JPH08304441A - 角速度センサ - Google Patents
角速度センサInfo
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- JPH08304441A JPH08304441A JP7132921A JP13292195A JPH08304441A JP H08304441 A JPH08304441 A JP H08304441A JP 7132921 A JP7132921 A JP 7132921A JP 13292195 A JP13292195 A JP 13292195A JP H08304441 A JPH08304441 A JP H08304441A
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- vibrators
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 センサ機能の低下を来すことなく、高精度な
角速度検出を行う。 【構成】 単一の半導体層３の複数領域を導電型ｐとな
して、その基部３１の両端より、角速度を受けて変位す
る振動子５Ａ，５Ｂを左右一対延出させて音叉型振動子
となす。基部３１の中央には導電型ｎで逆バイアス状態
とされた半導体層による電気絶縁層３７を形成する。振
動子５Ａ，５Ｂに対して所定導電型の半導体基板１を対
向させ、各振動子５Ａ，５Ｂの先端３２１，３３１と半
導体基板１との間にそれぞれ形成されるコンデンサの静
電容量変化により角速度の大きさを検出する。
角速度検出を行う。 【構成】 単一の半導体層３の複数領域を導電型ｐとな
して、その基部３１の両端より、角速度を受けて変位す
る振動子５Ａ，５Ｂを左右一対延出させて音叉型振動子
となす。基部３１の中央には導電型ｎで逆バイアス状態
とされた半導体層による電気絶縁層３７を形成する。振
動子５Ａ，５Ｂに対して所定導電型の半導体基板１を対
向させ、各振動子５Ａ，５Ｂの先端３２１，３３１と半
導体基板１との間にそれぞれ形成されるコンデンサの静
電容量変化により角速度の大きさを検出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は角速度センサに関し、特
に振動子型角速度センサの構造改良に関する。
に振動子型角速度センサの構造改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】振動子型角速度センサは通常、片持ち梁
状の振動子を有し、該振動子が角速度の作用により変位
した時の変位量を検出して、角速度の大きさを知るもの
である。かかる角速度センサにおいて、振動子の変位量
を電気信号で得ようとすると、歪みゲ−ジの如き変位量
センサや、該センサから信号を外部へ導出するリ−ド線
等を振動子に設ける必要がある。ところで、角速度以外
の上下振動等の外乱を良好にキャンセルして高精度の検
出を行うことが可能な、いわゆる音叉型の角速度センサ
が注目されており、これは回転中心に対して対象位置に
片持ち梁状の振動子をそれぞれ配し、これら振動子を基
端で連結して全体を略Ｕ字形の音叉型とする。この場合
には。左右の各振動子からそれぞれ独立に変位量に応じ
た信号を得る必要があるため、各振動子に上記変位量セ
ンサやリ−ド線等を設けるのに加えて、左右の振動子を
電気的に絶縁するための絶縁材を設置する必要もある。
状の振動子を有し、該振動子が角速度の作用により変位
した時の変位量を検出して、角速度の大きさを知るもの
である。かかる角速度センサにおいて、振動子の変位量
を電気信号で得ようとすると、歪みゲ−ジの如き変位量
センサや、該センサから信号を外部へ導出するリ−ド線
等を振動子に設ける必要がある。ところで、角速度以外
の上下振動等の外乱を良好にキャンセルして高精度の検
出を行うことが可能な、いわゆる音叉型の角速度センサ
が注目されており、これは回転中心に対して対象位置に
片持ち梁状の振動子をそれぞれ配し、これら振動子を基
端で連結して全体を略Ｕ字形の音叉型とする。この場合
には。左右の各振動子からそれぞれ独立に変位量に応じ
た信号を得る必要があるため、各振動子に上記変位量セ
ンサやリ−ド線等を設けるのに加えて、左右の振動子を
電気的に絶縁するための絶縁材を設置する必要もある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記振動子型角速度セ
ンサの良好な作動を保証するためには、振動子の振動倍
率（Ｑ値）を高く維持する必要があり、このためには振
動子の振動損失を可及的に小さくすることを要する。こ
の振動損失は，振動子の可動部を構成する材料の振動内
部損失に依存するとともに、振動子可動部を構成する部
品の接合部で大きく現れる。さらに、上記振動内部損失
は、材料が本来有する損失の他に、組織の変化等によっ
ても生じる。
ンサの良好な作動を保証するためには、振動子の振動倍
率（Ｑ値）を高く維持する必要があり、このためには振
動子の振動損失を可及的に小さくすることを要する。こ
の振動損失は，振動子の可動部を構成する材料の振動内
部損失に依存するとともに、振動子可動部を構成する部
品の接合部で大きく現れる。さらに、上記振動内部損失
は、材料が本来有する損失の他に、組織の変化等によっ
ても生じる。
【０００４】ここにおいて、従来の角速度センサでは、
上述の如く、振動子に変位量センサやリ−ド線等の別部
品を接合し、また、特に音叉型のものでは絶縁材設置部
で材料組成が変化する等によって、振動子型角速度セン
サの本来の性能が発揮されないという問題がある。
上述の如く、振動子に変位量センサやリ−ド線等の別部
品を接合し、また、特に音叉型のものでは絶縁材設置部
で材料組成が変化する等によって、振動子型角速度セン
サの本来の性能が発揮されないという問題がある。
【０００５】本発明はかかる課題を解決するもので、セ
ンサ機能の低下を来すことなく、高精度な角速度検出を
行うことが可能な角速度センサを提供することを目的と
する。
ンサ機能の低下を来すことなく、高精度な角速度検出を
行うことが可能な角速度センサを提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の構成で
は、単一の半導体層３の複数領域を所定の導電型となし
て、これら領域に角速度を受けて変位する振動子５Ａ，
５Ｂをそれぞれ形成し、かつ上記各振動子５Ａ，５Ｂの
境界域にはこれら振動子５Ａ，５Ｂを分離すべく上記半
導体層３に電気絶縁層３７を形成する。
は、単一の半導体層３の複数領域を所定の導電型となし
て、これら領域に角速度を受けて変位する振動子５Ａ，
５Ｂをそれぞれ形成し、かつ上記各振動子５Ａ，５Ｂの
境界域にはこれら振動子５Ａ，５Ｂを分離すべく上記半
導体層３に電気絶縁層３７を形成する。
【０００７】本発明の第２の構成では、上記電気絶縁層
３７を、不純物をド−プしない半導体層で構成する。
３７を、不純物をド−プしない半導体層で構成する。
【０００８】本発明の第３の構成では、上記電気絶縁層
３７を、上記振動体５Ａ，５Ｂとは異なる導電型で逆バ
イアス状態とされた半導体層で構成する。
３７を、上記振動体５Ａ，５Ｂとは異なる導電型で逆バ
イアス状態とされた半導体層で構成する。
【０００９】本発明の第４の構成では、上記複数の振動
子５Ａ，５Ｂに対して所定導電型の単一の半導体基板１
を対向させて、各振動子５Ａ，５Ｂと半導体基板１との
間にそれぞれ形成されるコンデンサＣ１，Ｃ２の静電容
量変化により角速度の大きさを検出する。
子５Ａ，５Ｂに対して所定導電型の単一の半導体基板１
を対向させて、各振動子５Ａ，５Ｂと半導体基板１との
間にそれぞれ形成されるコンデンサＣ１，Ｃ２の静電容
量変化により角速度の大きさを検出する。
【００１０】本発明の第５の構成では、基部３１の両端
より上記振動子５Ａ，５Ｂを左右一対延出させて音叉型
振動子となし、上記基部３１の中央に上記電気絶縁層３
７を形成する。
より上記振動子５Ａ，５Ｂを左右一対延出させて音叉型
振動子となし、上記基部３１の中央に上記電気絶縁層３
７を形成する。
【００１１】
【作用】上記第１の構成においては、所定の導電型の半
導体により構成される各振動子は、それ自体が電極とな
り、リ−ド線となる。したがって、各振動子に対向する
固定電極を設ければ、振動子と固定電極との間の静電容
量によって振動子の変位量を知ることができ、別体の変
位量センサやリ−ド線を振動子に付加する必要がないか
ら、振動子のＱ値の低下が避けられる。また、各振動子
の電気的分離を、半導体層に電気絶縁層を形成すること
により行っているから、振動子と電気絶縁層が均質な一
体の半導体層に形成される。したがって、従来の如き絶
縁材の接合等による組成変化を生じることはなく、これ
によっても振動子のＱ値の低下が防止される。
導体により構成される各振動子は、それ自体が電極とな
り、リ−ド線となる。したがって、各振動子に対向する
固定電極を設ければ、振動子と固定電極との間の静電容
量によって振動子の変位量を知ることができ、別体の変
位量センサやリ−ド線を振動子に付加する必要がないか
ら、振動子のＱ値の低下が避けられる。また、各振動子
の電気的分離を、半導体層に電気絶縁層を形成すること
により行っているから、振動子と電気絶縁層が均質な一
体の半導体層に形成される。したがって、従来の如き絶
縁材の接合等による組成変化を生じることはなく、これ
によっても振動子のＱ値の低下が防止される。
【００１２】上記第２および第３の構成によれば、半導
体層の機械的性質を全く損なうことなく、電気絶縁層を
簡易に形成することができる。
体層の機械的性質を全く損なうことなく、電気絶縁層を
簡易に形成することができる。
【００１３】上記第４の構成においては、所定導電型の
単一の半導体基板との間にそれぞれ形成されるコンデン
サの容量変化により、簡易な構造で角速度の大きさを正
確に知ることができる。
単一の半導体基板との間にそれぞれ形成されるコンデン
サの容量変化により、簡易な構造で角速度の大きさを正
確に知ることができる。
【００１４】上記第５の構成においては、音叉型振動子
となすことにより振動時のエネルギ−の散逸が防止さ
れ、振動子自体が小型となる。
となすことにより振動時のエネルギ−の散逸が防止さ
れ、振動子自体が小型となる。
【００１５】
【実施例】図１、図２には本発明を音叉型角速度センサ
に適用した一例を示し、図１は角速度センサの破断斜視
図、図２はその水平断面図である。図において、長方形
状をなす厚肉のシリコン（Ｓｉ）単結晶基板１上には、
その左右の長辺と一方の短辺に沿って平面視（図２）で
略コ字形に絶縁酸化膜（ＳｉＯ2 ）２が形成され、かか
る絶縁酸化膜２上にさらにＳｉ単結晶層３が形成されて
いる（図３参照）。単結晶層３は一部が短辺の中央から
上記基板１の上方をこれと小間隙ｄをなして水平方向へ
延出し（図４参照）、この延出部は、広幅の基部３１と
その左右端からそれぞれ前方（図２の右方）へ延びる狭
幅の脚部３２，３３とを有して、平面視で音叉の形状を
している。各脚部３２，３３の先端３２１，３３１は再
び広幅となって矩形の板状をなし、先端側縁に形成され
た複数の歯形３２２，３３２が、基板１長辺に沿って延
びる単結晶層の内側縁の一部に形成された複数の歯形３
６１，３７１の間に近接進入している。以上の構造は、
単結晶基板１上に酸化膜２および単結晶層３を形成し、
所定部をエッチングする等により容易に製造できる。
に適用した一例を示し、図１は角速度センサの破断斜視
図、図２はその水平断面図である。図において、長方形
状をなす厚肉のシリコン（Ｓｉ）単結晶基板１上には、
その左右の長辺と一方の短辺に沿って平面視（図２）で
略コ字形に絶縁酸化膜（ＳｉＯ2 ）２が形成され、かか
る絶縁酸化膜２上にさらにＳｉ単結晶層３が形成されて
いる（図３参照）。単結晶層３は一部が短辺の中央から
上記基板１の上方をこれと小間隙ｄをなして水平方向へ
延出し（図４参照）、この延出部は、広幅の基部３１と
その左右端からそれぞれ前方（図２の右方）へ延びる狭
幅の脚部３２，３３とを有して、平面視で音叉の形状を
している。各脚部３２，３３の先端３２１，３３１は再
び広幅となって矩形の板状をなし、先端側縁に形成され
た複数の歯形３２２，３３２が、基板１長辺に沿って延
びる単結晶層の内側縁の一部に形成された複数の歯形３
６１，３７１の間に近接進入している。以上の構造は、
単結晶基板１上に酸化膜２および単結晶層３を形成し、
所定部をエッチングする等により容易に製造できる。
【００１６】上記単結晶層３は図２に異なる方向の斜線
で示したように、不純物拡散によって所定の領域がｐな
いしｎの導電型となっている。すなわち、基板１の左右
（図の上下）の長辺に沿う領域はｎ型の給電路３４，３
５となっており、その一端に形成した電極４１，４４を
介して後述の電源に接続される。また、単結晶層３の音
叉型状の延出部は、左右の各脚部３２，３３とその先端
３２１、３３１および脚部３２，３３に通じる基部３１
がｎ型とされて、それぞれ脚部３２，３３を可動部とす
る片持ち梁状の振動子５Ａ，５Ｂとなっている。単結晶
層３の基板１短辺に沿う領域は、各振動子５Ａ，５Ｂの
基部３１に通じる部分が同じくｎ型となって、ここに信
号取り出し用の電極４２、４３がそれぞれ形成されてい
る。そして、上記各給電路３４，３５と各振動子５Ａ，
５Ｂの間の境界域３６，３７，３８はｐ型とされるとと
もに、これら境界域３６〜３８に形成した電極４５，４
６，４７によりア−スされており、正電位の上記給電路
３４，３５および振動子５Ａ，５Ｂに対して逆バイアス
された電気絶縁層となっている。なお、上記基板１は不
純物拡散によりｎ型ないしｐ型とされてア−スに接続さ
れている。
で示したように、不純物拡散によって所定の領域がｐな
いしｎの導電型となっている。すなわち、基板１の左右
（図の上下）の長辺に沿う領域はｎ型の給電路３４，３
５となっており、その一端に形成した電極４１，４４を
介して後述の電源に接続される。また、単結晶層３の音
叉型状の延出部は、左右の各脚部３２，３３とその先端
３２１、３３１および脚部３２，３３に通じる基部３１
がｎ型とされて、それぞれ脚部３２，３３を可動部とす
る片持ち梁状の振動子５Ａ，５Ｂとなっている。単結晶
層３の基板１短辺に沿う領域は、各振動子５Ａ，５Ｂの
基部３１に通じる部分が同じくｎ型となって、ここに信
号取り出し用の電極４２、４３がそれぞれ形成されてい
る。そして、上記各給電路３４，３５と各振動子５Ａ，
５Ｂの間の境界域３６，３７，３８はｐ型とされるとと
もに、これら境界域３６〜３８に形成した電極４５，４
６，４７によりア−スされており、正電位の上記給電路
３４，３５および振動子５Ａ，５Ｂに対して逆バイアス
された電気絶縁層となっている。なお、上記基板１は不
純物拡散によりｎ型ないしｐ型とされてア−スに接続さ
れている。
【００１７】図５には上記構造の角速度センサの配線図
を示す。図において、左右の振動子５Ａ，５Ｂはコンデ
ンサＣ３，Ｃ４を介してパルス電源６に接続されてい
る。これら各コンデンサＣ３，Ｃ４は、振動子５Ａ，５
Ｂ先端の歯形対向部（図２のＡ部）に生じる静電容量に
よるものである。また、振動子５Ａ，５Ｂの各先端３２
１，３３１と基板１との間にも静電容量によるコンデン
サＣ１，Ｃ２が形成される。上記歯形対向部は静電アク
チュエ−タとして機能する。すなわち、パルス電圧が印
加されると各振動子先端３２１，３３１はこれに近接す
る給電路３４，３５方向へ周期的に吸引されて、図１の
，矢印で示す如く水平面内で互いに逆方向へ振動す
る。この状態で、左右の振動子５Ａ，５Ｂの中間面内に
回転軸を有する角速度（矢印）が入力すると、コリオ
リ力の作用により各振動子５Ａ，５Ｂの先端３２１，３
３１は周期的に基板１に接近しあるいは離間する振動を
生じ、これに応じて上記コンデンサＣ１，Ｃ２の容量が
相反的に大小変化する。基板１に対する振動子５Ａ，５
Ｂの相対振動変位は角速度に応じて大きくなるから、上
記コンデンサＣ１，Ｃ２の容量変化の大きさは角速度に
応じたものとなる。
を示す。図において、左右の振動子５Ａ，５Ｂはコンデ
ンサＣ３，Ｃ４を介してパルス電源６に接続されてい
る。これら各コンデンサＣ３，Ｃ４は、振動子５Ａ，５
Ｂ先端の歯形対向部（図２のＡ部）に生じる静電容量に
よるものである。また、振動子５Ａ，５Ｂの各先端３２
１，３３１と基板１との間にも静電容量によるコンデン
サＣ１，Ｃ２が形成される。上記歯形対向部は静電アク
チュエ−タとして機能する。すなわち、パルス電圧が印
加されると各振動子先端３２１，３３１はこれに近接す
る給電路３４，３５方向へ周期的に吸引されて、図１の
，矢印で示す如く水平面内で互いに逆方向へ振動す
る。この状態で、左右の振動子５Ａ，５Ｂの中間面内に
回転軸を有する角速度（矢印）が入力すると、コリオ
リ力の作用により各振動子５Ａ，５Ｂの先端３２１，３
３１は周期的に基板１に接近しあるいは離間する振動を
生じ、これに応じて上記コンデンサＣ１，Ｃ２の容量が
相反的に大小変化する。基板１に対する振動子５Ａ，５
Ｂの相対振動変位は角速度に応じて大きくなるから、上
記コンデンサＣ１，Ｃ２の容量変化の大きさは角速度に
応じたものとなる。
【００１８】図６には角速度センサの電気等価回路を示
す。各コンデンサＣ１〜Ｃ４によりパルス電源６に接続
されたブリッジ回路が構成されており、信号取り出し電
極４２，４３からは角速度に応じた大きさのパルス電圧
出力が得られる。なお、角速度以外の重力加速度や振動
力が作用した場合には左右の振動子５Ａ，５Ｂは同方向
へ変位するから、この時の静電容量Ｃ１，Ｃ２の変化は
ブリッジ回路で互いにキャンセルされて出力には現れな
い。
す。各コンデンサＣ１〜Ｃ４によりパルス電源６に接続
されたブリッジ回路が構成されており、信号取り出し電
極４２，４３からは角速度に応じた大きさのパルス電圧
出力が得られる。なお、角速度以外の重力加速度や振動
力が作用した場合には左右の振動子５Ａ，５Ｂは同方向
へ変位するから、この時の静電容量Ｃ１，Ｃ２の変化は
ブリッジ回路で互いにキャンセルされて出力には現れな
い。
【００１９】以上の如く、本実施例によれば、一体の半
導体層３に一対の音叉型振動子５Ａ，５Ｂを形成して、
これらをｐｎ逆接合の電気絶縁層３７で分離したから異
種材料の接合部が存在しないとともに、所定の導電型と
した各振動子５Ａ，５Ｂはそれ自体が電極およびリ−ド
線を兼ねているから異種部品を取り付けることも不要で
あり、この結果、振動子５Ａ，５ＢのＱ値は高く維持さ
れて高精度の角速度検出が可能である。特に可動の振動
子５Ａ，５Ｂ側を絶縁分離したから、各振動子５Ａ，５
Ｂに対向してコンデンサＣ１，Ｃ２を形成する基板１側
での絶縁分離は不要であり、絶縁分離やリ−ド部形成の
ための精密な加工を厚肉の基板１に施す必要がないから
製造の手間が大幅に軽減される。
導体層３に一対の音叉型振動子５Ａ，５Ｂを形成して、
これらをｐｎ逆接合の電気絶縁層３７で分離したから異
種材料の接合部が存在しないとともに、所定の導電型と
した各振動子５Ａ，５Ｂはそれ自体が電極およびリ−ド
線を兼ねているから異種部品を取り付けることも不要で
あり、この結果、振動子５Ａ，５ＢのＱ値は高く維持さ
れて高精度の角速度検出が可能である。特に可動の振動
子５Ａ，５Ｂ側を絶縁分離したから、各振動子５Ａ，５
Ｂに対向してコンデンサＣ１，Ｃ２を形成する基板１側
での絶縁分離は不要であり、絶縁分離やリ−ド部形成の
ための精密な加工を厚肉の基板１に施す必要がないから
製造の手間が大幅に軽減される。
【００２０】なお、上記実施例において、給電部と振動
子をｎ型とし、電気絶縁層をｐ型としたが、両者の電位
の高低が逆になる場合には前者をｐ型、後者をｎ型にす
る。また、逆バイアスにより電気絶縁層を形成するのに
代えて、この領域を不純物ノンド−プの電気絶縁層（１
層）としても良い
子をｎ型とし、電気絶縁層をｐ型としたが、両者の電位
の高低が逆になる場合には前者をｐ型、後者をｎ型にす
る。また、逆バイアスにより電気絶縁層を形成するのに
代えて、この領域を不純物ノンド−プの電気絶縁層（１
層）としても良い
【００２１】上記実施例ではコリオリ力を受けた振動子
の変位による静電容量変化を検出しているが、コリオリ
力を相殺するような方向の静電気力を振動子に与えて静
電容量を一定に保つサ−ボフィ−ドバック系として、こ
の時の駆動出力変化を検出するようにしても良い。さら
には、振動子先端をゲ−トとするＭＩＳトランジスタや
ＳＩＴトランジスタを形成し、振動子先端の変位に伴う
チャンネル電流の変化を検出するようにもできる
の変位による静電容量変化を検出しているが、コリオリ
力を相殺するような方向の静電気力を振動子に与えて静
電容量を一定に保つサ−ボフィ−ドバック系として、こ
の時の駆動出力変化を検出するようにしても良い。さら
には、振動子先端をゲ−トとするＭＩＳトランジスタや
ＳＩＴトランジスタを形成し、振動子先端の変位に伴う
チャンネル電流の変化を検出するようにもできる
【００２２】なお、本発明は上記実施例の音叉型に限ら
ず、振動子を使用した角速度センサに広く適用すること
ができる。
ず、振動子を使用した角速度センサに広く適用すること
ができる。
【００２３】
【発明の効果】以上の如く、本発明の角速度センサによ
れば、単一の半導体層を電気絶縁層で分離して複数の振
動子を形成するようにしたから、振動子のＱ値を低下さ
せることなく精度の良い角速度の検出が可能である。
れば、単一の半導体層を電気絶縁層で分離して複数の振
動子を形成するようにしたから、振動子のＱ値を低下さ
せることなく精度の良い角速度の検出が可能である。
【図１】本発明の一実施例を示す角速度センサの破断斜
視図である。
視図である。
【図２】角速度センサの水平断面図である。
【図３】図２のIII −III 線に沿う断面図である。
【図４】図３のIV−IV線に沿う断面図である。
【図５】角速度センサの電気配線図である。
【図６】角速度センサの等価回路図である。
１ 半導体基板 ２ 絶縁膜 ３ 半導体層 ３１ 基部 ３７ 電気絶縁層 ５Ａ，５Ｂ 振動子 Ｃ１，Ｃ２ コンデンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 頼永 宗男 愛知県西尾市下羽角町岩谷14番地 株式会 社日本自動車部品総合研究所内 (72)発明者 吉野 好 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 三浦 和彦 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 単一の半導体層の複数領域を所定の導電
型となして、これら領域に角速度を受けて変位する振動
子をそれぞれ形成し、かつ上記各振動子の境界域にはこ
れら振動子を分離すべく上記半導体層に電気絶縁層を形
成したことを特徴とする角速度センサ。 - 【請求項２】 上記電気絶縁層を、不純物をド−プしな
い半導体層で構成した請求項１記載の角速度センサ。 - 【請求項３】 上記電気絶縁層を、上記振動体とは異な
る導電型で逆バイアス状態とされた半導体層で構成した
請求項１記載の角速度センサ。 - 【請求項４】 上記複数の振動子に対して所定導電型の
単一の半導体基板を対向させて、各振動子と半導体基板
との間にそれぞれ形成されるコンデンサの静電容量変化
により角速度の大きさを検出する請求項１ないし３のい
ずれかに記載の角速度センサ。 - 【請求項５】 基部の両端より上記振動子を左右一対延
出させて音叉型振動子となし、上記基部の中央に上記電
気絶縁層を形成した請求項１ないし４のいずれかに記載
の角速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7132921A JPH08304441A (ja) | 1995-05-02 | 1995-05-02 | 角速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7132921A JPH08304441A (ja) | 1995-05-02 | 1995-05-02 | 角速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08304441A true JPH08304441A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=15092630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7132921A Pending JPH08304441A (ja) | 1995-05-02 | 1995-05-02 | 角速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08304441A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009074860A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Aoi Electronics Co Ltd | 角速度センサ素子および角速度検出装置 |
-
1995
- 1995-05-02 JP JP7132921A patent/JPH08304441A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009074860A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Aoi Electronics Co Ltd | 角速度センサ素子および角速度検出装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040406 |
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| A02 | Decision of refusal |
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