JPH08313594A - 半導体装置の試験データ処理装置及びその試験データ処理方法 - Google Patents

半導体装置の試験データ処理装置及びその試験データ処理方法

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JPH08313594A
JPH08313594A JP7120102A JP12010295A JPH08313594A JP H08313594 A JPH08313594 A JP H08313594A JP 7120102 A JP7120102 A JP 7120102A JP 12010295 A JP12010295 A JP 12010295A JP H08313594 A JPH08313594 A JP H08313594A
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Yasukazu Mukogawa
泰和 向川
Toru Koyama
小山  徹
Fumito Ota
文人 太田
Toshikazu Tsutsui
俊和 筒井
Yoji Masuko
洋治 益子
Masaaki Furuta
正昭 古田
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Mitsubishi Electric Corp
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Renesas Semiconductor Engineering Corp
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 試験データ処理装置(EWS)10は、テス
タ1から出力されたフェールビットマップデータを形状
認識する形状認識処理部13と、前記認識された形状デ
ータを分類処理して出力データテーブルを作成する形状
分類処理部15と、前記出力データテーブルに基づいて
統計処理して統計テーブルを作成する統計処理部16と
を備えた。 【効果】 テスタから出力されたデータの形状認識、形
状分類、統計処理が自動的にでき、処理時間を短縮でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体メモリあるい
はメモリ部分を持つ半導体ロジックデバイス等の半導体
装置の試験データ処理装置及びその試験データ処理方法
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のメモリ用テスタについて図13を
参照しながら説明する。図13は、従来のメモリ用テス
タの外観概略を示す図である。
【0003】図13において、1はテスタ、2はCRT
(表示装置)、キーボード、ポイティングデバイス(マ
ウス)等を備え、データ処理システム全体を制御した
り、試験データを処理するEWS(エンジニアリングワ
ークステーション)、3は駆動装置、4はウエハ、5は
ウエハ4を載せる台、6はウエハ4のチップのパッドに
接触して電気的試験を行うプローバ、7はプローバ6を
3次元的に移動する駆動腕である。
【0004】従来のテスタ1のEWS2から得られるデ
ータはH,Lの2値データであり、かつ2次元のテーブ
ル(フェールビットマップ)である。このフェールビッ
トマップはウエハ単位である。図14は、例えばEWS
2のCRTに表示された1つのチップの具体例を示す。
【0005】図14において、斜線部で示すHデータ
は、フェールビットマップ(x,y)(x=0,1,
2,3,〜m,y=0,1,2,3,〜n)上で、点、
線、面として出力される。Lデータはフェールビットマ
ップ上には出力されない。
【0006】従来は、この点、線、面の認識がされてい
なかった。この点、線、面の形状は、デバイスの不良原
因を推測する有効な情報であるが、形としての認識が自
動ではなされてなかった。このため解折者(作業者)が
目視で換算して数えていたため、非常に時間がかかって
いた。また、形状認識処理ができなかったために、形状
分類処理、統計処理も自動ではできなかった。
【0007】つまり、テスタ1から出力されるデータ
は、図14に示すように、視覚的に見えるが、斜線部の
Hデータが何の不良であるかは解析者が判断しなければ
ならなかった。従って、正確さに欠け、また作業時間も
かかっていた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
テスタでは、不良データを視覚的に解るように出力する
が、不良原因は解析者が判断しなければならず、正確さ
に欠け、また作業時間もかかっていたという問題点があ
った。
【0009】この発明は、前述した問題点を解決するた
めになされたもので、テスタから出力されたデータを自
動的に形状認識でき、かつ形状分類処理や統計処理が可
能な半導体装置の試験データ処理装置及びその試験デー
タ処理方法を得ることを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置の試験データ処理装置は、テスタから出力されたフェ
ールビットマップデータを形状認識する形状認識処理部
と、前記認識された形状データを分類処理して出力デー
タテーブルを作成する形状分類処理部と、前記出力デー
タテーブルに基づいて統計処理して統計テーブルを作成
する統計処理部とを備えたものである。
【0011】また、この発明に係る半導体装置の試験デ
ータ処理装置は、さらに、同一半導体装置に対する前記
テスタから出力された複数のテスト項目のデータと、前
記出力データテーブルと、あらかじめ記述された原因診
断ロジックテーブルとに基づいて形状原因を診断する診
断処理部を備えたものである。
【0012】また、この発明に係る半導体装置の試験デ
ータ処理装置は、さらに、前記形状原因のデータと、他
装置から出力された検査データとを重ね合わせて不良原
因を求めるデータ比較処理部を備えたものである。
【0013】また、この発明に係る半導体装置の試験デ
ータ処理方法は、フェールビットマップを1ビットづつ
走査するステップと、不良データが見つかった場合は8
方向の隣接ビットを調べ、前記8方向の全部の隣接ビッ
トが不良データでないときは形状データとしてBITと
認識するステップと、x軸方向右隣ビットが不良データ
であるときは形状データとしてWLINEと認識するス
テップと、y軸方向下隣ビットが不良データであるとき
は形状であるとしてBLINEと認識するステップと、
前記x軸方向右隣ビット及び前記y軸方向下隣ビット以
外の隣接ビットが不良データであるときは形状であると
してOTHERと認識するステップとを含むものであ
る。
【0014】また、この発明に係る半導体装置の試験デ
ータ処理方法は、フェールビットマップを1ビットづつ
全部走査するステップと、不良データが見つかった場合
はそのドットの座標データを不良データ座標テーブルに
順に格納するステップと、前記不良データ座標テーブル
から1づつ座標データを取り出し、前記フェールビット
マップの前記取り出した座標データのビットの8方向の
隣接ビットを調べ、前記8方向の全部の隣接ビットが不
良データでないときは形状データとしてBITと認識す
るステップと、x軸方向右隣ビットが不良データである
ときは形状データとしてWLINEと認識するステップ
と、y軸方向下隣ビットが不良データであるときは形状
であるとしてBLINEと認識するステップと、前記x
軸方向右隣ビット及び前記y軸方向下隣ビット以外の隣
接ビットが不良データであるときは形状であるとしてO
THERと認識するステップとを含むものである。
【0015】また、この発明に係る半導体装置の試験デ
ータ処理方法は、さらに、前記認識された形状データ
と、複数のテスト項目の結果に基づいた原因診断ロジッ
クテーブルと、テスタによる複数のテスト項目のデータ
とを組み合わせて形状原因を診断するステップとを含む
ものである。
【0016】さらに、この発明に係る半導体装置の試験
データ処理方法は、さらに、前記診断された形状原因の
データと、他装置から出力された検査データとを重ね合
わせて不良原因を求めるステップを含むものである。
【0017】
【作用】この発明に係る半導体装置の試験データ処理装
置においては、テスタから出力されたフェールビットマ
ップデータを形状認識する形状認識処理部と、前記認識
された形状データを分類処理して出力データテーブルを
作成する形状分類処理部と、前記出力データテーブルに
基づいて統計処理して統計テーブルを作成する統計処理
部とを備えたので、テスタから出力されたデータの形状
認識、形状分類、統計処理が自動的にでき、処理時間を
短縮できる。
【0018】また、この発明に係る半導体装置の試験デ
ータ処理装置においては、さらに、同一半導体装置に対
する前記テスタから出力された複数のテスト項目のデー
タと、前記出力データテーブルと、あらかじめ記述され
た原因診断ロジックテーブルとに基づいて形状原因を診
断する診断処理部を備えたので、形状原因を自動的に診
断できる。
【0019】また、この発明に係る半導体装置の試験デ
ータ処理装置においては、さらに、前記形状原因のデー
タと、他装置から出力された検査データとを重ね合わせ
て不良原因を求めるデータ比較処理部を備えたので、不
良原因を自動的に求めることができる。
【0020】また、この発明に係る半導体装置の試験デ
ータ処理方法においては、フェールビットマップを1ビ
ットづつ走査するステップと、不良データが見つかった
場合は8方向の隣接ビットを調べ、前記8方向の全部の
隣接ビットが不良データでないときは形状データとして
BITと認識するステップと、x軸方向右隣ビットが不
良データであるときは形状データとしてWLINEと認
識するステップと、y軸方向下隣ビットが不良データで
あるときは形状であるとしてBLINEと認識するステ
ップと、前記x軸方向右隣ビット及び前記y軸方向下隣
ビット以外の隣接ビットが不良データであるときは形状
であるとしてOTHERと認識するステップとを含むの
で、形状認識が自動的にでき、処理時間を短縮できる。
【0021】また、この発明に係る半導体装置の試験デ
ータ処理方法においては、フェールビットマップを1ビ
ットづつ全部走査するステップと、不良データが見つか
った場合はそのドットの座標データを不良データ座標テ
ーブルに順に格納するステップと、前記不良データ座標
テーブルから1づつ座標データを取り出し、前記フェー
ルビットマップの前記取り出した座標データのビットの
8方向の隣接ビットを調べ、前記8方向の全部の隣接ビ
ットが不良データでないときは形状データとしてBIT
と認識するステップと、x軸方向右隣ビットが不良デー
タであるときは形状データとしてWLINEと認識する
ステップと、y軸方向下隣ビットが不良データであると
きは形状であるとしてBLINEと認識するステップ
と、前記x軸方向右隣ビット及び前記y軸方向下隣ビッ
ト以外の隣接ビットが不良データであるときは形状であ
るとしてOTHERと認識するステップとを含むので、
形状認識が自動的にでき、処理時間をより短縮できる。
【0022】また、この発明に係る半導体装置の試験デ
ータ処理方法においては、さらに、前記認識された形状
データと、複数のテスト項目の結果に基づいた原因診断
ロジックテーブルと、テスタによる複数のテスト項目の
データとを組み合わせて形状原因を診断するステップと
を含むので、形状原因を自動的に診断できる。
【0023】さらに、この発明に係る半導体装置の試験
データ処理方法においては、さらに、前記診断された形
状原因のデータと、他装置から出力された検査データと
を重ね合わせて不良原因を求めるステップを含むので、
不良原因を自動的に求めることができる。
【0024】
【実施例】
実施例1.この発明の実施例1について図1、図2、図
3及び図4を参照しながら説明する。図1は、この発明
の実施例1に係る試験データ処理装置の機能ブロックを
示す図である。また、図2は、この実施例1の動作を示
すフローチャートである。さらに、図3及び図4は、こ
の実施例1の出力結果を示す図である。なお、各図中、
同一符号は同一又は相当部分を示す。
【0025】図1において、10は試験データ処理装置
であるEWS、11はメモリ用テスタ1のデータ出力部
とラインを介して接続されたデータ入力部、12はデー
タ保持部、13は形状認識処理部、14は加工データ保
持部、15は形状分類処理部、16は統計処理部、17
はデータ出力部である。なお、上記各部はソフトウエア
の各機能部を示す。
【0026】まず、メモリ用テスタ1から出力されるデ
ータ(フェールビットマップ)は図14のような構造に
なっている。このフェールビットマップは、m×nのメ
ッシュ(マトリックス)に区切られ、各1つのドット
(ビット)、あるいはピクセルごとにH,L(または
0,1)の2値化された情報が含まれている。それぞれ
のドットはx方向及びy方向にあらかじめ設定されたア
ドレス(x,y)をもっている。
【0027】つまり、任意のアドレス(x,y)を呼び
出せばそのアドレスのドットからHまたはLの2値化さ
れた情報を取り出せる。これを2次元的にあらわせば図
14のように表示出力できる。メモリデバイスの場合、
そのデバイスのセルアドレスが図14のアドレス(x,
y)と一致している。通常、HもしくはLデータがその
メモリデバイスのセルの不良をあらわすことに用いられ
る。この実施例ではHデータを不良として扱うことにす
る。
【0028】図14のフェールビットマップにおける不
良データ(Hデータ)の形状はテスタ1によるメモリデ
バイスのテスト内容によっては、その不良の原因を推測
するのに非常に有効であるが、その形状認識処理が従来
では自動でできなかった為に、作業者が目でみて判断し
形状の分類を点、線、面などのようにしていた。また、
その分類された点の数や線、面の数も同様に作業者が数
えており、非常に労力を有していた。
【0029】この実施例1は、テスタ1のデータ出力部
から出力されたデータ(フェールビットマップ(x,
y))をまずデータ入力部11を介してデータ保持部1
2で保持する。保存の時はテスタ1から出力されたウエ
ハ4のチップ単位ごとにファイルとして保存する。次
に、このデータをデータ保持部12から読みだし、形状
認識処理部13で形状認識される。この形状認識された
データは加工データ保持部14で保持され、次に、形状
分類処理部15、統計処理部16で処理され、再び、加
工データ保持部14で出力データテーブル(X,Y)、
統計データテーブルとして保持される。そして、このデ
ータはデータ出力部17から外部に出力される。
【0030】つぎに、この実施例1の形状認識、及び形
状分類の処理について図2のフローチャートを参照しな
がら説明する。
【0031】ステップ20〜21において、認識処理し
たいファイル(フェールビットマップ(x,y))を呼
び出す。また、(x,y)座標の最大値m、nを設定す
る。なお、説明を分かりやすくするために、フェールビ
ットマップ(x,y)を、この処理のなかでは入力デー
タテーブル(x,y)と称する。
【0032】ステップ22において、形状データ「ビッ
ト」、「ビットライン」、「ワードライン」、「その
他」毎のカウンタBIT、BLINE(1)、BLIN
E(2)、BLINE(3)、〜BLINE(n)、W
LINE(1)、WLINE(2)、WLINE
(3)、〜WLINE(m)、OTHERの初期値
「0」を設定する。ここで、BLINE及びWLINE
の()内は、それぞれの長さ(ビット数)を示してL及
びLLで表し、これらも初期値「0」を設定する。
【0033】ステップ23において、入力データテーブ
ル(x,y)の座標x=0,y=0として初期化する。
なお、チップ毎の出力データテーブル(X,Y)=
(0,0)として初期化しておく。
【0034】ステップ24において、入力データテーブ
ル(x,y)のドットの走査を開始する。ここで、該当
ドットのデータがLの場合、ステップ34でx座標が最
大値mでなかったら、次のステップ35でx=x+1と
して、次のドットを走査する。ステップ34でx座標が
最大値mであったらステップ36へ進み、このステップ
36でy座標が最大値nでなかったら、次のステップ3
7でy=y+1として、次のドットを走査する。ステッ
プ36でy座標が最大値nであったら終了とする。一
方、上記該当ドットのデータがHの場合、次のステップ
25へ進む。
【0035】ステップ25〜33において、上記(x,
y)のドットのデータがHの場合は、その8方向の隣接
ドットを走査する。それらの隣接ドットにHデータがな
かったら、形状データとして「ビット」を格納する。つ
まり、X=x,Y=yとして、出力データテーブル
(X,Y)=“BIT”とする。また、カウンタを更新
する。つまり、BIT=BIT+1とする。また、ステ
ップ25において、x(プラス)方向の隣接ドットにH
データがある場合、ステップ40へ進む。また、ステッ
プ29において、y(プラス)方向の隣接ドットにHデ
ータがある場合、ステップ50へ進む。さらに、ステッ
プ26、27、28、30、31、又は32において、
(x+1,y)及び(x,y+1)以外の隣接ドットに
Hデータがある場合、ステップ60へ進む。
【0036】ステップ40〜44において、入力データ
テーブル(x+1,y)のドットにHデータがあった場
合、x=x+1、LL=LL+1とし、入力データテー
ブル(x,y)のドットを走査する。そして、Lデータ
が見つかるまで、x方向の長さLLをカウントする。形
状データとして長さLLの「ワードライン」を格納す
る。つまり、座標をX=x−LL,Y=yとして、出力
データテーブル(X,Y)=“WLINE(LL)”と
する。また、カウンタWLINE(LL)=WLINE
(LL)+1として更新する。なお、x=x−LLとし
て、入力データテーブルのx座標の値を元に戻す。
【0037】ステップ50〜54において、入力データ
テーブル(x,y+1)のドットにHデータがあった場
合、y=y+1、L=L+1とし、入力データテーブル
(x,y)のドットを走査する。そして、Lデータが見
つかるまで、y方向の長さLをカウントする。形状デー
タとして長さLの「ビットライン」を格納する。つま
り、座標をX=x,Y=y−Lとして、出力データテー
ブル(X,Y)=“BLINE(L)”とする。また、
カウンタBLINE(L)=BLINE(L)+1とし
て更新する。なお、y=y−Lとして、入力データテー
ブルのy座標の値を元に戻す。
【0038】ステップ60において、入力データテーブ
ル(x+1,y)及び(x,y+1)以外の隣接ドット
にHデータがあった場合、形状データとして「その他」
を格納する。つまり、座標をX=x,Y=yとして、出
力データテーブル(X,Y)=“OTHER”とする。
また、カウンタOTHER=OTHER+1として更新
する。
【0039】上記処理フローは、入力データテーブル
(x,y)の各ドットを走査する座標を(0,0)、
(1,0)、(2,0)、(3,0)、〜(m,0)、
(0,1)、(1,1)、(2,1)、(3,1)、〜
(m,1)、(0,2)、(1,2)、(2,2)、
(3,2)、〜(m,2)、〜(0,n)、(1,
n)、(2,n)、(3,n)、〜(m,n)で与え
て,x軸優先で走査して不良データ(Hデータ)を検出
するもので、検出した不良データをその都度認識処理し
て形状分類するものである。なお、y軸優先で走査して
もよい。入力データテーブル(x,y)の各ドットは
H,Lの2値データを格納しているが、上記の認識、分
類処理を行うと、出力データテーブル(X,Y)に不良
データが存在する座標に対応して分類された形状データ
と、各カウンタに形状データ毎のカウント値とが得られ
る。
【0040】また、統計処理部16は、形状認識処理部
13及び形状分類処理部15によりフェールビットマッ
プ(x,y)のデータから形状認識、分類され、加工デ
ータ保持部14に格納された上記出力データテーブル
(X,Y)に基づいて、統計処理を行う。
【0041】例えば、統計処理部16は、形状毎の不良
数をカウントし、図3に示すような、不良座標と、不良
数と、不良名からなる統計テーブルを作成する。図3
は、図14に示すフェールビットマップ(x,y)の具
体例に基づいて作成したものである。同図において、フ
ェールビットマップの座標(1,1)に形状データとし
てBIT、座標(3,3)〜(3,5)に形状データと
して長さLLが3のWLINE(3)、座標(1,4)
〜(1,5)に形状データとして長さLが2のBLIN
E(2)が存在していたことを示す。
【0042】さらに、統計処理部16は、上記統計テー
ブルから図4に示す統計表も作成する。これら統計テー
ブルや統計表は、EWSのCRTに表示される。また、
プリンタによって印字(作表)される。
【0043】実施例2.上記実施例1は、フェールビッ
トマップ(x,y)の全ビットを走査しながら形状認
識、形状分類していたが、この実施例2は、最初にフェ
ールビットマップ(x,y)の全ビットを走査し、不良
データがあった座標(x,y)データを「不良データ座
標テーブル」として作成し、次にこの「不良データ座標
テーブル」に格納された座標データに基づいてフェール
ビットマップの該当ビットを上記実施例1と同様の形状
認識、分類するものである。従って、1回目の走査で不
良と認識したビットのみ形状認識、分類するので、トー
タルでの処理時間を短縮できる。
【0044】すなわち、上記実施例1と比較して、始め
にx軸優先でドットを走査し、Hデータがあるドットの
座標(x,y)を不良データ座標テーブルに順に格納す
る点が異なっている。ここで、Lデータを有するドット
の座標(x,y)は上記不良データ座標テーブルに格納
されない。次の認識分類処理は不良データ座標テーブル
に格納された座標(x,y)のドットを対称に行うの
で、Lデータを有するドットは認識分類処理が行われ
ず、処理速度の向上が計られる。
【0045】従って、「不良データ座標テーブル」に
は、Hデータを有していたドットの座標(x,y)デー
タが得られ、「出力データテーブル(X,Y)」に不良
データが存在する座標に対応して分類された形状データ
と、各「カウンタ」に形状データ毎のカウント値とが得
られる。なお、「良データ座標テーブル」に、Lデータ
を有していたドットの座標(x,y)データを順に格納
し、“Pass”という形状データとして認識してもよ
い。
【0046】実施例3.この発明の実施例3について図
5、図6、及び図7を参照しながら説明する。図5は、
この発明の実施例3に係る試験データ処理装置の機能ブ
ロックを示す図である。また、図6は、この実施例3に
係るテスタの出力データを示す図である。さらに、図7
は、この実施例3の出力結果を示す図である。
【0047】図5において、10Aは試験データ処理装
置であるEWS、11はメモリ用テスタ1のデータ出力
部とラインを介して接続されたデータ入力部、12はデ
ータ保持部、13は形状認識処理部、14は加工データ
保持部、15は形状分類処理部、16は統計処理部、1
7はデータ出力部である。
【0048】また、同図において、18は診断処理部、
19は診断ロジック内容保持部である。なお、上記各部
はソフトウエアの各機能部を示す。
【0049】形状認識処理部13、形状分類処理部1
5、及び統計処理部16については上記実施例1で説明
したので省略する。
【0050】まず、テスタ1より、同一サンプルでの複
数個のテストされた(テストA、テストB、テストC、
テストD、〜)データが、データ出力部を介して出力さ
れる。図6にテスタ1の出力データのイメージ図を示
す。個々のアドレス(ビット)はそれぞれテスト項目ご
との2値化されたHまたはLのデータを持つ。あらかじ
め、すべてのテスト項目の結果の組み合わせに対して、
診断ロジック内容保持部19にそれらのテストの結果を
引き起こす原因を「原因診断ロジックテーブル」として
記述しておく。メモリデバイスで言えば、不良工程や、
不良配線が該当する。
【0051】次に、形状原因の診断処理の手法を説明す
る。テスタ1より、データ入力部11、データ保持部1
2を介して複数個のテスト項目のデータが診断処理部1
8に出力される。この診断処理部18では、これらの複
数のテスト項目のデータと、形状認識処理部13より出
力される形状データとを、診断ロジック内容保持部19
に記述された「原因診断ロジックテーブル」と比較し
て、形状認識処理部13が認識した形状を引き起こす形
状原因を診断する。図7にその診断結果の出力例を示
す。
【0052】例えば、診断処理部18は、認識された形
状データがBITであり、テストA、テストB、テスト
C、及びテストDのデータが「H」、「H」、「H」及
び「L」である場合、形状原因として「工程A」である
と診断する。
【0053】実施例4.この発明の実施例4について図
8、図9、図10、図11、及び図12を参照しながら
説明する。図8は、この発明の実施例4に係る試験デー
タ処理装置を示すブロック図である。図9は、この発明
の実施例4の入力試験データの1つであって、テスタか
ら出力されたウエハ全体のデータを示す図である。図1
0は、他装置(異物検査装置)からの入力試験データで
あって、ウエハ全体のデータを示す図である。図11
は、この発明の実施例4の処理方法を説明するための図
である。図12は、この発明の実施例4の出力結果を示
す図である。
【0054】図8において、10Bは試験データ処理装
置であるEWSであって、上記各実施例で得られたデー
タと他装置70、71から出力されたデータを自動で比
較処理する機能を有するデータ比較処理部をもつもので
ある。
【0055】まず、上記各実施例で出力されたデータ
は、図9に示すフェールビットマップから得られた座標
アドレスと、そのアドレスごとに形状認識された形状デ
ータと、テスト項目毎のデータである。これらのデータ
が1枚のウエハを単位とするとそのアドレスはウエハ上
の位置に換算することも可能である。これは上記データ
比較処理部で行う。図9は、ウエハ中の不良分布(フェ
イルビットマップ)を示している。
【0056】次に、この同一ウエハはその生産工程の途
中で異物分布、膜厚分布、寸法分布、濃度分布のような
ウエハ面内情報でとられている。このデータは、各工程
ごとに図10のような形で出力される。図10は、異物
検査装置(他装置)から出力された例である。この例で
は、ウエハ上の異物の位置と異物情報(粒径他)を含ん
でいる。これら、テスタ1で出力されたデータと、他装
置70、71で出力されたデータとはデータ比較処理部
で同じ座標軸へそれぞれアドレス変換し、次に同部で重
ねあわせ処理を行う。
【0057】この重ねあわせ処理は具体的な例として、
次のものを示しておく。テスタ1で出力された不良は形
状によりBIT、BLINE、WLINE、OTHER
などのように分類される。
【0058】BIT率=(異物検査装置からのデータで
あって、異物が存在するアドレスと、テスタ1からのデ
ータであって、形状データとしてBITと認識分類され
たアドレスとが一致した総数)/(テスタ1からのデー
タであって、形状データとしてBITと認識分類された
アドレスの総数)
【0059】WLINE率=(異物検査装置からのデー
タであって、異物が存在するアドレスと、テスタ1から
のデータであって、形状データとしてWLINEと認識
分類されたアドレスとが一致した総数)/(テスタ1か
らのデータであって、形状データとしてWLINEと認
識分類されたアドレスの総数)
【0060】例えば、上記のように計算すると、図10
のデータが出力された工程で発見された異物がどのよう
な不良になっているかの相関を容易に入手できる。この
重ねあわせ処理の組み合わせ方は何通りにも行うことが
できる。なお、これらのデータのやりとりは、フロッピ
ィーディスク、MOのようなメディアを介してもよい
し、Ethernetのようなオンライン回線で接続してもよ
い。また、上記データ比較処理部は、実施例1、実施例
3の試験データ処理装置の内部に組み込まれてもよい。
【0061】もう少し具体的に説明すると以下のように
なる。例えばテスタ1から出力されるデータは電気的テ
ストの結果であり、他装置70、71から出力されるデ
ータはウエハ(チップ)上のゴミであるとすると、どち
らも図11に示す(a)図と(b)図のようなマップで
出力される。なお、他装置70、71から出力されるデ
ータはウエハ(チップ)上のゴミであるが、具体的には
ゴミの座標であって、フェールビットマップの座標系と
同じものである。
【0062】図11のようなテスト結果が得られたとす
ると、上記データ比較処理部は、これらのデータを重ね
合わせる。重ね合わせた結果、座標が一致した場合は、
BIT不良の原因はゴミ1によるものであるといえる。
図12に示すように、アドレス(x1,y1)では、工程
Aにおいてゴミ1によってBIT不良が発生していると
診断できる。また、アドレス(x2,y2)では、BIT
不良が発生しているがゴミがない場合を示す。不良の原
因は、いろいろな要素があり、ゴミはその要素の中の1
つである。他装置70、71は、要素を検査するもの
で、これから得られるデータを上記各実施例で得られた
テスト結果に組み込むことで不良の原因を突き止めるこ
とが可能となる。
【0063】
【発明の効果】この発明に係る半導体装置の試験データ
処理装置は、以上説明したとおり、テスタから出力され
たフェールビットマップデータを形状認識する形状認識
処理部と、前記認識された形状データを分類処理して出
力データテーブルを作成する形状分類処理部と、前記出
力データテーブルに基づいて統計処理して統計テーブル
を作成する統計処理部とを備えたので、テスタから出力
されたデータの形状認識、形状分類、統計処理が自動的
にでき、処理時間を短縮できるという効果を奏する。
【0064】また、この発明に係る半導体装置の試験デ
ータ処理装置は、以上説明したとおり、さらに、同一半
導体装置に対する前記テスタから出力された複数のテス
ト項目のデータと、前記出力データテーブルと、あらか
じめ記述された原因診断ロジックテーブルとに基づいて
形状原因を診断する診断処理部を備えたので、形状原因
を自動的に診断できるという効果を奏する。
【0065】また、この発明に係る半導体装置の試験デ
ータ処理装置は、以上説明したとおり、さらに、前記形
状原因のデータと、他装置から出力された検査データと
を重ね合わせて不良原因を求めるデータ比較処理部を備
えたので、不良原因を自動的に求めることができるとい
う効果を奏する。
【0066】また、この発明に係る半導体装置の試験デ
ータ処理方法は、以上説明したとおり、フェールビット
マップを1ビットづつ走査するステップと、不良データ
が見つかった場合は8方向の隣接ビットを調べ、前記8
方向の全部の隣接ビットが不良データでないときは形状
データとしてBITと認識するステップと、x軸方向右
隣ビットが不良データであるときは形状データとしてW
LINEと認識するステップと、y軸方向下隣ビットが
不良データであるときは形状であるとしてBLINEと
認識するステップと、前記x軸方向右隣ビット及び前記
y軸方向下隣ビット以外の隣接ビットが不良データであ
るときは形状であるとしてOTHERと認識するステッ
プとを含むので、形状認識が自動的にでき、処理時間を
短縮できるという効果を奏する。
【0067】また、この発明に係る半導体装置の試験デ
ータ処理方法は、以上説明したとおり、フェールビット
マップを1ビットづつ全部走査するステップと、不良デ
ータが見つかった場合はそのドットの座標データを不良
データ座標テーブルに順に格納するステップと、前記不
良データ座標テーブルから1づつ座標データを取り出
し、前記フェールビットマップの前記取り出した座標デ
ータのビットの8方向の隣接ビットを調べ、前記8方向
の全部の隣接ビットが不良データでないときは形状デー
タとしてBITと認識するステップと、x軸方向右隣ビ
ットが不良データであるときは形状データとしてWLI
NEと認識するステップと、y軸方向下隣ビットが不良
データであるときは形状であるとしてBLINEと認識
するステップと、前記x軸方向右隣ビット及び前記y軸
方向下隣ビット以外の隣接ビットが不良データであると
きは形状であるとしてOTHERと認識するステップと
を含むので、形状認識が自動的にでき、処理時間をより
短縮できるという効果を奏する。
【0068】また、この発明に係る半導体装置の試験デ
ータ処理方法は、以上説明したとおり、さらに、前記認
識された形状データと、複数のテスト項目の結果に基づ
いた原因診断ロジックテーブルと、テスタによる複数の
テスト項目のデータとを組み合わせて形状原因を診断す
るステップとを含むので、形状原因を自動的に診断でき
るという効果を奏する。
【0069】さらに、この発明に係る半導体装置の試験
データ処理方法は、以上説明したとおり、さらに、前記
診断された形状原因のデータと、他装置から出力された
検査データとを重ね合わせて不良原因を求めるステップ
を含むので、不良原因を自動的に求めることができると
いう効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施例1に係る試験データ処理装
置の機能ブロックを示す図である。
【図2】 この発明の実施例1の形状認識、形状分類処
理を示すフローチャートである。
【図3】 この発明の実施例1の出力結果を示す図であ
る。
【図4】 この発明の実施例1の出力結果を示す図であ
る。
【図5】 この発明の実施例3に係る試験データ処理装
置の機能ブロックを示す図である。
【図6】 この発明の実施例3の入力試験データを示す
図データ。
【図7】 この発明の実施例3の診断の出力結果を示す
図である。
【図8】 この発明の実施例4に係る試験データ処理装
置を示すブロック図である。
【図9】 この発明の実施例4の入力試験データを示す
図である。
【図10】 他装置(異物検査装置)からの入力試験デ
ータを示す図である。
【図11】 この発明の実施例4の処理方法を説明する
ための図である。
【図12】 この発明の実施例4の出力結果を示す図で
ある。
【図13】 従来の半導体装置の試験データ処理装置を
示す図である。
【図14】 従来の半導体装置の試験データ処理装置の
出力結果を示す図である。
【符号の説明】
1 テスタ、10、10A、10B 試験データ処理装
置(EWS)、11データ入力部、12 データ保持
部、13 形状認識処理部、14 加工データ保持部、
15 形状分類処理部、16 統計処理部、17 デー
タ出力部、18診断処理部、19 診断ロジック内容保
持部、70、71 他装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小山 徹 伊丹市瑞原4丁目1番地 三菱電機株式会 社ユー・エル・エス・アイ開発研究所内 (72)発明者 太田 文人 伊丹市瑞原4丁目1番地 三菱電機株式会 社ユー・エル・エス・アイ開発研究所内 (72)発明者 筒井 俊和 伊丹市瑞原4丁目1番地 三菱電機株式会 社ユー・エル・エス・アイ開発研究所内 (72)発明者 益子 洋治 伊丹市瑞原4丁目1番地 三菱電機株式会 社ユー・エル・エス・アイ開発研究所内 (72)発明者 古田 正昭 伊丹市瑞原四丁目1番地 菱電セミコンダ クタシステムエンジニアリング株式会社内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 テスタから出力されたフェールビットマ
    ップデータを形状認識する形状認識処理部、前記認識さ
    れた形状データを分類処理して出力データテーブルを作
    成する形状分類処理部、及び前記出力データテーブルに
    基づいて統計処理して統計テーブルを作成する統計処理
    部を備えたことを特徴とする半導体装置の試験データ処
    理装置。
  2. 【請求項2】 さらに、同一半導体装置に対する前記テ
    スタから出力された複数のテスト項目のデータと、前記
    出力データテーブルと、あらかじめ記述された原因診断
    ロジックテーブルとに基づいて形状原因を診断する診断
    処理部を備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体
    装置の試験データ処理装置。
  3. 【請求項3】 さらに、前記形状原因のデータと、他装
    置から出力された検査データとを重ね合わせて不良原因
    を求めるデータ比較処理部を備えたことを特徴とする請
    求項2記載の半導体装置の試験データ処理装置。
  4. 【請求項4】 フェールビットマップを1ビットづつ走
    査するステップ、不良データが見つかった場合は8方向
    の隣接ビットを調べ、前記8方向の全部の隣接ビットが
    不良データでないときは形状データとしてBITと認識
    するステップ、x軸方向右隣ビットが不良データである
    ときは形状データとしてWLINEと認識するステッ
    プ、y軸方向下隣ビットが不良データであるときは形状
    であるとしてBLINEと認識するステップ、並びに前
    記x軸方向右隣ビット及び前記y軸方向下隣ビット以外
    の隣接ビットが不良データであるときは形状であるとし
    てOTHERと認識するステップを含むことを特徴とす
    る半導体装置の試験データ処理方法。
  5. 【請求項5】 フェールビットマップを1ビットづつ全
    部走査するステップ、不良データが見つかった場合はそ
    のドットの座標データを不良データ座標テーブルに順に
    格納するステップ、前記不良データ座標テーブルから1
    づつ座標データを取り出し、前記フェールビットマップ
    の前記取り出した座標データのビットの8方向の隣接ビ
    ットを調べ、前記8方向の全部の隣接ビットが不良デー
    タでないときは形状データとしてBITと認識するステ
    ップ、x軸方向右隣ビットが不良データであるときは形
    状データとしてWLINEと認識するステップ、y軸方
    向下隣ビットが不良データであるときは形状であるとし
    てBLINEと認識するステップ、並びに前記x軸方向
    右隣ビット及び前記y軸方向下隣ビット以外の隣接ビッ
    トが不良データであるときは形状であるとしてOTHE
    Rと認識するステップを含むことを特徴とする半導体装
    置の試験データ処理方法。
  6. 【請求項6】 さらに、前記認識された形状データと、
    複数のテスト項目の結果に基づいた原因診断ロジックテ
    ーブルと、テスタによる複数のテスト項目のデータとを
    組み合わせて形状原因を診断するステップを含むことを
    特徴とする請求項4又は5記載の半導体装置の試験デー
    タ処理方法。
  7. 【請求項7】 さらに、前記診断された形状原因のデー
    タと、他装置から出力された検査データとを重ね合わせ
    て不良原因を求めるステップを含むことを特徴とする請
    求項6記載の半導体装置の試験データ処理方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6922799B2 (en) 2000-04-05 2005-07-26 Nec Corporation Semiconductor memory device and testing system and testing method
KR100488582B1 (ko) * 1997-10-14 2005-08-31 삼성전자주식회사 어드벤테스트를위한테스트프로그램을자동으로발생하는방법

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