JPH08293573A - 超小形冷却装置及びその製造方法 - Google Patents

超小形冷却装置及びその製造方法

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JPH08293573A
JPH08293573A JP8132492A JP13249296A JPH08293573A JP H08293573 A JPH08293573 A JP H08293573A JP 8132492 A JP8132492 A JP 8132492A JP 13249296 A JP13249296 A JP 13249296A JP H08293573 A JPH08293573 A JP H08293573A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 廃熱をできるだけ速くかつ効果的に運び出
し、できるだけ高い作動温度でも使用できる超小形冷却
装置及びその製造方法を提供する。 【構成】 超小形冷却装置は、電子部品１を外側に熱伝
導するように支持するために設けられ、内部に冷媒を通
す通路組織を持つている。通路組織は、凹所１３を持つ
基板１４と、これらの凹所１３を外部に対して覆う被覆
層１１とにより形成され、被覆層１１は電気絶縁性で熱
伝導性の材料から作られ、被覆層１１は電子部品１を直
接装着するために設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品を外側に熱伝
導するように支持する超小形冷却装置が、超小形冷却装
置の内部にあつて冷媒を通す通路組織と、凹所を持つ基
板と、凹所を外部に対して覆つて通路組織を形成する被
覆層とを備えている、特に超小形電子部品用超小形冷却
装置、及び基板に通路状凹所を形成し、基板の板面の側
で密に接する被覆層により凹所を覆つて冷媒の通る通路
組織を形成する、超小形冷却装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ドイツ連邦共和国特許出願公開第４３１
１８３９号明細書は、電子部品の冷却用超小形冷却装置
を開示している。この超小形冷却装置は一方の板面を構
造化された基板と、この構造化された板面に設けられる
被覆層とを持つている。超小形冷却装置上に電子部品を
設けることができるようにするため、これらの電子部品
と超小形冷却装置の材料との間に絶縁層を設けねばなら
ない。ここで電子部品は、半導体、容量及び誘導素子、
抵抗、超伝導体、これらの素子から形成される回路等を
意味する。ドーピングされない真性シリコンから有利に
形成される基板の被覆層で覆われる板面に、基板が凹所
を持ち、凹所を持つ構造化された板面上に被覆層を密に
設けた後、これらの凹所がなるべく液状の冷媒の通る通
路組織を形成する。
【０００３】通路組織を製造するため、例えば選択的エ
ツチングにより、凹所がウエーハ状に構成される基板に
形成される。凹所は板面側を被覆層で密に覆われて、冷
媒の通る通路組織を形成する。被覆層は、基板の材料か
ら形成されて凹所の形成後基板の中に残つている桟状突
起に密に結合されている。
【０００４】個々又は群の電子部品は、超小形冷却装置
上に設けられる絶縁層上に例えばろう付け又は接着によ
り設けられているので、電子部品の作動の際生ずる廃熱
は、絶縁層の材料及び超小形冷却装置の材料を通つて冷
媒へ導かれる。冷媒、特に氷点を低くする物質と混合さ
れている水は、廃熱を吸収して、通路組織を形成する凹
所を通つてこの廃熱を外部へ運ぶ。基板にはなるべくド
ーピングされないシリコンが使用されるので、絶縁層な
しのこのような超小形冷却装置は、低い温度にしかも一
部には限られた程度にしか適していない。なぜならば特
定の温度からシリコンが自己伝導するからである。従つ
て基板のできるだけ効果的な冷却が望まれる。冷媒の大
きい体積流量とそれによりできるだけ良好な冷却効果を
得るために、通路組織は比較的大きい内のり断面を持つ
ている。この大きい断面は、特に公知の超小形冷却装置
が大きく重いことによる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、最初
にあげた種類の超小形冷却装置を改良して、廃熱をでき
るだけ速くかつ効果的に運び出し、できるだけ高い作動
温度でも超小形冷却装置を使用できるようにすることで
ある。更に本発明の課題は、この超小形冷却装置の製造
方法を開発することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
超小形冷却装置に関して本発明によれば、被覆層が電気
絶縁性で熱伝導性の材料から成り、被覆層が電子部品を
直接装着するために設けられている。また製造方法に関
して本発明によれば、被覆層を設ける前に、凹所を少な
くともその半分の幅に相当する深さで形成し、凹所の範
囲で被覆層を気相から析出させて通路組織を形成し、被
覆層用の材料として、気相からの析出の際優先的に三次
元に成長しかつ被覆層として析出せしめられた状態にお
いて電気絶縁性で熱伝導性の材料を選ぶ。
【０００７】
【発明の効果】よく熱伝導し特に高い温度でも電気絶縁
性の材料なるべくダイヤモンドから成る被覆層を使用す
ることによつて、有利に薄い層厚で設けられる被覆層上
に電子部品を設けることができる。それにより絶縁材料
が不要になり、放熱流の経路が短くなり、単位時間当り
の放熱量が増大する。更に基板の材料の可能な真性自己
伝導の影響も僅かになるので、小さい直径を持つ冷却通
路及び超小形冷却装置を更に小さく軽く作ることがで
き、同じ大きさで電子部品を一層密に装着することがで
きる。
【０００８】本発明の合目的な構成は従属請求項からわ
かる。更に図示されている実施例に基いて本発明が以下
に説明される。
【０００９】
【実施例】図１には、超小形冷却装置１０の基板１４の
構造化された板面２が斜視で示されている。超小形冷却
装置１０は超小形電子回路、半導体、抵抗等のような電
子部品１を装着するために設けられている。基板１４の
構造化された板面２は上方へ突出する複数の桟状突起１
５を備えている。これらの桟状突起１５は、後で通路組
織を形成するために設けられている凹所１３の縁を形成
している。
【００１０】所望の通路組織を形成するため、図２に断
面図で示すように、基板１４の構造化された板面２の互
いに平行にかつ等間隔で設けられる凹所１３が、ダイヤ
モンドなるべく多結晶ダイヤモンドから成る被覆層１１
で覆われている。ドーピングされないダイヤモンドは電
気絶縁体でありかつ良好な熱伝導体であり、従つて後で
設けるべき電子部品１を被覆層１１上に直接設けること
ができるので、ダイヤモンドから成る被覆層１１は有利
である。この場合５０μｍないし数１００μｍの層厚を
持つ被覆層１１を設けるのが有意義である。これらの寸
法は凹所１３の寸法の大きさ範囲にある。ダイヤモンド
から成る被覆層１１は更に特に５０μｍないし２００μ
ｍの層厚で設けられるため、電子部品１から通路組織従
つて冷媒の方へ流れる熱流は短い行程を持つているの
で、熱の良好な運び出しが保証される。良好な放熱によ
り、本発明による超小形冷却装置１０を小さく構成する
ことができる。更に超小形冷却装置１０に高い配列密度
の電子部品１を設けることができる。
【００１１】内側の桟状突起１５従つて桟状突起１５の
間に設けられる凹所１３は、互いに平行にかつ等間隔に
設けられ、桟状突起１５の高さ従つて凹所１３の深さ
は、２つの隣接する桟状突起１５の間隔従つて凹所１３
の幅にほぼ等しい。凹所１３の深さと幅との比はほぼ１
に等しい。互いに平行な凹所１３は、被覆層１１を設け
た後、本来の通路組織を形成する。このような桟状突起
１５又は凹所１３の構成は、簡単に公知のように湿式化
学的方法で、従つて安価な技術で可能である。
【００１２】凹所１３の範囲における端面開口は、構造
化された板面２上に被覆層１１を密に設けた後、冷媒に
対して通路組織の流入開口及び流出開口となる。凹所１
３の両端面には、平行な凹所１３に対して直角に延びる
横凹所１８がそれぞれ設けられている。これらの横凹所
１８は変化する幅を持ち、通路組織を形成する平行な凹
所１３に流体接続されている。
【００１３】横凹所１８は、板面側に密に設けられる被
覆層１１と共同作用して、通路組織を通りかつ超小形冷
却装置１０上に設けられる電子部品１を冷却するために
使用される冷媒用の流入通路１６及び流出通路１７を構
成している。特に氷点を低下する物質を混合される水を
冷媒として使用するのがよい。
【００１４】流入通路１６は冷媒の流れ方向Ａに減少す
る断面を持つている。流入通路１６の流通断面の減少
は、互いに平行に延びる凹所１３へ入つて行く冷媒の体
積に合わされているのがよい。
【００１５】流出通路１７は、互いに平行に設けられて
固有の通路組織を構成する凹所１３を介して、流入通路
１６に流体接続され、流れ方向Ａにおいて流入通路１６
の反対側に設けられている。
【００１６】冷媒を流入通路１６へ流入させるための流
入通路１６の入口は、冷媒を流出通路１７から流出させ
るための流出通路１７の出口に対して対角線上に設けら
れているのがよい。
【００１７】流出通路１７は冷媒の流れ方向Ａに拡大す
る断面を持ち、流通断面の拡大は、凹所１３から流出通
路１７へ出て行く冷媒の体積に合わされているのがよ
い。
【００１８】流入通路１６及び流出通路１７用の横凹所
１８は、公知のマスク技術で湿式化学的に選択的エツチ
ングにより設けることができる。流入通路１６及び流出
通路１７もダイヤモンドから成る被覆層１１により覆わ
れているので、これらの範囲にも電子部品１を設けて冷
却することができる。
【００１９】被覆層１１として、まず独立した被覆層１
１でなく、気相反応（ＣＶＤ）法により気相から析出せ
しめられかつ優先的に三次元に成長するダイヤモンドか
ら成る被覆層１１が、基板１４の構造化された板面２上
に設けられる場合、注意すべきことは、通路従つて平行
な凹所１３及び横凹所１８の最大幅をこれら通路の深さ
の２倍より大きくしないことである。平行な凹所１３及
び横凹所１８に対し、深さと幅との比を１より大きく、
特に２より大きく選ぶのがよい。気相から析出せしめら
れるダイヤモンドから成る被覆層１１が凹所１３の上に
のみ設けられている場合、これらの凹所１３においての
み適当な寸法設定に注意すればよい。
【００２０】特に統計的な方位の格子面を持つよい熱伝
導性の多結晶ダイヤモンドから成る被覆層１１を、平行
な凹所１３及び横凹所１８上へ、気相から簡単に析出さ
せるために、基板１４の板面に対して平行に測つた横凹
所１８の幅を一定にし、深さを流れ方向Ａに変化するこ
とによつて、横凹所１８の断面の変化が有利に行われ
る。これは、流入通路１６に対しては流れ方向Ａに横凹
所１８の深さが減少し、流出通路１７に対しては流れ方
向Ａに横凹所１８の深さが増大することを意味してい
る。
【００２１】図３には超小形冷却装置用の別の基板２４
が示されている。図１による実施例におけるように、こ
の基板２４も互いに平行に配列される凹所２３を備えて
いる。これらの平行な凹所２３は、ＩＶ−ＩＶ線に沿う
断面で示す多結晶ダイヤモンド被覆層２１即ち第１の被
覆層と共同作用して、この超小形冷却装置の通路組織を
構成している。更に図３による基板２４は、平行な凹所
２３の自由端面の開口に設けられて図１又は２のように
流入通路２６及び流出通路２７を形成する横凹所２８を
それぞれ持つている。
【００２２】しかし図１及び２による実施例とは異な
り、図３及び４による基板２４は第２の被覆層２２を持
ち、この第２の被覆層上に桟状突起２５が設けられてい
る。これらの桟状突起２５は平行な凹所２３を互いに隔
離し、超小形冷却装置の付加的な縁区画壁を形成してい
る。更に桟状突起２５は、電子部品１を支持する超小形
冷却装置２０の両方の板面に対して、間隔片の機能も持
つている。
【００２３】凹所２３より上にダイヤモンドから成る第
１の被覆層２１をＣＶＤ法により設け特に析出させた
後、図３による基板２４を持つ図４の超小形冷却装置
は、図１による基板１４を持つ図２の超小形冷却装置と
同じような冷却面、ただし２倍の大きさの冷却面を持つ
ている。それにより図４による超小形冷却装置には、著
しく密に即ち両方の板面に、直接電子部品１を装着する
ことができる。
【００２４】この場合図２による超小形冷却装置におけ
るように、超小形冷却装置の１つの板面で電子部品の廃
熱の放熱が行われるだけでなく、両方の板面で放熱が行
われるという利点がある。従つて図３による基板２４を
持つ図４の超小形冷却装置では、板面に対して直角をな
しかつ僅かな程度でのみ超小形冷却装置の周面に算入さ
れる縁面を除いて、殆どすべての外面が、電気絶縁性で
よい熱伝導性の冷却面として利用可能である。
【００２５】図５には超小形冷却装置の基板３４の第３
実施例が示されている。大部分が図３による基板２４と
同じように構成されている図５の基板３４は、図３によ
る基板２４では互いに平行に配列されている桟状突起２
５が、その長さに沿つて中断されて、今やドーム３５を
形成し、これらのドームがダイヤモンドから成る第２の
被覆層３２から突出しているという点でのみ、相違して
いる。ドーム３５は、碁盤目状又は柱状に第２の被覆層
３２上に設けられて、ダイヤモンドから成る第１の被覆
層３１と第２の被覆層３２との間の間隔片を同時に形成
している。
【００２６】この構造により、図５による基板３４を持
つ超小形冷却装置は、すべての実施例のうちで、ダイヤ
モンドから成る両方の被覆層と冷媒との間に最も大きい
接触面積を持つている。
【００２７】本発明による方法を、図４による超小形冷
却装置２０の製造の例について、凹所２３なしの基板２
４から始まつて、図６に基いて説明する。
【００２８】製造の始めに、基板２４が洗浄される。続
いて、洗浄された基板２４のなるべく平らな板面に、特
にダイヤモンドから成る第２の被覆層２２が設けられ
る。第２の被覆層２２は、公知のＣＶＤ法により、なる
べく気相からの析出によつて行われる。しかし若干の場
合基板２４の板面に、まず独立した被覆層２２をなるべ
くろう付けすることによつて、第２の被覆層２２を設け
るのが有効なこともある。
【００２９】第２の被覆層２２を設けた後、基板２４の
自由板面に感光性樹脂膜（図示せず）が塗布され、通路
組織を形成する凹所２３の所望の形状に応じてエツチン
グ用マスクを構成するため、この感光性樹脂膜が露光さ
れ、また場合によつては流入通路２６及び流出通路２７
を形成する横凹所２８も露光され、凹所２３及び２８が
公知のように選択的にエツチングされる。
【００３０】この場合選択的エツチングの際注意すべき
ことは、第２の被覆層２２を除いてエツチングが行わ
れ、凹所２３及び横凹所２８が、その深さと幅との常に
０．５より大きい比を持つていることである。この場合
凹所２３及び横２８の深さは、後で形成される第１の被
覆層２１と第２の被覆層２２との間隔に等しい。
【００３１】選択的エツチング後に、基板２４の第２の
被覆層２２とは反対側の構造化された板面に、公知のＣ
ＶＤ法により気相からダイヤモンドの第１の被覆層２１
が析出せしめられ、その際少なくとも核形成中に、気相
に対して負の電位が基板２４に印加されるのがよい。
【００３２】この場合第２の被覆層２２上即ち桟状突起
２５を持つ板面にも、ダイヤモンドの析出が行われる
が、凹所２３及び横凹所２８の深さと幅との前述した比
のため、通路組織を完全にふさぐことはない。
【００３３】放熱を改善するため、多くの場合、電子部
品１を設ける前に、第１の被覆層２１の層厚又は第２の
被覆層２２の層厚を例えばエツチングにより減少するの
が有意義であり、それにより電子部品を装着すべき両板
面の間隔が減少せしめられ、放熱が改善される。
【００３４】層厚の減少、特に電子部品側板面と冷却通
路との間隔の減少は、被覆層１１のみを持つ図２の超小
形冷却装置においても行うことができる。この場合被覆
層１１とは反対側の板面からも基板１４の一部を除去す
るのが特に合目的である。なぜならばこの場合も、冷却
通路又は凹所１３の底からの一層小さくなる間隔のた
め、この板面上に設けられる電子部品１に対して、同様
に改善された放熱が行われるからである。
【００３５】第１の被覆層２１により通路組織が板面側
で密閉された後、超小形冷却装置の被覆層２１及び２２
は電子部品１を装着される。超小形冷却装置の第２の被
覆層２２は通路組織の範囲に一層大きい層厚を持つてい
るので、この場合超小形冷却装置への装着の際この板面
に、例えば僅かな電力損失のため運び出すべき僅かな廃
熱しか持たない電子部品１を設けるのが有効である。
【００３６】流入通路２６及び流出通路２７のため２つ
の横凹所２８を超小形冷却装置２０の基板２４へエツチ
ングにより形成する代りに、流入通路２６及び流出通路
２７を、既に完成して例えば上述した通路組織の１つを
持つ超小形冷却装置に、後でも設けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】準備された流入通路及び流出通路を持つ超小形
冷却装置の基板の構造化された板面の斜視図である。
【図２】基板とこの基板上に設けられるダイヤモンド層
とを持つ図１による超小形冷却装置のＩＩ−ＩＩ線に沿
う断面図である。
【図３】１つの板面に密に設けられる閉じたダイヤモン
ド層を持ちかつ大体において桟状突起から成る超小形冷
却装置の基板の斜視図である。
【図４】基板とこの基板の残つている板面上に設けられ
る別のダイヤモンド層とを持つ図３による超小形冷却装
置のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。
【図５】準備された流入通路及び流出通路を持つ超小形
冷却装置の基板にドームを持つ構造化された表面の斜視
図である。
【図６】凹所なしの基板から始まつて図４による超小形
冷却装置を製造する方法の流れ図である。
【符号の説明】 １ 電子部品 １０，２０ 超小形冷却装置 １１，２１，２２ 被覆層 １３，２３，３３ 凹所 １４，２４，３４ 基板 １５，２５，３５ 桟状突起
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ラインハルト・ツアハイ ドイツ連邦共和国ギユンツブルク・カツペ ンツイプフエル９／12 (72)発明者 ヴオルフラム・ミユンヒ ドイツ連邦共和国マンハイム・シエプフリ ンシユトラーセ３ (72)発明者 テイム・グートハイト ドイツ連邦共和国ウルム・プフアウエンガ ツセ12

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電子部品を外側に熱伝導するように支持
    する超小形冷却装置が、超小形冷却装置の内部にあつて
    冷媒を通す通路組織と、凹所を持つ基板と、凹所を外部
    に対して覆つて通路組織を形成する被覆層とを備えてい
    るものにおいて、被覆層（１１，２１）が電気絶縁性で
    熱伝導性の材料から成り、被覆層（１１，２１）が電子
    部品（１）を直接装着するために設けられていることを
    特徴とする、超小形冷却装置。
  2. 【請求項２】 被覆層（１１，２１）が、大きい表面張
    力を持ちかつ気相からの析出の際三次元に成長する材料
    から成ることを特徴とする、請求項１に記載の超小形冷
    却装置。
  3. 【請求項３】 被覆層（１１，２１）がダイヤモンドか
    ら成ることを特徴とする、請求項１又は２に記載の超小
    形冷却装置。
  4. 【請求項４】 被覆層（１１，２１）が気相から析出せ
    しめられるダイヤモンドの層であることを特徴とする、
    請求項１ないし３の１つに記載の超小形冷却装置。
  5. 【請求項５】 被覆層（１１，２１）が多結晶ダイヤモ
    ンドであり、ダイヤモンドから成る結晶の格子面が統計
    的な方位を持つていることを特徴とする、請求項１ない
    し４の１つに記載の超小形冷却装置。
  6. 【請求項６】 被覆層（１１，２１）の層厚が２００μ
    ｍより小さいことを特徴とする、請求項１ないし５の１
    つに記載の超小形冷却装置。
  7. 【請求項７】 被覆層（１１，２１）を設ける前におい
    て基板（１４，２４，３４）にある凹所（１３，２３，
    ３３）の深さと被覆層（１１，２１）を設ける前におけ
    る同じ凹所（１３，２３，３３）の幅との比が０．５よ
    り大きく、凹所（１３，２３，３３）の幅として凹所
    （１３，２３，３３）の最大内のり幅がとられることを
    特徴とする、請求項１ないし６の１つに記載の超小形冷
    却装置。
  8. 【請求項８】 被覆層（１１，２１）を設ける前におい
    て基板（１４，２４，３４）にある凹所（１３，２３，
    ３３）の深さと被覆層（１１，２１）を設ける前におけ
    る同じ凹所（１３，２３，３３）の幅との比が０．５よ
    り大きく、凹所（１３，２３，３３）の幅として凹所
    （１３，２３，３３）の最大内のり幅がとられ、気相か
    ら析出せしめられる被覆層（１１，２１）において基板
    （１４，２４，３４）の板面に対して直角に測つた層厚
    が、被覆層により覆われる凹所（１３，２３，３３）の
    幅の５０％より大きいことを特徴とする、請求項１ない
    し７の１つに記載の超小形冷却装置。
  9. 【請求項９】 比が１特に２より大きいことを特徴とす
    る、請求項７又は８に記載の超小形冷却装置。
  10. 【請求項１０】 基板（２４，３４）が両側を被覆層
    （２１，２２，２３）で覆われ、基板（２４，３４）が
    両方の被覆層（２１，２２，３２）の間に設けられて間
    隔を確保する桟状突起（１５，２５）又はドーム（３
    ５）のみから形成されていることを特徴とする、請求項
    １ないし９の１つに記載の超小形冷却装置。
  11. 【請求項１１】 超小形冷却装置の各通路組織が冷媒用
    の流入通路（１６，２６，３６）及び流出通路（１７，
    ２７，３７）を持ち、流入通路（１６，２６，３６）が
    超小形冷却装置の通路組織のすべての通路状凹所（１
    ３，２３，３３）の流入側に接続され、流出通路（１
    ７，２７，３７）が超小形冷却装置の通路組織のすべて
    の通路状凹所（１３，２３，３３）の流出側に接続さ
    れ、流入通路（１６，２６，３６）が通路組織に関して
    超小形冷却装置の流出通路（１７，２７，３７）の反対
    側に設けられていることを特徴とする、請求項１ないし
    １０の１つに記載の超小形冷却装置。
  12. 【請求項１２】 流入通路（１６，２６，３６）が冷媒
    の流れ方向（Ａ）に縮小する流通断面を持ち、流出通路
    （１７，２７，３７）が冷媒の流れ方向（Ａ）に拡大す
    る流通断面を持つていることを特徴とする、請求項１１
    に記載の超小形冷却装置。
  13. 【請求項１３】 基板に通路状凹所を形成し、基板の板
    面の側で密に接する被覆層により凹所を覆つて冷媒の通
    る通路組織を形成する、超小形冷却装置の製造方法にお
    いて、被覆層（１１，２１）を設ける前に、凹所（１
    ３，２３，３３）を少なくともその半分の幅に相当する
    深さで形成し、凹所（１３，２３，３３）の範囲で被覆
    層（１１，２１）を気相から析出させて通路組織を形成
    し、被覆層（１１，２１）用の材料として、気相からの
    析出の際優先的に三次元に成長しかつ被覆層（１１，２
    １）として析出せしめられた状態において電気絶縁性で
    熱伝導性の材料を選ぶことを特徴とする、超小形冷却装
    置の製造方法。
  14. 【請求項１４】 被覆層（１１，２１）用の材料として
    ダイヤモンドを選ぶことを特徴とする、請求項１３に記
    載の方法。
  15. 【請求項１５】 被覆層（１１，２１）を多結晶ダイヤ
    モンドとして気相から成長させ、その際多結晶ダイヤモ
    ンドの格子面が統計的な方位を持つようにすることを特
    徴とする、請求項１３又は１４に記載の方法。
  16. 【請求項１６】 基板（２４）の両方の板面に被覆層
    （２１，２２，２３）を設けることを特徴とする、請求
    項１３ないし１５の１つに記載の方法。
  17. 【請求項１７】 基板（２４）の両方の板面に気相から
    被覆層（２１，２２，２３）を析出させることを特徴と
    する、請求項１３ないし１６の１つに記載の方法。
  18. 【請求項１８】 基板（２４）の一方の板面に第１の被
    覆層（２１）を設け、第２の被覆層（２２，３２）を設
    けた後基板（２４）に凹所（２３）を形成し、凹所（２
    ３，３３）により、これらの凹所（２３，３３）の範囲
    で第２の被覆層（２２）を露出させ、基板（２４）の自
    由板面（２）に気相から２番目の第１の被覆層（２１）
    を析出させ、その際凹所（２３，３３）の範囲で第１の
    被覆層（２１）の析出を行つて、通路組織を形成するこ
    とを特徴とする、請求項１３ないし１７の１つに記載の
    方法。
  19. 【請求項１９】 被覆層（１１，２１，２２，３２）を
    気相反応（ＣＶＤ）法により析出させ、その際気相に対
    して負の電位を基板（１４，２４，３４）へ印加するこ
    とを特徴とする、請求項１３ないし１８の１つに記載の
    方法。
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