JPH08269713A - 基板処理装置及びそのガス流量制御方法 - Google Patents
基板処理装置及びそのガス流量制御方法Info
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- JPH08269713A JPH08269713A JP9607695A JP9607695A JPH08269713A JP H08269713 A JPH08269713 A JP H08269713A JP 9607695 A JP9607695 A JP 9607695A JP 9607695 A JP9607695 A JP 9607695A JP H08269713 A JPH08269713 A JP H08269713A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 排気能力を格別大きくすることなく、微量ガ
スの精密な流量比制御を可能とした基板処理装置とその
流量制御方法を提供する。 【構成】 排気系１２につながるチャンバ１１内にＡｒ
ガスと微量のＮ2 ガスを導入して反応性スパッタを行う
装置において、Ａｒガスの供給量を制御する第１のバル
ブ１８と、Ｎ2 ガスの供給量を制御する第２のバルブ１
９と、これらのバルブの出力側でＡｒガスとＮ2 ガスを
混合する混合配管２０と、希釈混合されたガスを流量調
整してチャンバ１１に供給する第１の流量計２１と、Ａ
ｒガスを流量調整してチャンバ１１に供給する第２の流
量計２４と備えて、Ｎ2 ガスの精密な流量比制御を可能
とした。
スの精密な流量比制御を可能とした基板処理装置とその
流量制御方法を提供する。 【構成】 排気系１２につながるチャンバ１１内にＡｒ
ガスと微量のＮ2 ガスを導入して反応性スパッタを行う
装置において、Ａｒガスの供給量を制御する第１のバル
ブ１８と、Ｎ2 ガスの供給量を制御する第２のバルブ１
９と、これらのバルブの出力側でＡｒガスとＮ2 ガスを
混合する混合配管２０と、希釈混合されたガスを流量調
整してチャンバ１１に供給する第１の流量計２１と、Ａ
ｒガスを流量調整してチャンバ１１に供給する第２の流
量計２４と備えて、Ｎ2 ガスの精密な流量比制御を可能
とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、排気系につながるチ
ャンバ内に、少なくとも第１のガスとこれより微量の第
２のガスとを所定流量比で導入して基板に膜形成等を行
う基板処理装置とそのガス流量制御方法に関する。
ャンバ内に、少なくとも第１のガスとこれより微量の第
２のガスとを所定流量比で導入して基板に膜形成等を行
う基板処理装置とそのガス流量制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｔａ膜のスパッタ蒸着には通常、スパッ
タガスとしてＡｒを用い、反応性ガスとして微量のＮ2
ガスを供給してＴａターゲットのスパッタリングを行
う。図２は、その様な反応性スパッタ装置の概略構成を
示す。排気系１につながるチャンバ２が成膜室であり、
内部圧力を測定するために真空計３が取り付けられてい
る。Ａｒガス源４とＮ2 ガス源５からのＡｒガス，Ｎ2
ガスはそれぞれ、減圧弁６，７を介し、流量計８，９を
介してチャンバ２に供給される。ＡｒガスとＮ2 ガスの
流量比は、流量計８，９で調整される。
タガスとしてＡｒを用い、反応性ガスとして微量のＮ2
ガスを供給してＴａターゲットのスパッタリングを行
う。図２は、その様な反応性スパッタ装置の概略構成を
示す。排気系１につながるチャンバ２が成膜室であり、
内部圧力を測定するために真空計３が取り付けられてい
る。Ａｒガス源４とＮ2 ガス源５からのＡｒガス，Ｎ2
ガスはそれぞれ、減圧弁６，７を介し、流量計８，９を
介してチャンバ２に供給される。ＡｒガスとＮ2 ガスの
流量比は、流量計８，９で調整される。
【０００３】Ｔａの反応性スパッタにおいて所望の膜質
を得るためには、反応性ガスであるＮ2 ガス流量比を小
さい値で精密に制御することが必要になる。Ｎ2 流量比
＝Ｎ2 流量／（Ａｒ流量＋Ｎ2 流量）であるから、これ
を例えば、１％に制御するためには、トータル流量（Ａ
ｒ流量＋Ｎ2 流量）＝２０［ＳＣＣＭ］とすると、Ｎ2
流量は０．１［ＳＣＣＭ］以下という小さい流量とな
る。しかしこの様な小さい流量の制御は通常の流量計で
は不可能である。
を得るためには、反応性ガスであるＮ2 ガス流量比を小
さい値で精密に制御することが必要になる。Ｎ2 流量比
＝Ｎ2 流量／（Ａｒ流量＋Ｎ2 流量）であるから、これ
を例えば、１％に制御するためには、トータル流量（Ａ
ｒ流量＋Ｎ2 流量）＝２０［ＳＣＣＭ］とすると、Ｎ2
流量は０．１［ＳＣＣＭ］以下という小さい流量とな
る。しかしこの様な小さい流量の制御は通常の流量計で
は不可能である。
【０００４】そこで上述のような微量の反応性ガスの流
量制御を行う方法として、第１に、排気系の排気能力を
大きくしてトータル流量を大きくすることが考えられ
る。排気ポンプの能力とトータル流量の関係は、チャン
バ内圧力をＰ、トータル流量をＱ、ポンプ排気速度を
Ｓ、ポンプ到達圧力をＰ０として、 Ｐ＝Ｑ／Ｓ＋Ｐ０ で表される。チャンバ内圧力Ｐはスパッタ条件としてあ
る値に固定されるから、トータル流量Ｑを増すにはポン
プ能力をあげればよい。トータル流量を上げれば、Ｎ2
流量もそれだけ大きくできるから、流量計での制御が容
易になる。
量制御を行う方法として、第１に、排気系の排気能力を
大きくしてトータル流量を大きくすることが考えられ
る。排気ポンプの能力とトータル流量の関係は、チャン
バ内圧力をＰ、トータル流量をＱ、ポンプ排気速度を
Ｓ、ポンプ到達圧力をＰ０として、 Ｐ＝Ｑ／Ｓ＋Ｐ０ で表される。チャンバ内圧力Ｐはスパッタ条件としてあ
る値に固定されるから、トータル流量Ｑを増すにはポン
プ能力をあげればよい。トータル流量を上げれば、Ｎ2
流量もそれだけ大きくできるから、流量計での制御が容
易になる。
【０００５】第２の方法は、予め所定割合に希釈混合し
たＡｒ＋Ｎ2 ガスを用いることである。この方法によれ
ば、希釈混合されたガスの流量制御を行うだけでよく、
排気能力を大きくしてトータル流量を大きくしなくて
も、結果的に微量のＮ2 ガスの流量制御が可能となる。
たＡｒ＋Ｎ2 ガスを用いることである。この方法によれ
ば、希釈混合されたガスの流量制御を行うだけでよく、
排気能力を大きくしてトータル流量を大きくしなくて
も、結果的に微量のＮ2 ガスの流量制御が可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、装置の排気系
の能力を上げること、即ち排気速度Ｓをより大きくし、
到達圧力Ｐ０をより小さくすることには限度がある。こ
れは技術的に難しいだけでなく、実現できるとしても装
置が高価になる。また、予め希釈混合したガスを用いる
方法は、希釈比が固定されてしまい、任意の希釈比に設
定することができない。同様の問題は、反応性スパッタ
に限らず、同様に二種以上のガスの精密流量制御を必要
とするエッチング装置等の他の基板処理装置にもある。
の能力を上げること、即ち排気速度Ｓをより大きくし、
到達圧力Ｐ０をより小さくすることには限度がある。こ
れは技術的に難しいだけでなく、実現できるとしても装
置が高価になる。また、予め希釈混合したガスを用いる
方法は、希釈比が固定されてしまい、任意の希釈比に設
定することができない。同様の問題は、反応性スパッタ
に限らず、同様に二種以上のガスの精密流量制御を必要
とするエッチング装置等の他の基板処理装置にもある。
【０００７】この発明は上記事情を考慮してなされたも
ので、排気能力を格別大きくすることなく、微量ガスの
精密な流量比制御を可能とした基板処理装置とその流量
制御方法を提供することを目的としている。
ので、排気能力を格別大きくすることなく、微量ガスの
精密な流量比制御を可能とした基板処理装置とその流量
制御方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、排気系につ
ながるチャンバ内に、少なくとも第１のガスとこれより
微量の第２のガスとを所定流量比で導入して基板処理を
行う基板処理装置において、第１のガスの前記チャンバ
への供給量を制御する第１のバルブと、第２のガスの前
記チャンバへの供給量を制御する第２のバルブと、これ
ら第１，第２のバルブの出力側で第１，第２のガスを直
接混合する混合手段と、この混合手段で希釈混合された
ガスを流量調整して前記チャンバに供給する第１の流量
調整手段と、第１のガスを流量調整して前記チャンバに
供給する第２の流量調整手段とを備えたことを特徴とし
ている。
ながるチャンバ内に、少なくとも第１のガスとこれより
微量の第２のガスとを所定流量比で導入して基板処理を
行う基板処理装置において、第１のガスの前記チャンバ
への供給量を制御する第１のバルブと、第２のガスの前
記チャンバへの供給量を制御する第２のバルブと、これ
ら第１，第２のバルブの出力側で第１，第２のガスを直
接混合する混合手段と、この混合手段で希釈混合された
ガスを流量調整して前記チャンバに供給する第１の流量
調整手段と、第１のガスを流量調整して前記チャンバに
供給する第２の流量調整手段とを備えたことを特徴とし
ている。
【０００９】この発明はまた、排気系につながるチャン
バ内に、少なくとも第１のガスとこれより微量の第２の
ガスとを所定流量比で導入して基板処理を行う基板処理
装置のガス流量制御方法であって、前記基板処理装置
は、第１のガスの前記チャンバへの供給量を制御する第
１のバルブと、第２のガスの前記チャンバへの供給量を
制御する第２のバルブと、これら第１，第２のバルブの
出力側で第１，第２のガスを直接混合する混合手段と、
この混合手段で希釈混合されたガスを流量調整して前記
チャンバに供給する第１の流量調整手段と、第１のガス
を流量調整して前記チャンバに供給する第２の流量調整
手段とを備え、前記第１のバルブがオフの状態で、前記
第２のバルブを徐々に開けて前記第２のガスの流量を前
記チャンバ内が所定ガス圧になるように設定し、次いで
第１のバルブを徐々に開けて第１のガスを前記混合手段
で第２のガスと混合してその混合ガスの流量を前記チャ
ンバ内が所定の希釈圧力になるように設定した後、希釈
比が設定された混合ガスと前記第１のガスをそれぞれ第
１の流量調整手段と第２の流量調整手段により所定流量
比に設定して供給することを特徴としている。
バ内に、少なくとも第１のガスとこれより微量の第２の
ガスとを所定流量比で導入して基板処理を行う基板処理
装置のガス流量制御方法であって、前記基板処理装置
は、第１のガスの前記チャンバへの供給量を制御する第
１のバルブと、第２のガスの前記チャンバへの供給量を
制御する第２のバルブと、これら第１，第２のバルブの
出力側で第１，第２のガスを直接混合する混合手段と、
この混合手段で希釈混合されたガスを流量調整して前記
チャンバに供給する第１の流量調整手段と、第１のガス
を流量調整して前記チャンバに供給する第２の流量調整
手段とを備え、前記第１のバルブがオフの状態で、前記
第２のバルブを徐々に開けて前記第２のガスの流量を前
記チャンバ内が所定ガス圧になるように設定し、次いで
第１のバルブを徐々に開けて第１のガスを前記混合手段
で第２のガスと混合してその混合ガスの流量を前記チャ
ンバ内が所定の希釈圧力になるように設定した後、希釈
比が設定された混合ガスと前記第１のガスをそれぞれ第
１の流量調整手段と第２の流量調整手段により所定流量
比に設定して供給することを特徴としている。
【００１０】
【作用】この発明による装置では、第２のガスを第１の
ガスで混合希釈して、第１の流量調整手段を介してチャ
ンバに供給するガス供給経路と、第１のガスのみを第２
の流量調整手段を介してチャンバに供給するガス供給経
路とが設けられる。この様な装置構成として、チャンバ
内圧力を真空計で監視しながら、先ず第２のガスのみを
徐々にチャンバ内が所定ガス圧になるように供給量を設
定し、次いで第１のガスを徐々に混合して供給してチャ
ンバ内が所定の希釈圧力になるように、混合ガスの供給
量を設定する。この方法で第１のガスによる第２のガス
の希釈比を例えば５％程度に設定することができる。そ
して、この様に希釈比が設定された混合ガスと第１のガ
スとを流量調整手段により所定流量比に設定してチャン
バに供給すれば、チャンバ内での最終的な希釈比を１％
あるいはそれ以下に設定することができる。この発明に
装置及び流量制御方法によれば、排気能力を格別大きく
してトータル流量を大きくしなくても、微量ガスの精密
な流量比制御ができる。また希釈比固定の混合ガスを用
いる方法と異なり、最終的なガス希釈比も任意に設定す
ることができる。
ガスで混合希釈して、第１の流量調整手段を介してチャ
ンバに供給するガス供給経路と、第１のガスのみを第２
の流量調整手段を介してチャンバに供給するガス供給経
路とが設けられる。この様な装置構成として、チャンバ
内圧力を真空計で監視しながら、先ず第２のガスのみを
徐々にチャンバ内が所定ガス圧になるように供給量を設
定し、次いで第１のガスを徐々に混合して供給してチャ
ンバ内が所定の希釈圧力になるように、混合ガスの供給
量を設定する。この方法で第１のガスによる第２のガス
の希釈比を例えば５％程度に設定することができる。そ
して、この様に希釈比が設定された混合ガスと第１のガ
スとを流量調整手段により所定流量比に設定してチャン
バに供給すれば、チャンバ内での最終的な希釈比を１％
あるいはそれ以下に設定することができる。この発明に
装置及び流量制御方法によれば、排気能力を格別大きく
してトータル流量を大きくしなくても、微量ガスの精密
な流量比制御ができる。また希釈比固定の混合ガスを用
いる方法と異なり、最終的なガス希釈比も任意に設定す
ることができる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の実施例を
説明する。図１は、この発明の一実施例に係る反応性ス
パッタ装置の構成である。チャンバ１１は、内部に基板
とターゲットが配置されて成膜が行われる成膜室であ
り、排気系１２に接続されている。チャンバ１１には真
空計１３が取り付けられている。ガス源として、スパッ
タガス（第１のガス）であるＡｒガスを入れたガスボン
ベ１４と、反応性ガス（第２のガス）であるＮ 2ガスを
入れたガスボンベ１５が用意されている。
説明する。図１は、この発明の一実施例に係る反応性ス
パッタ装置の構成である。チャンバ１１は、内部に基板
とターゲットが配置されて成膜が行われる成膜室であ
り、排気系１２に接続されている。チャンバ１１には真
空計１３が取り付けられている。ガス源として、スパッ
タガス（第１のガス）であるＡｒガスを入れたガスボン
ベ１４と、反応性ガス（第２のガス）であるＮ 2ガスを
入れたガスボンベ１５が用意されている。
【００１２】ガスボンベ１４，１５からのＡｒガスとＮ
2 ガスはそれぞれ、減圧弁１６，１７を介し、バリアブ
ルリークバルブ（又はニードルバルブ）１８，１９を介
して取り出されるが、それらの出力部には二つのガスを
直接混合する混合配管２０が設けられている。この混合
配管２０で希釈混合されたガスは、微流量調整可能な第
１の流量計２１を介してチャンバ１１に供給されるよう
になっている。これが第１のガス供給経路である。なお
流量計２１は開閉可能なバイパスライン２２を有する。
2 ガスはそれぞれ、減圧弁１６，１７を介し、バリアブ
ルリークバルブ（又はニードルバルブ）１８，１９を介
して取り出されるが、それらの出力部には二つのガスを
直接混合する混合配管２０が設けられている。この混合
配管２０で希釈混合されたガスは、微流量調整可能な第
１の流量計２１を介してチャンバ１１に供給されるよう
になっている。これが第１のガス供給経路である。なお
流量計２１は開閉可能なバイパスライン２２を有する。
【００１３】第１のガス供給経路と別に、ガスボンベ１
４のＡｒガス単独の第２のガス供給経路が設けられてい
る。即ちＡｒガスは、減圧弁２３を介し、やはり微流量
調整可能な第２の流量計２４を介して、単独でもチャン
バ１１内に供給できるようになっている。第２の流量計
２４も開閉可能なバイパスライン２５を有する。
４のＡｒガス単独の第２のガス供給経路が設けられてい
る。即ちＡｒガスは、減圧弁２３を介し、やはり微流量
調整可能な第２の流量計２４を介して、単独でもチャン
バ１１内に供給できるようになっている。第２の流量計
２４も開閉可能なバイパスライン２５を有する。
【００１４】この様な装置を用いて、具体的にＴａ膜の
反応性スパッタを行う際のＡｒガスとＮ2 ガスの流量制
御は次のように行う。先ず減圧弁２３がオフの状態で、
減圧弁１６，１７を任意圧力に設定し、第１の流量計２
１のバイパスライン２２を開ける。そして、第１のバル
ブ１８は閉じた状態で、第２のバルブ１９を徐々に開
き、Ｎ2 ガスのみをチャンバ１１内に供給する。このと
き、真空計１３でチャンバ１１内圧力を監視しながら、
所定圧力になるように第２のバルブ１９を調整して、Ｎ
2 ガス供給量を設定する。
反応性スパッタを行う際のＡｒガスとＮ2 ガスの流量制
御は次のように行う。先ず減圧弁２３がオフの状態で、
減圧弁１６，１７を任意圧力に設定し、第１の流量計２
１のバイパスライン２２を開ける。そして、第１のバル
ブ１８は閉じた状態で、第２のバルブ１９を徐々に開
き、Ｎ2 ガスのみをチャンバ１１内に供給する。このと
き、真空計１３でチャンバ１１内圧力を監視しながら、
所定圧力になるように第２のバルブ１９を調整して、Ｎ
2 ガス供給量を設定する。
【００１５】チャンバ１１内のガス圧が所定値になった
ら、次に第１のバルブ１８を徐々に開き、真空計１３で
チャンバ１１内圧力を監視しながら、チャンバ１１内が
所定の希釈圧力になるまでＡｒガスを供給する。希釈比
＝Ｎ2 圧力／（Ａｒ圧力＋Ｎ2 圧力＋背圧）であるか
ら、例えば希釈比５％とするには、先に設定したＮ2 圧
力の２０倍になるまで、Ａｒガスを導入すればよい。そ
して第１の流量計２１のバイパスライン２２を閉じる。
これにより、混合配管２０では、一定比率の混合希釈ガ
スが得られることになる。
ら、次に第１のバルブ１８を徐々に開き、真空計１３で
チャンバ１１内圧力を監視しながら、チャンバ１１内が
所定の希釈圧力になるまでＡｒガスを供給する。希釈比
＝Ｎ2 圧力／（Ａｒ圧力＋Ｎ2 圧力＋背圧）であるか
ら、例えば希釈比５％とするには、先に設定したＮ2 圧
力の２０倍になるまで、Ａｒガスを導入すればよい。そ
して第１の流量計２１のバイパスライン２２を閉じる。
これにより、混合配管２０では、一定比率の混合希釈ガ
スが得られることになる。
【００１６】次に減圧弁２３を所定の圧力に設定して、
Ａｒガスを第２の流量計２４を介してチャンバ１１に供
給する。このとき、第１の流量計２１と第２の流量計２
４で、それぞれＡｒ＋Ｎ2 希釈混合ガスと、Ａｒガスの
流量比を最適設定する。例えば、希釈比５％のＡｒ＋Ｎ
2 混合ガス流量を１［ＳＣＣＭ］、Ａｒガス流量を１９
［ＳＣＣＭ］、トータル２０［ＳＣＣＭ］と設定する。
これにより、最終的にＮ2 ガス流量比は、下記式１のよ
うになる。
Ａｒガスを第２の流量計２４を介してチャンバ１１に供
給する。このとき、第１の流量計２１と第２の流量計２
４で、それぞれＡｒ＋Ｎ2 希釈混合ガスと、Ａｒガスの
流量比を最適設定する。例えば、希釈比５％のＡｒ＋Ｎ
2 混合ガス流量を１［ＳＣＣＭ］、Ａｒガス流量を１９
［ＳＣＣＭ］、トータル２０［ＳＣＣＭ］と設定する。
これにより、最終的にＮ2 ガス流量比は、下記式１のよ
うになる。
【００１７】
【数１】 Ｎ2 流量比＝Ｎ2 希釈比／｛Ａｒ＋（Ａｒ＋Ｎ2 ）｝ ＝５％／（１９＋１） ＝０．２５％
【００１８】以上のようにこの実施例によると、装置の
排気能力を格別大きくすることなく、Ｎ2 流量比を、Ｎ
2 流量とＡｒ流量をそれぞれ別個に制御する従来法では
困難な微小な値に精密設定して、反応性スパッタを行う
ことができる。また、混合希釈ボンベを用意する必要も
なく、反応性ガスＮ2 の希釈比を任意に設定することが
できる。
排気能力を格別大きくすることなく、Ｎ2 流量比を、Ｎ
2 流量とＡｒ流量をそれぞれ別個に制御する従来法では
困難な微小な値に精密設定して、反応性スパッタを行う
ことができる。また、混合希釈ボンベを用意する必要も
なく、反応性ガスＮ2 の希釈比を任意に設定することが
できる。
【００１９】この発明は上記実施例に限られない。例え
ば実施例では、Ａｒ＋Ｎ2 ガスとＡｒガスをそれぞれ第
１，第２の流量計２１，２４で流量調整したが、これら
の流量調整手段として、微流量調整可能なバルブ等を用
いることも可能である。また実施例では反応性スパッタ
装置を説明したが、同様の流量制御が必要な少なくとも
二種のガスを用いる各種成膜装置やエッチング装置等に
この発明を適用することができる。
ば実施例では、Ａｒ＋Ｎ2 ガスとＡｒガスをそれぞれ第
１，第２の流量計２１，２４で流量調整したが、これら
の流量調整手段として、微流量調整可能なバルブ等を用
いることも可能である。また実施例では反応性スパッタ
装置を説明したが、同様の流量制御が必要な少なくとも
二種のガスを用いる各種成膜装置やエッチング装置等に
この発明を適用することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、排
気系につながるチャンバ内に第１のガスとこれより微量
の第２のガスとを所定流量比で導入する基板処理装置に
おいて、第２のガスを第１のガスで混合希釈してチャン
バに供給する経路と、第１のガスをチャンバに供給する
経路とを設けて、混合希釈比の設定と各経路の流量調整
を行うことにより、装置の排気能力を格別大きくするこ
となく、微量ガスの精密な流量比制御を行うことが可能
になる。
気系につながるチャンバ内に第１のガスとこれより微量
の第２のガスとを所定流量比で導入する基板処理装置に
おいて、第２のガスを第１のガスで混合希釈してチャン
バに供給する経路と、第１のガスをチャンバに供給する
経路とを設けて、混合希釈比の設定と各経路の流量調整
を行うことにより、装置の排気能力を格別大きくするこ
となく、微量ガスの精密な流量比制御を行うことが可能
になる。
【図１】 この発明の実施例による反応性スパッタ装置
の構成を示す。
の構成を示す。
【図２】 従来の反応性スパッタ装置の構成を示す。
１１…チャンバ、１２…排気系、１３…真空計、１４…
Ａｒガスボンベ（第１のガス）、１５…Ｎ2 ガスボンベ
（第２のガス）、１６，１７，２３…減圧弁、１８…第
１のバルブ、１９…第２のバルブ、２０…混合配管、２
１…第１の流量計、２４…第２の流量計、２２，２５…
バイパスライン。
Ａｒガスボンベ（第１のガス）、１５…Ｎ2 ガスボンベ
（第２のガス）、１６，１７，２３…減圧弁、１８…第
１のバルブ、１９…第２のバルブ、２０…混合配管、２
１…第１の流量計、２４…第２の流量計、２２，２５…
バイパスライン。
Claims (2)
- 【請求項１】 排気系につながるチャンバ内に、少なく
とも第１のガスとこれより微量の第２のガスとを所定流
量比で導入して基板処理を行う基板処理装置において、 第１のガスの前記チャンバへの供給量を制御する第１の
バルブと、 第２のガスの前記チャンバへの供給量を制御する第２の
バルブと、 これら第１，第２のバルブの出力側で第１，第２のガス
を直接混合する混合手段と、 この混合手段で希釈混合されたガスを流量調整して前記
チャンバに供給する第１の流量調整手段と、 第１のガスを流量調整して前記チャンバに供給する第２
の流量調整手段とを備えたことを特徴とする基板処理装
置。 - 【請求項２】 排気系につながるチャンバ内に、少なく
とも第１のガスとこれより微量の第２のガスとを所定流
量比で導入して基板処理を行う基板処理装置のガス流量
制御方法であって、 前記基板処理装置は、第１のガスの前記チャンバへの供
給量を制御する第１のバルブと、第２のガスの前記チャ
ンバへの供給量を制御する第２のバルブと、これら第
１，第２のバルブの出力側で第１，第２のガスを直接混
合する混合手段と、この混合手段で希釈混合されたガス
を流量調整して前記チャンバに供給する第１の流量調整
手段と、第１のガスを流量調整して前記チャンバに供給
する第２の流量調整手段とを備え、 前記第１のバルブがオフの状態で、前記第２のバルブを
徐々に開けて前記第２のガスの流量を前記チャンバ内が
所定ガス圧になるように設定し、 次いで第１のバルブを徐々に開けて第１のガスを前記混
合手段で第２のガスと混合してその混合ガスの流量を前
記チャンバ内が所定の希釈圧力になるように設定した
後、 希釈比が設定された混合ガスと前記第１のガスをそれぞ
れ第１の流量調整手段と第２の流量調整手段により所定
流量比に設定して供給することを特徴とする基板処理装
置のガス流量制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9607695A JPH08269713A (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 基板処理装置及びそのガス流量制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9607695A JPH08269713A (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 基板処理装置及びそのガス流量制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08269713A true JPH08269713A (ja) | 1996-10-15 |
Family
ID=14155317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9607695A Pending JPH08269713A (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 基板処理装置及びそのガス流量制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08269713A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1028855A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-02-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ガス供給装置及び気相成長用設備 |
-
1995
- 1995-03-29 JP JP9607695A patent/JPH08269713A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1028855A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-02-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ガス供給装置及び気相成長用設備 |
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