JPH08246931A - 電磁弁駆動装置 - Google Patents

電磁弁駆動装置

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JPH08246931A
JPH08246931A JP5606995A JP5606995A JPH08246931A JP H08246931 A JPH08246931 A JP H08246931A JP 5606995 A JP5606995 A JP 5606995A JP 5606995 A JP5606995 A JP 5606995A JP H08246931 A JPH08246931 A JP H08246931A
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JP
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solenoid valve
transistor
capacitor
terminal
voltage
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JP5606995A
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Yasuo Ito
康生 伊藤
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Denso Corp
Original Assignee
NipponDenso Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】コストダウンと小型化を図りつつハイサイドス
イッチを駆動することができる電磁弁駆動装置を提供す
る。 【構成】電磁弁1のコイル2にはバッテリ3とトランジ
スタ5が接続されている。DC/DCコンバータ6にて
コンデンサ7に高電圧が蓄えられる。MOSトランジス
タ8がコンデンサ7とコイル2との間に設けられ、その
ドレイン端子にコンデンサ10の第1の端子10aが接
続され、又、この第1の端子10aは接続点bと接続さ
れている。コンデンサ10の第2の端子10bは抵抗1
3を介してトランジスタ8のソース端子と接続されてい
る。トランジスタ12はコンデンサ10の第2の端子1
0bと接続され、トランジスタ8のオフ時においてオン
動作してバッテリ3からの電圧をコンデンサ10に蓄え
るとともに、オフ動作にてコンデンサ10の電圧により
トランジスタ8をオン状態にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は電磁弁駆動装置に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】図4に示すように、低電圧源であるバッ
テリ31に電磁弁のコイル32とスイッチング素子33
とを直列に接続し、スイッチング素子33をオンさせて
電磁弁のコイル32を通電することにより電磁弁を駆動
させる場合において、電磁弁を高速応答させるために次
の工夫を行っている。高電圧発生源であるDC/DCコ
ンバータ34の電圧をコンデンサ35に蓄え、このコン
デンサ電圧を電磁弁の開弁動作の初期に電磁弁のコイル
32に供給し、電磁弁のコイル32の通電の際の電流の
立ち上がりを早くして電磁弁の応答性を高める。又、こ
れを行う場合、コンデンサ35と電磁弁のコイル32の
プラス端子との間にハイサイドスイッチ36を配置し、
図5におけるt20のタイミングにてスイッチング素子
33をオンしてコンデンサ35からの高電圧を電磁弁の
コイル32に供給するとともに、スイッチング素子33
をオフする前、即ち、図5のt22の以前のt21のタ
イミングにおいてハイサイドスイッチ36をオフしてコ
ンデンサ35の充電を早期に開始させて充電時間を確保
する。
【0003】このハイサイドスイッチ36としてNチャ
ネルMOSトランジスタやIGBT等を使用する場合、
図4のパルストランス37を用いてこのパルストランス
37への通電、遮断時に発生する電圧にてハイサイドス
イッチ36を駆動していた。つまり、ハイサイドスイッ
チ36であるMOSトランジスタをオンさせるにはトラ
ンジスタのソース電圧(=バッテリ電圧)よりも、しき
い電圧VT 分だけ高いゲート電圧を印加する必要があ
る。この電圧を作成すべく図4のパルストランス37を
用いていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この構成を
採用するとパルストランス37は高価であるとともにサ
イズも大きいためにコストアップや装置の大型化を招い
ていた。
【0005】そこで、この発明の目的は、コストダウン
と小型化を図りつつハイサイドスイッチを駆動すること
ができる電磁弁駆動装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、コイルへの通電にて駆動する電磁弁と、前記電磁弁
のコイルに接続された低電圧源と、前記電磁弁のコイル
に接続され、かつ、高電圧源からの電圧の供給にて高電
圧を蓄える電磁弁駆動用コンデンサと、前記電磁弁のコ
イルの通電経路に設けられた電磁弁駆動用スイッチング
素子と、前記電磁弁駆動用コンデンサと前記電磁弁のコ
イルとの間の通電経路に設けられ、前記電磁弁駆動用ス
イッチング素子の通電終了のためのオフ動作に先立ちオ
フ動作するMOSトランジスタと、第1の端子が前記M
OSトランジスタのゲート端子と接続されるとともに、
第2の端子が抵抗を介して前記MOSトランジスタのソ
ース端子と接続されたトランジスタ駆動用コンデンサ
と、前記MOSトランジスタのソース・ゲート間に接続
されたダイオードと、前記トランジスタ駆動用コンデン
サの第2の端子と接続され、前記MOSトランジスタの
オフ時においてオン動作して前記低電圧源から前記トラ
ンジスタ駆動用コンデンサへの充電経路を形成して同コ
ンデンサを充電し、オフ動作にて前記トランジスタ駆動
用コンデンサに蓄えられた電圧により前記MOSトラン
ジスタをオン状態にするトランジスタ駆動用スイッチン
グ素子とを備えた電磁弁駆動装置をその要旨とす。
【0007】請求項2に記載の発明は、コイルへの通電
にて駆動する電磁弁と、前記電磁弁のコイルに接続され
た低電圧源と、前記電磁弁のコイルに接続され、かつ、
高電圧源からの電圧の供給にて高電圧を蓄える電磁弁駆
動用コンデンサと、前記電磁弁のコイルの通電経路に設
けられた電磁弁駆動用スイッチング素子と、前記電磁弁
駆動用コンデンサと前記電磁弁のコイルとの間の通電経
路に設けられ、前記電磁弁駆動用スイッチング素子の通
電終了のためのオフ動作に先立ちオフ動作するIGBT
と、第1の端子が前記IGBTのゲート端子と接続され
るとともに、第2の端子が抵抗を介して前記IGBTの
エミッタ端子と接続されたトランジスタ駆動用コンデン
サと、前記IGBTのエミッタ・ゲート間に接続された
ダイオードと、前記トランジスタ駆動用コンデンサの第
2の端子と接続され、前記IGBTのオフ時においてオ
ン動作して前記低電圧源から前記トランジスタ駆動用コ
ンデンサへの充電経路を形成して同コンデンサを充電
し、オフ動作にて前記トランジスタ駆動用コンデンサに
蓄えられた電圧により前記IGBTをオン状態にするト
ランジスタ駆動用スイッチング素子とを備えた電磁弁駆
動装置をその要旨とする。
【0008】請求項3に記載の発明は、請求項1または
2に記載の発明における前記ダイオードはツェナーダイ
オードである電磁弁駆動装置をその要旨とする。請求項
4に記載の発明は、請求項1または2に記載の発明にお
ける前記トランジスタ駆動用コンデンサの充電経路に抵
抗を配置した電磁弁駆動装置をその要旨とする。
【0009】
【作用】請求項1に記載の発明によれば、電磁弁駆動用
コンデンサには高電圧源からの電圧の供給にて高電圧が
蓄えられる。一方、トランジスタ駆動用スイッチング素
子は、MOSトランジスタのオフ時においてオン動作し
て低電圧源からダイオードを介したトランジスタ駆動用
コンデンサへの充電経路を形成して同コンデンサを充電
し、オフ動作にてトランジスタ駆動用コンデンサに蓄え
られた電圧によりMOSトランジスタをオン状態にす
る。即ち、トランジスタ駆動用コンデンサの電圧がMO
Sトランジスタのゲート・ソース間に印加され、この電
圧はMOSトランジスタのしきい電圧VT 以上となって
いるので、MOSトランジスタはオン状態になる。
【0010】この状態から、電磁弁駆動用スイッチング
素子がオンすると、電磁弁駆動用コンデンサの高電圧が
電磁弁のコイルに供給されるとともに低電圧源の電圧が
電磁弁のコイルに供給され、その後の電磁弁駆動用スイ
ッチング素子の通電終了のためのオフ動作に先立ちMO
Sトランジスタがオフ動作して電磁弁駆動用コンデンサ
の充電が開始される。
【0011】このように、高価でかつ大型化を招くパル
ストランスを用いることなくハイサイドスイッチである
MOSトランジスタの駆動が行われる。請求項2に記載
の発明によれば、電磁弁駆動用コンデンサには高電圧源
からの電圧の供給にて高電圧が蓄えられる。一方、トラ
ンジスタ駆動用スイッチング素子は、IGBTのオフ時
においてオン動作して低電圧源からダイオードを介した
トランジスタ駆動用コンデンサへの充電経路を形成して
同コンデンサを充電し、オフ動作にてトランジスタ駆動
用コンデンサに蓄えられた電圧によりIGBTをオン状
態にする。即ち、トランジスタ駆動用コンデンサの電圧
がIGBTのゲート・エミッタ間に印加され、この電圧
はIGBTのしきい電圧VT 以上となっているので、I
GBTはオン状態になる。
【0012】この状態から、電磁弁駆動用スイッチング
素子がオンすると、電磁弁駆動用コンデンサの高電圧が
電磁弁のコイルに供給されるとともに低電圧源の電圧が
電磁弁のコイルに供給され、その後の電磁弁駆動用スイ
ッチング素子の通電終了のためのオフ動作に先立ちIG
BTがオフ動作して電磁弁駆動用コンデンサの充電が開
始される。
【0013】このように、高価でかつ大型化を招くパル
ストランスを用いることなくハイサイドスイッチである
IGBTの駆動が行われる。請求項3に記載の発明によ
れば、請求項1または2に記載の発明の作用に加え、M
OSトランジスタのソース・ゲート間あるいはIGBT
のエミッタ・ゲート間に接続されたツェナーダイオード
により同トランジスタがサージ電圧から保護される。つ
まり、何らかの理由により低電圧源から瞬間的な高圧電
圧が発生し、これがサージ電圧となってトランジスタ駆
動用コンデンサに高電圧が蓄えられてもツェナーダイオ
ードによりMOSトランジスタのソース・ゲート間ある
いはIGBTのエミッタ・ゲート間には耐圧(ソース・
ゲート間耐圧あるいはエミッタ・ゲート間耐圧)を越え
る電圧が加わることがなく同トランジスタが保護され
る。
【0014】請求項4に記載の発明によれば、請求項1
または2に記載の発明の作用に加え、トランジスタ駆動
用コンデンサの充電経路に抵抗を配置したので、サージ
電圧からトランジスタ駆動用スイッチング素子が保護さ
れる。
【0015】
【実施例】
(第1実施例)以下、この発明を具体化した第1実施例
を図面に従って説明する。
【0016】図1には、本実施例の電磁弁駆動装置の回
路構成を示す。電磁弁1はガソリンエンジンの燃料噴射
弁に設けられるものであって、コイル2に電流を流すこ
とにより開弁して燃料をエンジンに噴射供給する。
【0017】低電圧源としての12ボルト仕様のバッテ
リ3はそのマイナス端子が接地されるとともに、プラス
端子にはダイオード4と、電磁弁1のコイル2と、電磁
弁駆動用スイッチング素子としてのNチャネルMOSト
ランジスタ5とが直列に接続されている。又、Nチャネ
ルMOSトランジスタ5のソース端子は接地されてい
る。尚、バッテリ3は24ボルト仕様のものを用いても
よい。
【0018】高電圧源としてのDC/DCコンバータ6
にはバッテリ3のプラス端子が接続され、DC/DCコ
ンバータ6はバッテリ3から電圧の供給を受けて高電圧
(100〜200ボルト、より具体的には130ボル
ト)にして出力する。DC/DCコンバータ6には電磁
弁駆動用コンデンサ7が接続され、同電磁弁駆動用コン
デンサ7はDC/DCコンバータ6からの高電圧の供給
を受けて高電圧を蓄える。
【0019】電磁弁駆動用コンデンサ7の高圧側端子
(図の接続点a)は、電磁弁1のコイル2のプラス側と
接続され、この通電経路にエンハンスメント型のNチャ
ネルMOSトランジスタ8が配置されている。より詳し
くは、NチャネルMOSトランジスタ8のドレイン端子
が電磁弁駆動用コンデンサ7と接続されるとともに、ソ
ース端子がコイル2と接続されている。
【0020】NチャネルMOSトランジスタ8のゲート
端子にはトランジスタ駆動用コンデンサ10の第1の端
子10aが接続され、さらに、このコンデンサ10の第
1の端子10aはツェナーダイオード9を介してバッテ
リ3による低電圧ライン(図1ではNチャネルMOSト
ランジスタ8と電磁弁1のコイル2との間の接続点b)
と接続されている。より詳しくは、ツェナーダイオード
9のアノード端子が接続点b側に接続され、カソード端
子がコンデンサ10側に接続されている。又、トランジ
スタ駆動用コンデンサ10の第2の端子10bは抵抗1
3を介してNチャネルMOSトランジスタ8のソース端
子と接続されている。さらに、トランジスタ駆動用コン
デンサ10の第2の端子10bは抵抗11を介してトラ
ンジスタ駆動用スイッチング素子としてのNPNトラン
ジスタ12と接続され、同トランジスタ12のエミッタ
端子は接地されている。
【0021】又、トランジスタ駆動用コンデンサ10の
両端子間には抵抗14が配置されている。NチャネルM
OSトランジスタ5のゲート端子およびNPNトランジ
スタ12のベース端子にはエンジン制御装置(ECU)
15が接続されている。エンジン制御装置(ECU)1
5はエンジン運転情報(エンジン回転数や吸入空気量
等)を取り込み、所定の噴射タイミングにてエンジン運
転状態に応じた燃料量を噴射すべく燃料噴射弁(電磁弁
1)の開弁時間を制御するようになっている。
【0022】次に、このように構成した電磁弁駆動装置
の作用を説明する。図2には、タイミングチャートを示
す。このタイミングチャートには、電磁弁駆動用コンデ
ンサ7の電圧Vc1と、NチャネルMOSトランジスタ8
のオン・オフ状態と、NチャネルMOSトランジスタ5
のオン・オフ状態と、電磁弁1のコイル2の通電電流I
c と、NPNトランジスタ12のオン・オフ状態と、ト
ランジスタ駆動用コンデンサ10の電圧Vc2とを示す。
【0023】図2において、t3〜t6の期間に電磁弁
1のコイル2の通電が行われるものとする。図2のt1
のタイミング以前においては、電磁弁駆動用コンデンサ
7にはDC/DCコンバータ6からの高電圧の供給にて
高電圧が蓄えられている。そして、エンジン制御装置
(ECU)15は、図2のt1のタイミングのように、
NチャネルMOSトランジスタ8のオフ時において、N
PNトランジスタ12をオンする。その結果、バッテリ
3→ダイオード4→ツェナーダイオード9→トランジス
タ駆動用コンデンサ10→抵抗11→NPNトランジス
タ12の充電経路が形成され、この経路にてトランジス
タ駆動用コンデンサ10の充電動作が行われる。このと
き、NチャネルMOSトランジスタ8のゲート端子はソ
ース端子に対しツェナーダイオード9の順方向降下電圧
−Vf が加わっているので、NチャネルMOSトランジ
スタ8は確実にオフ状態となる。
【0024】又、このトランジスタ駆動用コンデンサ1
0の充電時において、抵抗11によりサージ電圧からN
PNトランジスタ12が保護される。同様に、ツェナー
ダイオード9によりサージ電圧からNチャネルMOSト
ランジスタ8が保護される。
【0025】そして、図2のt2のタイミングにてトラ
ンジスタ駆動用コンデンサ10の充電動作が終了する。
この状態において電磁弁1の開弁タイミングになると
(図2のt3のタイミング)、エンジン制御装置(EC
U)15は、NチャネルMOSトランジスタ5をオンす
るとともにNPNトランジスタ12をオフする。NPN
トランジスタ12のオフにより、トランジスタ駆動用コ
ンデンサ10の電圧が抵抗13を通してNチャネルMO
Sトランジスタ8のゲート・ソース間に印加され、この
電圧はNチャネルMOSトランジスタ8のしきい電圧V
T 以上となっているので、NチャネルMOSトランジス
タ8はオンする。このように、NチャネルMOSトラン
ジスタ8のゲートに対しソースがトランジスタ駆動用コ
ンデンサ10の電圧分だけ高くなり、NチャネルMOS
トランジスタ8がオンする。
【0026】又、NチャネルMOSトランジスタ5のオ
ンにより、電磁弁駆動用コンデンサ7→NチャネルMO
Sトランジスタ8→電磁弁1のコイル2→NチャネルM
OSトランジスタ5の経路にて電流が流れる。この際、
電磁弁1のコイル2においては高電圧が印加されている
ので電流の立ち上がりが早く電磁弁1が速やかに開弁動
作し、電磁弁1の応答性がよい。又、この電磁弁1の開
弁動作により燃料噴射が開始される。
【0027】一方、トランジスタ駆動用コンデンサ10
においては抵抗14を介して放電動作する。そして、図
2のt4のタイミングにて電磁弁1のコイル2に対し、
電磁弁駆動用コンデンサ7の放電による電流供給からバ
ッテリ3からの電流の供給に切り替わる。つまり、バッ
テリ3→ダイオード4→電磁弁1のコイル2→Nチャネ
ルMOSトランジスタ5の経路にて電流が流れる。この
電流により開弁状態が保持される。
【0028】その後の図2のt5のタイミングにて、エ
ンジン制御装置(ECU)15は、NPNトランジスタ
12をオンする。このNPNトランジスタ12のオンに
よりNチャネルMOSトランジスタ8がオフして、DC
/DCコンバータ6による電磁弁駆動用コンデンサ7の
充電が開始される。又、NPNトランジスタ12のオン
により前述したようにバッテリ3→ダイオード4→ツェ
ナーダイオード9→トランジスタ駆動用コンデンサ10
→抵抗11→NPNトランジスタ12の経路にてトラン
ジスタ駆動用コンデンサ10の充電動作が行われる。
【0029】さらに、その後のt6のタイミングにて、
エンジン制御装置(ECU)15は、NチャネルMOS
トランジスタ5をオフして電磁弁1のコイル2への通電
を終了させる。この通電終了により電磁弁1が閉弁して
燃料噴射が終了する。
【0030】以下、同様の動作が行われ、エンジンの運
転状態に応じた燃料噴射が実行される。このような電磁
弁1の駆動制御において、電磁弁1のコイル2への通電
を終了すべくNチャネルMOSトランジスタ5をオフ動
作する前にNチャネルMOSトランジスタ8がオフ動作
し電磁弁駆動用コンデンサ7の充電が開始されるので、
コンデンサ7の充電時間が確保される。よって、エンジ
ンの高回転時(NチャネルMOSトランジスタ5がオフ
してからオンするまでの期間が短い場合)にも対応でき
る。
【0031】又、NチャネルMOSトランジスタ8のオ
フにより電磁弁駆動用コンデンサ7による高電圧ライン
を遮断し、NチャネルMOSトランジスタ8から下流の
ライン(トランジスタ8〜電磁弁1のコイル2〜Nチャ
ネルMOSトランジスタ5)を低電圧とし、高電圧ライ
ン形成領域を極力少なくして安全上好ましいものとなっ
ている。
【0032】このように本実施例では、トランジスタ駆
動用コンデンサ10の第1の端子10aをNチャネルM
OSトランジスタ8のゲート端子と接続するとともに第
2の端子10bを抵抗13を介してNチャネルMOSト
ランジスタ8のソース端子と接続し、又、NチャネルM
OSトランジスタ8のソース・ゲート間にツェナーダイ
オード9を接続し、そして、NチャネルMOSトランジ
スタ8のオフ時においてNPNトランジスタ12をオン
動作してバッテリ3からの電圧をトランジスタ駆動用コ
ンデンサ10に蓄えるとともに、NPNトランジスタ1
2をオフ動作してトランジスタ駆動用コンデンサコンデ
ンサ10の電圧をNチャネルMOSトランジスタ8のゲ
ート・ソース電圧として印加してしきい電圧VT 以上と
することでNチャネルMOSトランジスタ8をオン状態
にするようにした。つまり、NチャネルMOSトランジ
スタ8がオフの時にトランジスタ駆動用コンデンサ10
に電圧を蓄えておき、この電圧をNチャネルMOSトラ
ンジスタ8のゲート端子に印加してNチャネルMOSト
ランジスタ8をオンさせる。その結果、図4に示した従
来構造においてはパルストランス37を用いていたため
に高価でかつ大型化を招いてしまっていたが、本実施例
ではトランジスタ駆動用コンデンサ10を用いた簡単な
構成にてハイサイドスイッチであるNチャネルMOSト
ランジスタ8の駆動を行うことができコストダウンと小
型化を図ることができる。
【0033】又、NチャネルMOSトランジスタ8のソ
ース・ゲート間に接続されたツェナーダイオード9によ
り同トランジスタ8がサージ電圧から保護される。つま
り、何らかの理由により(例えばバッテリ外れにより)
バッテリ3から瞬間的な高圧電圧が発生し、これがサー
ジ電圧となってトランジスタ駆動用コンデンサ10に高
電圧が蓄えられてもツェナーダイオード9によりMOS
トランジスタ8のソース・ゲート間には耐圧(ソース・
ゲート間耐圧)を越える電圧が加わることがなく同トラ
ンジスタ8を保護することができる。
【0034】又、NPNトランジスタ12のオンにて形
成されるトランジスタ駆動用コンデンサ10の充電経路
に抵抗11を配置したので、サージ電圧からNPNトラ
ンジスタ12を保護することができる。
【0035】又、トランジスタ駆動用コンデンサ10の
両端子間に抵抗14を配置したので、抵抗14の抵抗値
を所定の値に設定することによりトランジスタ駆動用コ
ンデンサ10を所定の時定数にて放電することができ
る。 (第2実施例)次に、第2実施例を第1実施例との相違
点を中心に説明する。
【0036】第1実施例ではハイサイドスイッチとして
NチャネルMOSトランジスタを用いたが、本実施例で
は、図3に示すように、ハイサイドスイッチとしてIG
BT16を用いている。
【0037】図3において、トランジスタ駆動用コンデ
ンサ10の第1の端子10aがIGBT16のゲート端
子およびバッテリ3による低電圧ライン(接続点b)と
接続されるとともに、第2の端子10bが抵抗13を介
してIGBT16のエミッタ端子と接続されている。そ
して、NPNトランジスタ12がIGBT16のオフ時
においてオン動作してバッテリ3からトランジスタ駆動
用コンデンサ10への充電経路を形成して同コンデンサ
10を充電する。又、NPNトランジスタ12のオフ動
作にてトランジスタ駆動用コンデンサ10に蓄えられた
電圧によりIGBT16をオン状態にする。即ち、トラ
ンジスタ駆動用コンデンサ10の電圧がIGBT16の
ゲート・エミッタ間に印加され、この電圧はIGBT1
6のしきい電圧VT 以上となっているので、IGBT1
6はオン状態になる。このように、トランジスタ駆動用
コンデンサ10によりIGBT16におけるゲート・エ
ミッタ間の電圧を調整することによりIGBT16をオ
ンする。
【0038】本実施例においては、IGBT16のエミ
ッタ・ゲート間に接続されたツェナーダイオード9によ
りIGBT16がサージ電圧から保護される。つまり、
バッテリ3から瞬間的な高圧電圧が発生し、これがサー
ジ電圧となってトランジスタ駆動用コンデンサ10に高
電圧が蓄えられてもツェナーダイオード9によりIGB
T16のエミッタ・ゲート間には耐圧(エミッタ・ゲー
ト間耐圧)を越える電圧が加わることがなくIGBT1
6が保護される。
【0039】尚、この発明の他の態様として、ツェナー
ダイオード9の代わりに単なるダイオードを用いてもよ
い。又、上記実施例ではガソリンエンジンの燃料噴射弁
に適用した例について述べたが、他にも例えばディーゼ
ルエンジンの燃料噴射弁やディーゼルエンジン用燃料噴
射ポンプのスピル弁(燃料を溢流することにより燃料量
を調整するための弁)等の高速応答を要求される電磁弁
に適用してもよい。
【0040】
【発明の効果】以上詳述したように請求項1,2に記載
の発明によれば、コストダウンと小型化を図ることがで
きる優れた効果を発揮する。
【0041】請求項3に記載の発明によれば、請求項1
または2に記載の発明の効果に加えトランジスタをサー
ジ電圧から保護することができる。請求項4に記載の発
明によれば、請求項1または2に記載の発明の効果に加
えトランジスタ駆動用スイッチング素子をサージ電圧か
ら保護することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施例の電磁弁駆動装置の電気的構成図。
【図2】実施例の電磁弁駆動装置の作用を説明するため
のタイミングチャート。
【図3】第2実施例の電磁弁駆動装置の電気的構成図。
【図4】従来の電磁弁駆動装置の電気的構成図。
【図5】従来の電磁弁駆動装置の作用を説明するための
タイミングチャート。
【符号の説明】
1…電磁弁、2…コイル、3…低電圧源としてのバッテ
リ、5…電磁弁駆動用スイッチング素子としてのNチャ
ネルMOSトランジスタ、6…高電圧源としてのDC/
DCコンバータ、7…電磁弁駆動用コンデンサ、8…N
チャネルMOSトランジスタ、9…ツェナーダイオー
ド、10…トランジスタ駆動用コンデンサ、10a…第
1の端子、10b…第2の端子、11…抵抗、12…ト
ランジスタ駆動用スイッチング素子としてのNPNトラ
ンジスタ、13…抵抗、16…TGBT。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 コイルへの通電にて駆動する電磁弁と、 前記電磁弁のコイルに接続された低電圧源と、 前記電磁弁のコイルに接続され、かつ、高電圧源からの
    電圧の供給にて高電圧を蓄える電磁弁駆動用コンデンサ
    と、 前記電磁弁のコイルの通電経路に設けられた電磁弁駆動
    用スイッチング素子と、 前記電磁弁駆動用コンデンサと前記電磁弁のコイルとの
    間の通電経路に設けられ、前記電磁弁駆動用スイッチン
    グ素子の通電終了のためのオフ動作に先立ちオフ動作す
    るMOSトランジスタと、 第1の端子が前記MOSトランジスタのゲート端子と接
    続されるとともに、第2の端子が抵抗を介して前記MO
    Sトランジスタのソース端子と接続されたトランジスタ
    駆動用コンデンサと、 前記MOSトランジスタのソース・ゲート間に接続され
    たダイオードと、 前記トランジスタ駆動用コンデンサの第2の端子と接続
    され、前記MOSトランジスタのオフ時においてオン動
    作して前記低電圧源から前記トランジスタ駆動用コンデ
    ンサへの充電経路を形成して同コンデンサを充電し、オ
    フ動作にて前記トランジスタ駆動用コンデンサに蓄えら
    れた電圧により前記MOSトランジスタをオン状態にす
    るトランジスタ駆動用スイッチング素子とを備えたこと
    を特徴とする電磁弁駆動装置。
  2. 【請求項2】 コイルへの通電にて駆動する電磁弁と、 前記電磁弁のコイルに接続された低電圧源と、 前記電磁弁のコイルに接続され、かつ、高電圧源からの
    電圧の供給にて高電圧を蓄える電磁弁駆動用コンデンサ
    と、 前記電磁弁のコイルの通電経路に設けられた電磁弁駆動
    用スイッチング素子と、 前記電磁弁駆動用コンデンサと前記電磁弁のコイルとの
    間の通電経路に設けられ、前記電磁弁駆動用スイッチン
    グ素子の通電終了のためのオフ動作に先立ちオフ動作す
    るIGBTと、 第1の端子が前記IGBTのゲート端子と接続されると
    ともに、第2の端子が抵抗を介して前記IGBTのエミ
    ッタ端子と接続されたトランジスタ駆動用コンデンサ
    と、 前記IGBTのエミッタ・ゲート間に接続されたダイオ
    ードと、 前記トランジスタ駆動用コンデンサの第2の端子と接続
    され、前記IGBTのオフ時においてオン動作して前記
    低電圧源から前記トランジスタ駆動用コンデンサへの充
    電経路を形成して同コンデンサを充電し、オフ動作にて
    前記トランジスタ駆動用コンデンサに蓄えられた電圧に
    より前記IGBTをオン状態にするトランジスタ駆動用
    スイッチング素子とを備えたことを特徴とする電磁弁駆
    動装置。
  3. 【請求項3】 前記ダイオードはツェナーダイオードで
    ある請求項1または2に記載の電磁弁駆動装置。
  4. 【請求項4】 前記トランジスタ駆動用コンデンサの充
    電経路に抵抗を配置した請求項1または2に記載の電磁
    弁駆動装置。
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