JPH08315766A - イオン注入装置およびイオン注入方法 - Google Patents
イオン注入装置およびイオン注入方法Info
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- JPH08315766A JPH08315766A JP7116748A JP11674895A JPH08315766A JP H08315766 A JPH08315766 A JP H08315766A JP 7116748 A JP7116748 A JP 7116748A JP 11674895 A JP11674895 A JP 11674895A JP H08315766 A JPH08315766 A JP H08315766A
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- ions
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- slit plate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 イオン打ち込みに不要なイオンを的確に除去
し、最適なイオンマス分解能を短時間で得ることができ
るイオン注入装置およびイオン注入方法を提供するこ
と。 【構成】 本発明のイオン注入装置１は、質量分析部３
の後のスリット板４として各々縦方向に連続的に平行移
動する一対の縦スリット板４１ａ、４１ｂと、各々横方
向に連続的に平行移動する一対の横スリット板４２ａ、
４２ｂとを備えている。また、本発明イオン注入方法
は、スリット板４の縦横方向の隙間を連続的に変化さ
せ、質量分析部３にて分離した後のイオンの分布の絞り
込み量を調整して、基板１０への打ち込みを行うもので
ある。
し、最適なイオンマス分解能を短時間で得ることができ
るイオン注入装置およびイオン注入方法を提供するこ
と。 【構成】 本発明のイオン注入装置１は、質量分析部３
の後のスリット板４として各々縦方向に連続的に平行移
動する一対の縦スリット板４１ａ、４１ｂと、各々横方
向に連続的に平行移動する一対の横スリット板４２ａ、
４２ｂとを備えている。また、本発明イオン注入方法
は、スリット板４の縦横方向の隙間を連続的に変化さ
せ、質量分析部３にて分離した後のイオンの分布の絞り
込み量を調整して、基板１０への打ち込みを行うもので
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオン源から引き出し
たイオンを質量分析部にて分離し、所定の幅のスリット
板の隙間を介して基板へ打ち込むイオン注入装置および
イオン注入方法に関する。
たイオンを質量分析部にて分離し、所定の幅のスリット
板の隙間を介して基板へ打ち込むイオン注入装置および
イオン注入方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置の一つであるイオン注入
装置は、シリコン等の基板に対して所望のイオンを打ち
込み、不純物ドーピング処理を行うものである。イオン
注入装置はイオン源から引き出したイオンを質量分析部
を介して分離し、所望のイオンをスリット板の隙間を通
過させた後、加速管にて加速して基板への打ち込みを行
っている。
装置は、シリコン等の基板に対して所望のイオンを打ち
込み、不純物ドーピング処理を行うものである。イオン
注入装置はイオン源から引き出したイオンを質量分析部
を介して分離し、所望のイオンをスリット板の隙間を通
過させた後、加速管にて加速して基板への打ち込みを行
っている。
【０００３】このスリット板は、質量分析部を通過した
所望のイオンにおけるビーム幅をスリット幅によって制
限し、ビーム電流の調整を行うために用いられている。
従来のイオン注入装置では、スリット板が組み込まれた
スリットアパーチャ自体１つの部品となっており、固定
的なスリット幅を備えたスリットアパーチャを交換して
ビーム電流の調整を行っている。また、ロータリスリッ
トを備えたイオン注入装置では、複数のスリット幅を備
えたロータリスリットを回転させ、適切なスリット幅を
選択しビーム電流の調整を行っている。
所望のイオンにおけるビーム幅をスリット幅によって制
限し、ビーム電流の調整を行うために用いられている。
従来のイオン注入装置では、スリット板が組み込まれた
スリットアパーチャ自体１つの部品となっており、固定
的なスリット幅を備えたスリットアパーチャを交換して
ビーム電流の調整を行っている。また、ロータリスリッ
トを備えたイオン注入装置では、複数のスリット幅を備
えたロータリスリットを回転させ、適切なスリット幅を
選択しビーム電流の調整を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、いずれ
のイオン注入装置であってもスリット幅が固定的である
ため質量分析部を通過した後のイオンの絞り込みを行う
ことが困難となり、イオンマス分解能の調整を行いたい
場合に不便である。すなわち、図６に示すように、イオ
ンマススペクトルにおいてイオン注入に必要なイオン
（図中実線参照）の周辺には不要なイオン（図中２点鎖
線参照）があり、質量分析部で分離しきれない場合には
不要イオンも基板まで達してしまうことになる。したが
って、スリット幅が固定的であると、イオンマス分解能
を高めて不要なイオンの制限を行うことが非常に困難と
なる。
のイオン注入装置であってもスリット幅が固定的である
ため質量分析部を通過した後のイオンの絞り込みを行う
ことが困難となり、イオンマス分解能の調整を行いたい
場合に不便である。すなわち、図６に示すように、イオ
ンマススペクトルにおいてイオン注入に必要なイオン
（図中実線参照）の周辺には不要なイオン（図中２点鎖
線参照）があり、質量分析部で分離しきれない場合には
不要イオンも基板まで達してしまうことになる。したが
って、スリット幅が固定的であると、イオンマス分解能
を高めて不要なイオンの制限を行うことが非常に困難と
なる。
【０００５】特に、スリットアパーチャを備えるイオン
注入装置においては、イオンマス分解能の絞り込みを行
う場合にスリットアパーチャ自体を交換する必要があ
る。この交換を行うためにはチャンバ内の真空雰囲気を
一旦大気に開放し、交換後改めて真空雰囲気に戻す必要
があり、多大な時間を要することになる。また、ロータ
リアパーチャを備えるイオン注入装置では、段階的なス
リット幅の設定しかできないため、スリット幅とイオン
マス分解能との定量的な調整を行うには不十分である。
注入装置においては、イオンマス分解能の絞り込みを行
う場合にスリットアパーチャ自体を交換する必要があ
る。この交換を行うためにはチャンバ内の真空雰囲気を
一旦大気に開放し、交換後改めて真空雰囲気に戻す必要
があり、多大な時間を要することになる。また、ロータ
リアパーチャを備えるイオン注入装置では、段階的なス
リット幅の設定しかできないため、スリット幅とイオン
マス分解能との定量的な調整を行うには不十分である。
【０００６】よって、本発明はイオン打ち込みに不要な
イオンを的確に除去し、最適なイオンマス分解能を短時
間で得ることができるイオン注入装置およびイオン注入
方法を提供することを目的とする。
イオンを的確に除去し、最適なイオンマス分解能を短時
間で得ることができるイオン注入装置およびイオン注入
方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために成されたイオン注入装置およびイオン注入
方法である。すなわち、本発明のイオン注入装置は、イ
オン源から引き出したイオンを質量分析部にて分離し、
スリット板の隙間を介して所定のイオンのみを通過させ
て基板に打ち込む装置であり、このスリット板として、
各々縦方向に平行移動してその間隔が縦方向に対して連
続的に変化する一対の縦スリット板と、各々横方向に平
行移動してその間隔が横方向に対して連続的に変化する
一対の横スリット板とを備えているものを用いている。
成するために成されたイオン注入装置およびイオン注入
方法である。すなわち、本発明のイオン注入装置は、イ
オン源から引き出したイオンを質量分析部にて分離し、
スリット板の隙間を介して所定のイオンのみを通過させ
て基板に打ち込む装置であり、このスリット板として、
各々縦方向に平行移動してその間隔が縦方向に対して連
続的に変化する一対の縦スリット板と、各々横方向に平
行移動してその間隔が横方向に対して連続的に変化する
一対の横スリット板とを備えているものを用いている。
【０００８】また、本発明のイオン注入方法は、イオン
源から引き出したイオンを質量分析部にて分離し、スリ
ット板の隙間を介して所定のイオンのみを通過させて基
板に打ち込む方法であり、このスリット板の縦方向およ
び横方向の隙間を連続的に変化させ、質量分析部にて分
離した後のイオンの分布の絞り込み量を調整して、基板
への打ち込みを行うものである。
源から引き出したイオンを質量分析部にて分離し、スリ
ット板の隙間を介して所定のイオンのみを通過させて基
板に打ち込む方法であり、このスリット板の縦方向およ
び横方向の隙間を連続的に変化させ、質量分析部にて分
離した後のイオンの分布の絞り込み量を調整して、基板
への打ち込みを行うものである。
【０００９】
【作用】本発明のイオン注入装置では、質量分析部にて
分離した後のイオンを通過させるためのスリット板を、
一対の縦スリット板と一対の横スリット板とから構成し
ている。このため、一対の縦スリット板を各々縦方向に
平行移動させることでスリット板の縦方向の間隔が連続
的に変化し、一対の横スリット板を各々横方向に平行移
動させることでスリット板の横方向の間隔が連続的に変
化する状態となる。これによって、イオンが通過できる
スリット板の隙間を縦横各々連続的に変化させることが
でき、イオンマス分解能の連続的および定量的な調整を
行うことができるようになる。しかも、不要なイオンの
広がりを抑制しチャンバ内壁の不必要なスパッタリング
を低減できるようになる。
分離した後のイオンを通過させるためのスリット板を、
一対の縦スリット板と一対の横スリット板とから構成し
ている。このため、一対の縦スリット板を各々縦方向に
平行移動させることでスリット板の縦方向の間隔が連続
的に変化し、一対の横スリット板を各々横方向に平行移
動させることでスリット板の横方向の間隔が連続的に変
化する状態となる。これによって、イオンが通過できる
スリット板の隙間を縦横各々連続的に変化させることが
でき、イオンマス分解能の連続的および定量的な調整を
行うことができるようになる。しかも、不要なイオンの
広がりを抑制しチャンバ内壁の不必要なスパッタリング
を低減できるようになる。
【００１０】また、本発明のイオン注入方法では、イオ
ン打ち込みを行うにあたり、スリット板の縦方向および
横方向の隙間を連続的に変化させ、質量分析部にて分離
した後のイオンの分布の絞り込み量を調整しているた
め、基板に対する必要なイオンへの絞り込みを短時間で
決定することができるようになる。
ン打ち込みを行うにあたり、スリット板の縦方向および
横方向の隙間を連続的に変化させ、質量分析部にて分離
した後のイオンの分布の絞り込み量を調整しているた
め、基板に対する必要なイオンへの絞り込みを短時間で
決定することができるようになる。
【００１１】
【実施例】以下に、本発明のイオン注入装置およびイオ
ン注入方法における実施例を図に基づいて説明する。図
１は本発明におけるイオン注入装置を説明する図で、
（ａ）は全体図、（ｂ）はスリット板拡大図である。図
１（ａ）に示すように、本発明のイオン注入装置１は、
主として所定のイオンを引き出すためのイオン源２と、
イオン源２から引き出されたイオンをその質量に応じて
分離する質量分析部３と、分離されたイオンの絞り込み
を行うスリット板４と、イオンを基板１０に向けて加速
させる加速管５とを備えている。
ン注入方法における実施例を図に基づいて説明する。図
１は本発明におけるイオン注入装置を説明する図で、
（ａ）は全体図、（ｂ）はスリット板拡大図である。図
１（ａ）に示すように、本発明のイオン注入装置１は、
主として所定のイオンを引き出すためのイオン源２と、
イオン源２から引き出されたイオンをその質量に応じて
分離する質量分析部３と、分離されたイオンの絞り込み
を行うスリット板４と、イオンを基板１０に向けて加速
させる加速管５とを備えている。
【００１２】イオン源２にはガス源２１が備えれてお
り、所定のガスに基づくイオンを生成できるようになっ
ている。このイオン源２から引き出されたイオンには種
々の質量のものがあり、質量分析部３の分析磁石３１に
より基板１０への打ち込みに必要となるイオンのみがス
リット板４側へ進むよう調整される。
り、所定のガスに基づくイオンを生成できるようになっ
ている。このイオン源２から引き出されたイオンには種
々の質量のものがあり、質量分析部３の分析磁石３１に
より基板１０への打ち込みに必要となるイオンのみがス
リット板４側へ進むよう調整される。
【００１３】本発明のイオン注入装置１の特徴部分であ
るスリット板４は、図１（ｂ）に示すように、各々縦方
向に平行移動する縦スリット板４１ａ、４１ｂと、各々
横方向に平行移動する横スリット板４２ａ、４２ｂとが
組み合わされた構成となっている。縦スリット板４１
ａ、４１ｂおよび横スリット板４２ａ、４２ｂは各々モ
ータおよびエンコーダ（図示せず）等によってその移動
が正確に制御されており、この移動量に基づいてスリッ
ト板４の縦横各方向の隙間を正確に設定できるようにな
っている。
るスリット板４は、図１（ｂ）に示すように、各々縦方
向に平行移動する縦スリット板４１ａ、４１ｂと、各々
横方向に平行移動する横スリット板４２ａ、４２ｂとが
組み合わされた構成となっている。縦スリット板４１
ａ、４１ｂおよび横スリット板４２ａ、４２ｂは各々モ
ータおよびエンコーダ（図示せず）等によってその移動
が正確に制御されており、この移動量に基づいてスリッ
ト板４の縦横各方向の隙間を正確に設定できるようにな
っている。
【００１４】図２はスリット板を説明する図であり、
（ａ）は縦スリット板、（ｂ）は横スリット板を示すも
のである。図２（ａ）に示すように、一対の縦スリット
板４１ａ、４１ｂの縦方向への平行移動により、縦方向
に対する間隔ｄ1 が設定され、図２（ｂ）に示すよう
に、一対の横スリット板４２ａ、４２ｂの横方向への平
行移動により、横方向に対する間隔ｄ2 が設定される。
（ａ）は縦スリット板、（ｂ）は横スリット板を示すも
のである。図２（ａ）に示すように、一対の縦スリット
板４１ａ、４１ｂの縦方向への平行移動により、縦方向
に対する間隔ｄ1 が設定され、図２（ｂ）に示すよう
に、一対の横スリット板４２ａ、４２ｂの横方向への平
行移動により、横方向に対する間隔ｄ2 が設定される。
【００１５】図３は隙間の大きさを説明する図である。
すなわち、このスリット板４では、一対の縦スリット板
４１ａ、４１ｂおよび一対の横スリット板４２ａ、４２
ｂにより設定された縦方向および横方向の間隔（図２参
照）の重なり合いで所定の大きさの隙間Ｓ1 が構成され
る。図１（ａ）に示すイオン注入装置１のスリット板４
にこのような隙間Ｓ1 が構成されることで、イオン源２
から引き出され、質量分析部３で分離されたイオンは、
スリット板４の隙間Ｓ1 によってその縦方向および横方
向の分布が規制される状態となる。
すなわち、このスリット板４では、一対の縦スリット板
４１ａ、４１ｂおよび一対の横スリット板４２ａ、４２
ｂにより設定された縦方向および横方向の間隔（図２参
照）の重なり合いで所定の大きさの隙間Ｓ1 が構成され
る。図１（ａ）に示すイオン注入装置１のスリット板４
にこのような隙間Ｓ1 が構成されることで、イオン源２
から引き出され、質量分析部３で分離されたイオンは、
スリット板４の隙間Ｓ1 によってその縦方向および横方
向の分布が規制される状態となる。
【００１６】また、先に説明したように、縦スリット板
４１ａ、４１ｂおよび横スリット板４２ａ、４２ｂは各
々の方向に平行移動できるようになっている。このた
め、平行移動によってスリット板４の隙間を連続的に変
更できるようになっている。図４はスリット板４の隙間
の調整を説明する図である。
４１ａ、４１ｂおよび横スリット板４２ａ、４２ｂは各
々の方向に平行移動できるようになっている。このた
め、平行移動によってスリット板４の隙間を連続的に変
更できるようになっている。図４はスリット板４の隙間
の調整を説明する図である。
【００１７】すなわち、図４（ａ）に示すように、一対
の縦スリット板４１ａ、４１ｂの間隔を縦方向に広げ、
一対の横スリット板４２ａ、４２ｂの間隔を横方向に広
げることにより、図３に示す隙間Ｓ1 を図４（ａ）に示
す隙間Ｓ2 のように広げることが可能となる。一方、図
４（ｂ）に示すように、一対の縦スリット板４１ａ、４
１ｂの間隔を縦方向に縮め、一対の横スリット板４２
ａ、４２ｂの間隔を横方向に縮めることにより、図３に
示す隙間Ｓ1 を図４（ｂ）に示す隙間Ｓ3 のように狭く
することが可能となる。
の縦スリット板４１ａ、４１ｂの間隔を縦方向に広げ、
一対の横スリット板４２ａ、４２ｂの間隔を横方向に広
げることにより、図３に示す隙間Ｓ1 を図４（ａ）に示
す隙間Ｓ2 のように広げることが可能となる。一方、図
４（ｂ）に示すように、一対の縦スリット板４１ａ、４
１ｂの間隔を縦方向に縮め、一対の横スリット板４２
ａ、４２ｂの間隔を横方向に縮めることにより、図３に
示す隙間Ｓ1 を図４（ｂ）に示す隙間Ｓ3 のように狭く
することが可能となる。
【００１８】なお、図示しないが、一対の縦スリット板
４１ａ、４１ｂの間隔を縦方向に広げ、一対の横スリッ
ト板４２ａ、４２ｂの間隔を横方向に縮めたり、反対に
一対の縦スリット板４１ａ、４１ｂの間隔を縦方向に縮
め、一対の横スリット板４２ａ、４２ｂの間隔を横方向
に広げるようにすれば、スリット板４の隙間の縦横比を
自在に調整することができるようになる。
４１ａ、４１ｂの間隔を縦方向に広げ、一対の横スリッ
ト板４２ａ、４２ｂの間隔を横方向に縮めたり、反対に
一対の縦スリット板４１ａ、４１ｂの間隔を縦方向に縮
め、一対の横スリット板４２ａ、４２ｂの間隔を横方向
に広げるようにすれば、スリット板４の隙間の縦横比を
自在に調整することができるようになる。
【００１９】本発明のイオン注入装置１では、スリット
板４の隙間を連続的に調整することによって、基板１０
に打ち込まれるイオンのイオンマス分解能を定量的に制
御することが可能となる。図５はスリット幅と分解能と
の関係を示す図、図６は分解能を説明する図である。す
なわち、図５に示すように、一対の横スリット板４２
ａ、４２ｂの間隔であるスリット幅の変化に応じてボロ
ンイオン（Boron + 、Boron ++）のイオンマス分解能を
設定することができる。
板４の隙間を連続的に調整することによって、基板１０
に打ち込まれるイオンのイオンマス分解能を定量的に制
御することが可能となる。図５はスリット幅と分解能と
の関係を示す図、図６は分解能を説明する図である。す
なわち、図５に示すように、一対の横スリット板４２
ａ、４２ｂの間隔であるスリット幅の変化に応じてボロ
ンイオン（Boron + 、Boron ++）のイオンマス分解能を
設定することができる。
【００２０】図６に示すように、イオンマス分解能は、
必要なイオンの分布幅ｄを分布位置Ｄで割った値で示さ
れ、本発明のイオン注入装置１におけるスリット板４を
用いることで、イオンマス分解能を必要に応じて高めて
必要イオン（図中実線参照）の近傍に分布する不要イオ
ン（図中２点鎖線参照）、特に質量分析部３（図１
（ａ）参照）で分離しきれなかった不要イオンの通過を
規制し、必要イオンのみが基板１０へ到達するようにし
ている。
必要なイオンの分布幅ｄを分布位置Ｄで割った値で示さ
れ、本発明のイオン注入装置１におけるスリット板４を
用いることで、イオンマス分解能を必要に応じて高めて
必要イオン（図中実線参照）の近傍に分布する不要イオ
ン（図中２点鎖線参照）、特に質量分析部３（図１
（ａ）参照）で分離しきれなかった不要イオンの通過を
規制し、必要イオンのみが基板１０へ到達するようにし
ている。
【００２１】また、プロセスによっては質量分析部３で
分離したイオンのうち必要イオンと不要イオンとをスリ
ット板４で分ける必要のない場合もある。このような場
合には、特にスリット板４の隙間を厳密に制御すること
なく質量分析部３を通過した後のイオンを所定量通過さ
せるようにする。
分離したイオンのうち必要イオンと不要イオンとをスリ
ット板４で分ける必要のない場合もある。このような場
合には、特にスリット板４の隙間を厳密に制御すること
なく質量分析部３を通過した後のイオンを所定量通過さ
せるようにする。
【００２２】次に、本発明のイオン注入方法の説明を行
う。本発明では、図１に示す基板１０に対して所望のイ
オンを打ち込むにあたり、スリット板４の隙間を縦方向
および横方向に連続的に変化させ、質量分析部３にて分
離した後のイオンの分布の絞り込み量を連続的および定
量的に調整している。特に、このスリット板４の隙間の
連続的な変化からイオン打ち込みに至るまでの処理をほ
ぼ同一真空雰囲気内で行うようにしている。
う。本発明では、図１に示す基板１０に対して所望のイ
オンを打ち込むにあたり、スリット板４の隙間を縦方向
および横方向に連続的に変化させ、質量分析部３にて分
離した後のイオンの分布の絞り込み量を連続的および定
量的に調整している。特に、このスリット板４の隙間の
連続的な変化からイオン打ち込みに至るまでの処理をほ
ぼ同一真空雰囲気内で行うようにしている。
【００２３】つまり、本発明のイオン注入装置１におけ
るスリット板４を隙間の変化すなわち図１（ｂ）に示す
一対の縦スリット板４１ａ、４１ｂおよび一対の横スリ
ット板４２ａ、４２ｂを各々の方向に平行移動させる動
作をチャンバ１ａ内のほぼ同一真空雰囲気内で連続的に
行うようにする。これによって、スリット板４の隙間を
設定するにあたり、チャンバ１ａ内を大気に開放するこ
となく短時間でイオンの分布の絞り込みすなわちイオン
マス分解能の調整を行うことができるようになる。
るスリット板４を隙間の変化すなわち図１（ｂ）に示す
一対の縦スリット板４１ａ、４１ｂおよび一対の横スリ
ット板４２ａ、４２ｂを各々の方向に平行移動させる動
作をチャンバ１ａ内のほぼ同一真空雰囲気内で連続的に
行うようにする。これによって、スリット板４の隙間を
設定するにあたり、チャンバ１ａ内を大気に開放するこ
となく短時間でイオンの分布の絞り込みすなわちイオン
マス分解能の調整を行うことができるようになる。
【００２４】そして、スリット板４の隙間の縦方向およ
び横方向の大きさとイオンマス分解能との関係を定量的
に測定し、その隙間の大きさに基づいて最適なイオンマ
ス分解能を決定する。その後、決定したスリット板４の
隙間に設定した状態でイオン源２から所定のイオンを引
き出す処理を行う。引き出されたイオンは質量分析部３
にて分離され、所定の質量のイオンのみがスリット板４
の方向へ進むことになる。さらに、このイオンのうち、
先に設定したイオンマス分解能に応じた分布のイオンの
みがスリット板４の隙間を通過して基板１０に打ち込ま
れる状態となる。
び横方向の大きさとイオンマス分解能との関係を定量的
に測定し、その隙間の大きさに基づいて最適なイオンマ
ス分解能を決定する。その後、決定したスリット板４の
隙間に設定した状態でイオン源２から所定のイオンを引
き出す処理を行う。引き出されたイオンは質量分析部３
にて分離され、所定の質量のイオンのみがスリット板４
の方向へ進むことになる。さらに、このイオンのうち、
先に設定したイオンマス分解能に応じた分布のイオンの
みがスリット板４の隙間を通過して基板１０に打ち込ま
れる状態となる。
【００２５】また、他のイオンマス分解能を得たい場合
には、先に定量的に測定した結果に基づきスリット板の
縦方向および横方向の隙間の大きさを調整し、所望のイ
オンマス分解能を決定するようにする。このようなイオ
ン注入方法によって、短い時間で最適なイオンマス分解
能の調整を行い、所望のイオンを的確に基板１０へ打ち
込むことができるようになる。
には、先に定量的に測定した結果に基づきスリット板の
縦方向および横方向の隙間の大きさを調整し、所望のイ
オンマス分解能を決定するようにする。このようなイオ
ン注入方法によって、短い時間で最適なイオンマス分解
能の調整を行い、所望のイオンを的確に基板１０へ打ち
込むことができるようになる。
【００２６】さらに、スリット板４における一対の縦ス
リット板４１ａ、４１ｂの間隔を調整することにより、
図１（ａ）に示すスリット板４を通過した後のイオンの
広がりによってチャンバ１ａの内壁に衝突するイオンの
量を制限することができる。これにより、チャンバ１ａ
の内壁が不必要にスパッタリングされ、基板１０への打
ち込みに不要となる不純物イオンの生成を抑制できるこ
とになる。
リット板４１ａ、４１ｂの間隔を調整することにより、
図１（ａ）に示すスリット板４を通過した後のイオンの
広がりによってチャンバ１ａの内壁に衝突するイオンの
量を制限することができる。これにより、チャンバ１ａ
の内壁が不必要にスパッタリングされ、基板１０への打
ち込みに不要となる不純物イオンの生成を抑制できるこ
とになる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のイオン注
入装置およびイオン注入方法によれば次のような効果が
ある。すなわち、本発明のイオン注入装置によれば、ス
リット板の縦方向および横方向の隙間を連続的に変化さ
せることができるため、質量分析部を通過した後のイオ
ンマス分解能を連続的および定量的に制御することが可
能となる。しかも、プロセスに応じてイオンマス分解能
を高める必要がある場合と不要な場合とを１台の装置で
対応できるようになる。また、本発明のイオン注入方法
によれば、イオンマス分解能を定量的に調整でき、基板
へのイオン打ち込みに必要なイオンマス分解能を短時間
で決定することが可能となる。これによって、純度の高
いイオンを能率良く打ち込むことができ、信頼性の高い
デバイスを生産性良く製造することが可能となる。
入装置およびイオン注入方法によれば次のような効果が
ある。すなわち、本発明のイオン注入装置によれば、ス
リット板の縦方向および横方向の隙間を連続的に変化さ
せることができるため、質量分析部を通過した後のイオ
ンマス分解能を連続的および定量的に制御することが可
能となる。しかも、プロセスに応じてイオンマス分解能
を高める必要がある場合と不要な場合とを１台の装置で
対応できるようになる。また、本発明のイオン注入方法
によれば、イオンマス分解能を定量的に調整でき、基板
へのイオン打ち込みに必要なイオンマス分解能を短時間
で決定することが可能となる。これによって、純度の高
いイオンを能率良く打ち込むことができ、信頼性の高い
デバイスを生産性良く製造することが可能となる。
【図１】本発明のイオン注入装置を説明する図で、
（ａ）は全体図、（ｂ）はスリット板拡大図である。
（ａ）は全体図、（ｂ）はスリット板拡大図である。
【図２】スリット板を説明する図で、（ａ）は縦スリッ
ト板、（ｂ）は横スリット板を示すものである。
ト板、（ｂ）は横スリット板を示すものである。
【図３】隙間の大きさを説明する図である。
【図４】スリット板の隙間の調整を説明する図で、
（ａ）は広い状態、（ｂ）は狭い状態である。
（ａ）は広い状態、（ｂ）は狭い状態である。
【図５】スリット幅と分解能との関係を示す図である。
【図６】分解能を説明する図である。
１ イオン注入装置 ２ イオン源 ３ 質量分析部 ４ スリット板 ５ 加速管 １０ 基板 ４１ａ、４１ｂ 縦スリット板 ４２ａ、４２ｂ 横スリット板
Claims (3)
- 【請求項１】 イオン源から引き出したイオンを質量分
析部にて分離し、スリット板の隙間を介して所定のイオ
ンのみを通過させて基板に打ち込むイオン注入装置であ
って、 前記スリット板は、各々縦方向に平行移動してその間隔
が縦方向に対して連続的に変化する一対の縦スリット板
と、 各々横方向に平行移動してその間隔が横方向に対して連
続的に変化する一対の横スリット板とを備えていること
を特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項２】 イオン源から引き出したイオンを質量分
析部にて分離し、スリット板の隙間を介して所定のイオ
ンのみを通過させて基板に打ち込むイオン注入方法であ
って、 前記スリット板の縦方向および横方向の隙間を連続的に
変化させ、前記質量分析部にて分離した後のイオンの分
布の絞り込み量を調整して、前記基板への打ち込みを行
うことを特徴とするイオン注入方法。 - 【請求項３】 前記スリット板の縦方向および横方向の
隙間の連続的な変化から前記イオンの基板への打ち込み
に至るまでの処理をほぼ同一真空雰囲気内で行うことを
特徴とする請求項２記載のイオン注入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7116748A JPH08315766A (ja) | 1995-05-16 | 1995-05-16 | イオン注入装置およびイオン注入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7116748A JPH08315766A (ja) | 1995-05-16 | 1995-05-16 | イオン注入装置およびイオン注入方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08315766A true JPH08315766A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=14694795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7116748A Pending JPH08315766A (ja) | 1995-05-16 | 1995-05-16 | イオン注入装置およびイオン注入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08315766A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001308027A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2006156246A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Sumitomo Eaton Noba Kk | ビーム照射装置 |
| JP2007042300A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Sharp Corp | 質量分離装置、イオンビーム発生装置、機能素子、機能素子の製造方法およびイオンビーム発生方法 |
| WO2007114120A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Ihi Corporation | イオン注入装置 |
| JP2008282749A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Ihi Corp | イオン注入装置用の質量分析システムとその校正方法 |
| US10854418B2 (en) | 2017-11-22 | 2020-12-01 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implanter and method of controlling ion implanter |
-
1995
- 1995-05-16 JP JP7116748A patent/JPH08315766A/ja active Pending
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| KR101068345B1 (ko) * | 2006-03-31 | 2011-09-30 | 가부시키가이샤 아이에이치아이 | 이온 주입 장치 |
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| US10854418B2 (en) | 2017-11-22 | 2020-12-01 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implanter and method of controlling ion implanter |
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