JP2000171812A

JP2000171812A - 液晶素子

Info

Publication number: JP2000171812A
Application number: JP10346136A
Authority: JP
Inventors: Yoshinari Yoshino; 佳成吉野
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1998-12-04
Filing date: 1998-12-04
Publication date: 2000-06-23

Abstract

(57)【要約】【課題】逆ドメインの発生成長を抑制し、ちらつきの
無い良好な表示が可能な液晶素子を提供する。【解決手段】液晶を挟持する一対の基板１ａ，１ｂに
それぞれ形成された複数の走査電極６ａ及び情報電極を
互いに交差するように配置すると共に、一方の基板１ｂ
の、走査電極６ａ及び情報電極の交差部に形成される画
素に対応する位置にカラーフィルター２を格子状に配置
する。さらに、ストライプ状の低抵抗の補助電極７ａ，
７ｂを走査電極６ａ及び情報電極に接して配置すると共
に、格子状に配されたカラーフィルター間に配置し、補
助電極７ａ，７ｂと、この補助電極７ａ，７ｂに対向す
る基板１ａ，１ｂとのギャップを広くする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、単純マトリクス電
極構成の液晶素子に関し、特に強誘電性液晶を用いたも
のに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、強誘電性液晶の屈折率異方性を利
用して偏向素子との組み合わせにより透過光線を制御す
る型の液晶素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）及びラガーウ
ォール（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）の両者により特開昭５６
−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明
細書等で提案されている。

【０００３】ここで、この強誘電性液晶は、一般に、特
定の温度領域でカイラルスメクティックＣ相（Ｓｍｃ
^* ）またはＨ相（ＳｍＨ^* ）を有すると共に、これらの
状態において印加された電界に応答して第１の光学的安
定状態と第２の光学的安定状態とのいずれかをとり、か
つ電界が印加されないときはその状態を維持する性質、
即ち双安定性を有し、また電界の変化に対する応答がす
みやかであるため、高速かつ記憶型の表示装置等の分野
における広い利用が期待されている。

【０００４】一方、液晶素子の駆動方法としては、図１
０及び図１１に示すように液晶を挟持する一対の基板１
９ａ，１９ｂに、走査電極２０と情報電極２１とで構成
したマトリクス電極を組み込み、走査電極２０には順次
走査信号を印加し、情報電極２１には走査信号と同期し
て情報信号を印加するマルチプレクシング駆動が一般的
である。また、各電極２０，２１はＩＴＯなどからなる
透明電極の他に配線抵抗を下げるための低抵抗の補助電
極２２，２３が接続されている。

【０００５】なお、図１０及び図１１において、２４は
表示画素領域、２５はカラー表示するためのカラーフィ
ルターであり、表示画素領域２４は走査電極２０と情報
電極２１の交差部に形成され、カラーフィルター２５は
交差部の面積と同等かそれ以上の面積を有して配置され
ている。また、２６はブラックマトリクスである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
マルチプレクシング駆動により液晶を駆動する液晶素子
においては、走査電極に走査信号を繰り返し周期的に印
加するリフレッシュ駆動により液晶を駆動するようにし
ているが、このリフレッシュ駆動により液晶を駆動する
際、図１０に示すようにカラーフィルター２５が形成さ
れた基板１９ｂに設けられた補助電極２２が他方の基板
１９ａに近いため、表示画素以外の部分の電界強度が表
示画素内よりも強くなる。

【０００７】そして、この電界強度の差がクロストーク
を誘発し、画素内で表示しようとしている一方の光学的
安定状態とは逆の光学的安定状態のドメイン（以下、逆
ドメインという）が発生するようになる。なお、このよ
うな逆ドメインが発生、成長すると、ある駆動領域で表
示画面にちらつきが発生するようになる。そして、この
ように表示画面でのちらつきが発生すると、良好な表示
画面を得ることができる駆動領域（駆動マージン）が狭
くなる。

【０００８】ここで、この逆ドメインは走査信号の周期
に同期して表示画素内へ成長するようになるが、この逆
ドメインの発生、成長は一軸配向処理であるラビングの
ラビング方向と関係があるということが発明者等の観測
から明らかになっている。即ち、図１１の矢印で示す方
向がラビング方向である場合、逆ドメインＤは画素２４
のラビング方向上流側から発生し、ラビング方向に成長
する。

【０００９】そこで、この逆ドメインの発生及び成長を
抑制する手段として従来は、例えば特開平９−９６８１
８号公報に示すような補助電極に対するラビング方向の
規定、或は特開平９−１９７４１９号公報に示すような
画素構成等があるが、これらの手段では走査線数が２０
００本以上になると効果が減少する。

【００１０】また、他の手段として補助配線の膜厚を薄
くすることで電界強度を弱めることもできるが、配線抵
抗の関係から膜厚を薄くすることには限界があった。

【００１１】そこで、本発明は逆ドメインの発生成長を
抑制し、ちらつきの無い良好な表示が可能な液晶素子を
提供することを目的とするものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、液晶を挟持す
る一対の基板と、前記一対の基板にそれぞれ形成され、
互いに交差するように配置された複数の走査電極及び情
報電極と、前記走査電極及び情報電極の交差部に形成さ
れる画素と、前記一対の基板の一方の基板の、前記画素
に対応する位置に格子状に配置されたカラーフィルター
と、前記走査電極及び情報電極に接して配置されたスト
ライプ状の低抵抗の補助電極と、を備え、前記補助電極
が、前記格子状に配されたカラーフィルター間に位置す
るようにしたことを特徴とするものである。

【００１３】また本発明は、前記カラーフィルターが形
成された前記一方の基板に前記補助電極を、該カラーフ
ィルターと重ならないように配置したことを特徴とする
ものである。

【００１４】また本発明は、前記一対の基板の他方の基
板に前記補助電極を、該他方の基板と前記一方の基板を
重ねた時、前記カラーフィルターと重ならないように配
置したことを特徴とするものである。

【００１５】また本発明は、前記補助電極の膜厚は同一
基板上に形成される前記走査電極又は情報電極の膜厚よ
り厚く、また前記補助電極は前記走査電極又は情報電極
よりも突出する高さを有していることを特徴とするもの
である。

【００１６】また本発明は、前記補助電極を、前記液晶
を一軸配向させるためのラビング処理方向に対して、前
記画素の上流側に位置させることを特徴とするものであ
る。

【００１７】また本発明は、前記液晶は前記走査電極に
印加される走査信号及び該走査信号に同期して前記情報
電極に印加される情報信号により駆動されることを特徴
とするものである。

【００１８】また本発明は、前記走査電極は２０００本
以上であることを特徴とするものである。

【００１９】また本発明は、前記液晶は双安定性を有す
るカイラルスメクチック液晶であることを特徴とするも
のである。

【００２０】また本発明のように、液晶を挟持する一対
の基板にそれぞれ形成された複数の走査電極及び情報電
極を互いに交差するように配置すると共に、一方の基板
の、走査電極及び情報電極の交差部に形成される画素に
対応する位置にカラーフィルターを格子状に配置する。
さらに、ストライプ状の低抵抗の補助電極を走査電極及
び情報電極に接して配置すると共に、格子状に配された
カラーフィルター間に配置し、補助電極と、この補助電
極に対向する基板とのギャップを広くする。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を用いて説明する。

【００２２】図１は本発明の実施の形態に係る液晶素子
を備えた液晶装置のブロック構成図である。同図におい
て、４０５はグラフィックコントローラであり、このグ
ラフィックコントローラ４０５から送出されるデータは
駆動制御回路４０４において駆動波形を選択した後に、
走査信号制御回路４０６と情報信号制御回路４０７に入
力され、それぞれ走査線アドレスデータと表示データに
変換されるようになっている。

【００２３】そして、この走査線アドレスデータに従っ
て走査信号印加回路４０２では、後述する図６に示す走
査信号波形を発生し、液晶素子である液晶パネル１の走
査電極群に印加するようになっている。また、表示デー
タに従って情報信号印加回路４０３では情報信号波形を
発生し、液晶パネル１の情報電極群に印加するようにな
っている。

【００２４】一方、図２は液晶パネル１の断面図であ
り、図３は液晶パネル１の要部拡大図である。図２及び
図３において、１ａ，１ｂは不図示の液晶を挟持する一
対の基板である第１基板及び第２基板、２は第２基板１
ｂに形成されたカラーフィルター、３はブラックマトリ
クス、４は平坦化層、５はカラーフィルター２を保護す
るバリア層である。

【００２５】また、６ａ、６ｂはＩＴＯ等により形成さ
れる走査電極及び情報電極、７ａ，７ｂは走査電極６ａ
及び情報電極６ｂにそれぞれ接する低抵抗補助電極（以
下、補助電極という）、８ａ，８ｂはショート防止層、
９ａ，９ｂは配向層、１０は接着ビーズ、１１はスペー
サビーズ、１２は走査電極６ａ及び情報電極６ｂの交差
部に形成される画素である。

【００２６】ところで、カラーフィルター２は図３に示
すように画素１２に対応する位置に格子状に配置されて
いるが、本実施の形態おいては、同図及び図２に示すよ
うにこの格子状に配置されたカラーフィルター２の間に
補助電極７ａ，７ｂを配置している。ここで、このよう
な位置に補助電極７ａ，７ｂを配置することにより、言
い換えればカラーフィルター間の段差を利用することに
より、補助電極７ａ，７ｂと対向基板１ａ，１ｂとのギ
ャップを広くすることができる。

【００２７】そして、このように補助電極７ａ，７ｂと
対向基板１ａ，１ｂとのギャップを広くすることによ
り、補助電極７ａ，７ｂの膜厚を保持したまま電界強度
を弱めることができる。これにより、クロストークの発
生を弱めることができ、逆ドメインを発生及び成長を緩
和することができる。

【００２８】なお、補助電極７ａ，７ｂの高さは走査電
極６ａ及び情報電極６ｂよりも相対的に高く、即ち図２
に示すように補助電極７ａ，７ｂの方が走査電極６ａ及
び情報電極６ｂよりも突出するようにしている。さら
に、本実施の形態において、補助電極７ａ，７ｂを、図
３の矢印に示すラビング方向において、画素内のラビン
グ上流側に配置するようにしている。

【００２９】そして、このように補助電極７ａ，７ｂを
走査電極６ａ及び情報電極６ｂよりも突出させると共
に、画素内のラビング上流側に配置することにより、配
向膜剥がれによる配向不良やスイッチング不良、即ちラ
ビング処理の影響を最小限に抑えることができ、逆ドメ
インの発生を抑制することができる。

【００３０】次に、このように構成された液晶パネル１
の製造方法を説明する。

【００３１】まず、図４の（ａ）に示すように第２基板
１ｂの表面に遮光層３を形成する。なお、この第２基板
１ｂ（第１基板１ａも同様）としては、一般に液晶用ガ
ラスとして市販されている透明性に優れたもの、例えば
青板ガラス、無アルカリガラスが挙げられる。好ましく
は、片面が研磨してあるものを用いる。

【００３２】また、厚さ、大きさは、画面サイズや、１
枚から何枚のパネルを取るかにより、適宜選択される
が、例えば大型画面（１４．８インチ）の液晶パネル１
を作製する場合には、１．１ｍｍ程度の厚さのものを用
いる。

【００３３】さらに、本実施の形態においては基板表面
に不図示のアンダーコート層を設け、基板表面からのア
ルカリの溶出を防ぐようにしている。ここで、このアン
ダーコート層としては、下層の保護効果があればよく、
例えばＳｉＯ₂ ，ＭｇＯ，ＳｉＮ，ＴｉＯ₂ ，Ａｌ₂ Ｏ
₃ ，ＺｒＯが用いられ、２００〜１０００Åの厚みを有
して設けられる。

【００３４】なお、このようなアンダーコート層を表面
に形成した後は、第２基板１ｂを純水シャワー、純水＋
超音波洗浄、ブラシ等のうち少なくとも一つの方法を用
い、適当な回数・組合せで洗浄、乾燥後、紫外線照射に
より有機物を除去するようにしている。

【００３５】一方、第２基板１ｂの表面に形成される遮
光層３の素材としては、Ｃｒ、Ｍｏ等の金属、或いはそ
の合金、酸化物のＣｒ₂ Ｏ₃ 等、更には樹脂に黒色顔料
を分散したもの等、有機材料をはじめとする遮光性に優
れた材料を用いることができる。また、その厚さは５０
０〜１５００Åの範囲で、素材の遮光能により設定する
ようにする。例えば、金属を用いた場合は厚みが薄くて
も遮光効果が得られる。

【００３６】本実施の形態においては、Ｍｏ−Ｔａ合金
層を用い、層厚が１０００Å以下となるように形成す
る。なお、この遮光層３はその素材をスパッタ、塗布な
どにより基板全面に積層した後、パターニングして得ら
れる。

【００３７】具体的には、素材との密着性により選択さ
れたレジストを、スピンナー、印刷等により遮光層表面
に塗布した後、７０〜１２０℃でプリベークし、さらに
９０〜１２０ｍＪで露光後、現像、洗浄、乾燥させる。
さらにこの後、遮光層の材料に応じた酸などのエッチン
グ液でエッチングした後、洗浄し、レジストを剥離して
更に洗浄することにより得られる。

【００３８】次に、（ｂ）に示すように第２基板１ｂの
表面に緑（Ｇ）、赤（Ｒ）、青（Ｂ）の他に好ましくは
白（Ｗ）のカラーフィルター２を形成する。なお、この
カラーフィルター２の形成方法としては、染色法、顔料
分散法、電着法等があり、本実施の形態においては顔料
分散法によりカラーフィルター２を形成する。

【００３９】具体的には、所望の顔料（Ｗには顔料を加
えない）が分散された感光性樹脂のカラーレジストをス
ピンナー、コーター等で第２基板表面に、例えば厚さ
１．０〜２．０μｍに塗布し、一定の温度でレベリング
した後、８０℃前後でプリベークする。この時の温度や
保持時間、上記塗布する厚さはレジスト材料により適宜
選択される。

【００４０】次に、このカラーレジストを２００〜１０
００ｍＪで露光する。なお、露光程度はＲ、Ｇ、Ｂ、Ｗ
で感度が異なるため、露光時間を変えて調整する。さら
に、この露光の後、レジスト材料に応じた現像液、方
法、温度で現像し、この後１２０〜２５０℃でポストベ
ークし、洗浄する。なお、各カラーフィルター２は隣接
するカラーフィルター２に接しないように隙間をあけて
形成する。

【００４１】次に、（ｃ）に示すようにカラーフィルタ
ー間の間隙を埋め、表面を平坦化するための平坦化層４
を形成する。

【００４２】なお、本実施の形態において、平坦化層４
は膜厚が１．５〜５μｍになるように、スピンナー、印
刷、コーター等で平坦化材を塗布した後、６０〜１５０
℃でレベリングし、必要ならば１５０〜３３０℃でポス
トベークすることにより形成される（これらの温度は平
坦化材により設定される）。

【００４３】ここで、平坦化層４の平坦化材としては、
後工程に耐え、耐熱性、耐薬品性を有するものであれば
無機物、有機物を問わない。具体的には、ポリアミド、
エポキシ樹脂、有機シラン系樹脂が挙げられ、中でも有
機シラン系樹脂が好ましく用いられる。

【００４４】一方、本実施の形態の液晶パネル１におい
ては、後述するようにスペーサビーズ１０（図２参照）
の直径が不図示の液晶層の厚さよりも大きく、スペーサ
ビーズ１０は両基板に埋め込まれるようにして固定され
る。

【００４５】従って、スペーサビーズ１０が埋まる程度
に基板１ｂが、鉛筆硬度において７Ｈ以下程度に柔軟で
あることが望ましく、このため平坦化層４の硬度は、３
Ｈ〜７Ｈの範囲にあることがより好ましい。なお、鉛筆
硬度は、ＪＩＳ−Ｋ５４０１における鉛筆硬度測定装置
を用いた方法に準じて測定することにより得られる値で
ある。

【００４６】次に、（ｄ）に示すように平坦化層４の表
面に、その後の上層の製膜工程やエッチング等の工程に
おいてカラーフィルター２を保護するためのバリア層５
を形成する。

【００４７】ここで、このバリア層５の素材としては、
保護効果を有するものであれば限定されないが、例えば
ＳｉＯ₂ ，ＭｇＯ，ＳｉＮ，ＴｉＯ₂ ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，Ｚ
ｒＯ等が好ましく用いられ、バリア層５は例えば１００
〜１０００Å程度の厚さとなるよう印刷、スパッタ等、
素材に応じた方法により形成される。

【００４８】なお、以上は第２基板１ｂのみの工程であ
り、以下の工程は第１及び第２基板１ａ，１ｂに共通の
工程である。

【００４９】次に、例えばＩＴＯ等の透明導電材料から
なる層をスパッタ、蒸着、焼成等で形成する。好ましく
は、透明導電材料としてＩｎ₂ Ｏ₃ に対してＳｎＯ₂ が
５〜１０％のものを用いるが、透過率、導電性により適
宜選択すれば良い。また、この層の厚さは、例えば３０
０〜３０００Åで、該厚さも、用いる液晶の光学特性、
抵抗により選択される。

【００５０】次に、このＩＴＯ層を、遮光層３と同様に
フォトリソグラフィによりパターニングした後、塩化
鉄、ヨウ化水素酸、次亜リン酸等の水溶液によりエッチ
ングして（ｅ）に示すように走査電極６ａを形成する。
ここで、図示はしないが第１基板側の情報電極も同様に
して形成する。なお、走査電極６ａは表示領域外にも形
成したカラーフィルター２上にも対応してパターン形成
することが好ましい。

【００５１】次に、図５の（ａ）及び（ａ）’に示すよ
うに走査電極６ａ及び情報電極６ｂの配線抵抗を下げる
ための補助電極７ａ，７ｂを走査電極６ａ及び情報電極
６ｂに接するようにして形成する。

【００５２】なお、この補助電極７ａ，７ｂの素材は金
属であり、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｏ、或いはその合金、Ｍｏ−
Ｔａ等が用いられる。また、走査電極６ａ及び情報電極
６ｂとの密着性、抵抗、レジストとの密着性を考慮し、
多層構成としても良い。具体的には、Ｍｏ／ＡｌやＭｏ
／Ａｌ／Ｍｏ−Ｔａ等である。

【００５３】特に多層構成の場合には、素材によってエ
ッチングスピードが異なるため、後工程のエッチングを
考慮して素材を選択する。例えば、上記３層構成を同時
にエッチングする場合、Ｍｏ−Ｔａ５〜１０％（例えば
２００〜５００Å）／Ａｌ合金（例えば２００〜１５０
０Å）／Ｍｏ−Ｔａ１０〜２０％（例えば１００〜５０
０Å）とする積層構成とすることがエッチング液との相
性が良い。また、多層構成を各層毎にエッチングしなが
ら積層して形成しても構わない。

【００５４】そして、上記金属を基板全面に積層し、レ
ジスト塗布、露光、現像、ポストベーク、エッチング、
レジスト剥離の各工程を順次行なって、走査電極６ａ及
び情報電極６ｂに重なり、且つカラーフィルター２間に
配置されるように補助電極７ａ，７ｂを形成する。

【００５５】次に、（ｂ）及び（ｂ）’に示すように各
電極上にショート防止層８ａ，８ｂを形成する。ここ
で、このショート防止層８ａ，８ｂは、上下基板間での
ショートを防止するための絶縁層であり、スパッタ、塗
布・焼成等で有機或いは無機の絶縁膜を基板全面に形成
する。

【００５６】具体的には、Ｔｉ−Ｓｉ、ＳｉＯ₂ 、Ｔｉ
Ｏ₂ 、Ｔａ₂ Ｏ₅ が用いられ、これらを単層でも、多層
でも用いることができる。例えば、Ｔａ₂ Ｏ₅ をスパッ
タで５００〜１２００Å形成した上に、Ｔｉ−Ｓｉ等の
塗布型絶縁膜材料の溶液を印刷、焼成し、５００〜１０
００Åの絶縁眉を形成した多層構成が好ましく用いられ
る。

【００５７】次に、液晶分子の配向を制御するための配
向膜９ａ，９ｂ（図２参照）を形成する。ここで、この
配向膜９ａ，９ｂの材料としては、ポリビニルアルコー
ル、ポリイミド、ポリアミドイミド等から選択し、基板
全面に塗布或いは印刷し、２００〜３００℃で焼成し、
厚さ５０〜１００Åで絶縁層を形成する。

【００５８】次に、この絶縁層を兼ねる配向膜表面に、
起毛のラビング布を巻き付けた不図示のローラーを押し
当て、このローラーを５００〜２０００ｒｐｍで回転さ
せ、配向膜表面をラビング処理する。

【００５９】ここで、このラビング布の素材としては、
綿等の天然繊維、アラミド、ナイロン、レーヨン、テフ
ロン、ポリプロピレン、アクリル等の合成繊維から選択
され、中でもアラミド繊維が好ましく用いられる。な
お、ローラーの回転方向、送り速度はラビング処理の程
度により適宜選択される。

【００６０】ここで、本実施の形態においては、ラビン
グ方向は図３に示されているように、画素内のラビング
上流側に補助電極７ａ，７ｂがくる方向に処理する。ラ
ビング処理後、両基板を洗浄する。

【００６１】次に、第１又は第２基板１ａ，１ｂに接着
ビーズ１１（図２参照）を散布する。ここで、この接着
ビーズ１１は、常温並びに液晶パネル１の駆動条件下で
は粘着性を持たず、後述する基板１ａ，１ｂの貼り合わ
せ時の熱処理等の種々の処理において粘着性を呈するも
のであり、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂等、液晶
に影響を与えない熱硬化性樹脂等からなる接着剤で形成
されている。なお、接着ビーズ１１の直径は、２〜１０
μｍが好ましく、イソプロピルアルコール等の溶媒に分
散して、５０〜１３０個／ｍｍ² 程度に散布する。

【００６２】次に、接着ビーズ１１を散布した基板とは
異なる基板にスぺーサビーズ１０（図２参照）を散布す
る。ここで、スぺーサビーズ１０の直径は、既述したよ
うにセル厚よりも大きくなるように選択されるが、０．
６〜３．５μｍの範囲が好ましい。例えば、セル厚を１
μｍとする場合には、１．２〜１．３μｍ程度の径のス
ぺーサビーズ１０を選択する。

【００６３】なお、スぺーサビーズ１０の素材として
は、シリカビーズ、アルミナビーズが好ましく用いら
れ、例えばエタノール等に分散して１００〜７００個／
ｍｍ² になるように基板全面に散布する。ここで、この
溶媒については、スペーサビーズ１０の溶融性の小さな
ものを選択して用いることが好ましい。

【００６４】また、本実施の形態においては、既述した
ように最終的に液晶層厚の設定よりも大きな径のビーズ
をスペーサとして用いるようにしている。これは、この
ようなビーズを用いることにより、基板１ａ，１ｂを接
着すると、スペーサビーズ１０が半ば基板表面に埋め込
まれた状態で基板間に固定されるためであり、このよう
に固定されることにより封止後のスペーサビーズ１０の
移動が防止され、均一な液晶層厚を保持することができ
る。

【００６５】次に、接着ビーズ１１を散布した側の基板
を固定し、スペーサビーズ１２を散布した側の基板を配
向膜９ａ，９ｂが内側になるように重ねて加圧しながら
１０〜１２０分間加熱し、接着ビーズ１１及び不図示の
封止剤を硬化させ、両基板１ａ，１ｂを接着する。

【００６６】次に、上記工程で得られた液晶セルにカイ
ラルスメクテイック液晶を注入する。この際、先ず液晶
セルを真空装置内に入れ、十分セル内が真空になった状
態で、不図示の注入口に液晶を付着させる。次にこの状
態で徐々に圧力をかけ、なるべく等速で液晶を液晶セル
内に引き込ませるようにする。

【００６７】ところで、このように作成した液晶パネル
１を電圧固定でパルス幅を可変とした図６に示す駆動波
形を用いてマルチプレックス駆動した。なお、同図にお
いて、（ａ）は消去パルスＰｅ、書き込みパルスＰｗ、
補助パルスＰｓからなる走査信号波形であり、（ｂ）及
び（ｂ）’は両極性の等電圧で構成されている情報信号
波形、（ｃ）及び（ｃ）’はこれら各信号の合成波形で
ある。

【００６８】また、走査電極６ａの数を２０００本以
上、６０００本とし、逆ドメインの成長幅を従来の構成
の液晶パネル（図１０及び図１１参照）と比較し評価し
た。なお、この時の温度条件は逆ドメインの成長が特に
激しい１０℃を用いた。

【００６９】図７はこの評価結果を示すものであり、同
図から明らかなように本発明の液晶パネル１の方が、従
来の構成の液晶パネルより逆ドメイン抑制効果が優れて
いることを確認した。そして、このように逆ドメインを
抑制することにより、逆ドメインによるちらつきが減少
し、広い駆動領域で良好な表示画面を得ることができ
る。

【００７０】なお、同図においては、走査電極６ａの数
を６０００本とした場合についての結果を示している
が、これは走査電極６ａの数が６０００本のとき、ドメ
インの成長が一番大きいからであり、６０００本以下の
場合の結果は、６０００本のときの結果と同等になる。

【００７１】一方、図８は駆動領域の概念を示すもので
あり、情報信号のパルス幅（図６に示す１Ｈ）、または
電圧を可変することにより、２つのスイッチング状態
（閾値、クロストーク）が出現する。そして、この閾値
からクロストークまでの１Ｈ可変幅もしくは電圧可変幅
が広いほど駆動領域が広いと判断する。

【００７２】ここで、従来クロストーク値を決定してい
た原因は逆ドメインであり、これの成長幅が小さいほど
情報信号のパルス幅１Ｈ、又は電圧可変幅を広く取れる
ため広い駆動領域を得ることになる。したがって、本実
施の形態のように液晶パネル１を構成し、逆ドメインを
抑制することにより駆動領域が拡大し、表示画質が向上
する。

【００７３】ところで、図９は、ラビング方向と逆ドメ
インの発生の関係を説明するための図である。なお、同
図において、図３と同一符号は、同一又は相当部分を示
している。

【００７４】ここでは、既述した方法で製造した第２基
板１ｂに対し、、に示す２方向に対してそれぞれラ
ビングを行った後、それぞれを既述した駆動方法で駆動
し、逆ドメインの発生を観察した。

【００７５】その結果、ラビング方向の場合、ラビン
グ方向上流に位置する補助配線７ａ，７ｂからの逆ドメ
インの発生はほとんど見られなかった。一方ラビング方
向の場合、カラーフィルター２と補助配線７ａの重な
る部分から逆ドメインが発生することが確認された。

【００７６】このことから、カラーフィルター２と補助
配線７ａの配置とそれに対するラビング方向による違い
が確認され、双方が的確な方向で処理されれば逆ドメイ
ンの抑制に効果があることが確認された。なお、このラ
ビング方向は、既述した図３のラビング方向と同じで
あるが、図３に示す液晶素子と図９に示す液晶素子とで
はカラーフィルター２の配置が異なるため、このラビン
グ方向にラビングを行うことにより、上記のような効
果を得ることができる。

【００７７】

【発明の効果】以上の説明したように本発明によれば、
ストライプ状の低抵抗の補助電極を格子状に配されたカ
ラーフィルター間に配置するようにして補助電極と、こ
の補助電極に対向する基板とのギャップを広くすること
により、補助電極の膜厚を保持したまま電界強度を弱め
ることができる。これにより、クロストークの発生を弱
めることができ、これに伴い逆ドメインを発生及び成長
を緩和することができるので、逆ドメインによるちらつ
きを減少させることができ、広い駆動領域で、かつ、ち
らつきのない良好な表示画面を得ることができる。

【００７８】また本発明のように、補助電極を画素内の
ラビング方向上流側に配置すると共に走査電極及び情報
電極よりも突出させることにより、配向膜剥がれによる
配向不良やスイッチング不良等のラビング処理の影響を
最小限に抑えることができ、逆ドメインの発生を抑制す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る液晶素子を備えた液
晶装置のブロック構成図。

【図２】上記液晶素子の断面図。

【図３】上記液晶素子の要部拡大図。

【図４】上記液晶素子の製造方法を説明する図。

【図５】上記液晶素子の製造方法を説明する他の図。

【図６】上記液晶素子を駆動する駆動波形を示す図。

【図７】上記液晶素子と従来の液晶素子の逆ドメインの
成長幅の比較結果を示す表図。

【図８】上記液晶素子の駆動領域の概念を説明する図。

【図９】上記液晶素子のラビング方向と逆ドメインの発
生の関係を説明する図。

【図１０】上記従来の液晶素子の断面図。

【図１１】上記従来の液晶素子の要部拡大図。

【符号の説明】

１液晶パネル１ａ，１ｂ第１基板及び第２基板２カラーフィルター６ａ走査電極６ｂ情報電極７ａ，７ｂ補助電極９ａ，９ｂ配向膜１２画素Ｄ逆ドメイン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】液晶を挟持する一対の基板と、前記一対の基板にそれぞれ形成され、互いに交差するよ
うに配置された複数の走査電極及び情報電極と、前記走査電極及び情報電極の交差部に形成される画素
と、前記一対の基板の一方の基板の、前記画素に対応する位
置に格子状に配置されたカラーフィルターと、前記走査電極及び情報電極に接して配置されたストライ
プ状の低抵抗の補助電極と、を備え、前記補助電極が、前記格子状に配されたカラーフィルタ
ー間に位置するようにしたことを特徴とする液晶素子。
【請求項２】前記カラーフィルターが形成された前記
一方の基板に前記補助電極を、該カラーフィルターと重
ならないように配置したことを特徴とする請求項１記載
の液晶素子。
【請求項３】前記一対の基板の他方の基板に前記補助
電極を、該他方の基板と前記一方の基板を重ねた時、前
記カラーフィルターと重ならないように配置したことを
特徴とする請求項１又は２記載の液晶素子。
【請求項４】前記補助電極の膜厚は同一基板上に形成
される前記走査電極又は情報電極の膜厚より厚く、また
前記補助電極は前記走査電極又は情報電極よりも突出す
る高さを有していることを特徴とする請求項１乃至３の
いずれかに記載の液晶素子。
【請求項５】前記補助電極を、前記液晶を一軸配向さ
せるためのラビング処理方向に対して、前記画素の上流
側に位置させることを特徴とする請求項１乃至４のいず
れかに記載の液晶素子。
【請求項６】前記液晶は前記走査電極に印加される走
査信号及び該走査信号に同期して前記情報電極に印加さ
れる情報信号により駆動されることを特徴とする請求項
１記載の液晶素子。
【請求項７】前記走査電極は２０００本以上であるこ
とを特徴とする請求項１又は６記載の液晶素子。
【請求項８】前記液晶は双安定性を有するカイラルス
メクチック液晶であることを特徴とする請求項１又は６
記載の液晶素子。