JPH08264407A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH08264407A JPH08264407A JP7060342A JP6034295A JPH08264407A JP H08264407 A JPH08264407 A JP H08264407A JP 7060342 A JP7060342 A JP 7060342A JP 6034295 A JP6034295 A JP 6034295A JP H08264407 A JPH08264407 A JP H08264407A
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- resist
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- forming
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 線幅及び形状が配置状態の疎密に依存しない
パターン形成方法を提供する。 【構成】 各レジストパターンが形成されるパターン形
成部分を覆いかつ第２領域１１ｂよりもレジストパター
ンの配置状態が疎である第１領域１１ａにおける当該各
パターン形成部分間に開口部１３ｂを有するレジスト接
着剤パターン１３ａを、基板１１上に形成する。レジス
ト接着剤パターン１３ａを覆う状態で基板１１上にレジ
スト膜１４を成膜する。レジスト接着剤パターン１３ａ
上にレジストパターンが形成されると共に開口部１３ｂ
にダミーパターンが形成される状態でレジスト膜１４に
対してパターン露光を行う。レジスト膜１４の現像処理
を行うことによってレジスト膜１４からなるレジストパ
ターン１４ａ及びダミーパターン１４ｂを現像形成する
共に、基板１１上からダミーパターン１４ｂを剥離す
る。
パターン形成方法を提供する。 【構成】 各レジストパターンが形成されるパターン形
成部分を覆いかつ第２領域１１ｂよりもレジストパター
ンの配置状態が疎である第１領域１１ａにおける当該各
パターン形成部分間に開口部１３ｂを有するレジスト接
着剤パターン１３ａを、基板１１上に形成する。レジス
ト接着剤パターン１３ａを覆う状態で基板１１上にレジ
スト膜１４を成膜する。レジスト接着剤パターン１３ａ
上にレジストパターンが形成されると共に開口部１３ｂ
にダミーパターンが形成される状態でレジスト膜１４に
対してパターン露光を行う。レジスト膜１４の現像処理
を行うことによってレジスト膜１４からなるレジストパ
ターン１４ａ及びダミーパターン１４ｂを現像形成する
共に、基板１１上からダミーパターン１４ｂを剥離す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パターン形成方法に関
し、特には半導体装置の製造工程において、基板上にレ
ジストパターンを形成する方法及び基板上にレジストパ
ターンを形成しこれをマスクにしたエッチングで上記基
板上に被エッチング材料からなるパターンを形成する方
法に関する。
し、特には半導体装置の製造工程において、基板上にレ
ジストパターンを形成する方法及び基板上にレジストパ
ターンを形成しこれをマスクにしたエッチングで上記基
板上に被エッチング材料からなるパターンを形成する方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程で基板上にレジス
トパターンを形成する場合には、先ず例えば基板上の全
面にレジスト接着剤を塗布し、この上面にレジスト膜を
成膜する。次いで、上記レジスト膜に対してパターン露
光を行った後当該レジスト膜の現像処理を行い、これに
よって基板上にレジスト接着剤を介してレジストパター
ンを形成する。そして、上記レジストパターンをマスク
にして、基板表面の被エッチング材料層をエッチングす
ることによって、基板表面に被エッチング材料からなる
パターンを形成する。
トパターンを形成する場合には、先ず例えば基板上の全
面にレジスト接着剤を塗布し、この上面にレジスト膜を
成膜する。次いで、上記レジスト膜に対してパターン露
光を行った後当該レジスト膜の現像処理を行い、これに
よって基板上にレジスト接着剤を介してレジストパター
ンを形成する。そして、上記レジストパターンをマスク
にして、基板表面の被エッチング材料層をエッチングす
ることによって、基板表面に被エッチング材料からなる
パターンを形成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記パターン
形成方法には、以下のような課題があった。すなわち、
上記レジストパターンの形成では、形成されるレジスト
パターンの線幅及び形状が基板上における当該レジスト
パターンの配置状態の疎密に依存することが知られてい
る。
形成方法には、以下のような課題があった。すなわち、
上記レジストパターンの形成では、形成されるレジスト
パターンの線幅及び形状が基板上における当該レジスト
パターンの配置状態の疎密に依存することが知られてい
る。
【０００４】例えば図５（１）に示すように、ネガ型レ
ジストを用いたレジストパターンの形成では、パターン
の配置状態が密な領域５１ｂに所定線幅ｗのレジストパ
ターン５２が形成されるようにパターン露光を行うと、
パターンの配置状態が疎な領域５１ａでは露光量不足が
生じ設定よりも細い線幅ｗ1 でかつ逆テーパ形状のレジ
ストパターン５３形成される。これに対して図５（２）
に示すように、ポジ型レジストを用て上記と同様にパタ
ーン露光を行うと、パターンの配置状態が疎な領域５１
ａでは露光量不足から設定よりも太い線幅ｗ2 でかつ順
テーパ形状のレジストパターン５４が形成される。
ジストを用いたレジストパターンの形成では、パターン
の配置状態が密な領域５１ｂに所定線幅ｗのレジストパ
ターン５２が形成されるようにパターン露光を行うと、
パターンの配置状態が疎な領域５１ａでは露光量不足が
生じ設定よりも細い線幅ｗ1 でかつ逆テーパ形状のレジ
ストパターン５３形成される。これに対して図５（２）
に示すように、ポジ型レジストを用て上記と同様にパタ
ーン露光を行うと、パターンの配置状態が疎な領域５１
ａでは露光量不足から設定よりも太い線幅ｗ2 でかつ順
テーパ形状のレジストパターン５４が形成される。
【０００５】上記疎密に依存するレジストパターンの線
幅のばらつきは、±０．０５μｍ程度になる。このため
特に、微細化が進んだＭＯＳトランジスタの製造工程に
おいて上記レジストパターンをマスクにしたエッチング
によってゲート配線を形成した場合、上記線幅のばらつ
きが素子特性に大きな影響を与えるようになってきてい
る。また、線幅が０．２５μｍ世代にまで微細化された
ゲート配線の形成には、上記レジストパターンを構成す
るレジスト材料として、より解像度の良好な化学増幅型
レジストが用いられている。この化学増幅型レジストか
らなるレジストパターンをマスクに用いたエッチングで
は、パターンの疎密によって生じるパターン形状のばら
つきに起因して、エッチングの前後での寸法変換差が大
きくなることが知られている。
幅のばらつきは、±０．０５μｍ程度になる。このため
特に、微細化が進んだＭＯＳトランジスタの製造工程に
おいて上記レジストパターンをマスクにしたエッチング
によってゲート配線を形成した場合、上記線幅のばらつ
きが素子特性に大きな影響を与えるようになってきてい
る。また、線幅が０．２５μｍ世代にまで微細化された
ゲート配線の形成には、上記レジストパターンを構成す
るレジスト材料として、より解像度の良好な化学増幅型
レジストが用いられている。この化学増幅型レジストか
らなるレジストパターンをマスクに用いたエッチングで
は、パターンの疎密によって生じるパターン形状のばら
つきに起因して、エッチングの前後での寸法変換差が大
きくなることが知られている。
【０００６】さらに、近年では、素子構造の微細化を進
めるために、ホトリソグラフィーの際の露光光としてよ
り波長の短いＫｒＦエキシマレーザ光やＡｒＦエキシマ
レーザ光を用いることが検討されている。この場合、従
来のｉ線を露光光に用いた場合と比較して、定在波効果
やパターン幅の疎密依存性が大きくなる。定在波効果に
ついては、レジスト膜の上下層に反射防止膜を成膜する
ことで改善される。しかし、疎密依存性に関しては改善
策がないのが現状であり、これが上記エキシマレーザ光
を露光光に用いることを制限する要因になっている。
めるために、ホトリソグラフィーの際の露光光としてよ
り波長の短いＫｒＦエキシマレーザ光やＡｒＦエキシマ
レーザ光を用いることが検討されている。この場合、従
来のｉ線を露光光に用いた場合と比較して、定在波効果
やパターン幅の疎密依存性が大きくなる。定在波効果に
ついては、レジスト膜の上下層に反射防止膜を成膜する
ことで改善される。しかし、疎密依存性に関しては改善
策がないのが現状であり、これが上記エキシマレーザ光
を露光光に用いることを制限する要因になっている。
【０００７】そこで、本発明のパターン形成方法は、パ
ターンの疎密によらず安定した形状と線幅のレジストパ
ターンを形成することができるパターン形成方法を提供
することを目的とする。
ターンの疎密によらず安定した形状と線幅のレジストパ
ターンを形成することができるパターン形成方法を提供
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明のパターン形成方法では、レジストパターンの
配置状態が疎である第１領域でレジストパターンが形成
されるパターン形成部分間に開口部を有するレジスト接
着剤パターンを基板上に形成し、このパターンを介して
基板上にレジスト膜を形成する。そして、レジスト膜に
対してパターン露光を行う際、上記開口部にも上記レジ
スト膜からなるダミーパターンが形成される状態でパタ
ーン露光を行う。次いで、上記レジスト膜を現像処理
し、上記基板上にレジスト接着剤パターンを介してレジ
ストパターンを残し、上記ダミーパターンを基板上から
剥離する。
の本発明のパターン形成方法では、レジストパターンの
配置状態が疎である第１領域でレジストパターンが形成
されるパターン形成部分間に開口部を有するレジスト接
着剤パターンを基板上に形成し、このパターンを介して
基板上にレジスト膜を形成する。そして、レジスト膜に
対してパターン露光を行う際、上記開口部にも上記レジ
スト膜からなるダミーパターンが形成される状態でパタ
ーン露光を行う。次いで、上記レジスト膜を現像処理
し、上記基板上にレジスト接着剤パターンを介してレジ
ストパターンを残し、上記ダミーパターンを基板上から
剥離する。
【０００９】また、上記レジスト接着剤パターンにと逆
パターンのレジスト剥離剤パターンを基板上に形成して
も良い。この場合、レジスト膜を現像処理することで、
上記基板上にレジストパターンを残すと共に、上記レジ
スト剥離剤パターン上のダミーパターンを基板上から剥
離する。
パターンのレジスト剥離剤パターンを基板上に形成して
も良い。この場合、レジスト膜を現像処理することで、
上記基板上にレジストパターンを残すと共に、上記レジ
スト剥離剤パターン上のダミーパターンを基板上から剥
離する。
【００１０】
【作用】上記パターン形成方法では、レジスト接着剤パ
ターンの開口部にダミーパターンが形成される状態でパ
ターン露光を行う。この開口部は、レジストパターンの
配置状態が疎な第１領域のパターン形成部分間に配置さ
れていることから、上記第１領域でもレジストパターン
の配置状態が密な状態で、当該パターン露光とその後の
現像処理が行われる。また、現像処理が終了するとレジ
スト接着剤パターンの開口部に形成されたダミーパター
ンは基板上から剥離され、当該基板上にはレジスト接着
剤パターン上に形成されるレジストパターンのみが形成
される。
ターンの開口部にダミーパターンが形成される状態でパ
ターン露光を行う。この開口部は、レジストパターンの
配置状態が疎な第１領域のパターン形成部分間に配置さ
れていることから、上記第１領域でもレジストパターン
の配置状態が密な状態で、当該パターン露光とその後の
現像処理が行われる。また、現像処理が終了するとレジ
スト接着剤パターンの開口部に形成されたダミーパター
ンは基板上から剥離され、当該基板上にはレジスト接着
剤パターン上に形成されるレジストパターンのみが形成
される。
【００１１】また、基板上にレジスト剥離剤パターンを
形成した場合にも、上記と同様の部分にダミーパターン
が形成される状態で露光が行われることから、上記と同
様に第１領域でもレジストパターンの配置状態が密な状
態で当該パターン露光とその後の現像処理が行われる。
また、現像処理が終了するとレジスト剥離剤パターン上
に形成されたダミーパターンは基板上から剥離され、当
該基板上にはレジスト剥離剤パターンの開口部に形成さ
れるレジストパターンのみが形成される。
形成した場合にも、上記と同様の部分にダミーパターン
が形成される状態で露光が行われることから、上記と同
様に第１領域でもレジストパターンの配置状態が密な状
態で当該パターン露光とその後の現像処理が行われる。
また、現像処理が終了するとレジスト剥離剤パターン上
に形成されたダミーパターンは基板上から剥離され、当
該基板上にはレジスト剥離剤パターンの開口部に形成さ
れるレジストパターンのみが形成される。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の第１実施例のパターン形成方
法を図１に基づいて説明する。ここでは、ＭＯＳトラン
ジスタを有する半導体装置の製造工程で、当該ＭＯＳト
ランジスタのゲート配線をパターン形成する際にエッチ
ングマスクになるレジストパターンを基板上に形成する
場合を例に取って実施例を説明する。図１（１）に示す
ように、レジストパターンを形成する基板１１は、例え
ばシリコンかなり、第１領域１１ａと第２領域１１ｂと
が設定されている。第１領域１１ａと第２領域１１ｂと
は、基板１１上にレジストパターンが形成される領域で
あり、第１領域１１ａと比較して第２領域１１ｂにはレ
ジストパターンが密に配置される。また、上記基板１１
の表面は、下層のポリシリコン１２ａと上層のシリサイ
ド１２ｂとからなるポリサイド構造の被エッチング材料
層１２で覆われている。
法を図１に基づいて説明する。ここでは、ＭＯＳトラン
ジスタを有する半導体装置の製造工程で、当該ＭＯＳト
ランジスタのゲート配線をパターン形成する際にエッチ
ングマスクになるレジストパターンを基板上に形成する
場合を例に取って実施例を説明する。図１（１）に示す
ように、レジストパターンを形成する基板１１は、例え
ばシリコンかなり、第１領域１１ａと第２領域１１ｂと
が設定されている。第１領域１１ａと第２領域１１ｂと
は、基板１１上にレジストパターンが形成される領域で
あり、第１領域１１ａと比較して第２領域１１ｂにはレ
ジストパターンが密に配置される。また、上記基板１１
の表面は、下層のポリシリコン１２ａと上層のシリサイ
ド１２ｂとからなるポリサイド構造の被エッチング材料
層１２で覆われている。
【００１３】上記第１領域１１ａ及び第２領域１１ｂ
に、上記レジストパターンを形成する場合には以下のよ
うにする。先ず第１工程では、例えばヘキサメチルジシ
ラザン（ＨＭＤＳ）からなるレジスト接着剤１３を、基
板１１上の全面に塗布する。次いで、レジスト接着剤１
３に対してマスク２１上から露光光２２を照射して露光
光２２が照射された部分のレジスト接着剤１３を蒸発さ
せ、当該レジスト接着剤１３をパターニングしてなるレ
ジスト接着剤パターン１３ａを形成する。
に、上記レジストパターンを形成する場合には以下のよ
うにする。先ず第１工程では、例えばヘキサメチルジシ
ラザン（ＨＭＤＳ）からなるレジスト接着剤１３を、基
板１１上の全面に塗布する。次いで、レジスト接着剤１
３に対してマスク２１上から露光光２２を照射して露光
光２２が照射された部分のレジスト接着剤１３を蒸発さ
せ、当該レジスト接着剤１３をパターニングしてなるレ
ジスト接着剤パターン１３ａを形成する。
【００１４】このレジスト接着剤パターン１３ａは、上
記レジストパターンが配置されるパターン形成部分を覆
い、第１領域１１ａのパターン形成部間に開口部１３ｂ
を有する形状にパターニングされている。開口部１３ｂ
の開口幅Ｗ1 及び開口部１３ｂ間のパターン幅Ｗ2 は、
後に行うレジスト膜のパターン露光での合わせずれを考
慮して、例えば当該パターン露光及びその後の現像処理
で形成されるレジストパターン及びダミーパターンの線
幅よりも０．１〜０．２μｍ以上大きい値に設定する。
これによって、上記レジストパターンが必ずレジスト接
着剤パターン１３ａ上に形成され、上記ダミーパターン
が必ず開口部１３ｂに形成されるようにする。
記レジストパターンが配置されるパターン形成部分を覆
い、第１領域１１ａのパターン形成部間に開口部１３ｂ
を有する形状にパターニングされている。開口部１３ｂ
の開口幅Ｗ1 及び開口部１３ｂ間のパターン幅Ｗ2 は、
後に行うレジスト膜のパターン露光での合わせずれを考
慮して、例えば当該パターン露光及びその後の現像処理
で形成されるレジストパターン及びダミーパターンの線
幅よりも０．１〜０．２μｍ以上大きい値に設定する。
これによって、上記レジストパターンが必ずレジスト接
着剤パターン１３ａ上に形成され、上記ダミーパターン
が必ず開口部１３ｂに形成されるようにする。
【００１５】次に、図１（２）に示す第２工程では、レ
ジスト接着剤パターン１３ａを覆う状態で、基板１１上
にレジスト膜１４を成膜する。このレジスト膜１４は、
例えばポジ型レジストからなるものとする。次いで、レ
ジスト膜１４に対してマスク２３上から露光光２４を照
射し、レジスト膜１４のパターン露光を行う。ここで
は、第１領域１１ａ及び第２領域１１ｂの所定位置にレ
ジストパターンが形成され、第１領域１１ａのレジスト
パターン間にダミーパターンが形成されるように、パタ
ーン露光を行う。
ジスト接着剤パターン１３ａを覆う状態で、基板１１上
にレジスト膜１４を成膜する。このレジスト膜１４は、
例えばポジ型レジストからなるものとする。次いで、レ
ジスト膜１４に対してマスク２３上から露光光２４を照
射し、レジスト膜１４のパターン露光を行う。ここで
は、第１領域１１ａ及び第２領域１１ｂの所定位置にレ
ジストパターンが形成され、第１領域１１ａのレジスト
パターン間にダミーパターンが形成されるように、パタ
ーン露光を行う。
【００１６】このパターン露光では、当該パターン露光
による露光効果と後に行う現像処理での現像効果とが第
１領域１１ａと第２領域１１ｂとで同程度になるよう
に、すなわち、第２領域１１ｂに配置される各レジスト
パターンの間隔と、第１領域１１ａに配置されるレジス
トパターンとダミーパターンとの間隔とがほぼ等しくな
るように露光光２４を照射する。このため、第１領域１
１ａのレジストパターンの配置間隔と第２領域１１ｂの
レジストパターンの配置間隔とによっては、第１領域１
１ａのレジストパターン間に複数列のダミーパターンが
配置されるようにパターン露光を行うこととする。
による露光効果と後に行う現像処理での現像効果とが第
１領域１１ａと第２領域１１ｂとで同程度になるよう
に、すなわち、第２領域１１ｂに配置される各レジスト
パターンの間隔と、第１領域１１ａに配置されるレジス
トパターンとダミーパターンとの間隔とがほぼ等しくな
るように露光光２４を照射する。このため、第１領域１
１ａのレジストパターンの配置間隔と第２領域１１ｂの
レジストパターンの配置間隔とによっては、第１領域１
１ａのレジストパターン間に複数列のダミーパターンが
配置されるようにパターン露光を行うこととする。
【００１７】上記のようにして、パターン露光を行った
後、図１（３）に示す第３工程では、レジスト膜１４の
現像処理を行い、露光光（２４）が照射された部分のレ
ジスト膜１４を現像液に溶解させ、露光光（２４）が照
射されないレジスト膜１４部分をレジストパターン１４
ａ及びダミーパターン１４ｂとして基板１１上に現像形
成する。そして、現像処理が終了して各パターン１４
ａ，１４ｂが独立すると、ダミーパターン１４ｂと被エ
ッチング材料層１２との間の密着性の問題から当該ダミ
ーパターン１４ｂが基板１１上から剥離する。
後、図１（３）に示す第３工程では、レジスト膜１４の
現像処理を行い、露光光（２４）が照射された部分のレ
ジスト膜１４を現像液に溶解させ、露光光（２４）が照
射されないレジスト膜１４部分をレジストパターン１４
ａ及びダミーパターン１４ｂとして基板１１上に現像形
成する。そして、現像処理が終了して各パターン１４
ａ，１４ｂが独立すると、ダミーパターン１４ｂと被エ
ッチング材料層１２との間の密着性の問題から当該ダミ
ーパターン１４ｂが基板１１上から剥離する。
【００１８】次に、図１（４）に示す第４工程では、純
水リンスを行うことによって、現像液と共に上記基板１
１上から剥離したダミーパターン１４ｂを除去し、基板
１１上にレジスト接着剤パターン１３ａを介して形成さ
れたレジストパターン１４ａのみを残す。
水リンスを行うことによって、現像液と共に上記基板１
１上から剥離したダミーパターン１４ｂを除去し、基板
１１上にレジスト接着剤パターン１３ａを介して形成さ
れたレジストパターン１４ａのみを残す。
【００１９】上記パターン形成方法によって形成された
各レジストパターン１４ａは、当該レジストパターン１
４ａの疎密状態によらずパターン露光及び現像処理が行
われるようにして形成されたものであるため、パターン
幅Ｗ及び断面形状がレジストパターン１４ａの疎密状態
によらず均一化される。
各レジストパターン１４ａは、当該レジストパターン１
４ａの疎密状態によらずパターン露光及び現像処理が行
われるようにして形成されたものであるため、パターン
幅Ｗ及び断面形状がレジストパターン１４ａの疎密状態
によらず均一化される。
【００２０】尚、上記パターン露光では、例えば図２
（１）に示すように、ダミーパターン１４ｂをレジスト
パターン１４ａに沿って形成することで、レジストパタ
ーンの全ての部分で上記のようにパターン露光及び現像
処理とが行われるようにする。また、例えば図２
（２），（３）に示すように、ダミーパターン１４ｂ
は、その平面形状を島状にしたりパターン幅を細くした
りすることで、被エッチング材料層（１２）と接する面
積を小さく抑え、基板１１上から剥離され易くする。
（１）に示すように、ダミーパターン１４ｂをレジスト
パターン１４ａに沿って形成することで、レジストパタ
ーンの全ての部分で上記のようにパターン露光及び現像
処理とが行われるようにする。また、例えば図２
（２），（３）に示すように、ダミーパターン１４ｂ
は、その平面形状を島状にしたりパターン幅を細くした
りすることで、被エッチング材料層（１２）と接する面
積を小さく抑え、基板１１上から剥離され易くする。
【００２１】次に、上記のようにして形成したレジスト
パターン１４ａを用いてゲート配線を形成する場合に
は、図３（１）に示すように、レジストパターン１４ａ
をエッチングマスクにして基板１１表面の被エッチング
材料層１２をエッチングする。その後、図５（２）に示
すように、上記レジストパターン（１４ａ）及びその下
面のレジスト接着剤パターン（１３ａ）を除去し、基板
１１表面に被エッチング材料層１２からなるパターン１
５を形成する。このパターン１５が、ポリサイド構造の
ゲート配線になる。
パターン１４ａを用いてゲート配線を形成する場合に
は、図３（１）に示すように、レジストパターン１４ａ
をエッチングマスクにして基板１１表面の被エッチング
材料層１２をエッチングする。その後、図５（２）に示
すように、上記レジストパターン（１４ａ）及びその下
面のレジスト接着剤パターン（１３ａ）を除去し、基板
１１表面に被エッチング材料層１２からなるパターン１
５を形成する。このパターン１５が、ポリサイド構造の
ゲート配線になる。
【００２２】上記のようにして形成した各ゲート配線
（パターン）１５は、パターン幅Ｗ及び断面形状が均一
化されたレジストパターン（１４ａ）をエッチングマス
クにして形成したものであることから、線幅が均一に形
成される。
（パターン）１５は、パターン幅Ｗ及び断面形状が均一
化されたレジストパターン（１４ａ）をエッチングマス
クにして形成したものであることから、線幅が均一に形
成される。
【００２３】次に、本発明の第２実施例を、上記第１実
施例と同様のレジストパターンを形成する場合を例に取
って説明する。図４（１）に示すように、レジストパタ
ーンを形成する基板４１は、上記第１実施例と同様に、
第１領域４１ａ及び第２領域４１ｂが設定され、かつ表
面がポリシリコン４２ａとシリサイド４２ｂとからなる
被エッチング材料層４２で覆われたものである。
施例と同様のレジストパターンを形成する場合を例に取
って説明する。図４（１）に示すように、レジストパタ
ーンを形成する基板４１は、上記第１実施例と同様に、
第１領域４１ａ及び第２領域４１ｂが設定され、かつ表
面がポリシリコン４２ａとシリサイド４２ｂとからなる
被エッチング材料層４２で覆われたものである。
【００２４】先ず、第１工程では、基板４１上の全面に
レジスト剥離剤４３を塗布する。次いで、レジスト剥離
剤４３に対してマスク２１上から露光光２２を照射し、
露光光が照射された部分のレジスト剥離剤４３を蒸発さ
せてレジスト剥離剤４３をパターニングする。これによ
って、基板４１上にレジスト剥離剤パターン４３ａを形
成する。
レジスト剥離剤４３を塗布する。次いで、レジスト剥離
剤４３に対してマスク２１上から露光光２２を照射し、
露光光が照射された部分のレジスト剥離剤４３を蒸発さ
せてレジスト剥離剤４３をパターニングする。これによ
って、基板４１上にレジスト剥離剤パターン４３ａを形
成する。
【００２５】このレジスト剥離剤パターン４３ａは、上
記レジストパターンが形成されるパターン形成部分に開
口部４３ｂを有し、第１領域４１ａのパターン形成部分
間を覆う形状にパターニングされている。レジスト剥離
剤パターン４３ａのパターン幅Ｗ3 及び開口部４３ｂの
幅Ｗ4 は、後に行うレジスト膜のパターン露光での合わ
せずれを考慮して、当該パターン露光及びその後の現像
処理で形成されるレジストパターン及びダミーパターン
の線幅よりも０．１〜０．２μｍ以上大きい値に設定す
る。これによって、上記レジストパターンが必ずレジス
ト剥離剤パターン４３ａの開口部４３ｂに形成され、上
記ダミーパターンが必ずレジスト剥離剤パターン４３ａ
の上面に形成されるようにする。
記レジストパターンが形成されるパターン形成部分に開
口部４３ｂを有し、第１領域４１ａのパターン形成部分
間を覆う形状にパターニングされている。レジスト剥離
剤パターン４３ａのパターン幅Ｗ3 及び開口部４３ｂの
幅Ｗ4 は、後に行うレジスト膜のパターン露光での合わ
せずれを考慮して、当該パターン露光及びその後の現像
処理で形成されるレジストパターン及びダミーパターン
の線幅よりも０．１〜０．２μｍ以上大きい値に設定す
る。これによって、上記レジストパターンが必ずレジス
ト剥離剤パターン４３ａの開口部４３ｂに形成され、上
記ダミーパターンが必ずレジスト剥離剤パターン４３ａ
の上面に形成されるようにする。
【００２６】また、上記第１工程では、上記基板４１上
の全面にレジスト接着剤層を形成し、この上面にレジス
ト剥離剤パターン４３ａを形成するようにしても良い。
これによって、次に形成するレジスト膜と被エッチング
材料層４２との密着性を確保する。
の全面にレジスト接着剤層を形成し、この上面にレジス
ト剥離剤パターン４３ａを形成するようにしても良い。
これによって、次に形成するレジスト膜と被エッチング
材料層４２との密着性を確保する。
【００２７】次に、図４（２）に示す第２工程では、レ
ジスト剥離剤パターン４３ａを覆う状態で、基板４１上
にレジスト膜４４を成膜する。このレジスト膜４４は、
ポジ型レジストからなるものとする。その後、上記第１
実施例と同様に、マスク２３を用いてレジスト膜４４に
対してパターン露光を行う。
ジスト剥離剤パターン４３ａを覆う状態で、基板４１上
にレジスト膜４４を成膜する。このレジスト膜４４は、
ポジ型レジストからなるものとする。その後、上記第１
実施例と同様に、マスク２３を用いてレジスト膜４４に
対してパターン露光を行う。
【００２８】次いで、図４（３）に示す第３工程では、
上記第１実施例と同様にレジスト膜４４の現像処理を行
い、レジスト膜４４からなるレジストパターン４４ａ及
びダミーパターン４４ｂを現像形成する。この現像処理
が終了して各パターン４４あ，４４ｂが独立すると、レ
ジスト剥離剤パターン４３ａ上に形成されたダミーパタ
ーン４４ｂが基板４１上から剥離する。
上記第１実施例と同様にレジスト膜４４の現像処理を行
い、レジスト膜４４からなるレジストパターン４４ａ及
びダミーパターン４４ｂを現像形成する。この現像処理
が終了して各パターン４４あ，４４ｂが独立すると、レ
ジスト剥離剤パターン４３ａ上に形成されたダミーパタ
ーン４４ｂが基板４１上から剥離する。
【００２９】次に、図４（４）に示す第４工程では、上
記第１実施例と同様に純水リンスを行うことによって、
現像液と共に上記基板４１上から剥離したダミーパター
ン４４ｂを除去し、基板４１上にレジストパターン４４
ａのみを残す。
記第１実施例と同様に純水リンスを行うことによって、
現像液と共に上記基板４１上から剥離したダミーパター
ン４４ｂを除去し、基板４１上にレジストパターン４４
ａのみを残す。
【００３０】上記パターン形成方法によって形成された
各レジストパターン４４ａは、上記第１実施例で形成し
たレジストパターンと同様に、パターン幅Ｗ及び断面形
状がレジストパターン４４ａの疎密状態によらず均一化
される。尚、上記ダミーパターン（４４ｂ）の平面形状
は、上記第１実施例と同様にする。
各レジストパターン４４ａは、上記第１実施例で形成し
たレジストパターンと同様に、パターン幅Ｗ及び断面形
状がレジストパターン４４ａの疎密状態によらず均一化
される。尚、上記ダミーパターン（４４ｂ）の平面形状
は、上記第１実施例と同様にする。
【００３１】また、上記のようにして形成したレジスト
パターン４４ａを用いてゲート配線を形成する場合に
は、上記第１実施例と同様に行う。ここで形成される各
ゲート配線（パターン）は、上記第１実施例と同様に線
幅が均一化される。
パターン４４ａを用いてゲート配線を形成する場合に
は、上記第１実施例と同様に行う。ここで形成される各
ゲート配線（パターン）は、上記第１実施例と同様に線
幅が均一化される。
【００３２】上記第１及び第２実施例では、レジスト膜
材料としてポジ型レジストを用いたが、ネガ型レジスト
を用いた場合にも上記各実施例と同様の効果が得られ
る。
材料としてポジ型レジストを用いたが、ネガ型レジスト
を用いた場合にも上記各実施例と同様の効果が得られ
る。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように本発明のパターン形
成方法によれば、レジストパターンの配置状態が疎な領
域に当該レジストパターンと共にダミーパターンを形成
するようにパターン露光を行うことで、レジストパター
ンの配置状態の疎密に依存することなく当該パターン露
光及びその後の現像処理を行うことができる。また、レ
ジスト膜の下面にレジスト接着剤パターンを形成し、当
該レジスト接着剤パターンの開口部に上記ダミーパター
ンを現像形成することで、形成された当該ダミーパター
ンを基板上から剥離してレジスト接着剤パターン上のレ
ジストパターンのみを当該基板上に残すことができる。
したがって、レジストパターンの配置状態の疎密に依存
することなく均一な線幅と形状のレジストターンを基板
上に形成することが可能になる。そして、レジスト膜の
下面にレジスト剥離剤パターンを形成し、当該レジスト
剥離剤パターン上に上記ダミーパターンを現像形成する
場合にも、形成されたダミーパターンを基板上から剥離
してレジスト剥離剤パターンの開口部に形成されたレジ
ストパターンのみを当該基板上に残すことができる。し
たがって、上記と同様にパターンの疎密によらず安定し
た形状と線幅のレジストパターンを形成することができ
る。
成方法によれば、レジストパターンの配置状態が疎な領
域に当該レジストパターンと共にダミーパターンを形成
するようにパターン露光を行うことで、レジストパター
ンの配置状態の疎密に依存することなく当該パターン露
光及びその後の現像処理を行うことができる。また、レ
ジスト膜の下面にレジスト接着剤パターンを形成し、当
該レジスト接着剤パターンの開口部に上記ダミーパター
ンを現像形成することで、形成された当該ダミーパター
ンを基板上から剥離してレジスト接着剤パターン上のレ
ジストパターンのみを当該基板上に残すことができる。
したがって、レジストパターンの配置状態の疎密に依存
することなく均一な線幅と形状のレジストターンを基板
上に形成することが可能になる。そして、レジスト膜の
下面にレジスト剥離剤パターンを形成し、当該レジスト
剥離剤パターン上に上記ダミーパターンを現像形成する
場合にも、形成されたダミーパターンを基板上から剥離
してレジスト剥離剤パターンの開口部に形成されたレジ
ストパターンのみを当該基板上に残すことができる。し
たがって、上記と同様にパターンの疎密によらず安定し
た形状と線幅のレジストパターンを形成することができ
る。
【図１】第１実施例を示す工程図（その１）である。
【図２】ダミーパターンの平面形状の一例を示す平面図
である。
である。
【図３】第１実施例を示す工程図（その２）である。
【図４】第２実施例を示す工程図である。
【図５】課題を説明する図である。
１１，４１ 基板 １１ａ，４１ａ 第１領域 １１ｂ，４１ｂ 第２領域 １２，４２ 被エッチング材料層 １３ａ レジスト接着剤パターン １３ｂ，４３ｂ 開口部 １４，４４ レジスト膜 １４ａ，４４ａ レジストパターン １４ｂ，４４ｂ ダミーパターン ４３ａ レジスト剥離剤パターン
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上の第１領域にレジストパターンを
形成すると共に当該基板上の第２領域に当該第１領域よ
りも密にレジストパターンを形成するパターン形成方法
であって、 前記基板上に、前記各レジストパターンが形成されるパ
ターン形成部分を覆いかつ前記第１領域における当該各
パターン形成部分間に開口部を有するレジスト接着剤パ
ターンを形成する第１工程と、 前記レジスト接着剤パターンを覆う状態で前記基板上に
レジスト膜を成膜し、当該レジスト接着剤パターン上に
前記レジストパターンが形成されると共に当該レジスト
接着剤パターンの開口部に当該レジスト膜からなるダミ
ーパターンが形成される状態で当該レジスト膜に対して
パターン露光を行う第２工程と、 前記レジスト膜の現像処理を行うことによって当該レジ
スト膜からなるレジストパターン及びダミーパターンを
現像形成する共に前記基板上から当該ダミーパターンを
剥離し、当該基板上に前記接着剤パターンを介して当該
レジストパターンを残す第３工程とを行うことを特徴と
するパターン形成方法。 - 【請求項２】 基板上の第１領域に被エッチング材料か
らなるパターンを形成すると共に当該基板上の第２領域
に当該第１領域よりも密に当該被エッチング材料からな
るパターンを形成するパターン形成方法であって、 表面が被エッチング材料層で覆われた前記基板上に、前
記各パターンが形成されるパターン形成部分を覆いかつ
前記第１領域における当該各パターン形成部分間に開口
部を有するレジスト接着剤パターンを形成する第１工程
と、 前記レジスト接着剤パターンを覆う状態で前記基板上に
レジスト膜を成膜し、当該レジスト接着剤パターン上に
前記レジストパターンが形成されると共に当該レジスト
接着剤パターンの開口部に当該レジスト膜からなるダミ
ーパターンが形成される状態で当該レジスト膜に対して
パターン露光を行う第２工程と、 前記レジスト膜の現像処理を行うことによって当該レジ
スト膜からなるレジストパターン及びダミーパターンを
現像形成すると共に前記基板上から当該ダミーパターン
を剥離し、当該基板上にレジスト接着剤パターンを介し
て前記レジストパターンを残す第３工程と、 前記レジストパターンをマスクにして前記基板表面の前
記被エッチング材料層をエッチングし、当該基板表面に
前記被エッチング材料からなるパターンを形成する第４
工程とを行うことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項３】 基板上の第１領域にレジストパターンを
形成すると共に当該基板上の第２領域に当該第１領域よ
りも密にレジストパターンを形成するパターン形成方法
であって、 前記基板上に、前記各レジストパターンが形成されるパ
ターン形成部分に開口部を有しかつ前記第１領域におけ
る当該各パターン形成部分間を覆うレジスト剥離剤パタ
ーンを形成する第１工程と、 前記レジスト剥離剤パターンを覆う状態で前記基板上に
レジスト膜を成膜し、当該レジスト剥離剤パターンの開
口部に前記レジストパターンが形成されると共に当該レ
ジスト剥離剤パターン上に前記レジスト膜からなるダミ
ーパターンが形成される状態で当該レジスト膜に対して
パターン露光を行う第２工程と、 前記レジスト膜の現像処理を行うことによって当該レジ
スト膜からなる前記レジストパターン及びダミーパター
ンを現像形成すると共に前記基板上から当該ダミーパタ
ーンを剥離し、当該基板上に前記レジストパターンを残
す第３工程とを行うことを特徴とするパターン形成方
法。 - 【請求項４】 基板上の第１領域に被エッチング材料か
らなるパターンを形成すると共に当該基板上の第２領域
に当該第１領域よりも密に当該被エッチング材料からな
るパターンを形成するパターン形成方法であって、 表面が被エッチング材料層で覆われた前記基板上に、前
記各レジストパターンが形成されるパターン形成部分に
開口部を有しかつ前記第１領域における当該各パターン
形成部分間を覆うレジスト剥離剤パターンを形成する第
１工程と、 前記レジスト剥離剤パターンを覆う状態で前記基板上に
レジスト膜を成膜し、当該レジスト剥離剤パターンの開
口部に前記レジストパターンが形成されると共に当該レ
ジストパターン上に前記レジスト膜からなるダミーパタ
ーンが形成される状態で当該レジスト膜に対してパター
ン露光を行う第２工程と、 前記レジスト膜の現像処理を行うことによって当該レジ
スト膜からなる前記レジストパターン及びダミーパター
ンを現像形成すると共に前記基板上から当該ダミーパタ
ーンを剥離し、当該基板上に前記レジストパターンを残
す第３工程と、 前記レジストパターンをマスクにして前記基板表面の前
記被エッチング材料層をエッチングし、当該基板表面に
前記被エッチング材料からなるパターンを形成する第４
工程とを行うことを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7060342A JPH08264407A (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7060342A JPH08264407A (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264407A true JPH08264407A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13139403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7060342A Pending JPH08264407A (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08264407A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113539815A (zh) * | 2021-07-20 | 2021-10-22 | 安徽富信半导体科技有限公司 | 一种半导体板件沟槽刻蚀方法 |
-
1995
- 1995-03-20 JP JP7060342A patent/JPH08264407A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113539815A (zh) * | 2021-07-20 | 2021-10-22 | 安徽富信半导体科技有限公司 | 一种半导体板件沟槽刻蚀方法 |
| CN113539815B (zh) * | 2021-07-20 | 2023-12-15 | 安徽富信半导体科技有限公司 | 一种半导体板件沟槽刻蚀方法 |
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