JPS61185810A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS61185810A JPS61185810A JP60025125A JP2512585A JPS61185810A JP S61185810 A JPS61185810 A JP S61185810A JP 60025125 A JP60025125 A JP 60025125A JP 2512585 A JP2512585 A JP 2512585A JP S61185810 A JPS61185810 A JP S61185810A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- titanate
- sample
- ceramic composition
- dielectric ceramic
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- Granted
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、Ｊ工Ｓに規定さｎたＵＫ特性を満足する温度
補償用磁器コンデンサに用いらｎる誘電体磁器組成物に
関する。
補償用磁器コンデンサに用いらｎる誘電体磁器組成物に
関する。
（従来の技術）
帰庫−ｍｙ愁妊箇纏廖捧涜田ｍ呂コンデンサに用いらｎ
る誘電体磁器組成物の成分構成が、チタン酸ストロンチ
ウム（ＳｒＴｉＯｌ）、チタン酸カルシウム（ＯＩＬＴ
１０３）、酸化ビスマス（ＢｉｌＯｌ）、酸化鉛（ｐｂ
ｏ）から成るものが知られている。
る誘電体磁器組成物の成分構成が、チタン酸ストロンチ
ウム（ＳｒＴｉＯｌ）、チタン酸カルシウム（ＯＩＬＴ
１０３）、酸化ビスマス（ＢｉｌＯｌ）、酸化鉛（ｐｂ
ｏ）から成るものが知られている。
（解決しようとする問題点）
上記の誘電体磁器組成物は比誘電率が２００〜３５０と
小さい。このため小型化されたコンデンサでは静電容量
の大きなものが得られなかった。本発明は、比誘電率が
４００〜７００の範囲にあるＵＫ特性を満足する温度補
償用磁器コンデンサに用いらｎる誘電体磁器組成物全提
供することをその目的としたものである。
小さい。このため小型化されたコンデンサでは静電容量
の大きなものが得られなかった。本発明は、比誘電率が
４００〜７００の範囲にあるＵＫ特性を満足する温度補
償用磁器コンデンサに用いらｎる誘電体磁器組成物全提
供することをその目的としたものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、チタン酸ストロンチウム（Ｓ ｒＴｉｏ、）
が３４．６〜４９．４重量％、チタン酸鉛（ｐｂＴｔｏ
３）カ１．０〜１９．８１ｉｆｉ％、チタン酸ビスマス
（Ｂ ｉｌ Ｏｓ ・３ Ｔ ｉ、 ０１ ）が１４．
８〜２９．７重量％、チタン酸カルシウム（ＯａＴｌｏ
ｇ）が１９．８〜２９．７重量％、酸化銅（＜） ｕ
Ｏ）が１０２〜ＣＬ７重量％、酸化マンガン（Ｍｎ、Ｏ
）が炭酸マンガン（Ｍ ｎ ００３ ）に換算してＣＬ
１５〜０．５重量％からなる配合物を焼成してなる。
が３４．６〜４９．４重量％、チタン酸鉛（ｐｂＴｔｏ
３）カ１．０〜１９．８１ｉｆｉ％、チタン酸ビスマス
（Ｂ ｉｌ Ｏｓ ・３ Ｔ ｉ、 ０１ ）が１４．
８〜２９．７重量％、チタン酸カルシウム（ＯａＴｌｏ
ｇ）が１９．８〜２９．７重量％、酸化銅（＜） ｕ
Ｏ）が１０２〜ＣＬ７重量％、酸化マンガン（Ｍｎ、Ｏ
）が炭酸マンガン（Ｍ ｎ ００３ ）に換算してＣＬ
１５〜０．５重量％からなる配合物を焼成してなる。
（実施例及び比較例）
まず、９８％以上の純度を有するＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏｓ
、ＰｂＴｉ０． 、Ｂｉｂ Ｏ，−３ＴｉＯ１，０ａＴ
ｉ０３ 、Ｏｕｒ、 Ｍｎ０Ｏ。
、ＰｂＴｉ０． 、Ｂｉｂ Ｏ，−３ＴｉＯ１，０ａＴ
ｉ０３ 、Ｏｕｒ、 Ｍｎ０Ｏ。
の粉末を夫々用意し、第１表の配合物の組成に示すよう
に、種々の組成比になるように秤量した。
に、種々の組成比になるように秤量した。
第１表
次に、秤量した材料をポリエチレンポットにアルミナボ
ールと共に入ｎてそｎ−Ｐｎの組成比の材料を湿式混合
した。次に混合物全脱水し、２００ ’Ｃで３時間乾燥
を行なった後、これら金ポリビニールアルコールと共に
摺潰機にて混合しろ０メツシユの篩にかけてパスしたも
の全１５０°Ｃｌ２Ｏ分で乾燥した後、加圧成型機にて
１トン／ｃｒＩの加圧をして直径１＆５Ｍ、厚さ１ｆｆ
ｌｊｌの円板成型体金得た。次に成型体をトンネル炉に
おいて第１表に示す温度で２時間焼成し、直径１五Ｂ絹
、厚さ０．８５ｍの円板状磁器素子を得た。この円板状
磁器素子の両生面のほぼ全面に銀ペーストを塗布し、７
６０゛Ｃで２０分間の焼き付けて電極を形成し、板状磁
器コンデンサ試料＆１〜２１を作製した。
ールと共に入ｎてそｎ−Ｐｎの組成比の材料を湿式混合
した。次に混合物全脱水し、２００ ’Ｃで３時間乾燥
を行なった後、これら金ポリビニールアルコールと共に
摺潰機にて混合しろ０メツシユの篩にかけてパスしたも
の全１５０°Ｃｌ２Ｏ分で乾燥した後、加圧成型機にて
１トン／ｃｒＩの加圧をして直径１＆５Ｍ、厚さ１ｆｆ
ｌｊｌの円板成型体金得た。次に成型体をトンネル炉に
おいて第１表に示す温度で２時間焼成し、直径１五Ｂ絹
、厚さ０．８５ｍの円板状磁器素子を得た。この円板状
磁器素子の両生面のほぼ全面に銀ペーストを塗布し、７
６０゛Ｃで２０分間の焼き付けて電極を形成し、板状磁
器コンデンサ試料＆１〜２１を作製した。
そｎぞれの試料の比誘電率εＢ１誘電体損失（ｔａｎ
ａ 、％）、比誘電率の温度係数（ｐｐｌ／’Ｃ）全測
定した。その結果金弟２表に示す。また、試料の比誘電
率の温度変化率の直線性を測定した。
ａ 、％）、比誘電率の温度係数（ｐｐｌ／’Ｃ）全測
定した。その結果金弟２表に示す。また、試料の比誘電
率の温度変化率の直線性を測定した。
ｋ小廿梃の＾七廿梃ｘ＜ｙｔｑセト７１” ＆ Ｑの支
線性ｔ−図面に示す。
線性ｔ−図面に示す。
比誘電率εＢおよび誘電体損失（ｔａｎδ）はＩ ＭＨ
ｚにおける値である。比誘電率の温度係数は、試料ｆニ
ー２５”Ｃに５分間保ち、その後２０℃まで上昇させて
２０分保持した後に静電容量（Ｃ９）を測定し、次に８
５゛Ｃに上昇させて５分間保持した後に静電容量（０，
）全測定し、各静電容量値（ｇｇ ｇＨ７ｇ、 ｍ
Ｔ （８５２０） ）Ｘｌ ０ なる式にｇ。
ｚにおける値である。比誘電率の温度係数は、試料ｆニ
ー２５”Ｃに５分間保ち、その後２０℃まで上昇させて
２０分保持した後に静電容量（Ｃ９）を測定し、次に８
５゛Ｃに上昇させて５分間保持した後に静電容量（０，
）全測定し、各静電容量値（ｇｇ ｇＨ７ｇ、 ｍ
Ｔ （８５２０） ）Ｘｌ ０ なる式にｇ。
及Ｕ ＃ｓｓ ’ｆｒ：代入して求めた。試料の比誘電
率の温度変化率の直線性は、上述の２０゛Ｃおよび８５
゛Ｃの比誘電率の他に−２５’Ｃ，−１５”Ｃ，０℃、
４０’Ｃ，６０”Ｃの各温度に１０分間保持し、その温
度における比誘電率を測定し、添付図面のようにグラフ
化することにより調べた。
率の温度変化率の直線性は、上述の２０゛Ｃおよび８５
゛Ｃの比誘電率の他に−２５’Ｃ，−１５”Ｃ，０℃、
４０’Ｃ，６０”Ｃの各温度に１０分間保持し、その温
度における比誘電率を測定し、添付図面のようにグラフ
化することにより調べた。
第１表、第２表において、試料＆１〜＆１１は本考案の
実施例であり、試料属１２〜＆２１は比較例である。丁
なわち、上記試料＆１〜＆１１の測定結果より、本発明
の目的全達成するのはチタン酸ストロンチウムｔ−５４
６〜４９．４重量％の範囲にしたものであることが判っ
た。
実施例であり、試料属１２〜＆２１は比較例である。丁
なわち、上記試料＆１〜＆１１の測定結果より、本発明
の目的全達成するのはチタン酸ストロンチウムｔ−５４
６〜４９．４重量％の範囲にしたものであることが判っ
た。
この範囲外すなわち、チタン酸ストロンチューム（Ｓｒ
ＴｉＯｌ）が４９．４重量％を超えると、例えば試料Ａ
１２のように誘電率の温度係数が一１００〇四／”Ｃを
大幅に超えて悪く、３Ｌ６重量−未満になると例えば試
料＆１４のように誘電率の温度係数が一１０００ｐＩｍ
／°Ｃｔ−大幅に超えて悪くなった。チタン酸鉛は１．
０〜１９．８重量％の範囲のものが本発明の目的を達し
た。
ＴｉＯｌ）が４９．４重量％を超えると、例えば試料Ａ
１２のように誘電率の温度係数が一１００〇四／”Ｃを
大幅に超えて悪く、３Ｌ６重量−未満になると例えば試
料＆１４のように誘電率の温度係数が一１０００ｐＩｍ
／°Ｃｔ−大幅に超えて悪くなった。チタン酸鉛は１．
０〜１９．８重量％の範囲のものが本発明の目的を達し
た。
この範囲外、すなわち、チタン酸鉛（ｐｂＴｌｏ、）が
１９．８重量％を超えると、試料黒１５のように噛δが
悪くなり且つ温度係数も一１ｏ ｏ Ｏｐｐ／”Ｃを大
幅に超えて悪くなり、１．０重量％未満では添加効果が
無くなってしまった。
１９．８重量％を超えると、試料黒１５のように噛δが
悪くなり且つ温度係数も一１ｏ ｏ Ｏｐｐ／”Ｃを大
幅に超えて悪くなり、１．０重量％未満では添加効果が
無くなってしまった。
またチタン酸ビスマスが１４．８〜２９．７重量％の範
囲に秤量したものが本発明の目的を達成することが判っ
た。
囲に秤量したものが本発明の目的を達成することが判っ
た。
この範囲外、すなわち、チタン酸ビスマス（ｎｌ、ｏ、
・３ＴｉＯ，）が２９．７重量％を超えると、試料４１
Ｂのように温度係数が−１０００Ｐ／’Ｃｅ超えて悪く
なり、１４．８重量％未満になると、試料Ａ１３のよう
に温度係数が一１ｏ ｏ Ｏｐａ／’Ｃを大幅に超えて
しまった。
・３ＴｉＯ，）が２９．７重量％を超えると、試料４１
Ｂのように温度係数が−１０００Ｐ／’Ｃｅ超えて悪く
なり、１４．８重量％未満になると、試料Ａ１３のよう
に温度係数が一１ｏ ｏ Ｏｐａ／’Ｃを大幅に超えて
しまった。
上記と同様の試料からチタン醗カルシウムは１９．８〜
２９．７重量％の範囲に秤量したものが本発明の目的を
達成するものであることが判った。
２９．７重量％の範囲に秤量したものが本発明の目的を
達成するものであることが判った。
チタン醗カルシウム（ｏａＴ１ｏ３）が２９．７重量％
を超えると、試料Ａ１７のように温度係数が−１ｏ ｏ
ａｐＩｍ／”Ｃを超えて悪く、１９，８重量％未満に
なると試料潟１９のように−δが悪く、比誘電率の温度
変化率の直線性が悪い。
を超えると、試料Ａ１７のように温度係数が−１ｏ ｏ
ａｐＩｍ／”Ｃを超えて悪く、１９，８重量％未満に
なると試料潟１９のように−δが悪く、比誘電率の温度
変化率の直線性が悪い。
酸化銅においては、α０２〜α７重量％の範囲が本発明
の目的を達成する範囲であった。
の目的を達成する範囲であった。
酸化銅（Ｏｕ ｏ）が１７重量％を超えると焼結が困難
であり、たとえ焼結し得たとしても必要な誘電率が得ら
れない。［Ｌ０２重量％未滴になると添加効果が無くな
る。炭酸マンガンの秤量範囲がα１５〜１８重量％であ
ると、本発明の目的を達成するものとなった。
であり、たとえ焼結し得たとしても必要な誘電率が得ら
れない。［Ｌ０２重量％未滴になると添加効果が無くな
る。炭酸マンガンの秤量範囲がα１５〜１８重量％であ
ると、本発明の目的を達成するものとなった。
炭酸マンガン（Ｍ ｎ Ｏ０１）が（Ｌ８重量％を超え
ると試料Ａ２０のようにＷδが悪くなり、かつ温度係数
が−１０００ｐＩｍ／’Ｃを超えて悪くなる。ａ、１５
重量％未満では添加効果が認めらｎなくなり更に焼結性
も無くなる。
ると試料Ａ２０のようにＷδが悪くなり、かつ温度係数
が−１０００ｐＩｍ／’Ｃを超えて悪くなる。ａ、１５
重量％未満では添加効果が認めらｎなくなり更に焼結性
も無くなる。
上述から明らかなように、本発明の実施例である試料Ａ
１〜Ａ１１では、比誘電率は４００〜７００の範囲にあ
り、比誘電率の温度係数は−１０００ｐｐｍ／”Ｃ未満
である。そして代表例で示すように比誘電率の変化率の
直線性の良好のものが得られた。
１〜Ａ１１では、比誘電率は４００〜７００の範囲にあ
り、比誘電率の温度係数は−１０００ｐｐｍ／”Ｃ未満
である。そして代表例で示すように比誘電率の変化率の
直線性の良好のものが得られた。
尚、実施例では単一固溶体の化合物を用いたが、そｎぞ
ｎの元素Ｓｒ、ｉｐ’ｂ、 Ｂｉ、Ｏａ、Ｔｉ、ＯｕＳ
Ｍｎがその代表的な酸化物に換算して本発明となるよう
に含まれていｎばよい。
ｎの元素Ｓｒ、ｉｐ’ｂ、 Ｂｉ、Ｏａ、Ｔｉ、ＯｕＳ
Ｍｎがその代表的な酸化物に換算して本発明となるよう
に含まれていｎばよい。
（発明の効果）
本発明によれば、比誘電率の温度係数が−５００ｐＰ／
”ＣＮ３０００ ｐＩｍ／”Ｃの範囲内（Ｊ工Ｓ規格の
ＵＫ特性）で且つ比誘電率が４００〜７００の範囲の誘
電体磁器組成物が得られ、本発明の組成物を用いた磁器
コンデンサは小型で大容皿のものが得られた。
”ＣＮ３０００ ｐＩｍ／”Ｃの範囲内（Ｊ工Ｓ規格の
ＵＫ特性）で且つ比誘電率が４００〜７００の範囲の誘
電体磁器組成物が得られ、本発明の組成物を用いた磁器
コンデンサは小型で大容皿のものが得られた。
図面は、本発明と比較例の測定温度に対する比誘電率の
温度変化率についての特性を示す。
温度変化率についての特性を示す。
Claims (1)
- チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ＿３）が３４．６
〜４９．４重量％、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ＿３）が１
．０〜１９．８重量％、チタン酸ビスマス（Ｂｉ＿２Ｏ
＿３・３ＴｉＯ＿２）が１４．８〜２９．７重量％、チ
タン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ＿３）が１９．８〜２９
．７重量％、酸化銅（ＣｕＯ）が０．０２〜０．７重量
％、酸化マンガン（ＭｎＯ）が炭酸マンガン（ＭｎＣＯ
＿３）に換算して０．１５〜０．８重量％からなる配合
物を焼成してなる誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60025125A JPS61185810A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60025125A JPS61185810A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61185810A true JPS61185810A (ja) | 1986-08-19 |
| JPH031762B2 JPH031762B2 (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=12157223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60025125A Granted JPS61185810A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61185810A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6444336B1 (en) * | 2000-12-21 | 2002-09-03 | The Regents Of The University Of California | Thin film dielectric composite materials |
-
1985
- 1985-02-14 JP JP60025125A patent/JPS61185810A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6444336B1 (en) * | 2000-12-21 | 2002-09-03 | The Regents Of The University Of California | Thin film dielectric composite materials |
| WO2002056669A3 (en) * | 2000-12-21 | 2002-09-26 | Universty Of California | Thin film dielectric composite materials |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH031762B2 (ja) | 1991-01-11 |
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