JPH08273955A - テレビ受像機の高圧トランス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フライバックパルスの過渡振動の振幅が高圧
巻線において格別に小さくなる、テレビ受像機の高圧ト
ランスを提供すること。 【解決手段】 高圧巻線の部分巻線の数をダイオードの
数より多くし、前記個別の部分巻線を異なる高調波に同
調させることによって解決される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は請求項１の上位概念
記載のテレビ受像機の高圧トランスに関する。

【０００２】

【従来の技術】このタイプの高圧トランスの場合、高圧
のための充電コンデンサは、高圧巻線におけるフライバ
ックパルスの比較的幅の狭いピークの間だけ再充電され
る。この幅の狭いパルスピークによって、高圧源の比較
的大きな内部抵抗が発生する。この内部抵抗を減少させ
るために次のような方法が公知である。すなわち、高圧
巻線の漏れインダクタンスを、効果的なキャパシタンス
と共に、正弦波半波の周波数の１つの所定の高調波に、
フライバック期間の間に同調させる。例えば、第５、第
９、第１３高調波などの奇数高調波に同調させる。この
同調によって、フライバックパルスのパルスピークの幅
が広くなり、充電コンデンサの充電時間がより長くな
り、これによって高圧源の内部抵抗が減少する。

【０００３】しかし、上記のようにフライバック発振の
所定の高調波に同調させる場合、内部抵抗の顕著な悪化
が、同調（第５高調波、第９高調波、第１３高調波、第
１７高調波など）からのずれによって発生する。このよ
うなずれは、巻線の値、ワイヤの直径の値、フライバッ
クコンデンサの値及びフライバック期間値の不可避な許
容偏差によって起こる。

【０００４】２つの異なる状態間の極端な移行の場合、
例えばチャネルを切り換える場合、ある周波数に同調さ
れた上記の回路は、突然発振してしまう。画像は、この
ような場合、数ミリ秒の間、視聴者には識別できない
が、真っ白になる。その時ビーム電流が３〜５ｍＡの規
模で流れる。一般的に設けられているビーム電流制御及
び制限は、この場合働かない。というのも、この制御回
路は、画像の白の面が損なわれないように、ほぼ１０〜
１５ｍｓの時定数を持たねばならないからである。この
ような高ビーム電流においては、高圧巻線の高圧整流器
のカットオフは、一般に非常に高い過渡振動を発生す
る。スイッチングトランジスタにおける１次巻線のフラ
イバックパルスのピークは、この場合１５０Ｖより高く
上昇することがある。この電圧上昇が、スイッチングト
ランジスタにおいて、かなり高いフライバックパルス
（１０００Ｖｐｐより大）に加わることによって、この
トランジスタは、危険な状態になる。従って、このよう
な障害となる過渡振動を抑えるために、以下のような方
法が公知である。すなわち、トランスの１次巻線に直列
に、いわゆるＲＬＣ共振回路を接続するのである。この
ＲＬＣ共振回路は、電流路に設けられたコイルとをこの
コイルに並列に接続されたコンデンサ及び抵抗の直列接
続とから構成される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、過渡
振動の振幅が、高圧巻線において格別に低減した、トラ
ンスを構成することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題は本発明の請求
項１の特徴部分記載の構成によって解決される。すなわ
ち、高圧巻線の部分巻線の数をダイオードの数より多く
し、前記個別の部分巻線を異なる高調波に同調させるこ
とによって解決される。

【０００７】

【発明の実施の形態】従来技術では、高圧巻線をせいぜ
い唯１つの高調波に同調させたが、本発明では、部分巻
線を異なる高調波に同調させることによって、共振回路
系の帯域幅は、帯域フィルタ特性を示して増大し、それ
によって減衰も増大し、Ｑは低下する。このように増大
された帯域幅においては、必要とする同調精度を相当低
下することができる。

【０００８】上記の解決方法によって、多くの利点が得
られる。異なる高調波に同調することは、高圧巻線にお
けるフライバックパルスの波形を変える。その結果、１
次巻線及びスイッチングトランジスタにおけるパルス
は、障害となる危険な電圧上昇大幅になくなる。このこ
とによって、上記のような電圧上昇によりスイッチング
トランジスタが危険にさらされることは、甚だしく減少
できる。その他に、高圧巻線において得られるフライバ
ックパルスの波形によって、高圧源の内部抵抗が減少す
ることができる。さらに、内部抵抗は、大幅に許容偏差
に依存しなくなる。これまで１次線路に設けられ、電圧
上昇の抑制に使用されてきた上記のＲＬＣ回路は、もは
や必要ない。また、高圧トランスの、隣接するユニッ
ト、例えば画像増幅器への障害となる影響を甚だしく減
少することができる。

【０００９】有利には、４つの部分巻線を４つの異なる
高調波に同調させる。例えば、フライバック発振周波数
の第７、第８.５、第９.５、及び第１１高調波に同調さ
せる。この同調により、とりわけ有利な経過を有するフ
ライバックパルスが発生することができる。

【００１０】高圧巻線の部分巻線は、有利にはチャンバ
形コイル支持体のチャンバに設けられる。それぞれ所望
の高調波への同調は、この場合チャンバ底部の磁心から
の距離によって、チャンバ相互の間隔によって、及び/
又はチャンバを部分巻線で充填する充填度によって行う
ことができる。このようなチャンバ形コイル支持体は、
その設計によって、それぞれ所望の同調を行う多くの方
法を提供する。この場合、チャンバ形コイル支持体の第
１のチャンバと第２のチャンバとの間隔、及び最後から
２番目のチャンバと最後のチャンバとの間隔を、その他
のチャンバ間の間隔よりもかなり小さくすることができ
る。このように間隔を小さくすることにより巻線間の巻
線キャパシタンスは小さくなり、それの相応して特に低
い高調波に同調させることが容易になる。例えば、コイ
ル支持体の端部の明らかに小さいチャンバ間の間隔は、
その他のチャンバの間隔のほぼ３０〜５０%の長さであ
る。有利には、第１の部分巻線と基準電位、例えばアー
スとの間、ならびに最後の部分巻線と高圧端子、例えば
受像管のアノードとの間には、ダイオードは設けられな
い。その結果、第１の部分巻線と最後の部分巻線は、概
してチャンバ形コイル支持体の中央領域の部分巻線よ
り、はるかに結合度は低い。このことによって、それぞ
れ所望の高調波に同調させるのは容易になる。

【００１１】

【実施例】本発明を次に図に基づいて説明する。

【００１２】図１は、線周波数のスイッチング電圧１に
よって制御されるスイッチングトランジスタ２ならびに
動作電圧ＵＢに接続された１次巻線Ｗ１を有する高圧ト
ランスＴｒ、そして高圧巻線を形成する部分巻線Ｗ２、
Ｗ３、Ｗ４、Ｗ５を示している。高圧巻線は、部分巻線
Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４、Ｗ５の間に高圧整流ダイオード３、
４、５を設けたダイオード分割方式により構成されてい
る。従って２次側は、それぞれ１つの部分巻線ではじま
り１つの部分巻線で終わっている。すなわち、それぞれ
部分巻線Ｗ２とアースとの間、巻線Ｗ５と高圧端子との
間にはダイオードが１つもない。従って、部分巻線Ｗ２
〜Ｗ５の数は４つであり、それらの間に設けられた３つ
のダイオード３、４、５の数よりも多い。この高圧巻線
は、高圧ＵＨを、実質的に受像管７のアノード導電膜に
よって形成される充電コンデンサ６に印加する。

【００１３】部分巻線Ｗ２はほぼ第７高調波に、部分巻
線Ｗ３は第８.５高調波に、部分巻線Ｗ４は第９.５高調
波に、部分巻線Ｗ５は第１１高調波に同調される。従っ
て、巻線Ｗ３とＷ４は共同で第９高調波同調を行う。

【００１４】このような回路においては、これまでは１
次巻線Ｗ１に直列接続した、いわゆるＲＬＣ回路が必要
であった。このＲＬＣ回路は、電流路に設けられたコイ
ル、そしてコンデンサ及び抵抗の直列接続をこのコイル
に並列に接続することから構成される。この回路は、内
部抵抗の低下及びトランジスタ２のコレクタにおける障
害となる電圧ピークの減衰のために使用される。しかし
ながら、本発明の同調により、この回路はもはや必要で
はない。

【００１５】図２及び図３に基づいて、２次巻線のフラ
イバックパルスのパルス波形に与える有利な効果を説明
する。

【００１６】図２は、公知の高圧トランスの高圧巻線Ｗ
２〜Ｗ５のフライバックパルスを示す。一見して、パル
スは比較的小さな振幅と幅、ならびに好ましくない凹み
１２をパルスピークに有していることがわかる。凹み１
２は、充電コンデンサの充電電流を中断し、その結果内
部抵抗を増加させうる。その他の不利な点は、１つの高
調波に同調させることにより、本来のパルスの端部にお
いて，前記の高調波の周波数を有する過渡振動Ｓが現れ
ることである。この過渡振動は、１次側においてパルス
電圧の上昇をトランジスタ２で引き起こし、トランジス
タ２を危険な状態に陥れる。

【００１７】図３は、本発明の高圧トランスにおいて、
その部分巻線を異なった高調波に同調した場合の高圧巻
線のフライバックパルスを示す。図３のパルスは、図２
のパルスに対して多くの利点を有している。まずフライ
バックパルスの振幅がより大きい。このフライバックパ
ルスの振幅は、得られる高圧の大きさにとって極めて重
要である。また、パルスピークにおける好ましくない凹
み１２′は、非常に小さい。この事は内部抵抗に対して
有利である。その他に、パルスピークの幅がより広くな
り、その結果充電コンデンサの充電時間が長くなり、従
って内部抵抗が低減される。もう１つの利点は、パルス
の終わりで、図２のような高い過渡振動が単一の周波数
において現れるのではなく、同調において有効な異なる
周波数の間の干渉によって、振幅が小さく、持続時間も
短い過渡振動が現れることである。

【００１８】図４は、原理的にチャンバ形コイル支持体
９を示した図である。高圧巻線の部分巻線Ｗは、チャン
バ形コイル支持体９のチャンバ８の中に設けられてい
る。所定の高調波へのそれぞれ所望の同調は、チャンバ
形コイル支持体９の様々な構造上のパラメータによって
行われる。このパラメータは、例えば、図示されている
ようなチャンバ８の部分巻線Ｗによる充填度の違い、チ
ャンバ壁の厚さの違いによる各チャンバ相互の間隔ａの
違い、そしてチャンバ底部の厚さｂの違い、言い換えれ
ば、それぞれの部分巻線Ｗのコイル支持体９を支持して
いる磁心からのチャンバ底部の距離の大きさｂの違い、
である。例えば距離ｂを大きくすることによって、所定
の同調を行うための結合度は小さくなる。

【００１９】図５は、チャンバ形コイル支持体９の別の
実施例である。第１のチャンバ８ａと第２のチャンバ８
ｂの間隔ｃ、ならびに最後から２番目のチャンバ８ｃと
最後のチャンバ８ｄの間隔ｃは、チャンバ形コイル支持
体９の中央領域のチャンバ間の間隔ａよりもはるかに小
さい。このような構造によって、所望の高調波にそれぞ
れ所望の同調を行うことができる。例えば、第１のチャ
ンバ８ａと第２のチャンバ８ｂとの間の、ならびに最後
から２番目のチャンバ８ｃと最後のチャンバ８ｄとの間
の大きな結合キャパシタンスは、小さい間隔ｃによっ
て、特に低い高調波に同調させることを可能にする。間
隔ｃは、間隔ａのほぼ３０〜５０%の長さである。

【００２０】図６は、１次巻線Ｗ１の、つまりトランジ
スタ２のコレクタにおけるフライバックパルスＵＰを示
す。曲線１０は、ビーム電流＝０の時のフライバックパ
ルスであり、曲線１１は、ビーム電流＝１.５ｍＡの時
のフライバックパルスである。本発明により高圧巻線の
部分巻線を異なる高調波に同調しない場合、図示された
電圧上昇ΔＵＰは１５０Ｖとなり、この電圧上昇はトラ
ンジスタ２にとって危険である。この電圧上昇は、これ
まではいわゆるＲＬＣ回路によって抑えられた。図３の
パルスの波形を有する本発明の同調によって、この電圧
上昇ΔＵＰは非常に低下し、その結果いわゆるＲＬＣ回
路は省略できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】高圧発生のために接続された部品を有する高圧
トランスの等価回路図

【図２】公知の高圧トランスにおける高圧巻線のフライ
バックパルス波形図

【図３】本発明により構成された高圧トランスの高圧巻
線のフライバックパルス波形図

【図４】個々の部分巻線のためのチャンバ形コイル支持
体の実施例の一部の断面図

【図５】チャンバ形コイル支持体の別の実施例の一部断
面図

【図６】１次巻線、ないしはスイッチングトランジスタ
におけるパルス波形図

【符号の説明】

１ スイッチング電圧 ２ スイッチングトランジスタ ３ ダイオード ４ ダイオード ５ ダイオード ６ 充電コンデンサ ７ 受像管 ８ チャンバ ９ チャンバ形コイル支持体 １０ 曲線（ビーム電流＝０） １１ 曲線（ビーム電流＝１.５ｍＡ ） １２ 凹み １２′ 凹み

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴァルター ゴーゼベルク ドイツ連邦共和国 ハノーヴァー コペン ハーゲナー シュトラーセ 81

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 テレビ受像機の高圧トランスであって、
   複数のダイオード（３〜５）によって隔てられている複
   数の部分巻線（Ｗ２〜Ｗ５）を有する高圧巻線（Ｗ）を
   有し、前記部分巻線（Ｗ２〜Ｗ５）をフライバック発振
   周波数の所定の高調波に同調させる、テレビ受像機の高
   圧トランスにおいて、 部分巻線（Ｗ２〜Ｗ５）の数は、ダイオード（３〜５）
   の数より多くし、前記個別の部分巻線（Ｗ２〜Ｗ５）
   を、異なる高調波に同調させることを特徴とするテレビ
   受像機の高圧トランス。
2. 【請求項２】 ４つの部分巻線（Ｗ２〜Ｗ５）を、４つ
   の異なる高調波に同調させる、請求項１記載の高圧トラ
   ンス。
3. 【請求項３】 部分巻線（Ｗ２〜Ｗ５）を、第７、第
   ８.５、第９.５及び第１１高調波に同調させる、請求項
   ２記載の高圧トランス。
4. 【請求項４】 ４つの部分巻線(Ｗ２〜Ｗ５)は、チャン
   バ形コイル支持体（９）のチャンバ（８）の中に設けら
   れている、請求項１記載の高圧トランス。
5. 【請求項５】 それぞれ所望の高調波への同調は、チャ
   ンバ底部の磁心からの距離（b）によって、チャンバ
   （８）相互の間隔（a）によって、及び/又はチャンバ
   （８）を部分巻線（Ｗ）で充填する充填度によって行わ
   れる、請求項４記載の高圧トランス。
6. 【請求項６】 それぞれコイル支持体（９）の第１のチ
   ャンバ（８a）と第２のチャンバ（８b）との間隔
   （c）、及び最後から２番目のチャンバ（８c）と最後の
   チャンバ（８d）との間隔（c）は、その他のチャンバ間
   の間隔（a）よりも小さい、請求項４記載の高圧トラン
   ス。
7. 【請求項７】 チャンバ間の小さな間隔（c）は、その
   他のチャンバ間の間隔（a）のほぼ３０〜５０%の大きさ
   である、請求項６記載の高圧トランス。
8. 【請求項８】 それぞれ第１の部分巻線（Ｗ２）と基準
   電位との間、及び最後の部分巻線（Ｗ５）と高圧端子と
   の間には、ダイオードは設けられていない、請求項１記
   載の高圧トランス。