JP2006156246A - ビーム照射装置 - Google Patents
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- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000006870 function Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 95
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 57
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 28
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 7
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 80
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 73
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 27
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 22
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 21
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 17
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 11
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000005591 charge neutralization Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
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- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
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- H01J27/024—Extraction optics, e.g. grids
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/023—Means for mechanically adjusting components not otherwise provided for
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
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- H01J37/02—Details
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- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
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- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
- H01J37/1474—Scanning means
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1478—Beam tilting means, i.e. for stereoscopy or for beam channelling
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- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/15—External mechanical adjustment of electron or ion optical components
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30472—Controlling the beam
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
- H01J2237/31705—Impurity or contaminant control
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Abstract
【解決手段】 イオン源1からのビームを、質量分析電磁石装置3ならびにビーム整形装置を通過させた後、ビームを横方向にスキャンする偏向走査装置7ならびにビーム平行化装置、加速/減速装置を経て後段のエネルギー分析装置によりエネルギー分析を行なった後、ウエハ23に照射するよう構成したビーム照射装置において、前記エネルギー分析装置として、静電、電磁の両機能を持つハイブリッド型の角度エネルギーフィルター18を設け、前記角度エネルギーフィルターの下流側には、照射されるべきイオン種に対応して切替えられる複数のエネルギースリットを持つマルチサーフェスエネルギースリット19を設置することにより、低エネルギーから高エネルギーまでの高電流ビームを、中性粒子、異種ドーパント、金属、パーティクル等のコンタミネーションが極めて少ない状態で、選択的に照射できるようにした。
【選択図】 図1
Description
これらは、基本的にバッチ式高電流イオン注入装置において使用されているものと同じものを用い、高電流ビームの引出し・分析ができるようにしている。但し、引出電極2は、上下・左右・水平チルト軸による前後の傾きを調整できる三軸調整構造とし、ビーム中心軸合わせに使えるようにした。図11に示されるように、引出電極2は、三軸駆動機構2−1により前後方向の移動、左右方向の移動、及びチルト軸に関して前後に傾動可能にされている。
直流四極電磁石(QD)5及び直流四極電磁石(QF)6によって、偏向走査装置7から下流側でのビーム断面を横(水平)方向に長い楕円形に整形する。偏向走査装置7より下流側では、ビームがスキャンされるので横方向のビーム通過領域が非常に広く、横方向にビームを収束する機器を置くことができない。従って、偏向走査装置7より下流側では、空間電荷効果によるビーム発散力が横方向にはあまり働かないようにしなければならない。これは、ビームの断面形状を横長にすることによって実現される。
数式(1−1)、(1−2)から分かるように、空間電荷効果は、ビームエネルギーの1.5乗に反比例して弱くなる。そこで、大電流ビームを輸送するためには、ビームエネルギーはできるだけ高い方が良い。しかし、ビームスキャン方式のイオン注入装置においては、ウエハ面内全体に同じ角度でビームを注入するためには、何らかの方法でスキャン後のビーム中心軌道を平行化しなければならない。減速P−レンズ10の電界は、イオンに、外側の軌道ほど内側に大きく曲がるような横方向の力を働かせる。このとき、同時にビーム軸方向にイオンを減速させる力が働く。このため、ビームエネルギーは、減速P−レンズ10を通過するときに数分の1に低下する。さらに、減速P−レンズ10から第1のA/Dコラム電極11の区間には強い電界がかかっているため、これらで挟まれた区間には電子がほとんど存在しない。このため、この区間ではビームに強い空間電荷効果が働く。
数式(2)において、Vextは引出電圧(イオン源1とターミナル37との間の電位差)、aは比例定数である。シンクロナイズド四極電磁石のコイル電流IQは、その磁場勾配に比例し、磁場勾配は図5に見られるように、(1−cosθ)に逆比例する。これらの比例係数と切片をb,cとすると、
IQ=b・(1−cosθ)+c (3)
となる。
数式(4)では、定数部分を整理して新たに係数A,Bで表してある。
静電式の減速P−レンズ10は、水平方向の収束作用でスキャンビームを平行化するが、鉛直方向にもかなり強い収束力を持つ。減速P−レンズ10通過後のビームは、放置すると、オーバーフォーカスによって、鉛直方向に急激に発散してしまう。この作用は、低エネルギービームで特に大きい。
電極や電磁石などのビームライン上の機器は、実際には設計通りの位置には設置されず、必ずわずかなアライメントエラーが生じている。例えば、質量分析電磁石装置3が、ビーム軸を回転軸として、わずかに回転していると、本来無いはずの水平方向の磁場成分が現れ、ビームをわずかに上下方向に偏向させる。四極電磁石のビーム軸と垂直な面内での平行移動誤差、電極のビーム軸に対する傾き、ビーム軸回りの回転誤差等も、ビームの中心軌道をわずかに曲げ、本来の設計軌道からビームを外す作用がある。これを放置すると、ウエハへのイオン注入角度が狂うだけでなく、ひどい場合には、輸送できるビーム電流が大幅に低下することになる。この問題に対する対策として、以下の中心軌道補正システムを搭載した。
b12Δθ1+b22Δθ2=−x2 (5)
ここで、b11,b21,b12,b22は、それぞれ質量分折電磁石装置3からビームプロファイルモニター15まで、水平方向のステアリング電磁石(STX)13からビームプロファイルモニター15まで、質量分析電磁石装置3からビームプロファイルモニター17まで、水平方向のステアリング電磁石(STX)13からビームプロファイルモニター17までの輸送行列の1行2列成分で、ビームオプティクスの計算によって理論的に求められる係数である。数式(5)を解けば、必要な偏向角θが以下の数式(6−1)、(6−2)で求められる。
(b21x2−b22x1)/(b11b22−b12b21) (6−1)
Δθ2=
(b12x1−b11x2)/(b11b22−b12b21) (6−2)
これは、鉛直方向についても同様である。
角度エネルギーフィルターとエネルギースリットは、枚葉式中電流イオン注入装置でも使われているが、AEF18は低エネルギー・高電流ビームの発散防止のため、電界と磁界とを切替え可能なハイブリット型にしてある。一方、エネルギースリット19は、図9に示すように、高電流ビームのスパッターによるクロスコンタミネーション防止のために、回転による三面自動切替式(実際は、ダイバージェンスマスク25がもう1面を使うので、回転による四面自動切替式)とし、B(またはBF2)、P、Asの各イオン種が同じ面を打たないようにしてある。なお、ダイバージェンスマスクは、直進式のものを用いても良い。
これは、磁界AEFの水平方向の磁場を利用して、AEFプラズマシャワー20から引出した電子をビームに供給する(ノーマルモード)ことによって、減速後の低エネルギービームのイオン電荷を中和するシステムである。あるいはまた、引出した電子を一次電子とし、電界AEFの電極をプラズマアーク室の壁、磁界AEFの磁界をプラズマ閉じこめ磁場として用い、ビームが通過する領域にプラズマを生成して多量に電子を供給する(プラズマボックスモード)ことによって、減速後の低エネルギービームのイオン電荷を中和するシステムでも良い。
プラズマシャワー22は、ウエハ23の帯電防止と同時に、AEF18とウエハ23間のビームに電子を供給してイオンの電荷を中和し、空間電荷効果を弱くする働きがある。
ビームダンプ24は、ウエハ近傍で最も多くのビームが当たる場所なので、汚染源としてのリスクが最も高い場所である。そこで、図16に示すように、ビームダンプ24を3つの回転式の三面構造体24−1,24−2,24−3で構成し、B(またはBF2)、P、Asのイオン種毎にビームの当たる面が自動的に切り替わるようにして、汚染を防止する。例えば、B(またはBF2)イオンを注入している時には三面構造体24−1、24−2、24−3の面24−1a、24−2a,24−3aがビーム照射方向を向き、Pイオンを注入している時には三面構造体24−1、24−2、24−3の面24−1b、24−2b、24−3bがビーム照射方向を向くようにしている。なお、図示の状態において三面構造体の隣接する頂点は重なり合うようにしてウエハに照射されなかったビームがビームダンプの底部に漏れないようにしている。このようなシステムを搭載することにより、高電流注入プロセスのクロスコンタミネーションレベルを低く抑えられる。
ダイバージェンスマスク25とビームプロファイルモニター17とで、水平方向のスキャン軌道の平行度と、ビームの発散角の測定系を構成している。図9に示すように、ダイバージェンスマスク25は、トリプルサーフェスエネルギースリット19と共に、羽板付きの二本の四角柱における第四面を使用している。ダイバージェンスマスク25の羽板の先端には凹凸が付いており、回転によって二枚の羽板の端が最も接近したとき、凸部25−1は符合してビームを遮断し、凹部25−2のみビームが通過できるようになっている。この状態で上流から下流を見ると、10個程度(図9では7個)の穴が一枚の板に明いているように見える。
電子サプレッション電極を、電子を吸収する正電圧の電極の前後、及び電子を加速する方向の電界ができる電極の手前に置いて、裸のイオンビームの持つポテンシャルより高い負電圧を印加する。これによって、電子を跳ね返し、ビームラインから電子が流失することを防ぐ。電子は、プラズマシャワーなどの積極的な供給系が無くとも、イオンがアパチャー周縁部に当たったり、残留ガスと衝突することによってある程度発生する。これをビームラインに保持し、ビーム電荷の中和に用いることで、輸送できるビーム電流が増える。
一般にイオン源とその電源はターミナル37の中(ターミナル電位の上)に置かれ、注入エネルギーは、イオン源電圧とターミナル電圧との和になる。この場合、エネルギー精度を上げようとすると、ターミナル高圧電源33及びターミナル37における全ての高圧電源の精度を上げなければならない。ターミナル37中で発生する放電も、直接注入エネルギーを変化させる。そこで、イオン源1をターミナル37の外に出し、アース電位から高電圧を印加すると、注入エネルギーがイオン源1の電位のみで決まるようにできる。この場合、このイオン高圧電源32の精度のみ上げれば、注入エネルギー精度が確保されることになる。ダイナミックレンジが1桁を大きく超える範囲で、電源精度を保証することは難しい。そこで、イオン源電圧を高エネルギー用と低エネルギー用に分け、それぞれ精度の良い電源装置を用いて自動切替えすることにより、0.2keV〜80keVの全エネルギー領域で、精度が保証されることになる。
2 引出電極
3 質量分析電磁石装置
4 質量分析スリット
5 上下方向集束用の直流四極電磁石(QD)
6 横方向集束用の直流四極電磁石(QF)
7 偏向走査装置
8 上下方向集束用のシンクロナイズド四極交流電磁石(syQD)
9 横方向集束用のシンクロナイズド四極交流電磁石(syQF)
10 減速式P−レンズ
11、12 第1、第2のA/Dコラム電極
13 水平方向中心軌道補正用のステアリング電磁石(STX)
14 鉛直方向中心軌道補正用のステアリング電磁石(STY)
15 二線式のビームプロファイルモニター
16 インジェクションファラデーカップ
17 ビームプロファイルモニター
18 角度エネルギーフィルター(AEF)
19 トリプルサーフェスエネルギースリット
20 AEFプラズマシャワー
21 永久磁石
22 プラズマシャワー
23 ウエハ
24 トリプルサーフェスビームダンプ
37 ターミナル
38 AEFチャンバー
39 プロセスチャンバー(真空処理室)
Claims (13)
- ビーム発生源からのイオンビームまたは荷電粒子ビーム(以下、ビームと総称する)を、前段の質量分析装置ならびにビーム整形装置を通過させた後、ビームを横方向にスキャンする偏向走査装置ならびにビーム平行化装置、加速/減速装置を経て後段のエネルギー分析装置によりエネルギー分析を行なった後、基板に照射するよう構成したビーム照射装置において、
前記後段のエネルギー分析装置として、静電、電磁の両機能を持つハイブリッド型の角度エネルギーフィルターを設け、
前記角度エネルギーフィルターの下流側には、照射されるべきイオン種に対応して切替えられる複数のエネルギースリットを持つマルチサーフェスエネルギースリットを設置することにより、低エネルギーから高エネルギーまでの高電流ビームを、中性粒子、異種ドーパント、金属、パーティクル等のコンタミネーションが極めて少ない状態で、選択的に照射できるようにしたことを特徴とするビーム照射装置。 - 請求項1に記載のビーム照射装置において、
前記マルチサーフェスエネルギースリットは、照射されるべきイオン種に対応したエネルギースリットがビームのスキャン面と直交する面内でビームを偏向し、所望のエネルギーのイオンのみを通過させることを特徴とするビーム照射装置。 - 請求項1または2に記載のビーム照射装置において、
前記マルチサーフェスエネルギースリットは、三種類のイオン種に対応した三面のエネルギースリットを一体化した三面の回転切替え式の構成を持つことを特徴とするビーム照射装置。 - 請求項1または2に記載のビーム照射装置において、
前記マルチサーフェスエネルギースリットは、三種類のイオン種に対応した三面のエネルギースリットと、ダイバージェンス測定用のマスクとを一体化した四面の回転切替え式の構成を持つことを特徴とするビーム照射装置。 - 請求項1または2に記載のビーム照射装置において、
回転式または直進式のダイバージェンス測定用のマスクをビーム平行化装置の後方に設けたことを特徴とするビーム照射装置。 - 請求項1または2に記載のビーム照射装置に適用され、
後段のエネルギー分析装置とエネルギースリットによるエネルギー分析のオートチューニングにおいて、後段のエネルギー分析装置を調整した後エネルギースリットで微調整するよう構成したエネルギー分析のオートチューニング装置。 - 請求項1〜5のいずれかに記載のビーム照射装置において、
更に、前記基板の下流側に、当該基板に照射されなかったビームを受けるとともにビーム電流計測機能を持つマルチサーフェスビームダンプを設置したことを特徴とするビーム照射装置。 - 請求項7に記載のビーム照射装置において、
該マルチサーフェスビームダンプは、照射されるべきイオン種に対応した複数の面を持つ少なくとも1つの複数面構造体を有するとともに、照射中のイオン種に対応した面がビームを受けるように回転によって切替可能な構成とされていることを特徴とするビーム照射装置。 - 請求項8に記載のビーム照射装置において、
前記マルチサーフェスビームダンプのイオン種に対応した複数面構造体の端部と端部は、照射中のビームを受ける時後方にビームが抜けていかないように互いにオーバーラップするよう構成されていることを特徴とするビーム照射装置。 - 請求項8または9に記載のビーム照射装置において、
前記マルチサーフェスエネルギースリットと前記マルチサーフェスビームダンプは、照射されるべきイオン種に応じて同時に切替えられることを特徴とするビーム照射装置。 - ビーム発生源からのイオンビームまたは荷電粒子ビーム(以下、ビームと総称する)を、前段の質量分析装置ならびにビーム整形装置を通過させた後、ビームを横方向にスキャンする偏向走査装置ならびにビーム平行化装置、加速/減速装置を経て後段のエネルギー分析装置によりエネルギー分析を行なった後、基板に照射するよう構成したビーム照射装置において、
前記前段の質量分析装置の下流側に、照射されるべきイオン種に対応して複数の質量分析スリットが設置され、
各質量分析スリットは、通常注入用スリット、高質量分解能を有する高分解能用スリット、及び小径の開口によるビーム中心軸合わせ用スリットの3つのスリットが一体的に構成されるとともに、通常注入用、高分解能用、ビーム中心軸合わせ用に切替えられるよう構成されており、しかも各質量分析スリットは、質量分析位置と後退位置との間で進退自在にされているとともに、イオン種に応じて前記質量分析位置がほぼ同じ位置となるよう調整可能に構成されていることを特徴とするビーム照射装置。 - 請求項1〜11のいずれかに記載のビーム照射装置において、
前記ビームは、その断面が円形あるいは一方向に長い長円形もしくは楕円形のビーム、またはその連続断面がスキャン方向に長い長円形状もしくは楕円形状となるよう偏向走査されるビームであることを特徴とするビーム照射装置。 - 請求項1〜11のいずれかに記載のビーム照射装置において、
前記ビームは、その断面が円形あるいはスキャン方向に長い長円形もしくは楕円形のビーム、またはその連続断面が一方向に長い長円形状もしくは楕円形状となるよう偏向走査されるビームで構成し、偏向走査装置より後方のビームラインに設けたアパチャー及び電極をグラファイトにより構成するとともに、スキャン方向に長いビームが、偏向走査装置より後方のビームラインの真空側壁に直接照射されないように各アパチャー及び各電極の間隔を接近して配置したことを特徴とするビーム照射装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004347499A JP4901094B2 (ja) | 2004-11-30 | 2004-11-30 | ビーム照射装置 |
US11/202,100 US7351987B2 (en) | 2004-11-30 | 2005-08-12 | Irradiation system with ion beam |
TW094128051A TWI375249B (en) | 2004-11-30 | 2005-08-17 | Irradiation system with ion beam and automatic tuning system |
EP05255331A EP1662543B1 (en) | 2004-11-30 | 2005-08-31 | Ion beam irradiation system for ion implantation |
KR1020050099007A KR101190114B1 (ko) | 2004-11-30 | 2005-10-20 | 이온 빔 조사 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004347499A JP4901094B2 (ja) | 2004-11-30 | 2004-11-30 | ビーム照射装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006156246A true JP2006156246A (ja) | 2006-06-15 |
JP4901094B2 JP4901094B2 (ja) | 2012-03-21 |
Family
ID=35033777
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004347499A Expired - Fee Related JP4901094B2 (ja) | 2004-11-30 | 2004-11-30 | ビーム照射装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7351987B2 (ja) |
EP (1) | EP1662543B1 (ja) |
JP (1) | JP4901094B2 (ja) |
KR (1) | KR101190114B1 (ja) |
TW (1) | TWI375249B (ja) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4901094B2 (ja) | 2012-03-21 |
TW200618024A (en) | 2006-06-01 |
US20060113466A1 (en) | 2006-06-01 |
EP1662543A3 (en) | 2009-11-04 |
TWI375249B (en) | 2012-10-21 |
EP1662543B1 (en) | 2012-03-14 |
KR20060060554A (ko) | 2006-06-05 |
KR101190114B1 (ko) | 2012-10-11 |
US7351987B2 (en) | 2008-04-01 |
EP1662543A2 (en) | 2006-05-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071112 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101006 |
|
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150113 Year of fee payment: 3 |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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