JPH0547882A - Ｌｓｉパタン診断システム - Google Patents
Ｌｓｉパタン診断システムInfo
- Publication number
- JPH0547882A JPH0547882A JP3223640A JP22364091A JPH0547882A JP H0547882 A JPH0547882 A JP H0547882A JP 3223640 A JP3223640 A JP 3223640A JP 22364091 A JP22364091 A JP 22364091A JP H0547882 A JPH0547882 A JP H0547882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- unit
- defective
- case
- lsi
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Image Analysis (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パタンデータの中から製造プロセス上不良発
生頻度の高いパタン配置あるいはデバイス特性上加工精
度が要求されるパタン配置等が存在する領域を抽出す
る。 【構成】 パタンデータ１０１に対し、例えば不良事例
の重要度のランク１〜３までが生じ得る箇所を検出せよ
というコマンドがあると、検索条件作成部１０３は不良
事例データ処理部１０４を介して不良事例記憶部１０５
から重要度のランク１〜３の不良事例を検索する。ま
た、パタン配置抽出部１０７は不良が発生した近辺のパ
タンデータをパタンデータ１０１から抽出し、表示部１
０９に表示する。これにより、過去の不良事例を用いて
ＬＳＩパターンの診断がなされることを特徴としてい
る。
生頻度の高いパタン配置あるいはデバイス特性上加工精
度が要求されるパタン配置等が存在する領域を抽出す
る。 【構成】 パタンデータ１０１に対し、例えば不良事例
の重要度のランク１〜３までが生じ得る箇所を検出せよ
というコマンドがあると、検索条件作成部１０３は不良
事例データ処理部１０４を介して不良事例記憶部１０５
から重要度のランク１〜３の不良事例を検索する。ま
た、パタン配置抽出部１０７は不良が発生した近辺のパ
タンデータをパタンデータ１０１から抽出し、表示部１
０９に表示する。これにより、過去の不良事例を用いて
ＬＳＩパターンの診断がなされることを特徴としてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩの設計結果とし
て得られるパタンデータの中から、製造プロセス上不良
発生頻度の高いパタン配置あるいはデバイス特性上加工
精度が特に要求されるパタン配置等、クリティカルなパ
タン配置が存在する領域を抽出するＬＳＩパタン診断シ
ステムに関するもので、設計のデータのデザインルール
検証，ＬＳＩの製造工程の不良診断あるいはＬＳＩ製造
プロセスにおける加工条件の検討等の各作業工程に適用
されるものである。
て得られるパタンデータの中から、製造プロセス上不良
発生頻度の高いパタン配置あるいはデバイス特性上加工
精度が特に要求されるパタン配置等、クリティカルなパ
タン配置が存在する領域を抽出するＬＳＩパタン診断シ
ステムに関するもので、設計のデータのデザインルール
検証，ＬＳＩの製造工程の不良診断あるいはＬＳＩ製造
プロセスにおける加工条件の検討等の各作業工程に適用
されるものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ製造プロセスにおける診断に関
し、ダスト測定や寸法測長等の検査については次第に自
動化されてきているが、外観や加工形状等の高度な検査
においては相変らず目視の検査を欠かすことができない
状況にある。また、不良発生時にその発生箇所を特定す
る際にも目視による診断が不可欠である。大量生産用の
製造ラインのように、投入する品種や製造工程がほぼ固
定されている場合には、経験的に検査個所を特定するこ
とができるので、検査工程におけるオペレータは、その
定められた個所を検査すればよいし、不良発生時の検査
個所の特定も経験的に可能な場合が多い。
し、ダスト測定や寸法測長等の検査については次第に自
動化されてきているが、外観や加工形状等の高度な検査
においては相変らず目視の検査を欠かすことができない
状況にある。また、不良発生時にその発生箇所を特定す
る際にも目視による診断が不可欠である。大量生産用の
製造ラインのように、投入する品種や製造工程がほぼ固
定されている場合には、経験的に検査個所を特定するこ
とができるので、検査工程におけるオペレータは、その
定められた個所を検査すればよいし、不良発生時の検査
個所の特定も経験的に可能な場合が多い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、新機能
素子等の研究開発ラインや、ＡＳＩＣ製造ラインのよう
に多品種の製造ラインにおいては、特に配線層のパタン
データについては多種多様の品種が流れることになり、
(1)検査個所の特定が困難、 (2)プロセス加工条件の設
定が困難、 (3)歩留り向上・確保の対策設定が困難、
(4)不良発生個所の特定が困難、という問題が生じ、パ
タンデータ内でクリティカルな領域がどこにあるかの特
定は今後極めて重要な課題となる。
素子等の研究開発ラインや、ＡＳＩＣ製造ラインのよう
に多品種の製造ラインにおいては、特に配線層のパタン
データについては多種多様の品種が流れることになり、
(1)検査個所の特定が困難、 (2)プロセス加工条件の設
定が困難、 (3)歩留り向上・確保の対策設定が困難、
(4)不良発生個所の特定が困難、という問題が生じ、パ
タンデータ内でクリティカルな領域がどこにあるかの特
定は今後極めて重要な課題となる。
【０００４】パタン配置のチェクシステムとして、既に
ＤＲＣ（デザインルールチェッカ）がある。ＤＲＣはユ
ーザが定めたパタン配置のチェックルールに従って、厳
密に該当個所を検出するシステムであるが、このシステ
ムが真に効果を発揮するのは正しいパタン配置ルールが
定められた場合であることはいうまでもない。しかしな
がら、製造プロセスのノウハウを熟知した担当者でも、
上述のような多品種のライン等においては多品種に共通
で、しかも漏れのない正確なパタン配置のチェックルー
ルを各種のプロセス上の問題に対して正確に定めること
は困難である。
ＤＲＣ（デザインルールチェッカ）がある。ＤＲＣはユ
ーザが定めたパタン配置のチェックルールに従って、厳
密に該当個所を検出するシステムであるが、このシステ
ムが真に効果を発揮するのは正しいパタン配置ルールが
定められた場合であることはいうまでもない。しかしな
がら、製造プロセスのノウハウを熟知した担当者でも、
上述のような多品種のライン等においては多品種に共通
で、しかも漏れのない正確なパタン配置のチェックルー
ルを各種のプロセス上の問題に対して正確に定めること
は困難である。
【０００５】本発明は、上記の問題点を解決するため
に、過去に発生した不良事例をもとに、製造プロセス上
クリティカルな領域を検出し、その領域に関する位置情
報の提供やその近傍のパタンデータの表示、不良加工を
低減させるための加工条件検討用テストパタンの自動生
成等を可能にすることにより、検査やプロセス診断の効
率化を図ることを目的とするものである。
に、過去に発生した不良事例をもとに、製造プロセス上
クリティカルな領域を検出し、その領域に関する位置情
報の提供やその近傍のパタンデータの表示、不良加工を
低減させるための加工条件検討用テストパタンの自動生
成等を可能にすることにより、検査やプロセス診断の効
率化を図ることを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明にかかるＬＳＩパ
タン診断システムは、ＬＳＩの不良事例と不良事例が発
生した箇所のＬＳＩパタン配置との関係を保存しておく
不良事例記憶部と、不良事例記憶部への情報登録と参照
を行う不良事例データ処理部と、不良事例記憶部からの
情報をもとにパタン配置の検索条件を作成する検索条件
作成部と、この検索条件に合致するパタン配置位置を検
出するパタン配置検索部と、このパタン配置検索部によ
るパタン配置位置の検出結果をもとにパタン配置近傍の
パタンデータを抽出するパタン配置抽出部とからなるも
のである。
タン診断システムは、ＬＳＩの不良事例と不良事例が発
生した箇所のＬＳＩパタン配置との関係を保存しておく
不良事例記憶部と、不良事例記憶部への情報登録と参照
を行う不良事例データ処理部と、不良事例記憶部からの
情報をもとにパタン配置の検索条件を作成する検索条件
作成部と、この検索条件に合致するパタン配置位置を検
出するパタン配置検索部と、このパタン配置検索部によ
るパタン配置位置の検出結果をもとにパタン配置近傍の
パタンデータを抽出するパタン配置抽出部とからなるも
のである。
【０００７】
【作用】本発明においては、例えばパタンデータに対
し、不良事例の重要度のランクを指定した検出のコマン
ドがあると、検索条件作成部は不良事例データ処理部を
介して不良事例記憶部から指定された重要度のランクの
不良事例を検索する。また、パタン配置抽出部は不良が
発生した近辺のパタンデータをパタンデータから抽出
し、表示部に表示する。これにより、過去の不良事例を
用いてＬＳＩパターンの診断がなされる。
し、不良事例の重要度のランクを指定した検出のコマン
ドがあると、検索条件作成部は不良事例データ処理部を
介して不良事例記憶部から指定された重要度のランクの
不良事例を検索する。また、パタン配置抽出部は不良が
発生した近辺のパタンデータをパタンデータから抽出
し、表示部に表示する。これにより、過去の不良事例を
用いてＬＳＩパターンの診断がなされる。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の一実施例であるＬＳＩパタン
診断システムの構成図である。１０１はＬＳＩ設計シス
テムから出力されたパタンデータ、１０２はユーザイン
タフェース部、１０３は検索条件作成部、１０４は不良
事例データ処理部、１０５は不良事例記憶部、１０６は
パタン配置検索部、１０７はパタン配置抽出部、１０８
は印刷部、１０９は表示部、１１０は位置情報、１１１
は抽出パタンデータである。ところで、パタン配置に関
連した不良の事例として、配線パタンの細りがあげられ
る。三菱電機技報第６５巻第２号ｐ．１４１（１９９
１）にあるように、アルミニウム合金は光の反射率が高
く、段差のある近辺に微細配線がある場合には、段差に
よって生じたアルミニウム合金の凹凸部からのハレーシ
ョンにより加工後の配線幅に細りが生じることがある。
この段差は、下層のポリシリコンパタンのエッジ等によ
って発生したものである。例えば、このような事例をは
じめ、パタンの配置に関連した不良事例をユーザインタ
フェース部１０２を介して、不良事例データ処理部１０
４により、不良事例記憶部１０５にあらかじめ登録して
おく。この場合の登録情報は、現象：配線パタンの細
り、発生場所：ポリシリコンパタン近辺の微細配線パ
タン、原因：アルミニウム合金膜からの光の反射によ
るハレーション、重要度：１０段階評価でランク２、
その他の情報：配線幅０．８μｍで観測、の５種類の
情報である。このように、パタン配置に関連した不良が
発生した都度、その詳細情報を不良事例記憶部１０５に
蓄積する。
診断システムの構成図である。１０１はＬＳＩ設計シス
テムから出力されたパタンデータ、１０２はユーザイン
タフェース部、１０３は検索条件作成部、１０４は不良
事例データ処理部、１０５は不良事例記憶部、１０６は
パタン配置検索部、１０７はパタン配置抽出部、１０８
は印刷部、１０９は表示部、１１０は位置情報、１１１
は抽出パタンデータである。ところで、パタン配置に関
連した不良の事例として、配線パタンの細りがあげられ
る。三菱電機技報第６５巻第２号ｐ．１４１（１９９
１）にあるように、アルミニウム合金は光の反射率が高
く、段差のある近辺に微細配線がある場合には、段差に
よって生じたアルミニウム合金の凹凸部からのハレーシ
ョンにより加工後の配線幅に細りが生じることがある。
この段差は、下層のポリシリコンパタンのエッジ等によ
って発生したものである。例えば、このような事例をは
じめ、パタンの配置に関連した不良事例をユーザインタ
フェース部１０２を介して、不良事例データ処理部１０
４により、不良事例記憶部１０５にあらかじめ登録して
おく。この場合の登録情報は、現象：配線パタンの細
り、発生場所：ポリシリコンパタン近辺の微細配線パ
タン、原因：アルミニウム合金膜からの光の反射によ
るハレーション、重要度：１０段階評価でランク２、
その他の情報：配線幅０．８μｍで観測、の５種類の
情報である。このように、パタン配置に関連した不良が
発生した都度、その詳細情報を不良事例記憶部１０５に
蓄積する。
【０００９】次に、実際の検査工程での動作について述
べる。例えば、多品種が流れているラインにおいて、新
品種のＬＳＩの設計が完了した後、本発明のＬＳＩパタ
ン診断システムを用いてパタンデータ１０１内から検査
工程における検査個所を求める。ユーザインタフェース
部１０２から一例として、「パタンデータ１０１に対し
て、不良事例の重要度のランク１から３までが生じうる
個所を検出せよ」というコマンドが入力される。検索条
件作成部１０３は、不良事例データ処理部１０４を介し
て不良事例記憶部１０５から重要度のランク１から３ま
での相当する不良事例を検索する。この中には、上記の
配線パタンの細りの事例が含まれ、それがポリシリコン
パタンエッジ近辺の微細配線パタンに対して発生するこ
とを知る。また、その配線幅は過去の事例から０．８μ
ｍ以下の微細配線に対して発生したことを知る。その結
果は、ユーザインタフェース部１０２に知らされる。こ
の事例をもとに、パタン配置検索部１０６は新しく得ら
れたパタンデータ１０１から事例に該当する個所、すな
わち「０．８μｍ以下の微細配線がポリシリコンパタン
のエッジ付近に存在する個所」を求め、その結果をその
位置情報１１０として保存する。パタン配置抽出部１０
７は、不良が発生した近辺のパタンデータを位置情報１
１０をもとにパタンデータ１０１から抽出し、表示部１
０９に表示するとともに、抽出パタンデータ１１１とし
て格納しておく。
べる。例えば、多品種が流れているラインにおいて、新
品種のＬＳＩの設計が完了した後、本発明のＬＳＩパタ
ン診断システムを用いてパタンデータ１０１内から検査
工程における検査個所を求める。ユーザインタフェース
部１０２から一例として、「パタンデータ１０１に対し
て、不良事例の重要度のランク１から３までが生じうる
個所を検出せよ」というコマンドが入力される。検索条
件作成部１０３は、不良事例データ処理部１０４を介し
て不良事例記憶部１０５から重要度のランク１から３ま
での相当する不良事例を検索する。この中には、上記の
配線パタンの細りの事例が含まれ、それがポリシリコン
パタンエッジ近辺の微細配線パタンに対して発生するこ
とを知る。また、その配線幅は過去の事例から０．８μ
ｍ以下の微細配線に対して発生したことを知る。その結
果は、ユーザインタフェース部１０２に知らされる。こ
の事例をもとに、パタン配置検索部１０６は新しく得ら
れたパタンデータ１０１から事例に該当する個所、すな
わち「０．８μｍ以下の微細配線がポリシリコンパタン
のエッジ付近に存在する個所」を求め、その結果をその
位置情報１１０として保存する。パタン配置抽出部１０
７は、不良が発生した近辺のパタンデータを位置情報１
１０をもとにパタンデータ１０１から抽出し、表示部１
０９に表示するとともに、抽出パタンデータ１１１とし
て格納しておく。
【００１０】次に、実際の検査工程においては、検査工
程のオペレータが出力された位置情報１１０の座標をも
とにステージを移動して、検査個所を目視観察する。な
お、この時、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にインタフェ
ースを作成しておき、検出された一座標をＳＥＭのステ
ージの移動先座標としてオンラインで渡せば、問題個所
のＳＥＭ画像をただちに観察できることはいうまでもな
い。オペレータはランクの高い不良事例に対応するもの
から順次チェックし、不良が検出されなくなるところま
で観察作業を続ける。１つの不良事例に対して、位置情
報１１０が大量に存在することもあり得るが、このよう
な場合には、パタン配置検索部１０６は１つの不良事例
に対するクリティカルな領域がパタンデータ１０１内に
何個存在し、その位置がチップ上のどこにあるかを表示
し、オペレータの判断をあおぐことになる。
程のオペレータが出力された位置情報１１０の座標をも
とにステージを移動して、検査個所を目視観察する。な
お、この時、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にインタフェ
ースを作成しておき、検出された一座標をＳＥＭのステ
ージの移動先座標としてオンラインで渡せば、問題個所
のＳＥＭ画像をただちに観察できることはいうまでもな
い。オペレータはランクの高い不良事例に対応するもの
から順次チェックし、不良が検出されなくなるところま
で観察作業を続ける。１つの不良事例に対して、位置情
報１１０が大量に存在することもあり得るが、このよう
な場合には、パタン配置検索部１０６は１つの不良事例
に対するクリティカルな領域がパタンデータ１０１内に
何個存在し、その位置がチップ上のどこにあるかを表示
し、オペレータの判断をあおぐことになる。
【００１１】図２は、本発明の別の実施例であるＬＳＩ
パタン診断システムの構成図である。新品種をラインに
投入する前に、加工上最も厳しい個所が現プロセス条件
下で問題ないか否かを形状シュミレータを使用して、あ
らかじめ確認するためのシステムである。過去の不良事
例とパタンの配置との関係については、図１での説明と
同様に、不良事例記憶部１０５にあらかじめ登録されて
いる。ユーザインタフェース部１０２からは、一例とし
て「不良事例の中で重要度の最も高いパタン配置個所を
取り出し、その部分の形状をシミュレートせよ」という
コマンドが入力される。このコマンドが入力されると、
検索条件作成部１０３は、不良事例データ処理部１０４
を介して不良事例記憶部１０５から不良事例の重要度を
示すランク値の最も高い不良事例を取り出し、その不良
事例を起こすパタン配置を取得する。次に、パタン配置
検索部１０６は、取り出されたパタン配置に合致する個
所をパタンデータ１０１の中から検出する。続いて、パ
タン配置抽出部１０７は、検出された個所の近傍のパタ
ンデータを、パタンデータ１０１の中から取り出し抽出
パタンデータ１１１とする。形状シミュレータ２０１
は、この抽出パタンデータ１１１からシミュレーション
の初期形状を作成して、製造工程における形状の変化を
シミュレートし、その結果を表示部２０２に表示する。
工程の管理者はこの形状を確認し、問題がなければ新品
種をラインに投入することを決定する。
パタン診断システムの構成図である。新品種をラインに
投入する前に、加工上最も厳しい個所が現プロセス条件
下で問題ないか否かを形状シュミレータを使用して、あ
らかじめ確認するためのシステムである。過去の不良事
例とパタンの配置との関係については、図１での説明と
同様に、不良事例記憶部１０５にあらかじめ登録されて
いる。ユーザインタフェース部１０２からは、一例とし
て「不良事例の中で重要度の最も高いパタン配置個所を
取り出し、その部分の形状をシミュレートせよ」という
コマンドが入力される。このコマンドが入力されると、
検索条件作成部１０３は、不良事例データ処理部１０４
を介して不良事例記憶部１０５から不良事例の重要度を
示すランク値の最も高い不良事例を取り出し、その不良
事例を起こすパタン配置を取得する。次に、パタン配置
検索部１０６は、取り出されたパタン配置に合致する個
所をパタンデータ１０１の中から検出する。続いて、パ
タン配置抽出部１０７は、検出された個所の近傍のパタ
ンデータを、パタンデータ１０１の中から取り出し抽出
パタンデータ１１１とする。形状シミュレータ２０１
は、この抽出パタンデータ１１１からシミュレーション
の初期形状を作成して、製造工程における形状の変化を
シミュレートし、その結果を表示部２０２に表示する。
工程の管理者はこの形状を確認し、問題がなければ新品
種をラインに投入することを決定する。
【００１２】図３は、本発明の別の実施例であるＬＳＩ
パタン診断システムの構成図である。検査工程で配線の
細りが検出されたが、この原因が不明である場合に、過
去の事例からこの原因を突き止めるとともに、どのよう
なプロセス条件で製造すれば、この不良を除去できるの
かを検討するためのテストパタンを自動生成するシステ
ムである。過去の不良事例とパタンの配置の関係につい
ては、図１での説明と同様に、不良事例記憶部１０５に
あらかじめ登録されている。ユーザインタフェース部１
０２からは、一例として、配線抵抗が高いという現象が
発生し、これを配線パタンの細りによるものと推測した
場合、「不良事例の中で、不良の発生形態が配線の細り
として生じるものすべて検索せよ」というコマンドが入
力される。このコマンドが入力されると、検索条件作成
部１０３は、不良事例データ処理部１０４を介して不良
事例記憶部１０５から配線の細りという不良事例を検索
し、その不良事例に対応するパタン配置を取得する。こ
こでは、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの４つの不良事例が取り出され
たとする。次に、パタン配置検索部１０６は、各不良事
例に対応して取り出されたパタン配置に合致する個所を
パタンデータ１０１の中からそれぞれ検出する。簡単の
ために、不良事例Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄに対して１箇所づつの
座標が検出され、計４個所の座標が検出されたとする。
続いて、パタン配置抽出部１０７は検出された４個所の
近傍のパタンデータを、パタンデータ１０１の中から取
り出し、抽出パタンデータ１１１とする。さらに、パタ
ン配置抽出部１０７は、取り出した４種のパタンデータ
を、例えば５個ずつチップ上に隅から配置してゆき、テ
ストパタンを作成する。図４はこのようなテストパタン
の例である。４０１はある不良事例Ａを起こしたことが
あるパタン配置、４０２はある不良事例Ｂを起こしたこ
とがあるパタン配置、４０３はある不良事例Ｃを起こし
たことがあるパタン配置、４０４はある不良事例Ｄを起
こしたことがあるパタン配置を、それぞれえｎ個づつ並
べて配置したパタンである。このようにして生成された
テストパタンをラインに投入した結果、ある不良事例Ａ
とＣを起こしたことがあるパタン配置にのみ、配線の細
りが発生することがわかったとする。この時、不良事例
記憶部１０５内には、この不良事例ＡとＣを起こす原因
が格納されているので、原因追求ができることになる。
また、このテストパタンを用いて、プロセス条件を各種
変更することにより、このＡとＣの不良の発生を抑える
プロセス条件の検討も可能である。なお、図３に示すよ
うに、テストパタンをパタンデータ３０１，３０２……
のように、複数の品種のパタンデータから作成すること
が可能なことはいうまでもない。
パタン診断システムの構成図である。検査工程で配線の
細りが検出されたが、この原因が不明である場合に、過
去の事例からこの原因を突き止めるとともに、どのよう
なプロセス条件で製造すれば、この不良を除去できるの
かを検討するためのテストパタンを自動生成するシステ
ムである。過去の不良事例とパタンの配置の関係につい
ては、図１での説明と同様に、不良事例記憶部１０５に
あらかじめ登録されている。ユーザインタフェース部１
０２からは、一例として、配線抵抗が高いという現象が
発生し、これを配線パタンの細りによるものと推測した
場合、「不良事例の中で、不良の発生形態が配線の細り
として生じるものすべて検索せよ」というコマンドが入
力される。このコマンドが入力されると、検索条件作成
部１０３は、不良事例データ処理部１０４を介して不良
事例記憶部１０５から配線の細りという不良事例を検索
し、その不良事例に対応するパタン配置を取得する。こ
こでは、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの４つの不良事例が取り出され
たとする。次に、パタン配置検索部１０６は、各不良事
例に対応して取り出されたパタン配置に合致する個所を
パタンデータ１０１の中からそれぞれ検出する。簡単の
ために、不良事例Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄに対して１箇所づつの
座標が検出され、計４個所の座標が検出されたとする。
続いて、パタン配置抽出部１０７は検出された４個所の
近傍のパタンデータを、パタンデータ１０１の中から取
り出し、抽出パタンデータ１１１とする。さらに、パタ
ン配置抽出部１０７は、取り出した４種のパタンデータ
を、例えば５個ずつチップ上に隅から配置してゆき、テ
ストパタンを作成する。図４はこのようなテストパタン
の例である。４０１はある不良事例Ａを起こしたことが
あるパタン配置、４０２はある不良事例Ｂを起こしたこ
とがあるパタン配置、４０３はある不良事例Ｃを起こし
たことがあるパタン配置、４０４はある不良事例Ｄを起
こしたことがあるパタン配置を、それぞれえｎ個づつ並
べて配置したパタンである。このようにして生成された
テストパタンをラインに投入した結果、ある不良事例Ａ
とＣを起こしたことがあるパタン配置にのみ、配線の細
りが発生することがわかったとする。この時、不良事例
記憶部１０５内には、この不良事例ＡとＣを起こす原因
が格納されているので、原因追求ができることになる。
また、このテストパタンを用いて、プロセス条件を各種
変更することにより、このＡとＣの不良の発生を抑える
プロセス条件の検討も可能である。なお、図３に示すよ
うに、テストパタンをパタンデータ３０１，３０２……
のように、複数の品種のパタンデータから作成すること
が可能なことはいうまでもない。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＬＳＩの不良事例と不良事例が発生した箇所のＬＳＩパ
タン配置との関係を保存しておく不良事例記憶部と、不
良事例記憶部への情報登録と参照を行う不良事例データ
処理部と、不良事例記憶部からの情報をもとにパタン配
置の検索条件を作成する検索条件作成部と、この検索条
件に合致するパタン配置位置を検出するパタン配置検索
部と、このパタン配置検索部によるパタン配置位置の検
出結果をもとにパタン配置近傍のパタンデータを抽出す
るパタン配置抽出部とからなるので、多品種のＬＳＩ製
造ライン等においてもチップ上の検査個所や診断個所の
特定が容易になり、また、加工上クリティカルな領域の
みを取り出したテストパタン生成が可能となるので、検
査や不良診断の効率化を図ることができる。
ＬＳＩの不良事例と不良事例が発生した箇所のＬＳＩパ
タン配置との関係を保存しておく不良事例記憶部と、不
良事例記憶部への情報登録と参照を行う不良事例データ
処理部と、不良事例記憶部からの情報をもとにパタン配
置の検索条件を作成する検索条件作成部と、この検索条
件に合致するパタン配置位置を検出するパタン配置検索
部と、このパタン配置検索部によるパタン配置位置の検
出結果をもとにパタン配置近傍のパタンデータを抽出す
るパタン配置抽出部とからなるので、多品種のＬＳＩ製
造ライン等においてもチップ上の検査個所や診断個所の
特定が容易になり、また、加工上クリティカルな領域の
みを取り出したテストパタン生成が可能となるので、検
査や不良診断の効率化を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例であるＬＳＩパタン診断シス
テムの構成図である。
テムの構成図である。
【図２】本発明の別の実施例であるＬＳＩパタン診断シ
ステムの構成図である。
ステムの構成図である。
【図３】本発明のさらに別の実施例であるＬＳＩパタン
診断システムの構成図である。
診断システムの構成図である。
【図４】図３の実施例におけるテストパタンの一例を示
す図である。
す図である。
１０１ ＬＳＩ設計システムから出力されたパタンデー
タ １０２ ユーザインタフェース部 １０３ 検索条件作成部 １０４ 不良事例データ処理部 １０５ 不良事例記憶部 １０６ パタン配置検索部 １０７ パタン配置抽出部 １０８ 印刷部 １０９ 表示部 １１０ 位置情報 １１１ 抽出パタンデータ ２０１ 形状シミュレータ ２０２ 形状シミュレーション結果の表示部 ３０１ ＬＳＩ設計システムから出力されたパタンデー
タ ３０２ ＬＳＩ設計システムから出力されたパタンデー
タ ４０１ ある不良事例Ａを起こしたことがあるパタン配
置 ４０２ ある不良事例Ｂを起こしたことがあるパタン配
置 ４０３ ある不良事例Ｃを起こしたことがあるパタン配
置 ４０４ ある不良事例Ｄを起こしたことがあるパタン配
置
タ １０２ ユーザインタフェース部 １０３ 検索条件作成部 １０４ 不良事例データ処理部 １０５ 不良事例記憶部 １０６ パタン配置検索部 １０７ パタン配置抽出部 １０８ 印刷部 １０９ 表示部 １１０ 位置情報 １１１ 抽出パタンデータ ２０１ 形状シミュレータ ２０２ 形状シミュレーション結果の表示部 ３０１ ＬＳＩ設計システムから出力されたパタンデー
タ ３０２ ＬＳＩ設計システムから出力されたパタンデー
タ ４０１ ある不良事例Ａを起こしたことがあるパタン配
置 ４０２ ある不良事例Ｂを起こしたことがあるパタン配
置 ４０３ ある不良事例Ｃを起こしたことがあるパタン配
置 ４０４ ある不良事例Ｄを起こしたことがあるパタン配
置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斎藤 和之 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 ＬＳＩの不良事例と前記不良事例が発生
した箇所のＬＳＩパタン配置との関係を保存しておく不
良事例記憶部と、この不良事例記憶部への情報登録と参
照を行う不良事例データ処理部と、前記不良事例記憶部
からの情報をもとにパタン配置の検索条件を作成する検
索条件作成部と、この検索条件に合致するパタン配置位
置を検出するパタン配置検索部と、このパタン配置検索
部によるパタン配置位置の検出結果をもとに前記パタン
配置近傍のパタンデータを抽出するパタン配置抽出部と
を含むことを特徴とするＬＳＩパタン診断システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3223640A JPH0547882A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | Ｌｓｉパタン診断システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3223640A JPH0547882A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | Ｌｓｉパタン診断システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547882A true JPH0547882A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16801364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3223640A Pending JPH0547882A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | Ｌｓｉパタン診断システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547882A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1986004979A1 (en) * | 1985-02-16 | 1986-08-28 | Daidosanso Co., Ltd. | Apparatus for producing high-purity nitrogen and oxygen gases |
| US9400333B2 (en) | 2011-09-01 | 2016-07-26 | Hitachi Aloka Medical, Ltd. | Survey meter |
-
1991
- 1991-08-09 JP JP3223640A patent/JPH0547882A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1986004979A1 (en) * | 1985-02-16 | 1986-08-28 | Daidosanso Co., Ltd. | Apparatus for producing high-purity nitrogen and oxygen gases |
| US9400333B2 (en) | 2011-09-01 | 2016-07-26 | Hitachi Aloka Medical, Ltd. | Survey meter |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002530659A (ja) | 論理集積回路の論理機能試験データを物理的表現にマッピングするためのｉｃ試験ソフトウェア・システム | |
| JPH09199551A (ja) | インライン検査用検査データ解析処理装置 | |
| US7257507B1 (en) | System and method for determining probing locations on IC | |
| JP2003100826A (ja) | 検査データ解析プログラムと検査装置と検査システム | |
| TW201517192A (zh) | 晶片對資料庫的影像檢測方法 | |
| US20020143483A1 (en) | Inspection system, inspection apparatus, inspection program, and production method of semiconductor devices | |
| US9689923B2 (en) | Adaptive electrical testing of wafers | |
| JP4442119B2 (ja) | 画像認識装置および画像認識方法、並びに、画像認識装置のティーチング装置およびティーチング方法 | |
| JPH11111796A (ja) | 不良解析方法及びその装置 | |
| JPH10209230A (ja) | 不良解析装置およびその方法 | |
| JP4190748B2 (ja) | 半導体不良解析用のｃａｄツール及び半導体不良解析方法 | |
| JP2629523B2 (ja) | Ｌｓｉ検査装置及び方法 | |
| JP3550105B2 (ja) | ウエハの故障サイン自動検出、分類方法 | |
| JP5323457B2 (ja) | 観察条件決定支援装置および観察条件決定支援方法 | |
| JP2008108815A (ja) | 不良原因設備特定システム | |
| JP3443083B2 (ja) | 半導体装置のパターンの危険箇所情報の評価方法 | |
| JPH0547882A (ja) | Ｌｓｉパタン診断システム | |
| JP2000222033A (ja) | 異常原因特定システムおよびその方法 | |
| US7855088B2 (en) | Method for manufacturing integrated circuits by guardbanding die regions | |
| JP2002269109A (ja) | 薄膜デバイス製造工程管理システムおよび薄膜デバイス製造工程管理方法 | |
| JP4146655B2 (ja) | 欠陥源候補抽出プログラム | |
| JP2002289662A (ja) | 不良原因探索プログラム及び不良原因探索システム | |
| US20220066854A1 (en) | Failure analysis system of semiconductor device, failure analysis method of semiconductor device, and non-transitory computer readable medium | |
| CN111782695B (zh) | Mpw多产品联测的数据处理方法、存储介质及计算机设备 | |
| US10976264B2 (en) | Analysis system |