JPH08255745A - Coating film formation and its device - Google Patents

Coating film formation and its device

Info

Publication number
JPH08255745A
JPH08255745A JP7083206A JP8320695A JPH08255745A JP H08255745 A JPH08255745 A JP H08255745A JP 7083206 A JP7083206 A JP 7083206A JP 8320695 A JP8320695 A JP 8320695A JP H08255745 A JPH08255745 A JP H08255745A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing container
solvent
coating liquid
lid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7083206A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3194071B2 (en
Inventor
Kimio Motoda
公男 元田
Kiyohisa Tateyama
清久 立山
Tsutae Omori
伝 大森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Tokyo Electron Kyushu Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP08320695A priority Critical patent/JP3194071B2/en
Priority to TW084108209A priority patent/TW285779B/zh
Priority to US08/512,018 priority patent/US5695817A/en
Priority to KR1019950024425A priority patent/KR100274756B1/en
Publication of JPH08255745A publication Critical patent/JPH08255745A/en
Priority to US08/753,768 priority patent/US5803970A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3194071B2 publication Critical patent/JP3194071B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE: To cut the amount of coating liquid and improve uniformity of a film by supplying a specified amount of coating liquid after solvent of coating liquid is applied to one surface of a substrate and diffused, diffusing it to one surface of a substrate while rotating a substrate at a first rotation rate and rotating it at a second rotation rate after enclosing a substrate inside a treatment container. CONSTITUTION: While a substrate G is rotated slowly, solvent of coating liquid is supplied to a substrate surface from a solvent supply nozzle 40 during the rotation and the solvent is diffused and applied all over the substrate G. Then, while rapid-rotation (first rotation) is carried out, coating liquid such as resist liquid is dropped from a resist liquid supply nozzle 50a to above a central part on a solvent film on a substrate surface. Then, supply of resist liquid is stopped, a fixing lid body 15 and a lid body 16 are closed at a drain cup 14 and the upper opening part 12a of a rotation cup 12 and the substrate G is enclosed inside the rotation cup 12. Thereafter, rotation (second rotation) which is faster than a first rotation is carried out.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、例えばレジスト膜の
ような溶剤による液状塗布膜を、LCD基板等の基板上
やこの上に形成された層の上に形成するための塗布膜形
成方法及びその装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a coating film for forming a liquid coating film of a solvent such as a resist film on a substrate such as an LCD substrate or a layer formed thereon. It relates to the device.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体技術の分野では、LCD
基板の上に形成された半導体層、絶縁体層、電極層を選
択的に所定のパターンにエッチングする場合に、半導体
ウエハの場合と同様にパターン部のマスキングとして層
の表面にレジスト膜を形成することが行われている。
2. Description of the Related Art Generally, in the field of semiconductor technology, LCDs are used.
When selectively etching a semiconductor layer, an insulator layer, and an electrode layer formed on a substrate into a predetermined pattern, a resist film is formed on the surface of the layer as masking of a pattern portion as in the case of a semiconductor wafer. Is being done.

【0003】例えば、レジスト膜の形成方法として、角
形のLCD基板(以下に基板という)を、処理容器内に
配設される載置台上に載置固定した状態で、処理容器の
開口部を蓋体で閉止して、処理容器と載置台を回転さ
せ、例えば、この基板上面の中心部に溶剤と感光性樹脂
とからなるレジスト液を滴下し、そのレジスト液を基板
の回転力と遠心力とにより基板中心部から周縁部に向け
て放射状に拡散させて塗布する方法が知られている。
For example, as a method of forming a resist film, a rectangular LCD substrate (hereinafter referred to as a substrate) is mounted and fixed on a mounting table disposed in the processing container, and the opening of the processing container is covered. Closing with the body, rotating the processing container and the mounting table, for example, a resist solution consisting of a solvent and a photosensitive resin is dropped on the central portion of the upper surface of the substrate, and the resist solution is applied to the rotational force and centrifugal force of the substrate. There is known a method of applying by diffusing it radially from the central part of the substrate toward the peripheral part.

【0004】この方法においては、レジスト液が基板の
中心位置から周縁部に向けて拡散していく過程におい
て、レジスト液中の溶剤が蒸発する。このために拡散す
る方向でレジスト液の粘度が異なり、中心部と周辺部と
では形成されたレジスト膜の厚さが異なる。また、基板
は、中心位置よりも外周部で周速がはるかに増加するの
で、飛散する量も多い。すなわち、均一な塗布に限界が
あった。
In this method, the solvent in the resist solution evaporates in the process in which the resist solution diffuses from the central position of the substrate toward the peripheral portion. For this reason, the viscosity of the resist liquid varies in the direction of diffusion, and the thickness of the formed resist film differs between the central portion and the peripheral portion. Further, since the peripheral speed of the substrate is much higher at the outer peripheral portion than at the center position, the amount of scattering is large. That is, there was a limit to uniform coating.

【0005】このため、例えば、レジスト液の温度調
整あるいはレジスト膜形成雰囲気中にレジスト液に使用
されているのと同じ溶剤を充満させてレジスト液中の溶
剤の蒸発を抑制する方法や、レジスト液塗布前にレジ
スト液の溶剤を基板表面にて滴下する方法が考えられ
る。
Therefore, for example, a method of controlling the temperature of the resist solution or filling the same solvent as that used in the resist solution in the atmosphere for forming the resist film to suppress the evaporation of the solvent in the resist solution, or the resist solution A method of dropping the solvent of the resist solution on the surface of the substrate before coating can be considered.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者す
なわちレジスト液の温度調整あるいはレジスト膜形成
雰囲気中にレジスト液に使用されているのと同じ溶剤を
充満させてレジスト液中の溶剤の蒸発を抑制する方法で
は、レジスト液の使用量が多くなり、例えば、レジスト
液の塗布量の、数%しか実際のレジスト膜の形成に寄与
していない。しかも、レジスト液の量が多いため、基板
角部裏面への廻り込みが生じ、基板角部裏面に付着した
レジスト液が乾燥し、パーティクルの発生原因となると
いう問題もあった。
However, the former, that is, the temperature adjustment of the resist solution or the same solvent as that used in the resist solution is filled in the atmosphere for forming the resist film to suppress the evaporation of the solvent in the resist solution. In the method, the amount of the resist solution used increases, and for example, only a few percent of the amount of the resist solution applied contributes to the actual formation of the resist film. Moreover, since the amount of the resist solution is large, the resist solution spills over to the back surface of the corner portion of the substrate, and the resist solution adhering to the back surface of the substrate corner portion is dried, which causes the generation of particles.

【0007】また、後者すなわちレジスト液塗布前に
レジスト液の溶剤を基板表面にて滴下する方法でも、基
板上の溶剤そのものの均一性や、乾燥状態の違いによ
り、均一な塗布が困難で上記問題を充分に解決すること
はできない。また、この方法においても、特に基板が矩
形状の角形の場合には、基板全面にレジスト膜を形成す
るには余分にレジスト液を使用しなければならないとい
う不都合があり、上記の方法と同様に基板角部裏面へ
の塗布液の廻り込みが生じ、その後乾燥してパーティク
ルが発生し、歩留まりの低下を招くという問題があっ
た。
Also, in the latter case, that is, in the method of dropping the solvent of the resist solution on the surface of the substrate before the application of the resist solution, it is difficult to apply the solution uniformly due to the uniformity of the solvent itself on the substrate and the difference in the dry state. Can not be fully resolved. In addition, this method also has a disadvantage that an extra resist solution must be used to form a resist film on the entire surface of the substrate, especially when the substrate is a rectangular prism, and similar to the above method. There is a problem in that the coating liquid spills over to the back surface of the corner portion of the substrate and then is dried to generate particles, resulting in a decrease in yield.

【0008】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、塗布液の使用量が少なくて済み、かつ、塗布膜の膜
厚の均一性及び歩留まりの向上を図れるようにした塗布
膜形成方法及びその装置を提供することを目的とするも
のである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and a coating film forming method and a method for forming the coating film, in which the amount of the coating liquid used is small and the film thickness uniformity of the coating film and the yield can be improved. The purpose is to provide a device.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第1の塗布膜形成方法は、処理容器内に
収容される基板を、処理容器と共に回転させると共に、
基板一面上に塗布液を供給して、塗布膜を形成する方法
を前提とし、 上記基板の一面上に溶剤を塗布する工程
と、 上記基板に、所定量の塗布液を供給し、第1の回
転数で回転させて、基板の一面に拡散させる工程と、
上記処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封
入する工程と、 上記蓋体が閉止された処理容器及び基
板を上記第1の回転数より高速の第2の回転数で回転さ
せて、塗布膜の膜厚を整える工程とを有することを特徴
とするものである(請求項1)。
In order to achieve the above object, the first coating film forming method of the present invention comprises rotating a substrate accommodated in a processing container together with the processing container, and
Assuming a method of supplying a coating liquid on one surface of a substrate to form a coating film, a step of applying a solvent on one surface of the substrate, and supplying a predetermined amount of the coating liquid to the substrate, A step of rotating at a rotation speed to diffuse on one surface of the substrate,
Closing the lid of the processing container and sealing the substrate in the processing container; rotating the processing container and the substrate with the lid closed at a second rotation speed higher than the first rotation speed. And a step of adjusting the thickness of the coating film.

【0010】この発明において、上記溶剤を基板の中心
部に滴下して塗布した後、塗布液を基板の中心部に滴下
して拡散させる方が好ましい(請求項2)。
In the present invention, it is preferable that the solvent is dropped onto the central portion of the substrate to be coated, and then the coating liquid is dropped onto the central portion of the substrate to be diffused (claim 2).

【0011】また、この発明の第2の塗布膜形成方法
は、上記第1の塗布膜形成方法と同様に処理容器内に収
容される基板を、処理容器と共に回転させると共に、基
板一面上に塗布液を供給して、塗布膜を形成する方法を
前提とし、 上記基板の一面上に溶剤を塗布する工程
と、 上記基板に、所定量の塗布液を供給し、第1の回
転数で回転させて、基板の一面に拡散させる工程と、
上記処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封
入する工程と、 上記蓋体が閉止された処理容器及び基
板を上記第1の回転数より高速の第2の回転数で回転さ
せると共に、処理容器の上部中央より処理容器内に導入
される空気を処理容器の内側壁に沿って下部側方へ流し
つつ、塗布膜の膜厚を整える工程とを有することを特徴
とするものである(請求項3)。
Further, in the second coating film forming method of the present invention, as in the first coating film forming method, the substrate accommodated in the processing container is rotated together with the processing container and coated on the entire surface of the substrate. Assuming a method of supplying a liquid to form a coating film, a step of coating a solvent on one surface of the substrate, supplying a predetermined amount of the coating liquid to the substrate, and rotating at a first rotation speed. The step of diffusing it over one surface of the substrate,
Closing the lid of the processing container and sealing the substrate in the processing container; rotating the processing container and the substrate with the lid closed at a second rotation speed higher than the first rotation speed. And allowing the air introduced into the processing container from the center of the upper part of the processing container to flow to the lower side along the inner wall of the processing container, while adjusting the film thickness of the coating film. (Claim 3).

【0012】また、この発明の第3の塗布膜形成方法
は、上記第1及び第2の塗布膜形成方法と同様に処理容
器内に収容される基板を、処理容器と共に回転させると
共に、基板一面上に塗布液を供給して、塗布膜を形成す
る方法を前提とし、 上記基板の一面上に溶剤を塗布す
る工程と、 上記基板に、所定量の塗布液を供給し、第
1の回転数で回転させて、基板の一面に拡散させる工程
と、 上記処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器
内に封入する工程と、 上記蓋体が閉止された処理容器
及び基板を上記第1の回転数より高速の第2の回転数で
回転させ、かつ、処理容器の上部中央より処理容器内に
導入される空気を処理容器の内側壁に沿って下部側方へ
流すと共に、処理容器の外部上方から処理容器の外側壁
に沿って空気を流しつつ、塗布膜の膜厚を整える工程と
を有することを特徴とするものである(請求項4)。
Further, according to the third coating film forming method of the present invention, the substrate accommodated in the processing container is rotated together with the processing container as in the first and second coating film forming methods described above, and at the same time, the entire surface of the substrate is covered. Assuming a method of supplying a coating liquid on the substrate to form a coating film, a step of coating a solvent on one surface of the substrate, and supplying a predetermined amount of the coating liquid to the substrate at a first rotation speed. The step of rotating the substrate to diffuse it over one surface of the substrate, the step of closing the lid of the processing container and sealing the substrate in the processing container, and the step of closing the processing container and substrate with the lid closed. The second rotation speed is higher than the first rotation speed, and the air introduced into the processing container from the center of the upper part of the processing container is caused to flow to the lower side along the inner wall of the processing container. While flowing air from the outside above along the outer wall of the processing container, And a step of adjusting the thickness of the coating film (claim 4).

【0013】この発明において、上記塗布液としては、
レジスト(フェノールノボラック樹脂とナフトキノンジ
アジドエステル),ARC(反射防止膜;Anti R
eflection Coating)等を使用するこ
とができる。また、上記溶剤としては、メチル−3−メ
トキシプロピオネート(MMT,沸点:145℃,粘
度:1.1cps)の他、乳酸エチル(EL,沸点:1
54℃,粘度:2.6cps)、エチル−3−エトキシ
プロピオネート(EEP,沸点:170℃,粘度:1.
3cps),ピルビン酸エチル(EP,沸点:144
℃,粘度:1.2cps)、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート(PGMEA,沸点:146
℃,粘度:1.3cps)、2−ヘプタノン(沸点:1
52℃,粘度:1.1cps)、シクロヘキサノン(A
RCの溶剤)等この分野で知られているものを使用する
ことができる。
In the present invention, the coating liquid is
Resist (phenol novolac resin and naphthoquinone diazide ester), ARC (antireflection film; Anti R
effect coating) or the like can be used. Further, as the above-mentioned solvent, in addition to methyl-3-methoxypropionate (MMT, boiling point: 145 ° C., viscosity: 1.1 cps), ethyl lactate (EL, boiling point: 1
54 ° C., viscosity: 2.6 cps, ethyl-3-ethoxypropionate (EEP, boiling point: 170 ° C., viscosity: 1.
3 cps), ethyl pyruvate (EP, boiling point: 144
° C, viscosity: 1.2 cps), propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA, boiling point: 146
C, viscosity: 1.3 cps, 2-heptanone (boiling point: 1
52 ° C, viscosity: 1.1 cps, cyclohexanone (A
The solvent known in this field such as RC solvent) can be used.

【0014】また、この発明の第1の塗布膜形成装置
は、基板の一面を上に向けて支持し、かつ、基板の一面
に垂直な軸を中心として基板を回転させると共に、垂直
方向に移動可能な回転手段と、 上記基板を包囲するカ
ップ状をなし、かつ、その底部側部に排気孔を有して回
転手段と共に回転する処理容器と、 上記処理容器の開
口部を閉止し、その中心部に空気導入口を有する蓋体
と、 上記蓋体の下方に位置して、上記空気導入口から
導入された空気を外方へ拡散する整流板と、 上記基板
に塗布液の溶剤を供給する溶剤供給手段と、 上記基板
に塗布液を供給する塗布液供給手段とを具備することを
特徴とするものである(請求項5)。
Further, according to the first coating film forming apparatus of the present invention, one surface of the substrate is supported upward, and the substrate is rotated about an axis perpendicular to the one surface of the substrate and is moved in the vertical direction. Possible rotating means, a processing container which is cup-shaped to surround the substrate, and which has an exhaust hole on the bottom side thereof and rotates together with the rotating means, and the opening of the processing container is closed, and the center of the processing container is closed. A lid body having an air introduction port in the part, a rectifying plate located below the lid body and diffusing the air introduced from the air introduction port to the outside, and a solvent for the coating liquid is supplied to the substrate. It is characterized by comprising a solvent supply means and a coating liquid supply means for supplying a coating liquid to the substrate (Claim 5).

【0015】また、この発明の第2の塗布膜形成装置
は、基板の一面を上に向けて支持し、かつ、基板の一面
に垂直な軸を中心として基板を回転させると共に、垂直
方向に移動可能な回転手段と、 上記基板を包囲するカ
ップ状をなし、かつ、その底部側部に排気孔を有して回
転手段と共に回転する処理容器と、 上記処理容器の開
口部を閉止し、その中心部に空気導入口を有する蓋体
と、 上記蓋体の下方に位置して、上記空気導入口から
導入された空気を外方へ拡散する整流板と、 上記処理
容器の外方を包囲し、その下部に排気手段と接続する排
気口を有する固定容器と、 上記固定容器の開口部を閉
止し、その中心側の同心円上に複数の空気供給孔を有す
る固定蓋体と、 上記基板に塗布液の溶剤を供給する溶
剤供給手段と、 上記基板に塗布液を供給する塗布液供
給手段とを具備することを特徴とするものである(請求
項6)。
In the second coating film forming apparatus of the present invention, one surface of the substrate is supported upward, and the substrate is rotated about an axis perpendicular to the one surface of the substrate and moved in the vertical direction. Possible rotating means, a processing container which is cup-shaped to surround the substrate, and which has an exhaust hole on the bottom side thereof and rotates together with the rotating means, and the opening of the processing container is closed, and the center of the processing container is closed. A lid body having an air introduction port in the part, a rectifying plate located below the lid body and diffusing the air introduced from the air introduction port to the outside, and surrounding the outside of the processing container, A fixed container having an exhaust port connected to an exhaust means at a lower portion thereof, a fixed lid body having a plurality of air supply holes on a concentric circle on the center side of the fixed container, the opening being closed, and a coating liquid for the substrate. Solvent supply means for supplying the solvent of A coating liquid supply means for supplying a liquid is provided (Claim 6).

【0016】[0016]

【作用】上記技術的手段によるこの発明によれば、基板
の一面上に塗布液の溶剤を塗布して拡散させた後、基板
のほぼ中心部上に、所定量の塗布液を供給し、第1の回
転数で回転させて、基板の一面に拡散させ、そして、処
理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封入した
後、蓋体が閉止された処理容器及び基板を第1の回転数
より高速の第2の回転数で回転させて、塗布膜の膜厚を
整える。これにより、溶剤に対する適正な配合割合の塗
布液を供給することができ、塗布液の使用量が少なくす
ることができ、塗布液の基板角部裏面への廻り込みを防
止することができる。また、溶剤と塗布液との接触によ
る塗布液の粘度を均一にして均一な厚さの塗布膜を形成
することができる。
According to the present invention by the above-mentioned technical means, after the solvent of the coating liquid is applied to one surface of the substrate and diffused, a predetermined amount of the coating liquid is supplied to almost the central portion of the substrate, The substrate is rotated at a rotation speed of 1 to diffuse on the one surface of the substrate, and then the lid is closed in the treatment container, the substrate is sealed in the treatment container, and then the treatment container and the substrate with the lid closed are It is rotated at a second rotation speed higher than the rotation speed of 1 to adjust the film thickness of the coating film. This makes it possible to supply the coating liquid in an appropriate mixing ratio with respect to the solvent, reduce the amount of the coating liquid used, and prevent the coating liquid from flowing around to the back surface of the corner portion of the substrate. Further, it is possible to form a coating film having a uniform thickness by making the viscosity of the coating liquid uniform by the contact between the solvent and the coating liquid.

【0017】また、上記処理容器及び基板を第2の回転
数で回転させる際、処理容器の上部中央より導入される
空気を処理容器の側壁に沿って下部側方へ流すことによ
り、基板より飛散された塗布液のミストを基板へ再付着
させることなく排除することができる。更に、処理容器
の上部中央より導入される空気を処理容器の側壁に沿っ
て下部側方へ流すと共に、処理容器の外部上方から下方
に向って空気を流すことにより、更に確実に塗布液のミ
ストを排除することができる。
When the processing container and the substrate are rotated at the second rotation speed, the air introduced from the center of the upper part of the processing container is blown toward the lower side along the side wall of the processing container to scatter from the substrate. The mist of the applied coating liquid can be eliminated without redepositing on the substrate. Furthermore, the air introduced from the center of the upper part of the processing container is made to flow to the lower side along the side wall of the processing container, and the air is made to flow downward from above the outside of the processing container, so that the mist of the coating liquid can be more reliably achieved. Can be eliminated.

【0018】[0018]

【実施例】以下にこの発明の実施例を添付図面に基いて
詳細に説明する。ここでは、この発明の塗布膜成形方法
及び塗布膜形成装置をLCD(液晶表示)基板(ガラス
基板)のレジスト膜の形成方法及び形成装置に適用した
場合について説明する。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. Here, a case where the coating film forming method and the coating film forming apparatus of the present invention are applied to a method and a forming apparatus for a resist film on an LCD (liquid crystal display) substrate (glass substrate) will be described.

【0019】この発明の塗布膜形成装置は、図1に示す
ように、被塗布体である角形状の基板、例えばLCD基
板G(以下に基板という)を水平状態に真空によって吸
着保持する回転手段例えばスピンチャック10と、この
スピンチャック10の上部及び外周部を包囲する処理室
11を有する上方部が開口したカップ状の処理容器12
(以下に回転カップという)と、回転カップ12の開口
部12aに閉止可能に被着(着脱)される蓋体16と、
この蓋体16の下方に水平状に垂設され基板Gの外周縁
より外方へ突出する平板状の整流板13と、処理容器1
2の外周側を包囲する上方が開口したカップ状の固定容
器14(以下にドレンカップという)と、このドレンカ
ップ14の開口部に閉止可能に被着(着脱)される固定
蓋体15と、蓋体16と固定蓋体15を閉止位置と待機
位置に移動する蓋体移動手段であるロボットアーム20
と、スピンチャック10と回転カップ12を回転する手
段である駆動モータ21と、上記スピンチャック10の
上方位置に移動可能に構成される塗布液の溶剤(溶媒)
Aの供給ノズル40(溶剤供給手段)と塗布液例えばレ
ジスト液Bの供給ノズル50(塗布液供給手段)とを近
接させて一体に取り付けた噴頭60と、この噴頭60を
把持して噴頭待機位置と基板上方位置間で移動させる移
動手段であるノズル移動機構70とを有する。
The coating film forming apparatus of the present invention, as shown in FIG. 1, is a rotating means for sucking and holding a rectangular substrate, which is an object to be coated, for example, an LCD substrate G (hereinafter referred to as a substrate) in a horizontal state by vacuum suction. For example, a spin chuck 10 and a cup-shaped processing container 12 having an open upper portion having a processing chamber 11 surrounding the upper and outer peripheral portions of the spin chuck 10.
(Hereinafter, referred to as a rotary cup), a lid body 16 that is removably attached (removed) to the opening 12a of the rotary cup 12,
A flat plate-shaped straightening plate 13 which is vertically provided below the lid body 16 and projects outward from the outer peripheral edge of the substrate G, and the processing container 1.
A cup-shaped fixed container 14 (hereinafter referred to as a drain cup) that surrounds the outer peripheral side of 2 and a fixed lid 15 that is removably attached (removed) to the opening of the drain cup 14; A robot arm 20 as a lid moving means for moving the lid 16 and the fixed lid 15 to the closed position and the standby position.
A drive motor 21 which is a means for rotating the spin chuck 10 and the rotary cup 12, and a solvent (solvent) for the coating liquid that is movable to a position above the spin chuck 10.
A jet nozzle 60 in which the A supply nozzle 40 (solvent supply means) and the supply nozzle 50 (coating liquid supply means) for the coating liquid, for example, the resist liquid B, are integrally mounted in close proximity to each other, and the jet nozzle 60 is gripped and a jet head standby position And a nozzle moving mechanism 70 that is a moving unit that moves between the substrate upper position.

【0020】この場合、ノズル40,50からの溶剤供
給路及びレジスト液供給路のそれぞれには、中を流れる
溶剤A及びレジスト液Bを予め設定された温度(例えば
23℃)に設定するための温度調整液Cを循環供給する
温度調整機構61が設けられている。また、上記スピン
チャック10の下方近傍位置にはスピンチャック10と
の間にベアリング34aを介してスピンチャック10と
共に昇降可能な取付部材34が取り付けられており、こ
の取付部材34に、回転カップ12の洗浄ノズル35
と、不活性ガス例えば窒素(N2)ガスの供給ノズル3
6が取り付けられている。
In this case, the solvent A and the resist solution B flowing through the nozzles 40 and 50 are set in the solvent supply path and the resist solution supply path, respectively, at preset temperatures (for example, 23 ° C.). A temperature adjusting mechanism 61 that circulates and supplies the temperature adjusting liquid C is provided. Further, a mounting member 34 capable of moving up and down together with the spin chuck 10 is mounted at a position near the spin chuck 10 below the spin chuck 10 via a bearing 34a between the spin chuck 10 and the spin chuck 10. Cleaning nozzle 35
And an inert gas such as nitrogen (N 2 ) gas supply nozzle 3
6 is attached.

【0021】上記スピンチャック10は例えばポリエー
テル・エーテル・ケトン(PEEK)製の耐熱性合成樹
脂性部材にて形成され、予め設定されたプログラムに基
いて駆動し、回転速度を可変できる駆動モータ21の駆
動によって回転される回転軸22を介して水平方向に回
転(自転)可能になっており、また回転軸22に連結さ
れる昇降シリンダ23の駆動によって上下方向に移動し
得るようになっている。この場合、回転軸22は、固定
カラー24の内周面にベアリング25aを介して回転可
能に装着される回転内筒26aの内周面に嵌着されるス
プライン軸受27に摺動可能に連結されている。スプラ
イン軸受27には従動プーリ28aが装着されており、
従動プーリ28aには駆動モータ21の駆動軸21aに
装着された駆動プーリ21bとの間にベルト29aが掛
け渡されている。したがって、駆動モータ21の駆動に
よってベルト29aを介して回転軸22が回転してスピ
ンチャック10が回転される。また、回転軸22の下部
側は図示しない筒体内に配設されており、筒体内におい
て回転軸22はバキュームシール部30を介して昇降シ
リンダ23に連結され、昇降シリンダ23の駆動によっ
て回転軸22が上下方向に移動し得るように構成されて
いる。
The spin chuck 10 is formed of a heat-resistant synthetic resin member made of, for example, polyether-ether-ketone (PEEK), and is driven based on a preset program, and a drive motor 21 capable of varying the rotation speed. It can be rotated (rotated) in the horizontal direction via a rotary shaft 22 that is rotated by the drive of the motor, and can be moved in the vertical direction by driving an elevating cylinder 23 connected to the rotary shaft 22. . In this case, the rotary shaft 22 is slidably connected to a spline bearing 27 fitted to the inner peripheral surface of a rotating inner cylinder 26a rotatably mounted on the inner peripheral surface of the fixed collar 24 via a bearing 25a. ing. A driven pulley 28a is attached to the spline bearing 27,
A belt 29a is stretched between the driven pulley 28a and the drive pulley 21b mounted on the drive shaft 21a of the drive motor 21. Therefore, the rotation of the rotary shaft 22 via the belt 29a by the drive of the drive motor 21 causes the spin chuck 10 to rotate. The lower side of the rotary shaft 22 is arranged in a cylinder body (not shown), and the rotary shaft 22 is connected to the lifting cylinder 23 via the vacuum seal portion 30 in the cylinder body. Is configured to be movable in the vertical direction.

【0022】上記回転カップ12は例えばステンレス鋼
製部材にて形成され、上記固定カラー24の外周面にベ
アリング25bを介して装着される回転外筒26bの上
端部に固定される連結筒31を介して取付けられてお
り、回転カップ12の底部12bとスピンチャック10
の下面との間にはシール用のOリング32が介在されて
スピンチャック10が下降してOリング32と当接した
状態で気密が保持されるようになっている。また、回転
外筒26bに装着される従動プーリ28bと上記駆動モ
ータ21に装着される駆動プーリ21bに掛け渡される
ベルト29bによって駆動モータ21からの駆動が回転
カップ12に伝達されて回転カップ12が回転されるよ
うに構成されている。この場合、従動プーリ28bの直
径は上記回転軸22に装着された従動プーリ28aの直
径と同一に形成され、同一の駆動モータ21にベルト2
9a,29bが掛け渡されているので、回転カップ12
とスピンチャック10は同一回転する。なお、固定カラ
ー24と回転内筒26a及び回転外筒26bとの対向面
にはラビリンスシール部33が形成されて回転処理時に
下部の駆動系から回転カップ12内にごみが進入するの
を防止している(図3参照)。
The rotary cup 12 is formed of, for example, a stainless steel member, and has a connecting cylinder 31 fixed to the upper end of a rotating outer cylinder 26b mounted on the outer peripheral surface of the fixed collar 24 via a bearing 25b. Attached to the bottom 12b of the rotary cup 12 and the spin chuck 10.
An O-ring 32 for sealing is interposed between the lower surface of the spin chuck 10 and the lower surface of the spin chuck 10, and the airtightness is maintained in a state where the spin chuck 10 descends and contacts the O-ring 32. Further, the drive from the drive motor 21 is transmitted to the rotary cup 12 by the driven pulley 28b attached to the rotary outer cylinder 26b and the belt 29b which is stretched around the drive pulley 21b attached to the drive motor 21, so that the rotary cup 12 is rotated. It is configured to be rotated. In this case, the diameter of the driven pulley 28b is formed to be the same as the diameter of the driven pulley 28a mounted on the rotating shaft 22, and the same drive motor 21 and belt 2 are used.
Since 9a and 29b are hung, the rotating cup 12
And the spin chuck 10 rotates the same. A labyrinth seal portion 33 is formed on the facing surface of the fixed collar 24 and the rotating inner cylinder 26a and the rotating outer cylinder 26b to prevent dust from entering the rotary cup 12 from the lower drive system during rotation processing. (See FIG. 3).

【0023】また、回転カップ12は、側壁12cの内
面が上側に向って縮径されたテーパ面12eを形成して
なり、下部周辺部すなわち側壁12cの下部側の周方向
の適宜位置には排気孔12dが穿設されている。
Further, the rotary cup 12 is formed by forming a tapered surface 12e in which the inner surface of the side wall 12c is reduced in diameter toward the upper side. A hole 12d is formed.

【0024】回転カップ12の開口12aを閉止する蓋
体16の周辺下面には、回転カップ12との金属同士の
接触を避けるために例えばデルリン(商品名)製の当接
リング16aが固着されており、また、蓋体16の中央
部にはベアリング16bを介して上記ロボットアーム2
0にて支持される支持円柱19が取り付けられ、支持円
柱16の中央に空気導入口16cが設けられている。
A contact ring 16a made of Delrin (trade name), for example, is fixed to the lower surface of the periphery of the lid 16 that closes the opening 12a of the rotary cup 12 in order to avoid metal contact with the rotary cup 12. In addition, the robot arm 2 is provided at the center of the lid body 16 via a bearing 16b.
A support cylinder 19 supported at 0 is attached, and an air inlet 16c is provided at the center of the support cylinder 16.

【0025】このように蓋体16に空気導入口16cを
設け、回転カップ12に排気孔12dを設けることによ
り、回転カップ12の回転に伴って処理室11内が負圧
となって空気導入口16cから回転カップ12内に空気
が流れ、この空気が整流板13によって回転カップ12
の内側壁に沿って排気孔12dから排出されるので、レ
ジスト液のミストが基板Gに再付着するのを防止するこ
とができ、かつ、回転カップ12の回転時に処理室11
内が過剰な負圧になるのを防止することができる。
By thus providing the lid body 16 with the air inlet 16c and the rotary cup 12 with the exhaust hole 12d, the inside of the processing chamber 11 becomes a negative pressure as the rotary cup 12 rotates, and the air inlet becomes. Air flows into the rotary cup 12 from 16c, and this air is supplied to the rotary cup 12 by the current plate 13.
Since the mist of the resist solution is prevented from reattaching to the substrate G, it is discharged from the exhaust hole 12d along the inner wall of the processing chamber 11 when the rotating cup 12 is rotated.
It is possible to prevent an excessive negative pressure in the inside.

【0026】なお、上記空気導入口16cは支持円柱1
9に直接設けてもよく、あるいは支持円柱19に穿設さ
れた貫通孔内に貫挿されるパイプ部材にて形成すること
もできる。特に、空気導入口16cをパイプ部材にて形
成する場合には、使用する溶剤Aあるいはレジスト液B
の種類、乾燥性,粘性等の性状によってパイプ部材の孔
径を選択して使用することができる点で好ましい。例え
ば、乾燥性の高いレジストを使用する場合は、レジスト
の乾燥が早いと、基板Gの全面にレジスト液が行き渡り
難くなり部分的に膜厚が厚くなる現象が生じるので、こ
の場合は空気導入口16dの孔径を小さくしてレジスト
の乾燥を抑制することで、レジスト膜の膜厚の均一化を
図ることができる。また、逆に乾燥性の低いレジストを
使用する場合には、空気導入口16dの孔径の大きいも
のを使用してレジストの乾燥を促進させることで、レジ
スト膜の均一化を図ることができる。
The air inlet 16c is the support cylinder 1
9 may be provided directly, or it may be formed by a pipe member inserted into a through hole formed in the supporting column 19. Especially when the air inlet 16c is formed of a pipe member, the solvent A or the resist solution B to be used is used.
It is preferable in that the hole diameter of the pipe member can be selected and used according to properties such as type, drying property and viscosity. For example, when a resist having a high drying property is used, if the resist is dried quickly, the resist solution may be difficult to spread on the entire surface of the substrate G and the film thickness may be partially increased. By making the hole diameter of 16d small to suppress the drying of the resist, the film thickness of the resist film can be made uniform. On the contrary, when a resist having a low drying property is used, it is possible to make the resist film uniform by accelerating the drying of the resist by using the air introducing port 16d having a large hole diameter.

【0027】一方、上記ドレンカップ14の底部の外周
側には複数の排液口14aが同心円上に設けられ、この
排液口14aの内周側の適宜箇所(例えば周方向の4箇
所)には図示しない排気装置に接続する排気口14bが
設けられている。この場合、排液口14aは基板G及び
回転カップ12の回転方向(例えば時計方向)の接線方
向に開口されている。このように排液口14aを基板G
及び回転カップ12の回転方向の接線方向に設けた理由
は、基板G及び回転カップ12の回転に伴って飛散され
るレジスト液のミストを速やかに外部に排出するように
したためである。
On the other hand, a plurality of drainage ports 14a are concentrically provided on the outer peripheral side of the bottom of the drain cup 14, and the drainage ports 14a are provided at appropriate positions on the inner peripheral side (for example, four positions in the circumferential direction). Is provided with an exhaust port 14b connected to an exhaust device (not shown). In this case, the drainage port 14a is opened in the tangential direction of the rotation direction (eg, clockwise direction) of the substrate G and the rotary cup 12. In this way, the drain port 14a is connected to the substrate G.
The reason for providing the rotation cup 12 in the tangential direction of the rotation direction is that the mist of the resist solution scattered with the rotation of the substrate G and the rotation cup 12 is quickly discharged to the outside.

【0028】また、固定蓋体15は支持円柱19に支持
されるステンレス鋼製部材にて形成されており、この固
定蓋体15の外周下面には、ドレンカップ14との金属
同士の接触を避けるためにデルリン(商品名)製のリン
グ状の当接部材15aが固着されている。また、固定蓋
体15の中心側の同心円上には複数の空気供給孔15b
が設けられている。
Further, the fixed lid 15 is formed of a stainless steel member supported by the support column 19, and the lower surface of the outer periphery of the fixed lid 15 avoids the metal contact with the drain cup 14. Therefore, a ring-shaped contact member 15a made of Delrin (trade name) is fixed. Also, a plurality of air supply holes 15b are provided on the concentric circle on the center side of the fixed lid body 15.
Is provided.

【0029】このように、固定蓋体15の中心側の同心
円上に複数の空気供給孔15aを設け、ドレンカップ1
4の底部に排気口14bを設けることにより、回転カッ
プ12の回転時に空気供給孔15aからドレンカップ1
4内に流れた空気が回転カップ12の外側壁に沿って流
れ、回転処理時に処理室11内で遠心力により飛散し排
気孔12dを通ってドレンカップ14内に流れ込んだミ
ストが回転カップ12の上部側へ舞い上がるのを防止し
て、排気口14bから外部に排出することができる。
As described above, the plurality of air supply holes 15a are provided on the concentric circle on the center side of the fixed lid body 15, and the drain cup 1
By providing the exhaust port 14b at the bottom of the drain cup 4, the drain cup 1 is supplied from the air supply hole 15a when the rotary cup 12 rotates.
The air that has flowed into the inside of the rotating cup 12 flows along the outer wall of the rotating cup 12, and the mist that is scattered by the centrifugal force in the processing chamber 11 during the rotation processing and flows into the drain cup 14 through the exhaust hole 12d of the rotating cup 12. It can be prevented from soaring to the upper side and discharged to the outside through the exhaust port 14b.

【0030】上記蓋体16は回転処理時には回転カップ
12の開口部12aに固定されて一体に回転される必要
がある。そこで、図4に示すように当接リング16aの
下面に嵌合凹所17bを設け、この嵌合凹所17bを回
転カップ12の上部に突出する固定ピン17aに嵌合さ
せて蓋体16を回転カップ12に固定している。この場
合、固定ピン17aの頂部を球面状に形成することによ
り、嵌合凹所17bとの接触によって発生するごみを少
なくしている。なお、固定ピン17aは必ずしも回転カ
ップ側に突出する必要はなく、蓋体側に固定ピン17a
を突出させ、回転カップ側に嵌合凹所17bを設けても
よい。また、嵌合凹所17b内を図示しない吸引手段に
接続させて固定ピン17aと嵌合凹所17bとの接触に
よって発生するごみを外部に排出させるようにしてもよ
い。
The lid 16 must be fixed to the opening 12a of the rotary cup 12 and rotated integrally during the rotation process. Therefore, as shown in FIG. 4, a fitting recess 17b is provided on the lower surface of the abutment ring 16a, and the fitting recess 17b is fitted to the fixing pin 17a protruding above the rotary cup 12, so that the lid body 16 is removed. It is fixed to the rotating cup 12. In this case, the top of the fixing pin 17a is formed into a spherical shape to reduce dust generated by contact with the fitting recess 17b. The fixing pin 17a does not necessarily have to project to the rotating cup side, and the fixing pin 17a does not have to protrude to the lid side.
May be projected, and the fitting recess 17b may be provided on the rotary cup side. Further, the inside of the fitting recess 17b may be connected to a suction means (not shown) so that dust generated by the contact between the fixing pin 17a and the fitting recess 17b can be discharged to the outside.

【0031】上記蓋体16を開閉する場合には、図1に
想像線で示すように、蓋体16の上面に突設された膨隆
頭部18の下にロボットアーム20を挿入し、膨隆頭部
18に設けられた係止溝18aにロボットアーム20か
ら突出する係止ピン20aを係合させた後、ロボットア
ーム20を上下動させることによって行うことができ
る。なお、蓋体16を開放するときの膨隆頭部18の係
止溝18aとロボットアーム20の係止ピン20aとの
位置合せ、及び蓋体16を閉じるときの固定ピン17a
と嵌合凹所17bの位置合せは、サーボモータ等にて形
成される駆動モータ21の回転角を制御することによっ
て行うことができる。
When the lid 16 is opened and closed, as shown in phantom in FIG. 1, the robot arm 20 is inserted under the bulging head 18 projecting from the upper surface of the lid 16, and the bulging head is bulged. This can be performed by engaging the locking pin 20a protruding from the robot arm 20 with the locking groove 18a provided in the portion 18 and then moving the robot arm 20 up and down. The locking groove 18a of the bulging head 18 and the locking pin 20a of the robot arm 20 are aligned when the lid 16 is opened, and the fixing pin 17a when the lid 16 is closed.
The position of the fitting recess 17b can be adjusted by controlling the rotation angle of the drive motor 21 formed by a servomotor or the like.

【0032】上記実施例では、蓋体16と回転カップ1
2との固定を固定ピン17aと嵌合凹所17bの嵌合に
より行う場合について説明したが、必ずしもこのような
構造とする必要はなく、別途押圧機構を用いて蓋体16
を回転カップ12に固定すれば、蓋体16の開放時のご
みの発生や回転処理時の蓋体16のガタツキ等を防止す
ることができる。なお、上記固定蓋体15は蓋体16を
回転自在に支持する支持円柱19に固定されているの
で、蓋体16の開閉移動に伴って上下移動してドレンカ
ップ14の開口部を開閉することができる。
In the above embodiment, the lid 16 and the rotating cup 1
The case where the fixing pin 17a and the fitting recess 17b are fixed to each other has been described, but it is not always necessary to have such a structure, and the lid body 16 is separately provided by using a pressing mechanism.
If is fixed to the rotating cup 12, it is possible to prevent dust from being generated when the lid 16 is opened and rattling of the lid 16 during rotation processing. Since the fixed lid 15 is fixed to the support column 19 that rotatably supports the lid 16, the fixed lid 15 may move up and down as the lid 16 opens and closes to open and close the opening of the drain cup 14. You can

【0033】一方、上記溶剤供給ノズル40は溶剤供給
路である溶剤供給チューブ41と開閉バルブ42を介し
て溶剤タンク43に接続されており、溶剤タンク43内
に供給される窒素(N2 )ガスの加圧を制御することに
よって溶剤タンク43内の溶剤Aが基板G上に所定時間
中所定量の溶剤Aの供給が可能となっている。
On the other hand, the solvent supply nozzle 40 is connected to a solvent tank 43 through a solvent supply tube 41 which is a solvent supply path and an opening / closing valve 42, and nitrogen (N 2 ) gas supplied into the solvent tank 43 is supplied. By controlling the pressurization of the solvent A, the solvent A in the solvent tank 43 can be supplied onto the substrate G in a predetermined amount for a predetermined time.

【0034】レジスト液供給ノズル50は、レジスト液
供給路であるレジスト液供給チューブ51を介してレジ
スト液Bを収容するレジスト液タンク52(塗布液供給
源)に連通されている。このチューブ51には、サック
バックバルブ53、エアーオペレーションバルブ54、
レジスト液B中の気泡を分離除去するための気泡除去機
構55、フィルタ56及びベローズポンプ57が順次設
けられている。このベローズポンプ57は、駆動部によ
り制御された状態で伸縮可能となっており、所定量のレ
ジスト液Bをレジスト液供給ノズル50を介して基板G
の中心部に供給例えば滴下可能となっている。従来のレ
ジスト液Bの供給量より少量のレジスト液Bの供給量制
御を可能としている。この駆動部は、一端がベローズポ
ンプの一端に吸着されたねじと、このねじに螺合される
ナットとからなるボールねじ58と、このナットを回転
させることによりねじを直線動させるステッピングモー
タ59とにより構成されている。レジスト液供給ノズル
50の口径は、具体的には、500×600mmの基板
用の場合には、内径がφ0.5〜φ5mm、好ましくは
φ3mmに設定されている。このように、ノズルの径を
基板の寸法に応じて設定することにより、なるべく少量
のレジスト液Bをなるべく長い時間をかけて供給できる
ようになっている。供給時間が短いと膜厚の均一性が良
くなく、また長すぎるとレジスト液が基板の周縁部まで
いかなくなる。ここでなるべく少量とは、上記ノズルの
口径そしてレジスト液供給圧力に依存する。
The resist solution supply nozzle 50 is connected to a resist solution tank 52 (coating solution supply source) for containing the resist solution B via a resist solution supply tube 51 which is a resist solution supply passage. This tube 51 has a suck back valve 53, an air operation valve 54,
A bubble removing mechanism 55 for separating and removing bubbles in the resist liquid B, a filter 56, and a bellows pump 57 are sequentially provided. The bellows pump 57 is capable of expanding and contracting under the control of the drive unit, and a predetermined amount of resist liquid B is passed through the resist liquid supply nozzle 50 to the substrate G.
It is possible to supply, for example, drip to the central part of the. It is possible to control the supply amount of the resist liquid B which is smaller than the conventional supply amount of the resist liquid B. The drive unit includes a ball screw 58 having a screw whose one end is attracted to one end of the bellows pump and a nut screwed to the screw, and a stepping motor 59 for linearly moving the screw by rotating the nut. It is composed by. Specifically, in the case of a substrate of 500 × 600 mm, the inner diameter of the resist solution supply nozzle 50 is set to φ0.5 to φ5 mm, preferably φ3 mm. In this way, by setting the diameter of the nozzle according to the size of the substrate, it is possible to supply a small amount of the resist solution B as long as possible. If the supply time is short, the film thickness is not uniform, and if it is too long, the resist solution does not reach the peripheral portion of the substrate. Here, the smallest possible amount depends on the diameter of the nozzle and the resist solution supply pressure.

【0035】上記のように構成されるレジスト液供給系
において、レジスト液の吐出時間はベローズポンプ57
のステッピングモータ59の駆動時間によって制御(制
御精度:±2msec)されるようになっている。ま
た、レジスト液の吐出量はベローズポンプ57の駆動動
作、例えば駆動時間並びに駆動速度と、レジスト液供給
路を開閉するためのエアーオペレーションバルブ54の
開閉動作(ON−OFF動作)によって設定されるよう
になっている。上記ベローズポンプ57の駆動時間の設
定及びエアーオペレーションバルブ54のON−OFF
動作は、予め設定されたプログラムに基いてコンピュー
タの作用で自動的に制御される。
In the resist liquid supply system constructed as described above, the discharge time of the resist liquid depends on the bellows pump 57.
The stepping motor 59 is controlled by the driving time (control accuracy: ± 2 msec). Further, the discharge amount of the resist liquid is set by the driving operation of the bellows pump 57, for example, the driving time and the driving speed, and the opening / closing operation (ON-OFF operation) of the air operation valve 54 for opening / closing the resist liquid supply passage. It has become. Setting of driving time of the bellows pump 57 and ON / OFF of the air operation valve 54
The operation is automatically controlled by the action of the computer based on a preset program.

【0036】レジスト液Bの吐出時間の制御はレジスト
液供給ノズル50に設けた可変オリフィス(図示せず)
の開閉動作によって行うことも可能である。また、ベロ
ーズポンプ57を用いずにレジスト液タンク52へのN
2 ガスの加圧によってレジスト液Bの供給を行うことも
可能であり、この場合のレジスト液Bの吐出時間制御は
2 ガスの加圧量の調整によって行うことができる。
The ejection time of the resist solution B is controlled by a variable orifice (not shown) provided in the resist solution supply nozzle 50.
It is also possible to perform the opening and closing operation of. Further, without using the bellows pump 57, the N
It is also possible to supply the resist solution B by pressurizing the 2 gas, and in this case, the discharge time of the resist solution B can be controlled by adjusting the pressurizing amount of the N 2 gas.

【0037】上記レジスト液供給系に設けられたサック
バックバルブ53は、レジスト液供給ノズル50からの
レジスト液吐出後、レジスト液供給ノズル50先端内壁
部に表面張力によって残留しているレジスト液Bをレジ
スト液供給ノズル50内に引き戻すためのバルブであ
り、これにより、残留レジスト液の固化を阻止するため
のものである。この場合、少量のレジスト液Bを吐出す
るレジスト液供給ノズル50において、通常通りサック
バックバルブ53の負圧作用によってレジスト液Bをレ
ジスト液供給ノズル50内に引き戻すと、ノズル50先
端付近の空気も一緒にノズル50内に巻き込まれてしま
い、ノズル50先端に付着したレジスト液Bの残滓がノ
ズル50内に入り、ノズル50の目詰まりを起こすばか
りか、乾燥したレジストがパーティクルとなり基板Gが
汚染されると共に、歩留まりの低下をきたすという虞れ
がある。
After sucking the resist solution from the resist solution supply nozzle 50, the suck back valve 53 provided in the resist solution supply system removes the resist solution B remaining on the inner wall of the tip of the resist solution supply nozzle 50 due to surface tension. A valve for returning the resist liquid to the inside of the resist liquid supply nozzle 50, thereby preventing solidification of the residual resist liquid. In this case, in the resist solution supply nozzle 50 that discharges a small amount of the resist solution B, when the resist solution B is pulled back into the resist solution supply nozzle 50 by the negative pressure action of the suck back valve 53 as usual, the air near the tip of the nozzle 50 is also removed. The resist solution B remaining on the tip of the nozzle 50 is also entrained in the nozzle 50, and the residue of the resist solution B enters the nozzle 50, causing the nozzle 50 to be clogged, and the dried resist becoming particles to contaminate the substrate G. In addition, there is a risk that the yield will decrease.

【0038】この問題を解決するために、図5(a)に
示すように、レジスト液供給ノズル50のノズル孔50
aに比較して、開口部近くの部分の肉厚50bを厚くし
ている。すなわち、このノズル50は、筒状の先端部
と、この筒状の先端部に続く、逆円錐台形部とを有す
る。代わって、図5(b)に示すように、レジスト液供
給ノズル50の筒状の先端部又は開口部に外フランジ5
0cを設けることにより、サックバックの際にノズル5
0先端付近の空気の巻き込みを防止することができる。
また、図5(c)に示すように、レジスト液供給ノズル
50の垂直に延びた円筒状の先端に横S字状に延びた細
径の屈曲部50dを形成し、この屈曲部50dの中央付
近までサックバックを行うことにより、同様にノズル先
端部の空気の巻き込みを防止することができる。
In order to solve this problem, as shown in FIG. 5A, the nozzle hole 50 of the resist solution supply nozzle 50 is provided.
The wall thickness 50b near the opening is made thicker than that of a. That is, the nozzle 50 has a tubular tip portion and an inverted frustoconical portion that follows the tubular tip portion. Instead, as shown in FIG. 5B, the outer flange 5 is attached to the cylindrical tip portion or opening of the resist solution supply nozzle 50.
By providing 0c, the nozzle 5
It is possible to prevent the entrapment of air near the zero tip.
Further, as shown in FIG. 5C, a small-diameter bent portion 50d extending in a lateral S shape is formed at the vertically extending cylindrical tip of the resist solution supply nozzle 50, and the center of the bent portion 50d is formed. By sucking back to the vicinity, it is possible to prevent air from being entrained in the nozzle tip portion in the same manner.

【0039】上記温度調整機構61(温度調整手段)
は、図6に示すように、溶剤供給チューブ41及びレジ
スト供給チューブ51の外周をそれぞれ包囲するように
設けられる温度調整液供給路62と、この温度調整液供
給路62の両側の端部に両端がそれぞれ接続された循環
路63と、循環路63のそれぞれに設けられた循環ポン
プ64と、循環路63の途中に接続された温度調整液C
(例えば恒温水)を一定温度に維持するサーモモジュー
ル65とにより構成されている。このように構成された
温度調整機構61により、溶剤供給チューブ41内を流
れる溶剤Aとレジスト供給チューブ51内を流れるレジ
スト液Bを所定温度(例えば、約23℃)に維持するこ
とができる。
The temperature adjusting mechanism 61 (temperature adjusting means)
As shown in FIG. 6, the temperature adjusting liquid supply passage 62 is provided so as to surround the outer peripheries of the solvent supply tube 41 and the resist supply tube 51, and both ends of the temperature adjusting liquid supply passage 62 are provided at both ends. , A circulation pump 64 provided in each circulation passage 63, and a temperature adjusting liquid C connected in the middle of the circulation passage 63.
The thermo module 65 maintains a constant temperature (for example, constant temperature water). With the temperature adjusting mechanism 61 thus configured, the solvent A flowing in the solvent supply tube 41 and the resist solution B flowing in the resist supply tube 51 can be maintained at a predetermined temperature (for example, about 23 ° C.).

【0040】図6上では、溶剤供給ノズル40と溶剤供
給チューブ41とが、また、レジスト液供給ノズル50
とレジスト液供給チューブ51とが、それぞれ一体に形
成されているが、図7を参照して以下に詳述するよう
に、別体として形成することも好ましい。
In FIG. 6, the solvent supply nozzle 40 and the solvent supply tube 41 are shown as well as the resist solution supply nozzle 50.
Although the resist solution supply tube 51 and the resist solution supply tube 51 are formed integrally with each other, it is also preferable to form them separately as described in detail below with reference to FIG. 7.

【0041】上記噴頭60は例えばステンレス鋼あるい
はアルミニウム合金製部材にて形成されている。この噴
頭60の上面には迂回通路60bの一部をなすU字状の
孔がそれぞれ形成され、この孔の底部には噴頭60の下
面まで延出した垂直貫通孔60cが形成されている。各
貫通孔60cは、下方に向かうに従って大径となる傾斜
中部60dと、大径の下部60eとを有し、この下部6
0eの内周面には雌ねじが形成されている。このような
構成の噴頭60に、ノズル40,50を装着する場合に
は、貫通孔60c中に、円筒状のノズル40,50をそ
れぞれ上部並びに下部が延出するように貫挿し、ノズル
40,50が貫通可能な垂直貫通孔を有するほぼ円錐形
の合成樹脂でできたシール部材66を傾斜中部60dに
詰め、ノズル40,50が貫通可能な垂直貫通孔を有す
る取付けねじ部材67をねじ付け下部5c中に捩入する
ことにより、シール部材66を中部60dの傾斜内周面
に押圧させている。このようにして、ノズル40,50
は噴頭60に液密に装着されている。この場合、中間部
5bの上面とシール部材66との上面との間に図示のよ
うにOリング68を介在させることにより、迂回通路1
5とノズル40,50との間の水密維持を更に確実にす
ることができる。
The nozzle head 60 is made of, for example, a stainless steel or aluminum alloy member. A U-shaped hole forming a part of the bypass passage 60b is formed on the upper surface of the jet nozzle 60, and a vertical through hole 60c extending to the lower surface of the nozzle nozzle 60 is formed at the bottom of the hole. Each through hole 60c has an inclined middle portion 60d having a larger diameter as it goes downward and a lower portion 60e having a larger diameter.
A female screw is formed on the inner peripheral surface of 0e. When the nozzles 40 and 50 are mounted on the nozzle head 60 having such a configuration, the cylindrical nozzles 40 and 50 are inserted into the through hole 60c so that the upper portion and the lower portion thereof respectively extend, and the nozzle 40, A sealing member 66 made of a substantially conical synthetic resin having a vertical through hole through which 50 can penetrate is packed in the inclined middle portion 60d, and a mounting screw member 67 having a vertical through hole through which the nozzles 40 and 50 can penetrate is screwed to the lower portion. The seal member 66 is pressed against the inclined inner peripheral surface of the middle portion 60d by being screwed into the 5c. In this way, the nozzles 40, 50
Is attached to the nozzle head 60 in a liquid-tight manner. In this case, by interposing an O-ring 68 between the upper surface of the intermediate portion 5b and the upper surface of the seal member 66 as shown in the drawing, the bypass passage 1
The watertightness between the nozzle 5 and the nozzles 40 and 50 can be further ensured.

【0042】上記噴頭60は、水平方向(X,Y方向)
の回転及び垂直方向(Z方向)に移動可能な移動アーム
71の先端に装着されている。移動アーム71は、図2
に示すように、ドレンカップ14の外側方に配設され、
図示しないステッピングモータ等の駆動手段によって溶
剤供給ノズル40及びレジスト液供給ノズル50をそれ
ぞれ基板Gの中心部上方の作動位置とノズル待機部72
上方の待機位置との間に選択的に移動されるようになっ
ている。すなわち、待機位置から溶剤供給ノズル40が
基板Gの中心位置へ移動され、所定時間経過後、次にレ
ジスト液供給ノズル50が基板Gの中心位置へ移動され
た後、両ノズル40,50は待機部72へ移動されるよ
うになっている。上記噴頭60すなわち溶剤供給ノズル
40及びレジスト液供給ノズル50の移動機構は必しも
上述の回転する移動アーム71による必要はなく、例え
ばリニア式のスキャン機構を用いてもよい。
The jet head 60 is horizontally (X and Y directions).
Is attached to the tip of a moving arm 71 that can rotate and move in the vertical direction (Z direction). The moving arm 71 is shown in FIG.
As shown in, it is arranged on the outer side of the drain cup 14,
The solvent supply nozzle 40 and the resist solution supply nozzle 50 are respectively driven by a driving means such as a stepping motor (not shown) to an operating position above the central portion of the substrate G and a nozzle standby portion 72.
It is adapted to be selectively moved to and from the upper standby position. That is, the solvent supply nozzle 40 is moved from the standby position to the center position of the substrate G, and after a predetermined time elapses, the resist solution supply nozzle 50 is moved to the center position of the substrate G, and then both nozzles 40, 50 are on standby. It is adapted to be moved to the section 72. The jet head 60, that is, the moving mechanism of the solvent supply nozzle 40 and the resist solution supply nozzle 50 does not necessarily need to be the above-described rotating moving arm 71, and for example, a linear scanning mechanism may be used.

【0043】また、上記N2ガス供給ノズル36は、図
8に示すように、ドーナツ状の中空パイプにて形成され
るノズル本体36aと、このノズル本体36aの外周面
に適宜間隔をおいて穿設される多数の小孔36bとで構
成されている。このように構成されるN2ガス供給ノズ
ル36は、上記スピンチャツク10と共に昇降する取付
部材34に取り付けられ、固定カラー24を貫通するN
2ガス供給チューブ36cを介して図示しないN2ガス供
給源に接続されている。そして、回転処理後のスピンチ
ャック10の上昇と共に上昇して回転カップ12の処理
室11内に位置した際に、N2ガス供給源から供給され
るN2ガスを処理室11内に放射状に噴射して、処理室
11内をN2パージすると共に、処理室11内の負圧状
態を解除して、以後の蓋体16の開放を容易に行えるよ
うにしてある。
Further, as shown in FIG. 8, the N 2 gas supply nozzle 36 has a nozzle body 36a formed of a donut-shaped hollow pipe and an outer peripheral surface of the nozzle body 36a, which are bored at appropriate intervals. It is composed of a large number of small holes 36b provided. The N 2 gas supply nozzle 36 configured as described above is attached to the attachment member 34 that moves up and down together with the spin chuck 10 and penetrates the fixed collar 24.
It is connected to an N 2 gas supply source (not shown) via a 2 gas supply tube 36c. Then, when located within the processing chamber 11 of the rises and rotary cup 12 with increasing spin chuck 10 after the rotation process, radially N 2 gas supplied from N 2 gas supply source into the process chamber 11 injection Then, the inside of the processing chamber 11 is purged with N 2 and the negative pressure state in the processing chamber 11 is released so that the lid 16 can be easily opened thereafter.

【0044】また、上記N2ガス供給ノズル36と共に
取付部材34に取り付けられる洗浄ノズル35は、図3
及び図9に示すように、回転カップ12の底面に向って
傾斜する底面洗浄ノズル体35aと、回転カップ12の
内側面に向って水平状に突出する側面洗浄ノズル体35
bと、蓋体16の下面に向って傾斜する蓋体洗浄ノズル
体35cとで構成されている。これら、ノズル体35a
〜35cは、固定カラー24を貫通する洗浄液供給チュ
ーブ36dを介して図示しない洗浄液供給源に接続され
ている。この洗浄ノズル35によって回転カップ12の
洗浄を行う場合には、図9に示すように、まず、回転処
理後にスピンチャック10の上昇と共に上昇して各ノズ
ル体35a〜35cを回転カップ12の処理室11内に
位置させ、次に、洗浄液供給源から供給される洗浄液を
各ノズル体35a〜35cから回転する回転カップ12
の底面、内側面及び蓋体16の下面(具体的には、蓋体
16と回転カップ12の当接部)に向かって噴射させ
て、回転カップ12及び蓋体16に付着するレジスト液
を洗浄することができる。この洗浄処理は所定枚数の基
板Gの処理を行った後、定期的に行えばよい。
Further, the cleaning nozzle 35 attached to the attachment member 34 together with the N 2 gas supply nozzle 36 is shown in FIG.
As shown in FIG. 9 and FIG. 9, a bottom surface cleaning nozzle body 35 a inclined toward the bottom surface of the rotating cup 12 and a side surface cleaning nozzle body 35 protruding horizontally toward the inner side surface of the rotating cup 12.
b and a lid cleaning nozzle body 35c that is inclined toward the lower surface of the lid 16. These nozzle bodies 35a
.About.35c are connected to a cleaning liquid supply source (not shown) via a cleaning liquid supply tube 36d penetrating the fixed collar 24. When the rotary cup 12 is cleaned by the cleaning nozzle 35, as shown in FIG. 9, first, after the rotation process, the spin chuck 10 is lifted to move the nozzle bodies 35 a to 35 c into the processing chamber of the rotary cup 12. 11, a rotating cup 12 for rotating the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply source from the nozzle bodies 35a to 35c.
Of the resist solution adhering to the rotating cup 12 and the lid 16 by spraying the liquid toward the bottom surface, the inner side surface and the lower surface of the lid 16 (specifically, the contact portion between the lid 16 and the rotating cup 12). can do. This cleaning process may be performed periodically after processing a predetermined number of substrates G.

【0045】次に、上記のように構成される塗布膜形成
装置によるレジスト膜の形成手順を、図10のフローチ
ャート及び図11の説明図を参照して説明する。
Next, the procedure for forming a resist film by the coating film forming apparatus having the above-mentioned structure will be described with reference to the flowchart of FIG. 10 and the explanatory view of FIG.

【0046】まず、回転カップ12の蓋体16及びドレ
ンカップ14の固定蓋体15を開放し、そして、基板G
を、図示しない搬送アームによって静止したスピンチャ
ック10上に移動させ、基板Gを真空吸着によってスピ
ンチャック10が保持し基板Gを支持する。次に、スピ
ンチャック10の回転駆動により基板Gを処理時の定常
回転より低速に回転(回転数:例えば200〜800r
pm,加速度:300〜500rpm/sec)させる
と共に、回転カップ12を同じ速度で回転させる。この
回転中に、移動機構70の移動アーム71が待機位置7
2から回転して基板Gの中心部上方に移動させられた噴
頭60の溶剤供給ノズル40から基板表面に塗布液の溶
剤Aとして例えばエチルセロソルブアセテート(EC
A)を例えば20秒(sec)間で例えば26.7cc
供給例えば滴下する(ステップ)。また、基板Gを回
転させずに静止した状態で溶剤Aを滴下し、その後回転
してもよい。このようにして溶剤Aを20sec間供給
した後、スピンチャック10及び回転カップ12の回転
数を上記低速回転数による回転状態で溶剤Aの供給を停
止する(ステツプ)。このとき、溶剤Aは基板Gの全
面に拡散され塗布される(図11(a)参照)。
First, the lid 16 of the rotary cup 12 and the fixed lid 15 of the drain cup 14 are opened, and the substrate G
Is moved onto the stationary spin chuck 10 by a transfer arm (not shown), and the substrate G is held by the spin chuck 10 by vacuum suction to support the substrate G. Next, the rotation of the spin chuck 10 causes the substrate G to rotate at a lower speed than the steady rotation during processing (rotation speed: for example, 200 to 800 r
pm, acceleration: 300 to 500 rpm / sec), and the rotating cup 12 is rotated at the same speed. During this rotation, the moving arm 71 of the moving mechanism 70 moves to the standby position 7
As the solvent A of the coating liquid on the surface of the substrate from the solvent supply nozzle 40 of the jet nozzle 60 which is rotated from 2 and is moved above the center of the substrate G, for example, ethyl cellosolve acetate (EC
For example, 2) cc in A) for 20 seconds (sec)
Supply, for example, dropping (step). Alternatively, the solvent A may be dropped while the substrate G is stationary without being rotated, and then the substrate G may be rotated. After the solvent A has been supplied for 20 seconds in this way, the supply of the solvent A is stopped (step) while the spin chuck 10 and the rotary cup 12 are rotated at the low rotation speed. At this time, the solvent A is diffused and applied to the entire surface of the substrate G (see FIG. 11A).

【0047】次に、スピンチャック10を、高速回転
(第1の回転数:500から1500rpm程度の範囲
例えば1000rpm,加速度:300〜600rpm
/sec)させると同時に、基板表面上の溶剤膜上の中
心部上方に移動されたレジスト液供給ノズル50aから
塗布液例えばレジスト液Bを例えば5sec間供給例え
ば8cc滴下する(ステップ)。このときの溶剤Aが
乾燥する時期は、予め実験により求めることができる。
例えば、基板Gの表面を目視し、光の干渉縞が見えてい
る間は乾燥しておらず、乾燥したら干渉縞が見えなくな
るので、その時期を知ることができる。この場合5se
c間の供給時期には、上記したベローズポンプ57の駆
動時間を制御でき、レジスト液の供給量を正確にかつ微
妙に制御できるように構成されている。このようにして
レジスト液Bを5sec供給(滴下)した後、レジスト
液Bの供給を停止すると同時に、スピンチャック10及
び回転カップ12の回転を停止する(ステップ)。こ
の状態では、レジスト液Bは基板Gの角部Gaを残した
略同心円内に塗布される(図11(b)参照)。このと
き、レジスト液Bを基板Gの角部Gaを含む全域に供給
すると、レジスト液Bの無駄が生じるばかりでなく、レ
ジスト液Bのミストが飛散して回転カップ12及び基板
Gの裏面に付着する虞れが生じるという問題がある。し
たがって、レジスト液Bの量は、所定の膜厚で基板Gの
全域に供給される必要最小限の量に設定されることが望
ましい。
Next, the spin chuck 10 is rotated at high speed (first rotation speed: in the range of 500 to 1500 rpm, for example, 1000 rpm, acceleration: 300 to 600 rpm).
/ Sec), and at the same time, the coating liquid, for example, the resist liquid B is supplied for 5 seconds, for example, 8 cc, from the resist liquid supply nozzle 50a moved above the central portion on the solvent film on the substrate surface (step). The time at which the solvent A is dried can be determined in advance by experiments.
For example, by visually observing the surface of the substrate G, it is not dried while the interference fringes of light are visible, and the interference fringes are not visible when dried, so the time can be known. In this case 5se
During the supply period between c, the driving time of the bellows pump 57 described above can be controlled, and the supply amount of the resist solution can be accurately and delicately controlled. After the resist solution B is supplied (dropped) for 5 seconds in this way, the supply of the resist solution B is stopped and at the same time, the rotations of the spin chuck 10 and the rotary cup 12 are stopped (step). In this state, the resist solution B is applied in a substantially concentric circle where the corner portion Ga of the substrate G is left (see FIG. 11B). At this time, if the resist solution B is supplied to the entire area including the corner portion Ga of the substrate G, not only the resist solution B is wasted but also the mist of the resist solution B is scattered and adheres to the rotation cup 12 and the back surface of the substrate G. There is a problem that it may occur. Therefore, it is desirable that the amount of the resist liquid B is set to a necessary minimum amount that is supplied to the entire area of the substrate G with a predetermined film thickness.

【0048】次に、レジスト液Bの供給を停止し、レジ
スト液供給ノズル50を待機位置に移動した後、ロボッ
トアーム20によって固定蓋体15及び蓋体16をドレ
ンカップ14及び回転カップ12の上方開口部12aに
閉止し、回転カップ12内に基板Gを封入する(ステッ
プ)。
Next, after stopping the supply of the resist solution B and moving the resist solution supply nozzle 50 to the standby position, the robot arm 20 moves the fixed lid body 15 and the lid body 16 above the drain cup 14 and the rotary cup 12. The substrate G is closed in the opening 12 a and the substrate G is sealed in the rotary cup 12 (step).

【0049】このようにしてドレンカップ14の開口部
を固定蓋体15で閉止すると共に、回転カップ12の開
口部12aを蓋体16で閉止し密閉した状態で、スピン
チャック10及び回転カップ12を例えば15sec
間、上記第1の回転数より高速に回転(第2の回転数:
1000〜3000rpm程度の範囲例えば1400r
pm,加速度:500rpm/sec)させると、レジ
スト液Bは基板Gの全面に行き渡りレジスト膜の膜厚が
整えられる(ステップ,図11(c)参照)。この時
のレジスト液Bの吐出量と時間でレジスト膜の膜厚が決
定する。なお、この状態では溶剤A及びレジスト膜は乾
燥されていないウエットな状態である。
In this way, the spin chuck 10 and the rotary cup 12 are closed while the opening of the drain cup 14 is closed by the fixed lid 15 and the opening 12a of the rotary cup 12 is closed and closed by the lid 16. For example, 15 sec
During this period, the rotation speed is higher than the first rotation speed (second rotation speed:
Range of about 1000 to 3000 rpm, for example, 1400r
pm, acceleration: 500 rpm / sec), the resist solution B spreads over the entire surface of the substrate G and the film thickness of the resist film is adjusted (step, see FIG. 11C). The thickness of the resist film is determined by the discharge amount and time of the resist liquid B at this time. In this state, the solvent A and the resist film are not dried and are in a wet state.

【0050】また、上記膜厚形成工程中において、スピ
ンチャック10及び回転カップ12の回転に伴う負圧及
び排気口14b側で常時排気されることによって、空気
導入16cから処理室11内に空気が流れ、その空気が
整流板13によって回転カップ12の内側壁側に案内さ
れ、内側壁に沿って排気孔12dから排出されるので、
処理室11内に飛散されたレジスト液のミストは基板G
に再付着することなく、また回転カップ12の開口部と
蓋体16との当接部へのミストの付着を防止すべく外部
へ排出される。また、固定蓋体15に設けられた空気供
給孔15aからドレンカップ14内にも空気が流れ、そ
の空気は回転カップ12の外側壁に沿って排気口14b
から排出されるので、回転カップ12の処理室11内か
ら排出されたミストの上方への舞い上がりを防止し、ド
レンカップ14の内側壁へのミストの付着を防止するこ
とができる。
In the film thickness forming step, the negative pressure associated with the rotation of the spin chuck 10 and the rotary cup 12 and the constant exhaustion at the exhaust port 14b cause air to be introduced from the air inlet 16c into the processing chamber 11. Since the flow of the air is guided to the inner wall side of the rotary cup 12 by the straightening vane 13 and discharged from the exhaust hole 12d along the inner wall,
The mist of the resist solution scattered in the processing chamber 11 is the substrate G.
It is discharged to the outside in order to prevent the mist from adhering to the abutting portion of the opening of the rotary cup 12 and the lid 16 without reattaching to the. Air also flows into the drain cup 14 from the air supply hole 15a provided in the fixed lid body 15, and the air flows along the outer wall of the rotary cup 12 to the exhaust port 14b.
Therefore, the mist discharged from the processing chamber 11 of the rotary cup 12 can be prevented from rising upward, and the mist can be prevented from adhering to the inner wall of the drain cup 14.

【0051】塗布処理が終了した後、スピンチャック1
0及び回転カップ12の回転を低速例えば500rpm
で回転して基板Gの姿勢を制御しながらスピンチャツク
10を僅かに上昇させてN2ガス供給ノズル36を処理
室11内に露呈させる(ステップ,図9参照)。そし
て、N2ガス供給ノズル36の小孔36bから処理室1
1内に放射状にN2ガスを噴射させて処理室11内をN2
ガスで置換すると共に、処理室11内の負圧状態を解除
する(ステップ)。その後、スピンチャック10及び
回転カップ12の回転を停止した後、ロボットアーム2
0によって蓋体16を待機位置に移動させて、図示しな
い搬送アームによって基板Gを取出して、塗布作業を完
了する。
After the coating process is completed, the spin chuck 1
0 and the rotation of the rotating cup 12 are low speed, for example, 500 rpm
The spin chuck 10 is slightly raised while rotating the substrate G to control the attitude of the substrate G to expose the N 2 gas supply nozzle 36 in the processing chamber 11 (step, see FIG. 9). Then, from the small hole 36b of the N 2 gas supply nozzle 36 to the processing chamber 1
N 2 and radially by injecting the N 2 gas treatment chamber 11 in 1
The gas is replaced and the negative pressure state in the processing chamber 11 is released (step). Then, after stopping the rotation of the spin chuck 10 and the rotary cup 12, the robot arm 2
The lid 16 is moved to the standby position by 0, and the substrate G is taken out by the transfer arm (not shown) to complete the coating operation.

【0052】また、必要に応じて、基板Gを搬出した
後、回転カップ12の開口部12aを蓋体16で閉止し
た状態で、スピンチャック10を上昇させて洗浄ノズル
35の各ノズル体35a〜35cを処理室11内に露呈
させ、そして、回転カップ12を回転させながら各ノズ
ル体35a〜35cから洗浄液を噴射して、回転カップ
12の底部12b,側壁部12c,蓋体16の下面及び
蓋体16と回転カップ12の当接部に付着したレジスト
液等を除去する。この洗浄処理は基板Gの所定枚数が処
理された後に定期的に行われる。
If necessary, after the substrate G is unloaded, the spin chuck 10 is lifted while the opening 12a of the rotary cup 12 is closed by the lid 16, and each nozzle body 35a of the cleaning nozzle 35. 35c is exposed in the processing chamber 11, and the cleaning liquid is jetted from each of the nozzle bodies 35a to 35c while rotating the rotary cup 12, and the bottom portion 12b of the rotary cup 12, the side wall portion 12c, the lower surface of the lid body 16 and the lid. The resist liquid and the like adhering to the contact portion between the body 16 and the rotating cup 12 are removed. This cleaning process is performed periodically after a predetermined number of substrates G have been processed.

【0053】上記のように構成されるこの発明に係る塗
布膜形成装置はLCD基板Gのレジスト塗布装置として
単独で使用される他、後述するLCD基板Gのレジスト
塗布・現像処理システムに組み込んで使用することがで
きる。以下に、上記実施例の塗布膜形成装置を組み込ん
だレジスト塗布・現像処理システムの構造について説明
する。
The coating film forming apparatus according to the present invention configured as described above is used alone as a resist coating apparatus for the LCD substrate G, and is also used by being incorporated in a resist coating / developing processing system for the LCD substrate G described later. can do. The structure of a resist coating / developing system incorporating the coating film forming apparatus of the above embodiment will be described below.

【0054】上記レジスト塗布・現像処理システムは、
図12に示すように、基板Gを搬入・搬出するローダ部
90と、基板Gの第1処理部91と、中継部93を介し
て第1処理部91に連設される第2処理部92とで主に
構成されている。なお、第2処理部92には受渡し部9
4を介してレジスト膜に所定の微細パターンを露光する
ための露光装置95が連設可能になっている。
The above resist coating / developing system is
As shown in FIG. 12, a loader unit 90 for loading and unloading the substrate G, a first processing unit 91 for the substrate G, and a second processing unit 92 that is continuously provided to the first processing unit 91 via a relay unit 93. It is mainly composed of and. The second processing unit 92 has a delivery unit 9
An exposure device 95 for exposing a predetermined fine pattern on the resist film can be connected via the line 4.

【0055】上記ローダ部90は、未処理の基板Gを収
容するカセット96と、処理済みの基板Gを収容するカ
セット97を載置するカセット載置台98と、このカセ
ット載置台98上のカセット96,97との間で基板G
の搬出入を行うべく水平(X,Y)方向と垂直(Z)方
向の移動及び回転(θ)可能な基板搬出入ピンセット9
9とで構成されている。
The loader unit 90 has a cassette 96 for accommodating an unprocessed substrate G, a cassette mounting table 98 for mounting a cassette 97 for accommodating the processed substrate G, and a cassette 96 on the cassette mounting table 98. , 97 to substrate G
Substrate loading / unloading tweezers 9 capable of moving and rotating (θ) in horizontal (X, Y) and vertical (Z) directions for loading / unloading
It is composed of 9 and 9.

【0056】上記第1処理部91は、X,Y、Z方向の
移動及びθ回転可能なメインアーム80の搬送路102
の一方の側に、基板Gをブラシ洗浄するブラシ洗浄装置
120と、基板Gを高圧ジェット水で洗浄するジェット
水洗浄装置130と、基板Gの表面を疎水化処理するア
ドヒージョン処理装置105と、基板Gを所定温度に冷
却する冷却処理装置106とを配置し、搬送路102の
他方の側に、この発明の塗布膜形成装置である塗布処理
装置107及び塗布膜除去装置108を配置してなる。
The first processing section 91 is a transfer path 102 for the main arm 80 which is movable in the X, Y and Z directions and is rotatable by θ.
On one side, a brush cleaning device 120 for brush cleaning the substrate G, a jet water cleaning device 130 for cleaning the substrate G with high-pressure jet water, an adhesion treatment device 105 for hydrophobicizing the surface of the substrate G, and a substrate A cooling processing device 106 for cooling G to a predetermined temperature is arranged, and a coating processing device 107 and a coating film removing device 108, which are coating film forming devices of the present invention, are arranged on the other side of the transport path 102.

【0057】一方、上記第2処理部92は、第1処理部
91と同様に、X,Y、Z方向の移動及びθ回転可能な
メインアーム80aを有し、このメインアーム80aの
搬送路102aの一方の側に、レジスト液塗布の前後で
基板Gを加熱してプリベーク又はポストベークを行う加
熱処理装置109を配置し、搬送路102aの他方の側
に、現像装置110を配置している。
On the other hand, the second processing section 92 has a main arm 80a which is movable in the X, Y and Z directions and can be rotated by the same as the first processing section 91, and the transfer path 102a of the main arm 80a. A heat treatment device 109 that heats the substrate G before and after applying the resist solution to perform pre-baking or post-baking is arranged on one side, and a developing device 110 is arranged on the other side of the transport path 102a.

【0058】また、上記中継部93は、基板Gを支持す
る支持ピン93aを立設する受渡し台93bを有する箱
体93cの底面にキャスタ93dを具備した構造とする
ことにより、必要に応じてこの中継部93を第1処理部
91及び第2処理部92から引出して、第1処理部91
又は第2処理部92内に作業員が入って補修や点検等を
容易に行うことができる。
Further, the relay section 93 has a structure in which casters 93d are provided on the bottom surface of a box body 93c having a transfer table 93b on which support pins 93a for supporting the substrate G are erected. The relay unit 93 is pulled out from the first processing unit 91 and the second processing unit 92, and the first processing unit 91
Alternatively, a worker can enter the second processing section 92 to easily perform repairs and inspections.

【0059】なお、上記受渡し部94には、基板Gを一
時待機させるためのカセット111と、このカセット1
11との間で基板Gの出入れを行う搬送用ピンセット1
12と、基板Gの受渡し台113が設けられている。
The transfer section 94 has a cassette 111 for temporarily holding the substrate G, and the cassette 1
Transport tweezers 1 for moving the substrate G in and out of
12 and a transfer table 113 for the substrate G are provided.

【0060】上記のように構成される塗布・現像処理シ
ステムにおいて、カセット96内に収容された未処理の
基板Gはローダ部90の搬出入ピンセット99によって
取出された後、第1処理部91のメインアーム80に受
け渡され、そして、ブラシ洗浄装置120内に搬送され
る。このブラシ洗浄装置120内にてブラシ洗浄された
基板Gは引続いてジェット水洗浄装置130内にて高圧
ジェット水により洗浄される。この後、基板Gは、アド
ヒージョン処理装置105にて疎水化処理が施され、冷
却処理装置106にて冷却された後、この発明に係る塗
布膜形成装置107にて、上述した手順によりフォトレ
ジストすなわち感光膜が塗布形成され、引続いて塗布膜
除去装置108によって基板Gの辺部の不要なレジスト
膜が除去される。したがって、この後、基板Gを搬出す
る際には縁部のレジスト膜は除去されているので、メイ
ンアーム80にレジストが付着することもない。そし
て、このフォトレジストが加熱処理装置109にて加熱
されてベーキング処理が施された後、露光装置95にて
所定のパターンが露光される。そして、露光後の基板G
は現像装置110内へ搬送され、現像液により現像され
た後にリンス液により現像液を洗い流し、現像処理を完
了する。
In the coating / development processing system configured as described above, the unprocessed substrate G accommodated in the cassette 96 is taken out by the carry-in / take-out tweezers 99 of the loader unit 90, and then the first processing unit 91. It is delivered to the main arm 80 and then conveyed into the brush cleaning device 120. The substrate G brush-cleaned in the brush cleaning device 120 is subsequently cleaned in the jet water cleaning device 130 with high-pressure jet water. After that, the substrate G is subjected to a hydrophobic treatment by the adhesion treatment device 105 and cooled by the cooling treatment device 106, and then the coating film forming device 107 according to the present invention performs the photoresist treatment by the above-described procedure. A photosensitive film is formed by coating, and then the unnecessary resist film on the side portion of the substrate G is removed by the coating film removing device 108. Therefore, after this, when the substrate G is carried out, the resist film on the edge is removed, so that the resist does not adhere to the main arm 80. Then, after the photoresist is heated by the heat treatment device 109 to be subjected to a baking treatment, a predetermined pattern is exposed by the exposure device 95. And the substrate G after exposure
Is conveyed into the developing device 110, and after being developed with the developing solution, the developing solution is washed away with the rinse solution to complete the developing process.

【0061】現像処理された処理済みの基板Gはローダ
部90のカセット97内に収容された後に、搬出されて
次の処理工程に向けて移送される。
The developed and processed substrate G is housed in the cassette 97 of the loader unit 90, then carried out and transferred to the next processing step.

【0062】なお、上記実施例においては、溶剤供給ノ
ズル40を噴頭60にレジスト液供給ノズル50と一体
的に備えた構成について説明したが、これに限定される
ものではなく、図13に示す実施例のように示すよう
に、リンス液供給ノズル45を有する噴頭46と一体的
に設けて溶剤を供給してもよい。この例では、溶剤の供
給路とレジスト液の供給路とに、共通の温度調節機構6
1が配設されている(図14参照)。また、噴頭60と
移動機構70の移動アーム71とは一体に形成され、噴
頭60と移動アーム71に温度調整液供給路62を形成
し、この供給路62内に溶剤供給チューブ41とレジス
ト液供給チューブ51とを配管して、同一の温度調整液
Cによって溶剤Aとレジスト液Bとの温度調節を行える
ようにしている。このように構成することにより、温度
調節機構61の構造を簡略化することができると共に、
溶剤Aとレジスト液Bとを同一の温度に維持することが
できる。
In the above embodiment, the structure in which the solvent supply nozzle 40 is integrally provided with the resist liquid supply nozzle 50 on the nozzle head 60 has been described, but the present invention is not limited to this, and the embodiment shown in FIG. As shown in the example, the solvent may be supplied by being provided integrally with the nozzle head 46 having the rinse liquid supply nozzle 45. In this example, a common temperature adjusting mechanism 6 is used for the solvent supply path and the resist solution supply path.
1 is provided (see FIG. 14). Further, the nozzle head 60 and the moving arm 71 of the moving mechanism 70 are integrally formed, and a temperature adjusting liquid supply path 62 is formed in the nozzle head 60 and the moving arm 71, and the solvent supply tube 41 and the resist solution supply are provided in the supply path 62. A tube 51 is provided so that the temperature of the solvent A and the resist liquid B can be adjusted by the same temperature adjusting liquid C. With this configuration, the structure of the temperature adjusting mechanism 61 can be simplified, and
The solvent A and the resist solution B can be maintained at the same temperature.

【0063】噴頭60とノズル40,50との配列並び
に構成は上記例に限定されるものではなく、例えば図1
5ないし図18に示すようにしてもよい。図15に示す
例は、レジスト液供給ノズル50の外周にこれと同軸的
に溶剤供給ノズル40を配置した場合である。このため
に、レジスト液供給ノズル50と溶剤供給ノズル40と
を二重管構造にし、かつ溶剤供給ノズル40の先端をレ
ジスト液供給ノズル50の先端よりも下方に突出させて
いる。勿論、溶剤供給ノズル40の先端をレジスト液供
給ノズル50の先端とが同一レベルになるように、もし
くは前者の方が短くなるように構成してもよい。代わっ
て、溶剤供給ノズル40の外側にレジスト液供給ノズル
50を配設するようにしてもよい。また、図16に示す
ように、レジスト液供給ノズル50と溶剤供給ノズル4
0とが併設され、これらの吐出口69が共通となってい
る機構を採用してもよい。
The arrangement and configuration of the nozzle head 60 and the nozzles 40 and 50 are not limited to the above-mentioned example. For example, FIG.
5 to 18 may be used. The example shown in FIG. 15 is a case in which the solvent supply nozzle 40 is arranged coaxially with the outer periphery of the resist solution supply nozzle 50. For this reason, the resist solution supply nozzle 50 and the solvent supply nozzle 40 have a double pipe structure, and the tip of the solvent supply nozzle 40 is projected below the tip of the resist solution supply nozzle 50. Of course, the tip of the solvent supply nozzle 40 may be at the same level as the tip of the resist solution supply nozzle 50, or the former may be shorter. Alternatively, the resist solution supply nozzle 50 may be arranged outside the solvent supply nozzle 40. Further, as shown in FIG. 16, the resist solution supply nozzle 50 and the solvent supply nozzle 4
It is also possible to adopt a mechanism in which 0 and 0 are provided side by side and these discharge ports 69 are common.

【0064】図17に示すように、噴頭60内に形成さ
れ中央に吐出口69を有する環状の溶剤貯留タンク60
f内の溶剤中に溶剤供給ノズル40の先端を挿入すると
共に、レジスト液供給ノズル50の先端をタンク60f
内の上部に位置させて、気化した溶剤の雰囲気にノズル
50の先端を晒すようにしてもよい。このように、レジ
スト液供給ノズル50の先端外周に溶剤供給ノズル40
の先端を配置することにより、レジスト液供給ノズル5
0に付着するレジストを溶剤によって洗浄することがで
きると共に、レジスト液の乾燥を防止することができ、
レジスト液の乾燥によるパーティクルの発生を防止する
ことができる。
As shown in FIG. 17, an annular solvent storage tank 60 formed in the jet nozzle 60 and having a discharge port 69 in the center.
The tip of the solvent supply nozzle 40 is inserted into the solvent inside the tank f, and the tip of the resist solution supply nozzle 50 is inserted into the tank 60f.
Alternatively, the tip of the nozzle 50 may be exposed to the atmosphere of the vaporized solvent. In this way, the solvent supply nozzle 40 is attached to the outer periphery of the tip of the resist solution supply nozzle 50.
By disposing the tip of the resist liquid supply nozzle 5
The resist adhering to 0 can be washed with a solvent, and the resist liquid can be prevented from drying.
Generation of particles due to drying of the resist solution can be prevented.

【0065】また、図18に示すように、レジスト液供
給ノズル50の外周に沿って平行に溶剤供給ノズル40
を配置すると共に、このノズル40の先端を複数、この
例では4つ分岐させるようにしてもよい。この結果、溶
剤は一度に4箇所に供給される。好ましくは、これら分
岐ノズル部40aは、基板Gと相似形をなす矩形の4つ
の角にそれぞれ対応するように配設され、基板Gの中心
に対して対角線上の対称位置に同時に溶剤が供給され
る。このようにすれば、矩形の基板において溶剤の拡散
をある程度均一にすることができる。
Further, as shown in FIG. 18, the solvent supply nozzle 40 is arranged in parallel along the outer periphery of the resist solution supply nozzle 50.
May be arranged, and the tip of this nozzle 40 may be branched into a plurality, in this example, four. As a result, the solvent is supplied to four locations at once. Preferably, the branch nozzle portions 40a are arranged so as to respectively correspond to the four corners of a rectangle similar to the substrate G, and the solvent is simultaneously supplied to the center of the substrate G at symmetrical positions on a diagonal line. It By doing so, the diffusion of the solvent can be made uniform to some extent on the rectangular substrate.

【0066】なお、上記実施例では、回転カップ12の
蓋体16をロボットアーム20で移動させて開放し、溶
剤Aの供給ノズル40,レジスト液Bの供給ノズル50
などを、移動機構70で基板Gの中心部上方に移動し
て、溶剤A,レジスト液Bを滴下する構成について説明
したが、回転カップ12の開口部12aを蓋体16で閉
止した状態で滴下するように構成してもよい。例えば、
図19に示すように、蓋体16の膨隆頭部18部分を中
空状に形成し、また、この上端部を蓋18Aで閉止可能
に構成する。そして、蓋18Aを開け、移動機構70に
より上記ノズルを膨隆頭部18の中空上方すなわち基板
Gの中心部上方に移動させ、溶剤A,レジスト液Bを滴
下する。また、図20に示すように、膨隆頭部18の内
側にノズル取付部材18Bをベアリング18Cなどによ
り、蓋体16が回転可能に取付ける。そして、回転カッ
プ12の開口部12aを蓋体16で閉止した状態で、ノ
ズル取付部材18Bに取着したノズル40,50から溶
剤A,レジスト液Bを基板Gの中心部に滴下するように
構成してもよい。
In the above embodiment, the lid 16 of the rotary cup 12 is moved and opened by the robot arm 20 to supply the solvent A supply nozzle 40 and the resist solution B supply nozzle 50.
Although the moving mechanism 70 moves the upper part of the substrate G above the center of the substrate G to drop the solvent A and the resist liquid B, the opening 12a of the rotary cup 12 is dropped with the lid 16 closed. It may be configured to do so. For example,
As shown in FIG. 19, the bulging head portion 18 of the lid body 16 is formed in a hollow shape, and the upper end portion thereof can be closed by the lid 18A. Then, the lid 18A is opened, the moving mechanism 70 moves the nozzle above the hollow of the bulging head 18, that is, above the center of the substrate G, and the solvent A and the resist solution B are dropped. Further, as shown in FIG. 20, the nozzle mounting member 18B is rotatably mounted to the inside of the bulging head portion 18 by the bearing 18C and the like. Then, with the opening 12a of the rotary cup 12 closed by the lid 16, the solvent A and the resist solution B are dropped onto the central portion of the substrate G from the nozzles 40 and 50 attached to the nozzle mounting member 18B. You may.

【0067】上記したように、蓋体16で開口部12a
を閉止した状態で溶剤A,レジスト液Bを滴下すること
により、移動機構70による移動式に比べて処理スルー
プットの短縮化、密閉状態下での溶剤Aの滴下から塗布
処理終了までの処理プロセスを実現することが可能とな
る。例えば、溶剤Aの供給後、レジスト液Bを供給しな
がら回転カップ12を回転し、次にレジスト液Bの供給
を停止して、回転カップ12を回転するというようなプ
ロセスも実現できる。
As described above, the opening 16a is formed in the lid 16.
By dropping the solvent A and the resist solution B in the closed state, the processing throughput is shortened as compared with the moving type by the moving mechanism 70, and the processing process from the dropping of the solvent A in the sealed state to the end of the coating process is performed. It can be realized. For example, a process of rotating the rotary cup 12 while supplying the resist solution B after supplying the solvent A, then stopping the supply of the resist solution B, and rotating the rotary cup 12 can be realized.

【0068】上記実施例では、この発明に係る塗布膜形
成装置をLCD基板のレジスト塗布装置に適用した場合
について説明したが、LCD基板以外の半導体ウエハや
CD等の被処理体の塗布膜形成装置にも適用でき、レジ
スト以外のポリイミド系塗布液(PIQ)やガラス剤を
含有する塗布液(SOG)等にも適用できることは勿論
である。
In the above embodiments, the case where the coating film forming apparatus according to the present invention is applied to the resist coating apparatus for the LCD substrate has been described. However, the coating film forming apparatus for the object to be processed such as a semiconductor wafer or a CD other than the LCD substrate. Needless to say, the present invention can also be applied to a polyimide-based coating liquid (PIQ) other than resist, a coating liquid (SOG) containing a glass agent, and the like.

【0069】[0069]

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、基板の一面上に塗布液の溶剤を塗布して拡散させた
後、基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液を供給し、
第1の回転数で回転させて、基板の一面に拡散させ、処
理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封入した
後、蓋体が閉止された処理容器及び基板を第1の回転数
より高速の第2の回転数で回転させて、塗布膜の膜厚を
整えるので、溶剤に対する適正な配合割合の塗布液を供
給することができ、塗布液の使用量が少なくすることが
でき、塗布液の基板角部裏面への廻り込みを防止するこ
とができる。また、溶剤と塗布液との接触による塗布液
の粘度を均一にして均一な厚さの塗布膜を形成すること
ができる。したがって、歩留まりの向上及びスループッ
トの向上を図ることができる。
As described above, according to the present invention, after the solvent of the coating liquid is applied on one surface of the substrate and diffused, a predetermined amount of the coating liquid is applied to almost the center of the substrate. Supply,
The substrate is rotated at a first rotation speed to be diffused over one surface of the substrate, the lid is closed in the treatment container, the substrate is sealed in the treatment container, and then the treatment container and the substrate with the lid closed are Rotate at a second rotation speed higher than the rotation speed to adjust the film thickness of the coating film, so that it is possible to supply the coating liquid with an appropriate mixing ratio to the solvent and reduce the amount of the coating liquid used. Therefore, it is possible to prevent the coating liquid from flowing around to the back surface of the corner portion of the substrate. Further, it is possible to form a coating film having a uniform thickness by making the viscosity of the coating liquid uniform by the contact between the solvent and the coating liquid. Therefore, it is possible to improve the yield and the throughput.

【0070】また、処理容器及び基板を第2の回転数で
回転させる際、処理容器の上部中央より導入される空気
を処理容器の側壁に沿って下部側方へ流すことにより、
基板より飛散された塗布液のミストを基板へ再付着させ
ることなく排除することができる。
When the processing container and the substrate are rotated at the second rotation speed, the air introduced from the center of the upper part of the processing container is flowed to the lower side along the side wall of the processing container.
The mist of the coating liquid scattered from the substrate can be eliminated without reattaching to the substrate.

【0071】更には、処理容器の上部中央より導入され
る空気を処理容器の側壁に沿って下部側方へ流すと共
に、処理容器の外部上方から下方に向って空気を流すこ
とにより、更に確実に塗布液のミストを排除することが
できる。
Further, the air introduced from the center of the upper part of the processing container is made to flow to the lower side along the side wall of the processing container, and the air is made to flow downward from above the outside of the processing container to ensure reliability. It is possible to eliminate the mist of the coating liquid.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施例に係わる塗布膜の形成方法
を実施するための塗布膜形成装置の概略図である。
FIG. 1 is a schematic view of a coating film forming apparatus for carrying out a coating film forming method according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す塗布膜形成装置の概略平面図であ
る。
FIG. 2 is a schematic plan view of the coating film forming apparatus shown in FIG.

【図3】塗布膜形成装置の要部拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a coating film forming apparatus.

【図4】この発明における処理容器と蓋体を示す一部断
面斜視図である。
FIG. 4 is a partial cross-sectional perspective view showing a processing container and a lid according to the present invention.

【図5】この発明におけるレジスト液供給ノズルの先端
部のそれぞれ異なる変形例を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing different modified examples of the tip portion of the resist liquid supply nozzle according to the present invention.

【図6】塗布膜形成装置に使用されている噴頭を拡大し
て示す斜視図である。
FIG. 6 is an enlarged perspective view showing a nozzle head used in a coating film forming apparatus.

【図7】噴頭の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of a jet nozzle.

【図8】この発明における不活性ガス供給ノズルの概略
斜視図である。
FIG. 8 is a schematic perspective view of an inert gas supply nozzle according to the present invention.

【図9】この発明における不活性ガス供給ノズル及び洗
浄ノズルの使用状態を示す断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a usage state of the inert gas supply nozzle and the cleaning nozzle in the present invention.

【図10】塗布膜形成装置を使用してレジスト膜を形成
する方法を説明するためのフローチャトである。
FIG. 10 is a flow chart for explaining a method of forming a resist film using a coating film forming apparatus.

【図11】この発明の塗布膜形成方法により形成される
塗布膜の形成状態を示す説明図である。
FIG. 11 is an explanatory diagram showing a formation state of a coating film formed by the coating film forming method of the present invention.

【図12】塗布膜形成装置が適用されたレジスト塗布・
現像システムの全体を概略的に示す斜視図である。
FIG. 12: Resist coating using a coating film forming device
It is a perspective view which shows the whole developing system roughly.

【図13】噴頭の変形例を示す斜視図である。FIG. 13 is a perspective view showing a modified example of the jet nozzle.

【図14】噴頭の変形例を示す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing a modified example of the jet nozzle.

【図15】噴頭のノズル集合体の別の変形例を示す断面
図である。
FIG. 15 is a cross-sectional view showing another modification of the nozzle assembly of the jet nozzle.

【図16】噴頭のノズル集合体の更に別の変形例を示す
断面図である。
FIG. 16 is a cross-sectional view showing still another modified example of the nozzle assembly of the jet nozzle.

【図17】噴頭のノズル集合体の更に別の変形例を示す
断面図である。
FIG. 17 is a cross-sectional view showing still another modified example of the nozzle assembly of the jet nozzle.

【図18】ノズル集合体の変形例と、塗布膜形成体であ
るLCD基板とを示す斜視図である。
FIG. 18 is a perspective view showing a modified example of a nozzle assembly and an LCD substrate that is a coating film forming body.

【図19】液滴下方法の他の一例を示す説明図である。FIG. 19 is an explanatory diagram showing another example of the droplet dropping method.

【図20】液滴下方法の更に他の一例を示す構成図であ
る。
FIG. 20 is a configuration diagram showing still another example of the droplet dropping method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 スピンチャック(回転手段) 12 回転カップ(処理容器) 13 整流板 14 ドレンカップ(固定容器) 14b 排気口 15 固定蓋体 15b 空気供給孔 16 蓋体 16c 空気導入口 40 溶剤供給ノズル(溶剤供給手段) 50 レジスト液供給ノズル(塗布液供給手段) 70 移動機構(溶剤・塗布液供給手段の移動手段) G LCD基板(基板) A 溶剤 B レジスト液(塗布液) 10 Spin Chuck (Rotating Means) 12 Rotating Cup (Processing Container) 13 Straightening Plate 14 Drain Cup (Fixed Container) 14b Exhaust Port 15 Fixed Lid 15b Air Supply Hole 16 Lid 16c Air Inlet 40 Solvent Supply Nozzle (Solvent Supply Means) ) 50 resist liquid supply nozzle (coating liquid supply means) 70 moving mechanism (moving means of solvent / coating liquid supply means) G LCD substrate (substrate) A solvent B resist liquid (coating liquid)

フロントページの続き (72)発明者 大森 伝 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内Front page continuation (72) Inventor Omori Den 2655 Tsukure, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture Tokyo Electron Kyushu Kumamoto Plant

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 処理容器内に収容される基板を、処理容
器と共に回転させると共に、基板一面上に塗布液を供給
して、塗布膜を形成する方法において、 上記基板の一面上に溶剤を塗布する工程と、 上記基板に、所定量の塗布液を供給し、第1の回転数で
回転させて、基板の一面に拡散させる工程と、 上記処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封
入する工程と、 上記蓋体が閉止された処理容器及び基板を上記第1の回
転数より高速の第2の回転数で回転させて、塗布膜の膜
厚を整える工程とを有することを特徴とする塗布膜形成
方法。
1. A method for forming a coating film by rotating a substrate housed in a processing container together with the processing container and supplying a coating liquid onto the one surface of the substrate, wherein a solvent is applied onto the one surface of the substrate. A step of supplying a predetermined amount of the coating liquid to the substrate and rotating the substrate at a first rotation speed so as to diffuse on one surface of the substrate; and closing the lid of the processing container to process the substrate. And a step of adjusting the film thickness of the coating film by rotating the processing container and the substrate with the lid closed, at a second rotation speed higher than the first rotation speed. A method for forming a coating film, comprising:
【請求項2】 請求項1記載の塗布膜形成方法におい
て、 溶剤を基板の中心部に滴下して塗布した後、塗布液を基
板の中心部に滴下して拡散させることを特徴とする塗布
膜形成方法。
2. The coating film forming method according to claim 1, wherein the solvent is dropped onto the central portion of the substrate to apply the coating solution, and then the coating liquid is dropped onto the central portion of the substrate to diffuse the coating liquid. Forming method.
【請求項3】 処理容器内に収容される基板を、処理容
器と共に回転させると共に、基板一面上に塗布液を供給
して、塗布膜を形成する方法において、 上記基板の一面上に溶剤を塗布する工程と、 上記基板に、所定量の塗布液を供給し、第1の回転数で
回転させて、基板の一面に拡散させる工程と、 上記処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封
入する工程と、 上記蓋体が閉止された処理容器及び基板を上記第1の回
転数より高速の第2の回転数で回転させると共に、処理
容器の上部中央より処理容器内に導入される空気を処理
容器の内側壁に沿って下部側方へ流しつつ、塗布膜の膜
厚を整える工程とを有することを特徴とする塗布膜形成
方法。
3. A method of forming a coating film by rotating a substrate housed in a processing container together with the processing container and supplying a coating liquid onto one surface of the substrate, wherein a solvent is applied onto the one surface of the substrate. And a step of supplying a predetermined amount of the coating liquid to the substrate and rotating the substrate at a first rotation speed to diffuse on one surface of the substrate, and closing the lid of the processing container to process the substrate. Encapsulating in a container, rotating the processing container and the substrate with the lid closed at a second rotation speed higher than the first rotation speed, and introducing into the processing container from the upper center of the processing container. Flowing the generated air to the lower side along the inner wall of the processing container, and adjusting the film thickness of the coating film.
【請求項4】 処理容器内に収容される基板を、処理容
器と共に回転させると共に、基板一面上に塗布液を供給
して、塗布膜を形成する方法において、 上記基板の一面上に溶剤を塗布する工程と、 上記基板に、所定量の塗布液を供給し、第1の回転数で
回転させて、基板の一面に拡散させる工程と、 上記処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封
入する工程と、 上記蓋体が閉止された処理容器及び基板を上記第1の回
転数より高速の第2の回転数で回転させ、かつ、処理容
器の上部中央より処理容器内に導入される空気を処理容
器の内側壁に沿って下部側方へ流すと共に、処理容器の
外部上方から処理容器の外側壁に沿って空気を流しつ
つ、塗布膜の膜厚を整える工程とを有することを特徴と
する塗布膜形成方法。
4. A method of forming a coating film by rotating a substrate housed in a processing container together with the processing container and supplying a coating liquid onto the one surface of the substrate, wherein a solvent is applied onto the one surface of the substrate. A step of supplying a predetermined amount of the coating liquid to the substrate and rotating the substrate at a first rotation speed so as to diffuse on one surface of the substrate; and closing the lid of the processing container to process the substrate. A step of encapsulating in a container, rotating the processing container and the substrate with the lid closed at a second rotation speed higher than the first rotation speed, and from the upper center of the processing container into the processing container. The step of adjusting the film thickness of the coating film while flowing the introduced air to the lower side along the inner wall of the processing container and flowing the air along the outer wall of the processing container from above the outside of the processing container. A method for forming a coating film, comprising:
【請求項5】 基板の一面を上に向けて支持し、かつ、
基板の一面に垂直な軸を中心として基板を回転させると
共に、垂直方向に移動可能な回転手段と、 上記基板を包囲するカップ状をなし、かつ、その底部側
部に排気孔を有して回転手段と共に回転する処理容器
と、 上記処理容器の開口部を閉止し、その中心部に空気導入
口を有する蓋体と、 上記蓋体の下方に位置して、上記空気導入口から導入さ
れた空気を外方へ拡散する整流板と、 上記基板に塗布液の溶剤を供給する溶剤供給手段と、 上記基板に塗布液を供給する塗布液供給手段とを具備す
ることを特徴とする塗布膜形成装置。
5. A substrate is supported with one surface thereof facing upward, and
The substrate is rotated about an axis perpendicular to one surface of the substrate, and the rotating means is movable in the vertical direction and has a cup shape surrounding the substrate and has an exhaust hole on the bottom side thereof for rotation. A processing container that rotates together with the means, a lid that closes the opening of the processing container, and has an air inlet in the center thereof, and an air that is located below the lid and that is introduced from the air inlet. A coating film forming apparatus comprising: a rectifying plate for diffusing the liquid outward, a solvent supply means for supplying a solvent for the coating liquid to the substrate, and a coating liquid supply means for supplying the coating liquid to the substrate. .
【請求項6】 基板の一面を上に向けて支持し、かつ、
基板の一面に垂直な軸を中心として基板を回転させると
共に、垂直方向に移動可能な回転手段と、 上記基板を包囲するカップ状をなし、かつ、その底部側
部に排気孔を有して回転手段と共に回転する処理容器
と、 上記処理容器の開口部を閉止し、その中心部に空気導入
口を有する蓋体と、 上記蓋体の下方に位置して、上記空気導入口から導入さ
れた空気を外方へ拡散する整流板と、 上記処理容器の外方を包囲し、その下部に排気手段と接
続する排気口を有する固定容器と、 上記固定容器の開口部を閉止し、その中心側の同心円上
に複数の空気供給孔を有する固定蓋体と、 上記基板に塗布液の溶剤を供給する溶剤供給手段と、 上記基板に塗布液を供給する塗布液供給手段とを具備す
ることを特徴とする塗布膜形成装置。
6. A substrate is supported with one surface facing upward, and
The substrate is rotated about an axis perpendicular to one surface of the substrate, and the rotating means is movable in the vertical direction and has a cup shape surrounding the substrate and has an exhaust hole on the bottom side thereof for rotation. A processing container that rotates together with the means, a lid that closes the opening of the processing container, and has an air inlet in the center thereof, and an air that is located below the lid and that is introduced from the air inlet. A rectifying plate for diffusing outward, a fixed container that surrounds the outside of the processing container and has an exhaust port connected to the exhaust means at its lower part, and the opening of the fixed container is closed, and A fixed lid having a plurality of air supply holes on a concentric circle; a solvent supply means for supplying a solvent for the coating liquid to the substrate; and a coating liquid supply means for supplying the coating liquid to the substrate. Coating film forming apparatus.
JP08320695A 1994-08-08 1995-03-15 Method and apparatus for forming coating film Expired - Fee Related JP3194071B2 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP08320695A JP3194071B2 (en) 1995-03-15 1995-03-15 Method and apparatus for forming coating film
TW084108209A TW285779B (en) 1994-08-08 1995-08-07
US08/512,018 US5695817A (en) 1994-08-08 1995-08-07 Method of forming a coating film
KR1019950024425A KR100274756B1 (en) 1994-08-08 1995-08-08 Method and device for formation of coating film
US08/753,768 US5803970A (en) 1994-08-08 1996-11-29 Method of forming a coating film and coating apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP08320695A JP3194071B2 (en) 1995-03-15 1995-03-15 Method and apparatus for forming coating film

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08255745A true JPH08255745A (en) 1996-10-01
JP3194071B2 JP3194071B2 (en) 2001-07-30

Family

ID=13795858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP08320695A Expired - Fee Related JP3194071B2 (en) 1994-08-08 1995-03-15 Method and apparatus for forming coating film

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3194071B2 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1119565A (en) * 1997-05-07 1999-01-26 Tokyo Electron Ltd Method for forming coat and coating device
JPH11128813A (en) * 1997-10-31 1999-05-18 Tokyo Electron Ltd Coating method and coater
JP2000343016A (en) * 1999-04-06 2000-12-12 Sez Semiconductor Equip Zubehoer Fuer Die Halbleiterfertigung Gmbh Device for injecting plural media through plural nozzles for media
JP2002158162A (en) * 2000-11-21 2002-05-31 Tokyo Electron Ltd Coating method and coater

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6261670A (en) * 1985-09-10 1987-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Apparatus for preventing rebounding of spinner
JPS63133526A (en) * 1986-11-25 1988-06-06 Tokyo Electron Ltd Application of resist
JPH01135565A (en) * 1987-11-23 1989-05-29 Tatsumo Kk Coating apparatus
JPH02101732A (en) * 1988-10-11 1990-04-13 Fujitsu Ltd Resist coater
JPH03293056A (en) * 1990-04-06 1991-12-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Coating apparatus
JPH03293055A (en) * 1990-04-06 1991-12-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Coating apparatus
JPH04115520A (en) * 1990-09-05 1992-04-16 Tokyo Electron Ltd Liquid supply device
JPH05114554A (en) * 1991-10-22 1993-05-07 Tokyo Electron Ltd Processing device
JPH05243140A (en) * 1992-02-27 1993-09-21 Fujitsu Ltd Spin-coating device and method thereof
JPH06210230A (en) * 1993-01-20 1994-08-02 Sharp Corp Spin coater

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6261670A (en) * 1985-09-10 1987-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Apparatus for preventing rebounding of spinner
JPS63133526A (en) * 1986-11-25 1988-06-06 Tokyo Electron Ltd Application of resist
JPH01135565A (en) * 1987-11-23 1989-05-29 Tatsumo Kk Coating apparatus
JPH02101732A (en) * 1988-10-11 1990-04-13 Fujitsu Ltd Resist coater
JPH03293056A (en) * 1990-04-06 1991-12-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Coating apparatus
JPH03293055A (en) * 1990-04-06 1991-12-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Coating apparatus
JPH04115520A (en) * 1990-09-05 1992-04-16 Tokyo Electron Ltd Liquid supply device
JPH05114554A (en) * 1991-10-22 1993-05-07 Tokyo Electron Ltd Processing device
JPH05243140A (en) * 1992-02-27 1993-09-21 Fujitsu Ltd Spin-coating device and method thereof
JPH06210230A (en) * 1993-01-20 1994-08-02 Sharp Corp Spin coater

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1119565A (en) * 1997-05-07 1999-01-26 Tokyo Electron Ltd Method for forming coat and coating device
JPH11128813A (en) * 1997-10-31 1999-05-18 Tokyo Electron Ltd Coating method and coater
JP2000343016A (en) * 1999-04-06 2000-12-12 Sez Semiconductor Equip Zubehoer Fuer Die Halbleiterfertigung Gmbh Device for injecting plural media through plural nozzles for media
JP2002158162A (en) * 2000-11-21 2002-05-31 Tokyo Electron Ltd Coating method and coater

Also Published As

Publication number Publication date
JP3194071B2 (en) 2001-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100284556B1 (en) Coating film forming method and apparatus therefor
KR100274756B1 (en) Method and device for formation of coating film
JP3069762B2 (en) Method and apparatus for forming coating film
KR100284559B1 (en) Treatment method and processing device
KR100655564B1 (en) Coating processing apparatus
KR100277516B1 (en) Solution applicator
US11443960B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US7673582B2 (en) Apparatus and method for removing an edge bead of a spin-coated layer
JP3189087B2 (en) Processing device and processing method
JP3160832B2 (en) Method and apparatus for forming coating film
JP3194071B2 (en) Method and apparatus for forming coating film
JP3189113B2 (en) Processing device and processing method
JP2001189260A (en) Liquid processing device and method therefor
JP3277278B2 (en) Processing device and processing method
JP2561371B2 (en) Rotary coating device
KR100740239B1 (en) Coating apparatus and coating method
JP3271063B2 (en) Method and apparatus for forming coating film
JP3416031B2 (en) Coating film forming equipment
JP3033008B2 (en) Processing method and processing apparatus
JPH1147675A (en) Coating applicator and method therefor
JP3667222B2 (en) Application processing equipment
JPH1119565A (en) Method for forming coat and coating device
JP2002153799A (en) Coating apparatus and coating method
JPH11128813A (en) Coating method and coater
JP2001157867A (en) Method for forming coating-film and coating apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010501

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees