JPH08300725A - マルチビーム走査光学装置 - Google Patents
マルチビーム走査光学装置Info
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- JPH08300725A JPH08300725A JP10743195A JP10743195A JPH08300725A JP H08300725 A JPH08300725 A JP H08300725A JP 10743195 A JP10743195 A JP 10743195A JP 10743195 A JP10743195 A JP 10743195A JP H08300725 A JPH08300725 A JP H08300725A
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- laser
- scanning
- beam splitter
- laser beam
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 2本のレーザビームを用いて同時かつ2本並
列に走査を行うマルチビーム走査光学装置において、2
本のレーザビームにより被走査面上に形成される2つの
スポットの相対位置誤差を小さくする。 【構成】 レーザ発生装置1、1’及びコリメータレン
ズ2、2’をそれぞれブロック化して光源装置A、Bを
形成する。さらに、ビームスプリッタ3を透過する方の
レーザビームを出力する光源装置Bと基板27との間に
絶縁部材30を介在させ、両者を樹脂ネジ31で留め
る。
列に走査を行うマルチビーム走査光学装置において、2
本のレーザビームにより被走査面上に形成される2つの
スポットの相対位置誤差を小さくする。 【構成】 レーザ発生装置1、1’及びコリメータレン
ズ2、2’をそれぞれブロック化して光源装置A、Bを
形成する。さらに、ビームスプリッタ3を透過する方の
レーザビームを出力する光源装置Bと基板27との間に
絶縁部材30を介在させ、両者を樹脂ネジ31で留め
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、LBP(laser beam p
rinter)やディジタルPPC(plain papercopier)等
の書き込み用光学系として使用されるレーザビーム走査
光学装置に係り、複数のレーザビームにより同時に複数
のラインを並列に走査するマルチビーム走査光学装置に
関する。
rinter)やディジタルPPC(plain papercopier)等
の書き込み用光学系として使用されるレーザビーム走査
光学装置に係り、複数のレーザビームにより同時に複数
のラインを並列に走査するマルチビーム走査光学装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来、レーザビーム走査光学装置の分野
においては、2本のレーザビームを用いることにより1
本のレーザビームを使用する場合に比べて副走査方向の
走査速度を上げたり、1本の走査線上を2本のレーザビ
ームで順次重ねて走査することにより被走査面上に形成
される画像の濃度を高めたりするマルチビーム走査光学
装置が用いられている。
においては、2本のレーザビームを用いることにより1
本のレーザビームを使用する場合に比べて副走査方向の
走査速度を上げたり、1本の走査線上を2本のレーザビ
ームで順次重ねて走査することにより被走査面上に形成
される画像の濃度を高めたりするマルチビーム走査光学
装置が用いられている。
【0003】また、最近では、レーザビーム走査光学装
置により形成される画像に高い解像度が求められるよう
になってきているので、2本のレーザビームを用いるこ
とにより、1本のレーザビームによる場合に比べて、画
像形成速度を同じに保ったまま走査線の間隔を1/2にし
て解像度を向上することも行われている。
置により形成される画像に高い解像度が求められるよう
になってきているので、2本のレーザビームを用いるこ
とにより、1本のレーザビームによる場合に比べて、画
像形成速度を同じに保ったまま走査線の間隔を1/2にし
て解像度を向上することも行われている。
【0004】これらのマルチビーム走査光学装置は、レ
ーザダイオードと光量をモニタするためのフォトダイオ
ードとを導電性を有するハウジングに内蔵したレーザ発
生装置を2個備えている。そして、レーザダイオードの
アノード、カソード及びフォトダイオードのアノード、
カソードの計4つの電極中の2つが、レーザ発生装置の
内部で接続されており、これがハウジングと導通するよ
うになっている。
ーザダイオードと光量をモニタするためのフォトダイオ
ードとを導電性を有するハウジングに内蔵したレーザ発
生装置を2個備えている。そして、レーザダイオードの
アノード、カソード及びフォトダイオードのアノード、
カソードの計4つの電極中の2つが、レーザ発生装置の
内部で接続されており、これがハウジングと導通するよ
うになっている。
【0005】例えば、図9のように、レーザダイオード
LDのアノードとフォトダイオードPDのカソードとに
ハウジング電圧を共通に使う方式のレーザ発生装置をマ
ルチビーム走査光学装置の光源として用いる場合、図1
0のような回路構成となる。ここで、1、1’はそれぞ
れレーザ発生装置を示している。各ハウジング301、
302には、正の電源電圧+B1、+B2が印加され
る。
LDのアノードとフォトダイオードPDのカソードとに
ハウジング電圧を共通に使う方式のレーザ発生装置をマ
ルチビーム走査光学装置の光源として用いる場合、図1
0のような回路構成となる。ここで、1、1’はそれぞ
れレーザ発生装置を示している。各ハウジング301、
302には、正の電源電圧+B1、+B2が印加され
る。
【0006】この場合、+B1と+B2は同一値である
筈であるが、実際にはレーザダイオードLD1とLD2と
の発光強度のばらつき等によって、レーザダイオード個
々に調整が必要となり、その結果、レーザ発生装置1と
1’とで電源電圧(ケース電圧)は必ずしも同値でな
い。したがって、同一の導電性基板上に2つのレーザ発
生装置1、1’を装着したとき、両者間を絶縁すること
が必要となる。また、ケース電圧(すなわち電源電圧)
が同値であっても、異値であっても、導電性基板を介し
て一方の電源から他方の電源にノイズが伝達される虞も
あるので、このノイズの影響を互いに遮断する必要性か
らも、両者間の絶縁が望まれる。
筈であるが、実際にはレーザダイオードLD1とLD2と
の発光強度のばらつき等によって、レーザダイオード個
々に調整が必要となり、その結果、レーザ発生装置1と
1’とで電源電圧(ケース電圧)は必ずしも同値でな
い。したがって、同一の導電性基板上に2つのレーザ発
生装置1、1’を装着したとき、両者間を絶縁すること
が必要となる。また、ケース電圧(すなわち電源電圧)
が同値であっても、異値であっても、導電性基板を介し
て一方の電源から他方の電源にノイズが伝達される虞も
あるので、このノイズの影響を互いに遮断する必要性か
らも、両者間の絶縁が望まれる。
【0007】図11は、従来のレーザ発生装置とその周
辺部の構成を示す上面図である。この部分は、レーザ発
生装置1、1’を保持するレーザ保持部材307、30
7’、それぞれのレーザビームを平行光束化するコリメ
ータレンズ303、303’、及び一方のレーザビーム
を透過し、他方のレーザビームを反射して、これら2本
のレーザビームを平行に揃えるビームスプリッタ304
等を基板306に取り付けることにより構成される。
辺部の構成を示す上面図である。この部分は、レーザ発
生装置1、1’を保持するレーザ保持部材307、30
7’、それぞれのレーザビームを平行光束化するコリメ
ータレンズ303、303’、及び一方のレーザビーム
を透過し、他方のレーザビームを反射して、これら2本
のレーザビームを平行に揃えるビームスプリッタ304
等を基板306に取り付けることにより構成される。
【0008】レーザ発生装置1、1’及びコリメータレ
ンズ303、303’の位置精度は、走査光学系を通し
てレーザビームが被走査面上に形成するスポットの位置
に対して誤差感度が非常に高いので、高精度に位置決め
するため、基板306及びレーザ保持部材307、30
7’は金属で製作されており導電性がある。そして、レ
ーザ保持部材307、307’と基板306との間にそ
れぞれ絶縁部材305、305’を介在させることによ
り、レーザ発生装置1と1’とは絶縁されている。
ンズ303、303’の位置精度は、走査光学系を通し
てレーザビームが被走査面上に形成するスポットの位置
に対して誤差感度が非常に高いので、高精度に位置決め
するため、基板306及びレーザ保持部材307、30
7’は金属で製作されており導電性がある。そして、レ
ーザ保持部材307、307’と基板306との間にそ
れぞれ絶縁部材305、305’を介在させることによ
り、レーザ発生装置1と1’とは絶縁されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図11
に示した従来技術では、絶縁部材305、305’は、
レーザ発生装置1、1’とそれらに対応するコリメータ
レンズ303、303’との間に介在されているので、
絶縁部材305、305’がレーザ発生装置1、1’の
発熱による熱歪や外力による変形を受けることにより、
コリメータレンズ303、303’それぞれの光軸に垂
直な平面内においてレーザ発生装置1、1’に僅かに位
置ずれが発生しただけでも、コリメータレンズ303、
303’を通過しビームスプリッタ304から出力され
るレーザビームそれぞれの傾きが変化し、その結果、レ
ーザビームにより被走査面上に形成されるスポットの位
置に誤差が生じてしまう。
に示した従来技術では、絶縁部材305、305’は、
レーザ発生装置1、1’とそれらに対応するコリメータ
レンズ303、303’との間に介在されているので、
絶縁部材305、305’がレーザ発生装置1、1’の
発熱による熱歪や外力による変形を受けることにより、
コリメータレンズ303、303’それぞれの光軸に垂
直な平面内においてレーザ発生装置1、1’に僅かに位
置ずれが発生しただけでも、コリメータレンズ303、
303’を通過しビームスプリッタ304から出力され
るレーザビームそれぞれの傾きが変化し、その結果、レ
ーザビームにより被走査面上に形成されるスポットの位
置に誤差が生じてしまう。
【0010】そのようなとき、1本のレーザビームを用
いる走査光学系の場合には、スポットの位置誤差が0.5m
mに達しても画像品質上全く問題にならないが、本発明
が対象とするマルチビーム走査光学装置の場合には、2
本のレーザビームによる2つのスポットの相対的な位置
誤差の許容値はドットピッチの1/4程度である。すなわ
ち、ドット密度が400dpiである場合には、ドットピッチ
は63.5μmとなるので、10μm程度の相対位置誤差が発生
すると画像品質に目視できる程度の影響が現れる。そし
て、上記従来技術によれば、被走査面上での2つのスポ
ットの経時的な相対位置誤差は容易に10μmを超えてし
まうため、画像品質が著しく低下するという問題があっ
た。
いる走査光学系の場合には、スポットの位置誤差が0.5m
mに達しても画像品質上全く問題にならないが、本発明
が対象とするマルチビーム走査光学装置の場合には、2
本のレーザビームによる2つのスポットの相対的な位置
誤差の許容値はドットピッチの1/4程度である。すなわ
ち、ドット密度が400dpiである場合には、ドットピッチ
は63.5μmとなるので、10μm程度の相対位置誤差が発生
すると画像品質に目視できる程度の影響が現れる。そし
て、上記従来技術によれば、被走査面上での2つのスポ
ットの経時的な相対位置誤差は容易に10μmを超えてし
まうため、画像品質が著しく低下するという問題があっ
た。
【0011】本発明は、このような問題を解決するため
になされたものであって、2個のレーザ発生装置を絶縁
するためにレーザ発生装置それぞれと導電性基板との間
に介在される絶縁部材が経時的に変形してレーザ発生装
置それぞれの位置がずれても、被走査面上に2本のレー
ザビームが形成する2つのスポットの相対位置誤差が小
さく抑えられるマルチビーム走査光学装置を提供するこ
とを目的とする。
になされたものであって、2個のレーザ発生装置を絶縁
するためにレーザ発生装置それぞれと導電性基板との間
に介在される絶縁部材が経時的に変形してレーザ発生装
置それぞれの位置がずれても、被走査面上に2本のレー
ザビームが形成する2つのスポットの相対位置誤差が小
さく抑えられるマルチビーム走査光学装置を提供するこ
とを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、被走査面を走査するためのレーザビー
ムを射出する第1、第2のレーザ発生装置と、前記第1
のレーザ発生装置からのレーザビームを反射するととも
に前記第2のレーザ発生装置からのレーザビームを透過
して、該2本のレーザビームを平行に出力する光学部材
と、前記第1、第2のレーザ発生装置及び前記光学部材
を装着する導電性基板と、を備えたマルチビーム走査光
学装置において、前記第1、第2のレーザ発生装置は、
それぞれのハウジングに電源電圧が与えられて動作可能
状態となるように構成されており、前記第1のレーザ発
生装置を前記導電性基板に直接装着し、一方、前記第2
のレーザ発生装置を絶縁部材を介して前記導電性基板に
装着するようにしている。
め、本発明では、被走査面を走査するためのレーザビー
ムを射出する第1、第2のレーザ発生装置と、前記第1
のレーザ発生装置からのレーザビームを反射するととも
に前記第2のレーザ発生装置からのレーザビームを透過
して、該2本のレーザビームを平行に出力する光学部材
と、前記第1、第2のレーザ発生装置及び前記光学部材
を装着する導電性基板と、を備えたマルチビーム走査光
学装置において、前記第1、第2のレーザ発生装置は、
それぞれのハウジングに電源電圧が与えられて動作可能
状態となるように構成されており、前記第1のレーザ発
生装置を前記導電性基板に直接装着し、一方、前記第2
のレーザ発生装置を絶縁部材を介して前記導電性基板に
装着するようにしている。
【0013】
【作用】したがって、本発明によれば、例えば、レーザ
ダイオードのアノードを導電性を有するハウジングに接
続し、このハウジングを介して外部より電源電圧をアノ
ードに受けるような形態で使用する場合、第1のレーザ
発生装置のケースと第2のレーザ発生装置のケースは、
導電性基板に装着された状態でも、絶縁部材によって互
いに電気的に隔離された形となる。しかも、絶縁のため
に介在する絶縁部材は、第2のレーザ発生装置(発生さ
れたレーザビームが光学部材で透過する側のレーザ発生
装置)側に施しているので、その絶縁部材を介在したこ
とによるレーザビームの伝搬方向の変位が比較的少な
い。すなわち、レーザ発生装置の発熱等により絶縁部材
が変形したり光学部材が変位した場合でも、第1のレー
ザ発生装置(発生されたレーザビームが光学部材で反射
される側のレーザ発生装置)側に絶縁部材を施した場合
に比べて、光学部材から出力されるレーザビームの伝搬
方向の変位が小さくなる。
ダイオードのアノードを導電性を有するハウジングに接
続し、このハウジングを介して外部より電源電圧をアノ
ードに受けるような形態で使用する場合、第1のレーザ
発生装置のケースと第2のレーザ発生装置のケースは、
導電性基板に装着された状態でも、絶縁部材によって互
いに電気的に隔離された形となる。しかも、絶縁のため
に介在する絶縁部材は、第2のレーザ発生装置(発生さ
れたレーザビームが光学部材で透過する側のレーザ発生
装置)側に施しているので、その絶縁部材を介在したこ
とによるレーザビームの伝搬方向の変位が比較的少な
い。すなわち、レーザ発生装置の発熱等により絶縁部材
が変形したり光学部材が変位した場合でも、第1のレー
ザ発生装置(発生されたレーザビームが光学部材で反射
される側のレーザ発生装置)側に絶縁部材を施した場合
に比べて、光学部材から出力されるレーザビームの伝搬
方向の変位が小さくなる。
【0014】
【実施例】以下、本発明を適用したマルチビーム走査光
学装置の実施例を図面を参照しながら説明する。図1は
本発明の第1実施例に係るマルチビーム走査光学装置の
上面図であり、図2はその内、レーザ発生装置1、
1’、コリメータレンズ2、2’、ビームスプリッタ3
及びそれらを取り付ける基板27等を取り出して示す部
分拡大図である。尚、図2(a)、(b)はそれぞれ、
当該部分の上面図、正面図である。
学装置の実施例を図面を参照しながら説明する。図1は
本発明の第1実施例に係るマルチビーム走査光学装置の
上面図であり、図2はその内、レーザ発生装置1、
1’、コリメータレンズ2、2’、ビームスプリッタ3
及びそれらを取り付ける基板27等を取り出して示す部
分拡大図である。尚、図2(a)、(b)はそれぞれ、
当該部分の上面図、正面図である。
【0015】このマルチビーム走査光学装置は、高い精
度が要求されるとともに、その精度が経時的に安定して
保たれなければならないので、金属からなり導電性のあ
る取付基板9を用いて、その上に以下に述べる種々の光
学部品がそれぞれネジ10で取り付けられる構成となっ
ている。また、取付基板9には、このマルチビーム走査
光学装置をプリンターやコピー機等の装置本体に取り付
けるための座ぐり穴11も形成されている。また、レー
ザ発生装置1、1’、コリメータレンズ2、2’及びビ
ームスプリッタ3の位置ずれは、走査光学系を通してレ
ーザビームが被走査面上に形成するスポットの位置誤差
に対して感度が高いので、高精度を保証するため基板2
7も金属を用いて製作されており導電性を有する。
度が要求されるとともに、その精度が経時的に安定して
保たれなければならないので、金属からなり導電性のあ
る取付基板9を用いて、その上に以下に述べる種々の光
学部品がそれぞれネジ10で取り付けられる構成となっ
ている。また、取付基板9には、このマルチビーム走査
光学装置をプリンターやコピー機等の装置本体に取り付
けるための座ぐり穴11も形成されている。また、レー
ザ発生装置1、1’、コリメータレンズ2、2’及びビ
ームスプリッタ3の位置ずれは、走査光学系を通してレ
ーザビームが被走査面上に形成するスポットの位置誤差
に対して感度が高いので、高精度を保証するため基板2
7も金属を用いて製作されており導電性を有する。
【0016】尚、本実施例の場合、「光学部材」は、ビ
ームスプリッタ3に相当する。
ームスプリッタ3に相当する。
【0017】レーザ発生装置1、1’から発するレーザ
ビームは、それぞれコリメータレンズ2、2’により平
行光束に変換されてビームスプリッタ3に入射する。そ
して、ビームスプリッタ3内に設けられた干渉膜3aに
おいて、レーザ発生装置1から出たレーザビームは反射
され、一方、レーザ発生装置1’から出たレーザビーム
は透過し、その後これら2本のレーザビームは光学系の
光軸に平行に進むことになる。
ビームは、それぞれコリメータレンズ2、2’により平
行光束に変換されてビームスプリッタ3に入射する。そ
して、ビームスプリッタ3内に設けられた干渉膜3aに
おいて、レーザ発生装置1から出たレーザビームは反射
され、一方、レーザ発生装置1’から出たレーザビーム
は透過し、その後これら2本のレーザビームは光学系の
光軸に平行に進むことになる。
【0018】このとき、図2(b)に示すように、レー
ザ発生装置1と1’並びにコリメータレンズ2と2’
は、それらを取り付ける基板27に段差を設けることに
より、副走査方向に所定の間隔だけ高さを変えて配設さ
れているので、ビームスプリッタ3のポリゴンミラー6
側では、それぞれのレーザビームの光軸は光学系の光軸
近傍において副走査方向に所定の間隔を空けて平行に揃
えられている(但し、図2(b)は、2本のレーザビー
ムの光軸間に設定される副走査方向の間隔、すなわち、
レーザ発生装置1と1’並びにコリメータレンズ2と
2’の間に設定される副走査方向の所定の間隔を強調し
たものであり、実際にはその間隔は極僅かである。)。
ザ発生装置1と1’並びにコリメータレンズ2と2’
は、それらを取り付ける基板27に段差を設けることに
より、副走査方向に所定の間隔だけ高さを変えて配設さ
れているので、ビームスプリッタ3のポリゴンミラー6
側では、それぞれのレーザビームの光軸は光学系の光軸
近傍において副走査方向に所定の間隔を空けて平行に揃
えられている(但し、図2(b)は、2本のレーザビー
ムの光軸間に設定される副走査方向の間隔、すなわち、
レーザ発生装置1と1’並びにコリメータレンズ2と
2’の間に設定される副走査方向の所定の間隔を強調し
たものであり、実際にはその間隔は極僅かである。)。
【0019】また、レーザ発生装置1と1’とを絶縁す
る必要性から、第1実施例においては、レーザ発生装置
1’を装着した光源装置Bと基板27との間に絶縁部材
30が介在されている。ここで、光源装置A、Bは、そ
れぞれレーザ発生装置1、1’及びコリメータレンズ
2、2’を備えており、それらを保持する部材は、高い
精度が要求されるので、金属からなっており導電性を有
する。
る必要性から、第1実施例においては、レーザ発生装置
1’を装着した光源装置Bと基板27との間に絶縁部材
30が介在されている。ここで、光源装置A、Bは、そ
れぞれレーザ発生装置1、1’及びコリメータレンズ
2、2’を備えており、それらを保持する部材は、高い
精度が要求されるので、金属からなっており導電性を有
する。
【0020】ここで、レーザビームを画像形成に利用す
る効率を上げるためには、ビームスプリッタ3に入射す
るレーザ発生装置1からのレーザビームの反射率、及び
レーザ発生装置1’からのレーザビームの透過率を高め
ることが望ましい。そのためには、レーザ発生装置1、
1’をそれぞれ直線偏光したレーザビームを発するもの
とし、ビームスプリッタ3として偏光ビームスプリッタ
を用いるとともに、ビームスプリッタ3内に設けられた
干渉膜3aに対して、レーザ発生装置1からのレーザビ
ームはs偏光として入射し、半導体レーザ1’からのレ
ーザビームはp偏光として入射するようにすると、干渉
膜3aの面におけるレーザ発生装置1からのレーザビー
ムの反射率、及びレーザ発生装置1’からのレーザビー
ムの透過率を効率よく高めることができる。
る効率を上げるためには、ビームスプリッタ3に入射す
るレーザ発生装置1からのレーザビームの反射率、及び
レーザ発生装置1’からのレーザビームの透過率を高め
ることが望ましい。そのためには、レーザ発生装置1、
1’をそれぞれ直線偏光したレーザビームを発するもの
とし、ビームスプリッタ3として偏光ビームスプリッタ
を用いるとともに、ビームスプリッタ3内に設けられた
干渉膜3aに対して、レーザ発生装置1からのレーザビ
ームはs偏光として入射し、半導体レーザ1’からのレ
ーザビームはp偏光として入射するようにすると、干渉
膜3aの面におけるレーザ発生装置1からのレーザビー
ムの反射率、及びレーザ発生装置1’からのレーザビー
ムの透過率を効率よく高めることができる。
【0021】このとき、レーザダイオードは一般に偏光
方向とそれに直交する方向ではレーザビームの広がり角
が異なるため、レーザビームの断面は楕円形となるが、
本実施例では、ビームスプリッタ3から被走査面までの
光学系を2本のレーザビームに共通に用いているため、
レーザビームそれぞれの断面の長手方向と短手方向とを
一致させる必要がある。そのため、レーザ発生装置1、
1’から発する2本のレーザビームの偏光方向に応じ
て、コリメータレンズ2とビームスプリッタ3との間、
あるいはコリメータレンズ2’とビームスプリッタ3と
の間に、1/2波長板あるいはローテータのようなレーザ
ビームの偏光面を90゜回転させる光学部材を挿入しな
ければならない。
方向とそれに直交する方向ではレーザビームの広がり角
が異なるため、レーザビームの断面は楕円形となるが、
本実施例では、ビームスプリッタ3から被走査面までの
光学系を2本のレーザビームに共通に用いているため、
レーザビームそれぞれの断面の長手方向と短手方向とを
一致させる必要がある。そのため、レーザ発生装置1、
1’から発する2本のレーザビームの偏光方向に応じ
て、コリメータレンズ2とビームスプリッタ3との間、
あるいはコリメータレンズ2’とビームスプリッタ3と
の間に、1/2波長板あるいはローテータのようなレーザ
ビームの偏光面を90゜回転させる光学部材を挿入しな
ければならない。
【0022】図3(a)及び(b)にこれらの直線偏光
する2本のレーザビームの偏光方向、及びそれに応じて
ビームスプリッタ3とレーザ発生装置1あるいは1’と
の間に挿入される1/2波長板14の配置を示す。図3
中、レーザ発生装置1、1’から発する2本のレーザビ
ームそれぞれの伝搬方向にx軸及びy軸を取り、x−y
平面に垂直な方向にz軸を取っている。尚、ビームスプ
リッタ3としては、偏光ビームスプリッタを用いてい
る。
する2本のレーザビームの偏光方向、及びそれに応じて
ビームスプリッタ3とレーザ発生装置1あるいは1’と
の間に挿入される1/2波長板14の配置を示す。図3
中、レーザ発生装置1、1’から発する2本のレーザビ
ームそれぞれの伝搬方向にx軸及びy軸を取り、x−y
平面に垂直な方向にz軸を取っている。尚、ビームスプ
リッタ3としては、偏光ビームスプリッタを用いてい
る。
【0023】図3(a)においては、レーザ発生装置
1、1’から発せられた直後のレーザビームは、ともに
x−y面が偏光面となっている。レーザ発生装置1、
1’をこのように配向した場合、このままの状態では、
これら2本のレーザビームは、ビームスプリッタ3内の
干渉膜3aに対して、それぞれ入射方向は異なるもの
の、ともにp偏光として入射することになり、レーザ発
生装置1からのレーザビームの反射率が著しく小さい値
となってしまう。
1、1’から発せられた直後のレーザビームは、ともに
x−y面が偏光面となっている。レーザ発生装置1、
1’をこのように配向した場合、このままの状態では、
これら2本のレーザビームは、ビームスプリッタ3内の
干渉膜3aに対して、それぞれ入射方向は異なるもの
の、ともにp偏光として入射することになり、レーザ発
生装置1からのレーザビームの反射率が著しく小さい値
となってしまう。
【0024】したがって、ビームスプリッタ3とコリメ
ータレンズ2の間に1/2波長板14を挿入することによ
り、レーザ発生装置1から発せられるレーザビームの偏
光面を90゜回転してx−z面となるようにしている。
これによって、ビームスプリッタ3におけるレーザ発生
装置1からのレーザビームの反射率を効率よく高めるこ
とができる。
ータレンズ2の間に1/2波長板14を挿入することによ
り、レーザ発生装置1から発せられるレーザビームの偏
光面を90゜回転してx−z面となるようにしている。
これによって、ビームスプリッタ3におけるレーザ発生
装置1からのレーザビームの反射率を効率よく高めるこ
とができる。
【0025】一方、図3(b)においては、レーザ発生
装置1及び1’から発せられた直後のレーザビームは、
それぞれx−z面及びy−z面を偏光面としている。レ
ーザ発生装置1、1’をこのように配向した場合、この
ままの状態では、これら2本のレーザビームはビームス
プリッタ3内の干渉膜3aに対して、ともにs偏光とし
て入射することになり、半導体素子1’からのレーザビ
ームの透過率が著しく小さくなるので、該レーザビーム
の偏光面を90゜回転してx−y面とするためにビーム
スプリッタ3とコリメータレンズ2’の間に1/2波長板
14を挿入して、ビームスプリッタ3におけるその透過
率を高めるようにしている。
装置1及び1’から発せられた直後のレーザビームは、
それぞれx−z面及びy−z面を偏光面としている。レ
ーザ発生装置1、1’をこのように配向した場合、この
ままの状態では、これら2本のレーザビームはビームス
プリッタ3内の干渉膜3aに対して、ともにs偏光とし
て入射することになり、半導体素子1’からのレーザビ
ームの透過率が著しく小さくなるので、該レーザビーム
の偏光面を90゜回転してx−y面とするためにビーム
スプリッタ3とコリメータレンズ2’の間に1/2波長板
14を挿入して、ビームスプリッタ3におけるその透過
率を高めるようにしている。
【0026】ここで、図1に戻って説明を続ける。ビー
ムスプリッタ3を経て、その光軸が光学系の光軸近傍に
おいて副走査方向に所定の間隔を空けるとともに光学系
の光軸に対して平行に揃えられた2本のレーザビームは
共通に、2枚のシリンドリカルレンズ4、5から構成さ
れる第1のシリンドリカルレンズ群12により、ポリゴ
ンミラー6の偏向面近傍で副走査方向に一旦集光され
る。ここで、シリンドリカルレンズ4、5は、副走査方
向にのみそれぞれ正、負のパワーを有し、これらが合わ
さって、第1のシリンドリカルレンズ群12としては副
走査方向にのみ正のパワーを有する。
ムスプリッタ3を経て、その光軸が光学系の光軸近傍に
おいて副走査方向に所定の間隔を空けるとともに光学系
の光軸に対して平行に揃えられた2本のレーザビームは
共通に、2枚のシリンドリカルレンズ4、5から構成さ
れる第1のシリンドリカルレンズ群12により、ポリゴ
ンミラー6の偏向面近傍で副走査方向に一旦集光され
る。ここで、シリンドリカルレンズ4、5は、副走査方
向にのみそれぞれ正、負のパワーを有し、これらが合わ
さって、第1のシリンドリカルレンズ群12としては副
走査方向にのみ正のパワーを有する。
【0027】したがって、レーザービームは主走査方向
には集光されないので、ポリゴンミラー6の偏向面近傍
において、2本のレーザービームの断面はそれぞれ主走
査方向に長さを有する2本の線状となる。第1のシリン
ドリカルレンズ群12の作用は、後に述べる副走査方向
に正のパワーを有する第2のシリンドリカルレンズ群と
協働して、ポリゴンミラー6の偏向面の面倒れ補正を行
うことである。
には集光されないので、ポリゴンミラー6の偏向面近傍
において、2本のレーザービームの断面はそれぞれ主走
査方向に長さを有する2本の線状となる。第1のシリン
ドリカルレンズ群12の作用は、後に述べる副走査方向
に正のパワーを有する第2のシリンドリカルレンズ群と
協働して、ポリゴンミラー6の偏向面の面倒れ補正を行
うことである。
【0028】図4は、シリンドリカルレンズ4、5、そ
れらを収容する鏡筒15及び鏡筒15を固定支持し取付
基板9に取り付けられてい台座16を取り出して示す部
分拡大図である。同図中、(a)は正面図、(b)は側
方から見た断面図、(c)は上面図である。鏡筒15
は、シリンドリカルレンズ4を装着する内側部材15b
と、シリンドリカルレンズ5を装着するとともに内側部
材15bが嵌合する外側部材15aとから構成される。
れらを収容する鏡筒15及び鏡筒15を固定支持し取付
基板9に取り付けられてい台座16を取り出して示す部
分拡大図である。同図中、(a)は正面図、(b)は側
方から見た断面図、(c)は上面図である。鏡筒15
は、シリンドリカルレンズ4を装着する内側部材15b
と、シリンドリカルレンズ5を装着するとともに内側部
材15bが嵌合する外側部材15aとから構成される。
【0029】台座16は略直方体形状であり、その上面
に光軸と平行な面をなすV溝16aが形成されている。
そして、全体として略円筒形状の鏡筒15は、このV溝
16aの両斜面に接した状態で支持される。このV溝1
6aは、鏡筒15を支持した状態で、シリンドリカルレ
ンズ5の母線の副走査方向高さが光軸高さと一致するよ
うに形成されている。さらに、鏡筒15は、板バネ21
で押さえてネジ22を留めることにより、台座16に対
して移動しないように固定される。
に光軸と平行な面をなすV溝16aが形成されている。
そして、全体として略円筒形状の鏡筒15は、このV溝
16aの両斜面に接した状態で支持される。このV溝1
6aは、鏡筒15を支持した状態で、シリンドリカルレ
ンズ5の母線の副走査方向高さが光軸高さと一致するよ
うに形成されている。さらに、鏡筒15は、板バネ21
で押さえてネジ22を留めることにより、台座16に対
して移動しないように固定される。
【0030】鏡筒15の外側部材15aの内側部材15
bが嵌まり合っていない端面には、シリンドリカルレン
ズ5が板バネ17、18により押圧固定されている。板
バネ17、18は、それぞれネジ19、20により外側
部材15aに留められている。外側部材15aのこの端
面に臨む箇所には主走査面と平行な平面部15cが形成
されており、シリンドリカルレンズ5のシリンダ母線と
平行なコバ面を平面部15cに当接させることによっ
て、シリンダ母線と光軸の副走査方向高さを合わせるこ
とができる。
bが嵌まり合っていない端面には、シリンドリカルレン
ズ5が板バネ17、18により押圧固定されている。板
バネ17、18は、それぞれネジ19、20により外側
部材15aに留められている。外側部材15aのこの端
面に臨む箇所には主走査面と平行な平面部15cが形成
されており、シリンドリカルレンズ5のシリンダ母線と
平行なコバ面を平面部15cに当接させることによっ
て、シリンダ母線と光軸の副走査方向高さを合わせるこ
とができる。
【0031】鏡筒15の内側部材15bは、外側部材1
5aに挿入されていない側において側壁の一部が突出
し、突出部の光軸側の面には主走査面に平行な平面部1
5dが形成されている。シリンドリカルレンズ4は、そ
のシリンダ母線と光軸の副走査方向高さを合わせるよう
に、シリンダ母線と平行なコバ面を平面部15dに当接
させて、外側部材15aに挿入されていない側の端面に
接着固定される。
5aに挿入されていない側において側壁の一部が突出
し、突出部の光軸側の面には主走査面に平行な平面部1
5dが形成されている。シリンドリカルレンズ4は、そ
のシリンダ母線と光軸の副走査方向高さを合わせるよう
に、シリンダ母線と平行なコバ面を平面部15dに当接
させて、外側部材15aに挿入されていない側の端面に
接着固定される。
【0032】シリンドリカルレンズ4と5は以下のよう
にして調整される。先ず、シリンドリカルレンズ4と5
をそれぞれ鏡筒15の内側部材15bと外側部材15a
に取り付ける。次に、外側部材15aに内側部材15b
を嵌合させ、シリンドリカルレンズ4と5の軸上面間隔
が所定の距離となり、かつシリンダ母線の方向が同一と
なるように、両者を回転、移動させて調整した後固定
し、レンズブロックとする。
にして調整される。先ず、シリンドリカルレンズ4と5
をそれぞれ鏡筒15の内側部材15bと外側部材15a
に取り付ける。次に、外側部材15aに内側部材15b
を嵌合させ、シリンドリカルレンズ4と5の軸上面間隔
が所定の距離となり、かつシリンダ母線の方向が同一と
なるように、両者を回転、移動させて調整した後固定
し、レンズブロックとする。
【0033】一方、台座16は、V溝16aの中心線を
本体装置の光軸と略一致させるように調整した後、取付
基板9に取り付けておく。この台座16に、光学調整を
行ったレンズブロックを載置するだけで、光軸中心を一
致させることができる。最後に、レンズブロックの位
置、すなわち光源等の他の光学要素との光軸方向の距離
とシリンダ母線の方向を調整し、板バネ21で固定す
る。このようにすれば、シリンドリカルレンズ4、5の
位置決めを簡単にかつ精度良く行うことができる。
本体装置の光軸と略一致させるように調整した後、取付
基板9に取り付けておく。この台座16に、光学調整を
行ったレンズブロックを載置するだけで、光軸中心を一
致させることができる。最後に、レンズブロックの位
置、すなわち光源等の他の光学要素との光軸方向の距離
とシリンダ母線の方向を調整し、板バネ21で固定す
る。このようにすれば、シリンドリカルレンズ4、5の
位置決めを簡単にかつ精度良く行うことができる。
【0034】再び、図1に戻って説明する。第1のシリ
ンドリカルレンズ群12によってポリゴンミラー6の偏
向面近傍で副走査方向に一旦集光された2本のレーザビ
ームは同時に、ポリゴンミラー6の偏向面が回転するこ
とにより、被走査面の主走査方向に偏向される。ポリゴ
ンミラー6は、その回転軸6aに平行な多数の(図1で
は、6つの)反射面を偏向面として施した正多角形柱形
状をなしており、取付基板9の裏面に取り付けられたモ
ータ(図示せず)に駆動されて回転軸6aの周りに等速
度で高速回転するようになっている。
ンドリカルレンズ群12によってポリゴンミラー6の偏
向面近傍で副走査方向に一旦集光された2本のレーザビ
ームは同時に、ポリゴンミラー6の偏向面が回転するこ
とにより、被走査面の主走査方向に偏向される。ポリゴ
ンミラー6は、その回転軸6aに平行な多数の(図1で
は、6つの)反射面を偏向面として施した正多角形柱形
状をなしており、取付基板9の裏面に取り付けられたモ
ータ(図示せず)に駆動されて回転軸6aの周りに等速
度で高速回転するようになっている。
【0035】尚、ポリゴンミラー6は、ほこり除けのた
めカバー(図示せず)内に収容されており、ポリゴンミ
ラー6の偏向面に入射し、あるいは偏向された2本のレ
ーザビームは、カバーの側面に設けられたガラス窓14
を透過することになる。
めカバー(図示せず)内に収容されており、ポリゴンミ
ラー6の偏向面に入射し、あるいは偏向された2本のレ
ーザビームは、カバーの側面に設けられたガラス窓14
を透過することになる。
【0036】ポリゴンミラー6の偏向面で偏向された2
本のレーザビームは、2枚のレンズ7、8から構成され
全体として主走査方向に正のパワーを有する走査レンズ
群13により主走査方向に集光する。また、走査レンズ
群13と被走査面(図示せず)との間に配設されるとと
もに副走査方向に正のパワーを有する第2のシリンドリ
カルレンズ群(図示せず)により、2本のレーザビーム
は副走査方向に集光される。
本のレーザビームは、2枚のレンズ7、8から構成され
全体として主走査方向に正のパワーを有する走査レンズ
群13により主走査方向に集光する。また、走査レンズ
群13と被走査面(図示せず)との間に配設されるとと
もに副走査方向に正のパワーを有する第2のシリンドリ
カルレンズ群(図示せず)により、2本のレーザビーム
は副走査方向に集光される。
【0037】これによって、2本のレーザビームは被走
査面上において副走査方向に所定の間隔離れた2つのス
ポットとして結像することになり、ポリゴンミラー6の
回転にともなって、副走査方向に所定の間隔離れた平行
な2本の走査線を同時に形成するように主走査方向に走
査を行う。尚、副走査方向には、被走査面が移動するこ
とによって走査がなされる。
査面上において副走査方向に所定の間隔離れた2つのス
ポットとして結像することになり、ポリゴンミラー6の
回転にともなって、副走査方向に所定の間隔離れた平行
な2本の走査線を同時に形成するように主走査方向に走
査を行う。尚、副走査方向には、被走査面が移動するこ
とによって走査がなされる。
【0038】本実施例では、2枚のレンズ7、8からな
る走査レンズ群13は、全体として主走査方向にのみパ
ワーを有するfθレンズを構成するものとしている。ポ
リゴンミラー6の偏向面が等角速度で回転することによ
り、該偏向面で偏向される2本のレーザビームの偏向角
の角速度は一定となるので、fθレンズを用いれば、2
本のレーザビームはそれぞれ被走査面上を主走査方向に
等速度で走査することができる。
る走査レンズ群13は、全体として主走査方向にのみパ
ワーを有するfθレンズを構成するものとしている。ポ
リゴンミラー6の偏向面が等角速度で回転することによ
り、該偏向面で偏向される2本のレーザビームの偏向角
の角速度は一定となるので、fθレンズを用いれば、2
本のレーザビームはそれぞれ被走査面上を主走査方向に
等速度で走査することができる。
【0039】尚、全体として主走査方向にfθレンズを
なす走査レンズ群13、及び副走査方向に正のパワーを
有する第2のシリンドリカルレンズ群からなる構成を、
主走査方向及び副走査方向に異なるパワーを有するトロ
イダルレンズあるいは非球面レンズ等に置き換えること
も可能である。
なす走査レンズ群13、及び副走査方向に正のパワーを
有する第2のシリンドリカルレンズ群からなる構成を、
主走査方向及び副走査方向に異なるパワーを有するトロ
イダルレンズあるいは非球面レンズ等に置き換えること
も可能である。
【0040】以上の構成において、2基のレーザ発生装
置1、1’から発する2本のレーザビームを用いて、被
走査面上に同時かつ並列に2本の走査線を書き込むこと
ができるが、そのとき書き込まれる走査線には、図5に
示すように、数種類の配列が可能である。
置1、1’から発する2本のレーザビームを用いて、被
走査面上に同時かつ並列に2本の走査線を書き込むこと
ができるが、そのとき書き込まれる走査線には、図5に
示すように、数種類の配列が可能である。
【0041】図5(a)に示す場合には、走査線のライ
ンピッチを1本のレーザビームを用いる場合と同じに保
ったまま、2本の走査線を同時に書き込むことにより、
レーザビームが1本の場合よりも画像形成速度を高める
ことができる。すなわち、1回目の主走査では所定のラ
インピッチを置いて走査線L11、L21を同時に書き込
み、2回目の主走査では、走査線L12と1回目の走査線
L21の間隔が前記所定のラインピッチと等しくなるよう
に、走査線L12、L22を同時に形成し、以下同様に3回
目以降の主走査を行うものである。この場合、1本のレ
ーザビームを用いる場合に比べて、副走査方向に被走査
面を2倍の速度で移動させることになり、画像形成速度
を2倍に高めることができる。
ンピッチを1本のレーザビームを用いる場合と同じに保
ったまま、2本の走査線を同時に書き込むことにより、
レーザビームが1本の場合よりも画像形成速度を高める
ことができる。すなわち、1回目の主走査では所定のラ
インピッチを置いて走査線L11、L21を同時に書き込
み、2回目の主走査では、走査線L12と1回目の走査線
L21の間隔が前記所定のラインピッチと等しくなるよう
に、走査線L12、L22を同時に形成し、以下同様に3回
目以降の主走査を行うものである。この場合、1本のレ
ーザビームを用いる場合に比べて、副走査方向に被走査
面を2倍の速度で移動させることになり、画像形成速度
を2倍に高めることができる。
【0042】図5(b)の場合も、走査線のラインピッ
チを、1本のレーザビームを用いる場合と同じに保った
まま2本のレーザビームで同時かつ並列に走査を行うも
のである。但し、図5(a)の場合と異なり、この場合
の副走査速度は、1本のレーザビームで走査する場合と
同じ値に設定している。このようにすると、1回目の走
査線L21と2回目の走査線L12とが重なり合い、2回目
の走査線L22と3回目の走査線L13とが重なり合うとい
うように、1本の走査線を2本のレーザビームで順次重
ねて走査することになり、被走査面上に形成される画像
の濃度を高めることができる。
チを、1本のレーザビームを用いる場合と同じに保った
まま2本のレーザビームで同時かつ並列に走査を行うも
のである。但し、図5(a)の場合と異なり、この場合
の副走査速度は、1本のレーザビームで走査する場合と
同じ値に設定している。このようにすると、1回目の走
査線L21と2回目の走査線L12とが重なり合い、2回目
の走査線L22と3回目の走査線L13とが重なり合うとい
うように、1本の走査線を2本のレーザビームで順次重
ねて走査することになり、被走査面上に形成される画像
の濃度を高めることができる。
【0043】ところで、図5(a)及び(b)に示すど
ちらの場合についても、被走査面上で2本のレーザビー
ムにより同時に走査される2本の並列な走査線の相対位
置が主走査方向あるいは副走査方向にずれると、走査線
の書き出し位置に主走査方向のむらが生じたり、あるい
は副走査方向に走査線のピッチむらが発生したりする。
ちらの場合についても、被走査面上で2本のレーザビー
ムにより同時に走査される2本の並列な走査線の相対位
置が主走査方向あるいは副走査方向にずれると、走査線
の書き出し位置に主走査方向のむらが生じたり、あるい
は副走査方向に走査線のピッチむらが発生したりする。
【0044】したがって、走査光学系を構成する個々の
光学部品の寸法やそれらの相対位置を高精度に維持しな
ければならないが、特に、レーザ発生装置1、コリメー
タレンズ2等からなる光源装置Aと、レーザ発生装置
1’、コリメータレンズ2’等からなる光源装置Bと、
ビームスプリッタ3との位置精度は、レーザビームが被
走査面上に形成する2つのスポットの相対位置に対して
誤差感度が非常に高いので、高精度に位置決めする必要
がある。
光学部品の寸法やそれらの相対位置を高精度に維持しな
ければならないが、特に、レーザ発生装置1、コリメー
タレンズ2等からなる光源装置Aと、レーザ発生装置
1’、コリメータレンズ2’等からなる光源装置Bと、
ビームスプリッタ3との位置精度は、レーザビームが被
走査面上に形成する2つのスポットの相対位置に対して
誤差感度が非常に高いので、高精度に位置決めする必要
がある。
【0045】そのため、図2に示す部分において、光源
装置A、Bを構成する部材、すなわちレーザ発生装置
1、1’を保持するレーザ保持部材101、101’、
コリメータレンズ2、2’を装着する鏡筒104、10
4’及び鏡筒104、104’を保持する鏡筒保持部材
102、102’、並びに光源装置A、B及びビームス
プリッタ3を取り付ける基板27等は、金属を用いて製
作される。
装置A、Bを構成する部材、すなわちレーザ発生装置
1、1’を保持するレーザ保持部材101、101’、
コリメータレンズ2、2’を装着する鏡筒104、10
4’及び鏡筒104、104’を保持する鏡筒保持部材
102、102’、並びに光源装置A、B及びビームス
プリッタ3を取り付ける基板27等は、金属を用いて製
作される。
【0046】一方、レーザ発生装置1と1’とは、とも
に導電性を有するハウジングに正の電源電圧が印可され
るが、両者の発光強度を個別に調整する必要性からそれ
ぞれの電源電圧は必ずしも同値でなく、また、一方の電
源から他方の電源に伝達されるノイズを遮断する必要が
あるので、両者を絶縁しなければならない。
に導電性を有するハウジングに正の電源電圧が印可され
るが、両者の発光強度を個別に調整する必要性からそれ
ぞれの電源電圧は必ずしも同値でなく、また、一方の電
源から他方の電源に伝達されるノイズを遮断する必要が
あるので、両者を絶縁しなければならない。
【0047】しかしながら、図11に示した従来例のよ
うに、レーザ発生装置1とコリメータレンズ303との
間、及びレーザ発生装置1’とコリメータレンズ30
3’との間に絶縁部材305、305’を介在した場
合、これらの絶縁部材305、305’がレーザ発生装
置1、1’の発熱による熱歪や外力による変形を受ける
ことにより、コリメータレンズ303、303’それぞ
れの光軸に垂直な平面内においてレーザ発生装置1、
1’に僅かに位置ずれが発生しただけでも、コリメータ
レンズ303、303’を通過しビームスプリッタ30
4から出力されるレーザビームそれぞれの傾きが変化
し、その結果、2本のレーザビームにより被走査面上に
形成される2つのスポットの相対位置に生じる誤差が大
きくなってしまう。
うに、レーザ発生装置1とコリメータレンズ303との
間、及びレーザ発生装置1’とコリメータレンズ30
3’との間に絶縁部材305、305’を介在した場
合、これらの絶縁部材305、305’がレーザ発生装
置1、1’の発熱による熱歪や外力による変形を受ける
ことにより、コリメータレンズ303、303’それぞ
れの光軸に垂直な平面内においてレーザ発生装置1、
1’に僅かに位置ずれが発生しただけでも、コリメータ
レンズ303、303’を通過しビームスプリッタ30
4から出力されるレーザビームそれぞれの傾きが変化
し、その結果、2本のレーザビームにより被走査面上に
形成される2つのスポットの相対位置に生じる誤差が大
きくなってしまう。
【0048】この不具合に対処するためには、図2に示
すように、レーザ発生装置1、1’とコリメータレンズ
2、2’との間に絶縁部材を介在させることなくブロッ
ク化した光源装置A、Bを形成し、光源装置AとBのい
ずれかを金属性の基板27と絶縁することが考えられ
る。
すように、レーザ発生装置1、1’とコリメータレンズ
2、2’との間に絶縁部材を介在させることなくブロッ
ク化した光源装置A、Bを形成し、光源装置AとBのい
ずれかを金属性の基板27と絶縁することが考えられ
る。
【0049】ここで、図6、7を用いて、光源装置Aあ
るいはBを絶縁部材を介在させることにより基板27と
絶縁した場合、絶縁部材の熱歪あるいは変形によりレー
ザ発生装置1あるいは1’が変位したり、レーザ発生装
置1、1’の発熱による熱変形等によりビームスプリッ
タ3が回転ずれを起こしたりすると、ビームスプリッタ
3の干渉膜3aにおいて反射され、あるいは透過するレ
ーザビームの傾きがどのように変化するかを説明する。
るいはBを絶縁部材を介在させることにより基板27と
絶縁した場合、絶縁部材の熱歪あるいは変形によりレー
ザ発生装置1あるいは1’が変位したり、レーザ発生装
置1、1’の発熱による熱変形等によりビームスプリッ
タ3が回転ずれを起こしたりすると、ビームスプリッタ
3の干渉膜3aにおいて反射され、あるいは透過するレ
ーザビームの傾きがどのように変化するかを説明する。
【0050】図6は、ビームスプリッタ3で反射される
方のレーザビームを出力する光源装置Aと基板27との
間に絶縁部材を介在させた場合に、ビームスプリッタ3
から出力される2本のレーザビームの伝搬方向が所定方
向から変位する角度を示している。このとき、絶縁部材
の熱的変形等により、レーザ発生装置1の位置は経時的
に変位し得るが、レーザ発生装置1’は基板27に直接
取り付けられているので所定の位置に保たれることにな
る。
方のレーザビームを出力する光源装置Aと基板27との
間に絶縁部材を介在させた場合に、ビームスプリッタ3
から出力される2本のレーザビームの伝搬方向が所定方
向から変位する角度を示している。このとき、絶縁部材
の熱的変形等により、レーザ発生装置1の位置は経時的
に変位し得るが、レーザ発生装置1’は基板27に直接
取り付けられているので所定の位置に保たれることにな
る。
【0051】ここで、レーザ発生装置1が1aに変位す
ることにより、それから射出されるレーザビームLBR1
の伝搬方向が主走査面内において所定の方向から反時計
方向にΔθ1変化し、同時に干渉膜3aが反時計方向に
Δθ2回転して3a’になったたとする。(但し、図7
では、LBR1が時計回りに変化した状態を示しているの
で、その変位角は−Δθ1として図示している。)この
とき、レーザ発生装置1’から射出されるレーザビーム
LBT1の伝搬方向は変化しない。そうすると、干渉膜3
aにおいてレーザビームLBT1が透過した透過光L
BT2、及びレーザビームLBR1が反射した反射光LBR2
の伝搬方向それぞれの所定の方向からの変位角は、 (透過光LBT2の伝搬方向の変位角)=0 ……(1) (反射光LBR2の伝搬方向の変位角)=2・Δθ2−Δθ1 ……(2) となる。
ることにより、それから射出されるレーザビームLBR1
の伝搬方向が主走査面内において所定の方向から反時計
方向にΔθ1変化し、同時に干渉膜3aが反時計方向に
Δθ2回転して3a’になったたとする。(但し、図7
では、LBR1が時計回りに変化した状態を示しているの
で、その変位角は−Δθ1として図示している。)この
とき、レーザ発生装置1’から射出されるレーザビーム
LBT1の伝搬方向は変化しない。そうすると、干渉膜3
aにおいてレーザビームLBT1が透過した透過光L
BT2、及びレーザビームLBR1が反射した反射光LBR2
の伝搬方向それぞれの所定の方向からの変位角は、 (透過光LBT2の伝搬方向の変位角)=0 ……(1) (反射光LBR2の伝搬方向の変位角)=2・Δθ2−Δθ1 ……(2) となる。
【0052】一方、図7には、ビームスプリッタ3を透
過する方のレーザビームを出力する光源装置Bと基板2
7との間に、絶縁部材を介在させた場合に、ビームスプ
リッタ3から出力される2本のレーザビームの伝搬方向
が所定方向から変位する角度を示している。このとき、
レーザ発生装置1’の位置は経時的に変位し得るが、レ
ーザ発生装置1は所定の位置に保たれることになる。
過する方のレーザビームを出力する光源装置Bと基板2
7との間に、絶縁部材を介在させた場合に、ビームスプ
リッタ3から出力される2本のレーザビームの伝搬方向
が所定方向から変位する角度を示している。このとき、
レーザ発生装置1’の位置は経時的に変位し得るが、レ
ーザ発生装置1は所定の位置に保たれることになる。
【0053】ここで、レーザ発生装置1’が1’aに変
位することにより、それから射出されるレーザビームL
BT1の伝搬方向が主走査面内において反時計方向にΔθ
1変化し、同時に干渉膜3aが反時計方向にΔθ2回転し
て3a’になったたとする。このときレーザ発生装置1
から射出されるレーザビームLBR1の伝搬方向は変化し
ない。そうすると、干渉膜3aにおいてレーザビームL
BT1が透過した透過光LBT2、及びレーザビームLBR1
が反射した反射光LBR2の伝搬方向は所定の方向から変
化することになり、その変位角は、 (透過光LBT2の伝搬方向の変位角)=Δθ1 ……(3) (反射光LBR2の伝搬方向の変位角)=2・Δθ2 ……(4) となる。
位することにより、それから射出されるレーザビームL
BT1の伝搬方向が主走査面内において反時計方向にΔθ
1変化し、同時に干渉膜3aが反時計方向にΔθ2回転し
て3a’になったたとする。このときレーザ発生装置1
から射出されるレーザビームLBR1の伝搬方向は変化し
ない。そうすると、干渉膜3aにおいてレーザビームL
BT1が透過した透過光LBT2、及びレーザビームLBR1
が反射した反射光LBR2の伝搬方向は所定の方向から変
化することになり、その変位角は、 (透過光LBT2の伝搬方向の変位角)=Δθ1 ……(3) (反射光LBR2の伝搬方向の変位角)=2・Δθ2 ……(4) となる。
【0054】このように、光源装置Aと基板27との間
に絶縁部材を介在させた場合と、光源装置Bと基板27
との間にを絶縁部材を介在させた場合とでは、透過光L
BT2、反射光LBR2それぞれの伝搬方向の所定方向から
の変位角は異なる。そして、Δθ1及びΔθ2は、正負い
ずれの値も取り得るので、式(1)〜(4)より、変位角の最
大値は式(2)で与えられる。すなわち、ビームスプリッ
タ3で反射する方のレーザビームを出力する光源装置A
と基板27との間に絶縁部材を介在させた場合の方が、
ビームスプリッタ3から出力されるレーザビームの伝搬
方向の所定の方向からの変位が大きくなる。
に絶縁部材を介在させた場合と、光源装置Bと基板27
との間にを絶縁部材を介在させた場合とでは、透過光L
BT2、反射光LBR2それぞれの伝搬方向の所定方向から
の変位角は異なる。そして、Δθ1及びΔθ2は、正負い
ずれの値も取り得るので、式(1)〜(4)より、変位角の最
大値は式(2)で与えられる。すなわち、ビームスプリッ
タ3で反射する方のレーザビームを出力する光源装置A
と基板27との間に絶縁部材を介在させた場合の方が、
ビームスプリッタ3から出力されるレーザビームの伝搬
方向の所定の方向からの変位が大きくなる。
【0055】ここでは、光源装置AあるいはBと基板2
7との間に絶縁部材を介在させることによりレーザ発生
装置1あるいは1’から射出されるレーザビームLBR1
あるいはLBT1の伝搬方向及びビームスプリッタ3の干
渉膜3aの向きが主走査面内において所定の方向から変
化した場合について説明したが、副走査方向に変位が生
じたときにも、同様に、ビームスプリッタ3で反射する
方のレーザビームを出力する光源装置Aと基板27との
間に絶縁部材を介在させた場合の方が、ビームスプリッ
タ3から出力されるレーザビームの伝搬方向の変位が大
きくなる。
7との間に絶縁部材を介在させることによりレーザ発生
装置1あるいは1’から射出されるレーザビームLBR1
あるいはLBT1の伝搬方向及びビームスプリッタ3の干
渉膜3aの向きが主走査面内において所定の方向から変
化した場合について説明したが、副走査方向に変位が生
じたときにも、同様に、ビームスプリッタ3で反射する
方のレーザビームを出力する光源装置Aと基板27との
間に絶縁部材を介在させた場合の方が、ビームスプリッ
タ3から出力されるレーザビームの伝搬方向の変位が大
きくなる。
【0056】このことから、第1実施例では、ビームス
プリッタ3から出力されるレーザビームの伝搬方向の変
位を小さく抑えるため、図2に示すように、レーザ発生
装置1’を備えビームスプリッタ3を透過する方のレー
ザビームを出力する光源装置Bと基板27との間に、ポ
リスチレン製のシート部材からなる絶縁部材30を介在
させ、樹脂ネジ31を用いて両者を取り付けるようにし
ている。尚、絶縁部材30の材料としては、ポリアセタ
ール、ポリ塩化ビニル等を用いることもできる。また、
レーザ発生装置1を備えビームスプリッタ3で反射する
方のレーザビームを出力する光源装置Aは、直接基板2
7に取り付けられている。
プリッタ3から出力されるレーザビームの伝搬方向の変
位を小さく抑えるため、図2に示すように、レーザ発生
装置1’を備えビームスプリッタ3を透過する方のレー
ザビームを出力する光源装置Bと基板27との間に、ポ
リスチレン製のシート部材からなる絶縁部材30を介在
させ、樹脂ネジ31を用いて両者を取り付けるようにし
ている。尚、絶縁部材30の材料としては、ポリアセタ
ール、ポリ塩化ビニル等を用いることもできる。また、
レーザ発生装置1を備えビームスプリッタ3で反射する
方のレーザビームを出力する光源装置Aは、直接基板2
7に取り付けられている。
【0057】この構成によれば、レーザ発生装置1’と
コリメータレンズ2’とをブロック化した光源装置Bと
基板27との間に絶縁部材30を介在させることによ
り、絶縁部材30が変形した場合にも、コリメータレン
ズ2を通過しビームスプリッタ3から出力されるレーザ
ビームの伝搬方向の変位は、図11に示した従来技術の
場合よりも小さくなる。しかも、絶縁部材30を、ビー
ムスプリッタ3で反射される方のレーザビームを射出す
る光源装置Aと基板27との間ではなく、ビームスプリ
ッタ3を透過する方のレーザビームを射出する光源装置
Bと基板27との間に介在させることで、ビームスプリ
ッタ3から出力されるレーザビームの伝搬方向の変位を
より小さく抑えることができる。
コリメータレンズ2’とをブロック化した光源装置Bと
基板27との間に絶縁部材30を介在させることによ
り、絶縁部材30が変形した場合にも、コリメータレン
ズ2を通過しビームスプリッタ3から出力されるレーザ
ビームの伝搬方向の変位は、図11に示した従来技術の
場合よりも小さくなる。しかも、絶縁部材30を、ビー
ムスプリッタ3で反射される方のレーザビームを射出す
る光源装置Aと基板27との間ではなく、ビームスプリ
ッタ3を透過する方のレーザビームを射出する光源装置
Bと基板27との間に介在させることで、ビームスプリ
ッタ3から出力されるレーザビームの伝搬方向の変位を
より小さく抑えることができる。
【0058】また、絶縁部材30は両側から光源装置B
と基板27とに押圧されているだけなので、その肉厚を
極めて小さく(例えば数十μm程度に)した場合でも機
械強度的な問題は生じず、その場合には、絶縁部材30
が変形したとしてもその変形量の絶対値も小さくなるた
め、光源装置Bの位置ずれも小さくなり、その結果、ビ
ームスプリッタ3から出力されるレーザビームの伝搬方
向の変位をさらに小さくすることができる。
と基板27とに押圧されているだけなので、その肉厚を
極めて小さく(例えば数十μm程度に)した場合でも機
械強度的な問題は生じず、その場合には、絶縁部材30
が変形したとしてもその変形量の絶対値も小さくなるた
め、光源装置Bの位置ずれも小さくなり、その結果、ビ
ームスプリッタ3から出力されるレーザビームの伝搬方
向の変位をさらに小さくすることができる。
【0059】図8は、第2実施例に係る光源装置A、
B、ビームスプリッタ3、それら取り付ける基板27、
及び光源装置Bと基板27との間に介在される絶縁部材
30を取り出して示す部分拡大図であり、同図中、
(a)、(b)はそれぞれ、当該部分の上面図、側面図
である。尚、図2に示す第1実施例と同じ構成部品には
同一符号を付し、その説明は省略する。
B、ビームスプリッタ3、それら取り付ける基板27、
及び光源装置Bと基板27との間に介在される絶縁部材
30を取り出して示す部分拡大図であり、同図中、
(a)、(b)はそれぞれ、当該部分の上面図、側面図
である。尚、図2に示す第1実施例と同じ構成部品には
同一符号を付し、その説明は省略する。
【0060】第2実施例においても、レーザ発生装置
1’を備えビームスプリッタ3を透過する方のレーザビ
ームを出力する光源装置Bを、絶縁部材30を介在さ
せ、樹脂ネジ31を用いて、基板27に取り付けてい
る。なお絶縁部材30の材料としては、第1実施例の場
合と同種のものを用いることができる。また、レーザ発
生装置1を備えビームスプリッタ3で反射する方のレー
ザビームを出力する光源装置Aは、直接基板27に取り
付けられている。
1’を備えビームスプリッタ3を透過する方のレーザビ
ームを出力する光源装置Bを、絶縁部材30を介在さ
せ、樹脂ネジ31を用いて、基板27に取り付けてい
る。なお絶縁部材30の材料としては、第1実施例の場
合と同種のものを用いることができる。また、レーザ発
生装置1を備えビームスプリッタ3で反射する方のレー
ザビームを出力する光源装置Aは、直接基板27に取り
付けられている。
【0061】この構成によれば、第1実施例と同様に、
絶縁部材30が変形した場合にも、コリメータレンズ2
を通過しビームスプリッタ3から出力されるレーザビー
ムの伝搬方向の変位は、図11に示した従来技術の場合
よりも小さくなる。しかも、絶縁部材30を、ビームス
プリッタ3で反射される方のレーザビームを射出する光
源装置Aと基板27との間ではなく、ビームスプリッタ
3を透過する方のレーザビームを射出する光源装置Bと
基板27との間に介在させることで、ビームスプリッタ
3から出力されるレーザビームの伝搬方向の変位をより
小さく抑えることができる。
絶縁部材30が変形した場合にも、コリメータレンズ2
を通過しビームスプリッタ3から出力されるレーザビー
ムの伝搬方向の変位は、図11に示した従来技術の場合
よりも小さくなる。しかも、絶縁部材30を、ビームス
プリッタ3で反射される方のレーザビームを射出する光
源装置Aと基板27との間ではなく、ビームスプリッタ
3を透過する方のレーザビームを射出する光源装置Bと
基板27との間に介在させることで、ビームスプリッタ
3から出力されるレーザビームの伝搬方向の変位をより
小さく抑えることができる。
【0062】また、第1実施例の場合と同様に、機械強
度的な問題を生じることなく絶縁部材30の肉厚を極め
て小さくすることができ、そうした場合には、絶縁部材
30が変形したとしてもその変形量の絶対値も小さくな
るため、光源装置Bの位置ずれも小さくなり、その結
果、ビームスプリッタ3から出力されるレーザビームの
伝搬方向の変位をさらに小さくすることができる。
度的な問題を生じることなく絶縁部材30の肉厚を極め
て小さくすることができ、そうした場合には、絶縁部材
30が変形したとしてもその変形量の絶対値も小さくな
るため、光源装置Bの位置ずれも小さくなり、その結
果、ビームスプリッタ3から出力されるレーザビームの
伝搬方向の変位をさらに小さくすることができる。
【0063】
【発明の効果】本発明によれば、例えば、レーザダイオ
ードのアノードを導電性を有するハウジングに接続し、
このハウジングを介して外部より電源電圧をアノードに
受けるような形態で使用する場合、第1、第2のレーザ
発生装置のレーザダイオードは絶縁部材によって互いに
電気的に隔離された形となるので、レーザダイオードの
特性バラツキを補正するようにそれぞれ所定の電源電圧
を与えられることができ、また、両者間のノイズの影響
を互いに遮断することもできる。しかも、絶縁のために
介在する絶縁部材は、第2のレーザ発生装置側に施して
いるので、その絶縁部材を介在したことによるレーザビ
ームの伝搬方向の変位が少なくて済み、その結果、2本
のレーザビームが被走査面上に形成する2つのスポット
の相対位置誤差が小さくなるので、良好な画像品質が得
られる。
ードのアノードを導電性を有するハウジングに接続し、
このハウジングを介して外部より電源電圧をアノードに
受けるような形態で使用する場合、第1、第2のレーザ
発生装置のレーザダイオードは絶縁部材によって互いに
電気的に隔離された形となるので、レーザダイオードの
特性バラツキを補正するようにそれぞれ所定の電源電圧
を与えられることができ、また、両者間のノイズの影響
を互いに遮断することもできる。しかも、絶縁のために
介在する絶縁部材は、第2のレーザ発生装置側に施して
いるので、その絶縁部材を介在したことによるレーザビ
ームの伝搬方向の変位が少なくて済み、その結果、2本
のレーザビームが被走査面上に形成する2つのスポット
の相対位置誤差が小さくなるので、良好な画像品質が得
られる。
【図1】 本発明の第1実施例に係るマルチビーム走査
光学装置の上面図。
光学装置の上面図。
【図2】 図1のマルチビーム走査光学装置に搭載され
るレーザ発生装置、コリメータレンズ、ビームスプリッ
タ及びそれらを取り付ける基板の構成を示す部分拡大
図。
るレーザ発生装置、コリメータレンズ、ビームスプリッ
タ及びそれらを取り付ける基板の構成を示す部分拡大
図。
【図3】 図1のマルチビーム走査光学装置の光源部に
おいて偏光ビームスプリッタ及び1/2波長板を用いる場
合の該光源部の概略配置図。
おいて偏光ビームスプリッタ及び1/2波長板を用いる場
合の該光源部の概略配置図。
【図4】 図1のマルチビーム走査光学装置に搭載され
る第1のシリンドリカルレンズ群等の構成を示す部分拡
大図。
る第1のシリンドリカルレンズ群等の構成を示す部分拡
大図。
【図5】 2本のレーザビームを用いて走査を行う場合
の走査線の配列を示す図。
の走査線の配列を示す図。
【図6】 ビームスプリッタで反射される方のレーザビ
ームを出力する光源装置と基板との間に絶縁部材を介在
させた場合に、絶縁部材の変形及びビームスプリッタの
変位によって、ビームスプリッタから出力される2本の
レーザビームが所定方向から変位する角度を示す図。
ームを出力する光源装置と基板との間に絶縁部材を介在
させた場合に、絶縁部材の変形及びビームスプリッタの
変位によって、ビームスプリッタから出力される2本の
レーザビームが所定方向から変位する角度を示す図。
【図7】 ビームスプリッタを透過する方のレーザビー
ムを出力する光源装置と基板との間に絶縁部材を介在さ
せた場合に、絶縁部材の変形及びビームスプリッタの変
位によって、ビームスプリッタから出力される2本のレ
ーザビームが所定方向から変位する角度を示す図。
ムを出力する光源装置と基板との間に絶縁部材を介在さ
せた場合に、絶縁部材の変形及びビームスプリッタの変
位によって、ビームスプリッタから出力される2本のレ
ーザビームが所定方向から変位する角度を示す図。
【図8】 本発明の第2実施例に係る光源装置、ビーム
スプリッタ、それら取り付ける基板、絶縁部材30を取
り出して示す部分拡大図。
スプリッタ、それら取り付ける基板、絶縁部材30を取
り出して示す部分拡大図。
【図9】 レーザ発生装置の内部配線の一例を示す図。
【図10】 図9のレーザ発生装置をマルチビーム走査
光学装置に配設する場合の構成を示す図。
光学装置に配設する場合の構成を示す図。
【図11】 従来のマルチビーム走査光学装置の光源装
置、ビームスプリッタ、それら取り付ける基板、絶縁部
材30を取り出して示す部分拡大図。
置、ビームスプリッタ、それら取り付ける基板、絶縁部
材30を取り出して示す部分拡大図。
1、1’ レーザ発生装置 2、2’ コリメータレンズ 3 ビームスプリッタ 3a 干渉膜 4、5 シリンドリカルレンズ 6 ポリゴンミラー 6a 回転軸 9 取付基板 10 ネジ 11 座ぐり穴 12 第1のシリンドリカルレンズ群 13 走査レンズ群 14 1/2波長板 15 鏡筒 15a 外側部材 15b 内側部材 15c、15d 平面部 16 台座 16a V溝 17、18 板バネ 19、20 ネジ 21 板バネ 22 ネジ 27 基板 30 絶縁部材 31 樹脂ネジ 101、101’ レーザ保持部材 102、102’ 鏡筒保持部材 104、104’ 鏡筒 A、B 光源装置
Claims (1)
- 【請求項1】 被走査面を走査するためのレーザビーム
を射出する第1、第2のレーザ発生装置と、 前記第1のレーザ発生装置からのレーザビームを反射す
るとともに前記第2のレーザ発生装置からのレーザビー
ムを透過して、該2本のレーザビームを平行に出力する
光学部材と、 前記第1、第2のレーザ発生装置及び前記光学部材を装
着する導電性基板と、を備えたマルチビーム走査光学装
置において、 前記第1、第2のレーザ発生装置は、それぞれのハウジ
ングに電源電圧が与えられて動作可能状態となるように
構成されており、前記第1のレーザ発生装置を前記導電
性基板に直接装着し、一方、前記第2のレーザ発生装置
を絶縁部材を介して前記導電性基板に装着したことを特
徴とするマルチビーム走査光学装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10743195A JPH08300725A (ja) | 1995-05-01 | 1995-05-01 | マルチビーム走査光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10743195A JPH08300725A (ja) | 1995-05-01 | 1995-05-01 | マルチビーム走査光学装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08300725A true JPH08300725A (ja) | 1996-11-19 |
Family
ID=14458974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10743195A Pending JPH08300725A (ja) | 1995-05-01 | 1995-05-01 | マルチビーム走査光学装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08300725A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002182213A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-26 | Sony Corp | 投射型液晶表示装置およびその調整方法 |
US7002759B2 (en) | 2003-03-20 | 2006-02-21 | Pentax Corporation | Lens unit for multibeam scanning device |
JP2006178370A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Brother Ind Ltd | 光走査装置および画像形成装置 |
JP2008037047A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Ricoh Printing Systems Ltd | 光線変位算出方法、光走査装置、及び画像形成装置 |
WO2017072985A1 (ja) * | 2015-10-28 | 2017-05-04 | 京セラ株式会社 | カメラモジュール及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-05-01 JP JP10743195A patent/JPH08300725A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2002182213A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-26 | Sony Corp | 投射型液晶表示装置およびその調整方法 |
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JP2008037047A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Ricoh Printing Systems Ltd | 光線変位算出方法、光走査装置、及び画像形成装置 |
WO2017072985A1 (ja) * | 2015-10-28 | 2017-05-04 | 京セラ株式会社 | カメラモジュール及びその製造方法 |
JPWO2017072985A1 (ja) * | 2015-10-28 | 2018-06-14 | 京セラ株式会社 | カメラモジュール及びその製造方法 |
CN108351485A (zh) * | 2015-10-28 | 2018-07-31 | 京瓷株式会社 | 相机组件及其制造方法 |
US10764478B2 (en) | 2015-10-28 | 2020-09-01 | Kyocera Corporation | Camera module includes a lens unit that is fixed to a holding member having an image sensor via an engaging member of cured resin and manufacturing method thereof |
CN108351485B (zh) * | 2015-10-28 | 2021-01-22 | 京瓷株式会社 | 相机组件及其制造方法 |
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