JPH08317127A - 密着型イメージセンサー - Google Patents
密着型イメージセンサーInfo
- Publication number
- JPH08317127A JPH08317127A JP7119661A JP11966195A JPH08317127A JP H08317127 A JPH08317127 A JP H08317127A JP 7119661 A JP7119661 A JP 7119661A JP 11966195 A JP11966195 A JP 11966195A JP H08317127 A JPH08317127 A JP H08317127A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- array
- light
- led array
- lens array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 フレームの窪みの照度を向上させ、照度分布
を均一にしてＳ／Ｎ比を向上させた密着型イメージセン
サーを提供することを目的とする。 【構成】 原稿７を照射するＬＥＤアレイ２と、ＬＥＤ
アレイ２を収容すると共に原稿７で反射された光線９を
集束するセルホックレンズアレイ４を収容する窪みが形
成されたフレーム１と、セルホックレンズアレイ４で集
束された光線９を受光する受光センサー６とを備え、Ｌ
ＥＤアレイ２と対向するセルホックレンズアレイ４の側
面にＬＥＤアレイ２の光線９を反射する反射膜１０を設
けた。
を均一にしてＳ／Ｎ比を向上させた密着型イメージセン
サーを提供することを目的とする。 【構成】 原稿７を照射するＬＥＤアレイ２と、ＬＥＤ
アレイ２を収容すると共に原稿７で反射された光線９を
集束するセルホックレンズアレイ４を収容する窪みが形
成されたフレーム１と、セルホックレンズアレイ４で集
束された光線９を受光する受光センサー６とを備え、Ｌ
ＥＤアレイ２と対向するセルホックレンズアレイ４の側
面にＬＥＤアレイ２の光線９を反射する反射膜１０を設
けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は原稿等に密着させて原稿
等を読み取る密着型イメージセンサーに関するものであ
る。
等を読み取る密着型イメージセンサーに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来の密着型イメージセンサーに
ついて図を参照しながら説明する。図２は従来の密着型
イメージセンサーの一部破断斜視図、図３は従来の密着
型イメージセンサーの断面図を示すものである。図２及
び図３において、１はアルミニウム等からなるフレー
ム、２はフレーム１の窪みの斜面に設けられた照射する
ＬＥＤアレイ、３はフレーム１の上側の凹部に設けられ
ＬＥＤアレイ２の照射した光線９を入射すると共に後記
する原稿７を当接させるガラス板、４はフレーム１の窪
みの開口した開口部の上に設けられ原稿７で反射された
光線９を集束するセルホックレンズアレイ、５はフレー
ム１下側の凹部に設けられ信号を処理する回路基板、６
は回路基板５の上面に設けられセルホックレンズアレイ
４の集束した光線９を受光する受光センサー、７はガラ
ス板３に当接され照射される原稿、８は回路基板５を固
定するカバーである。
ついて図を参照しながら説明する。図２は従来の密着型
イメージセンサーの一部破断斜視図、図３は従来の密着
型イメージセンサーの断面図を示すものである。図２及
び図３において、１はアルミニウム等からなるフレー
ム、２はフレーム１の窪みの斜面に設けられた照射する
ＬＥＤアレイ、３はフレーム１の上側の凹部に設けられ
ＬＥＤアレイ２の照射した光線９を入射すると共に後記
する原稿７を当接させるガラス板、４はフレーム１の窪
みの開口した開口部の上に設けられ原稿７で反射された
光線９を集束するセルホックレンズアレイ、５はフレー
ム１下側の凹部に設けられ信号を処理する回路基板、６
は回路基板５の上面に設けられセルホックレンズアレイ
４の集束した光線９を受光する受光センサー、７はガラ
ス板３に当接され照射される原稿、８は回路基板５を固
定するカバーである。
【０００３】以上のように構成された従来の密着型イメ
ージセンサーについて、以下その動作について説明す
る。ＬＥＤアレイ２の照射した光線９がガラス板３の上
面に斜光の状態で入射される。ガラス板３内に入射した
光線９は屈折してガラス板３下面に到達する。一方、ガ
ラス板３下面には搬送される原稿７があり、ガラス板３
下面に到達した光線９は原稿７を照射して原稿７の情報
に応じてガラス板３上面に向けて反射する。反射した光
線９はガラス板３の下側に設けられたセルホックレンズ
アレイ４で集束する。そして、集束した光線９を受光セ
ンサー６の光検知部が受光し、受光した光量に応じてフ
ォトキャリアを生じ蓄積される。
ージセンサーについて、以下その動作について説明す
る。ＬＥＤアレイ２の照射した光線９がガラス板３の上
面に斜光の状態で入射される。ガラス板３内に入射した
光線９は屈折してガラス板３下面に到達する。一方、ガ
ラス板３下面には搬送される原稿７があり、ガラス板３
下面に到達した光線９は原稿７を照射して原稿７の情報
に応じてガラス板３上面に向けて反射する。反射した光
線９はガラス板３の下側に設けられたセルホックレンズ
アレイ４で集束する。そして、集束した光線９を受光セ
ンサー６の光検知部が受光し、受光した光量に応じてフ
ォトキャリアを生じ蓄積される。
【０００４】ここで動作信号であるパルス信号を受光セ
ンサー６のスタート信号入力端子に入力すると、光検知
部の１ビット目から順次シフトレジスタがオンして時経
列的に出力信号が取り出される。この信号は更に電気的
に増幅され最終的なセンサー出力信号として出力され
る。
ンサー６のスタート信号入力端子に入力すると、光検知
部の１ビット目から順次シフトレジスタがオンして時経
列的に出力信号が取り出される。この信号は更に電気的
に増幅され最終的なセンサー出力信号として出力され
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の密着型イメージセンサーの構成では、ＬＥＤアレイ２
の照射の照度が低いと、原稿７で反射された光線を受光
する受光センサー６の認識精度、即ちＳ／Ｎ比を低下さ
せる。又、原稿７の情報を高速度で動かして反射させる
と、通常受光センサー６の光量に応じて蓄積される蓄積
時間が一定であるから、光量の蓄積量が減少しＳ／Ｎ比
を低下させるので、ＬＥＤアレイ２の発光量を増やし照
度を高くすると、ＬＥＤアレイ２上に配列したＬＥＤ毎
の発光量の性能にばらつきが生じやすく照度分布の均一
性を損なうという問題点を有していた。
の密着型イメージセンサーの構成では、ＬＥＤアレイ２
の照射の照度が低いと、原稿７で反射された光線を受光
する受光センサー６の認識精度、即ちＳ／Ｎ比を低下さ
せる。又、原稿７の情報を高速度で動かして反射させる
と、通常受光センサー６の光量に応じて蓄積される蓄積
時間が一定であるから、光量の蓄積量が減少しＳ／Ｎ比
を低下させるので、ＬＥＤアレイ２の発光量を増やし照
度を高くすると、ＬＥＤアレイ２上に配列したＬＥＤ毎
の発光量の性能にばらつきが生じやすく照度分布の均一
性を損なうという問題点を有していた。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、フレームの窪みの照度を向上させ、照度分布を均一
にしてＳ／Ｎ比を向上させた密着型イメージセンサーを
提供することを目的とする。
で、フレームの窪みの照度を向上させ、照度分布を均一
にしてＳ／Ｎ比を向上させた密着型イメージセンサーを
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の密着型イメージセンサーは、原稿を照射する
ＬＥＤアレイと、ＬＥＤアレイを収容すると共に原稿で
反射された光線を集束するセルホックレンズアレイを収
容する窪みが形成されたフレームと、セルホックレンズ
アレイで集束された光線を受光する受光センサーとを備
え、ＬＥＤアレイと対向するセルホックレンズアレイの
側面にＬＥＤアレイの光線を反射する反射膜を設けた構
成を有している。
に本発明の密着型イメージセンサーは、原稿を照射する
ＬＥＤアレイと、ＬＥＤアレイを収容すると共に原稿で
反射された光線を集束するセルホックレンズアレイを収
容する窪みが形成されたフレームと、セルホックレンズ
アレイで集束された光線を受光する受光センサーとを備
え、ＬＥＤアレイと対向するセルホックレンズアレイの
側面にＬＥＤアレイの光線を反射する反射膜を設けた構
成を有している。
【０００８】
【作用】本発明の密着型イメージセンサーは、ＬＥＤア
レイと対向するセルホックレンズアレイの側面にＬＥＤ
アレイの光線を反射する反射膜を設けた構成であるの
で、セルホックレンズアレイの側面で反射した光線が窪
みの照度を向上させると共に、照度分布が均一になり、
原稿の情報を高速度で反射させても十分な光量を得るこ
とができる。
レイと対向するセルホックレンズアレイの側面にＬＥＤ
アレイの光線を反射する反射膜を設けた構成であるの
で、セルホックレンズアレイの側面で反射した光線が窪
みの照度を向上させると共に、照度分布が均一になり、
原稿の情報を高速度で反射させても十分な光量を得るこ
とができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。図１は本発明の一実施例における密
着型イメージセンサーの断面図である。図１において従
来例と同符号のものは基本的には同一である。図１にお
いて、１はアルミニウム等からなるフレーム、２はフレ
ーム１の窪みの斜面に設けられ照射するＬＥＤアレイ、
３はフレーム１の上側の凹部に設けられＬＥＤアレイ２
の照射した光線９を入射すると共に後記する原稿７を当
接させるガラス板、４はフレーム１の窪みで開口した開
口部の上に設けられ原稿７の反射した光線９を集束する
セルホックレンズアレイである。
しながら説明する。図１は本発明の一実施例における密
着型イメージセンサーの断面図である。図１において従
来例と同符号のものは基本的には同一である。図１にお
いて、１はアルミニウム等からなるフレーム、２はフレ
ーム１の窪みの斜面に設けられ照射するＬＥＤアレイ、
３はフレーム１の上側の凹部に設けられＬＥＤアレイ２
の照射した光線９を入射すると共に後記する原稿７を当
接させるガラス板、４はフレーム１の窪みで開口した開
口部の上に設けられ原稿７の反射した光線９を集束する
セルホックレンズアレイである。
【００１０】５はフレーム１下側の凹部に設けられ信号
を処理する回路基板、６は回路基板５の上面に設けられ
セルホックレンズアレイ４の集束した光線９を受光する
受光センサー、７はガラス板３に当接され照射される原
稿、８は回路基板５を固定するカバー、１０はＬＥＤア
レイと対向するセルホックレンズアレイ４の側面に形成
されアルミニウム等からなる反射する反射膜である。
を処理する回路基板、６は回路基板５の上面に設けられ
セルホックレンズアレイ４の集束した光線９を受光する
受光センサー、７はガラス板３に当接され照射される原
稿、８は回路基板５を固定するカバー、１０はＬＥＤア
レイと対向するセルホックレンズアレイ４の側面に形成
されアルミニウム等からなる反射する反射膜である。
【００１１】以上のように構成された密着型イメージセ
ンサーについて、図１を用いてその動作を説明する。Ｌ
ＥＤアレイ２より照射した光線９がガラス板３の下面に
傾斜した状態で入射される。その際、ＬＥＤアレイ２と
対向するセルホックレンズアレイ４の側面に反射膜１０
を設けているので、ＬＥＤアレイ２より照射した光線９
がセルホックレンズアレイ４の側面の反射膜１０の表面
で反射する。反射した光線９’がフレーム１の窪み壁面
でも反射して照度を向上させると共に、照度分布を均一
にする。そして、ガラス板３内に入光した光線９は屈折
して上面に到達する。一方、ガラス板３上面に搬送され
当接した原稿７があり、ガラス板３の上面に到達した光
線９が原稿７を照射して原稿７の情報に応じてガラス板
３の下面に向けて光線９を反射する。反射した光線９を
セルホックレンズアレイ４で集束する。そして、集束し
た光線９を受光センサー６が受光し、受光した光量に応
じてフォトキャリアを生じ蓄積される。
ンサーについて、図１を用いてその動作を説明する。Ｌ
ＥＤアレイ２より照射した光線９がガラス板３の下面に
傾斜した状態で入射される。その際、ＬＥＤアレイ２と
対向するセルホックレンズアレイ４の側面に反射膜１０
を設けているので、ＬＥＤアレイ２より照射した光線９
がセルホックレンズアレイ４の側面の反射膜１０の表面
で反射する。反射した光線９’がフレーム１の窪み壁面
でも反射して照度を向上させると共に、照度分布を均一
にする。そして、ガラス板３内に入光した光線９は屈折
して上面に到達する。一方、ガラス板３上面に搬送され
当接した原稿７があり、ガラス板３の上面に到達した光
線９が原稿７を照射して原稿７の情報に応じてガラス板
３の下面に向けて光線９を反射する。反射した光線９を
セルホックレンズアレイ４で集束する。そして、集束し
た光線９を受光センサー６が受光し、受光した光量に応
じてフォトキャリアを生じ蓄積される。
【００１２】この様に本発明の一実施例においては、セ
ルホックレンズアレイ４の側面に反射膜１０を設けてい
るので、ＬＥＤアレイ２より照射した光線９がセルホッ
クレンズアレイ４の側面に入射することもなく、反射膜
１０の表面で反射し、反射した光線９’はフレーム１の
窪みの壁面でも反射して照度を向上させると共に照度分
布を均一にするので、ＬＥＤアレイ２の発光量を増やさ
なくとも良いのである。そして、原稿７が高速度で送ら
れても、照度が向上し照度分布が均一であるから原稿７
は十分に照射されて反射し、反射した光線９を受光セン
サー６が受光するが、この受光した光量は十分なもので
ありフォトキャリアを生じ蓄積されてＳ／Ｎ比を向上さ
せることができる。
ルホックレンズアレイ４の側面に反射膜１０を設けてい
るので、ＬＥＤアレイ２より照射した光線９がセルホッ
クレンズアレイ４の側面に入射することもなく、反射膜
１０の表面で反射し、反射した光線９’はフレーム１の
窪みの壁面でも反射して照度を向上させると共に照度分
布を均一にするので、ＬＥＤアレイ２の発光量を増やさ
なくとも良いのである。そして、原稿７が高速度で送ら
れても、照度が向上し照度分布が均一であるから原稿７
は十分に照射されて反射し、反射した光線９を受光セン
サー６が受光するが、この受光した光量は十分なもので
ありフォトキャリアを生じ蓄積されてＳ／Ｎ比を向上さ
せることができる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明の密着型イメージセ
ンサーでは、ＬＥＤアレイと対向するセルホックレンズ
アレイの側面にＬＥＤアレイの光線を反射する反射膜を
設けたので、フレームの窪みの照度を向上させ、照度分
布を均一にすると共に、原稿の情報を高速度で送られて
も十分な光量の蓄積が得られ、Ｓ／Ｎ比を向上させるこ
とができる優れた密着型イメージセンサーを実現できる
ものである。
ンサーでは、ＬＥＤアレイと対向するセルホックレンズ
アレイの側面にＬＥＤアレイの光線を反射する反射膜を
設けたので、フレームの窪みの照度を向上させ、照度分
布を均一にすると共に、原稿の情報を高速度で送られて
も十分な光量の蓄積が得られ、Ｓ／Ｎ比を向上させるこ
とができる優れた密着型イメージセンサーを実現できる
ものである。
【図１】本発明の一実施例における密着型イメージセン
サーの断面図
サーの断面図
【図２】従来の密着型イメージセンサーの一部破断斜視
図
図
【図３】従来の密着型イメージセンサーの断面図
１ フレーム ２ ＬＥＤアレイ ３ ガラス板 ４ セルホックレンズアレイ ５ 回路基板 ６ 受光センサー ７ 原稿 ８ カバー ９，９’ 光線 １０ 反射膜
Claims (1)
- 【請求項１】原稿を照射するＬＥＤアレイと、前記ＬＥ
Ｄアレイを収容すると共に原稿で反射された光線を集束
するセルホックレンズアレイを収容する窪みが形成され
たフレームと、前記セルホックレンズアレイで集束され
た光線を受光する受光センサーを備え、前記ＬＥＤアレ
イと対向する前記セルホックレンズアレイの側面に前記
ＬＥＤアレイの光線を反射する反射膜を設けたことを特
徴とする密着型イメージセンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7119661A JPH08317127A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | 密着型イメージセンサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7119661A JPH08317127A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | 密着型イメージセンサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08317127A true JPH08317127A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=14766948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7119661A Pending JPH08317127A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | 密着型イメージセンサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08317127A (ja) |
-
1995
- 1995-05-18 JP JP7119661A patent/JPH08317127A/ja active Pending
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