JPH08274074A - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

Info

Publication number
JPH08274074A
JPH08274074A JP7075105A JP7510595A JPH08274074A JP H08274074 A JPH08274074 A JP H08274074A JP 7075105 A JP7075105 A JP 7075105A JP 7510595 A JP7510595 A JP 7510595A JP H08274074 A JPH08274074 A JP H08274074A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
electrode
vacuum container
processing apparatus
processed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7075105A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2748886B2 (ja
Inventor
Takahiro Uenishizono
孝博 上西園
Kenji Akimoto
健司 秋元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP7075105A priority Critical patent/JP2748886B2/ja
Priority to US08/617,731 priority patent/US5647912A/en
Publication of JPH08274074A publication Critical patent/JPH08274074A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2748886B2 publication Critical patent/JP2748886B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32541—Shape

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 低圧力領域のプラズマ処理において問題とな
るプラズマの不均一化、不安定下及び密度の低下を防
ぎ、プラズマを効率よく封じ込める事により、均一でか
つ高密度なプラズマを被処理体上で実現する。 【構成】真空容器１の内に、シース長２倍以下の直径の
孔８を複数個有する側壁まで含む電極３２と被処理体を
設置する台を兼ねた電極３１及びこれらの二つの電極を
電気的に分離する絶縁物７、以上少なくとも３つの部分
から構成される第２真空容器１１を有し、これにより、
プラズマが一定領域内に封じ込められプラズマの安定性
と密度の向上を図る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、放電プラズマを用いて
ＬＳＩ等の半導体素子や各種薄膜素子の微細加工を行う
プラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマ処理装置としては、２枚
の対向する電極間で高周波放電を発生させる平行平板型
装置がある。図４にその装置構成を示す。真空容器１の
内に２枚の対向する電極３１，３２、ガス導入管４、ガ
ス排気管５が設けられており、２枚の電極のうち一方は
アース電極（３２）、もう一方の電極３１には高周波電
源６を印加し、ガス導入と排気速度とを調整することで
所定の圧力に設定し、プラズマを発生させてプラズマ処
理を行う装置である。
【０００３】例えば、被エッチング物である基板２を真
空室１中の高周波電極３１側に設置し、他方の電極３２
側からはガス導入管４を経てエッチングガス４１を供給
するエッチング装置がある。排気孔５からの排気により
真空室１内の圧力を０．３〜１．０Ｔｏｒｒの真空度下
に保ち、高周波電源６より高周波電力を供給し、プラズ
マを生成する。高周波の印加された電極側では、負の自
己バイアス電圧が生じ負のバイアスで加速されたイオン
が被エッチング物に入射することで異方性エッチングを
実現する。
【０００４】この装置は、電極が平行平板構造のため、
被処理体に対し均一なＶｄｃが得られ、これにより被処
理体表面へ入射するイオンエネルギーの均一化が図られ
ることにより均一なプラズマ処理が実現される。
【０００５】さらに平行平板プラズマ処理装置として
は、図５に示すような複数のガス吹き出し孔を有した電
極３２を被処理体設置電極３１の対向電極として用いて
いる。これにより、被処理体２に供給されるガスの流れ
が均一となり、被処理体２のプラズマ処理が均一に可能
となる。また、これら図４，５からも分かるとおり、こ
れらは装置構造も簡単なため、現在広く使われている。
【０００６】しかし、これらの装置はラジカルとイオン
の衝突でイオンの入射が曲げられてイオンの入射方向に
分布を持つことにより、サブミクロン以下の微細パター
ンの加工が、困難になってきている。このイオンの斜め
入射による寸法変換差の問題を解決するためには放電圧
力の低圧力化を図り、イオンの入射方向を揃えることが
不可欠とされている。これは低圧力にすることでイオン
の平均自由工程が増大するため、ラジカルとイオンとの
衝突確立が小さくなりイオンの入射方向が揃い、イオン
が垂直に入射されるためである。しかし、低圧力領域で
はプラズマがチャンバー内に広がり易く、放電が不安定
となりプラズマの封じ込めが困難なため、プラズマ密度
が低くなることで十分な処理速度が得られないという問
題が生じている。
【０００７】また、最近では、平行平板電極の間隔を狭
くすることで、電極間にプラズマを封じ込め、プラズマ
密度を被処理体上で向上させることによりプラズマ処理
速度を速める、狭電極の平行平板プラズマ処理装置も用
いられている。
【０００８】さらに、低圧力領域でも、密度の高いプラ
ズマを得る方法として、中空電極を用いた方法（特開平
３−６８１３６）が提案されている。この装置の構成図
を図６に示す。この装置は、真空容器１内の一方の電極
３２上に被エッチング物が設置される一対の平行平板電
極３２，３３と、これら両電極に絶縁され、両電極間の
空間に向けて開口し、真空容器１の壁を貫通するガス導
入管４に連動する中空電極７と対抗電極の間に中空電極
を負とする直流電圧がそれぞれ印加することにより、エ
ッチングガスが導入される中空電極７内の局所的領域に
放電が起こって封じ込められ、しかも高密度プラズマが
発生し、そのプラズマが平行平板電極間に導き、平行平
板電極で形成されたプラズマと重ねることにより、高い
密度のプラズマを得ようとする、三極電極（トライオー
ド）型の方法である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】これら処理装置のう
ち、電極間隔を狭くしてプラズマ処理を行うものでは、
プラズマ密度は高くなりエッチング処理速度は高まる。
しかし、エッチングガスと反応生成物は、周辺に排気さ
れるため、被処理体の中心部と周辺部での濃度が異なる
上、狭い電極のため２つの電極の平行度が電界の均一性
に影響するため、被処理体上で均一なプラズマを得るの
が困難である。
【００１０】また、高い密度のプラズマを得るために提
案された上述の三極電極（トライオード）型ＲＩＥ等の
方法でも、局所的放電により、局所的に高い密度のプラ
ズマは得られるものの、被処理体表面には拡散により輸
送されるため、被処理体表面上でのプラズマの実質的密
度が十分ではない。
【００１１】本発明の目的は、低圧力化に伴って不均
一、不安定になるプラズマを高密度にかつ均一的、安定
的に発生させ、さらにガスの流れの影響を受けないプラ
ズマ処理装置を提供する事にある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の構成は、真空容
器内にプロセスガスを導入し、高周波励起により発生し
たプラズマにより被処理体を処理するプラズマ処理装置
において、前記真空容器内にこの真空容器側に通気性を
もつ第２の真空容器を形成し、この第２の真空容器内に
前記被処理体が設置され処理が行われるようにしたこと
を特徴とする。
【００１３】
【作用】本発明では、平行平板プラズマ処理装置におけ
るシース長の２倍以下の直径の孔を複数有する電極によ
ってウェハー保持電極の全面を覆うことにより、プラズ
マが封じ込められ、プラズマの安定性、均一性とプラズ
マ密度の向上を図り、高エッチレート、高選択性、高均
一性のエッチングが可能となる。
【００１４】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例を示す模式的断
面図である。図に於いて、真空容器１内に、被処理体２
を設置する台を兼ねた電極３１と、これに対抗した部分
と側壁部分を合わせた電極３２と、これら二つの電極を
電気的に分離する絶縁物７から構成される第２真空容器
１１が存在する。高周波電源６は電極３１に接続されて
おり、電極３２は設置されている。
【００１５】この第２真空容器１１は、この真空容器１
１の側壁にまで電極として覆われているため、従来電極
の外まで広がっていたプラズマを一定領域内に抑える効
果を持ち、プラズマ密度を高くすることと、プラズマを
均一にすることが可能となる。そのためエッチング速
度、選択比、エッチング均一性の向上が可能となる。
【００１６】また、排気管５は絶縁物７の直下に設けら
れ、エッチングガスを供給するガス導入管４は、真空容
器１の壁に複数本設けられ、エッチングガスの供給を行
う。本実施例は、エッチングガスの供給を真空室１内に
実施する例を示しているが、第２真空容器１１内に直接
供給する事も可能である。
【００１７】このエッチングガスの供給、排気を第２真
空容器１１内で行うために、電極３１を除く部分には生
成するプラズマのシース長２倍以下の大きさの孔８を複
数個形成している。この孔８により真空容器１１内へエ
ッチングガスの供給、排気が可能となる。
【００１８】従来の平行平板式エッチング装置では、上
部電極に設けられたガス吹き出し孔からガスを供給し、
試料台の周辺から排気を行っていたが、本実施例では、
真空容器１内にガスを供給し、複数の孔から第２の真空
容器１１内に供給するために被処理体２へより均一なエ
ッチングガスの供給が実現される。また、この孔８の直
径の決定要因は陰極電極表面近傍で生じるシース幅の２
倍以下にすることで電極３２や絶縁物７に多数の孔を開
けても、真空容器１１からプラズマが漏れるのを防ぎ、
プラズマ密度の低下及びプラズマの不均一化を防いでい
る。
【００１９】図２は、本発明の第２の実施例の模式的断
面図であり、三極電極（トライオード）型ＲＩＥに応用
した例である。図において、真空室１内に被エッチング
基板２の支持体を兼ねる接地電極３２と、これに対抗し
た部分と側壁部分を合わせた内側の面が孔開きからなる
高周波電極３１が、これら二つの電極を電気的に分離す
る絶縁物７から構成される、第２真空容器１１が存在す
る。高周波電極３１は中央に開口部３３を有し、この開
口部３３に向けて中空電極９が開口している。中空電極
９は、それを囲む円筒上電極８と絶縁体７１によって絶
縁されている。中空電極９は真空室上壁を絶縁体７１に
よって絶縁されて貫通するガス導入管４と結合され、直
流電源６１の負極に接続されている。従って、中空電極
９は陰極、設置された円筒上電極８は陽極となり、この
陰極、陽極の間には、直流電圧により放電が発生する。
【００２０】中空電極９の先端部付近で発生した放電
は、中空電極９に電源６１より印加される直流電圧及び
電源を制御することで行われ、高周波電極３１と接地電
極３２との間に発生する放電とは独立である。この方法
で発生した二つの放電は、拡散により被処理体２に輸送
され、プラズマ処理が行われる。
【００２１】本実施例は三極電極（トライオード）に適
用させたことにより、真空室１に広がっていたプラズマ
を高周波電極３１と接地電極３２の間に封じ込めること
が可能となり、プラズマの広がりのためのプラズマ密度
の低下およびプラズマの不均一化を防ぐ事が可能とな
る。
【００２２】図３は、本発明の第３の実施例の模式的断
面図であり、電極間隔の調整機能を加えたものである。
本実施例では、被処理体の接地を兼ねる高周波電極３１
と絶縁物７及び排気管５を垂直方向に可動にする事で、
電極間隔の調整が可能となる。なおこの際、電極３２側
壁部分は、絶縁物７によって遮蔽している。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、平
行平板型装置の電極構造を変更する事により、低圧下で
均一的かつ安定的に密度の高いプラズマを発生させ、高
エッチレート、高選択性、高均一でイオンによる損傷の
少ない異方性のプラズマ処理が可能となるという効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の断面図。
【図２】本発明の第２の実施例の断面図。
【図３】本発明の第３の実施例の断面図。
【図４】従来例の平行平板型装置の断面図。
【図５】他の従来例の平行平板型プラズマ処理装置の断
面図。
【図６】従来例の三極電極型装置の断面図。
【符号の説明】
１ 真空容器 ２ 被処理体 ４，４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ ガス導入管 ５ 排気管 ６ 高周波電源 ７ 絶縁物 ８ 陽極 ９ 中空電極（陽極） １１ 第２真空容器 １２ スイッチ ３１ 高周波電極 ３２ 接地電極 ３３ 開口部 ４１ エッチングガス ６１ 直流電源 ７１ 絶縁物 ７２ 絶縁物

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 真空容器内にプロセスガスを導入し、高
    周波励起により発生したプラズマにより被処理体を処理
    するプラズマ処理装置において、前記真空容器内にこの
    真空容器側に通気性をもつ第２の真空容器を形成し、こ
    の第２の真空容器内に前記被処理体が設置され処理が行
    われるようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 【請求項２】 第２の真空容器は、被処理体を設置する
    台を兼ねた第一電極と、この第一電極に対向した部分と
    側壁とを合わせもつ第二電極と、これら二つの電極を電
    気的に分離する絶縁体の少なくとも三つの部分がら構成
    される請求項１記載のプラズマ処理装置。
  3. 【請求項３】 第２の真空容器のうち、被処理体を設置
    する第一電極を除く二つの部分には、生成するプラズマ
    のシース長の２倍以下の直径の孔が複数個形成されたも
    のである請求項２記載のプラズマ処理装置。
  4. 【請求項４】 第一、第二電極のうちの一方には高周波
    電源が接続され、もう一方には接地されたものである請
    求項２または請求項３記載のプラズマ処理装置。
JP7075105A 1995-03-31 1995-03-31 プラズマ処理装置 Expired - Fee Related JP2748886B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7075105A JP2748886B2 (ja) 1995-03-31 1995-03-31 プラズマ処理装置
US08/617,731 US5647912A (en) 1995-03-31 1996-04-01 Plasma processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7075105A JP2748886B2 (ja) 1995-03-31 1995-03-31 プラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08274074A true JPH08274074A (ja) 1996-10-18
JP2748886B2 JP2748886B2 (ja) 1998-05-13

Family

ID=13566566

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7075105A Expired - Fee Related JP2748886B2 (ja) 1995-03-31 1995-03-31 プラズマ処理装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5647912A (ja)
JP (1) JP2748886B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112216586A (zh) * 2019-07-12 2021-01-12 中微半导体设备(上海)股份有限公司 实现均匀排气的双工位处理器及等离子体处理设备

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5735960A (en) * 1996-04-02 1998-04-07 Micron Technology, Inc. Apparatus and method to increase gas residence time in a reactor
US5911832A (en) * 1996-10-10 1999-06-15 Eaton Corporation Plasma immersion implantation with pulsed anode
US5945354A (en) * 1997-02-03 1999-08-31 Motorola, Inc. Method for reducing particles deposited onto a semiconductor wafer during plasma processing
US8114245B2 (en) * 1999-11-26 2012-02-14 Tadahiro Ohmi Plasma etching device
US7378127B2 (en) * 2001-03-13 2008-05-27 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition methods
US6974523B2 (en) * 2001-05-16 2005-12-13 Lam Research Corporation Hollow anode plasma reactor and method
JP4236882B2 (ja) * 2001-08-01 2009-03-11 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置およびガス処理方法
US20030092278A1 (en) * 2001-11-13 2003-05-15 Fink Steven T. Plasma baffle assembly
US7229666B2 (en) * 2002-01-22 2007-06-12 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition method
US6787185B2 (en) * 2002-02-25 2004-09-07 Micron Technology, Inc. Deposition methods for improved delivery of metastable species
KR100829327B1 (ko) * 2002-04-05 2008-05-13 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반응 용기
US7468104B2 (en) * 2002-05-17 2008-12-23 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition apparatus and deposition method
US6887521B2 (en) * 2002-08-15 2005-05-03 Micron Technology, Inc. Gas delivery system for pulsed-type deposition processes used in the manufacturing of micro-devices
JP4173389B2 (ja) * 2003-03-19 2008-10-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8500973B2 (en) * 2004-08-20 2013-08-06 Jds Uniphase Corporation Anode for sputter coating
US7879209B2 (en) * 2004-08-20 2011-02-01 Jds Uniphase Corporation Cathode for sputter coating
JP4951501B2 (ja) * 2005-03-01 2012-06-13 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法
US8176871B2 (en) * 2006-03-28 2012-05-15 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
KR100849929B1 (ko) * 2006-09-16 2008-08-26 주식회사 피에조닉스 반응 기체의 분사 속도를 적극적으로 조절하는 샤워헤드를구비한 화학기상 증착 방법 및 장치
JP5568212B2 (ja) * 2007-09-19 2014-08-06 株式会社日立国際電気 基板処理装置、そのコーティング方法、基板処理方法及び半導体デバイスの製造方法
US8298338B2 (en) * 2007-12-26 2012-10-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Chemical vapor deposition apparatus
KR100982987B1 (ko) * 2008-04-18 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 화학 기상 증착 장치
KR101004822B1 (ko) * 2008-04-18 2010-12-28 삼성엘이디 주식회사 화학 기상 증착 장치
US8540844B2 (en) * 2008-12-19 2013-09-24 Lam Research Corporation Plasma confinement structures in plasma processing systems
JP5136574B2 (ja) * 2009-05-01 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5424744B2 (ja) * 2009-07-01 2014-02-26 株式会社フェローテック 分割環状リブ型プラズマ処理装置
US8617347B2 (en) * 2009-08-06 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Vacuum processing chambers incorporating a moveable flow equalizer
JP5702968B2 (ja) * 2010-08-11 2015-04-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ制御方法
US9982346B2 (en) 2011-08-31 2018-05-29 Alta Devices, Inc. Movable liner assembly for a deposition zone in a CVD reactor
CN109478494B (zh) * 2016-06-03 2023-07-18 应用材料公司 扩散腔室内部的气流的设计
JP6804280B2 (ja) * 2016-12-07 2020-12-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6039832A (ja) * 1983-08-12 1985-03-01 Fujitsu Ltd プラズマ処理装置
JPS60110123A (ja) * 1983-11-18 1985-06-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体エッチング方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2569816B2 (ja) * 1989-08-05 1997-01-08 富士電機株式会社 ドライエッチング装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6039832A (ja) * 1983-08-12 1985-03-01 Fujitsu Ltd プラズマ処理装置
JPS60110123A (ja) * 1983-11-18 1985-06-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体エッチング方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112216586A (zh) * 2019-07-12 2021-01-12 中微半导体设备(上海)股份有限公司 实现均匀排气的双工位处理器及等离子体处理设备
CN112216586B (zh) * 2019-07-12 2023-03-10 中微半导体设备(上海)股份有限公司 实现均匀排气的双工位处理器及等离子体处理设备

Also Published As

Publication number Publication date
JP2748886B2 (ja) 1998-05-13
US5647912A (en) 1997-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2748886B2 (ja) プラズマ処理装置
KR100498584B1 (ko) 플라즈마처리장치및플라즈마처리방법
US5851600A (en) Plasma process method and apparatus
JP4956080B2 (ja) プラズマエッチング装置
JP2001127045A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JPH06283470A (ja) プラズマ処理装置
US6380684B1 (en) Plasma generating apparatus and semiconductor manufacturing method
JP2570090B2 (ja) ドライエッチング装置
JP5819154B2 (ja) プラズマエッチング装置
JPH10270430A (ja) プラズマ処理装置
JPH09289193A (ja) プラズマ発生装置及びその方法、並びにプラズマ処理装置及びその方法
US5543688A (en) Plasma generation apparatus with interleaved electrodes and corresponding method
JP2004353066A (ja) プラズマ源およびプラズマ処理装置
JP2003068716A (ja) プラズマ処理装置および処理方法
JP2000073175A (ja) 表面処理装置
JPS60123032A (ja) プラズマ処理方法および装置
JP3164188B2 (ja) プラズマ処理装置
JPH06104098A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JP3940467B2 (ja) 反応性イオンエッチング装置及び方法
JPH06120169A (ja) プラズマ生成装置
JP2003017472A (ja) プラズマ処理方法及び装置
JP4576011B2 (ja) プラズマ処理装置
JP3363040B2 (ja) 高速原子線源
JP3034692B2 (ja) 真空反応装置および半導体基板の処理方法
JP2569816B2 (ja) ドライエッチング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19970909

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980120

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees