JPH08283955A - 防食構造 - Google Patents

防食構造

Info

Publication number
JPH08283955A
JPH08283955A JP11031195A JP11031195A JPH08283955A JP H08283955 A JPH08283955 A JP H08283955A JP 11031195 A JP11031195 A JP 11031195A JP 11031195 A JP11031195 A JP 11031195A JP H08283955 A JPH08283955 A JP H08283955A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating film
alloy
fine particles
plating
anticorrosion structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11031195A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2936129B2 (ja
Inventor
Shuji Yamane
修二 山根
Takashi Sudo
隆 須藤
Yuichi Kinoshita
裕一 木下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Seiki KK
Original Assignee
Seiko Seiki KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=14532501&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH08283955(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Seiko Seiki KK filed Critical Seiko Seiki KK
Priority to JP7110311A priority Critical patent/JP2936129B2/ja
Priority to EP19960302595 priority patent/EP0737759B1/en
Priority to DE1996617307 priority patent/DE69617307T2/de
Publication of JPH08283955A publication Critical patent/JPH08283955A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2936129B2 publication Critical patent/JP2936129B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 アルミ合金、鉄等からなる金属部品に好適な
防食構造を提供する。 【構成】 金属部品1の表面に、Ni−P系合金からな
る第1のメッキ膜2を設け、その上に、さらに第2のメ
ッキ膜3としてNi−P/PTFE複合メッキ膜を設け
る。Ni−P/PTFE複合メッキ膜はNi−P合金の
みでなく、Ni−P系合金中にポリテトラフルオロエチ
レン微粒子4を分散折出させてなるものとする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体製造装置、特に
ドライエッチング装置のガス排気に用いる真空ポンプ等
の金属部品の防食構造に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造装置の中には腐食性の強いガ
スを使用するものがあることから、その装置のチャンバ
内、バルブ、配管類は言うに及ばず、チャンバ内のガス
排気を行う真空ポンプに至るまで、腐食性ガスが触れる
場所は耐食性に優れた材料で製作する必要がある。
【0003】一般に、この種の耐食材料としては、SU
S304に代表されるオーステナイト系ステンレス鋼が
用いられている。
【0004】つまり、腐食性ガスが触れる場所は、オー
ステナイト系ステンレス鋼から形成されるのが一般的で
あるが、真空ポンプの回転体のように高速で回転する部
品については、軽量かつ高強度が要求されるため、高力
アルミ合金で作製される。
【0005】このようなアルミ合金にあっては表面に酸
化被膜が自然に形成され、これが不働態被膜として機能
することから、ある程度は耐食性を有する。しかし、ア
ルミ合金の耐蝕性はステンレス鋼の不働態被膜に比しか
なり劣るため、アルミ合金が排気の腐食性ガスに晒され
ると、表面の酸化被膜が破壊され、ここに腐食が起き
る。それ故、アルミ合金の表面には自然の酸化被膜以外
に何らかの防食処理を施す必要がある。
【0006】このような観点から、従来より、アルミ合
金の表面には防食処理として、無電解のNi−P系合金
メッキ処理、または陽極酸化処理(アルマイト処理)を
施すものとしている。
【0007】Ni−P系合金メッキ処理は、通常の電気
メッキと異なり、無電解メッキ法を用い、これによりア
ルミ合金製の部品全表面にNi−P,Ni−W−P等の
Ni−P系合金を10〜25μmの厚みで付着形成する
ものであり、また陽極酸化処理は、通常の処理で酸化膜
中にできる細孔を塞ぐ、いわゆる封孔処理を行うもので
ある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、最近開
発されるに至ったアルミ合金用の反応性イオンエッチン
グ装置(RIE)のように、Cl2 ,CCl4 ,BCl
3 等の腐食作用の強い塩素系ガスを使用する装置におい
ては、従来の無電解Ni−P系合金メッキ処理やアルマ
イト処理による被膜ではアルミ合金を防護できず、アル
ミ合金が腐食するという事例が出てきた。その腐食のメ
カニズムは次の通りである。
【0009】アルミ合金のエッチングは、塩素系ガスを
イオン化し、その塩素イオンをシリコン基板上のアルミ
膜に衝突させ、これによりエッチングを実行するが、そ
の際大量に発生する反応生成物(AlCl3 )の蒸気
が、排気の途中で温度が低く圧力が高くなる場所、すな
わち排気ポンプの内面に付着折出する。このような付着
生成物(AlCl3 )の昇華温度は1atmでは178
℃、0.3Torrでは約40℃である。
【0010】それ故、この種の付着生成物(AlC
3 )は、ポンプの停止、リーク等によって大気中の水
分と反応し、HCl、すなわち塩素イオンを生成する。
また、定期的なメンテナンスの際、洗浄除去を行うとき
にも、水分と反応して塩素イオンを生成することがあ
る。
【0011】塩素イオンはアルミ合金やステンレス鋼の
不働態被膜を簡単に破壊し孔食を引き起こし、一度孔食
が起きると、そこは局部電池となるため加速的に腐食が
進行する。
【0012】また、このような装置では、Cl2 やBC
3 のような腐食作用の強い原料ガスについても一部が
そのまま排気ポンプを通じて排気されるので、これがそ
のまま当該排気ポンプの内面に吸着し、上記と同様に塩
素イオンを生成する場合もある。
【0013】以上のように塩素イオンが大量に発生する
のであるが、このような大量の塩素イオンの存在に対し
ては、従来の防食処理として施していた20μm厚の無
電解Ni−P系合金メッキ膜、またはアルマイト処理被
膜では、腐食を完璧に防護することができない。
【0014】つまり、メッキ膜中に存在する細孔(ピン
ホール)から塩素イオンが容易に侵入し、アルミ素地ま
で達した所で孔食が起きる訳であり、このようにして孔
食が起きると、メッキ膜中に存在するNi合金との関係
から、局部電池作用がより一層増幅され、これにより激
しく孔食が進行し、そして腐食生成物がメッキ膜を押し
上げ、メッキ膜の剥離が生じる。
【0015】なお、上記のような無電解メッキ処理は、
通常の電気メッキ処理と異なり、凹部や穴の内側にも平
坦部と同一の厚みで膜を成長させることができる点では
防食用被膜の形成処理としては好ましく、もちろんNi
−P合金自身も塩素イオンに犯されることはない。
【0016】しかし、無電解メッキ処理とはいえ、被膜
中のピンホールを完全になくすことはできず、特に機械
加工面あるいは放電加工面の凹部や、アルミ組織の不均
一な箇所にはメッキが着かない場所がある。この点から
見ると、無電解メッキ処理の対象がアルミの場合には、
アルミ表面からメッキ表面までの間を貫通するピンホー
ルが生じることもあると考えられる。そして、このよう
な貫通のピンホールを現在のメッキ技術で完璧になくす
ことは困難であり、そのままでは塩素イオンがメッキ表
面から当該ピンホールを経てアルミ素地まで到達し、こ
れによりアルミの腐食が生じることは避けられない。
【0017】この発明は上述の事情に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところはアルミ合金、鉄等からな
る金属部品に好適な防食構造を提供することにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の発明は金属部品の表面に、Ni−P
系合金からなる第1のメッキ膜を設け、この第1のメッ
キ膜の上に、Ni−P系合金中に微粒子を分散折出させ
てなる第2のメッキ膜を設けたことを特徴とする。
【0019】請求項2記載の発明は半導体製造装置のガ
ス排気に用いるターボ分子ポンプの、少なくともアルミ
合金部に、Ni−P系合金からなる第1のメッキ膜を設
け、この第1のメッキ膜の上に、Ni−P系合金中に微
粒子を分散折出させてなる第2のメッキ膜を設けたこと
を特徴とする。
【0020】請求項3記載の発明は半導体製造装置のガ
ス排気に用いるドラッグポンプの、少なくともアルミ合
金部に、Ni−P系合金からなる第1のメッキ膜を設
け、この第1のメッキ膜の上に、Ni−P系合金中に微
粒子を分散折出させてなる第2のメッキ膜を設けたこと
を特徴とする。
【0021】請求項4記載の発明は半導体製造装置への
ガス供給若しくは半導体製造装置からのガス排気に用い
る配管の、少なくとも内面に、Ni−P系合金からなる
第1のメッキ膜を設け、この第1のメッキ膜の上に、N
i−P系合金中に微粒子を分散折出させてなる第2のメ
ッキ膜を設けたことを特徴とする。
【0022】請求項5記載の発明は半導体製造装置への
ガス供給若しくは半導体製造装置からのガス排気に用い
るバルブの、少なくとも可動部に、Ni−P系合金から
なる第1のメッキ膜を設け、この第1のメッキ膜の上
に、Ni−P系合金中に微粒子を分散折出させてなる第
2のメッキ膜を設けたことを特徴とする。
【0023】請求項6記載の発明は半導体製造装置のチ
ャンバ内の、少なくとも可動部および摺動部に、Ni−
P系合金からなる第1のメッキ膜を設け、この第1のメ
ッキ膜の上に、Ni−P系合金中に微粒子を分散折出さ
せてなる第2のメッキ膜を設けたことを特徴とする。
【0024】請求項7記載の発明は金属部品が、アルミ
合金または鉄系材料からなることを特徴とする。
【0025】請求項8記載の発明は微粒子が、ポリテト
ラフルオロエチレンであることを特徴とする。
【0026】請求項9記載の発明は微粒子の粒径が、約
1μm以下であることを特徴とする。
【0027】請求項10記載の発明は第1および第2の
メッキ膜の膜厚が、それぞれ8μm以上であることを特
徴とする。
【0028】請求項11記載の発明はNi−P系合金中
の微粒子含有量が、体積比で20vol%以上、または
重量比で6wt%以上であることを特徴とする。
【0029】
【作用】この発明では、塩素イオンが金属部品の素地に
到達侵入するのを確実に防護でき、孔食の発生を防止で
きる。これは第1のメッキ膜の表面に開口しているピン
ホールを微粒子が塞ぐ、あるいは第2のメッキ膜の成長
中にピンホールができ始めても、このピンホールが微粒
子により直ちに塞がれ、ピンホールの成長が微粒子によ
り分断されることから、金属部品に向かってまっすぐ貫
通するピンホールがなくなることによるものと推察され
る。
【0030】
【実施例】以下、この発明に係る防食構造について図1
ないし図14を用いて詳細に説明する。
【0031】この防食構造は図1に示す如く金属部品1
の表面に、Ni−P系合金からなる第1のメッキ膜2を
有し、さらに第1のメッキ膜2の上に、第2のメッキ膜
3としてNi−P/PTFE複合メッキ膜を備える。
【0032】Ni−P/PTFE複合メッキ膜はNi−
P合金のみでなく、このNi−P系合金中に微粒子とし
てポリテトラフルオロエチレン(以下「PTFE微粒
子」という。)を分散折出させてなるものである。
【0033】このような上下2層のメッキ膜2,3は、
次の処理を経て作成することができる。
【0034】(1)処理の第1段階 ターボ分子ポンプのアルミ合金部品として周知の回転翼
や固定翼等、その他の金属部品1の表面に、公知の無電
解Ni−P合金メッキ処理を施し、これによりNi−P
合金の第1層(第1のメッキ膜2)を形成する。
【0035】すなわち、金属部品1につき所定の前処理
を行った後、規定の浴組成のメッキ浴中に当該金属部品
1を浸漬し、これにより金属部品1の表面にNi−P合
金メッキ膜を形成する。
【0036】Ni−P合金メッキ膜はP濃度を8wt%
程度とし、少なくともねらい値(目標値)として10μ
m厚以上とする。なお公差バラツキを考慮すると、その
膜厚は8μm以上としてもよい。
【0037】なお、このNi−P合金メッキ膜を厚く着
けるほど、前述のピンホールは塞がる傾向にある。つま
り厚く形成すると、メッキ表面に開口するピンホールの
数が減り、メッキ表面から素地への塩素イオンの侵入量
が減少することから、耐食性能の向上が図れる。したが
って、経済性も考慮に入れると、第1のメッキ膜2とし
て形成するNi−P合金メッキ膜は20μm厚程度とす
るのが好適である。
【0038】(2)処理の第2段階 上記のようにして第1層(第1のメッキ膜2)を形成し
た後、さらにこの第1層の上に、第2層(第2のメッキ
膜3)としてNi−P/PTFE複合メッキ膜を形成す
る。
【0039】Ni−P/PTFE複合メッキ膜は、ねら
い値として10μm厚とする。この場合にも上記と同じ
く公差バラツキの考慮から、その膜厚は8μm以上とし
てもよい。
【0040】Ni−P/PTFE複合メッキ膜は、上記
Ni−P合金メッキ処理と略同一の浴に、粒径1μm以
下程度のPTFEの微粉末、および界面活性剤を混入
し、これを激しく撹拌しながらメッキを折出させて形成
したもの、つまりNi−P合金メッキ膜中にPTFE微
粒子を同時に分散折出させたものである。
【0041】Ni−P合金メッキ膜中のPTFE含有量
は、体積比で20vol%以上40vol%以下、また
は重量比で6wt%以上12wt%以下となるように配
合調整する。
【0042】すなわち、本実施例の防食構造にあって
は、金属部品1の表面にNi−P系合金からなる第1の
メッキ膜2を設け、その上に、さらにNi−P系合金中
にPTFE微粒子4を分散折出させてなる第2のメッキ
膜3を設けたものである。このため下記(イ)および
(ロ)の見地より、塩素イオンが金属部品1の素地に到
達侵入するのを確実に防護でき、孔食が起こらず、金属
部品に好適な防食構造である。
【0043】(イ)図1(a)に示すように、第2のメ
ッキ膜3の形成開始時に、第1のメッキ膜2の表面に開
口しているピンホールHがあるとしても、このピンホー
ルHをPTFE微粒子4が塞ぐものと推察され、このピ
ンホールHへの塩素イオンの侵入を防護する。また、こ
のように塞がれたピンホールHはそこで成長が止まる。
つまりPTFE微粒子4がピンホールHの成長を妨げ、
母材(金属部品1)に向かってまっすぐ貫通するピンホ
ールがなくなる。
【0044】(ロ)図1(b)に示すように、第2のメ
ッキ膜3の成長中にピンホールHができ始めても、この
ようなピンホールはPTFE微粒子により直ちに塞が
れ、ピンホールの成長がPTFE微粒子により分断され
ることから、母材に向かってまっすぐ貫通するピンホー
ルがなくなり、その結果、塩素イオンの侵入箇所が広い
範囲に分散し、局所的な激しい孔食が起き難くなる。
【0045】また、この防食構造は、第2のメッキ膜3
の成長後、その表面を体積比で20〜40vol%のP
TFEが覆うものである。このため第2のメッキ膜表面
の撥水性がよく、AlCl3 、Cl系ガス、塩素イオン
等の物質が第2のメッキ膜3表面に吸着し難くなる点で
も、塩素イオンが金属部品1の素地に到達侵入するのを
防護できる。
【0046】なお、以上のような塩素イオンの侵入防止
効果は、第2のメッキ膜3中のPTFE含有量が少ない
と、十分に発揮できない。たとえば体積比で5〜15v
ol%(重量比では1.5〜5wt%)程度のPTFE
含有量では、塩素イオンの侵入を防護できない訳ではな
いが、その防護力が低下する。したがって、PTFE含
有量は前述の通り、体積比で20vol%以上40vo
l%以下、または重量比で6wt%以上12wt%以下
であることが必要とされる。
【0047】以上の作用効果は実験によって確認されて
いる。次にその実験について説明する。
【0048】この実験は、金属部品1としてターボ分子
ポンプの回転翼(2000番系高力アルミ合金)を用
い、これに下記(1)〜(5)の処理を施して本願発明
品、従来品A,B、比較試料A,Bを作成し、これらの
実験試料をデシケータ内に並べ、そしてデシケータの底
部には水で希釈した塩酸を入れておく。このようにして
上記実験試料を塩酸の蒸気中に暴露したものであり、こ
のとき塩酸濃度は18ppm以上、暴露時間は148時
間とした。
【0049】(1)無電解Ni−P合金メッキ(10μ
m厚)と、その後の無電解Ni−P/PTFEメッキ
(10μm厚、PTFE含有量10wt%)…本願発明
品 (2)無電解Ni−P合金メッキ(20μm厚)…従来
品A (3)アルマイト処理(8μm厚)…従来品B (4)無電解Ni−P合金メッキ(50μm厚)…比較
試料A (5)無電解Ni−P合金メッキ(10μm厚)と、そ
の後の無電解Ni−P/PTFEメッキ(10μm厚、
PTFE含有量5wt%)…比較試料B そして、この実験後の各実験試料の一部、具体的には回
転翼先端部を断面し、これを金属顕微鏡で観察し写真撮
影したところ、本発明品については図2ないし図4に示
す如く、どれをみても塩素イオンの侵入が完璧に防護さ
れ、まったく孔食が起きていないことが分かる。
【0050】これに対し、従来品Aは図5および図6
に、また従来品Bは図7および図8に示すように、いず
れもその全面で激しい孔食が起きる。
【0051】比較試料Aのように、Ni−P合金メッキ
の膜厚を20μmでなく50μmにすると、図9ないし
図11に示すようにピンホールが塞がるため孔食の起き
る箇所は多少減るが、この場合でも孔食が起きることに
は変わりがなく、孔食の発生を完全に阻止することはで
きない。また比較試料Bのように、2層メッキを施して
もPTFEの量が少ないと、図12ないし図14に示す
如く塩素イオンの侵入を防ぐことができず、孔食が発生
することが分かる。
【0052】つまり、Ni−P合金メッキの膜厚を20
μmから50μmに厚くするのみ、またはPTFEを入
れずNi−P合金メッキを単に2層重ねたのみでは、塩
素イオンの侵入を完璧に防護できず、孔食の発生は避け
られない。
【0053】また、Ni−P/PTFEメッキ(PTF
E含有量10wt%)でも、その単層のみでは、孔食の
発生は避けられないと推察できる。
【0054】なお、本実施例の防食構造はアルミ合金の
防食対策として好適であるが、アルミ合金以外の材料、
たとえば鉄系材料からなる金属部品の防食構造として適
用してもよい。
【0055】本実施例の防食構造は例えば次のような金
属部品に適用できる。もちろんその他の金属部品にも適
用できる。 半導体製造装置のガス排気に用いるターボ分子ポンプ
のアルミ合金部、またはアルミ合金部とその他の金属材
料部 同装置のガス排気に用いるドラッグポンプのアルミ合
金部、またはアルミ合金部とその他の金属材料部 同装置へのガス供給若しくは同装置からのガス排気に
用いる配管の内面、または内外両面 同装置からのガス排気に用いるバルブの、少なくとも
可動部 同装置のチャンバ内の、少なくとも可動部および摺動
部 本実施例では微粒子としてPTFEを用いたが、これに
限定されることはなく、PTFEと同様な作用効果、す
なわちピンホールの封じや、成長の阻止等が可能な微粒
子であれば、これをPTFEに代えて適用することもで
きる。PTFEと同等の作用効果を奏する微粒子として
は例えばフッ化黒鉛、セラミック等の微粒子が考えられ
る。
【0056】
【発明の効果】この発明に係る防食構造にあっては、金
属部品の表面に、Ni−P系合金からなる第1のメッキ
膜を設け、その上に、さらにNi−P系合金中に微粒子
を分散折出させてなる第2のメッキ膜を設けたものであ
る。このため下記(イ)(ロ)の見地より、塩素イオン
が金属部品の素地に到達侵入するのを確実に防護でき、
孔食が起こらず、金属部品に好適な防食構造であり、金
属部品の長寿命化を図れる。
【0057】(イ)第2のメッキ膜の形成開始時に、第
1のメッキ膜の表面に開口しているピンホールがあると
しても、このピンホールを微粒子が塞ぐものと推察さ
れ、このピンホールへの塩素イオンの侵入を防護する。
またこのように塞がれたピンホールはそこで成長が止ま
る。つまり微粒子がピンホールの成長を妨げ、母材(金
属部品)に向かってまっすぐ貫通するピンホールがなく
なる。
【0058】(ロ)第2のメッキ膜の成長中にピンホー
ルができ始めても、このようなピンホールは微粒子によ
り直ちに塞がれ、ピンホールの成長が微粒子により分断
されることから、母材(金属部品)に向かってまっすぐ
貫通するピンホールがなくなり、その結果、塩素イオン
の侵入箇所が広い範囲に分散し、局所的な激しい孔食が
起き難くなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る防食構造の説明図。
【図2】本願発明品の一断面を示す金属組織の写真。
【図3】本願発明品の他の断面を示す金属組織の写真。
【図4】本願発明品の他の断面を示す金属組織の写真。
【図5】従来品Aの一断面を示す金属組織の写真。
【図6】従来品Aの他の断面を示す金属組織の写真。
【図7】従来品Bの一断面を示す金属組織の写真。
【図8】従来品Bの他の断面を示す金属組織の写真。
【図9】比較試料Aの一断面を示す金属組織の写真。
【図10】比較試料Aの他の断面を示す金属組織の写
真。
【図11】比較試料Aの他の断面を示す金属組織の写
真。
【図12】比較試料Bの一断面を示す金属組織の写真。
【図13】比較試料Bの他の断面を示す金属組織の写
真。
【図14】比較試料Bの他の断面を示す金属組織の写
真。
【符号の説明】
1 金属部品 2 第1のメッキ膜 3 第2のメッキ膜 4 PTFE微粒子
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成8年3月11日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項3
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0020
【補正方法】変更
【補正内容】
【0020】請求項3記載の発明は半導体製造装置のガ
ス排気に用いるドライポンプの、少なくともアルミ合金
部に、Ni−P系合金からなる第1のメッキ膜を設け、
この第1のメッキ膜の上に、Ni−P系合金中に微粒子
を分散折出させてなる第2のメッキ膜を設けたことを特
徴とする。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0055
【補正方法】変更
【補正内容】
【0055】本実施例の防食構造は例えば次のような金
属部品に適用できる。もちろんその他の金属部品にも適
用できる。 (1)半導体製造装置のガス排気に用いるターボ分子ポ
ンプのアルミ合金部、またはアルミ合金部とその他の金
属材料部 (2)同装置のガス排気に用いるドライポンプのアルミ
合金部、またはアルミ合金部とその他の金属材料部 (3)同装置へのガス供給若しくは同装置からのガス排
気に用いる配管の内面、または内外両面 (4)同装置からのガス排気に用いるバルブの、少なく
とも可動部 (5)同装置のチャンバ内の、少なくとも可動部および
摺動部 本実施例では微粒子としてPTFEを用いたが、これに
限定されることはなく、PTFEと同様な作用効果、す
なわちピンホールの封じ、成長の阻止等が可能な微粒子
であれば、これをPTFEに代えて適用することもでき
る。PTFEと同等の作用効果を奏する微粒子としては
例えばフッ化黒鉛、セラミック等の微粒子が考えられ
る。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/3065 H01L 21/302 B

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属部品の表面に、Ni−P系合金から
    なる第1のメッキ膜を設け、 この第1のメッキ膜の上に、Ni−P系合金中に微粒子
    を分散折出させてなる第2のメッキ膜を設けたことを特
    徴とする防食構造。
  2. 【請求項2】 半導体製造装置のガス排気に用いるター
    ボ分子ポンプの、少なくともアルミ合金部に、Ni−P
    系合金からなる第1のメッキ膜を設け、 この第1のメッキ膜の上に、Ni−P系合金中に微粒子
    を分散折出させてなる第2のメッキ膜を設けたことを特
    徴とする防食構造。
  3. 【請求項3】 半導体製造装置のガス排気に用いるドラ
    ッグポンプの、少なくともアルミ合金部に、Ni−P系
    合金からなる第1のメッキ膜を設け、 この第1のメッキ膜の上に、Ni−P系合金中に微粒子
    を分散折出させてなる第2のメッキ膜を設けたことを特
    徴とする防食構造。
  4. 【請求項4】 半導体製造装置へのガス供給若しくは半
    導体製造装置からのガス排気に用いる配管の、少なくと
    も内面に、Ni−P系合金からなる第1のメッキ膜を設
    け、 この第1のメッキ膜の上に、Ni−P系合金中に微粒子
    を分散折出させてなる第2のメッキ膜を設けたことを特
    徴とする防食構造。
  5. 【請求項5】 半導体製造装置へのガス供給若しくは半
    導体製造装置からのガス排気に用いるバルブの、少なく
    とも可動部に、Ni−P系合金からなる第1のメッキ膜
    を設け、 この第1のメッキ膜の上に、Ni−P系合金中に微粒子
    を分散折出させてなる第2のメッキ膜を設けたことを特
    徴とする防食構造。
  6. 【請求項6】 半導体製造装置のチャンバ内の、少なく
    とも可動部および摺動部に、Ni−P系合金からなる第
    1のメッキ膜を設け、 この第1のメッキ膜の上に、Ni−P系合金中に微粒子
    を分散折出させてなる第2のメッキ膜を設けたことを特
    徴とする防食構造。
  7. 【請求項7】 金属部品が、アルミ合金または鉄系材料
    からなることを特徴とする請求項1記載の防食構造。
  8. 【請求項8】 微粒子が、ポリテトラフルオロエチレン
    であることを特徴とする請求項1ないし6記載の防食構
    造。
  9. 【請求項9】 微粒子の粒径が、約1μm以下であるこ
    とを特徴とする請求項1ないし6記載の防食構造。
  10. 【請求項10】 第1および第2のメッキ膜の膜厚が、
    それぞれ8μm以上であることを特徴とする請求項1な
    いし6記載の防食構造。
  11. 【請求項11】 Ni−P系合金中の微粒子含有量が、
    体積比で20vol%以上、または重量比で6wt%以
    上であることを特徴とする請求項1ないし6記載の防食
    構造。
JP7110311A 1995-04-12 1995-04-12 防食構造 Expired - Lifetime JP2936129B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7110311A JP2936129B2 (ja) 1995-04-12 1995-04-12 防食構造
EP19960302595 EP0737759B1 (en) 1995-04-12 1996-04-12 Corrosion preventing structure
DE1996617307 DE69617307T2 (de) 1995-04-12 1996-04-12 Korrosion verhindernde Struktur

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7110311A JP2936129B2 (ja) 1995-04-12 1995-04-12 防食構造

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08283955A true JPH08283955A (ja) 1996-10-29
JP2936129B2 JP2936129B2 (ja) 1999-08-23

Family

ID=14532501

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7110311A Expired - Lifetime JP2936129B2 (ja) 1995-04-12 1995-04-12 防食構造

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0737759B1 (ja)
JP (1) JP2936129B2 (ja)
DE (1) DE69617307T2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005249042A (ja) * 2004-03-03 2005-09-15 Tsubakimoto Chain Co 防食性チェーン
WO2008059907A1 (fr) * 2006-11-17 2008-05-22 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Procédé de formation d'une couche de plaquage résistante à la corrosion et machine rotative
JP2008303807A (ja) * 2007-06-08 2008-12-18 Nikki Co Ltd ガス燃料用レギュレータ
JP2009102750A (ja) * 2002-09-11 2009-05-14 Espec Corp チオ尿素を使用した無電解メッキ液、及びこれを用いた無電解メッキ方法及び無電解メッキ被処理物
JP2009275535A (ja) * 2008-05-13 2009-11-26 Nikki Co Ltd 気体燃料用インジェクタ
JP2011075221A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Daikin Industries Ltd 冷凍装置および冷凍装置におけるシール材の注入方法
JP2015037025A (ja) * 2013-08-12 2015-02-23 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
RU2555276C2 (ru) * 2009-07-28 2015-07-10 Дженерал Электрик Компани Герметизация микроотверстий в металлических покрытиях, полученных химическим восстановлением

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5667775A (en) 1993-08-11 1997-09-16 Geltex Pharmaceuticals, Inc. Phosphate-binding polymers for oral administration
DE19860526A1 (de) 1998-12-30 2000-07-06 Basf Ag Wärmeüberträger mit verringerter Neigung, Ablagerungen zu bilden und Verfahren zu deren Herstellung
US6444083B1 (en) * 1999-06-30 2002-09-03 Lam Research Corporation Corrosion resistant component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof
US6733780B1 (en) 1999-10-19 2004-05-11 Genzyme Corporation Direct compression polymer tablet core
DE10016215A1 (de) 2000-03-31 2001-10-04 Basf Ag Verfahren zur Beschichtung von Apparaten und Apparateteilen für den chemischen Anlagenbau
DE10241947A1 (de) * 2001-09-14 2003-04-03 Magna Steyr Powertrain Ag & Co Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Maschinenelementes und Maschinenelement
US7985418B2 (en) 2004-11-01 2011-07-26 Genzyme Corporation Aliphatic amine polymer salts for tableting
WO2007027566A2 (en) 2005-09-02 2007-03-08 Genzyme Corporation Method for removing phosphate and polymer used therefore
PT1924246E (pt) 2005-09-15 2016-02-10 Genzyme Corp Formulação sachê para polímeros com funcionalidade amina
DE102007002111A1 (de) 2007-01-15 2008-07-17 Futurecarbon Gmbh Beschichtungsbad zum Beschichten eines Bauteils, beschichtetes Bauteil sowie Verfahren zu dessen Herstellung
TWI569931B (zh) * 2014-11-06 2017-02-11 Sdi Corp Stapler and its gutter structure
MA41202A (fr) 2014-12-18 2017-10-24 Genzyme Corp Copolymères polydiallymine réticulé pour le traitement du diabète de type 2
IT201900003463A1 (it) * 2019-03-11 2020-09-11 Nuovo Pignone Tecnologie Srl Componente di turbomacchine avente un rivestimento metallico
CN112226749A (zh) * 2020-10-14 2021-01-15 扬州市景杨表面工程有限公司 一种汽车差速器调整片ptfe复合镀层加工方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009102750A (ja) * 2002-09-11 2009-05-14 Espec Corp チオ尿素を使用した無電解メッキ液、及びこれを用いた無電解メッキ方法及び無電解メッキ被処理物
JP2005249042A (ja) * 2004-03-03 2005-09-15 Tsubakimoto Chain Co 防食性チェーン
WO2008059907A1 (fr) * 2006-11-17 2008-05-22 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Procédé de formation d'une couche de plaquage résistante à la corrosion et machine rotative
JP2008127598A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 耐食性めっき層形成方法および回転機械
JP4709731B2 (ja) * 2006-11-17 2011-06-22 三菱重工業株式会社 耐食性めっき層形成方法および回転機械
JP2008303807A (ja) * 2007-06-08 2008-12-18 Nikki Co Ltd ガス燃料用レギュレータ
KR101414533B1 (ko) * 2007-06-08 2014-07-03 가부시키가이샤 닛키 가스 연료용 레귤레이터
JP2009275535A (ja) * 2008-05-13 2009-11-26 Nikki Co Ltd 気体燃料用インジェクタ
RU2555276C2 (ru) * 2009-07-28 2015-07-10 Дженерал Электрик Компани Герметизация микроотверстий в металлических покрытиях, полученных химическим восстановлением
JP2011075221A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Daikin Industries Ltd 冷凍装置および冷凍装置におけるシール材の注入方法
JP2015037025A (ja) * 2013-08-12 2015-02-23 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電材料及び接続構造体

Also Published As

Publication number Publication date
EP0737759B1 (en) 2001-11-28
DE69617307D1 (de) 2002-01-10
JP2936129B2 (ja) 1999-08-23
DE69617307T2 (de) 2002-05-08
EP0737759A1 (en) 1996-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08283955A (ja) 防食構造
Yaniv et al. The composition of passive films on ferritic stainless steels
Park et al. Corrosion performance of layered coatings produced by physical vapour deposition
US6245435B1 (en) Decorative corrosion and abrasion resistant coating
Hayyan et al. Utilizing of sodium nitrite as inhibitor for protection of carbon steel in salt solution
US20060240271A1 (en) A1 composite material being crumbled with water, a1 film and a1 power comprising the material and methods for preparation thereof, constitutional member for film-forming chamber method for recovering film-forming material
WO2007058148A1 (ja) 耐食性に優れたアルミニウム部材又はアルミニウム合金部材
Gao et al. Nano‐and Microcrystal Coatings and Their High‐Temperature Applications
US6613452B2 (en) Corrosion resistant coating system and method
US6274257B1 (en) Forming members for shaping a reactive metal and methods for their fabrication
Townsend et al. Breakdown of oxide films on steel exposed to chloride solutions
JP2913537B2 (ja) 防食構造
Wendt et al. Corrosion-resistant aluminum matrix for graphite-aluminum composites
JP3500266B2 (ja) 半導体製造プロセス用部材
Arrando et al. Comparative study of high corrosion resistant TiCxN1− x and TiN hard coatings
JP2004269951A (ja) 耐ハロゲンガス皮膜被覆部材およびその製造方法
JP2007327350A (ja) 真空ポンプ用部材及びその製造方法
Xu et al. Improving the corrosion wear resistance of AISI 316L stainless steel by particulate reinforced Ni matrix composite alloying layer
JP3212469B2 (ja) 耐高温酸化性表面処理方法
Alves et al. Electrochemical corrosion of magnetron sputtered WTiN-coated mild steels in a chloride medium
Fedrizzi et al. Corrosion protection of sintered metal parts by coating deposition. Part I: Microstructural characterization
CN114686848B (zh) 半导体零部件、半导体处理装置及形成耐腐蚀涂层的方法
Lee et al. Evaluation of Characteristics for CoNiCrAlY Coating Layer by Atmospheric Pressure Plasma Coating Method
JP3220012B2 (ja) 硬質めっき皮膜被覆部材とその製造方法
CN113874551A (zh) 层叠体及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19981225

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19990413