JPH08253394A - ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶育成用の液相エピタキシャル装置 - Google Patents
ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶育成用の液相エピタキシャル装置Info
- Publication number
- JPH08253394A JPH08253394A JP5727295A JP5727295A JPH08253394A JP H08253394 A JPH08253394 A JP H08253394A JP 5727295 A JP5727295 A JP 5727295A JP 5727295 A JP5727295 A JP 5727295A JP H08253394 A JPH08253394 A JP H08253394A
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- JP
- Japan
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- substrate
- oven
- single crystal
- bismuth
- rare earth
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】液相エピタキシャル法によるビスマス置換希土
類鉄ガーネット単結晶育成において、基板を割ることな
くエピタキシャル成長炉から引き上げるための装置を提
供する。 【構成】エピタキシシャル成長炉上部に徐冷炉を設置す
る。 【効果】基板の割れが防止され、歩留まりの向上が図ら
れた。
類鉄ガーネット単結晶育成において、基板を割ることな
くエピタキシャル成長炉から引き上げるための装置を提
供する。 【構成】エピタキシシャル成長炉上部に徐冷炉を設置す
る。 【効果】基板の割れが防止され、歩留まりの向上が図ら
れた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光アイソレータのファ
ラデー回転子に用いられるビスマス置換希土類鉄ガーネ
ット単結晶を製造するための液相エピタキシャル装置に
関する。更に詳しく言えば、本発明は液相エピタキシャ
ル装置の稼働率を向上させ、かつ液相エピタキシャル法
で製造されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を
歩留り良く得るための液相エピタキシャル装置に関する
ものである。
ラデー回転子に用いられるビスマス置換希土類鉄ガーネ
ット単結晶を製造するための液相エピタキシャル装置に
関する。更に詳しく言えば、本発明は液相エピタキシャ
ル装置の稼働率を向上させ、かつ液相エピタキシャル法
で製造されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を
歩留り良く得るための液相エピタキシャル装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ファイバ通信の発展はめざまし
いものがある。この光ファイバ通信を支えるキイーデバ
イスの一つに、光アイソレータがある。光アイソレータ
とは、光ファイバ通信の信号に用いられる半導体レーザ
の発振を安定化させるための光デバイスの一種で、ファ
ラデー回転子とファラデー回転子を磁気的に飽和させる
ための永久磁石、および偏光子と検光子で構成される。
いものがある。この光ファイバ通信を支えるキイーデバ
イスの一つに、光アイソレータがある。光アイソレータ
とは、光ファイバ通信の信号に用いられる半導体レーザ
の発振を安定化させるための光デバイスの一種で、ファ
ラデー回転子とファラデー回転子を磁気的に飽和させる
ための永久磁石、および偏光子と検光子で構成される。
【０００３】通常光アイソレータ用ファラデー回転子と
しては、液相エピタキシャル（以下「ＬＰＥ」と記す）
法で育成される厚さが数十μｍ以上のビスマス置換希土
類鉄ガーネット単結晶（以下、「ＢＩＧ」と記す）の厚
膜、例えば (HoTbBi)3Fe5O12などが用いられている。Ｌ
ＰＥ法によるＢＩＧの育成は、通常、図３に示されるよ
うなＬＰＥ装置を用いて、以下のように行われる。
しては、液相エピタキシャル（以下「ＬＰＥ」と記す）
法で育成される厚さが数十μｍ以上のビスマス置換希土
類鉄ガーネット単結晶（以下、「ＢＩＧ」と記す）の厚
膜、例えば (HoTbBi)3Fe5O12などが用いられている。Ｌ
ＰＥ法によるＢＩＧの育成は、通常、図３に示されるよ
うなＬＰＥ装置を用いて、以下のように行われる。
【０００４】まず、縦型管状炉からなるＬＰＥ装置の中
央に、貴金属製の坩堝を備えつけ、希土類鉄ガーネット
成分の酸化物、例えば酸化第二鉄や希土類酸化物と、フ
ラックス成分として、例えば酸化鉛、酸化ホウ素および
酸化ビスマスを仕込む。そして 1,000℃程度の高温でこ
れら酸化物を溶解させＢＩＧ育成用の融液とする。その
後、融液温度を 800℃前後に降下させ過飽和状態に保
つ。耐熱性シャフトの先端に設けた基板ホルダーに非磁
性ガーネット基板を固定し、これを回転軸に装着する。
回転軸を徐々に降下させて、非磁性ガーネット基板を上
部から LPE炉に導入し、融液と基板片面を接触させる。
融液と接触した基板を回転させながら、基板の片面にＢ
ＩＧをエピタキシャル成長させる。そして所定の厚さに
ＢＩＧを育成した後、基板をＬＰＥ炉から引き上げる。
央に、貴金属製の坩堝を備えつけ、希土類鉄ガーネット
成分の酸化物、例えば酸化第二鉄や希土類酸化物と、フ
ラックス成分として、例えば酸化鉛、酸化ホウ素および
酸化ビスマスを仕込む。そして 1,000℃程度の高温でこ
れら酸化物を溶解させＢＩＧ育成用の融液とする。その
後、融液温度を 800℃前後に降下させ過飽和状態に保
つ。耐熱性シャフトの先端に設けた基板ホルダーに非磁
性ガーネット基板を固定し、これを回転軸に装着する。
回転軸を徐々に降下させて、非磁性ガーネット基板を上
部から LPE炉に導入し、融液と基板片面を接触させる。
融液と接触した基板を回転させながら、基板の片面にＢ
ＩＧをエピタキシャル成長させる。そして所定の厚さに
ＢＩＧを育成した後、基板をＬＰＥ炉から引き上げる。
【０００５】ＢＩＧを育成した基板をＬＰＥ炉から取り
出したあとは、次の結晶成長に備えての一連の操作が行
なわれる。即ち、ＢＩＧ育成に消費され、融液中の酸化
第二鉄や希土類酸化物濃度が低下するので、その濃度低
下分の原料酸化物を融液に補充し、さらに補充成分の溶
解のため、融液温度を再び 1,000℃程度に上昇させ、融
液の攪拌を行う。
出したあとは、次の結晶成長に備えての一連の操作が行
なわれる。即ち、ＢＩＧ育成に消費され、融液中の酸化
第二鉄や希土類酸化物濃度が低下するので、その濃度低
下分の原料酸化物を融液に補充し、さらに補充成分の溶
解のため、融液温度を再び 1,000℃程度に上昇させ、融
液の攪拌を行う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】通常、ＢＩＧを育成す
るＬＰＥ温度条件は 700〜800 ℃である。このような高
温状態のＬＰＥ炉から、厚さ20μｍ以上のＢＩＧを育成
したガーネット基板（以下、「ＢＩＧ育成基板」と記
す）を急に取り出すと、基板が割れるという問題があっ
た。基板が割れると、ＢＩＧから得られるファラデー回
転子（用途によって大きさは様々であるが、通常 1.5mm
×1.5mm 〜 5mm×5mm ）の数が少なくなる。言い替えれ
ば、歩留りが低下する。従って、工業生産上、基板の割
れは極力防止する必要がある。
るＬＰＥ温度条件は 700〜800 ℃である。このような高
温状態のＬＰＥ炉から、厚さ20μｍ以上のＢＩＧを育成
したガーネット基板（以下、「ＢＩＧ育成基板」と記
す）を急に取り出すと、基板が割れるという問題があっ
た。基板が割れると、ＢＩＧから得られるファラデー回
転子（用途によって大きさは様々であるが、通常 1.5mm
×1.5mm 〜 5mm×5mm ）の数が少なくなる。言い替えれ
ば、歩留りが低下する。従って、工業生産上、基板の割
れは極力防止する必要がある。
【０００７】基板が割れる理由は、ＢＩＧとガーネット
基板との熱膨張係数が異なるため、冷却過程でＢＩＧ膜
とガーネット基板との間に急激な応力がかかるためであ
る。ＢＩＧ育成基板を、割れないようにＬＰＥ炉から引
き上げ、そして室温まで冷却するためには、１時間前後
という長い時間をかけて、基板を非常にゆっくりとＬＰ
Ｅ炉から取り出す必要があった。しかしながら基板を非
常にゆっくりとＬＰＥ炉から取り出しても、特に数百μ
ｍという厚いＢＩＧ育成基板の場合は、しばしば割れが
発生し、歩留まりの低下を招いていた。この場合の割れ
の原因は、引き上げたＢＩＧ育成基板の下面（ＢＩＧが
育成された面) がＬＰＥ炉からの放熱で加熱されるのに
対し、上部は空気で冷却されるためではないかと推定さ
れる。
基板との熱膨張係数が異なるため、冷却過程でＢＩＧ膜
とガーネット基板との間に急激な応力がかかるためであ
る。ＢＩＧ育成基板を、割れないようにＬＰＥ炉から引
き上げ、そして室温まで冷却するためには、１時間前後
という長い時間をかけて、基板を非常にゆっくりとＬＰ
Ｅ炉から取り出す必要があった。しかしながら基板を非
常にゆっくりとＬＰＥ炉から取り出しても、特に数百μ
ｍという厚いＢＩＧ育成基板の場合は、しばしば割れが
発生し、歩留まりの低下を招いていた。この場合の割れ
の原因は、引き上げたＢＩＧ育成基板の下面（ＢＩＧが
育成された面) がＬＰＥ炉からの放熱で加熱されるのに
対し、上部は空気で冷却されるためではないかと推定さ
れる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、光アイソ
レータ用ファラデー回転子に使用される厚さが20μｍ以
上のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜育成に
おいて、歩留まりの低下を招く基板の割れの問題を解決
すべく鋭意検討を重ねた。その結果、ＬＰＥ炉上部にＬ
ＰＥ炉とは別に加熱装置を設け、この加熱装置に20μｍ
以上のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜を育
成したガーネット基板を収納し、室温まで基板を徐冷す
ることで、上記課題を解決するに至った。
レータ用ファラデー回転子に使用される厚さが20μｍ以
上のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜育成に
おいて、歩留まりの低下を招く基板の割れの問題を解決
すべく鋭意検討を重ねた。その結果、ＬＰＥ炉上部にＬ
ＰＥ炉とは別に加熱装置を設け、この加熱装置に20μｍ
以上のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜を育
成したガーネット基板を収納し、室温まで基板を徐冷す
ることで、上記課題を解決するに至った。
【０００９】すなわち、本発明は、液相エピタキシャル
法によるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶育成用
の縦型管状炉の上蓋の上に着脱自在に徐冷炉を設けてな
ることを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット単
結晶育成用の液相エピタキシャル装置であり、該徐冷炉
が、少なくとも加熱ヒーター、育成したビスマス置換希
土類鉄ガーネット単結晶の基板ホルダーシャフトを固定
する機構および下部蓋を有するものである液相エピタキ
シャル装置である。
法によるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶育成用
の縦型管状炉の上蓋の上に着脱自在に徐冷炉を設けてな
ることを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット単
結晶育成用の液相エピタキシャル装置であり、該徐冷炉
が、少なくとも加熱ヒーター、育成したビスマス置換希
土類鉄ガーネット単結晶の基板ホルダーシャフトを固定
する機構および下部蓋を有するものである液相エピタキ
シャル装置である。
【００１０】ＬＰＥ炉上部に設置された基板の徐冷のた
めの加熱装置（以下、徐冷装置と略す）と操作の概略を
図１、図２に示した。厚さ20μｍ以上のビスマス置換希
土類鉄ガーネット単結晶が育成されたガーネット基板
（ＢＩＧ育成基板）を、ＬＰＥ炉から引き上げ（図１）
て徐冷炉に収納し、徐冷炉の下蓋を閉める。そして徐冷
炉に設けた基板ホルダーシャフトの支持棒にシャフトを
固定し、基板ホルダーを支持していたアルミナシャフト
をＬＰＥの回転軸から外す。ついで徐冷炉をＬＰＥ上部
から左右どちらかに水平移動させる（図２）。この結
果、徐冷炉をＬＰＥ炉上部から移動した後は、ＬＰＥ炉
上部に障害物は無くなるので、融液への原料酸化物の補
充や融液の攪拌を、自由に行うことが可能となる。他
方、ＢＩＧ育成基板は、徐冷炉内で数時間程度の時間を
かけて室温付近の温度まで冷却し、割れない状態で取り
出すことができる。
めの加熱装置（以下、徐冷装置と略す）と操作の概略を
図１、図２に示した。厚さ20μｍ以上のビスマス置換希
土類鉄ガーネット単結晶が育成されたガーネット基板
（ＢＩＧ育成基板）を、ＬＰＥ炉から引き上げ（図１）
て徐冷炉に収納し、徐冷炉の下蓋を閉める。そして徐冷
炉に設けた基板ホルダーシャフトの支持棒にシャフトを
固定し、基板ホルダーを支持していたアルミナシャフト
をＬＰＥの回転軸から外す。ついで徐冷炉をＬＰＥ上部
から左右どちらかに水平移動させる（図２）。この結
果、徐冷炉をＬＰＥ炉上部から移動した後は、ＬＰＥ炉
上部に障害物は無くなるので、融液への原料酸化物の補
充や融液の攪拌を、自由に行うことが可能となる。他
方、ＢＩＧ育成基板は、徐冷炉内で数時間程度の時間を
かけて室温付近の温度まで冷却し、割れない状態で取り
出すことができる。
【００１１】ここで、ＢＩＧ育成基板を徐冷炉内に収容
する際の徐冷炉内温度としては育成したＢＩＧの厚さに
よるが、通常、 300℃以上が好ましい。さらに、好まし
くは400℃以上である。 300℃以下ではＢＩＧ育成基板
がしばしば徐冷炉内で割れることがある。ＢＩＧ育成基
板を徐冷炉内に収容したのち、徐冷炉温度を 300℃以上
の高温から室温付近まで温度を降下させる時間は、ＢＩ
Ｇの厚さが厚くなるほど、長くとるのが好ましい。具体
的にはＢＩＧの厚さが20〜100 μｍの場合、１時間程
度、300〜400 μｍ程度の厚さのものでは、２〜３時間
程度が好ましい。温度を降下させる時間が短いと、ＢＩ
Ｇが育成された基板がしばしば徐冷炉内で割れることが
ある。
する際の徐冷炉内温度としては育成したＢＩＧの厚さに
よるが、通常、 300℃以上が好ましい。さらに、好まし
くは400℃以上である。 300℃以下ではＢＩＧ育成基板
がしばしば徐冷炉内で割れることがある。ＢＩＧ育成基
板を徐冷炉内に収容したのち、徐冷炉温度を 300℃以上
の高温から室温付近まで温度を降下させる時間は、ＢＩ
Ｇの厚さが厚くなるほど、長くとるのが好ましい。具体
的にはＢＩＧの厚さが20〜100 μｍの場合、１時間程
度、300〜400 μｍ程度の厚さのものでは、２〜３時間
程度が好ましい。温度を降下させる時間が短いと、ＢＩ
Ｇが育成された基板がしばしば徐冷炉内で割れることが
ある。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を実施例によって、その実施態
様と効果を具体的に、かつ詳細に説明するが、以下の例
は、具体的に説明するものであって、本発明の実施態様
や発明の範囲を限定するものとしては意図されていな
い。 実施例１ 内径22cm、外径100cm 、高さ100cm の縦型管状炉からな
るＬＰＥ炉の上部に図１に示したように、内径30cm、外
形40cm、高さ40cmで二つ割の徐冷炉を設けた装置を用い
て、(HoTbBi)3Fe5O12 単結晶の厚膜を作製した。ＬＰＥ
炉の上部には耐火物からなる厚さ 6cmの上蓋が置かれて
あり、その上蓋と徐冷炉の間隔は 1cmである。
様と効果を具体的に、かつ詳細に説明するが、以下の例
は、具体的に説明するものであって、本発明の実施態様
や発明の範囲を限定するものとしては意図されていな
い。 実施例１ 内径22cm、外径100cm 、高さ100cm の縦型管状炉からな
るＬＰＥ炉の上部に図１に示したように、内径30cm、外
形40cm、高さ40cmで二つ割の徐冷炉を設けた装置を用い
て、(HoTbBi)3Fe5O12 単結晶の厚膜を作製した。ＬＰＥ
炉の上部には耐火物からなる厚さ 6cmの上蓋が置かれて
あり、その上蓋と徐冷炉の間隔は 1cmである。
【００１３】まず、ＬＰＥ炉のほぼ中央に備え付けられ
た容量 1500ml(ミリリットル) の白金製ルツボに、酸化鉛(Pb
O, 4N(フォーナイン)) 2700g 、酸化ビスマス(Bi2O3, 4N) 240
0g 、酸化第２鉄(Fe2O3, 4N) 340g、酸化硼素(B2O3, 5
N) 120g 、酸化テルビウム(Tb4O7, 3N〕17g 、酸化ホル
ミウム(Ho2O3, 3N) 23g を仕込んだ。これを 1,000℃に
加熱溶融して十分に撹拌して均一に混合した後、融液温
度 768℃にまで冷却してビスマス置換希土類鉄ガーネッ
ト単結晶育成用融液とした。
た容量 1500ml(ミリリットル) の白金製ルツボに、酸化鉛(Pb
O, 4N(フォーナイン)) 2700g 、酸化ビスマス(Bi2O3, 4N) 240
0g 、酸化第２鉄(Fe2O3, 4N) 340g、酸化硼素(B2O3, 5
N) 120g 、酸化テルビウム(Tb4O7, 3N〕17g 、酸化ホル
ミウム(Ho2O3, 3N) 23g を仕込んだ。これを 1,000℃に
加熱溶融して十分に撹拌して均一に混合した後、融液温
度 768℃にまで冷却してビスマス置換希土類鉄ガーネッ
ト単結晶育成用融液とした。
【００１４】得られた融液表面に、常法に従って、厚さ
が 500μｍで、格子定数が 12.497±0.002 Åで２イン
チの (111)ガーネット単結晶(GdCa)3(GaMgZr)5O12 基板
の片面を接触させ、融液温度を 768℃に維持し、かつ基
板を毎分60回転の速度で回転させながらエピタキシャル
成長を18時間行った。エピタキシャル成長終了後、基板
を融液表面から 1cmだけ引き上げた。そして毎分 300回
転の速度で基板を回転させ、ビスマス置換鉄ガーネット
単結晶に付着した融液を振り切った。融液を振り切った
後、ＬＰＥ上部の上蓋を開け、基板を毎秒10cmの速度で
上昇させてＬＰＥ炉内から取り出すとともに、あらかじ
め 500℃に加熱されている徐冷炉中に取り込んだ。
が 500μｍで、格子定数が 12.497±0.002 Åで２イン
チの (111)ガーネット単結晶(GdCa)3(GaMgZr)5O12 基板
の片面を接触させ、融液温度を 768℃に維持し、かつ基
板を毎分60回転の速度で回転させながらエピタキシャル
成長を18時間行った。エピタキシャル成長終了後、基板
を融液表面から 1cmだけ引き上げた。そして毎分 300回
転の速度で基板を回転させ、ビスマス置換鉄ガーネット
単結晶に付着した融液を振り切った。融液を振り切った
後、ＬＰＥ上部の上蓋を開け、基板を毎秒10cmの速度で
上昇させてＬＰＥ炉内から取り出すとともに、あらかじ
め 500℃に加熱されている徐冷炉中に取り込んだ。
【００１５】徐冷炉に基板を収納した後、基板ホルダー
を支えているアルミナシャフトを回転軸から取り外し、
代わりに徐冷炉の支持棒に固定した。そして、徐冷炉を
ＬＰＥ上部から右方に移動せ、すばやく徐冷炉の下蓋を
した。下蓋をしたのち、徐冷炉は１時間当たり 150℃の
速度で冷却した。そして70℃付近の温度に達した時点
で、収容されていた基板を取り出したが、基板に割れは
見られなかった。この基板に成長した(HoTbBi)3Fe5O12
単結晶膜の厚さは 408μｍであった。
を支えているアルミナシャフトを回転軸から取り外し、
代わりに徐冷炉の支持棒に固定した。そして、徐冷炉を
ＬＰＥ上部から右方に移動せ、すばやく徐冷炉の下蓋を
した。下蓋をしたのち、徐冷炉は１時間当たり 150℃の
速度で冷却した。そして70℃付近の温度に達した時点
で、収容されていた基板を取り出したが、基板に割れは
見られなかった。この基板に成長した(HoTbBi)3Fe5O12
単結晶膜の厚さは 408μｍであった。
【００１６】比較例１ 実施例１と全く同一の条件で、(HoTbBi)3Fe5O12 膜のエ
ピタキシャル成長を18時間行った。エピタキシャル成長
終了後、基板を融液表面から 1cmだけ引き上げた。そし
て毎分 300回転の速度で基板を回転させ、ビスマス置換
鉄ガーネット単結晶に付着した融液を振り切った。融液
を振り切った後、ＬＰＥ炉上部の上蓋を開け、徐冷炉を
使用せずに基板を毎秒10cmの速度で上昇させてＬＰＥ炉
内から取り出した。上蓋から60cmの位置まで基板を引き
上げたところ、基板が割れてバラバラになった。
ピタキシャル成長を18時間行った。エピタキシャル成長
終了後、基板を融液表面から 1cmだけ引き上げた。そし
て毎分 300回転の速度で基板を回転させ、ビスマス置換
鉄ガーネット単結晶に付着した融液を振り切った。融液
を振り切った後、ＬＰＥ炉上部の上蓋を開け、徐冷炉を
使用せずに基板を毎秒10cmの速度で上昇させてＬＰＥ炉
内から取り出した。上蓋から60cmの位置まで基板を引き
上げたところ、基板が割れてバラバラになった。
【００１７】比較例２ 実施例１と全く同一の条件で、(HoTbBi)3Fe5O12 膜のエ
ピタキシャル成長を18時間行った。エピタキシャル成長
終了後、基板を融液表面から 1cmだけ引き上げた。そし
て毎分 300回転の速度で基板を回転させ、ビスマス置換
鉄ガーネット単結晶に付着した融液を振り切った。融液
を振り切った後、ＬＰＥ炉上部の上蓋を開け、徐冷炉を
使用せずに基板を毎秒 1mmの速度で上昇させてＬＰＥ炉
内から取り出した。上蓋から60cmの位置まで基板を引き
上げたところ、基板が二つに割れた。室温まで冷却した
後、基板を詳細に調べたところ、３箇所にひびが入って
いた。
ピタキシャル成長を18時間行った。エピタキシャル成長
終了後、基板を融液表面から 1cmだけ引き上げた。そし
て毎分 300回転の速度で基板を回転させ、ビスマス置換
鉄ガーネット単結晶に付着した融液を振り切った。融液
を振り切った後、ＬＰＥ炉上部の上蓋を開け、徐冷炉を
使用せずに基板を毎秒 1mmの速度で上昇させてＬＰＥ炉
内から取り出した。上蓋から60cmの位置まで基板を引き
上げたところ、基板が二つに割れた。室温まで冷却した
後、基板を詳細に調べたところ、３箇所にひびが入って
いた。
【００１８】比較例３ 実施例１と全く同一の条件で、(HoTbBi)3Fe5O12 膜のエ
ピタキシャル成長を18時間行った。エピタキシャル成長
終了後、基板を融液表面から 1cmだけ引き上げた。そし
て毎分 300回転の速度で基板を回転させ、ビスマス置換
鉄ガーネット単結晶に付着した融液を振り切った。融液
を振り切った後、ＬＰＥ炉上部の上蓋を開け、徐冷炉を
使用せずに基板を毎秒 0.2mmの速度で上昇させてＬＰＥ
炉内から取り出した。以上の条件での製膜を５回行った
が、そのうち２回はまったく割れずに引き上げられた。
２回は基板引き上げ時に二つに割れた。１回は見かけ上
割れずに上がったが、２箇所にひびが入っていた。
ピタキシャル成長を18時間行った。エピタキシャル成長
終了後、基板を融液表面から 1cmだけ引き上げた。そし
て毎分 300回転の速度で基板を回転させ、ビスマス置換
鉄ガーネット単結晶に付着した融液を振り切った。融液
を振り切った後、ＬＰＥ炉上部の上蓋を開け、徐冷炉を
使用せずに基板を毎秒 0.2mmの速度で上昇させてＬＰＥ
炉内から取り出した。以上の条件での製膜を５回行った
が、そのうち２回はまったく割れずに引き上げられた。
２回は基板引き上げ時に二つに割れた。１回は見かけ上
割れずに上がったが、２箇所にひびが入っていた。
【００１９】
【効果】本発明によれば、光アイソレータ用ファラデー
回転子に使用される厚さが20μｍ以上のビスマス置換希
土類鉄ガーネット単結晶厚膜育成において、歩留まりの
低下をもたらす基板の割れが防止できるようになった。
回転子に使用される厚さが20μｍ以上のビスマス置換希
土類鉄ガーネット単結晶厚膜育成において、歩留まりの
低下をもたらす基板の割れが防止できるようになった。
【図１】徐冷炉を設置した液相エピタキシャル装置に、
ＢＩＧ育成基板を収納する直前の状態を示す模式図であ
る。
ＢＩＧ育成基板を収納する直前の状態を示す模式図であ
る。
【図２】徐冷炉にＢＩＧ育成基板を収納し、該徐冷炉を
ＬＰＥ炉の上蓋上から横に移動させた状態を示す模式図
である。
ＬＰＥ炉の上蓋上から横に移動させた状態を示す模式図
である。
【図３】一般的な液相エピタキシャル装置の一例を示す
模式図である。
模式図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 液相エピタキシャル法によるビスマス置
換希土類鉄ガーネット単結晶育成用の縦型管状炉の上蓋
の上に着脱自在に徐冷炉を設けてなることを特徴とする
ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶育成用の液相エ
ピタキシャル装置。 - 【請求項２】 該徐冷炉が、少なくとも加熱ヒーター、
育成したビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の基板
ホルダーシャフトを固定する機構および下部蓋を有する
ものである請求項１記載の液相エピタキシャル装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5727295A JPH08253394A (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶育成用の液相エピタキシャル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5727295A JPH08253394A (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶育成用の液相エピタキシャル装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08253394A true JPH08253394A (ja) | 1996-10-01 |
Family
ID=13050903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5727295A Pending JPH08253394A (ja) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶育成用の液相エピタキシャル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08253394A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006290643A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Granopt Ltd | ビスマス置換型磁性ガーネット膜の製造方法 |
| JP2017030982A (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-09 | 住友金属鉱山株式会社 | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法 |
-
1995
- 1995-03-16 JP JP5727295A patent/JPH08253394A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006290643A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Granopt Ltd | ビスマス置換型磁性ガーネット膜の製造方法 |
| JP2017030982A (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-09 | 住友金属鉱山株式会社 | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法 |
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