JPH08286209A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPH08286209A JPH08286209A JP8807595A JP8807595A JPH08286209A JP H08286209 A JPH08286209 A JP H08286209A JP 8807595 A JP8807595 A JP 8807595A JP 8807595 A JP8807595 A JP 8807595A JP H08286209 A JPH08286209 A JP H08286209A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶表示装置の製造方法に関し、電極・配線
を覆う絶縁膜を陽極酸化膜で構成する場合、耐圧や低リ
ーク電流性などの特性が優れた陽極酸化膜が得られる電
解条件などを容易に設定することができるようにする。 【構成】 Ａｌ−バルブ金属固溶体からなる電極・配線
を形成し、無機酸アンモニウム塩並びに有機酸アンモニ
ウム塩を電解質として用い且つｐＨを５．５乃至８．５
の範囲に調整して前記電極・配線を陽極酸化する工程が
含まれる。
を覆う絶縁膜を陽極酸化膜で構成する場合、耐圧や低リ
ーク電流性などの特性が優れた陽極酸化膜が得られる電
解条件などを容易に設定することができるようにする。 【構成】 Ａｌ−バルブ金属固溶体からなる電極・配線
を形成し、無機酸アンモニウム塩並びに有機酸アンモニ
ウム塩を電解質として用い且つｐＨを５．５乃至８．５
の範囲に調整して前記電極・配線を陽極酸化する工程が
含まれる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ（ｔ
ｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）ア
レイで制御される液晶表示装置を製造するのに好適な方
法に関する。
ｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）ア
レイで制御される液晶表示装置を製造するのに好適な方
法に関する。
【０００２】この種の液晶表示装置に於いては、各画素
毎にスイッチの働きをするＴＦＴが必要であり、この膨
大な数のＴＦＴに於ける一個々の良否が該液晶表示装置
の良否に直接結び付き、現状では、その製造歩留りは良
いと言えない状況にある。
毎にスイッチの働きをするＴＦＴが必要であり、この膨
大な数のＴＦＴに於ける一個々の良否が該液晶表示装置
の良否に直接結び付き、現状では、その製造歩留りは良
いと言えない状況にある。
【０００３】従って、この種の液晶表示装置に於いて
は、如何にして良品のＴＦＴアレイを製造するかが、そ
の製造歩留り向上に影響するものであり、本発明は、そ
の場合に種々と存在する問題のうちの一つであるＴＦＴ
に於ける電極・配線を覆う絶縁膜を陽極酸化膜で構成し
た場合のリーク電流低減及び耐圧向上に寄与できる。
は、如何にして良品のＴＦＴアレイを製造するかが、そ
の製造歩留り向上に影響するものであり、本発明は、そ
の場合に種々と存在する問題のうちの一つであるＴＦＴ
に於ける電極・配線を覆う絶縁膜を陽極酸化膜で構成し
た場合のリーク電流低減及び耐圧向上に寄与できる。
【０００４】
【従来の技術】液晶表示装置では、各画素毎にスイッチ
の働きをするＴＦＴを設けて表示を制御する構成を採っ
ていて、そのＴＦＴは、製造が容易である旨の理由か
ら、ボトム・ゲート構造、即ち、ガラス基板上に先ずゲ
ート電極を形成し、その上にゲート絶縁膜やソース領域
及びドレイン領域などを積み上げて、通常のトランジス
タであれば、表面とされている側が下向きに形成された
構造のものが多用されている。
の働きをするＴＦＴを設けて表示を制御する構成を採っ
ていて、そのＴＦＴは、製造が容易である旨の理由か
ら、ボトム・ゲート構造、即ち、ガラス基板上に先ずゲ
ート電極を形成し、その上にゲート絶縁膜やソース領域
及びドレイン領域などを積み上げて、通常のトランジス
タであれば、表面とされている側が下向きに形成された
構造のものが多用されている。
【０００５】前記構造のＴＦＴを製造する場合、ゲート
電極のパターニング工程後、約３００〔℃〕にも達する
高温の熱工程であるプラズマ化学気相堆積（ｐｌａｓｍ
ａｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ：ＰＣＶＤ）法を適用したゲート絶縁膜の堆積工程
が続く為、ゲート・バス・ラインも含めてゲート電極の
材料には、耐熱性に優れた高融点金属電極材料であるＣ
ｒ、Ｍｏ、Ｔｉなどが用いられている。
電極のパターニング工程後、約３００〔℃〕にも達する
高温の熱工程であるプラズマ化学気相堆積（ｐｌａｓｍ
ａｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ：ＰＣＶＤ）法を適用したゲート絶縁膜の堆積工程
が続く為、ゲート・バス・ラインも含めてゲート電極の
材料には、耐熱性に優れた高融点金属電極材料であるＣ
ｒ、Ｍｏ、Ｔｉなどが用いられている。
【０００６】前記金属材料を用いたゲート電極では、液
晶表示装置に於ける表示面積が１０型（１０インチ型）
を越える場合、或いは、ワーキング・ステーションへ応
用する為に高精細な表示を必要とする場合などでは、ゲ
ート・バス・ラインの抵抗が増加するので、ゲート駆動
信号の波形歪みを無視できない状態になっている。因み
に、この場合の波形歪みは、ゲート・バス・ラインの抵
抗と寄生容量の積で決まる。
晶表示装置に於ける表示面積が１０型（１０インチ型）
を越える場合、或いは、ワーキング・ステーションへ応
用する為に高精細な表示を必要とする場合などでは、ゲ
ート・バス・ラインの抵抗が増加するので、ゲート駆動
信号の波形歪みを無視できない状態になっている。因み
に、この場合の波形歪みは、ゲート・バス・ラインの抵
抗と寄生容量の積で決まる。
【０００７】前記したようなことから、Ｃｒなどの高融
点金属電極材料に比較して低抵抗の金属電極材料を用い
て電極・配線を形成することが必要である。Ａｌは抵抗
に関する条件は満たすが、耐熱性に問題があり、ＰＣＶ
Ｄ法に依るゲート絶縁膜の堆積工程でヒロックが成長
し、ゲート絶縁膜に於ける電流リークの原因となる。
点金属電極材料に比較して低抵抗の金属電極材料を用い
て電極・配線を形成することが必要である。Ａｌは抵抗
に関する条件は満たすが、耐熱性に問題があり、ＰＣＶ
Ｄ法に依るゲート絶縁膜の堆積工程でヒロックが成長
し、ゲート絶縁膜に於ける電流リークの原因となる。
【０００８】この問題を解消する為、陽極酸化法を適用
し、低温でＡｌに陽極酸化膜を形成し、その陽極酸化膜
とＰＣＶＤ法を適用して形成した窒化膜とを積層してゲ
ート絶縁膜とすることが行われている。
し、低温でＡｌに陽極酸化膜を形成し、その陽極酸化膜
とＰＣＶＤ法を適用して形成した窒化膜とを積層してゲ
ート絶縁膜とすることが行われている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】Ａｌの陽極酸化膜と窒
化膜とを積層して有効に機能するゲート絶縁膜を得るに
は、先ず、良質の陽極酸化膜を得なければならない。
化膜とを積層して有効に機能するゲート絶縁膜を得るに
は、先ず、良質の陽極酸化膜を得なければならない。
【００１０】陽極酸化法に依って形成される陽極酸化膜
は、電解条件、特に電解質の種類とｐＨとに依存して、
陽極酸化膜の耐圧やリーク電流値（イオン電流と電子電
流の和）が大きく変化するので、前記条件の設定は重要
なのであるが、前記条件を正確に設定する為の指針とな
るような原理は未だ存在しない。
は、電解条件、特に電解質の種類とｐＨとに依存して、
陽極酸化膜の耐圧やリーク電流値（イオン電流と電子電
流の和）が大きく変化するので、前記条件の設定は重要
なのであるが、前記条件を正確に設定する為の指針とな
るような原理は未だ存在しない。
【００１１】本発明は、電極・配線を覆う絶縁膜を陽極
酸化膜で構成する場合、耐圧や低リーク電流性などの特
性が優れた陽極酸化膜が得られる電解条件などを容易に
設定することができるようにし、信頼性が高い液晶表示
装置を歩留り良く製造できるようにしようとする。
酸化膜で構成する場合、耐圧や低リーク電流性などの特
性が優れた陽極酸化膜が得られる電解条件などを容易に
設定することができるようにし、信頼性が高い液晶表示
装置を歩留り良く製造できるようにしようとする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】純粋なＡｌは、フォト・
リソグラフィ工程のように、例えば１２０〔℃〕程度の
低温に曝されても、ヒロックが成長するのであるが、本
発明では、金属電極材料としてＡｌ−バルブ金属固溶体
を用いることで、前記のようなヒロックの発生を回避す
る。
リソグラフィ工程のように、例えば１２０〔℃〕程度の
低温に曝されても、ヒロックが成長するのであるが、本
発明では、金属電極材料としてＡｌ−バルブ金属固溶体
を用いることで、前記のようなヒロックの発生を回避す
る。
【００１３】この場合のバルブ金属は、種類に依らず、
略０．２原子〔％〕以上で効果を現すが、５原子〔％〕
を越えた場合には、前記した高融点金属電極材料と同等
の抵抗率となってしまい、低抵抗の材料であることの特
徴が失われる。従って、バルブ金属の添加量に於ける上
限は前記条件に依って規定される。
略０．２原子〔％〕以上で効果を現すが、５原子〔％〕
を越えた場合には、前記した高融点金属電極材料と同等
の抵抗率となってしまい、低抵抗の材料であることの特
徴が失われる。従って、バルブ金属の添加量に於ける上
限は前記条件に依って規定される。
【００１４】ヒロック発生を抑制する為、Ａｌに添加す
る不純物元素としてバルブ金属を用いる理由は、本発明
で採用している電解条件に於いて、Ａｌと同様に酸化が
進行するので、金属の析出などに起因する電流のリーク
は抑制されることに依る。
る不純物元素としてバルブ金属を用いる理由は、本発明
で採用している電解条件に於いて、Ａｌと同様に酸化が
進行するので、金属の析出などに起因する電流のリーク
は抑制されることに依る。
【００１５】バルブ金属の添加は、ヒロック発生の抑制
のみでなく、絶縁耐圧が高い陽極酸化膜の形成が可能な
電解条件に於ける制約を緩和する働き、即ち、電解条件
の適用可能な範囲を拡げる働きもある（要すれば、
「Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｖｏｌ．１４
１，Ｎｏ．５，１３２５（１９９４）」、を参照）。
のみでなく、絶縁耐圧が高い陽極酸化膜の形成が可能な
電解条件に於ける制約を緩和する働き、即ち、電解条件
の適用可能な範囲を拡げる働きもある（要すれば、
「Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｖｏｌ．１４
１，Ｎｏ．５，１３２５（１９９４）」、を参照）。
【００１６】さて、本発明者は、Ａｌ−バルブ金属固溶
体の陽極酸化膜に於ける耐圧或いはリーク電流などの電
気的諸特性は、溶液の電解質が無機酸アンモニウム塩電
解質であるか、或いは、有機酸アンモニウム塩電解質で
あるかに依存して顕著な差異を示すことを見出した。
体の陽極酸化膜に於ける耐圧或いはリーク電流などの電
気的諸特性は、溶液の電解質が無機酸アンモニウム塩電
解質であるか、或いは、有機酸アンモニウム塩電解質で
あるかに依存して顕著な差異を示すことを見出した。
【００１７】即ち、無機酸アンモニウム塩電解質を用い
た場合には低電界に於いて、また、有機酸アンモニウム
塩電解質を用いた場合には高電界でのリーク電流の抑制
にそれぞれ有効な酸化膜が得られることが実験に依って
確認され、この性質を利用すれば、広い範囲の印加電界
に対してリーク電流が抑制された絶縁膜を得ることがで
きるものである。
た場合には低電界に於いて、また、有機酸アンモニウム
塩電解質を用いた場合には高電界でのリーク電流の抑制
にそれぞれ有効な酸化膜が得られることが実験に依って
確認され、この性質を利用すれば、広い範囲の印加電界
に対してリーク電流が抑制された絶縁膜を得ることがで
きるものである。
【００１８】また、電解質のｐＨを調整することも良質
の陽極酸化膜を得る為には重要であって、本発明では、
ｐＨ＝５．５乃至８．５の範囲で選択され、この範囲を
外れた電解質を用いて作成された陽極酸化膜では、リー
ク電流が急増し、且つ、耐圧も低下する。
の陽極酸化膜を得る為には重要であって、本発明では、
ｐＨ＝５．５乃至８．５の範囲で選択され、この範囲を
外れた電解質を用いて作成された陽極酸化膜では、リー
ク電流が急増し、且つ、耐圧も低下する。
【００１９】本発明に依った場合、陽極酸化膜のリーク
電流は、測定に依れば、平均的には印加電界〜５×１０
6 〔Ｖ／ｃｍ〕に於いて、〜１０-10 〔Ａ／ｍｍ2 〕以
下でることが確認されている。
電流は、測定に依れば、平均的には印加電界〜５×１０
6 〔Ｖ／ｃｍ〕に於いて、〜１０-10 〔Ａ／ｍｍ2 〕以
下でることが確認されている。
【００２０】前記したところから、本発明に依る液晶表
示装置の製造方法に於いては、 （１）バルブ金属（例えばＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ
など）の組成が５原子〔％〕以下であるＡｌ−バルブ金
属固溶体からなる電極・配線（例えばゲート電極・配
線）を形成する工程と、次いで、四ほう酸アンモニウム
及び五ほう酸アンモニウム及びほう酸アンモニウムから
選択された無機酸アンモニウム塩と酒石酸アンモニウム
及びクエン酸アンモニウム及びアジピン酸アンモニウム
及びフタル酸アンモニウム及び蓚酸アンモニウム及びサ
リチル酸アンモニウム及び炭酸アンモニウムから選択さ
れた有機酸アンモニウム塩とを混合し且つｐＨを５．５
乃至８．５の範囲に調整した電解質を用いて前記電極・
配線を陽極酸化する工程とが含まれてなることを特徴と
するか、或いは、
示装置の製造方法に於いては、 （１）バルブ金属（例えばＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ
など）の組成が５原子〔％〕以下であるＡｌ−バルブ金
属固溶体からなる電極・配線（例えばゲート電極・配
線）を形成する工程と、次いで、四ほう酸アンモニウム
及び五ほう酸アンモニウム及びほう酸アンモニウムから
選択された無機酸アンモニウム塩と酒石酸アンモニウム
及びクエン酸アンモニウム及びアジピン酸アンモニウム
及びフタル酸アンモニウム及び蓚酸アンモニウム及びサ
リチル酸アンモニウム及び炭酸アンモニウムから選択さ
れた有機酸アンモニウム塩とを混合し且つｐＨを５．５
乃至８．５の範囲に調整した電解質を用いて前記電極・
配線を陽極酸化する工程とが含まれてなることを特徴と
するか、或いは、
【００２１】（２）バルブ金属の組成が５原子〔％〕以
下であるＡｌ−バルブ金属固溶体からなる電極・配線を
形成する工程と、次いで、四ほう酸アンモニウム及び五
ほう酸アンモニウム及びほう酸アンモニウムから選択さ
れた無機酸アンモニウム塩からなり且つｐＨを５．５乃
至８．５の範囲に調整した電解質を用いて前記電極・配
線を一定電圧（例えば６０〔Ｖ〕）に達するまで陽極酸
化する工程と、次いで、酒石酸アンモニウム及びクエン
酸アンモニウム及びアジピン酸アンモニウム及びフタル
酸アンモニウム及び蓚酸アンモニウム及びサリチル酸ア
ンモニウム及び炭酸アンモニウムから選択された有機酸
アンモニウム塩からなり且つｐＨを５．５乃至８．５の
範囲に調整した電解質を用いて前記電極・配線を前記一
定電圧より高い電圧（例えば１２０〔Ｖ〕）に達するま
で陽極酸化する工程とが含まれてなることを特徴とする
か、或いは、
下であるＡｌ−バルブ金属固溶体からなる電極・配線を
形成する工程と、次いで、四ほう酸アンモニウム及び五
ほう酸アンモニウム及びほう酸アンモニウムから選択さ
れた無機酸アンモニウム塩からなり且つｐＨを５．５乃
至８．５の範囲に調整した電解質を用いて前記電極・配
線を一定電圧（例えば６０〔Ｖ〕）に達するまで陽極酸
化する工程と、次いで、酒石酸アンモニウム及びクエン
酸アンモニウム及びアジピン酸アンモニウム及びフタル
酸アンモニウム及び蓚酸アンモニウム及びサリチル酸ア
ンモニウム及び炭酸アンモニウムから選択された有機酸
アンモニウム塩からなり且つｐＨを５．５乃至８．５の
範囲に調整した電解質を用いて前記電極・配線を前記一
定電圧より高い電圧（例えば１２０〔Ｖ〕）に達するま
で陽極酸化する工程とが含まれてなることを特徴とする
か、或いは、
【００２２】（３）前記（１）或いは（２）に於いて、
アンモニア水及びほう酸及び酸化ほう素及び過酸化水素
から選択されたｐＨ調整用剤を加えて電解質のｐＨを
５．５乃至８．５の範囲に調整することを特徴とする。
アンモニア水及びほう酸及び酸化ほう素及び過酸化水素
から選択されたｐＨ調整用剤を加えて電解質のｐＨを
５．５乃至８．５の範囲に調整することを特徴とする。
【００２３】
【作用】前記手段を採ることに依り、Ａｌなど耐熱性が
低い金属に対し、低電界下であろうと高電界下であろう
とリーク電流が少なく、また、耐圧が高い陽極酸化膜を
容易に形成することができるので、ＴＦＴに於けるゲー
ト電極を覆う絶縁膜を陽極酸化で形成する場合のよう
に、電極・配線材料の表面に於ける或程度の厚さ分を陽
極酸化して絶縁膜とし、残りの電極・配線材料を低抵抗
の電極・配線として用いることが必要な半導体装置を製
造する場合には好適であり、これに依って、信頼性が高
い液晶表示装置を高い歩留りで製造することが可能にな
る。
低い金属に対し、低電界下であろうと高電界下であろう
とリーク電流が少なく、また、耐圧が高い陽極酸化膜を
容易に形成することができるので、ＴＦＴに於けるゲー
ト電極を覆う絶縁膜を陽極酸化で形成する場合のよう
に、電極・配線材料の表面に於ける或程度の厚さ分を陽
極酸化して絶縁膜とし、残りの電極・配線材料を低抵抗
の電極・配線として用いることが必要な半導体装置を製
造する場合には好適であり、これに依って、信頼性が高
い液晶表示装置を高い歩留りで製造することが可能にな
る。
【００２４】
第一実施例 本実施例は、無機酸アンモニウム塩と有機酸アンモニウ
ム塩とを混合した電解質を用いた例である。
ム塩とを混合した電解質を用いた例である。
【００２５】 電解質について 五ほう酸アンモニウム：０．２５〔重量％〕 酒石酸アンモニウム：１．０〔重量％〕 を混合し、更にほう酸：１．４〔重量％〕を加えてｐ
Ｈ：７．０とする。
Ｈ：７．０とする。
【００２６】 陽極酸化について 電流密度が１〔ｍＡ／ｃｍ2 〕である定電流を流し、試
料に於ける端子電圧が１２０〔Ｖ〕、即ち、酸化膜厚に
して１５０〔ｎｍ〕に対応するまで酸化を継続し、引き
続き、１２０〔Ｖ〕で約３〔分〕間のエージングを行
う。
料に於ける端子電圧が１２０〔Ｖ〕、即ち、酸化膜厚に
して１５０〔ｎｍ〕に対応するまで酸化を継続し、引き
続き、１２０〔Ｖ〕で約３〔分〕間のエージングを行
う。
【００２７】図１は第一実施例で得られた陽極酸化膜に
ついて測定した印加電圧Ｖa （単位：〔Ｖ〕）−リーク
電流Ｉ（単位：〔Ａ〕）の特性を表す線図であって、横
軸にＶa を、そして、縦軸にＩをそれぞれ採ってある。
ついて測定した印加電圧Ｖa （単位：〔Ｖ〕）−リーク
電流Ｉ（単位：〔Ａ〕）の特性を表す線図であって、横
軸にＶa を、そして、縦軸にＩをそれぞれ採ってある。
【００２８】図に依れば、印加電圧Ｖa を１００〔Ｖ〕
とした場合には、リーク電流Ｉが１×１０-10 〔Ａ〕を
若干越えた程度となり、高電界下でも、かなり少ないこ
とが明瞭に看取されよう。
とした場合には、リーク電流Ｉが１×１０-10 〔Ａ〕を
若干越えた程度となり、高電界下でも、かなり少ないこ
とが明瞭に看取されよう。
【００２９】第二実施例 本実施例は、無機酸アンモニウム塩を電解質として陽極
酸化を行い、その後、有機酸アンモニウム塩を電解質と
して陽極酸化を行った例である。
酸化を行い、その後、有機酸アンモニウム塩を電解質と
して陽極酸化を行った例である。
【００３０】本実施例では、前記した通り、最初に無機
酸アンモニウム塩に依る陽極酸化を行って、次に有機酸
アンモニウム塩に依る陽極酸化を行うことで低リーク電
流且つ高耐圧の陽極酸化膜を得るものであり、この順序
を逆にすると、従来の技術に依った場合と比較すれば良
質になるが、本実施例に依って得られる陽極酸化膜には
及ばない。
酸アンモニウム塩に依る陽極酸化を行って、次に有機酸
アンモニウム塩に依る陽極酸化を行うことで低リーク電
流且つ高耐圧の陽極酸化膜を得るものであり、この順序
を逆にすると、従来の技術に依った場合と比較すれば良
質になるが、本実施例に依って得られる陽極酸化膜には
及ばない。
【００３１】第一回目 電解質について 五ほう酸アンモニウム：０．２５〔重量％〕 ほう酸：１．４〔重量％〕 ｐＨ：７．０
【００３２】 陽極酸化について 電流密度が１〔ｍＡ／ｃｍ2 〕である定電流を流し、試
料に於ける端子電圧が６０〔Ｖ〕、即ち、酸化膜厚にし
て約７５〔ｎｍ〕に対応するまで酸化を継続し、引き続
き、電圧６０〔Ｖ〕で約３〔分〕間のエージングを行
う。
料に於ける端子電圧が６０〔Ｖ〕、即ち、酸化膜厚にし
て約７５〔ｎｍ〕に対応するまで酸化を継続し、引き続
き、電圧６０〔Ｖ〕で約３〔分〕間のエージングを行
う。
【００３３】第二回目 電解質について 酒石酸アンモニウム：０．２５〔重量％〕 ｐＨ：６．６
【００３４】 陽極酸化について 電流密度が１〔ｍＡ／ｃｍ2 〕である定電流を流し、試
料に於ける端子電圧が１２０〔Ｖ〕、即ち、全酸化膜厚
にして１５０〔ｎｍ〕に対応するまで酸化を継続し、引
き続き、電圧１２０〔Ｖ〕で約３〔分〕間のエージング
を行う。
料に於ける端子電圧が１２０〔Ｖ〕、即ち、全酸化膜厚
にして１５０〔ｎｍ〕に対応するまで酸化を継続し、引
き続き、電圧１２０〔Ｖ〕で約３〔分〕間のエージング
を行う。
【００３５】図２は第二実施例で得られた陽極酸化膜に
ついて測定した印加電圧Ｖa （単位：〔Ｖ〕）−リーク
電流Ｉ（単位：〔Ａ〕）の特性を表す線図であって、横
軸にＶa を、そして、縦軸にＩをそれぞれ採ってある。
ついて測定した印加電圧Ｖa （単位：〔Ｖ〕）−リーク
電流Ｉ（単位：〔Ａ〕）の特性を表す線図であって、横
軸にＶa を、そして、縦軸にＩをそれぞれ採ってある。
【００３６】図に依れば、印加電圧Ｖa を１００〔Ｖ〕
である場合には、リーク電流Ｉが１×１０-10 〔Ａ〕と
１×１０-9〔Ａ〕との間の値となり、この場合も、かな
り少ないことが明瞭に看取されよう。
である場合には、リーク電流Ｉが１×１０-10 〔Ａ〕と
１×１０-9〔Ａ〕との間の値となり、この場合も、かな
り少ないことが明瞭に看取されよう。
【００３７】図１並びに図２に見られる各データを得る
に際して用いた試料は、実際には、上部Ａｌ電極／陽極
酸化膜／Ａｌ−バルブ金属、なる構成からなると共に面
積が０．７６〔ｍｍ2 〕であるダイオードであって、こ
の場合、陽極酸化膜は、酸化後に３００〔℃〕の窒素雰
囲気中で熱処理してある。
に際して用いた試料は、実際には、上部Ａｌ電極／陽極
酸化膜／Ａｌ−バルブ金属、なる構成からなると共に面
積が０．７６〔ｍｍ2 〕であるダイオードであって、こ
の場合、陽極酸化膜は、酸化後に３００〔℃〕の窒素雰
囲気中で熱処理してある。
【００３８】図３は参考例として作成した試料について
測定して得た印加電圧Ｖa （単位：〔Ｖ〕）−リーク電
流Ｉ（単位：〔Ａ〕）の特性を表す線図であり、横軸に
Ｖaを、そして、縦軸にＩをそれぞれ採ってある。
測定して得た印加電圧Ｖa （単位：〔Ｖ〕）−リーク電
流Ｉ（単位：〔Ａ〕）の特性を表す線図であり、横軸に
Ｖaを、そして、縦軸にＩをそれぞれ採ってある。
【００３９】本参考例は、リン酸水素２アンモニウム
（０．２５〔重量％〕）からなる電解質を用い、陽極酸
化条件を前記本発明の実施例と同様にして得た陽極酸化
膜をもつダイオードを作成し、それを測定して得たデー
タである。
（０．２５〔重量％〕）からなる電解質を用い、陽極酸
化条件を前記本発明の実施例と同様にして得た陽極酸化
膜をもつダイオードを作成し、それを測定して得たデー
タである。
【００４０】図に依れば、Ｖa が７０〔Ｖ〕を上回った
場合、測定器の限界を越える大きなリーク電流が流れる
ことを看取できよう。
場合、測定器の限界を越える大きなリーク電流が流れる
ことを看取できよう。
【００４１】五ほう酸アンモニウム（０．２５〔重量
％〕）溶液に於けるｐＨをほう酸（１．４〔重量％〕）
を用いて７．０に調整した電解質を用い、１２０〔Ｖ〕
まで陽極酸化して作成した陽極酸化膜のリーク電流特性
も測定したが、その特性は図３に見られる特性と略同じ
であった。従って、五ほう酸アンモニウム塩を単独で電
解質として用いても、好結果は得られない。
％〕）溶液に於けるｐＨをほう酸（１．４〔重量％〕）
を用いて７．０に調整した電解質を用い、１２０〔Ｖ〕
まで陽極酸化して作成した陽極酸化膜のリーク電流特性
も測定したが、その特性は図３に見られる特性と略同じ
であった。従って、五ほう酸アンモニウム塩を単独で電
解質として用いても、好結果は得られない。
【００４２】本発明に於いては、前記実施例に限られ
ず、他に多くの改変を実現することができ、例えば、前
記実施例で無機酸アンモニウム塩に五ほう酸アンモニウ
ムを用いたが、これに限られず、四ほう酸アンモニウ
ム、ほう酸アンモニウム、から選択して用いても同効で
ある。
ず、他に多くの改変を実現することができ、例えば、前
記実施例で無機酸アンモニウム塩に五ほう酸アンモニウ
ムを用いたが、これに限られず、四ほう酸アンモニウ
ム、ほう酸アンモニウム、から選択して用いても同効で
ある。
【００４３】また、前記実施例で有機酸アンモニウム塩
として酒石酸アンモニウムを用いたが、これに限られ
ず、クエン酸アンモニウム、アジピン酸アンモニウム、
フタル酸アンモニウム、蓚酸アンモニウム、サリチル酸
アンモニウム、炭酸アンモニウムから選択して用いても
同効である。
として酒石酸アンモニウムを用いたが、これに限られ
ず、クエン酸アンモニウム、アジピン酸アンモニウム、
フタル酸アンモニウム、蓚酸アンモニウム、サリチル酸
アンモニウム、炭酸アンモニウムから選択して用いても
同効である。
【００４４】更にまた、前記実施例でｐＨの調整にほう
酸を用いたが、これに限られず、アンモニア水、酸化ほ
う素、過酸化水素から適宜に選択して用いることができ
る。
酸を用いたが、これに限られず、アンモニア水、酸化ほ
う素、過酸化水素から適宜に選択して用いることができ
る。
【００４５】
【発明の効果】本発明に依る液晶表示装置の製造方法に
於いては、Ａｌ−バルブ金属固溶体からなる電極・配線
を形成し、無機酸アンモニウム塩と有機酸アンモニウム
塩とを電解質として用い且つｐＨを５．５乃至８．５の
範囲に調整して前記電極・配線を陽極酸化する工程が含
まれる。
於いては、Ａｌ−バルブ金属固溶体からなる電極・配線
を形成し、無機酸アンモニウム塩と有機酸アンモニウム
塩とを電解質として用い且つｐＨを５．５乃至８．５の
範囲に調整して前記電極・配線を陽極酸化する工程が含
まれる。
【００４６】前記構成を採ることに依り、Ａｌなど耐熱
性が低い金属に対し、低電界下であろうと高電界下であ
ろうとリーク電流が少なく、また、耐圧が高い陽極酸化
膜を容易に形成することができるので、ＴＦＴに於ける
ゲート電極を覆う絶縁膜を陽極酸化で形成する場合のよ
うに、電極・配線材料の表面に於ける或程度の厚さ分を
陽極酸化して絶縁膜とし、残りの電極・配線材料を低抵
抗の電極・配線として用いることが必要な半導体装置を
製造する場合には好適であり、これに依って、信頼性が
高い液晶表示装置を高い歩留りで製造することが可能に
なる。
性が低い金属に対し、低電界下であろうと高電界下であ
ろうとリーク電流が少なく、また、耐圧が高い陽極酸化
膜を容易に形成することができるので、ＴＦＴに於ける
ゲート電極を覆う絶縁膜を陽極酸化で形成する場合のよ
うに、電極・配線材料の表面に於ける或程度の厚さ分を
陽極酸化して絶縁膜とし、残りの電極・配線材料を低抵
抗の電極・配線として用いることが必要な半導体装置を
製造する場合には好適であり、これに依って、信頼性が
高い液晶表示装置を高い歩留りで製造することが可能に
なる。
【図１】第一実施例で得られた陽極酸化膜について測定
した印加電圧Ｖa （単位：〔Ｖ〕）−リーク電流Ｉ（単
位：〔Ａ〕）の特性を表す線図である。
した印加電圧Ｖa （単位：〔Ｖ〕）−リーク電流Ｉ（単
位：〔Ａ〕）の特性を表す線図である。
【図２】第二実施例で得られた陽極酸化膜について測定
した印加電圧Ｖa （単位：〔Ｖ〕）−リーク電流Ｉ（単
位：〔Ａ〕）の特性を表す線図である。
した印加電圧Ｖa （単位：〔Ｖ〕）−リーク電流Ｉ（単
位：〔Ａ〕）の特性を表す線図である。
【図３】参考例として作成した試料について測定して得
た印加電圧Ｖa （単位：〔Ｖ〕）−リーク電流Ｉ（単
位：〔Ａ〕）の特性を表す線図である。
た印加電圧Ｖa （単位：〔Ｖ〕）−リーク電流Ｉ（単
位：〔Ａ〕）の特性を表す線図である。
Ｖa 印加電圧 Ｉ リーク電流
Claims (3)
- 【請求項１】バルブ金属の組成が５原子〔％〕以下であ
るＡｌ−バルブ金属固溶体からなる電極・配線を形成す
る工程と、 次いで、四ほう酸アンモニウム及び五ほう酸アンモニウ
ム及びほう酸アンモニウムから選択された無機酸アンモ
ニウム塩と酒石酸アンモニウム及びクエン酸アンモニウ
ム及びアジピン酸アンモニウム及びフタル酸アンモニウ
ム及び蓚酸アンモニウム及びサリチル酸アンモニウム及
び炭酸アンモニウムから選択された有機酸アンモニウム
塩とを混合し且つｐＨを５．５乃至８．５の範囲に調整
した電解質を用いて前記電極・配線を陽極酸化する工程
とが含まれてなることを特徴とする液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項２】バルブ金属の組成が５原子〔％〕以下であ
るＡｌ−バルブ金属固溶体からなる電極・配線を形成す
る工程と、 次いで、四ほう酸アンモニウム及び五ほう酸アンモニウ
ム及びほう酸アンモニウムから選択された無機酸アンモ
ニウム塩からなり且つｐＨを５．５乃至８．５の範囲に
調整した電解質を用いて前記電極・配線を一定電圧に達
するまで陽極酸化する工程と、 次いで、酒石酸アンモニウム及びクエン酸アンモニウム
及びアジピン酸アンモニウム及びフタル酸アンモニウム
及び蓚酸アンモニウム及びサリチル酸アンモニウム及び
炭酸アンモニウムから選択された有機酸アンモニウム塩
からなり且つｐＨを５．５乃至８．５の範囲に調整した
電解質を用いて前記電極・配線を前記一定電圧より高い
電圧に達するまで陽極酸化する工程とが含まれてなるこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項３】アンモニア水及びほう酸及び酸化ほう素及
び過酸化水素から選択されたｐＨ調整用剤を加えて電解
質のｐＨを５．５乃至８．５の範囲に調整することを特
徴とする請求項１或いは２記載の液晶表示装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08807595A JP3531077B2 (ja) | 1995-04-13 | 1995-04-13 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08807595A JP3531077B2 (ja) | 1995-04-13 | 1995-04-13 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08286209A true JPH08286209A (ja) | 1996-11-01 |
| JP3531077B2 JP3531077B2 (ja) | 2004-05-24 |
Family
ID=13932750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08807595A Expired - Lifetime JP3531077B2 (ja) | 1995-04-13 | 1995-04-13 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3531077B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005010737A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Hannstar Display Corp | Ｒｃ遅延のばらつきを抑制する補償キャパシタを有する液晶パネル |
-
1995
- 1995-04-13 JP JP08807595A patent/JP3531077B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005010737A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Hannstar Display Corp | Ｒｃ遅延のばらつきを抑制する補償キャパシタを有する液晶パネル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3531077B2 (ja) | 2004-05-24 |
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