JPH08245681A - グルコサミン誘導体及びその製造方法 - Google Patents

グルコサミン誘導体及びその製造方法

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JPH08245681A
JPH08245681A JP9741695A JP9741695A JPH08245681A JP H08245681 A JPH08245681 A JP H08245681A JP 9741695 A JP9741695 A JP 9741695A JP 9741695 A JP9741695 A JP 9741695A JP H08245681 A JPH08245681 A JP H08245681A
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JP
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group
compound
formula
general formula
alkyl
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Application number
JP9741695A
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Inventor
Masashi Tanaka
正史 田中
Koji Takamoto
孝二 高本
Masaharu Hayashi
正治 林
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Sumitomo Pharmaceuticals Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Pharmaceuticals Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】非イオン性界面活性として用いられる1−置換
2−置換アミノ−2−デオキシ−D−グルコピラノシ
ド誘導体の製造の中間体として有用なグルコサミン誘導
体及びその製造方法を提供する。 【構成】例えば、式 【化1】 で表される化合物(ただし、R1 は2−トリ(C1 −C
4 アルキル/フェニル)シリルエチル基である。R2
水素原子、C1 −C6 アルカノイル基またはアロイル基
である。)。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、グルコサミン誘導体及
びその製造方法に関する。かかるグルコサミン誘導体
は、ルイスX及びシアリルルイスX糖鎖類等の誘導体の
製造中間体や非イオン性界面活性剤の製造中間体として
用いられる。
【0002】
【従来の技術】膜タンパク質の構造や機能の解析におい
ては、目的とするタンパク質を精製することが必要であ
り、そのためには、不溶性タンパク質の可溶化剤とし
て、界面活性剤を用いるのが一般的である。これら界面
活性剤のうち非イオン性界面活性剤は、膜タンパク質な
どを失活させずに可溶化するのにかなり適していること
が知られている。なかでも、実際に糖誘導体で汎用され
ているのは、オクチルグルコシド(n−オクチル−β−
D−グルコシド)、ヘプチルチオグリコシド(n−ヘプ
チル−β−D−チオグルコシド)などである(土屋友
房,新生化学実験講座1,タンパク質I,53〜66
項,日本生化学会編)。したがって、これらの類縁体で
ある糖化合物の合成は、膜タンパク質の構造や機能の解
析研究において重要である。しかしながら、これらの構
造活性相関に関する詳細な報告はなく、その最適化がな
されているとは言いがたい。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、非イ
オン性界面活性剤として重要な1−置換 2−N−置換
アミノ−2−デオキシ−D−グルコピラノシド誘導体の
効率的製造原料となる中間体を提供すること、及びその
中間体の製造法を提供することにある。さらに、かかる
中間体から1−置換 2−N−置換アミノ−2−デオキ
シ−D−グルコピラノシド誘導体を製造する方法を提供
することにある。かかる本発明化合物は、低廉な出発原
料であるグルコサミンより容易に得られる。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成するため鋭意検討を重ねた結果、低廉な出発原料で
あるグルコサミンから容易に得られる後述の化合物すな
わち、2−トリ(C1−C4 アルキル/フェニル)シリ
ルエチル 2−N−アリルオキシカルボニル−2−アミ
ノ−2−デオキシ−D−グルコピラノシド誘導体、及
び、2−トリ(C1 −C4 アルキル/フェニル)シリル
エチル 2−アミノ−2−デオキシ−D−グルコピラノ
シド誘導体が、各種の1−置換 2−N−置換アミノ−
2−デオキシ−D−グルコピラノシド誘導体の合成に有
用な化合物であることを見出し、本発明を完成するに至
った。
【0005】すなわち本発明は、第一には、一般式
【化12】 (式中、R1 は2−トリ(C1 −C4 アルキル/フェニ
ル)シリルエチル基である。R2 は水素原子、C1 −C
6 アルカノイル基またはアロイル基である。)で表され
る化合物またはその塩に関する。第二には、一般式
【化13】 (式中、R1 、R2 は前述したものと同意義を示す。)
で表される化合物またはその塩に関する。
【0006】第三には、一般式
【化14】 (式中、R1 、R2 は前述したものと同意義を示す。)
で表される化合物のうち、水酸基を含む場合には水酸基
を保護したのち、アリルオキシカルボニル基を脱保護す
ることにより一般式
【化15】 (式中、R1 、R2 は前述したものと同意義を示す。)
で表される化合物となし、次いでアミノ基を修飾して、
一般式
【化16】 (式中、R1 、R2 は前述したものと同意義を示す。Y
はC(O)、SO2 、C(O)NH、C(O)Oあるい
はC(O)Sである。R3 は置換もしくは無置換のアリ
−ル基、アリールC1 −C6 アルキル基または置換もし
くは無置換のC1−C18アルキル基である。)で表され
る化合物となし、必要に応じてこれをO−アシル化反応
に付し、一般式
【化17】 (式中、R1 、R3 、Yは前述したものと同意義を示
す。R2'はC1 −C6 アルカノイル基またはアロイル基
である。)で表される化合物となし、次いで、この化合
物の還元末端の2−トリ(C1 −C4 アルキル/フェニ
ル)シリルエチルオキシ基を脱離基に変換して、一般式
【化18】 (式中、R2'、R3 、Yは前述したものと同意義を示
す。Xは脱離基である。)で表される化合物となし、次
いで、これを一般式 R4 OH (式中、R4 はC1 −C18アルキル基または置換基を有
するC1 −C18アルキル基である。)で表される化合物
とグリコシル化して、一般式
【化19】 (式中、R2'、R3 、Y、及びR4 は前述したものと同
意義を示す。)で表される化合物となし、次いでこれを
脱保護することを特徴とする、一般式
【化20】 (式中、R3 、Y、及びR4 は前述したものと同意義を
示す。)で表される化合物の製造方法に関する。
【0007】第四には、一般式
【化21】 (式中、R2 は前述したものと同意義を示す。)で表さ
れる化合物のうち、水酸基を含む場合には水酸基を保護
して、一般式
【化22】 (式中、R2'は前述したものと同意義を示す。)で表さ
れる化合物となし、必要に応じてこの化合物の還元末端
を適宜脱離基に変換して、一般式
【化23】 (式中、R2'は前述したものと同意義を示す。Xは脱離
基である。)で表される化合物となし、次いで、これを
一般式 R1 OH (式中、R1 は前述したものと同意義を示す。)で表さ
れる化合物とグリコシル化して、一般式
【化24】 (式中、R1 、R2'は前述したものと同意義を示す。)
で表される化合物となし、次いでこれを必要に応じて脱
保護することを特徴とする、一般式
【化25】 (式中、R1 、R2 は前述したものと同意義を示す。)
で表される本発明化合物の製造方法に関する。
【0008】本発明における置換基を、以下に説明す
る。ハロゲン原子とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子またはヨウ素原子を意味する。アリ−ル基とは、炭化
水素、酸素原子を一つ含む炭化水素、硫黄原子を一つ含
む炭化水素、窒素原子を一つ含む炭化水素、あるいは窒
素原子を二つ含む炭化水素のいずれかが環をなすことに
より形成される、五員単環式、六員単環式、六員環と五
員環が縮合した縮合多環式、あるいは六員環同志が縮合
した縮合多環式の芳香環基を意味する。すなわち、アリ
−ル基としては、例えばフェニル基等の単環式芳香族炭
化水素基、例えばナフチル基、アントラセニル基(アン
スリル基)、フェナンスレニル基等の縮合多環式芳香族
炭化水素基、例えばフリル基、チエニル基、ピリジル
基、ピラジニル基、ベンゾフラニル(ベンゾ〔b〕フラ
ニル)基、イソベンゾフラニル(ベンゾ〔c〕フラニ
ル)基、ベンゾチエニル(ベンゾ〔b〕チエニル)基、
イソベンゾチエニル(ベンゾ〔c〕チエニル)基、ピリ
ミジニル基、ピリダジニル基、キノリニル基、イソキノ
リニル基、キノキサリニル基、ナフチリジニル基、フタ
ラジニル基、キナゾリニル基等の酸素原子、硫黄原子あ
るいは1ないし2個の窒素原子を含む芳香族複素環式基
などが挙げられる。基を形成するにあたっての結合枝の
位置は、取り得る全ての位置より任意に選択することが
できる。
【0009】置換されたアリール基とは、以下に述べる
置換基のうち1ないし数種を、1ないし複数個、芳香環
上に有するアリール基である。かかる置換基としては、
ハロゲン原子、ニトロ基、トリフルオロメチル基、例え
ばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、
ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、
3−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘ
キシル基、ヘプチル基、4−ヘプチル基、オクチル基、
ノニル基、5−ノニル基、デシル基、ウンデシル基、6
−ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、7−トリ
デシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、8−ペン
タデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、9−ヘ
プタデシル基、オクタデシル基、等の炭素数1〜18個
のアルキル基、フェニル基、例えばメトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、
ペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ヘキシル
オキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ
基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ
基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシ
ルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキ
シ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、
オクタデシルオキシ基等の炭素数1〜18個のアルコキ
シ基、フェノキシ基、ベンジルオキシ基、(置換ベンジ
ル)オキシ基、アミノ基、ベンジルアミノ基、(置換ベ
ンジル)アミノ基、炭素数1〜18個のモノアルキルア
ミノ基、各々が炭素数1〜18個のジアルキルアミノ
基、アルキル鎖の炭素数が1〜18個のアルキルベンジ
ルアミノ基、例えばアセチルアミノ基、プロピオニルア
ミノ基、ブチリルアミノ基、バレリルアミノ基、ペンタ
ノイルアミノ基、シクロペンタンカルボキサミド基、ヘ
キサノイルアミノ基、シクロヘキサンカルボキサミド
基、ヘプタノイルアミノ基、オクタノイルアミノ基、ノ
ナノイルアミノ基、デカノイルアミノ基、ウンデカノイ
ルアミノ基、ドデカノイルアミノ基、トリデカノイルア
ミノ基、テトラデカノイルアミノ基、ペンタデカノイル
アミノ基、ヘキサデカノイルアミノ基、ヘプタデカノイ
ルアミノ基等の炭素数1〜18個のアルカノイルアミノ
基(アルキルカルボキサミド基)、例えばベンゾイルア
ミノ基、ナフトイルアミノ基等の炭素数1〜10個のア
ロイルアミノ基、カルボキシル基、例えばメチルカルバ
モイル基、エチルカルバモイル基、プロピルカルバモイ
ル基、ブチルカルバモイル基、ペンチルカルバモイル
基、シクロペンチルカルバモイル基、ヘキシルカルバモ
イル基、シクロヘキシルカルバモイル基、ヘプチルカル
バモイル基、オクチルカルバモイル基、ノニルカルバモ
イル基、デシルカルバモイル基、ウンデシルカルバモイ
ル基、ドデシルカルバモイル基、トリデシルカバモイル
基、テトラデシルカルバモイル基、ペンタデシルカルバ
モイル基、ヘキサデシルカルバモイル基、ヘプタデシル
カルバモイル基、オクタデシルカルバモイル基等のアル
キル部分の炭素数が1〜18個のアルキルカルバモイル
基(アルキルアミノカルボニル基)等を挙げることがで
きる。
【0010】C1-C6 アルカノイル基とは、炭素数1〜
6個からなる直鎖状または分枝状のアルキルカルボニル
基であり、そのアルキル部分は1または複数個のハロゲ
ン原子等により置換されていてもよい。具体的には、ホ
ルミル基、アセチル基、クロロアセチル基、ジクロロア
セチル基、トリクロロアセチル基、プロピオニル基、ブ
チリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル
基、ピバロイル基、ペンタノイル基、イソペンタノイル
基、ネオペンタノイル基等が挙げられ、特に好適には、
アセチル基、クロロアセチル基、トリクロロアセチル基
およびピバロイル基が挙げられる。アロイル基とは、ア
リールカルボニル基と同意義であり、そのアリール部分
は上に述べた如き置換されたアリールであってもよい。
式中のR1 は、2−トリ(C1-C4 アルキル/フェニ
ル)シリルエチル基を意味する。ここで、2−トリ(C
1-C4 アルキル/フェニル)シリルエチル基とは、同種
または異種のC1-C4 アルキル基またはフェニル基が珪
素原子上に計3個置換した2−シリルエチル基を意味
し、具体的には2−トリメチルシリルエチル基、2−ト
リエチルシリルエチル基、2−(トリイソプロピルシリ
ル)エチル基、2−(t−ブチルジメチルシリル)エチ
ル基、2−トリフェニルシリルエチル基、2−(ジフェ
ニルメチルシリル)エチル基、2−(t−ブチルジフェ
ニルシリル)エチル基などが挙げられる。式中のR3
おけるアリールC1-C6 アルキル基とは、例えばフェニ
ルC1-C6 アルキル基、すなわち、末端にフェニル基を
有する炭素数1から6個からなる直鎖状ないしは分枝状
のアルキル基であり、具体的には、ベンジル基、フェネ
チル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基、フェ
ニルペンチル基、フェニルヘキシル基等を挙げることが
できる。式中のR3 、R4 におけるC1-C18アルキル基
とは、炭素数1〜18個からなる直鎖状ないしは分枝状
のアルキル基またはシクロアルキル基であり、具体的に
は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、イソブチル基、2−ブチル基、t−ブチ
ル基、ペンチル基、3−ペンチル基、イソペンチル基、
ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、4−ヘプチ
ル基、オクチル基、ノニル基、5−ノニル基、デシル
基、ウンデシル基、6−ウンデシル基、ドデシル基、ト
リデシル基、7−トリデシル基、テトラデシル基、ペン
タデシル基、8−ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘ
プタデシル基、9−ヘプタデシル基、オクタデシル基、
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオク
チル基、(4−シクロヘキシル)シクロヘキシル基等が
挙げられる。
【0011】式中のR3 、R4 における、置換基を有す
るC1-C18アルキル基とは、以下に述べる置換基を有す
る、炭素数1〜18個からなる直鎖状または分枝状のア
ルキル基である。かかる置換基としては、ハロゲン原
子、トリフルオロメチル基、例えばシクロプロピル基、
シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル
基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭素数1
〜18個のシクロアルキル基、アリール基、置換された
アリール基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル
基、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イ
ソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、シク
ロペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシ
ルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノ
ニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、
ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシル
オキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ
基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等の
炭素数1〜18個のアルコキシ基、ジフェニルメトキシ
基、トリフェニルメトキシ基、アリールオキシ基、置換
されたアリールオキシ基、ベンジルオキシ基等々が挙げ
られる。かかる置換基の置換位置としては、糖鎖還元末
端の酸素原子と直接結合する炭素原子を除く、全ての炭
素原子上が可能である。またこれらの置換基は、かかる
アルキル鎖上に、単にひとつのみならず、複数個(2〜
5個)置換することもでき、その置換基の種類は、同種
のものでも異種のものでもよい。式中のXにおける脱離
基としては、具体的には、ハロゲン原子、例えばアセト
キシ基、プロポキシ基等の炭素数1〜6個からなるアル
カノイルオキシ基、例えばベンゾイルオキシ基等のアロ
イルオキシ基、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、プ
ロピルチオ基、イソプロピルチオ基等の炭素数1〜6個
からなる直鎖状あるいは分枝状のアルキルチオ基、フェ
ニルチオ基、ピリジルチオ基、フェニルスルフィニル
基、フェニルセレニル基、例えばアセトイミデート基、
トリクロロアセトイミデート基、N−メチルアセトイミ
デート基等のイミデート基、例えばジメチルホスホリル
基、ジエチルホスホリル基等の炭素数1〜6個のアルキ
ル基からなるジアルキルホスホリル基、ジフェニルホス
ホリル基等が挙げられる。
【0012】本発明化合物(1)および本発明化合物
(2)は、以下に記載する方法によって、1−置換 2
−N−置換アミノ−2−デオキシ−D−グルコピラノシ
ド誘導体(7)と変換することができる。 〔スキームA〕
【化26】
【化27】 (式中、R1 、R2 、R2'、R3 、R4 、Yは前述と同
意義を示す。Xは脱離基である。)
【0013】(A−1工程)本発明化合物(1)のアミ
ノ基上の保護基であるアリルオキシカルボニル基(Al
loc)を、選択的に脱保護することによって、本発明
化合物(2)を製造することができる。脱保護の方法と
しては、例えば、“Protective Groups in Organic Syn
thesis”( T. W. Greene, P. G. M. Wuts 共著、第2
版、John Wiley & Sons,Inc. (1991) )の 331〜332 頁
に記載の方法が挙げられる。実際に脱保護を行うに当た
っては、これらの方法のなかから、アミノ基上の保護基
であるAllocのみを選択的に脱保護しうる方法を適
宜選択することが必要である。Allocの脱保護に
は、例えば、アリル捕捉剤の存在下、テトラキス(トリ
フェニルホスフィン)パラジウム(TPAL)を用いる
ことにより、容易に脱保護できる。TPALの使用量は
触媒量でよく、通常は0.001〜1当量用いる。ま
た、アリル捕捉剤としては、例えばジメドン、マロン酸
ジエチル、モルホリン、アニリン、水素化トリブチルス
ズ、ポリメチルヒドロシロキサン等を挙げることができ
る。反応は溶媒中で行うのが好ましく、溶媒としては塩
化メチレン、1,2−ジクロロエタンなどのハロゲン系
溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメト
キシエタン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ベンゼ
ン、トルエン、クロロベンゼンなどの芳香族系溶媒、ヘ
キサン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒、
ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド(DMSO)、アセトニトリ
ルなどの極性非プロトン性溶媒、メタノール、エタノー
ル、プロパノール、イソプロパノールなどのアルコール
系溶媒等が挙げられる。これらは単独もしくは混合溶媒
として使用される。反応温度は−70℃から100℃、
好ましくは0℃から60℃(もしくは溶媒の沸点)の範
囲で選ばれる。反応時間は主に反応温度、使用される原
料化合物、試剤、溶媒等により左右されるが、通常1時
間から1日間である。
【0014】(A−2工程)本発明化合物(2)を種々
の反応条件下で親電子剤と反応させることにより、化合
物(3)を製造することができる。塩基の存在下で反応
せしめる場合の親電子剤としては、前記のR3 で表され
る置換基を含むカルボン酸ハライド、カルボン酸無水
物、ハロギ酸エステル、ピロカーボネート、スルホン酸
ハライド、あるいはスルホン酸無水物等を用いることが
できる。ハライドのハロゲン原子としては塩素、臭素、
ヨウ素などが挙げられる。塩基としては、炭酸ナトリウ
ムや炭酸カリウムなどの炭酸塩、水酸化ナトリウムや水
酸化カリウムなどの水酸化物、重炭酸ナトリウムや重炭
酸カリウムなどの重炭酸塩、リン酸水素二ナトリウム、
リン酸水素二カリウム、あるいはトリエチルアミン、
N,N−ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、ジメ
チルアニリン、1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕
ウンデセン(DBU)、ヘキサメチルジシラザンリチウ
ムなどの有機塩基等を用いることができる。中性条件下
で反応せしめる場合の親電子剤としては、前記のR3
表される置換基を含むイソシアネート、イソチオシアネ
ート等を用いることができる。縮合剤共存下で反応せし
める場合の親電子剤としては、前記のR3 で表される置
換基を含むカルボン酸、スルホン酸、チオカルボン酸等
を用いることができる。
【0015】縮合剤としては、ジシクロヘキシルカルボ
ジイミド(DCC)、ジイソプロピルカルボジイミド
(DIPC)、N−エチル−N’−3−ジメチルアミノ
プロピルカルボジイミド(WSCI)およびその塩酸塩
(WSC・HCl)、ベンゾトリアゾール−1−イル−
トリス(ジメチルアミノ)ホスホニウムヘキサフルオロ
リン化物塩(BOP)、ジフェニルホスホリルアジド
(DPPA)等を用いることができる。これらは単独
で、あるいはN−ヒドロキシスクシンイミド(HONS
u)、1−ヒドロキシベンゾトリアゾール(HOB
t)、3−ヒドロキシ−4−オキソ−3,4−ジヒドロ
−1,2,3−ベンゾトリアジン(HOObt)等と組
み合わせて用いる。反応は溶媒中で行うのが好ましく、
溶媒としては塩化メチレン、1,2−ジクロロエタンな
どのハロゲン系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン、ジメトキシエタン、ジオキサンなどのエーテル
系溶媒、ベンゼン、トルエン、クロロベンゼンなどの芳
香族系溶媒、ヘキサン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭
化水素系溶媒、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメ
チルアセトアミド、ジメチルスルホキシド(DMS
O)、アセトニトリルなどの極性非プロトン性溶媒、メ
タノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノー
ルなどのアルコール系溶媒、アセトン、水などが挙げら
れる。これらは単独もしくは混合溶媒として使用され
る。反応温度は−70℃から100℃、好ましくは0℃
から60℃(もしくは溶媒の沸点)の範囲で選ばれる。
反応時間は主に反応温度、使用される原料化合物、試
剤、溶媒等により左右されるが、通常1時間から2日間
である。
【0016】(A−3工程)上記で得られた化合物
(3)を、必要に応じて、塩基の存在下、アシル化剤と
反応させることにより、化合物(4)を製造することが
できる。アシル化剤としては、前記のR2'で表される置
換基を含むカルボン酸ハライド、カルボン酸無水物等を
用いることができる。ハライドのハロゲン原子としては
塩素、臭素、ヨウ素などが挙げられる。塩基としては、
炭酸ナトリウムや炭酸カリウムなどの炭酸塩、水酸化ナ
トリウムや水酸化カリウムなどの水酸化物、重炭酸ナト
リウムや重炭酸カリウムなどの重炭酸塩、リン酸水素二
ナトリウム、リン酸水素二カリウム、あるいはトリエチ
ルアミン、N,N−ジイソプロピルエチルアミン、ピリ
ジン、ジメチルアニリン、1,8−ジアザビシクロ
〔5.4.0〕ウンデセン(DBU)、ヘキサメチルジ
シラザンリチウムなどの有機塩基等を用いることができ
る。反応は溶媒中で行うのが好ましく、溶媒としては塩
化メチレン、1,2−ジクロロエタンなどのハロゲン系
溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメト
キシエタン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ベンゼ
ン、トルエン、クロロベンゼンなどの芳香族系溶媒、ヘ
キサン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒、
ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド(DMSO)、アセトニトリ
ルなどの極性非プロトン性溶媒などが挙げられる。これ
らは単独もしくは混合溶媒として使用される。反応温度
は−70℃から100℃、好ましくは0℃から60℃
(もしくは溶媒の沸点)の範囲で選ばれる。反応時間は
主に反応温度、使用される原料化合物、試剤、溶媒等に
より左右されるが、通常1時間から2日間である。ただ
し、R2 が水素原子でない場合には、化合物(3)と化
合物(4)は全く等価であり、本工程は何ら行う必要が
ない。
【0017】(A−4工程)上記の方法により得られた
化合物(4)は、Magnusson らの方法により(J.Org. C
hem., 55, 3181 (1990) )、触媒量のルイス酸の存在
下、1,1−ジハロメチルメチルエーテルなどのハロゲ
ン化試剤で処理することにより、対応する糖ハライド体
(5)に導くことができる。ハライドのハロゲン原子と
しては塩素、臭素、ヨウ素などが挙げられる。あるい
は、Magnusson らの別の方法に従って(J. Org. Chem.,
53, 5629 (1988) )、ルイス酸の存在下に酸無水物と反
応させるか、あるいはプロトン酸と反応させることによ
り、1−O−アシル化糖(5)あるいは1−OH体へと
導くことができる。用いるルイス酸としては、例えば塩
化亜鉛、臭化亜鉛、ヨウ化亜鉛、塩化第一スズ、臭化第
一スズ、ヨウ化第一スズ、塩化第二スズ、臭化第二ス
ズ、ヨウ化第二スズ、四塩化チタン、四臭化チタン、四
ヨウ化チタン、塩化第二鉄、臭化第二鉄、ヨウ化第二
鉄、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、ヨウ化アル
ミニウム、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホ
ネート(TMSトリフラート)、スズトリフラート、エ
ーテル性三フッ化ホウ素などを挙げることができる。一
方、プロトン酸としては、例えば、蟻酸、酢酸、トリフ
ルオロ酢酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンス
ルホン酸、塩酸、過塩素酸、硫酸等を用いることができ
る。
【0018】ルイス酸を用いる場合の使用量は、通常
0.001〜1当量である。一方、プロトン酸を用いる
場合には、通常0.01当量以上であり、時に反応溶媒
を兼ねて大過剰に用いる。反応は無溶媒下、あるいは溶
媒中で行われ、用いる溶媒としてはクロロホルム、塩化
メチレン、1,2−ジクロロエタンなどのハロゲン系溶
媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキ
シエタン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ベンゼ
ン、トルエン、クロロベンゼンなどの芳香族系溶媒、ジ
メチルホルムアミド(DMF)、ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド(DMSO)、アセトニトリ
ル、ニトロメタンなどの極性非プロトン性溶媒などが挙
げられる。これらは単独もしくは混合溶媒として使用さ
れる。反応温度は−70℃から100℃、好ましくは−
20℃から60℃(もしくは溶媒の沸点)の範囲で選ば
れる。反応時間は主に反応温度、使用される原料化合
物、試剤、溶媒等により左右されるが、通常1時間から
1日間である。これらのハライド体、1−O−アシル化
糖もしくは1−OH体は、さらに既知の方法により、ア
ルキルチオ基、フェニルチオ基、ピリジルチオ基、フェ
ニルスルフィニル基、フェニルセレニル基、イミデート
基、ジアルキルホスホリル基、あるいはジフェニルホス
ホリル基など種々の脱離基Xを有する化合物(5)へと
変換することもできる(例えば、第4版実験化学講座、
26巻、有機合成VII 、267 〜354 頁、日本化学会編 (19
92)を参照のこと)。
【0019】(A−5工程)このようにして得られた化
合物(5)を、ルイス酸もしくは金属塩の存在下、各種
アルコールもしくはフェノール類と反応させることによ
り、化合物(6)を製造することができる(例えば、第
4版実験化学講座、26巻、有機合成VII 、267 〜354
頁、日本化学会編 (1992)を参照のこと)。反応に用い
るルイス酸もしくは金属塩としては、塩化亜鉛、臭化亜
鉛、ヨウ化亜鉛、塩化第一スズ、臭化第一スズ、ヨウ化
第一スズ、塩化第二スズ、臭化第二スズ、ヨウ化第二ス
ズ、四塩化チタン、四臭化チタン、四ヨウ化チタン、塩
化第二鉄、臭化第二鉄、ヨウ化第二鉄、塩化第二銅、臭
化第二銅、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、ヨウ
化アルミニウム、塩化第二水銀、臭化第二水銀、ヨウ化
第二水銀、シアン化第二水銀、酸化水銀、酸化銀、炭酸
銀、過塩素酸銀、塩化第一銀、臭化第一銀、ヨウ化第一
銀、ケイ酸銀、四フッ化ホウ素酸銀、銀ゼオライト、ト
リメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート(TM
Sトリフラート)、銀トリフラート、スズトリフラー
ト、メチルトリフラート、無水トリフラート、過塩素酸
トリチル、四フッ化珪素、塩化トリメチルシラン、臭化
トリメチルシラン、ヨウ化トリメチルシラン、エーテル
性三フッ化ホウ素などが挙げられ、必要に応じてこれら
を組み合わせて用いることもできる。反応は溶媒中で行
うのが好ましく、用いる溶媒としては塩化メチレン、
1,2−ジクロロエタンなどのハロゲン系溶媒、ジエチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、
ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエ
ン、クロロベンゼンなどの芳香族系溶媒、ヘキサン、シ
クロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒、ジメチルホ
ルムアミド(DMF)、ジメチルアセトアミド、アセト
ニトリル、プロピオニトリル、ニトロメタン、ニトロエ
タン、ニトロプロパンなどの極性非プロトン性溶媒、も
しくはアセトンなどが挙げられる。これらは単独もしく
は混合溶媒として使用される。反応に伴って系内に生成
する酸の捕捉剤として、反応系内にN,N,N',N'−
テトラメチルウレア、ピリジン、2,6−ジ−t−ブチ
ルピリジン、2,6−ルチジン、2,4,6−コリジ
ン、トリエチルアミンあるいはモレキュラーシーブス
(MS3A、MS4AあるいはMS5A)等を共存させ
てもよい。反応は無水の条件下で行うことが望ましく、
従って、溶媒、試薬、基質、反応容器等について、でき
る限り水分を除去したほうがよい。場合により、水分除
去のため、反応系内にモレキュラーシーブス(MS3
A、MS4AあるいはMS5A)または無水硫酸カルシ
ウム等の脱水剤を共存させてもよい。また、銀塩を用い
る反応は、光を遮断して行ったほうがよい。反応温度は
−70℃から100℃、好ましくは−20℃から60℃
(もしくは溶媒の沸点)の範囲で選ばれる。反応時間は
主に反応温度、使用される原料化合物、試剤、溶媒等に
より左右されるが、通常1時間から5日間である。
【0020】(A−6工程)上記で得られた化合物
(6)を、溶媒中、塩基性条件下で加水分解することに
より、化合物(7)を製造することができる。塩基とし
ては、炭酸ナトリウムや炭酸カリウムなどの炭酸塩、水
酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどの水酸化物、重炭
酸ナトリウムや重炭酸カリウムなどの重炭酸塩、リン酸
水素二ナトリウム、リン酸水素二カリウム、あるいはト
リエチルアミン、N,N−ジイソプロピルエチルアミ
ン、ピリジン、ジメチルアニリン、1,8−ジアザビシ
クロ〔5.4.0〕ウンデセン(DBU)、ヘキサメチ
ルジシラザンリチウム、ナトリウムメトキシド、ナトリ
ウムエトキシドなどの有機塩基等を用いることができ
る。反応は溶媒中で行うのが好ましく、溶媒としては塩
化メチレン、1,2−ジクロロエタンなどのハロゲン系
溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメト
キシエタン、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ベンゼ
ン、トルエン、クロロベンゼンなどの芳香族系溶媒、ヘ
キサン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒、
ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド(DMSO)、アセトニトリ
ルなどの極性非プロトン性溶媒、メタノール、エタノー
ル、プロパノール、イソプロパノールなどのアルコール
系溶媒、アセトン、水などが挙げられる。これらは単独
もしくは混合溶媒として使用される。反応温度は−70
℃から100℃、好ましくは0℃から60℃(もしくは
溶媒の沸点)の範囲で選ばれる。反応時間は主に反応温
度、使用される原料化合物、試剤、溶媒等により左右さ
れるが、通常1時間から2日間である。
【0021】また、本発明化合物(1)は、以下に記載
する方法によって製造することができる。 〔スキームB〕
【化28】
【化29】 (式中、R1 、R2 、R2'およびR3 は前述と同意義を
示す。Xは脱離基である。)
【0022】(B−1工程)文献記載の方法(例えば、
P.Boullanger等,Can. J. Chem.,65, 1343 (1987))によ
り、グルコサミンから誘導できる化合物(8)を、必要
に応じて、A−3工程と同様の方法で、塩基の存在下、
アシル化剤と反応させることにより、化合物(9)を製
造することができる。ただし、R2 が水素原子でない場
合には、化合物(8)と化合物(9)は全く等価であ
り、本工程は何ら行う必要がない。 (B−2工程)上記の方法により得られた化合物(9)
は、既知の方法により1−OH体、あいは対応する糖ハ
ライド体(10)に導くことができる。ハライドのハロ
ゲン原としては、塩素、臭素、ヨウ素などが挙げられ
る。これらの1−O−アシル化糖、ハライド体もしくは
1−OH体は、さらに既知の方法により、アルキルチオ
基、フェニルチオ基、ピリジルチオ基、フェニルスルフ
ィニル基、フェニルセレニル基、イミデート基、ジアル
キルホスホリル基、あるいはジフェニルホスホリル基な
ど種々の脱離基Xを有する化合物(10)へと変換する
こともできる(例えば、第4版実験化学講座、26巻、有
機合成VII 、267 〜354 頁、日本化学会編 (1992)を参
照のこと)。ただし、R2 が水素原子でない場合には、
化合物(8)、化合物(9)、及び化合物(10)は全
く等価であり、本工程は何ら行う必要がない。
【0023】(B−3工程)上記の方法により得られた
化合物(10)を、A−5工程と同様の方法で、2トリ
(C1 −C4 アルキル/フェニル)シリルエタノ−ルと
反応させることにより、化合物(11)を製造すること
ができる。 (B−4工程)上記の方法により得られた化合物(1
1)を、必要に応じて、A−6工程と同様の方法で、加
水分解することにより、本発明化合物(1)を製造する
ことができる。ただし、R2 が水素原子でない場合に
は、化合物(11)と化合物(1)は全く等価であり、
本工程は何ら行う必要がない。なお、上記いずれの反応
においても、反応の目的生成物は、反応終了後、常法に
従って、反応混合物から採取される。例えば、反応の目
的生成物が水溶性を有さない場合には、反応混合物に水
と混和しない有機溶媒を加え、水洗後、溶媒を留去する
ことによって、目的生成物を得ることができる。一方、
反応の目的生成物が脂溶性を有さない場合には、反応混
合物中の溶媒を必要に応じ留去して水に置換し、水と混
和しない有機溶媒にて洗浄後、水を留去することによっ
て、目的生成物を得ることができる。得られた目的物
は、必要に応じ、常法、例えば、再結晶、再沈澱あるい
はクロマトグラフィー等によって、更に精製することも
できる。
【0024】
〔実施例1〕
2−(トリメチルシリル)エチル 2−N−アリルオキ
シカルボニル−2−アミノ−2−デオキシ−3,4,6
−トリ−O−アセチル−β−D−グルコピラノシド
)の合成 2−N−アリルオキシカルボニル−2−アミノ−2−デ
オキシ−1,3,4,6−テトラ−O−アセチル−β−
D−グルコピラノース()(172.56g ,0.40mmol) を
塩化メチレン (1035ml) に溶解し、−15℃に冷却後、
この溶液に25%臭化水素−酢酸溶液 (388.4g, 1.20m
mol)を1時間かけて滴下した。−15℃にて2時間攪拌
し、(2−N−アリルオキシカルボニル−2−アミノ−
2−デオキシ−3,4,6−トリ−O−アセチル−α−
D−グルコピラノシル)ブロマイド()の生成確認
後、反応溶液を水、5%重曹水、水の順で洗浄し、有機
層をモレキュラーシーブス4Aにて乾燥し、濾過し、化
合物の塩化メチレン溶液を得た。このようにして得た
化合物の塩化メチレン溶液を−5℃で2−(トリメチ
ルシリル)エタノール(94.6g, 0.80mmol)、炭酸銀
(I) (331g,1.2mmol)およびモレキュラーシーブス4
A(429g)の塩化メチレン(1035ml) 混合液中に90分
かけて滴下後、1時間攪拌した。反応終了確認後、反応
液を濾過し、濾液を5%重曹水、水の順で洗浄し、有機
層を濃縮した。得られた残渣をトルエンに溶解し、ヘキ
サン中に滴下し、析出した結晶を濾ろ取することにより
目的化合物(153.0g 、収率78%)を白色結晶として得
た。1 H-NMR (270MHz, CDCl3 ) 5.90-5.75 (1H, m) 、5.27-5.08 (4H, m) 、4.96 (1H,
t, J=9.57Hz)、4.65-4.45 (2H, broad m) 、4.47 (1H,
d, J=4.28Hz, H-1) 、4.20 (1H, dd) 、4.04 (1H, dd)
、3.94-3.84 and 3.70-3.60 (2H, m, 0CH2 CH2SiMe3)
、3.63-3.45 (2H, m) 、1.99 (3H, s, Ac)、1.94 (3H,
s, Ac)、1.93 (3H, s, Ac)、0.94-0.80(2H, m, OCH 2CH
2 SiMe3 ) 、0.00 (9H, s, OCH2CH2SiMe3 )
【0025】〔実施例2〕 2−(トリメチルシリル)エチル 2−アミノ−2−デ
オキシ−3,4,6−トリ−O−アセチル−β−D−グ
ルコピラノシド()の合成 2−(トリメチルシリル)エチル 2−N−アリルオキ
シカルボニル−2−アミノ−2−デオキシ−3,4,6
−トリ−O−アセチル−β−D−グルコピラノシド
)(1.54g, 3.15mmol)をテトラヒドロフラン(30m
l) に溶解し、室温にて、テトラキス(トリフェニルフ
ォスフィン)パラジウム(154mg)、ポリメチルハイドロ
シロキサン(14.0μl)を加え攪拌した。1時間後、テト
ラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(1.67
g)、ポリメチルハイドロシロキサン(280μl)を追加し
攪拌した。さらに、15時間後、テトラキス(トリフェ
ニルフォスフィン)パラジウム(1.82g)を追加し3時間
攪拌した。反応終了確認後、反応液を塩化メチレンにて
希釈し水洗した。有機層を硫酸マグネシウムにて乾燥
後、濾過し、瀘液を濃縮し、目的化合物(理論量 1.2
8g)を含む残渣を得た。これは精製することなく次の反
応に用いた。1 H-NMR (270MHz, CDCl3 ) 5.26 (1H, t, J=9.57Hz)、 5.08 (1H, t, J=9.57Hz) 、
4.59 (1H, d, J=7.59Hz, H-1) 、4.32 (1H, dd, J=12.2
1Hz, J=4.95Hz, H-6) 、4.21-3.93 (3H, m) 、3.65-3.4
6 (2H, m, OCH2 CH2SiMe3 )、2.06 (s, 3H, Ac)、2.00
(s, 3H, Ac)、1.98 (s, 3H, Ac)、1.00-0.84 (2H, m,
OCH 2CH2 SiMe3 ) 、0.00 (9H, s, OCH2CH2SiMe3 )
【0026】〔実施例3−1〕 2−(トリメチルシリル)エチル 2−デオキシ−2−
ナフタミド−3,4,6−トリ−O−アセチル−β−D
−グルコピラノシド()の合成 〔実施例2〕で得られた2−(トリメチルシリル)エチ
ル 2−アミノ−2−デオキシ−3,4,6−トリ−O
−アセチル−β−D−グルコピラノシド()(理論量
1.28g)を含む残渣を塩化メチレン (30ml) に溶解し、
室温にて、炭酸水素ナトリウム(2.65g, 31.5mmol)、塩
化β−ナフトイル(3.00g, 15.7mmol)を加え、20時間
攪拌した。反応終了確認後、反応液を塩化メチレンにて
希釈し、水、食塩水の順で洗浄した。有機層を硫酸マグ
ネシウムにて乾燥後、濾過し、瀘液を濃縮した。残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィ−にて精製し目的化
合物(1.05g, 収率 化合物より2段階で60%)を
白色結晶として得た。1 H-NMR (270MHz, CDCl3 ) 8.24 (1H, s)、7.93-7.85 (3H, m) 、7.78-7.76 (1H,
m) 、7.60-7.51 (1H, m) 、6.30 (1H, d, J=8.91Hz, N-
H) 、 5.55-5.48 (1H, m)、5.21-5.14 (1H, m)、4.86
(1H, d, J=7.91Hz, H-1) 、4.32 (1H, dd, J=12.21Hz,
J=4.95Hz, H-6)、4.21-3.95 (3H, m, H-6 and OCH2 CH
2SiMe3) 、3.82-3.77 (1H, m, H-5)、3.6 4-3.54 (1H,
m, H-2) 、2.11 (s, 3H, Ac)、2.05 (s, 3H, Ac)、1.98
(s, 3H,Ac)、0.96-0.84 (2H, m, OCH 2CH2 SiMe3)、0.0
0 (s, OCH2CH2SiMe3 )
【0027】〔実施例3−2〕 (2−デオキシ−2−ナフタミド−3,4,6−トリ−
O−アセチル−D−グルコピラシル)クロライド(
の合成 2−(トリメチルシリル)エチル 2−デオキシ−2−
ナフタミド−3,4,6−トリ−O−アセチル−β−D
−グルコピラノシド()(100mg, 0.179mmol)をクロ
ロホルム(6.0ml)に溶解し、室温にてジクロロメチルメ
チルエ−テル(81μl, 0.896mmol) 、塩化亜鉛(6,0mg,
44 μmol)を加え、2時間攪拌した。反応終了確認後、
反応液を濃縮し、目的化合物(理論量 85.4mg )を含
む残渣を得た。これは精製することなく次の反応に用い
た。
【0028】〔実施例3−3〕 ドデシル 2−デオキシ−2−ナフタミド−3,4,6
−トリ−O−アセチル−β−D−グルコピラノシド
)の合成 〔実施例3−2〕で得られた(2−デオキシ−2−ナフ
タミド−3,4,6−トリ−O−アセチル−D−グルコ
ピラノシル)クロライド()(理論量 85.4m)を含む
残渣を塩化メチレン(2.5ml)に溶解し、モレキュラ−シ
−ブス4A(175mg)、トリフルオロメタンスルホン酸す
ず(II) (112mg, 0.27mmol)を加えた。この混合液に室
温にて、1−ドデカノ−ル(67mg, 0.36mmol) とテトラ
メチルウレア(33μl, 0.27mmol )とを含む塩化メチレ
ン(1.0ml )溶液を滴下した。8時間後及び32時間後
に、前述と同量のトリフルオロメタンスルホン酸すず
(II)、1−ドデカノ−ル、テトラメチルウレアを追加
し50時間攪拌した。反応終了確認後、反応系をセライ
ト濾過し、瀘液を濃縮した。得られた残渣をプレパラテ
ィブシリカゲルクロマトグラフィ−にて精製し目的化合
(112.4mg, 収率化合物より2段階で47%)を薄
黄アモルファスとして得た。1 H-NMR (270MHz, CDCl3) 8.23 (1H, s)、7.90-7.83 (3H, m) 、7.79-7.75 (1H,
m) 、7.59-7.49 (1H, m) 、6.40 (1H, d, J=8.58Hz, N-
H) 、 5.52 (1H, dd, J=10.56Hz, J=9.57Hz) 、5.18 (1
H, t, J=9.57Hz)、4.83 (1H, d, J=8.25Hz, H-1) 、4.3
2 (1H, dd, J=12.21Hz, J=4.62Hz, H-6) 、4.21-3.86
(3H, m) 、3.82-3.76 (1H, m, H-5)、3.53-3.45 (1H,
m, H-2)、2.11 (3H, s, Ac)、2.05 (3H, s, Ac)、1.98
(3H, s, Ac)、1.56-1.48 (2H, m, OCH 2CH2 (CH2)9 Me )
、1.28-1.05 (18H, m, OCH2CH 2(CH2)9 Me ) 、0.87 (3
H, t, J=7.26Hz, OCH2CH2(CH2) 9M e )
【0029】〔実施例3−4〕 ドデシル 2−デオキシ−2−ナフタミド−β−D−グ
ルコピラノシド()の合成 ドデシル 2−デオキシ−2−ナフタミド−3,4,6
−トリ−O−アセチル−β−D−グルコピラノシド
)(16mg, 0.025mmol)をメタノ−ル(0.50ml)に溶解
し、室温にて、28%ナトリウムメトキシド溶液(メタノ
−ル溶液 5.0 μl )を加え、18時間攪拌した。反応
終了確認後、反応液を酸性イオン交換樹脂(DOWEX 50W-
X8) にて中和し、濾過し、瀘液を濃縮した。残渣をポリ
アクリルアミドゲルを用いたカラムクロマトグラフィ−
にて精製し、凍結乾燥を行い、目的化合物(11.5mg,
収率90%)を白色粉末として得た。1 H-NMR (270MHz, CD3 OD ) 8.32 (1H, s)、7.87-7.79 (4H, m) 、7.51-7.42 (2H,
m) 、4.51 (1H, d, J=8.25Hz, H-1) 、3.87-3.80 (3H,
m) 、 3.66-3.57 (2H, m)、3.43-3.26 (3H, m)、1.44-
1.33 (2H, m, OCH 2CH2 (CH2)9M e ) 、1.18-0.90 (18H,
m, OCH2CH 2( CH 2 ) 9 M e ) 、0.78 (3H, t, J=7.26H
z, OCH2CH2(CH2) 9M e )
【0030】〔実施例4〕 2−(トリメチルシリル)エチル 2−N−アリルオキ
シカルボニル−2−アミノ−2−デオキシ−β−D−グ
ルコピラノシド()の合成 2−(トリメチルシリル)エチル 2−N−アリルオキ
シカルボニル−2−アミノ−2−デオキシ−3,4,6
−トリ−O−アセチル−β−D−グルコピラノシド
)(49.0g ,0.10mmol) をメタノール(150ml)に溶
解し、室温にて28%ナトリウムメトキシド溶液(メタ
ノール溶液, 6.0g,0.02mmol) を加え1時間攪拌した。
反応終了確認後、反応液を濃縮した。残渣を塩化メチレ
ンに溶解し、水洗後、ヘプタンを用いて晶析を行い、結
晶を濾取することにより目的化合物(28.6g,収率79
%)を白色固体として得た。1 H-NMR (270MHz, CDCl3 ) 5.96-5.83 (1H, m) 、5.75 (1H, d, J=8.25Hz, NH)、5.
30 (1H, dd) 、5.18 (1H, dd) 、5.05 (1H, s, OH)、4.
72 (1H, s, OH)、4.55 (1H, d, J=5.60Hz, H-1) 、4.48
(1H, d, J=8.25Hz)、4.03-3.88 and 3.75-3.65 (2H,
m, OCH2 CH2 SiMe3 ) 、3.85 (2H, s)、3.78-3.23 (5
H, m) 、2.41 (1H, s, OH)、0.99-0.85 (2H, m, OCH 2CH
2 SiMe3 ) 、0.00 (9H, s, OCH2CH2SiMe3 )
【0031】上記実施例における化合物()から
)の構造式を以下に示す。
【化30】
【化31】
【化32】

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式 【化1】 (式中、R1 は2−トリ(C1 −C4 アルキル/フェニ
    ル)シリルエチル基である。R2 は水素原子、C1 −C
    6 アルカノイル基またはアロイル基である。)で表され
    る化合物またはその塩。
  2. 【請求項2】 一般式 【化2】 (式中、R1 は2−トリ(C1 −C4 アルキル/フェニ
    ル)シリルエチル基である。R2 は水素原子、C1 −C
    6 アルカノイル基またはアロイル基である。)で表され
    る化合物またはその塩。
  3. 【請求項3】 請求項2記載の化合物のアミノ基を修飾
    して、一般式 【化3】 (式中、R1 は2−トリ(C1 −C4 アルキル/フェニ
    ル)シリルエチル基である。R2 は水素原子、C1 −C
    6 アルカノイル基またはアロイル基である。YはC
    (O)、SO2 、C(O)NH、C(O)OあるいはC
    (O)Sである。R3は置換もしくは無置換のアリ−ル
    基、アリールC1 −C6 アルキル基または置換もしくは
    無置換のC1 −C18アルキル基である。)で表される化
    合物となし、必要に応じてこれをO−アシル化反応に付
    し、一般式 【化4】 (式中、R1 、R3 、Yは前述したものと同意義を示
    す。R2'はC1 −C6 アルカノイル基またはアロイル基
    である。)で表される化合物となし、次いで、この化合
    物の還元末端の2−トリ(C1 −C4 アルキル/フェニ
    ル)シリルエチルオキシ基を脱離基に変換して、一般式 【化5】 (式中、R2'、R3 、Yは前述したものと同意義を示
    す。Xは脱離基である。)で表される化合物となし、次
    いで、これを一般式 R4 OH (式中、R4 は置換または無置換のC1 −C18アルキル
    基である。)で表される化合物とグリコシル化して、一
    般式 【化6】 (式中、R2'、R3 、Y、及びR4 は前述したものと同
    意義を示す。)で表される化合物となし、次いでこれを
    脱保護することを特徴とする、一般式 【化7】 (式中、R3 、Y、及びR4 は前述したものと同意義を
    示す。)で表される化合物の製造方法。
  4. 【請求項4】 一般式 【化8】 (式中、R2 は水素原子、C1 −C6 アルカノイル基ま
    たはアロイル基である。)で表される化合物のうち、水
    酸基を含む場合には水酸基を保護して、一般式 【化9】 (式中、R2'はC1 −C6 アルカノイル基またはアロイ
    ル基である。)で表される化合物となし、必要に応じて
    この化合物の還元末端を適宜脱離基に変換して、一般式 【化10】 (式中、R2'は前述したものと同意義を示す。Xは脱離
    基である。)で表される化合物となし、次いで、これを
    一般式 R1 OH (式中、R1 は2−トリ(C1 −C4 アルキル/フェニ
    ル)シリルエチル基である。)で表される化合物とグリ
    コシル化して、一般式 【化11】 (式中、R1 、R2'は前述したものと同意義を示す。)
    で表される化合物となし、次いでこれを必要に応じて脱
    保護することを特徴とする、請求項1記載の化合物の製
    造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002194075A (ja) * 2000-12-25 2002-07-10 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリアルキレンオキサイド系重合体の製造方法
JP2005536493A (ja) * 2002-07-08 2005-12-02 コリクサ コーポレーション 免疫エフェクターのアミノアルキルグルコサミニドホスフェートおよびジサッカライドの製造方法、ならびにその中間体

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