JPH08264304A - ＣｒＳｉ抵抗薄膜を含む抵抗素子 - Google Patents

ＣｒＳｉ抵抗薄膜を含む抵抗素子

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JPH08264304A
JPH08264304A JP8053403A JP5340396A JPH08264304A JP H08264304 A JPH08264304 A JP H08264304A JP 8053403 A JP8053403 A JP 8053403A JP 5340396 A JP5340396 A JP 5340396A JP H08264304 A JPH08264304 A JP H08264304A
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thin film
resistance
resistive
resistance element
crsi
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JP8053403A
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Rainer Veyhl
ヴェイル レイナー
Rudolf Thyen
ティーエン ルドルフ
Henning Boness
ボネス ヘニング
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Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Koninklijke Philips NV
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Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Philips Electronics NV
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    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/006—Thin film resistors
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    • Y10T428/265—1 mil or less

Abstract

(57)【要約】 【課題】 最小のＴＣＲ、例えば±１００ppm ／Ｋを得
ることを可能とする抵抗素子を提供する。 【解決手段】 基板上に設けることができ、少なくとも
１つはＣｒＳｉを主成分とする１又はそれ以上の抵抗薄
膜から成る抵抗素子であって、該ＣｒＳｉを主成分とす
る抵抗薄膜は５〜５０％のＣｒ、１０〜７０％のＳｉ、
５〜５０％のＯと、１〜５０％の濃度のＢ，Ｃ及びＮか
ら成る群より選ばれる少なくとも１つの元素とを含むこ
とを特徴とする抵抗素子である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に必要に応
じて設けることのでき、少なくとも１つはＣｒＳｉを主
成分とする１又はそれ以上の抵抗薄膜から成る抵抗素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型化の進展に伴い、精密要
求に合致するのみならず、幾何学的寸法と熱損失の点に
おける傾向にも適合する、高い抵抗を有する精密抵抗素
子が必要とされている。熱損失は、高抵抗素子を使用す
ることにより低減させることがてきる。幾何学的寸法が
約１mmの抵抗素子であるとともに、抵抗値が＞１ＭΩで
あることが要求される。
【０００３】抵抗薄膜を適切に構造化することにより
（円筒状抵抗素子の場合はらせん構造、平坦な抵抗素子
の場合は曲がりくねった構造）、抵抗薄膜の基本値は、
特定の最終値が得られるという方法で変化させることが
できる。安定性の理由から、最小の薄膜厚みと同様、最
小の通路幅が観察されるべきであり、従って最も高い可
能な基本値／最終値の比は、抵抗素子の幾何学的寸法に
より制限される。その結果、両方の要求、即ち小さい物
理的大きさ及び低い熱損失は、最も高い可能な抵抗を有
する抵抗薄膜材料を用いることによってのみ達成され得
る。
【０００４】欧州特許第０２２０９２６Ａ２号には、薄
膜クロム−シリコン−炭素抵抗材料の形態の良好な抵抗
材料が提案されており、該材料は、約２５〜３５重量％
のクロム、約４０〜５５重量％のシリコンと約２０〜３
０重量％の炭素を含み、これは、８００以上１２００オ
ーム／インチ2 の抵抗値、２００ppm ／Ｋより低い抵抗
の温度係数と、前記抵抗値の０．１％以下のトリミング
安定性と絶対寿命により特徴づけられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、最小
のＴＣＲ、例えば±１００ppm ／Ｋを得ることを可能と
する抵抗素子を提供するものであり、これを用いること
により、特に幾何学的寸法が約１mmであるとともに、１
ＭΩのオーダーの高い抵抗値を有する抵抗素子に関して
は、１回のコーティングサイクルで抵抗値の広がりを可
能とし、同様に、コーティングサイクルからコーティン
グサイクルへの特定な抵抗値の再現性と、従って従来の
コーティングプロセスに比較してコーティングプロセス
の効率が改善される。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、基板上に必
要に応じて設けることができ、少なくとも１つはＣｒＳ
ｉを主成分とする１又はそれ以上の抵抗薄膜から成る抵
抗素子であって、ＣｒＳｉを主成分とする抵抗薄膜は５
〜５０％のＣｒ、１０〜７０％のＳｉ、５〜５０％のＯ
と、１〜５０％の濃度のＢ，Ｃ及びＮから成る群より選
ばれる少なくとも１つの元素とを含むことを特徴とする
本発明により達成される。
【０００７】本発明は、本質的には、ＣｒＳｉを主成分
とする薄膜への、酸素及び炭素又は酸素及び窒素又は酸
素及び炭素及び窒素の反応性組み込みに基礎を置く。か
かる抵抗素子は、極めて小さい広がりと、抵抗値の非常
に優れた再現性とを示すことを特徴とする。更に、これ
は、ほとんどＯppm ／Ｋ（ρTCR.O ）から１００，００
０μΩcmを超えるまでの抵抗値を伴なう高い抵抗を有す
ることを特徴とする。従って、前記素子は、厳しい気候
状の歪及び電気的歪に関して高抵抗精密抵抗素子として
使用するのに極めて適するものである。更に、前記素子
は耐温度性があり、従って約５００℃の温度でも、素子
の酸化は無視できるほど小さい。更に、ＴＣ１００範囲
で焼戻すことができる。薄膜技術により表面抵抗体とし
て製造される場合には、次の値が得られる：Ｒ＞２０ｋ
オーム／□（これは薄膜厚みが１００nmでの＞２００，
０００μオームの抵抗に相当）及びＴＣＲ＜１００ppm
／Ｋである。
【０００８】ＣｒＳｉを主成分とする抵抗薄膜が、２０
〜４０％のＣｒ、１０〜３０％のＳｉ、１０〜４０％の
Ｏと、１〜４０％の濃度のＢ，Ｃ及びＮから成る群より
選ばれる少なくとも１つの元素とを含むことを特徴とす
る抵抗素子が好ましい。
【０００９】更に好適な抵抗素子においては、ＣｒＳｉ
を主成分とする抵抗薄膜が、２５〜３５％のＣｒ、１５
〜２５％のＳｉ、２０〜３０％のＯと、１〜３０％の濃
度のＢ，Ｃ及びＮから成る群より選ばれる少なくとも１
つの元素とを含む。
【００１０】ＣｒＳｉを主成分とする抵抗薄膜が、１０
〜３０％のＣｒ、２０〜６０％のＳｉ、２０〜５０％の
Ｏと、１〜４０％の濃度のＢ，Ｃ及びＮから成る群より
選ばれる少なくとも１つの元素を含むものも好ましい。
【００１１】ＣｒＳｉを主成分とする抵抗薄膜が、１６
〜２０％のＣｒ、３５〜４５％のＳｉ、２０〜３０％の
Ｏと１５〜２５％のＣとを含むものが特に好ましい。
【００１２】ＣｒＳｉを主成分とする抵抗薄膜が、更に
１〜２０％の水素を含むものも好適である。
【００１３】抵抗薄膜が更に、１〜５％のＮｉ，Ｃｏ，
Ｆｅ，Ａｌ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｒｕ又はＣｕを含むこと
も好適である。その結果、抵抗素子の防湿性は改善され
る。
【００１４】ＣｒＳｉを主成分とする抵抗薄膜の厚み
は、１０nm〜１０μm の範囲であることが好適である。
【００１５】好適には、基板はＡｌ2 Ｏ3 ，ＢＮ，Ａｌ
Ｎ，Ｓｉ，ＳｉＣ，Ｓｉ3 Ｎ4 及び／又はＳｉＯ2 から
成る。
【００１６】
【発明の実施の形態】これらの本発明の事項及び他の事
項を、次の実施例を参照して明らかにする。本発明の抵
抗素子は、個別の素子又は集積された素子であることが
可能である。一般的には基板及びターミナル上の１つ又
はそれ以上の抵抗薄膜から成る。本発明の抵抗薄膜に
は、クロム、シリコン、酸素及び、ホウ素と炭素と窒素
から成る群より選ばれる少なくとも１つの元素とを含
む。この場合、酸素、ホウ素、炭素及び窒素は、酸化、
ホウ化、炭化若しくは窒化結合、又は元素混在物の形態
で薄膜中に存在する。
【００１７】有効な抵抗エレメントを形成する抵抗薄膜
は、本発明の抵抗薄膜又は、従来の薄膜と前記薄膜との
組み合わせによってのみ得られる。本発明の前記抵抗薄
膜は、例えば、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ａｌ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔ
ｉ，Ｒｕ又はＣｕを含む抵抗薄膜と組み合わせることが
できる。
【００１８】抵抗薄膜は好ましくは基板上に設けられ
る。前記基板はＡｌ2 Ｏ3 ，ＢＮ，ＡｌＮ，Ｓｉ，Ｓｉ
Ｃ，Ｓｉ3 Ｎ4 及び／又はＳｉＯ2 から成ることができ
る。基板に適用する薄膜の厚みは、一般的に１０nm〜５
０μm であり、好ましくは５０〜５００nmの範囲であ
る。
【００１９】抵抗薄膜を、浸漬コーティング、噴霧又は
真空蒸発のような従来の薄膜堆積方法手段により基板上
に堆積することができる。しかし、好ましくは、該薄膜
を反応性陰極スパッター（反応性スパッター）により設
ける。反応性陰極スパッターの間に、クロム及びシリコ
ンを、固体ターゲットのイオンボンバードにより物理的
にスパッターする。Ｏ，Ｃ，Ｂ及びＮ元素を、ガス状出
発化合物として堆積チャンバ内に導入する。これらのガ
ス状出発化合物をプラズマ活性化により励起し、物理的
にスパッターされるＣｒ及びＳｉとともに基板上に堆積
される極めて反応性のある粒子を形成する。このよう
に、反応性陰極スパッタープロセスは、ＰＶＤとＣＶＤ
との組み合わせである。
【００２０】代わりに、酸化物、炭化物、窒化物、ホウ
化物又はＯ，Ｃ，Ｂ，Ｎの元素の他の固体化合物を含む
ターゲットを、イオンボンバードにより物理的にスパッ
ターする方法も用いることができる。前記方法において
は、同じ組成又は異なるＣｒ x Ｓｉy 組成を有する１又
はそれ以上のターゲットを用いる。代わりに、同じか又
は異なるＣｒx Ｓｉy Ｒｚ組成を有する１又はそれ以上
のターゲットを用いることができる。前記式中において
Ｒは、Ｏ，Ｂ，Ｃ，Ｎ又はＨ，Ｇｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆ
ｅ，Ａｌ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｒｕ又はＣｕのような上記
元素の１つ又はそれ以上のものである。ターゲット中の
０％〜１００％（相対）の間のＳｉ含量を、Ｇｅで置換
することができる。特に酸素含有Ｃｒx Ｓｉy Ｏz −サ
ーメットターゲットは適切であることが明らかとなっ
た。
【００２１】使用するＣｒx Ｓｉy ターゲット材料の
ｘ：ｙ組成は０：１００〜１００：０の範囲であり、好
ましくは２０：８０〜６０：４０である。３０：７０〜
５０：５０範囲の組成のものが極めて適切であることが
明らかとなった。Ｃｒx ＳｉyＲz ターゲット材料を用
いた場合には、ｘ：ｙは上記組成に相当し、（ｘ＋
ｙ）：ｚは０：１００〜１００：０、好ましくは９０：
１０〜５０：５０の範囲にある。
【００２２】堆積は、例えばＡｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，Ｂ
Ｎ，Ｓｉ，ＳｉＣ，Ｓｉ3 Ｎ4 及び／又はＳｉＯ2 のよ
うな基板上へ、反応性ガス含有雰囲気中で実施する。Ｃ
ｒx Ｓｉy Ｒz ターゲット材料を用いた場合には、前記
雰囲気は反応性ガスを含有する必要はない。
【００２３】酸素が他の元素と結合している適切な反応
性ガスは、二酸化炭素（ＣＯ2 ）、一酸化炭素（Ｃ
Ｏ）、笑気ガス（Ｎ2 Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸
化窒素（ＮＯ2 ）又は、ヘキサメチルジシロキサン（Ｈ
ＭＤＳＯ）、（ＣＨ3 )3ＳｉＯＳｉ（ＣＨ3 ）3 ）又は
ヘキサメチルシクロトリシロキサン（ＨＭＣＴＳＯ，
（（ＣＨ3 ）2 ＳｉＯ）3 ）のような酸素−、水素−及
びシリコン−含有反応性ガスである。水（Ｈ2 Ｏ）と比
較して、前記反応性ガスは、冷たい表面で吸着される傾
向は極めて少ないという利点を有し、従って、堆積プロ
セスの間一定である反応性ガス分圧を問題なく、例えば
ガス流制御装置により設定することができる。
【００２４】堆積されるべき抵抗薄膜の酸素含量を増大
させるために、分子状酸素（Ｏ2 ）及び／又は水（Ｈ2
Ｏ）を上記反応性ガス又は反応性ガス混合物に添加する
ことができ、これらは、酸素が他の元素と結合している
反応性ガスのタイプから少なくとも構成される。堆積す
べき抵抗薄膜の炭素−及び／又は窒素−及び／又はホウ
素含量を増大させるために、炭化水素（Ｃx Ｈy ）及び
／又は分子状窒素（Ｎ 2 ）及び／又はアンモニア（ＮＨ
3 ）及び／又はトリメチルボラゾールＴＭＢ、（Ｃ
Ｈ3 ）3 Ｂ3 Ｎ3 ）のような他の反応性ガスを上記反応
性ガス又は反応性ガス混合物に添加することができ、こ
れらは、酸素が他の元素と結合している反応性ガスのタ
イプから少なくとも成る。
【００２５】基板上に堆積された反応性薄膜を、次の熱
後処理手段により予めエージングすることができる。前
記後処理は、通常２００〜７００℃で、空気又は保護性
ガス又は真空中で数時間、好ましくは４００〜６００℃
で、空気中２〜６時間の焼戻しプロセスにより実施す
る。更に焼戻し（結晶化）により生ずる薄膜構造の変化
は、ＴＣＲを、例えば±１００ppm ／Ｋに変化すること
を可能にする。
【００２６】
【実施例】本発明を次の実施例により説明する。 実施例１：酸素−及び炭素含有ＣｒＳｉ薄膜を、平行板
高周波スパッター装置中で反応性陰極スパッターにより
堆積する。ポンプ系は、ターボ分子ポンプ（３００ｌ／
ｓ）と羽根型回転フォアポンプ（４０m3／ｈ）から構成
される。残留ガス圧は＜１０-5ミリバールであった。使
用する反応性ガスはＣＯ2 であった。このＣＯ2 ガス流
を１．１sccm（１分あたりの標準cm3 ）に設定した。ア
ルゴンを不活性ガスとして使用して、プロセス圧力を２
・１０-2ミリバールに設定した。これは約３０sccmのア
ルゴンガス流に相当する。ターゲット（φ＝１５０mm）
を、Ｃｒ（６０％）及びＳｉ（４０％）から構成した。
約７００Ｗのプラズマ電力での１時間のコーティングプ
ロセスで、１．４μm 厚みの薄膜が、セラミック−及び
シリコン基板上に堆積された、該堆積プロセス後、ファ
ンデルポーウ法（Van der Pauw′s 法）を用いてセラミ
ック基板上の測定をすると、抵抗は３００，０００μΩ
cmで、ＴＣＲは−１，４３０ppm ／Ｋを示した。電子ビ
ーム微量分析（ＥＢＭＨ）により、薄膜は次の組成であ
ることが決定された： ・ Ｃｒが３１％ ・ Ｓｉが１９％ ・ Ｏ が２６％ ・ Ｃ が２４％
【００２７】空気中、７００℃で３時間焼戻しした後に
は、抵抗は１６５，０００μΩcm、ＴＣＲは−２８ppm
／Ｋの測定値を示した。該焼戻しした後には、膜は次の
組成であることが決定された： ・ Ｃｒが３０％ ・ Ｓｉが２０％ ・ Ｏ が２９％ ・ Ｃ が２１％
【００２８】実施例２： − ターゲット組成：Ｃｒが２８％とＳｉが７２％ − 反応性ガス流 ：ＣＯ2 を０．８５sccm とした以外は、実施例１に記載したと同様のプロセス条
件及びコーティング装置中で、他の酸素−及び炭素−含
有ＣｒＳｉ膜を堆積する。
【００２９】１時間のコーティングプロセスを実施した
後には、フィルム膜厚は１．２μmとなった。抵抗は２
２，０００μΩcm、ＴＣＲは−７３２ppm ／Ｋであっ
た。空気中、６００℃で３時間焼戻しした後には、抵抗
は２８，５００μΩcm、ＴＣＲは−５２ppm ／Ｋであっ
た。該焼戻しした後には、薄膜は次の組成であった： ・ Ｃｒが１８％ ・ Ｓｉが４０％ ・ Ｏ が２６％ ・ Ｃ が１６％
【００３０】実施例３：実施例１に記載したようなコー
ティング装置と、２８％のクロムと７２％のシリコンか
らなるターゲットを用いて、２種の抵抗薄膜を堆積し
た。 ・薄膜１：酸素を反応性ガスとして使用；Ｏ2 分圧＝
０．０７０Ｐａ ・薄膜２：二酸化炭素を反応性ガスとして使用；ＣＯ2
分圧＝０．０４３Ｐａ 他のコーティングパラメータは全て同じであった： ・ 不活性ガス：アルゴン ・ プラズマ電力：０．７７ｋＷ ・ ターゲットバイアス：２．０ｋＶ ・ 基板バイアス：接地 ・ コーティング時間：１時間 ・ 基板：−電気的測定用に８個のＡｌ2 Ｏ3 セラミッ
ク基板（１０×１０mm） −１個は約１０cmの長さ及び約１cmの幅のストリップ
で、ＥＢＭＡにより薄膜組成を決定するために使用され
る磨かれたシリ コンのストリップで
ある。
【００３１】得られた薄膜の厚みは、薄膜１に関し１．
９μm 、薄膜２に関し１．５μm であった。基板の位置
の関数として、薄膜中の酸素含量の分布を図１に示す。
基板の位置の関数として抵抗値の分布を図２に示す。本
例は、同じコーティング条件下で、酸素の代わりに反応
性ガスとして二酸化炭素を用いた場合には、酸素含量の
横方向変化及び、従って同様に抵抗値の変化がかなり小
さいことを表している。
【００３２】実施例４：実施例１に記載したコーティン
グ装置中で、２８％のクロムと７２％のシリコンから成
るターゲットを用い、２種の実験による抵抗薄膜を堆積
した： ・ 実験Ｉ：反応性ガス及び変動反応性ガス流として酸
素を使用 ・ 実験II：反応性ガス及び変動反応性ガス流として二
酸化炭素を使用
【００３３】他の全てのコーティングパラメーターは実
施例２と同様であった。図３は、予め決められた反応性
ガス流に関して得られる抵抗の依存性を示す。酸素含量
は、コーティングプロセスの間、基板電極の真中に位置
するシリコン基板上で測定した。抵抗は、コーティング
プロセスの間、基板電極の真中に位置するセラミック基
板上で測定した。
【００３４】本例は、反応性ガスとして二酸化炭素を使
用した場合、酸素含量が、予め決められた反応性ガス流
の増加に従い連続的に増加すること、及びこの方法で高
い抵抗値が再現性良く得られることを表わしている。酸
素を二酸化炭素の代わりに反応性ガスとして使用する場
合には、酸素含量は約２５％から６５％に段階的に増加
する。この結果として、高い抵抗を有する抵抗薄膜を再
現性良く堆積できるかが疑わしくなる。
【００３５】実施例５：酸素−及び炭素−含有ＣｒＳｉ
薄膜を、高周波スパッター装置中で反応性陰極スパッタ
ーにより堆積する。かかるプロセス中、バルク材料を使
用した。
【００３６】ポンプ系は、ターボ分子ポンプ（４５０ｌ
／ｓ）と羽根型回転フォアポンプ（３０m3／ｈ）から構
成される。残留ガス圧は、＜３・１０-6ミリバールであ
った。ＣＯ2 を反応性ガスとして使用した。
【００３７】コーティングプロセス間のＣＯ2 ガス流
は、０．５５sccmであった。アルゴンを不活性ガスとし
て使用して、プロセス圧力を２．５・１０-2ミリバール
に設定した。ターゲットを、Ｃｒ（２８％）及びＳｉ
（７２％）から構成した。堆積を、１．０ｋＷのスパッ
ター電力で丸い酸化アルミニウムセラミックに実施し
た。１６４分のコーティング後には、１１．９ｋΩ／□
の表面抵抗（１００nmのフィルム厚での１１９，０００
μオームに相当）及び−４５７ppm ／ＫのＴＣＲが得ら
れた。表面抵抗の広がりは１６％であった。ＴＣＲの広
がりは５３ppm ／Ｋであった。空気中４６０℃で３時間
焼戻しした後には、２４．７ｋΩ／□の抵抗（１００nm
の膜厚での２４７，０００μオームに相当）及び＋２１
ppm ／ＫのＴＣＲが得られた。表面抵抗の広がりは２６
％であった。ＴＣＲの広がりは３６ppm／Ｋであった。
【００３８】実施例６：実施例５に従って、Ｏ2 とＣＯ
2 の反応性ガス混合物を、他のコーティングサイクルで
使用した。反応性ガス流は、各々０．４０sccmに設定し
た。１６５分のコーティングの後には、２０．４ｋΩ／
□の表面抵抗（１００nmのフィルム厚での２０４，００
０μオームに相当）及び−６３３ppm ／ＫのＴＣＲが得
られた。表面抵抗の広がりは２０％であった。ＴＣＲの
広がりは４６ppm ／Ｋであった。空気中４８０℃で３時
間焼戻しした後には、４８．７ｋΩ／□の表面抵抗（１
００nmの膜厚での４８７，０００μオームに相当）及び
＋１８ppm ／ＫのＴＣＲが得られた。表面抵抗の広がり
は３５％であった。ＴＣＲの広がりは５６ppm ／Ｋであ
った。
【図面の簡単な説明】
【図１】基板の位置及び反応性ガスのタイプの関数とし
て、抵抗薄膜中の酸素含量を示す線図である。
【図２】基板の位置及び反応性ガスのタイプの関数とし
て、抵抗薄膜の抵抗を示す線図である。
【図３】反応性ガス流及び反応性ガスのタイプの関数と
して、抵抗薄膜中の酸素含量を示す線図である。
【図４】反応性ガス及び反応性ガスのタイプの関数とし
て、抵抗薄膜中の抵抗を示す線図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596033613 フラウンフォーファー−ゲゼルシャフト ズール フェルデルンク デル アンゲヴ ァンデッテン フォルシュング エ ファ ウ ＦＲＡＵＮＨＯＦＥＲ−ＧＥＳＥＬＬＳＣ ＨＡＦＴ ＺＵＲ ＦＯＲＤＥＲＵＮＧ ＤＥＲ ＡＮＧＥＷＡＮＤＴＥＮ ＦＯＲ ＳＣＨＵＮＧ Ｅ．Ｖ. ドイツ連邦共和国 80636 ミュンヘン レオナルドシュトラーセ 54 (72)発明者 レイナー ヴェイル ドイツ連邦共和国 25746 ハイデ オス トロハー ヴェーク 74 (72)発明者 ルドルフ ティーエン ドイツ連邦共和国 24250 ボスカンプ ホーフ ボスカンプ（番地なし) (72)発明者 ヘニング ボネス ドイツ連邦共和国 22880 ヴェーデル モーツァルトシュトラーセ ６

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に設けることができ、少なくとも
    １つはＣｒＳｉを主成分とする１又はそれ以上の抵抗薄
    膜から成る抵抗素子であって、該ＣｒＳｉを主成分とす
    る抵抗薄膜は５〜５０％のＣｒ、１０〜７０％のＳｉ、
    ５〜５０％のＯと、１〜５０％の濃度のＢ，Ｃ及びＮか
    ら成る群より選ばれる少なくとも１つの元素とを含むこ
    とを特徴とする抵抗素子。
  2. 【請求項２】 ＣｒＳｉを主成分とする抵抗薄膜は、２
    ０〜４０％のＣｒ、１０〜３０％のＳｉ、１０〜４０％
    のＯと、１〜４０％の濃度のＢ，Ｃ及びＮから成る群よ
    り選ばれる少なくとも１つの元素とを含むことを特徴と
    する請求項１記載の抵抗素子。
  3. 【請求項３】 ＣｒＳｉを主成分とする抵抗薄膜は、２
    ５〜３５％のＣｒ、１５〜２５％のＳｉ、２０〜３０％
    のＯと、１〜３０％の濃度のＢ，Ｃ及びＮから成る群よ
    り選ばれる少なくとも１つの元素とを含むことを特徴と
    する請求項１記載の抵抗素子。
  4. 【請求項４】 ＣｒＳｉを主成分とする抵抗薄膜は、１
    ０〜３０％のＣｒ、２０〜６０％のＳｉ、２０〜５０％
    のＯと、１〜４０％の濃度のＢ，Ｃ及びＮから成る群よ
    り選ばれる少なくとも１つの元素とを含むことを特徴と
    する請求項１記載の抵抗素子。
  5. 【請求項５】 ＣｒＳｉを主成分とする抵抗薄膜は、１
    ６〜２０％のＣｒ、３５〜４５％のＳｉ、２０〜３０％
    のＯと、１５〜２５％のＣとを含むことを特徴とする請
    求項１記載の抵抗素子。
  6. 【請求項６】 ＣｒＳｉを主成分とする抵抗薄膜は、更
    に、１〜２０％の水素を含むことを特徴とする請求項１
    記載の抵抗素子。
  7. 【請求項７】 抵抗薄膜は、更に１〜５％のＧｅ，Ｎ
    ｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ａｌ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｒｕ又はＣｕ
    を含むことを特徴とする請求項１記載の抵抗素子。
  8. 【請求項８】 ＣｒＳｉを主成分とする抵抗薄膜の厚み
    は、１０nm〜１０μm であることを特徴とする請求項１
    記載の抵抗素子。
  9. 【請求項９】 基板はＡｌ2 Ｏ3 、ＢＮ，ＡｌＮ，Ｓ
    ｉ，ＳｉＣ，Ｓｉ3 Ｎ 4 及び／又はＳｉＯ2 から成るこ
    とを特徴とする請求項１記載の抵抗素子。
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