JPH0825793B2 - 低誘電率磁器組成物 - Google Patents
低誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0825793B2 JPH0825793B2 JP61223643A JP22364386A JPH0825793B2 JP H0825793 B2 JPH0825793 B2 JP H0825793B2 JP 61223643 A JP61223643 A JP 61223643A JP 22364386 A JP22364386 A JP 22364386A JP H0825793 B2 JPH0825793 B2 JP H0825793B2
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- dielectric constant
- mol
- component
- low dielectric
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁器コンデンサ等に使用されるSrTiO3−Ca
TiO3−PbTiO3系低誘電率磁器組成物に関するものであ
る。
TiO3−PbTiO3系低誘電率磁器組成物に関するものであ
る。
従来の低誘電率磁器組成物はSrTiO3−CaTiO3−Bi2O3
・xTiO2系の組成物が一般的に知られているが、この系
のものは誘電率が300程度であった。そしてこれ以上の
誘電率を得ようとすると温度係数が増大し、例えば温度
係数は−1500PPM/℃となり、また誘電的Ｑ値の劣化等が
問題となっていた。
・xTiO2系の組成物が一般的に知られているが、この系
のものは誘電率が300程度であった。そしてこれ以上の
誘電率を得ようとすると温度係数が増大し、例えば温度
係数は−1500PPM/℃となり、また誘電的Ｑ値の劣化等が
問題となっていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は、前記の問題点を解決しようとするものであ
り、＋25℃〜85℃の温度範囲において、25℃の温度を基
準としたとき温度係数が−1500PPM/℃以下で誘電率が35
0以上と従来のものと比較して大きな誘電率をもつ低誘
電率磁器組成物を提供しようとするものである。
り、＋25℃〜85℃の温度範囲において、25℃の温度を基
準としたとき温度係数が−1500PPM/℃以下で誘電率が35
0以上と従来のものと比較して大きな誘電率をもつ低誘
電率磁器組成物を提供しようとするものである。
本発明者らは鋭意研究を進めた結果、SrTiO3−CaTiO3
−PbTiO3を主成分とし、これに対して副成分としてBi2O
3−TiO2を適当量添加含有させることによって前記の目
的組成物が得られることを見出し本発明に到達したもの
である。
−PbTiO3を主成分とし、これに対して副成分としてBi2O
3−TiO2を適当量添加含有させることによって前記の目
的組成物が得られることを見出し本発明に到達したもの
である。
さらにまた、副成分としてガラス成分またはMnO,SiO2
およびガラス成分を適正量添加含有させることによって
さらに優れた低誘電率磁器組成物が得られることを見出
したものである。
およびガラス成分を適正量添加含有させることによって
さらに優れた低誘電率磁器組成物が得られることを見出
したものである。
出発原料として、炭酸ストロンチウムSrCO3、炭酸カ
ルシウムCaCO3、酸化鉛PbO、酸化チタンTiO2、酸化ビス
マスBi2O3、酸化マンガンMnO、酸化シリコンSiO2を用
い、第１表の配合比で秤量し、これら原料配合物をボー
ルミルで湿式混合撹拌を20時間行い、その後脱水乾燥
し、1000〜1100℃で仮焼成し、化学反応を行わせた。こ
れを再びボールミルで微粉砕するがこのときガラスフリ
ット（ガラス成分はB2O38.0〜90.0wt％、PbO40〜90wt
％、SiO20〜40wt％を主成分とし、その他の酸化物CaO、
MgO、Na2O等０〜50wt％より成る）を添加して混合粉砕
する。これを脱水乾燥して、これに有機結合剤としてPV
Aを添加し、造粒整粒を行い顆粒粉末としこの粉末を約3
ton/cm2の成型圧力で16.5φ×0.6tmmの円盤状に成型す
る。この成型物を脱バインダし空気中で1200〜1350℃で
約２時間本焼成して磁器素体を得た。こうして得られた
磁器素子の両面にAgペーストを焼付け、これにリード線
を半田付して電極を形成した低誘電率組成物を得た。
ルシウムCaCO3、酸化鉛PbO、酸化チタンTiO2、酸化ビス
マスBi2O3、酸化マンガンMnO、酸化シリコンSiO2を用
い、第１表の配合比で秤量し、これら原料配合物をボー
ルミルで湿式混合撹拌を20時間行い、その後脱水乾燥
し、1000〜1100℃で仮焼成し、化学反応を行わせた。こ
れを再びボールミルで微粉砕するがこのときガラスフリ
ット（ガラス成分はB2O38.0〜90.0wt％、PbO40〜90wt
％、SiO20〜40wt％を主成分とし、その他の酸化物CaO、
MgO、Na2O等０〜50wt％より成る）を添加して混合粉砕
する。これを脱水乾燥して、これに有機結合剤としてPV
Aを添加し、造粒整粒を行い顆粒粉末としこの粉末を約3
ton/cm2の成型圧力で16.5φ×0.6tmmの円盤状に成型す
る。この成型物を脱バインダし空気中で1200〜1350℃で
約２時間本焼成して磁器素体を得た。こうして得られた
磁器素子の両面にAgペーストを焼付け、これにリード線
を半田付して電極を形成した低誘電率組成物を得た。
このようにして得られた各試料の電気的諸特性を測定
した結果を第１表に示した。ここで誘電率εｓは周波数
50Hz、1.0Vで、絶縁抵抗は直流500Vを印加しつつ室温25
℃で測定した。
した結果を第１表に示した。ここで誘電率εｓは周波数
50Hz、1.0Vで、絶縁抵抗は直流500Vを印加しつつ室温25
℃で測定した。
第１表から明らかなように、本発明の範囲内のもの
は、誘電率が約350以上と高い値を示し、25℃の温度を
基準としたとき温度係数が−1500PPM/℃と小さい値を示
している。
は、誘電率が約350以上と高い値を示し、25℃の温度を
基準としたとき温度係数が−1500PPM/℃と小さい値を示
している。
主成分として、SrTiO346.0〜62.0mol％、CaTiO331.0
〜48.0mol％、PbTiO36.0〜12.0mol％とし、副成分とし
てBi2O30.5〜5.20wt％、TiO20.5〜2.85wt％で本発明の
目的とする諸特性を満足している（試料No.1〜3,5〜1
9、28〜34）。さらに良好な温度係数を得ようとする
と、主成分としてSrTiO348.0〜53.0mol％、CaTiO337.0
〜46.0mol％、PbTiO36.5〜10.0mol％とし、副成分とし
てBi2O34.1〜5.2wt％、TiO21.1〜2.85wt％で温度係数−
1050〜−1310PPM/℃とかなり良好となる（試料No.10〜1
9、32〜34）。副成分としてさらにMnO0.05〜0.10wt％添
加すると本発明の目的とする諸特性を満足するだけでな
く、コンデンサの特性の一つである絶縁抵抗も大幅に改
善される（試料No.36〜37）。副成分としてさらにSiO
20.30wt％、ガラス成分0.50〜2.5wt％添加すると温度係
数−900PPM/℃以下となり、しかも誘電率は400以上と非
常にすぐれた特性を示す。そして、焼成温度も低くなる
というすぐれた特徴をそなえている（試料No.39〜4
1）。副成分としてさらにガラス成分0.5〜2.5wt％添加
すると、温度係数が低下し、Ｑ値は向上する（資料No.4
6〜50）。
〜48.0mol％、PbTiO36.0〜12.0mol％とし、副成分とし
てBi2O30.5〜5.20wt％、TiO20.5〜2.85wt％で本発明の
目的とする諸特性を満足している（試料No.1〜3,5〜1
9、28〜34）。さらに良好な温度係数を得ようとする
と、主成分としてSrTiO348.0〜53.0mol％、CaTiO337.0
〜46.0mol％、PbTiO36.5〜10.0mol％とし、副成分とし
てBi2O34.1〜5.2wt％、TiO21.1〜2.85wt％で温度係数−
1050〜−1310PPM/℃とかなり良好となる（試料No.10〜1
9、32〜34）。副成分としてさらにMnO0.05〜0.10wt％添
加すると本発明の目的とする諸特性を満足するだけでな
く、コンデンサの特性の一つである絶縁抵抗も大幅に改
善される（試料No.36〜37）。副成分としてさらにSiO
20.30wt％、ガラス成分0.50〜2.5wt％添加すると温度係
数−900PPM/℃以下となり、しかも誘電率は400以上と非
常にすぐれた特性を示す。そして、焼成温度も低くなる
というすぐれた特徴をそなえている（試料No.39〜4
1）。副成分としてさらにガラス成分0.5〜2.5wt％添加
すると、温度係数が低下し、Ｑ値は向上する（資料No.4
6〜50）。
〔発明の効果〕 本発明のSrTiO3−CaTiO3−PbTiO3系低誘電率磁器組成
物によると、主成分として、SrTiO346.0〜62.0mol％、C
aTiO331.0〜48.0mol％、PbTiO36.0〜12.0mol％に対して
副成分としてBi2O30.5〜5.20wt％、TiO20.5〜2.85wt％
を添加することによって、従来の低誘電率磁器組成物で
は得られなかった高い誘電率εｓと＋25〜85℃の温度範
囲において25℃を基準とした温度係数の小さい低誘電率
磁器組成物が得られた。さらに、また、副成分としてMn
O,SiO2,ガラス成分等を適正量添加することによって誘
電率εｓ、温度係数の良好なものが得られ、なおかつ絶
縁抵抗、誘電的Ｑ値、焼成温度、焼結性等の良好なもの
が得られた。
物によると、主成分として、SrTiO346.0〜62.0mol％、C
aTiO331.0〜48.0mol％、PbTiO36.0〜12.0mol％に対して
副成分としてBi2O30.5〜5.20wt％、TiO20.5〜2.85wt％
を添加することによって、従来の低誘電率磁器組成物で
は得られなかった高い誘電率εｓと＋25〜85℃の温度範
囲において25℃を基準とした温度係数の小さい低誘電率
磁器組成物が得られた。さらに、また、副成分としてMn
O,SiO2,ガラス成分等を適正量添加することによって誘
電率εｓ、温度係数の良好なものが得られ、なおかつ絶
縁抵抗、誘電的Ｑ値、焼成温度、焼結性等の良好なもの
が得られた。
Claims (3)
- 【請求項１】SrTiO346.0〜62.0mol％、CaTiO331.0〜48.
0mol％、PbTiO36.0〜12.0mol％を主成分とし、これに対
し副成分としてBi2O30.5〜5.20wt％およびTiO20.5〜2.8
5wt％をそれぞれ添加含有したことを特徴とするSrTiO3
−CaTiO3−PbTiO3系低誘電率磁器組成物。 - 【請求項２】SrTiO348.0〜53.0mol％、CaTiO337.0〜46.
0mol％、PbTiO36.5〜10.0mol％を主成分とし、これに対
し副成分としてBi2O34.1〜5.20wt％、TiO21.1〜2.85wt
％およびMnO0.05〜0.10wt％をそれぞれ添加含有したこ
とを特徴とするSrTiO3−CaTiO3−PbTiO3系低誘電率磁器
組成物。 - 【請求項３】前記主成分および副成分に対して、副成分
としてさらにガラス成分0.5〜2.5wt％またはSiO20.30wt
％およびガラス成分0.50〜2.50wt％添加含有したことを
特徴とする特許請求の範囲第２項記載の低誘電率磁器組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61223643A JPH0825793B2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 低誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61223643A JPH0825793B2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 低誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6379754A JPS6379754A (ja) | 1988-04-09 |
| JPH0825793B2 true JPH0825793B2 (ja) | 1996-03-13 |
Family
ID=16801399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61223643A Expired - Fee Related JPH0825793B2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 低誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0825793B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5329599A (en) * | 1976-08-30 | 1978-03-18 | Taiyo Yuden Kk | Dielectric ceramic composition |
| JPS5331280A (en) * | 1976-09-02 | 1978-03-24 | Iwao Miura | Drilling device for pipes |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP61223643A patent/JPH0825793B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6379754A (ja) | 1988-04-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |