JPH0829605A

JPH0829605A - 位相シフト回折格子の作製方法

Info

Publication number: JPH0829605A
Application number: JP18177094A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Nakanishi; 正浩中西
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1994-07-11
Filing date: 1994-07-11
Publication date: 1996-02-02

Abstract

(57)【要約】【目的】簡単な工程で再現性よく精密な回折格子形状が
作製できる位相シフト回折格子の作製方法を提供するこ
とにある。【構成】位相シフト回折格子ｇ２の作製方法は、基板１
上に均一な凹凸の位相を有する回折格子ｇ１を作製する
工程と、基板１上の一部領域の回折格子ｇ１の凹部のみ
をフォトレジスト２で覆う工程と、少なくともフォトレ
ジスト２をマスクとして基板１をエッチングする工程と
を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光記録、光情報処理、
光計測、光通信などの分野において用いられる光素子に
必要な回折格子の作製技術に関するものであり、特にＤ
ＦＢレーザの開発に不可欠な位相シフト回折格子の作製
技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、回折格子は、例えば、分布帰還型
半導体レーザ（以下ＤＦＢレーザ）に用いられている。
ＤＦＢレーザは単一軸モードの光を発するので光通信な
どに多く用いられている。ところが、ＤＦＢレーザで
は、ブラッグ波長を中心とする２つの異なる軸モードの
損失及び利得が等しく、端面での回折格子の位相の非対
称性、共振器方向での成長膜厚のゆらぎなど、いくつか
の不確定な要素により、一つの軸モードが選択されてい
るにすぎない。

【０００３】この問題を回避する手段として、たとえば
１次回折格子を用いた場合においては、回折格子の中央
近傍で回折格子の凹凸の位相を反転させたλ／４位相シ
フト回折格子の採用が提案されている。これまで、様々
な位相シフト回折格子の製造方法が考案された。初期に
は、基板上に塗布されたレジスト膜に電子ビームで直接
描画する方法が採用されたが、これは余りにも描画に時
間がかかり一般的ではなかった。

【０００４】通常、比較的大きな面積に一括して回折格
子を形成する方法としては、二光束干渉露光という方法
が使われている。この方法は、Ｈｅ−Ｃｄレーザのよう
な波長の短いコヒーレントな光をハーフミラーで２つに
分けて再びミラーで合成し、その干渉による周期的パタ
ーンを基板上のレジストに照射して露光するものであ
る。

【０００５】この二光束干渉露光法を応用して、ネガ／
ポジレジストを併用したλ／４位相シフト回折格子の作
製方法が考案されている。図６にこの製法を示す。図６
において、記号１０１は基板、１０３はポジレジスト、
１０４はネガレジストを示す。図６の各工程を説明す
る。（１）まず、ネガレジスト１０４のストライプを基板１
０１上に形成する。（２）次にポジレジスト１０３を塗布する。（３）ここに一括で二光束干渉露光し、まずポジレジス
ト部分１０３を現像する。（４）エッチングしてポジレジスト１０３のパターンを
基板１０１に転写する。（５）次にネガレジスト部分１０４を現像する。（６）エッチングしてネガレジスト１０４のパターンを
基板１０１に転写する。（７）レジストを除去する。

【０００６】ネガレジストとポジレジストでは感光特性
が逆なのでパターン反転するため、ネガレジスト／ポジ
レジスト境界部で凹凸が反転した位相シフト回折格子が
得られる。

【０００７】

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、こ
の方法には以下に示すような欠点がある。２種類のレジ
ストを用いるため、レジストの種類によってはネガレジ
ストとポジレジストが反応してしまう。この対策とし
て、ネガレジストとポジレジストの間に反応防止を目的
として中間層を設けた方法も考案されているが、これで
は工程が多くなってしまう上に再現性に乏しい。

【０００８】また、２種類のレジストを用いるため、そ
の２種類を積層したとき反応しない事、レジストの感度
を揃える事等の制約から、実際使用できるレジストの組
み合わせは極めて少ない。特に、ネガレジストは一般に
感度が低く、解像度も低いので、ネガレジスト／ポジレ
ジストの各領域で作製される回折格子形状を揃えるのが
非常に難しい。

【０００９】よって、本発明の目的は、上記の課題に鑑
み、簡単な工程で再現性よく精密な回折格子形状が作製
できる位相シフト回折格子の作製方法を提供することに
ある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の位相シフト回折
格子の作製方法は、基板上に均一な凹凸の位相を有する
回折格子を作製し、この上にフォトレジストで一部領域
の凹部のみを覆い、このフォトレジストをマスクとして
基板をエッチングすることにより、この一部領域の凹凸
の位相を反転させる。これ以外の領域は、回折格子が元
の凹凸の位相を保ったまま全体の位置が低くなるだけで
ある。したがって、これら２つの領域で位相シフト回折
格子を構成することができる。

【００１１】また、本発明の位相シフト回折格子の作製
方法は、基板上に均一な凹凸の位相を有する回折格子を
作製し、この上にレジストで一部領域の凹部のみを覆
い、少なくともこのレジストをマスクとして基板をエッ
チングすることにより、この一部領域の凹凸の位相を反
転させる。これ以外の領域は、回折格子が元の凹凸の位
相を保つようにエッチング時に何等かの材料で保護して
おく。これらの凹凸の位相が反転する領域と元の位相を
保つ領域の、２つの領域で位相シフト回折格子を構成す
ることができる。

【００１２】詳細には、基板上に均一な凹凸の位相を有
する回折格子を作製する工程と、該基板上の一部領域を
フォトレジストで覆う工程と、該フォトレジストを均一
にエッチングして前記回折格子の凹部のみに残す工程
と、該フォトレジストをマスクとして該基板をエッチン
グする工程とからなることを特徴とする。

【００１３】また、基板上に均一な凹凸の位相を有する
回折格子を作製する工程と、該基板上の一部領域を第１
の材料で覆う工程と、該一部領域以外の領域における回
折格子の凹部をレジストで覆う工程と、該第１の材料及
び該レジストをマスクとして該基板をエッチングする工
程とからなることを特徴とする。また、基板上に均一な
凹凸の位相を有する回折格子を作製する工程と、該基板
上をレジストで覆う工程と、該基板上の一部領域を第１
の材料で覆う工程と、該レジストを均一にエッチングし
て前記回折格子の凹部のみに残す工程と、該第１の材料
及び該レジストをマスクとして該基板をエッチングする
工程とからなることを特徴とする。また、基板上に均一
な凹凸の位相を有する回折格子を作製する工程と、該基
板上をレジストで覆う工程と、該レジストを均一にエッ
チングして前記回折格子の凹部のみに残す工程と、該基
板上の一部領域を第１の材料で覆う工程と、該第１の材
料及び該レジストをマスクとして該基板をエッチングす
る工程とからなることを特徴とする。

【００１４】具体的には、前記第１の材料はレジスト、
誘電体、金属、ポリイミドなどであったり、前記基板は
予め段差が設けてあり、段差の高い領域は後にエッチン
グされる領域と一致することを特徴としたりする。ま
た、前記第１の材料及び該レジストをマスクとして該基
板をエッチングした後、該基板の一部領域以外を金属な
どの第２の材料で覆って該第２の材料をマスクとしてエ
ッチングを行って段差をなくすことを特徴とする。

【００１５】

【実施例１】本発明の第１実施例を説明する。図１は本
実施例である位相シフト回折格子の作製工程を示す図で
ある。図１における図中記号は、１が基板、２がフォ
トレジストを表す。

【００１６】図１を用いて作製工程を説明する。（１）まず基板１上に均一な凹凸の位相をもつ回折格子
ｇ１を作製する。（２）その一部領域をフォトレジスト２で覆う。このフォトレジスト２で覆われた領域は、後に凹凸の位
相が反転する領域になる。この領域を第１の領域と呼
び、これ以外の領域を第２の領域と呼ぶことにする。両
領域の境は厳密に設定する必要はなく、回折格子ｇ１の
深さは１００ｎｍ前後と浅い。フォトレジスト２の塗布
膜厚もこれと同程度にする。必要ならばフォトレジスト
をシンナーで希釈して塗布膜厚を調整する。フォトレジ
ストの塗布特性として、表面張力などにより、凹凸のあ
る場所に塗布すると平坦化することが言える。したがっ
て、この場合も図１（２）に示すように塗布膜の上面は
ほぼ平らになり、回折格子ｇ１の凸部の上は薄く、凹部
はそれより厚くなる。

【００１７】（３）フォトレジスト２を均一にエッチン
グし、凹部だけにフォトレジスト２を残す。酸素ガスを用いた反応性イオンエッチング等を施すこと
により、フォトレジスト２は全体に上から均一にエッチ
ングされる。基板１はエッチングされない。回折格子ｇ
１の凸部上のフォトレジスト２は薄いため、凹部上のフ
ォトレジスト２より先になくなる。したがって、適当な
時間でエッチングを終了することにより、凹部にのみフ
ォトレジスト２を残すことができる。

【００１８】（４）残ったフォトレジスト２をマスクと
して基板１をエッチングする。この工程のエッチング手法としては、低圧での反応性イ
オンビームエッチングに代表される異方性エッチングを
使用する。なおかつ、フォトレジスト２と基板１材料の
選択性が大きいことも重要である。たとえば基板１材料
にＩｎＰを使用した場合には、塩素ガスによる反応性イ
オンビームエッチングを行うとよい。

【００１９】凹部にフォトレジスト２が残っている第１
の領域では、このフォトレジスト２がマスクとなり、基
板１の凸部がエッチングされる。凸部はだんだんと低く
なり、次の段階には凸部が元の凹部よりも低くなり、凹
凸は反転する。凹凸を完全に反転させるには元の凹凸の
高さの２倍の深さだけエッチングする。一方、それ以外
のフォトレジスト２のない第２の領域では、異方性エッ
チングのために凹凸の形を保ったまま全体の高さが低く
なる。

【００２０】結果として第１の領域（右側部分）では凹
凸の位相が反転し、第２の領域（左側部分）では凹凸の
位相は元のままである。以上の工程で、これらの領域で
構成される位相シフト回折格子ｇ２が得られた。

【００２１】（５）最後にフォトレジストを除去する。本実施例による位相シフト回折格子ｇ２は、凹凸の位相
が反転する境界部に凹凸の高さに相当する段差が生じる
という特徴がある。しかしながら、この段差は、この位
相シフト回折格子を具備する光素子の特性に殆ど悪い影
響を与えない。

【００２２】例えば、本実施例の位相シフト回折格子を
利用して分布帰還型半導体レーザを作製した場合の構造
例を図２に示す。このレーザはＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ
系の材料を使用している。図２の図中記号は、５がｎ−
ＩｎＰ基板、６がｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波層、７が上
下のＩｎＧａＡｓＰ層、８が活性層、９がｐ−ＩｎＰ
層、１０が上下の電極である。

【００２３】このレーザでは、位相シフトの境界部に段
差を持つ位相シフト回折格子ｇ２の上に光導波層６や活
性層８を積層して半導体レーザ構造にするわけである
が、段差の高い部分も低い部分も積層される半導体層の
層厚は同じになる。したがって、この場合の光導波の障
害は、段差による導波層６の曲がりによる導波光の散乱
損失だけであるが、実際この段差は１００ｎｍ前後なの
で殆ど散乱損失はない。むしろ、工程の大幅な簡略効果
が大きい。

【００２４】

【実施例２】本発明の第２実施例を説明する。図３は本
実施例である位相シフト回折格子の作製工程を示す図で
ある。図３における図中記号は、２１が基板、２２が
環化ゴム系レジスト、２３がノボラック系レジストを表
す。

【００２５】図３（ａ）を用いて作製工程を説明する。（１）まず基板２１上に均一な凹凸の位相をもつ回折格
子ｇ１を作製する。（２）その一部領域を環化ゴム系レジスト２２で覆う。（３）ノボラック系レジスト２３を均一に塗布する。ノボラック系レジスト２３は環化ゴム系レジスト２２の
上も覆う。ノボラック系レジスト２３と環化ゴム系レジ
スト２２は反応性及び相溶性がない為、積層する事が可
能である。ノボラック系レジスト２３のみで覆われた領
域と、環化ゴム系レジスト２２とノボラック系レジスト
２３の２層で覆われた領域の両方ができる。前者は後に
凹凸の位相が反転する領域になる。この領域を第１の領
域と呼び、後者を第２の領域と呼ぶことにする。回折格
子ｇ１の深さは１００ｎｍ前後と浅い。ノボラック系レ
ジスト２３の塗布膜厚もこれと同程度にする。必要なら
ばレジストをシンナーで希釈する。一般的なレジストの
塗布特性として、凹凸のある場所に塗布すると平坦化す
ることが言える。したがって、この場合も図３（２）に
示すように塗布膜の上面はほぼ平らになり、回折格子ｇ
１の凸部の上は薄く、凹部はそれより厚くなる。

【００２６】（４）レジストを均一にエッチングし、ノ
ボラック系レジスト２３は凹部だけに残す。酸素ガスを用いた反応性イオンエッチング等を施すこと
により、レジストは全体に上から均一にエッチングされ
る。基板２１はエッチングされない。第１の領域（右側
部分）において、回折格子ｇ１の凸部上のレジスト２３
は薄いため、凹部上のレジスト２３より先になくなる。
したがって、適当な時間でエッチングを終了することに
より、凹部にのみレジスト２３を残すことができる。

【００２７】（５）残ったレジスト２２、２３をマスク
として基板２１をエッチングする。凹部にレジスト２３が残っている第１の領域では、この
フォトレジスト２３がマスクとなり、基板２１の凸部が
エッチングされる。凸部はだんだんと低くなり、次の段
階には凸部が元の凹部よりも低くなり、凹凸は反転す
る。凹凸を完全に反転させるには元の凹凸の高さの２倍
の深さだけエッチングする。一方、第２の領域（左側部
分）では、厚い環化ゴム系レジスト２２が凹凸を保護し
ているのでエッチングされない。

【００２８】結果として第１の領域では凹凸の位相が反
転し、第２の領域では凹凸の位相は元のままである。以
上の工程で、これらの領域で構成される位相シフト回折
格子ｇ２が得られた。

【００２９】（６）最後にフォトレジスト２２、２３を
除去する。本実施例では、図３の記号２２に環化ゴム系レジスト、
記号２３にノボラック系レジストを使用したが、この２
つの材料は互いに反応しない事、相溶性のない事という
条件があれば他の材料で置き換えることができる。以下
に使用可能な組み合わせの例を幾つか示す。記号２２記号２３環化ゴム系レジストノボラック系レジストノボラック系レジスト環化ゴム系レジスト誘電体全てのレジスト金属全てのレジストポリイミド全てのレジスト本実施例による位相シフト回折格子でも、凹凸の位相が
反転する境界部に凹凸の高さに相当する段差が生じると
いう特徴がある。しかしながら、上述したように、この
段差は、この位相シフト回折格子を具備する光素子の特
性に殆ど悪い影響を与えない。

【００３０】また、この段差を解消する方法もある。本
実施例の方法では必ず第１の領域（右側部分）の方が凹
凸の高さに相当する分だけ低くなる。従って、工程
（１）の前に予め基板に第２の領域（左側部分）が凹凸
の高さに相当するだけ低くなるような段差を設けておけ
ば、最終的に段差は相殺されて生じない。図３（ｂ）に
これを示す。このことは他の実施例でも同様である。第
１の実施例では、右側領域が凹凸の高さに相当するだけ
低くなるような段差を設けておく。

【００３１】また、以下の工程で段差を解消してもよ
い。（６）図３（ａ）の（５）の工程の後で金属膜を全面に
形成する。（７）レジスト２２を有機溶剤等で剥離し、レジスト２
２上の金属膜をリフトオフする。金属膜を全面に形成し
てから、（２）の工程で形成したレジストパターン２２
を剥離して金属膜のパターンを作る為、丁度（５）の工
程のレジストパターン２２以外の場所に金属膜が形成出
来る。これは（６）のエッチング工程の結果低くなった
領域（右側領域）と完全に一致する。ここで使用する金
属は成膜可能であれば大抵のものが使用出来る。また、
金属以外の材料も使用可能である。（８）金属膜をマスクとして、ＩｎＰをエッチングし、
全体の高さを揃える。このエッチングには反応性イオン
ビームエッチングなどの異方性エッチングを用いる。異
方性エッチングを用いる事により、基板２１の深さ方向
へのエッチング速度が横方向へのエッチング速度を上回
る為、回折格子形状を保ったまま全体の高さを低くする
ことが出来る。（１２）最後に金属膜及び残りのレジスト２３を除去す
る。以上の工程により段差のない位相シフト回折格子ｇ
２が作製出来る。

【００３２】

【実施例３】本発明の第３実施例を説明する。図４は本
実施例である位相シフト回折格子の作製工程を示す図で
ある。図４における図中記号は、３１が基板、３２が
環化ゴム系レジスト、３３がノボラック系レジストを表
す。

【００３３】図４を用いて作製工程を説明する。（１）まず基板３１上に均一な凹凸の位相をもつ回折格
子ｇ１を作製する。（２）ノボラック系レジスト２３を均一に塗布する。回折格子の深さは１００ｎｍ前後と浅い。ノボラック系
レジスト３３の塗布膜厚もこれと同程度にする。必要な
らばレジストをシンナーで希釈する。一般的なレジスト
の塗布特性として、凹凸のある場所に塗布すると平坦化
することが言える。したがって、この場合も図４（２）
に示すように塗布膜の上面はほぼ平らになり、回折格子
ｇ１の凸部の上は薄く、凹部はそれより厚くなる。（３）その一部領域を環化ゴム系レジスト３２で覆う。この膜厚は或る程度厚い方がよい。ノボラック系レジス
ト３３と環化ゴム系レジスト３２は反応性及び相溶性が
ない為、積層する事が可能である。ノボラック系レジス
ト３３のみで覆われた領域と、環化ゴム系レジスト３２
とノボラック系レジスト３３の２層で覆われた領域の両
方ができる。前者は後に凹凸の位相が反転する領域にな
る。この領域を第１の領域と呼び、後者を第２の領域と
呼ぶことにする。

【００３４】（４）レジストを均一にエッチングし、ノ
ボラック系レジスト３３は凹部だけに残す。酸素ガスを用いた反応性イオンエッチング等を施すこと
により、レジストは全体に上から均一にエッチングされ
る。基板３１はエッチングされない。第１の領域（右側
部分）において、回折格子の凸部上のレジスト３３は薄
いため、凹部上のレジスト３３より先になくなる。した
がって、適当な時間でエッチングを終了することによ
り、凹部にのみレジスト３３を残すことができる。

【００３５】（５）残ったレジスト３２、３３をマスク
として基板３１をエッチングする。凹部にレジスト３３が残っている第１の領域では、この
フォトレジスト３３がマスクとなり、基板３１の凸部が
エッチングされる。凸部はだんだんと低くなり、次の段
階には凸部が元の凹部よりも低くなり、凹凸は反転す
る。凹凸を完全に反転させるには元の凹凸の高さの２倍
の深さだけエッチングする。一方、第２の領域（左側部
分）では、厚い環化ゴム系レジスト３２が凹凸を保護し
ているのでエッチングされない。

【００３６】結果として第１の領域では凹凸の位相が反
転し、第２の領域では凹凸の位相は元のままである。以
上の工程で、これらの領域で構成される位相シフト回折
格子ｇ２が得られた。

【００３７】（６）最後にフォトレジストを除去する。本実施例では、図４の記号３２に環化ゴム系レジスト、
記号３３にノボラック系レジストを使用したが、第２実
施例と同様、この２つの材料は互いに反応しない事、相
溶性のないことという条件があれば他の材料で置き換え
ることができる。使用可能な組み合わせは第２実施例で
述べたものと同じである。

【００３８】本実施例による位相シフト回折格子でも、
凹凸の位相が反転する境界部に凹凸の高さに相当する段
差が生じるという特徴がある。しかしながら、この段差
は、上記した理由で、この位相シフト回折格子を具備す
る光素子の特性にほとんど悪い影響を与えない。

【００３９】

【実施例４】本発明の第４実施例を説明する。図５は本
実施例である位相シフト回折格子の作製工程を示す図で
ある。図５における図中記号は、４１が基板、４２が
環化ゴム系レジスト、４３がノボラック系レジストを表
す。

【００４０】図５を用いて作製工程を説明する。（１）まず基板４１上に均一な凹凸の位相をもつ回折格
子ｇ１を作製する。（２）ノボラック系レジスト４３を均一に塗布する。回折格子の深さは１００ｎｍ前後と浅い。ノボラック系
レジスト４３の塗布膜厚もこれと同程度にする。必要な
らばレジストをシンナーで希釈する。一般的なレジスト
の塗布特性として、凹凸のある場所に塗布すると平坦化
することが言える。したがって、この場合も図５（２）
に示すように塗布膜の上面はほぼ平らになり、回折格子
ｇ１の凸部の上は薄く、凹部はそれより厚くなる。（３）レジスト４３を均一にエッチングし、ノボラック
系レジスト４３は凹部だけに残す。酸素ガスを用いた反応性イオンエッチング等を施すこと
により、レジスト４３は全体に上から均一にエッチング
される。基板４１はエッチングされない。回折格子ｇ１
の凸部上のレジスト４３は薄いため、凹部上のレジスト
４３より先になくなる。したがって、適当な時間でエッ
チングを終了することにより、凹部にのみレジスト４３
を残すことができる。

【００４１】（４）その一部領域を環化ゴム系レジスト
４２で覆う。この膜厚は或る程度厚い方がよい。ノボラック系レジス
ト４３と環化ゴム系レジスト４２は反応性及び相溶性が
ない為、積層する事が可能である。ノボラック系レジス
ト４３のみで覆われた領域と、環化ゴム系レジスト４２
とノボラック系レジスト４３の２層で覆われた領域の両
方ができる。前者は後に凹凸の位相が反転する領域にな
る。この領域を第１の領域（右側領域）と呼び、後者を
第２の領域（左側領域）と呼ぶことにする。

【００４２】（５）レジスト４２、４３をマスクとして
基板４１をエッチングする。凹部にレジスト４３が残っている第１の領域では、この
フォトレジスト４３がマスクとなり、基板４１の凸部が
エッチングされる。凸部はだんだんと低くなり、次の段
階には凸部が元の凹部よりも低くなり、凹凸は反転す
る。凹凸を完全に反転させるには元の凹凸の高さの２倍
の深さだけエッチングする。一方、第２の領域では、厚
い環化ゴム系レジスト４２が凹凸を保護しているのでエ
ッチングされない。

【００４３】結果として第１の領域では凹凸の位相が反
転し、第２の領域では凹凸の位相は元のままである。以
上の工程で、これらの領域で構成される位相シフト回折
格子ｇ２が得られた。

【００４４】（６）最後にフォトレジストを除去する。本実施例では、図５の記号４２に環化ゴム系レジスト、
記号４３にノボラック系レジストを使用したが、この２
つの材料は互いに反応しない事、相溶性のないこととい
う条件があれば他の材料で置き換えることができる。使
用可能な組み合わせは第２実施例で述べたものと同じで
ある。

【００４５】本実施例による位相シフト回折格子でも、
凹凸の位相が反転する境界部に凹凸の高さに相当する段
差が生じるという特徴がある。しかしながら、この段差
は、上記した理由で、この位相シフト回折格子を具備す
る光素子の特性にほとんど悪い影響を与えない。

【００４６】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
では、全工程での回折格子形状を決定付ける最初の均一
回折格子形状は、１種類のレジストによる１回の干渉露
光により容易に作製できるため、複数のレジスト材料の
相互作用は全く考慮する必要がなく、簡単な工程で再現
性よく精密な回折格子形状が作製できる利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例を説明する図。

【図２】第１実施例の位相シフト回折格子を利用して作
製した分布帰還型半導体レーザ構造例を示す断面図。

【図３】本発明の第２実施例を説明する図。

【図４】本発明の第３実施例を説明する図。

【図５】本発明の第４実施例を説明する図。

【図６】従来例を示す図。

【符号の説明】

１、２１、３１、４１、１０１基板２フォトレジスト５ｎ−ＩｎＰ基板６ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波層７ＩｎＧａＡｓＰＳＣＨ層８活性層９ｐ−ＩｎＰ層１０電極ｇ１、ｇ２グレーティング２２、３２、４２環化ゴム系レジスト２３、３３、４３ノボラック系レジスト１０３ポジレジスト１０４ネガレジスト

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に均一な凹凸の位相を有する回折
格子を作製する工程と、該基板上の一部領域をフォトレ
ジストで覆う工程と、該フォトレジストを均一にエッチ
ングして前記回折格子の凹部のみに残す工程と、該フォ
トレジストをマスクとして該基板をエッチングする工程
とからなることを特徴とする位相シフト回折格子の作製
方法。
【請求項２】基板上に均一な凹凸の位相を有する回折
格子を作製する工程と、該基板上の一部領域を第１の材
料で覆う工程と、該一部領域以外の領域における回折格
子の凹部をレジストで覆う工程と、該第１の材料及び該
レジストをマスクとして該基板をエッチングする工程と
からなることを特徴とする位相シフト回折格子の作製方
法。
【請求項３】基板上に均一な凹凸の位相を有する回折
格子を作製する工程と、該基板上をレジストで覆う工程
と、該基板上の一部領域を第１の材料で覆う工程と、該
レジストを均一にエッチングして前記回折格子の凹部の
みに残す工程と、該第１の材料及び該レジストをマスク
として該基板をエッチングする工程とからなることを特
徴とする位相シフト回折格子の作製方法。
【請求項４】基板上に均一な凹凸の位相を有する回折
格子を作製する工程と、該基板上をレジストで覆う工程
と、該レジストを均一にエッチングして前記回折格子の
凹部のみに残す工程と、該基板上の一部領域を第１の材
料で覆う工程と、該第１の材料及び該レジストをマスク
として該基板をエッチングする工程とからなることを特
徴とする位相シフト回折格子の作製方法。
【請求項５】前記第１の材料はレジストであることを
特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の位相シフト
回折格子の作製方法。
【請求項６】前記第１の材料は誘電体であることを特
徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の位相シフト回
折格子の作製方法。
【請求項７】前記第１の材料は金属であることを特徴
とする請求項１乃至４の何れかに記載の位相シフト回折
格子の作製方法。
【請求項８】前記第１の材料はポリイミドであること
を特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の位相シフ
ト回折格子の作製方法。
【請求項９】前記基板は予め段差が設けてあり、段差
の高い領域は後にエッチングされる領域と一致すること
を特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の位相シフ
ト回折格子の作製方法。
【請求項１０】前記第１の材料及び該レジストをマス
クとして該基板をエッチングした後、該基板の一部領域
以外を第２の材料で覆って該第２の材料をマスクとして
エッチングを行うことを特徴とする請求項１乃至３の何
れかに記載の位相シフト回折格子の作製方法。
【請求項１１】基板上に均一な凹凸の位相を有する回
折格子を作製する工程と、該基板上の一部領域の前記回
折格子の凹部のみをフォトレジストで覆う工程と、少な
くとも該フォトレジストをマスクとして該基板をエッチ
ングする工程とを有することを特徴とする位相シフト回
折格子の作製方法。