JPH08304843A - 液晶素子の電極構造及び該構造を有する液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 単純マトリクス駆動の液晶素子において、容
易で且つ正確なショート・配転抵抗検査が可能で、更
に、該検査による電極の損傷がない、電極構造を提供す
る。 【構成】 透明電極と金属からなる補助電極から構成さ
れ、情報信号が印加される駆動電極３１の両端部におい
て、透明電極が露出し且つ幅の広い検査用パッド部３３
を、電極１本おきにずらせて形成し、さらに、表示領域
外にダミー配線を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ストライプ状の電極群
を有してなる、例えば単純マトリクス駆動の液晶素子の
電極構造に関する発明である。

【０００２】

【従来の技術】ストライプ状の電極群を有する一対の電
極基板を、互いに電極群が直交するように対向配置し、
その間隙に液晶を挟持してなる液晶素子において、液晶
素子の電極のショート及び電極の抵抗値が規格外である
場合は、該電極の補修がほとんど不可能であるため、実
際の製造ラインでは、電極群を形成後、全ての電極の引
き出し部に検査用の端子を乗せてショート及び配線抵抗
を検査し、不良品をラインからはずしている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】表示画像が高精細にな
り、面積当たりの画素数が増加するに連れて、１本あた
りの電極幅も狭くなり、上記した検査時に、検査用端子
が電極の引き出し部に乗りづらくなり、正確に端子を乗
せることが困難になってきた。

【０００４】また、電極の配線抵抗を抑えるため、透明
電極上に表示に支障の無い範囲で補助電極として金属配
線を積層しているが、該金属配線が、電極幅に対応して
先端部を細くした端子によって断線等損傷したり、或い
は端子によって削り取られた金属片によってショートす
るという問題も生じている。

【０００５】本発明の目的は、上記液晶素子のショート
及び配線抵抗検査を、電極を損傷することなく容易に且
つ確実に行ないうる電極構造、及び該電極構造を有する
液晶素子を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明の電極構
造の特徴は、上記した単純マトリクス駆動型の液晶素子
において、各電極が透明電極上に部分的に金属配線を積
層してなる２層構成であり、表示領域外の引き出し部に
おいて、透明電極を露出させた検査用パッド部を有する
ことにある。本発明においては、電極幅に応じて、検査
用パッド部を、電極１本おきにずらせて配置し、且つ該
パッド部において電極幅を広く形成した構成、或いは、
パッド部の両側部に、金属配線を積層した構成が適宜用
いられる。更に、表示領域外に情報電極及び共通電極そ
れぞれと同じ構成のダミー配線を設けることにより、配
線抵抗の測定を情報電極、共通電極に影響を与えること
なく行なうことができる。

【０００７】本発明はまた、上記電極構造を有する液晶
素子を提供するものである。

【０００８】

【実施例】以下、本発明の一実施例を挙げて本発明を詳
細に説明する。

【０００９】図１は本発明の液晶素子の一例を示す概略
平面図であり、図２はそのＡ−Ａ’断面図、図３はＢ−
Ｂ’断面図である。図中、点線で囲まれた領域が１画素
であり、１ａ，１ｂは絶縁性基板、２はアンダーコート
層、３は所定パターンを構成するカラーフィルター、４
は平坦化層、５はバリア層、６ａ，６ｂは透明電極、７
ａ，７ｂは補助電極、８ａ，８ｂはショート防止層、９
ａ，９ｂは粗面形成層、１０ａ，１０ｂは配向層、１１
は接着ビーズ、１２はスペーサビーズ、１３は液晶層、
１４は遮光層であり、図２及び３において、液晶を挟ん
で上側を第１基板、下側を第２基板と呼ぶ。尚、図１は
第１基板側から見た平面図である。

【００１０】尚、当該素材において観察者側は、第１の
基板及び第２の基板のいずれかに設定しても良いが、好
ましくはカラーフィルター膜を有する第１基板側とす
る。

【００１１】以下、図１〜３に示した液晶素子の各部位
を図面を参照して製造工程に沿って詳述する。

【００１２】先ず第１基板について説明する。

【００１３】工程−ａ（図１４（ａ）） 絶縁性基板１ａとしては、透明性に優れた基板、一般に
液晶用ガラスとして市販されているものを使用でき、例
えば青板ガラス、無アルカリガラスが挙げられる。好ま
しくは、片面が研磨してあるものを用いる。また、厚
さ、大きさは、画面サイズや、１枚から何枚のパネルを
取るかにより、適宜選択されるが、例えば大型画面（１
４．８インチ）の液晶素子を作製する場合には、１．１
ｍｍ程度の厚さのものを用いる。

【００１４】工程−ｂ（図１４（ａ）） 本発明において、好ましくは上記絶縁性基板１ａ表面
に、アンダーコート層２を設け、ガラスからのアルカリ
の溶出を防ぐ。アンダーコート層２としては、下層の保
護効果があればよく、例えばＳｉＯ₂，ＭｇＯ，Ｓｉ
Ｎ，ＴｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，ＺｒＯ等が用いられ、２００
〜１０００Åの厚みで用いられる。

【００１５】工程−ｃ アンダーコート層２を表面に形成した絶縁性基板１ａを
純水シャワー、純水＋超音波洗浄、ブラシ等のうち少な
くとも一つの方法を用い、適当な回数・組合せで洗浄、
乾燥後、紫外線照射により有機物を除去する。

【００１６】工程−ｄ（図１４（ａ）） 図３に示した遮光層１４は図４に示すように、ストライ
プパターン（ブラックストライプ）であるが、この他に
も通常のブラックマトリクス等所望の形状を適宜使用で
きる。遮光層１４の素材としては、Ｃｒ、Ｍｏ等の金
属、或いはその合金、酸化物のＣｒ₂Ｏ₃等、更には樹脂
に黒色顔料を分散したもの等有機材料をはじめとする遮
光性に優れた材料を用いることができる。厚さは５００
〜１５００Åの範囲で、素材の遮光能により設定する。
例えば金属を用いた場合は厚みが薄くても遮光効果が得
られる。本発明においては、Ｍｏ−Ｔａ合金層が好まし
く用いられ、望ましくは１０００Å以下で用いられる。
遮光層１４はその素材をスパッタ、塗布などにより基板
全面に積層した後パターニングして得られる。具体的に
は、素材との密着性により選択されたレジストを、スピ
ンナー、印刷等により遮光層表面に塗布し、７０〜１２
０℃プリベークし、９０〜１２０ｍＪで露光後、現像、
洗浄、乾燥した後、遮光層の材料に応じた酸などのエッ
チング液でエッチングし、洗浄し、上記レジストを剥離
して更に洗浄する。

【００１７】尚、遮光層１４は後述する封止剤近傍まで
形成し、若干の非遮光部分を残しておき、かかる部分を
液晶配向状態の検査に用いることができる。

【００１８】工程−ｅ（図１４（ｂ）） 本発明において、カラーフィルター３は、緑（Ｇ）、赤
（Ｒ）、青（Ｂ）の他に好ましくは白（Ｗ）を形成す
る。形成方法としては、染色法、顔料分散法、電着法な
どがあり、本発明はそのいずれもが利用できるが、顔料
分散法を例に説明する。所望の顔料（Ｗには顔料を加え
ない）が分散された感光性樹脂のカラーレジストをスピ
ンナー、コーター等で例えば厚さ１．０〜２．０μｍに
塗布し、一定の温度でレベリングした後、８０℃前後で
プリベークする。この時の温度や保持時間、上記塗布す
る厚さはレジスト材料により適宜選択される。次に２０
０〜１０００ｍＪで露光する。露光程度はＲ、Ｇ、Ｂ、
Ｗで感度が異なるため、露光時間を変えて調整する。露
光後、レジスト材料に応じた現像液、方法、温度で現像
し、１２０〜２５０℃でポストベークし、洗浄する。各
カラーフィルターは例えば図４に示すように、先に形成
した遮光層１４のパターン、及び隣接するカラーフィル
ターに接しないように、数μｍの隙間をあけて形成す
る。また、全体では表示領域となる領域に加え、その周
辺となる非表示領域となる領域に、後述する基板端部近
傍の封止剤にはかからないように形成する。ここで、表
示領域内外のカラーフィルターのパターン形状（カラー
フィルターの大きさ）は、互いに異なってもよく、例え
ば表示領域外では一単位を表示領域内より大きくするこ
とができる。上記形成工程は各カラーフィルターの色毎
に順次行なうが、その順序は使用する材料によって適宜
選択される。

【００１９】工程−ｆ（図１４（ｃ）） 次にカラーフィルター間の間隙を埋め、表面を平坦化す
るための平坦化層４を形成する。本発明において平坦化
層４は、最大厚（図２中のｔ）が１．５〜５μｍになる
ように、スピンナー、印刷、コーター等で平坦化材を塗
布し、後、６０〜１５０℃でレベリングし、必要ならば
１５０〜３３０℃でポストベークすることにより形成さ
れる（これらの温度は平坦化材により設定される）。平
坦化材としては、カラーフィルター３と遮光層１４によ
り生じた段差を平坦化し得るもので、後工程に耐え、耐
熱性、耐薬品性を有するものであれば無機物、有機物を
問わない。具体的には、ポリアミド、エポキシ樹脂、有
機シラン系樹脂が挙げられ、中でも有機シラン系樹脂が
好ましく用いられる。

【００２０】本発明の液晶素子においては、液晶層１３
の厚さ（Ｔ）が上記平坦化層の最大厚（ｔ）よりも小さ
く構成することにより、液晶を注入した際に発生する空
隙の発生率が低くなり、製造時の歩留が向上する。ま
た、本発明の液晶素子においては、後述するスペーサビ
ーズ１２の直径が液晶層１３の厚さ（Ｔ）よりも大き
く、スペーサビーズ１２は両基板に埋め込まれるように
して固定されることが望ましい。従って、スペーサビー
ズが埋まる程度に基板が鉛筆硬度において７Ｈ以下程度
に柔軟であることが望ましく、平坦化層４の硬度は、３
Ｈ〜７Ｈの範囲にあることがより好ましい。尚鉛筆硬度
は、ＪＩＳ−Ｋ５４０１における鉛筆硬度測定装置を用
いた方法に準じて測定することにより得られる値であ
る。また、平坦化層４は好ましくは後述する封止剤の下
側まで形成する。当該構成により、液晶が注入し易くな
り、製造時に液晶の注入不良による不良品の発生が防止
される。

【００２１】工程−ｇ（図１４（ｃ）） 平坦化層４の表面に、バリア層５を形成し、その後の上
層の製膜工程やエッチング等の工程においてカラーフィ
ルター３を保護する。バリア層５の素材としては、保護
効果を有するものであれば限定されないが、例えばＳｉ
Ｏ₂，ＭｇＯ，ＳｉＮ，ＴｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，ＺｒＯ等が
好ましく用いられる。バリア層５の厚さは例えば１００
〜１０００Å程度で、印刷、スパッタ等、素材に応じた
方法により形成される。

【００２２】以上は第１基板のみの工程であり、以下の
工程は第１、第２基板に共通の工程である。また、第２
基板の絶縁性基板１ｂは、第１基板の絶縁性基板１ａと
一般的には同じ素材が用いられる。

【００２３】工程−ｈ（図１４（ｃ）及び図１５
（ａ）） 透明電極６ａ，６ｂとして、例えばＩＴＯ等の透明導電
材料からなる層をスパッタ、蒸着、焼成等で形成する。
好ましくは、Ｉｎ₂Ｏ₃に対してＳｎＯ₂が５〜１０％の
ものを用いるが、透過率、導電性により適宜選択すれば
良い。透明電極６ａ，６ｂの厚さは例えば３００〜３０
００Åで、該厚さも用いる液晶の光学特性、抵抗により
選択される。上記ＩＴＯ層は、遮光層１４と同様にフォ
トリソグラフィによりパターニングして所望の形状特に
第１基板では画素に対応し、第２基板では対向する基板
のカラーフィルターに対応するようなパターン（例えば
第１基板は図４に示す遮光層１４間に対応するストライ
プ形状、第２基板は図６に示す形状）に形成する（図１
４（ｃ），図１５（ａ））。但し、エッチング液は塩化
鉄、ヨウ化水素酸、次亜リン酸等の水溶液を用いる。第
１基板側の透明電極６ａは表示領域外にも形成したカラ
ーフィルター３上にも対応してパターン形成することが
好ましい。

【００２４】本発明においては、本工程において、表示
領域外にも、配線を形成しておくことにより、駆動電極
には影響を与えずに抵抗を測定することができる。図１
１（ａ）は第２基板に設けた配線４１を示し、同様に第
１基板にも配線を設ける。

【００２５】また、図１１（ａ）に示す略Ｌ字形の堰４
２は、後工程で塗布形成する層を堰き止める作用を有
し、不必要に溶液が流れ出すのを防ぐことができる。更
に、図１１（ｂ）に示す堰（パターン）４３は、後述す
る液晶注入口に対し平行に好ましくは第２基板側に形成
されており、後述するように、液晶の注入を容易に且つ
均一にする作用を有する。これら堰４２，４３は上記し
た作用を有していれば、特にＩＴＯで形成する必要はな
いが、透明電極形成時に同時に形成することができ、製
造工程上有利である。

【００２６】工程−ｉ（図１４（ｄ），図１５（ｂ）） 透明電極６ａ，６ｂの配線抵抗を下げるための補助電極
７ａ，７ｂを形成する。素材は金属で、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍ
ｏ、或いはその合金、Ｍｏ−Ｔａ等が用いられる。ま
た、透明電極６ａ，６ｂとの密着性、抵抗、レジストと
の密着性を考慮し、多層構成としても良い。具体的に
は、Ｍｏ／ＡｌやＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ−Ｔａ等である。特
に多層構成の場合には、素材によってエッチングスピー
ドが異なるため、後工程のエッチングを考慮して素材を
選択する。例えば、上記３層構成を同時にエッチングす
る場合、Ｍｏ−Ｔａ５〜１０％（例えば２００〜５００
Å）／Ａｌ合金（例えば２００〜１５００Å）／Ｍｏ−
Ｔａ１０〜２０％（例えば１００〜５００Å）とする積
層構成とすることががエッチング液との相性が良い。ま
た、多層構成を各層毎にエッチングしながら積層して形
成しても構わない。

【００２７】上記金属を基板全面に積層し、レジスト塗
布、露光、現像、ポストべーク、エッチング、レジスト
剥離の各工程を順次行なって、例えば第１基板において
は先の透明電極６ａに重なり、且つカラーフィルター３
上に開口部を有する補助電極７ａ（図５）、及び第２基
板においては透明電極６ｂ端部に重なる補助電極７ｂ
（図７）を形成する。補助電極７ｂは表示領域外では透
明電極６ｂ全面に重ねて形成してもよい。

【００２８】本発明の特徴は、表示領域外の引き出し部
において、各駆動電極の両端にショート検査用のパッド
部を設けることにある。図９に第２基板のパッド部を、
図１０に第１基板のパッド部を例示する。図中、３１が
第２基板の駆動電極、３２が第１基板の駆動電極、３３
がパッド部である。図９には図示していないが、駆動電
極３２の他端にもパッド部が形成され、図９と同じ構成
が採られている。パッド部３３は本来補助電極７ａ，７
ｂが形成される領域において補助電極を形成せず、下側
の透明電極６ａ，６ｂを露出させた部分である。前記し
た通り、各駆動電極３１，３２は非常に微細であるた
め、ショート検査用の検査端子もこれに合わせた細い端
子針であり、駆動電極３１，３２に接する際に該電極を
傷つけたり、また特に微細な駆動電極３１には検査端子
が乗らない恐れがある。図９、１０に示すように、金属
よりも硬いＩＴＯ等の透明電極を露出させたパッド部３
３を設けることにより、検査端子による駆動電極３１，
３２の損傷が防止される。また、図９に示すように、特
に微細な駆動電極３１においては、互い違いにパッド部
３３を設け、パッド部３３の幅を広げることにより、検
査端子が乗り易くなる。ここで、同図に示すようにパッ
ド部３３に隣接する駆動電極における幅の狭い部分にお
いても、下層のＩＴＯ等の透明電極を露出させることが
より好ましい。この場合、検査端子が仮に位置ずれを生
じても、隣接する駆動電極（補助電極）を引っ掛けるな
どして損傷を与えることが防止される。また、図１０に
示すように、駆動電極３１に比べて幅の広い駆動電極３
２においては、補助電極６ａを両側部に形成しておくこ
とにより配線抵抗の上昇を抑えている。本発明において
は、電極幅に応じて、駆動電極３１，３２のいずれか構
成を選択することができる。

【００２９】補助電極７ａ，７ｂ形成後、配線４１及び
パッド部３３を利用して、配線抵抗の測定とショートの
検査を行なう。

【００３０】工程−ｋ（図１４（ｅ）及び図１５
（ｃ）） 配線上にショート防止層８ａ，８ｂを形成する。ショー
ト防止層８ａ，８ｂは、上下基板間でのショートを防止
するための絶縁層であり、スパッタ、塗布・焼成等で有
機或いは無機の絶縁膜を基板全面に形成する。具体的に
は、Ｔｉ−Ｓｉ、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅が用いら
れ、これらを単層でも、多層でも用いることができる。
例えば、Ｔａ₂Ｏ₅をスパッタで５００〜１２００Å形成
した上に、Ｔｉ−Ｓｉ等の塗布型絶縁膜材料の溶液を印
刷、焼成し、５００〜１０００Åの絶縁層を形成した多
層構成が好ましく用いられる。該ショート防止層８ａ，
８ｂは後述する封止領域の外側まで形成する。

【００３１】工程−ｌ（図１４（ｅ）及び図１５
（ｃ）） 素子駆動中の液晶分子の移動を防止するため、粗面形成
層９ａ，９ｂを形成し、後述する配向膜表面の粗面化を
図る。粗面形成層９ａ，９ｂは３００〜７００ÅのＳｉ
Ｏ₂ビーズをＴｉ−Ｓｉ＝１：１の比率の絶縁膜溶液中
に５〜３０重量％分散し、展色板を用いて印刷、焼成す
ることにより得られる。膜厚は１００〜３００Åが好ま
しく、封止領域の外側まで形成する。

【００３２】工程−ｍ（図１４（ｅ）及び図１５
（ｃ）） 液晶分子の配向を制御するための配向膜１０ａ，１０ｂ
を形成する。配向膜の材料としては、ポリビニルアルコ
ール、ポリイミド、ポリアミドイミド等から選択し、基
板全面に塗布或いは印刷し、２００〜３００℃で焼成
し、厚さ５０〜１００Åで封止領域の内側にのみ絶縁層
を形成する。かかる絶縁層は、封止領域内の全面、また
必要に応じ例えば表示領域に対応した領域に形成する。
該絶縁層（配向膜）表面に、起毛のラビング布を巻き付
けたローラーを押し当て、回転速度５００〜２０００ｒ
ｐｍで回転させながら、該絶縁層（配向膜）表面をラビ
ング処理し、配向膜１０ａ，１０ｂとする。ラビング布
の素材としては、綿等の天然繊維、アラミド、ナイロ
ン、レーヨン、テフロン、ポリプロピレン、アクリル等
の合成繊維から選択され、中でもアラミド繊維が好まし
く用いられる。尚、ラビング処理の際、絶縁層の例えば
枠部（外周）にマスクを設け、枠部を除いて絶縁層表面
をラビング処理することもできる。上記ローラーの回転
方向、送り速度はラビング処理の程度により適宜選択さ
れる。ラビング処理後、両基板を洗浄する。

【００３３】工程−ｎ（図１３） 一方の基板、好ましくは第１基板表面（配向膜の表面）
に接着ビーズ１１を散布する。該接着ビーズ１１は、常
温並びに素子の駆動条件下では粘着性を持たず、後述す
る基板の貼り合わせ時の熱処理等の種々の処理において
粘着性を呈する。接着ビーズ１１は例えばエポキシ樹脂
やアクリル樹脂等、液晶に影響を与えない熱硬化性樹脂
等からなる接着剤で形成されている。接着ビーズ１１の
直径は２〜１０μｍが好ましく、イソプロピルアルコー
ル等の溶媒に分散して、５０〜１３０個／ｍｍ²程度に
散布する。また、接着ビーズ１１は基板封止後両基板に
接着されてしまう。後述するように、第１基板と第２基
板で切断する位置をずらし、基板端部の端子を露出させ
る。接着ビーズ１１が存在すると、切り離される部分が
接着ビーズ１１を介してもう一方の基板に接着してしま
うため、該接着ビーズ１１は切断で切り離される領域に
は無い方が好ましく、封止領域内に相当する領域にのみ
散布するのが好ましい。

【００３４】工程−ｏ（図８） 他方の基板、好ましくは第２基板表面（例えば配向膜表
面）に、注入口を残して図８に示すシールパターンを封
止剤により描画する。図中２１が封止剤で２２が液晶注
入口、２３は後述するダミー壁である。封止剤２１とし
ては、例えば熱硬化性エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂材
料が用いられ、ディスペンサにより描画する。描画方法
はこれに限らず、スクリーン印刷等、封止剤の素材に応
じて適宜選択される。また、幅はセル厚や印刷時の厚み
を考慮して設定すれば良い。尚、ダミー壁２３は図８に
示すような辺りに設けることには限定されず、使用する
液晶材料等の条件に応じて形成箇所を適宜変えることが
でき、例えば注入口２２の対辺に形成してもよい。また
図８において、ダミー壁２３は、表示領域外の非表示領
域にカラーフィルターを形成している場合、かかるフィ
ルターに対応する位置或いは、フィルターの形成領域外
の位置に設けることができる。この時、セルギャップの
観点でフィルター形成領域外にダミー壁を形成すること
が好ましい。

【００３５】工程−ｐ（図１３（ａ）） 接着ビーズを散布した基板とは異なる基板、好ましく
は、封止剤を描画した基板表面にスペーサビーズ１２を
散布する。スペーサビーズ１２の直径は、セル厚より大
になるように選択されるが、０．６〜３．５μｍの範囲
が好ましい。例えば、セル厚を１μｍとする場合には、
１．２〜１．３μｍ程度の径のビーズを選択する。ビー
ズの素材としては、シリカビーズ、アルミナビーズが好
ましく用いられ、例えばエタノール等に分散して１００
〜７００個／ｍｍ²になるように基板全面に散布する。
かかる溶媒については、スペーサービーズの溶融性の小
さなものを選択して用いることが好ましい。本発明にお
いて、最終的に液晶層厚の設定よりも大きな径のビーズ
をスペーサとして用いることにより、該ビーズが半ば基
板表面に埋め込まれた様な状態で基板間に固定されるた
め、封止後のビーズの移動が防止され、均一な液晶層厚
が保持される。

【００３６】工程−ｑ 図１３に示すように、接着ビーズ１１を散布した側の基
板を固定し、スペーサビーズ１２を散布した側の基板を
配向膜１０ａ，１０ｂが内側になるように重ねて加圧し
ながら１０〜１２０分間加熱し、接着ビーズ１１及び封
止剤２１を硬化させ、両基板を接着する。即ち、接着ビ
ーズ１１とスペーサビーズ１２を別の基板に散布し、接
着ビーズ１１を散布した側の基板を固定して貼り合わせ
ることにより、接着ビーズ１１が偏ったり、基板表面か
ら脱着する心配がない。また、スペーサビーズ１２は接
着ビーズ１１に比べて直径が非常に小さく、基板を裏返
しても基板表面に付着しているため、スペーサビーズ１
２が偏ったり基板から脱落することはない。本工程によ
り、接着ビーズ１１、スペーサビーズ１２のいずれもが
均一に散布された状態で基板が貼り合わされる。

【００３７】工程−ｒ 実装端子部が露出するように、第１基板と第２基板とで
切断する位置をずらせてスクライブし、余分な基板を除
去する。また例えばスクライブ直前に、両基板において
注入口に相当する位置近傍にバーコードラベル等を貼付
し、基板の識別を行なうこともできる。

【００３８】工程−ｓ 上記工程で得られた液晶セルにカイラルスメクティック
液晶を注入する。先ず、液晶セルを真空装置内に入れ、
十分セル内が真空になった状態で、注入口に液晶を付着
させる。次にこの状態で徐々に圧力をかけ、なるべく等
速で液晶を液晶セル内に引き込ませる。

【００３９】本液晶素子では、液晶層１３の厚さ（Ｔ）
よりも平坦化層４の厚さ（ｔ）が厚いため、液晶層の空
隙発生率が低く、液晶注入工程における歩留が向上す
る。また、本素子では、前述のように平坦化層４を封止
剤２１の下側にまで形成してあるため、液晶の注入が容
易になり、更に製造歩留が向上する。更に、液晶セル内
には図１１（ｂ）にも示したように、ＩＴＯで堰４３が
形成されており、図１２（ａ）に矢印で示すように、液
晶が堰４３に沿って外側に広がり、気泡の発生が防止さ
れる。図１２（ｂ）は従来の液晶セルの液晶の流れを示
す。また、例え気泡が発生しても、封止剤２１で描画し
たダミー壁２３と外側の封止剤２１との間に気泡が押し
込まれるため、表示領域には気泡が存在せず、不良品発
生率を低く抑えることができる。

【００４０】本発明において用いることのできる、カイ
ラルスメクティック相を呈する液晶としては、複数の液
晶性化合物及び少なくとも一種の光学活性化合物（カイ
ラルドーパント）を含有する液晶組成物が好ましく用い
られる。該液晶組成物を構成する好ましい液晶性化合物
としては、下記一般式１〜５の構造を有する液晶性化合
物等（光学活性化合物を包含する）を挙げることがで
き、これらを主な構成成分とし、適宜、各液晶性化合物
の配合比を変え、液晶組成物とすることができる。尚、
ここでいう液晶性化合物は、それ自体単独で液晶性を呈
するか否かは限定されず、液晶組成物中の液晶成分とし
て適切に機能するものであればよい。

【００４１】

【化１】

【００４２】ｐ，ｑは、０、１、２、であって、ｐ＋ｑ
は１又は２であり、Ｒ₂₁、Ｒ₂₂は、炭素原子数１〜１８
の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、該アルキル基
中の１つ、もしくは２つ以上のメチレン基は、ヘテロ原
子が隣接しない条件で−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｃ
ＨＷ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−によって置き換え
られていてもよく、Ｗは、ハロゲン、ＣＮ、ＣＦ₃を示
す。

【００４３】また、Ｒ₂₁、Ｒ₂₂は光学活性であっても良
い。

【００４４】Ｙ₁は、水素又はフッ素を表わす。

【００４５】

【化２】

【００４６】Ｙ₁は、水素又はフッ素を表わし、Ｒ
₂₃は、炭素原子数１〜１８の直鎖状又は分岐状のアルキ
ル基であり、Ｒ₂₄は、水素原子、ハロゲン、ＣＮ基、又
は、炭素原子数１〜１８の直鎖状又は分岐状のアルキル
基であり、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄の示す該アルキル基中の１つ、も
しくは２つ以上のメチレン基は、ヘテロ原子が隣接しな
い条件で−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＨＷ−、−Ｃ
Ｈ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−によって置き換えられていても
良く、Ｗは、ハロゲン、ＣＮ、ＣＦ₃を示す。また、Ｒ
₂₃、Ｒ₂₄は光学活性であっても良い。

【００４７】

【化３】

【００４８】Ｒ₂₅、Ｒ₂₆は、炭素原子数１〜１８の直鎖
状又は分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の１
つ、もしくは２つ以上のメチレン基は、ヘテロ原子が隣
接しない条件で−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＨＷ
−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−によって置き換えられ
ていても良く、Ｗは、ハロゲン、ＣＮ、ＣＦ₃を示す。

【００４９】また、Ｒ₂₅、Ｒ₂₆は光学活性であっても良
い。

【００５０】

【化４】

【００５１】Ｒ₂₇、Ｒ₂₈は、炭素原子数１〜１８の直鎖
状又は分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の１
つ、もしくは２つ以上のメチレン基は、ヘテロ原子が隣
接しない条件で−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＨＷ
−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−によって置き換えられ
ていても良く、Ｗは、ハロゲン、ＣＮ、ＣＦ₃を示す。

【００５２】また、Ｒ₂₇、Ｒ₂₈は光学活性であっても良
い。

【００５３】

【化５】

【００５４】Ｒ₂₉、Ｒ₃₀は、炭素原子数１〜１８の直鎖
状又は分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の１
つ、もしくは２つ以上のメチレン基は、ヘテロ原子が隣
接しない条件で−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＨＷ
−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−によって置き換えられ
ていても良く、Ｗは、ハロゲン、ＣＮ、ＣＦ₃を示す。

【００５５】また、Ｒ₂₉、Ｒ₃₀は光学活性であっても良
い。

【００５６】一般式１〜４の化合物のより好まし化合物
例を下記に示す。

【００５７】一般式１の化合物のより好ましい化合物例

【００５８】

【化６】

【００５９】一般式２の化合物のより好ましい化合物例

【００６０】

【化７】

【００６１】一般式３の化合物のより好ましい化合物例

【００６２】

【化８】

【００６３】一般式４の化合物のより好ましい化合物例

【００６４】

【化９】

【００６５】Ｒは、水素原子、ハロゲン、ＣＮ基、又
は、炭素原子数１〜１８の直鎖状又は分岐状又は環状の
アルキル基であり、該アルキル基中の１つ、もしくは２
つ以上のメチレン基は、ヘテロ原子が隣接しない条件で
−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＨＷ−、−ＣＨ＝ＣＨ
−、−Ｃ≡Ｃ−によって置き換えられていても良く、Ｗ
は、ハロゲン、ＣＮ、ＣＦ₃を示す。また、Ｒは光学活
性であっても良い。

【００６６】Ｙ₁は、水素又はフッ素を表わす。

【００６７】工程−ｔ 液晶の注入が完了した液晶セルの注入口を常温硬化型の
エポキシ樹脂等で封止し、弱アルカリでパネルを洗浄す
る。

【００６８】上記のようにして作製された液晶セルの両
面に偏光板が貼り合わされ、実装される。

【００６９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の電極構造
を用いると、ショート・配線抵抗検査工程における電極
の損傷が防止され、製造歩留が向上すると共に、該検査
工程自体の精度が向上し、信頼性の高い液晶素子の提供
が実現する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶素子の一例を示す概略平面図であ
る。

【図２】図１の液晶素子のＡ−Ａ’断面図である。

【図３】図１の液晶素子のＢ−Ｂ’断面図である。

【図４】本発明の液晶素子のカラーフィルターと遮光層
を示す図である。

【図５】本発明の液晶素子の第１基板側の補助電極を示
す図である。

【図６】本発明の液晶素子の第２基板側の透明電極を示
す図である。

【図７】本発明の液晶素子の第２基板側の補助電極を示
す図である。

【図８】本発明の液晶素子のシールパターンを示す図で
ある。

【図９】本発明の液晶素子の第２基板側のショート検査
用パッド部を示す図である。

【図１０】本発明の液晶素子の第１基板側のショート検
査用パッド部を示す図である。

【図１１】本発明の液晶素子の第２基板に形成したダミ
ー配線及び堰を示す図である。

【図１２】本発明の液晶素子と従来の液晶素子の液晶注
入時の液晶の流れを示す図である。

【図１３】本発明の製造方法における、基板貼り合わせ
工程を示す図である。

【図１４】本発明の液晶素子の第１基板の製造工程を示
す図である。

【図１５】本発明の液晶素子の第２基板の製造工程を示
す図である。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ 絶縁性基板 ２ アンダーコート層 ３ カラーフィルター ４ 平坦化層 ５ バリア層 ６ａ，６ｂ 透明電極 ７ａ，７ｂ 補助電極 ８ａ，８ｂ ショート防止層 ９ａ，９ｂ 粗面形成層 １０ａ，１０ｂ 配向層 １１ 接着ビーズ １２ スペーサビーズ １３ 液晶層 １４ 遮光層 ２１ 封止剤 ２２ 注入口 ２３ ダミー壁 ３１，３２ 駆動電極 ３３ パッド部 ４１ 配線 ４２，４３ 堰

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 正木 裕一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 島村 吉則 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 石渡 和也 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ストライプ状の電極群を互いに直交させ
   て対向配置する一対の電極基板間に液晶を挟持してなる
   液晶素子において、各電極が透明電極上に部分的に金属
   配線を積層してなる２層構成であり、表示領域外の両端
   部に、透明電極を露出させた検査用パッド部を有するこ
   とを特徴とする液晶素子の電極構造。
2. 【請求項２】 検査用パッド部が、電極１本おきにずら
   せて配置され、且つ該パッド部において電極幅が広く形
   成されている請求項１の液晶素子の電極構造。
3. 【請求項３】 パッド部の両側部に、金属配線を積層し
   た請求項１の液晶素子の電極構造。
4. 【請求項４】 表示領域外にダミー電極を有する請求項
   １〜３いずれかの液晶素子の電極構造。
5. 【請求項５】 請求項１〜４いずれかの電極構造を有す
   ることを特徴とする液晶素子