェーハ処理毎に行なわれ、処理の流れの中では、上記
のようにリークチェック前に行なわれるか、もしくはリ
ークチェック後、即ちウェーハのＣＶＤ膜等の生成前に
行なってもよい。
ウェーハ処理毎に行なわれ、処理の流れの中では、上記
のようにリークチェック前に行なわれるか、もしくはリ
ークチェック後、即ちウェーハのＣＶＤ膜等の生成前に
行なってもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、隔膜真
空計の０点補正が容易にでき、各ウェーハ成膜毎に補正
でき、これにより常に正確な隔膜真空計を用いて正確な
圧力制御下で成膜できるため、各ウェーハ毎の成膜成長
速度のばらつきが抑えられ、装置の生産性が向上する。
空計の０点補正が容易にでき、各ウェーハ成膜毎に補正
でき、これにより常に正確な隔膜真空計を用いて正確な
圧力制御下で成膜できるため、各ウェーハ毎の成膜成長
速度のばらつきが抑えられ、装置の生産性が向上する。
【００１８】また、０点補正時に、保護バルブと隔膜真
空計の間を真空引きすることにより、この部分に滞留し
ている残留ガスや不純物を排出でき、反応室内の汚染を
阻止することができる。
空計の間を真空引きすることにより、この部分に滞留し
ている残留ガスや不純物を排出でき、反応室内の汚染を
阻止することができる。
【図１】本発明の一実施例の構成図である。
【図２】本発明の一実施例の処理フローチャートであ
る。
る。
【図３】従来装置の構成図である。
１…ヒータ、２…反応容器、３…内部反応管、４…石英
ボート、５…炉口断熱キャップ、６…隔膜真空計、７…
ストップバルブ、８…保護バルブ、９…メイン排気ライ
ンバルブ、１０…真空ポンプ、１１…センサ補正ライ
ン、１２…スロー排気ライン、１３…スロー排気ライン
バルブ、１４…メイン排気ライン、１５…シールキャッ
プ、１６…ウェーハ、１７…ガス導入ライン、１８…マ
ニホールド、１９…ニードルバルブ。
ボート、５…炉口断熱キャップ、６…隔膜真空計、７…
ストップバルブ、８…保護バルブ、９…メイン排気ライ
ンバルブ、１０…真空ポンプ、１１…センサ補正ライ
ン、１２…スロー排気ライン、１３…スロー排気ライン
バルブ、１４…メイン排気ライン、１５…シールキャッ
プ、１６…ウェーハ、１７…ガス導入ライン、１８…マ
ニホールド、１９…ニードルバルブ。
Claims (1)
- 【請求項１】 ボート上にウェーハを載せて密閉する反
応室と、該反応室に反応ガス等を導入するガス導入ライ
ンと、上記反応室の真空引きをする排気ラインと、該排
気ラインに保護バルブを介して接続された隔膜真空計
と、上記反応室のウェーハを加熱するヒータとを設けた
減圧気相成長を行なう半導体製造装置において、上記保
護バルブと隔膜真空計の間と上記排気ラインの真空ポン
プに連結してストップバルブを介在させたセンサ補正ラ
インを設け、上記保護バルブを閉じるとともにストップ
バルブを開いて上記隔膜真空計の周囲を検出限界以下に
真空引きして０点補正を行なうようにしたことを特徴と
する半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16023994A JPH0831745A (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16023994A JPH0831745A (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831745A true JPH0831745A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15710717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16023994A Pending JPH0831745A (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831745A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278655A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| CN100362621C (zh) * | 2005-12-07 | 2008-01-16 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 减少薄膜式电容真空规零点漂移的装置及其方法 |
| US7767026B2 (en) | 2005-03-29 | 2010-08-03 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
1994
- 1994-07-12 JP JP16023994A patent/JPH0831745A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278655A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US7767026B2 (en) | 2005-03-29 | 2010-08-03 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| CN100362621C (zh) * | 2005-12-07 | 2008-01-16 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 减少薄膜式电容真空规零点漂移的装置及其方法 |
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