JPH08234226A - 液晶基板製造用画像処理装置 - Google Patents

液晶基板製造用画像処理装置

Info

Publication number
JPH08234226A
JPH08234226A JP7040657A JP4065795A JPH08234226A JP H08234226 A JPH08234226 A JP H08234226A JP 7040657 A JP7040657 A JP 7040657A JP 4065795 A JP4065795 A JP 4065795A JP H08234226 A JPH08234226 A JP H08234226A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
image information
crystal substrate
electrode
image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7040657A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Sakata
滋 坂田
Yoshio Yuyama
吉雄 湯山
Shunichi Ueda
俊一 上田
Shinji Mukai
真治 向井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP7040657A priority Critical patent/JPH08234226A/ja
Publication of JPH08234226A publication Critical patent/JPH08234226A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 外乱等に対する影響を受けにくく、高速に精
度良くセルマークや、セル及びTAB−ICの電極を検
出する。 【構成】 ガラス基板表面を撮像する撮像手段(16)
と、ガラス基板表面の画像情報を2値化画像情報に変換
する変換手段、各2値化画像情報に対してラベル付けを
行なうラベル付け手段、各2値化画像情報の外接長方形
を演算する演算手段、各外接長方形と、位置決め用マー
クの外接長方形とからラベルを選択するラベル選択手
段、選択されたラベルの外接長方形の重心座標を算出す
る重心座標算出手段、外接長方形の重心座標近傍の所定
範囲内の面積と、選択されたラベルの面積との比率を示
す第1の比率と、外接長方形の所定範囲内の面積と、位
置決め用マークとの比率を示す第2の比率とから位置決
め用マークの位置を決定する決定手段と(17)を具備
した液晶基板製造用画像処理装置である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶基板表面に設けら
れたセルマーク等を自動的に検出する液晶基板製造用画
像処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図20は、液晶基板(セル)に、TAB
−ICを圧着したときの構成を示す図である。セル1表
面の周囲に設けられたセルマーク2を基準に、異方性導
電膜及びTAB−IC(Tape Automated Bonding - Inet
egrated circuit)3を圧着する液晶基板製造用OLB
(Outer Lead Bonder)装置においては、CCDカメラに
よって取り込んだセルの画像データを、画面全体の画像
データを使用して処理を行なうのではなく、所定のスキ
ャンラインを設定し、そのスキャンラインの濃淡データ
からセルの電極及びセルマーク2を検出していた。
【0003】そして、最初に設定されたスキャンライン
において、セルの電極及びセルマーク2を検出すること
ができない場合には、スキャンラインを移動することに
より、再度、セルの電極及びセルマーク2の検出を試み
ていた。
【0004】一方、画面全体の画像データを使用してセ
ル1表面に設けられたセルマーク2を検出する液晶基板
製造用画像処理装置も使用されている。以下、このセル
マーク2の検出方法について具体的に説明する。
【0005】まず、図20に示すように、セル1表面の
端に設けられた位置決め用マークセル2を、セルの上部
または下部に設けられたCCDカメラで撮像し、このC
CDカメラで撮像されたセルの画像情報を画像処理装置
に出力する。
【0006】画像処理装置に出力されたセルの画像情報
は、画像処理装置内のフレームメモリに格納される。こ
のフレームメモリに格納されたセルの画像情報は、予め
定められたしきい値により2値化された2値化画像情報
に変換される。
【0007】次に、この2値化された画像情報は、ラベ
リング処理によってラベル付けされる。このラベル付け
された全ての各2値化画像情報は、外接長方形処理が行
なわれる。
【0008】そして、この外接長方形処理が行なわれ、
ラベル付けされた全ての各2値化画像情報の内、CCD
カメラのカメラ倍率から計算される理論値、図21に示
す予め定められたセルマークの外接長方形の垂直方向サ
イズA′及び水平方向サイズB′により定まる条件を満
たすラベルの2値化画像情報が選択される。
【0009】次に、この選択された外接長方形処理が行
なわれた2値化画像情報の重心座標を算出する。そし
て、選択されたラベルの2値化画像情報の重心座標と、
予め定められたセルマークの外接長方形の重心座標C′
とを比較してセルマーク2の特徴を有するラベルか否か
を判定することにより、セル1表面に設けられたセルマ
ーク2を識別している。
【0010】図23は、液晶基板製造用画像処理装置に
おける画像処理装置の制御ブロック図である。同図に示
すように、この画像処理装置201は、CCD用インタ
ーフェイス202と、MPU(主処理ユニット)203
と、DSP(デジタル信号処理ユニット)204と、入
出力インターフェイス205とで構成されている。
【0011】CCDカメラ206からの画像データA1
は、CCD用インターフェイス202を介して画像処理
装置201のMPU203及びDSP204に出力され
る。MPU203は、CCDカメラ206から出力され
る画像データを受信する場合には、CCD用インターフ
ェイス202に画像データ入力許可信号A2を出力す
る。
【0012】この入力許可信号A2に基づいて、CCD
カメラ206から出力される画像データは、CCD用イ
ンターフェイス202を介して、DSP204に取り込
まれる。
【0013】このDSP204に取り込まれた撮像デー
タは、DSP204によって2値化処理等の画像処理が
施される。そして、この画像処理が施された画像データ
A3は、MPU203からの出力指令A4によって、M
PU203に取り込まれる。
【0014】その後、この画像データA3は、液晶基板
製造装置を制御するコントローラ207へ入出力インタ
ーフェイス205を介して出力される。また、この場
合、入出力インターフェイス205は、MPU203に
よって制御される。なお、コントローラ207からの信
号A5の受信も入出力インターフェイス205を介して
行なわれる。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように、スキャンラインを設定して、セル及びTAB−
ICの電極、セルマークを検出する方法では、スキャン
ライン上に、ゴミ等が付着していたりすると、最初のス
キャンではセルマーク等を検出することができない。
【0016】また、1ラインのみのスキャンなので、そ
のスキャンライン上に、ごみが付着したり、ノイズ等が
発生すると、セルマーク2の検出精度に誤差を与える原
因となっていた。
【0017】さらに、実際に検出すべきセルの電極やセ
ルマークと近似したマークがセル表面にある場合、この
近似したマークを実際のセルマークと誤って認識してし
まうという問題もあった。
【0018】さらに、圧着後のセルとTAB−ICの電
極のずれを確認するためには、従来目視により確認して
いたため、セルマーク等を見落としてしまうという問題
があった。
【0019】さらに、セル1枚に対して、TAB−IC
の数は、数十個となるため、全てのTAB−ICの圧着
状態を確認するために、非常に時間がかかってしまうと
いう問題があった。
【0020】さらに、セルマークの認識処理において、
図22に示すような模擬マーク4がセル表面にある場合
には、外接長方形の垂直方向サイズC′、水平方向サイ
ズD′及び重心座標5が実際のセルマークと近似した結
果となるため、誤って模擬マークを実際のセルマークと
認識してしまうという問題があった。
【0021】従って、液晶基板製造用画像処理装置にお
いて、精度良くセル表面に設けられたセルマーク、セル
及びTAB−ICの電極を検出するには、ごみ、傷、ノ
イズ等による画像の乱れに対して、影響を出来る限り減
らすことが必要である。
【0022】本発明は、上記実情に鑑みてなされたもの
であり、ごみ、ノイズ等の外乱に対する影響を受けにく
く、高速に精度良くセル表面に設けられたセルマーク
や、セル及びTAB−ICの電極を検出することができ
る液晶基板製造用画像処理装置を提供することを目的と
する。また、本発明は、圧着不良のTAB−ICを自動
的に認識することのできる液晶基板製造用画像処理装置
を提供することを目的とする。
【0023】
【課題を解決するための手段】従って、まず、上記目的
を達成するために請求項1に係る発明は、周縁部に少な
くとも1つの電極を有し、且つ位置決め用マークが表面
に設けられた液晶基板の電極に、前記位置決め用マーク
を基に位置決めを行ない駆動用集積回路を連続的に接続
する液晶基板製造用画像処理装置において、前記液晶基
板表面を撮像する撮像手段と、前記撮像手段にて撮像さ
れた前記液晶基板表面の画像情報を予め定められたしき
い値により2値化画像情報に変換する2値化画像情報変
換手段と、前記2値化画像情報変換手段にて変換された
各2値化画像情報に対してラベル付けを行なうラベル付
け手段と、前記ラベル付け手段にてラベル付けされた各
2値化画像情報の外接長方形を演算する外接長方形演算
手段と、前記外接長方形演算手段にて演算された各外接
長方形と、予め定められた前記位置決め用マークの外接
長方形とから所定の条件を満たす2値化画像情報のラベ
ルを選択する2値化画像情報ラベル選択手段と、前記2
値化画像情報ラベル選択手段により選択されたラベルに
対応する2値化画像情報の外接長方形の重心座標を算出
する重心座標算出手段と、前記重心座標算出手段により
算出された2値化画像情報ラベルの外接長方形の重心座
標近傍の所定範囲内の面積と、前記所定範囲内における
選択されたラベルに対応する2値化画像情報の面積との
比率を示す第1の比率と、予め定められた前記位置決め
用マークの外接長方形の重心座標を中心とした所定範囲
内の面積と、前記所定範囲内における前記位置決め用マ
ークとの比率を示す第2の比率とから前記位置決め用マ
ークの位置を決定する位置決め用マーク位置決定手段と
を具備した液晶基板製造用画像処理装置である。
【0024】また、請求項2に係る発明は、請求項1記
載の液晶基板製造用画像処理装置において、前回位置決
め用マーク位置検出時に前記重心座標算出手段にて算出
された重心座標を記憶する重心座標記憶手段とを備え、
前記位置決め用マーク位置決定手段における第1の比率
は、前記重心座標記憶手段にて記憶された重心座標を中
心とした所定範囲内の面積と、前記所定範囲内における
選択されたラベルに対応する2値化画像情報の面積との
比率である液晶基板製造用画像処理装置である。
【0025】さらに、請求項3に係る発明は、周縁部に
少なくとも1つの電極を有し、且つ位置決め用マークが
表面に設けられた液晶基板の電極に、前記位置決め用マ
ークを基に位置決めを行ない駆動用集積回路を連続的に
接続する液晶基板製造用画像処理装置において、前記液
晶基板表面を撮像する撮像手段と、前記撮像手段にて撮
像された前記液晶基板表面の画像情報を圧縮する画像情
報圧縮手段と、前記画像情報圧縮手段にて圧縮された圧
縮画像情報を予め定められたしきい値により2値化圧縮
画像情報に変換する2値化圧縮画像情報変換手段と、前
記2値化圧縮画像情報変換手段にて変換された各2値化
圧縮画像情報に対してラベル付けを行なうラベル付け手
段と、前記ラベル付け手段にてラベル付けされた各2値
化圧縮画像情報の外接長方形を演算する外接長方形演算
手段と、前記外接長方形演算手段にて演算された各外接
長方形と、予め定められた前記位置決め用マークの外接
長方形とから所定の条件を満たす2値化圧縮画像情報の
ラベルを選択する2値化圧縮画像情報ラベル選択手段
と、前記2値化圧縮画像情報ラベル選択手段により選択
されたラベルに対応する2値化圧縮画像情報の外接長方
形の重心座標を算出する重心座標算出手段と、前記2値
化圧縮画像情報を2値化画像情報に復元する画像情報復
元手段と、前記画像情報復元手段にて復元された2値化
画像情報であって、且つ前記重心座標算出手段により算
出された2値化圧縮画像情報ラベルの外接長方形の重心
座標近傍の所定範囲内の面積と、前記所定範囲内におけ
る選択されたラベルに対応する2値化画像情報の面積と
の比率を示す第1の比率と、予め定められた前記位置決
め用マークの外接長方形の重心座標を中心とした所定範
囲内の面積と、前記所定範囲内における前記位置決め用
マークとの比率を示す第2の比率とから前記位置決め用
マークの位置を決定する位置決め用マーク位置決定手段
とを具備した液晶基板製造用画像処理装置である。
【0026】さらに、請求項4に係る発明は、請求項3
記載の液晶基板製造用画像処理装置において、前回位置
決め用マーク位置検出時に前記重心座標算出手段にて算
出された重心座標を記憶する重心座標記憶手段とを備
え、前記位置決め用マーク位置決定手段における第1の
比率は、前記重心座標記憶手段にて記憶された重心座標
を中心とした所定範囲内の面積と、前記所定範囲内にお
ける選択されたラベルに対応する2値化圧縮画像情報の
面積との比率であることを特徴とする液晶基板製造用画
像処理装置である。
【0027】さらに、請求項5に係る発明は、液晶基板
の濃淡画像情報及び駆動用集積回路の濃淡画像情報から
各画像情報を2値化するための各2値化レベルを算出
し、この各2値化レベルに基づいて濃淡画像情報を2値
化し、この2値化された画像情報に基づいて液晶基板の
電極と駆動用集積回路の電極との位置ずれを検出する液
晶基板製造用画像処理装置において、前記液晶基板表面
を撮像する第1の撮像手段と、前記駆動用集積回路を撮
像する第2の撮像手段と、前記第1の撮像手段により撮
像された前記液晶基板表面の画像情報の内、前記液晶基
板に設けられた電極が存在する領域の画像情報から前記
液晶基板に設けられた電極を判別するための第1の2値
化レベルを決定する第1の2値化レベル決定手段と、前
記第2の撮像手段により撮像された前記駆動用集積回路
の画像情報の内、前記駆動用集積回路の電極が存在する
領域の画像情報から前記駆動用集積回路の電極を判別す
るための第2の2値化レベルを決定する第2の2値化レ
ベル決定手段とを具備した液晶基板製造用画像処理装置
である。
【0028】さらに、請求項6に係る発明は、請求項5
記載の液晶基板製造用画像処理装置において、前記液晶
基板の電極が存在すると想定される前記液晶基板の電極
位置における2値化された画像情報の第1の所定範囲内
に存在する前記液晶基板の電極の内、前記液晶基板の最
外周側に存在する電極と前記第1の所定範囲の最外周間
との距離を算出する第1の最外周側電極距離算出手段
と、前記第1の所定範囲内に存在する前記液晶基板の電
極相互の間隔を算出する第1の電極間隔算出手段と、前
記第1の最外周側電極距離算出手段により算出された距
離と、前記第1の電極間隔算出手段により算出された前
記液晶基板の電極間隔とに基づいて前記液晶基板の最外
周側に存在する前記液晶基板の電極を検出する第1の最
外周側電極検出手段とを付加した液晶基板製造用画像処
理装置である。
【0029】さらに、請求項7に係る発明は、請求項5
記載の液晶基板製造用画像処理装置において、前記駆動
用集積回路の電極が存在すると想定される前記駆動用集
積回路の電極位置における2値化された画像情報の第2
の所定範囲内に存在する前記駆動用集積回路の電極の
内、前記液晶基板の最外周側に存在する電極と前記第2
の所定範囲の最外周側間との距離を算出する第2の最外
周側電極距離算出手段と、前記第2の所定範囲内に存在
する前記駆動用集積回路の電極相互の間隔を算出する第
2の電極間隔算出手段と、前記第2の最外周側電極距離
算出手段により算出された距離と、前記第2の電極間隔
算出手段により算出された前記駆動用集積回路の電極間
隔とに基づいて前記液晶基板の最外周側に存在する前記
駆動用集積回路の電極を検出する第2の最外周側電極検
出手段とを付加した液晶基板製造用画像処理装置であ
る。
【0030】さらに、請求項8に係る発明は、請求項5
記載の液晶基板製造用画像処理装置において、前記駆動
用集積回路の電極位置と前記液晶基板の電極位置との相
互関係が予め定められた許容範囲以内にあるか否かを判
定する相互位置判定手段とを付加した液晶基板製造用画
像処理装置である。
【0031】さらに、請求項9に係る発明は、液晶基板
表面に設けられた位置決め用マークの画像情報から前記
位置決め用マークの重心座標を算出し、この算出された
重心座標に基づいて前記位置決め用マークの位置を認識
する液晶基板製造用画像処理装置において、前記液晶基
板表面を撮像する撮像手段と、前記撮像手段にて撮像さ
れた前記液晶用基板の画像を表示する画像表示手段と、
前記画像表示手段に前記重心座標位置を決定するための
カーソルを表示するカーソル表示手段と、前記カーソル
表示手段にて表示されたカーソルの位置を移動させるカ
ーソル移動手段と、前記カーソル移動手段にて移動させ
られたカーソルの位置を決定するカーソル位置決定手段
と、前記カーソル位置決定手段により決定された前記カ
ーソルの位置を前記位置決め用マークの重心座標とする
重心座標決定手段とを具備した液晶基板製造用画像処理
装置である。
【0032】さらに、請求項10に係る発明は、周縁部
に少なくとも1つの電極を有し、且つ位置決め用マーク
が表面に設けられた液晶基板の電極に、前記位置決め用
マークを基に位置決めを行ない駆動用集積回路を連続的
に接続する液晶基板製造用画像処理装置において、前記
駆動用集積回路を前記液晶基板の電極が圧着部を撮像す
る撮像手段と、前記撮像手段により撮像された前記圧着
部の画像情報のヒストグラムデータから前記液晶基板の
電極及び前記駆動用集積回路の電極相互間の間隔を算出
する電極間隔算出手段と、前記電極間隔算出手段により
算出された電極間隔に基づいて、前記液晶基板と前記駆
動用集積回路の圧着ずれを検出する圧着ずれ検出手段
と、を具備した液晶基板製造用画像処理装置である。
【0033】さらに、請求項11に係る発明は、周縁部
に少なくとも1つの電極を有し、且つ位置決め用マーク
が表面に設けられた液晶基板の電極に、前記位置決め用
マークを基に位置決めを行ない駆動用集積回路を連続的
に接続する液晶基板製造用画像処理装置において、前記
駆動用集積回路を前記液晶基板の電極が圧着部のリード
部分を撮像する撮像手段と、前記撮像手段により撮像さ
れた前記圧着部のリード部分の画像情報から前記液晶基
板の電極側のリード位置と前記駆動用集積回路側の電極
の位置を検出する位置検出手段と、前記位置検出手段で
検出された前記液晶基板の電極側のリード位置と前記駆
動用集積回路側の電極の位置との相互関係に基づいて、
前記液晶基板と前記駆動用集積回路の圧着ずれを検出す
る圧着ずれ検出手段と、を具備した液晶基板製造用画像
処理装置である。
【0034】
【作用】請求項1に係る発明によれば、位置決め用マー
ク位置決定手段にて、重心座標算出手段により算出され
た2値化画像情報ラベルの外接長方形の重心座標近傍の
所定範囲内の面積と、所定範囲内における選択されたラ
ベルに対応する2値化画像情報の面積との比率を示す第
1の比率と、予め定められた位置決め用マークの外接長
方形の重心座標を中心とした所定範囲内の面積と、所定
範囲内における位置決め用マークとの比率を示す第2の
比率とから位置決め用マークの位置を決定するので、正
確に位置決め用マークの位置の認識を行なうことができ
る。
【0035】請求項2に係る発明によれば、請求項1記
載の液晶基板製造用画像処理装置において、位置決め用
マーク位置決定手段における第1の比率を、前回位置決
め用マーク位置検出時に重心座標算出手段にて算出され
た重心座標を中心とした所定範囲内の面積と、所定範囲
内における選択されたラベルに対応する2値化画像情報
の面積との比率にすることにより、前記所定範囲内から
位置決め用マークを検出することができ、その結果、請
求項1の発明の効果に加えて、位置決め用マークの検出
処理速度の向上を図ることができる。
【0036】請求項3に係る発明によれば、位置決め用
マーク位置決定手段にて、画像情報復元手段にて復元さ
れた2値化画像情報であって、且つ重心座標算出手段に
より算出された2値化圧縮画像情報ラベルの外接長方形
の重心座標近傍の所定範囲内の面積と、所定範囲内にお
ける選択されたラベルに対応する2値化画像情報の面積
との比率を示す第1の比率と、予め定められた位置決め
用マークの外接長方形の重心座標を中心とした所定範囲
内の面積と、所定範囲内における位置決め用マークとの
比率を示す第2の比率とから位置決め用マークの位置を
決定するので、正確に位置決め用マーク位置の認識を行
なうことができる。
【0037】請求項4に係る発明によれば、請求項3記
載の液晶基板製造用画像処理装置において、位置決め用
マーク位置決定手段における第1の比率を、前回位置決
め用マーク位置検出時に重心座標算出手段にて算出され
た重心座標を中心とした所定範囲内の面積と、所定範囲
内における選択されたラベルに対応する2値化画像情報
の面積との比率にすることにより、前記所定範囲内から
位置決め用マークを検出することができ、その結果、請
求項3の発明の効果に加えて、位置決め用マークの検出
処理速度の向上を図ることができる。
【0038】請求項5に係る発明によれば、第1の2値
化レベル決定手段にて、第1の撮像手段により撮像され
た液晶基板表面の画像情報の内、液晶基板に設けられた
電極が存在する領域の画像情報から液晶基板に設けられ
た電極を判別するための第1の2値化レベルを決定し、
また、第2の2値化レベル決定手段にて、第2の撮像手
段により撮像された駆動用集積回路の画像情報の内、駆
動用集積回路の電極が存在する領域の画像情報から駆動
用集積回路の電極を判別するための第2の2値化レベル
を決定し、必ず電極が存在する部分の画像領域の画像デ
ータから2値化レベルを決定するため、安定した2値化
レベルを得ることができる。
【0039】請求項6に係る発明によれば、請求項5記
載の液晶基板製造用画像処理装置において、第1の最外
周側電極検出手段にて、第1の最外周側電極距離算出手
段により算出された距離と、第1の電極間隔算出手段に
より算出された液晶基板の電極間隔とに基づいて最外周
側に存在する液晶基板の電極を検出するので、液晶基板
又は駆動用集積回路の停止精度に依らず最外端の電極を
検出することができる。
【0040】請求項7に係る発明によれば、請求項5記
載の液晶基板製造用画像処理装置において、第2の最外
周側電極検出手段にて、第2の最外周側電極距離算出手
段により算出された距離と、第2の電極間隔算出手段に
より算出された駆動用集積回路の電極間隔とに基づいて
最外端側に存在する駆動用集積回路の電極を検出するの
で、液晶基板又は駆動用集積回路の停止精度に依らず最
外端の電極を検出することができる。
【0041】請求項8に係る発明によれば、相互位置判
定手段により、2値化された駆動用集積回路の画像情報
から駆動用集積回路の電極、2値化された液晶基板の画
像情報から液晶基板の電極を検出する際に、検出された
駆動用集積回路の電極位置と液晶基板の電極位置との相
互関係が予め定められた許容範囲以内にあるか否かを判
定することができるので、駆動用集積回路と液晶基板が
ずれた位置に圧着されるのを未然に防止することができ
る。
【0042】請求項9に係る発明によれば、重心座標決
定手段により、カーソル位置決定手段により決定された
カーソルの位置を位置決め用マークの重心座標とするこ
とができるので、汚れや傷等が原因で認識エラーが発生
した場合にも認識処理を継続して行なうことができる。
【0043】請求項10に係る発明によれば、電極間隔
算出手段にて、撮像手段により撮像された圧着部の画像
情報のヒストグラムデータから液晶基板の電極及び駆動
用集積回路の電極相互間の間隔を算出し、圧着ずれ検出
手段により、電極間隔算出手段により算出された電極間
隔に基づいて、液晶基板と駆動用集積回路の圧着ずれを
検出するので、不良品の判定を確実に行なうことができ
る。
【0044】請求項11に係る発明によれば、圧着ずれ
検出手段により、位置検出手段で検出された液晶基板の
電極側のリード位置と駆動用集積回路側の電極の位置と
の相互関係に基づいて、液晶基板と駆動用集積回路の圧
着ずれを検出するので、不良品の判定を確実に行なうこ
とができる。
【0045】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。 <第1の実施例>図1は、本発明の第1の実施例に係る
液晶基板製造用画像処理装置の概略構成を示す図であ
る。
【0046】同図に示すように、この液晶基板製造用画
像処理装置は、光源11、光源12、斜光照明器13、
同軸照明器14、同軸照明式鏡筒15、CCDカメラ1
6、画像処理装置17とで構成されている。
【0047】光源11に接続された斜光照明器13は、
TAB−IC21を照射するものであり、光源12に接
続された同軸照明器14は、液晶用ガラス基板(セル)
22を照射するものである。
【0048】同軸照明式鏡筒15に接続されているCC
Dカメラ16は、斜光照明器13にて照射されているT
AB−IC21及び同軸照明器14にて照射されている
液晶用ガラス基板(セル)22を撮像し、この撮像され
た画像の画像情報を画像処理装置17に出力するもので
ある。
【0049】画像処理装置17は、CCDカメラ16か
ら出力される画像情報を画像メモリに格納して、セルマ
ークや、セル及びTAB−ICの電極の検出、圧着不良
のTAB−ICを認識する等の画像処理を行なうもので
ある。
【0050】この画像処理装置17の構成は、図23に
示した液晶基板製造用画像処理装置の制御ブロック図と
ほぼ同様の構成であるが、本実施例の液晶基板製造用画
像処理装置における画像処理装置は、MPU、或いはD
SPにより行なわれる画像データの処理手段が異なる。
【0051】すなわち、本実施例の画像処理装置17
は、2値化画像情報変換手段と、ラベル付け手段と、外
接長方形演算手段と、2値化画像情報ラベル選択手段
と、重心座標算出手段と、位置決め用マーク位置決定手
段とを備えたものである。
【0052】2値化画像情報変換手段は、CCDカメラ
16にてにて撮像された液晶用ガラス基板表面の画像情
報を予め定められたしきい値により2値化画像情報に変
換するものである。
【0053】ラベル付け手段は、2値化画像情報変換手
段にて変換された各2値化画像情報に対してラベル付け
を行なうものである。外接長方形演算手段は、ラベル付
け手段にてラベル付けされた各2値化画像情報の外接長
方形を演算するものである。
【0054】2値化画像情報ラベル選択手段は、外接長
方形演算手段にて演算された各外接長方形と、予め定め
られた位置決め用マークの外接長方形とから所定の条件
を満たす2値化画像情報のラベルを選択するものであ
る。
【0055】重心座標算出手段は、2値化画像情報ラベ
ル選択手段により選択されたラベルに対応する2値化画
像情報の外接長方形の重心座標を算出するものである。
位置決め用マーク位置決定手段は、重心座標算出手段に
より算出された2値化画像情報ラベルの外接長方形の重
心座標近傍の所定範囲内の面積と、所定範囲内における
選択されたラベルに対応する2値化画像情報の面積との
比率を示す第1の比率と、予め定められた位置決め用マ
ークの外接長方形の重心座標を中心とした所定範囲内の
面積と、所定範囲内における位置決め用マークとの比率
を示す第2の比率とから位置決め用マークの位置を決定
するものである。
【0056】次に、上述の如く構成した液晶基板製造用
画像処理装置を用いてセル表面に設けられた位置決め用
セルマークを検出する動作について説明する。まず、図
2に示すように、セル22に設けられた位置決め用マー
クセル23を、セルの上部または下部に設けられたCC
Dカメラ16で撮像し、このCCDカメラ16で撮像し
た画像情報を画像処理装置17に出力する。
【0057】画像処理装置17に出力された画像情報
は、画像処理装置17内のフレームメモリに格納され
る。このフレームメモリに格納された画像情報は、2値
化画像情報変換手段によって、予め定められたしきい値
に基づいて2値化された2値化画像情報に変換される。
【0058】この2値化された各画像情報は、ラベル付
け手段によってラベル付けされる。このラベル付けされ
た全ての各2値化画像情報は、外接長方形演算手段によ
り外接長方形処理が演算される。
【0059】そして、この外接長方形処理が行なわれ、
ラベル付けされた全ての各2値化画像情報の内、CCD
カメラ16のカメラ倍率から計算される理論値、図3に
示す予め定められたセルマークの外接長方形の垂直方向
サイズA及び水平方向サイズBにより定まる条件を満た
すラベルの2値化画像情報が2値化画像情報ラベル選択
手段により選択される。
【0060】次に、この選択された外接長方形処理が行
なわれた2値化画像情報の重心座標を重心座標算出手段
により算出し、選択された2値化画像情報ラベル31の
外接長方形の重心座標近傍に、図4に示すように、ウイ
ンドウ32を設定し、ウインドウ32の全体の面積と、
ウインドウ32内の選択されたラベルに対応する2値化
画像情報の面積との比率を示す第1の比率を算出する。
【0061】そして、この算出された第1の比率と、予
め定められた前記位置決め用マークの外接長方形の重心
座標を中心としたウインドウ32の面積と、ウインドウ
32内における位置決め用マークとの比率を示す第2の
比率とを比較して、第1の比率と第2の比率との差が誤
差範囲内であるか否かを基に、選択されたラベルがセル
マーク22であるか否かを位置決め用マーク位置決定手
段により判断する。
【0062】従って、本実施例の液晶基板製造用画像処
理装置によれば、ウインドウ32を設定し、このウイン
ドウ32の全体の面積と、ウインドウ32内における位
置決め用マークとの比率を基に、真のセルマークである
か否かを判定するので、図4に示すような模擬マークが
セルに存在していた場合にも、この模擬マークを真のセ
ルマークと誤認識することなく、正確にセルマークの認
識を行なうことができる。
【0063】また、画像情報を圧縮して処理することに
より、セルマークの検出処理速度を高速化することがで
きる。 <第2の実施例>次に、本発明の第2の実施例に係る液
晶基板製造用画像処理装置について説明する。
【0064】すなわち、本実施例の液晶基板製造用画像
処理装置と、上述の第1の実施例における液晶基板製造
用画像処理装置と異なる点は、CCDカメラより出力さ
れる画像情報を圧縮して処理する点において異なる。
【0065】具体的には、本実施例の画像処理装置は、
画像情報圧縮手段と、2値化圧縮画像情報変換手段と、
ラベル付け手段と、外接長方形演算手段と、2値化圧縮
画像情報ラベル選択手段と、重心座標算出手段と、画像
情報復元手段と、位置決め用マーク位置決定手段とを具
備している。
【0066】画像情報圧縮手段は、CCDカメラにて撮
像された液晶用ガラス基板表面の画像情報を水平方向及
び垂直方向に圧縮するものである。この画像情報の圧縮
は、検出された液晶用ガラス基板表面の画像情報を水平
及び垂直方向に1画素おきに抽出し、この抽出した画像
を再構成することにより行なわれる。このような画像情
報の圧縮手法を採用した場合、圧縮画像全体としては、
元の画像に対して1/4程度圧縮される。
【0067】2値化圧縮画像情報変換手段は、画像情報
圧縮手段にて圧縮された圧縮画像情報を予め定められた
しきい値により2値化圧縮画像情報に変換するものであ
る。ラベル付け手段は、2値化圧縮画像情報変換手段に
て変換された各2値化圧縮画像情報に対してラベル付け
を行なうものである。
【0068】外接長方形演算手段は、ラベル付け手段に
てラベル付けされた各2値化圧縮画像情報の外接長方形
を演算するものである。2値化圧縮画像情報ラベル選択
手段は、外接長方形演算手段にて演算された各外接長方
形と、予め定められた位置決め用マークの外接長方形と
から所定の条件を満たす2値化圧縮画像情報のラベルを
選択するものである。
【0069】重心座標算出手段は、2値化圧縮画像情報
ラベル選択手段により選択されたラベルに対応する2値
化圧縮画像情報の外接長方形の重心座標を算出するもの
である。
【0070】画像情報復元手段は、2値化圧縮画像情報
を2値化画像情報に復元するものである。位置決め用マ
ーク位置決定手段は、画像情報復元手段にて復元された
2値化画像情報であって、且つ重心座標算出手段により
算出された2値化圧縮画像情報ラベルの外接長方形の重
心座標近傍の所定範囲内の面積と、所定範囲内における
選択されたラベルに対応する2値化画像情報の面積との
比率を示す第1の比率と、予め定められた位置決め用マ
ークの外接長方形の重心座標を中心とした所定範囲内の
面積と、所定範囲内における位置決め用マークとの比率
を示す第2の比率とから位置決め用マークの位置を決定
するものである。
【0071】次に、上述の如く構成した液晶基板製造用
画像処理装置を用いてセルの端にある位置決め用セルマ
ークを検出する動作について説明する。まず、図2に示
すように、セル21表面の端に設けられた位置決め用マ
ークセル22を、セルの上部または下部に設けられたC
CDカメラ16で撮像し、画像情報を画像処理装置17
に出力する。
【0072】画像処理装置17に出力された画像情報
は、画像情報圧縮手段により、水平方向及び垂直方向に
圧縮されて、画像処理装置17内のフレームメモリに格
納される。
【0073】このフレームメモリに格納された圧縮画像
情報は、2値化圧縮画像情報変換手段により、予め定め
られたしきい値に基づいて2値化された2値化画像情報
に変換される。
【0074】この2値化された圧縮画像情報は、ラベル
付け手段によってラベル付けされる。このラベル付けさ
れた全ての各2値化圧縮画像情報は、外接長方形演算手
段により外接長方形処理が行なわれる。
【0075】そして、この外接長方形処理が行なわれた
ラベル付けされた全ての各2値化圧縮画像情報の内、C
CDカメラ16のカメラ倍率から計算される理論値を基
に、図3に示す予め定められたセルマークの外接長方形
の垂直方向サイズA及び水平方向サイズBにより定まる
条件を満たすラベルの2値化圧縮画像情報が2値化圧縮
画像情報ラベル選択手段により選択される。
【0076】次に、この選択された外接長方形処理が行
なわれた2値化圧縮画像情報の重心座標を重心座標算出
手段により算出するとともに、画像情報復元手段により
2値化圧縮画像情報を2値化画像情報に復元する。
【0077】次に、選択された2値化圧縮画像情報ラベ
ル31の外接長方形の重心座標近傍に、図4に示すよう
に、ウインドウ32を設定し、ウインドウ32の全体の
面積と、ウインドウ32内の選択されたラベルに対応す
る2値化圧縮画像情報の面積との第1の比率を算出す
る。
【0078】そして、この第1の比率と、予め定められ
た位置決め用マークの外接長方形の重心座標を中心とし
たウインドウ32の面積と、ウインドウ32内における
位置決め用マークとの比率を示す第2の比率とを比較し
て、第1の比率と第2の比率との差が誤差範囲内である
か否かを基に、選択されたラベルがセルマーク22であ
るか否かを位置決め用マーク位置決定手段により判断す
る。
【0079】なお、画像情報の圧縮手法は、上述の手法
に限らず、他の圧縮手法を採用しても良い。従って、こ
のような構成を採用しても、上述の第1の実施例の液晶
基板製造用画像処理装置と同様に、ウインドウ32を設
定し、このウインドウ32の全体の面積と、ウインドウ
32内における位置決め用マークとの比率を基に、真の
セルマークであるか否かを判定するので、図4に示すよ
うな模擬マークをセルマークとを誤認識することなく、
正確にセルマークの認識を行なうことができる。 <第3の実施例>上述の第1及び第2の実施例における
液晶基板製造用画像処理装置においては、図2に示すよ
うに、液晶ガラス基板22設けられた位置決め用のセル
マーク23を検出する際に、処理時間を短縮する目的
で、処理領域を限定する必要性から、図5に示すよう
に、CCDカメラから入力された画像41に対して、ま
ず、セルマーク初期検索ウインドウ42を設定し、その
領域から位置決め用セルマーク43を検索している。
【0080】そして、このセルマーク初期検索ウインド
ウ42からセルマーク43が検出できない場合には、C
CDカメラから入力された画像41の全画像領域からセ
ルマーク43を検索している。
【0081】従って、図5に示すような入力画像の場合
には、セルマーク初期検索ウインドウ42の中にセルマ
ーク43が存在していないため、CCDカメラから入力
した画像全領域41からセルマーク43を検出すること
になる。
【0082】このような検出方法が採用されていること
により、セルマーク43を認識するのに要する処理時間
は、セルマーク初期検索ウインドウ42内からセルマー
クを検出する場合より遅くなってしまう。
【0083】そこで、本実施例の液晶基板製造用画像処
理装置においては、上述の第1の実施例に係る液晶基板
製造用画像処理装置、或いは第2の実施例に係る液晶基
板製造用画像処理装置において、セルマーク43の検索
を行なう場合に、図6に示すように、前回検索時に算出
されたセルマーク43の重心座標を記憶するメモリと、
図6に示すように、このメモリに記憶された前回検索時
に算出されたセルマーク43の重心座標を中心に、セル
マーク初期検索ウインドウ42を設定する機能を設け
る。
【0084】次に、上述の第1の実施例の液晶基板製造
用画像処理装置に、本実施例の機能を付加した場合の本
実施例の液晶基板製造用画像処理装置の動作について説
明する。
【0085】図2に示すように、セル22表面に設けら
れた位置決め用マークセル23を、セルの上部または下
部に設けられたCCDカメラ16で撮像し、画像情報を
画像処理装置17に出力する。
【0086】画像処理装置17に出力された画像情報
は、画像処理装置17内のフレームメモリに格納され
る。このフレームメモリに格納された画像情報は、2値
化画像情報変換手段により、予め定められたしきい値に
基づいて2値化された2値化画像情報に変換される。
【0087】この2値化された画像情報は、ラベル付け
手段によってラベル付けされる。このラベル付けされた
全ての各2値化画像情報は、外接長方形演算手段により
外接長方形処理が行なわれる。
【0088】そして、この外接長方形処理が行なわれた
ラベル付けされた全ての各2値化画像情報の内、CCD
カメラ16のカメラ倍率から計算される理論値、図3に
示す予め定められたセルマークの外接長方形の垂直方向
サイズA及び水平方向サイズBにより定まる条件を満た
すラベルの2値化画像情報が2値化画像情報ラベル選択
手段により選択される。
【0089】ここまでの処理は、上述の第1の実施例の
液晶基板製造用画像処理装置において述べた動作と同様
である。次に、メモリに記憶された前回のセルマーク検
出時において選択された2値化画像情報ラベル31の外
接長方形の重心座標を中心として、図4に示すように、
ウインドウ32を設定し、ウインドウ32の全体の面積
と、ウインドウ32内の選択されたラベルに対応する2
値化画像情報の面積との比率をわ表す第1の比率を算出
する。
【0090】そして、この第1の比率と、予め定められ
た前記位置決め用マークの外接長方形の重心座標を中心
としたウインドウ32の面積と、ウインドウ32内にお
ける位置決め用マークとの比率を示す第2の比率とを比
較して、第1の比率と第2の比率との差が誤差範囲内で
あるか否かを基に、選択されたラベルがセルマーク22
であるか否かを位置決め用マーク位置決定手段により判
断する。
【0091】従って、本実施例の液晶基板製造用画像処
理装置においては、このような位置にウインドウ42を
設定することで、セルマーク初期検索ウインドウ42領
域内からセルマーク43を検出し、セルマーク43の検
出処理速度の向上及びセルマーク43の誤検出を防止す
ることができる。 <第4の実施例>液晶基板製造用画像処理装置において
は、セルとTAB−ICの電極のズレ量を左右で各々測
定し、この測定結果を基に位置補正を行なって圧着する
方法が採用されている。
【0092】セルは、X−Y−θテーブルの上に載せら
れ、上述の第1〜第3の実施例において説明した方法で
セルマークが認識された後に、補正されて所定カメラ位
置へ搬送される。また、TAB−ICは、金型で打ち抜
かれた後、X−Y−θテーブルで所定カメラ位置へ搬送
される。
【0093】図7は、X−Y−θテーブルで所定カメラ
位置へ搬送されたTAB−IC及びセルの電極を画像処
理する際のカメラ画像を示す図である。同図に示すよう
に、カメラ画像の上部側にはTAB−ICの電極51
が、下部側にはセルの電極52が撮像されている。
【0094】撮像された画像からセル及びTAB−IC
各々の電極を求める際に、濃淡画像を2値化して、処理
する手法が採用されている。この2値化レベルを決定す
る方法として、一般的には、濃淡画像の濃度分布を算出
し、その結果から2値化レベルを決定するという手法が
採用される。
【0095】本実施例の液晶基板製造用画像処理装置
は、この2値化レベルを決定する際の濃度分布を算出す
るための領域の設定に関するものである。すなわち、本
実施例の液晶基板製造用画像処理装置においては、必ず
セル及びTAB−ICの電極が存在する領域から濃淡画
像の濃度分布を算出し、その結果から2値化レベルを算
出するという方法を採用する。
【0096】図8は、TAB−ICとセルの左側電極を
画像処理する際の2値化レベルを計算する領域を示す図
である。また、図9は、TAB−ICとセルの右側電極
を画像処理する際の2値化レベルを計算する領域を示す
図である。
【0097】2値化レベルは、セル側とTAB−IC側
で濃度差があるため、別々に設定する必要がある。そこ
で、本実施例の液晶基板製造用画像処理装置において
は、TAB−ICの2値化レベルを決定する際の濃度分
布を算出する領域53を、図8では、右上方、図19に
おいては、左上方に設定する。
【0098】TAB−ICの視野に入る精度は、金型で
の打ち抜き精度に起因するので、濃度分布を算出する領
域(ウインドウ)53の位置は、最大振れたときにも必
ず電極数本分が入り、電極と背景の比率が一定の場所と
する。
【0099】同様に、セルの2値化レベルを決定する際
の濃度分布を算出する領域54は、図8では、右下方、
図9では、左下方に設定する。このセルの2値化レベル
を決定する際の濃度分布を算出する領域(ウインドウ)
54の位置も電極数本が入り、電極と背景の比率が一定
の場所とする。
【0100】従って、本実施例の液晶基板製造用画像処
理装置によれば、必ず電極の存在する部分の画像領域の
画像データから2値化レベルを決定するため、安定した
2値化レベルを得ることができる。 <第5の実施例>本実施例の液晶基板製造用画像処理装
置は、TAB−IC及びセルの最外端の電極の位置を求
める機能を有していることを特徴としている。
【0101】図10(a)及び図10(b)は、左側の
TAB−IC及びセルの電極位置をチェックする際の画
像を示す図である。以下、TAB−IC及びセルの最外
端の電極の位置を求める機能について図11のフロチャ
ートを参照して説明する。
【0102】まず、図10(a)及び図10(b)に示
すように、セル或いはTAB−ICの電極が存在すると
想定される位置に、処理用のウインドウ62を設定す
る。このウインドウ62は、処理スピードの向上のた
め、ある程度小さいものが設定される。
【0103】次に、図10(a)及び図10(b)に示
したウインドウ62内の1番左側の電極61を検出し、
ウインドウ62の左側から求めたこの検出された電極の
座標を求める(step1)。
【0104】次に、この検出された電極と電極を検出
し、電極ピッチPを求める(step2)。次に、ウイ
ンドウ62左端の座標から求めた最左側の電極の座標を
減算し、長さLを求める(step3)。
【0105】次に、長さLと電極ピッチPとを比較して
(step4)、L≦Pの場合には、ウインドウ62の
外側に電極が存在すると判断し、ウインドウ62をさら
に左側に、長さLが電極ピッチP以上の幅となるような
位置に移動して(step5)、step1の処理に戻
る。
【0106】一方、L<Pの場合には、求められた電極
の座標を確定し、この座標を最左側の電極の座標とし
(step6)、終了処理が行なわれる。なお、本実施
例においては、最左側のTAB−IC及びセルの電極位
置を求める方法について説明したが、最右側のTAB−
IC及びセルの電極位置を求める場合についても同様の
処理が行なわれる。
【0107】従って、本実施例の液晶基板製造用画像処
理装置によれば、毎回一定の座標にウインドウを設定し
たときに、セル又はTAB−ICの停止精度によりウイ
ンドウから電極がはずれていた時にも誤認識することな
く最外端の電極を検出することができる。 <第6の実施例>本実施例の液晶基板製造用画像処理装
置は、TAB−ICとセル電極位置の認識位置のずれを
チェックする機能を具備したことを特徴とする。
【0108】図12は、TAB−ICとセル電極位置の
認識位置のずれをチェックする機能を説明するための図
である。同図に示すように、左視野71内でTAB−I
C72の認識位置73と、セル電極74の認識位置75
から左視野内X方向ギャップ量ΔXL と左視野内Y方向
ギャップ量ΔYL が求まる。
【0109】同様に、右視野76内でTAB−IC77
の認識位置78とセル電極79の認識位置80から右視
野内X方向ギャップ量ΔXR と右視野内Y方向ギャップ
量ΔYR が求まる。
【0110】これらの値から下式の許容値判定により長
さと位置のチェックを行う。 ΔX=|ΔXL −ΔXR |<X許容値 …(1) ΔY=|ΔYL −ΔYR |<Y許容値 …(2) 許容値以内であると判定された場合には、正常な位置が
認識されたものとし、許容値外であると判定された場合
には、認識エラーとして扱い次の認識処理を中断する。
【0111】従って、本実施例の液晶基板製造用画像処
理装置によれば、TAB−ICとセルの電極の長さや位
置が許容値範囲内か否かをチェックすることで、TAB
−ICとセルがずれた位置に圧着されるのを未然に防止
することができる。 <第7の実施例>図13は、本実施例に係る液晶基板製
造用画像処理装置の動作を説明するための図である。
【0112】同図に示すように、セル表面に設けられた
セルマーク91の重心座標を検出する際に、セルマーク
91表面に、ごみ92が付着している場合、従来の液晶
基板製造用画像処理装置では、正確にセルマーク91の
重心座標を検出することができなかった。
【0113】本実施例の液晶基板製造用画像処理装置
は、図13に示すように、ごみ92等が付着して、セル
マーク91の重心座標を正確に認識することができない
場合、画面中央に縦カーソル93及び横カーソル94を
表示して、新たに重心座標を設定する機能を有すること
を特徴とする。
【0114】以下、この重心座標を設定する機能につい
て説明する。まず、オペレータが、画面に表示されてい
る縦カーソル93及び横カーソル94をキー入力をする
ことにより、セルマーク91の真の重心位置95にまで
移動させ、その位置をSETキーにより設定する。
【0115】そして、重心座標を設定された真の重心位
置95の重心座標に更新する。従って、本実施例の液晶
基板製造用画像処理装置によれば、汚れや傷等が原因で
認識エラーが発生した場合にも、重心座標を補正するこ
とができるので、認識処理を継続して行なうことができ
る。 <第8の実施例>本実施例の液晶基板製造用画像処理装
置は、液晶ディスプレイの製造工程において、セルにT
AB−ICを圧着した後に、圧着ずれを自動検査するた
めにリード部分を照明で照らし、CCDカメラによりこ
のリード部分の2次元濃淡画像を画像処理装置に取り込
み、この取り込まれた画像から図14に示すようなセル
のリード101のずれ量を測定するものである。
【0116】図15(a)は、セル110にTAB−I
C111を圧着したときの部分断面図であり、図15
(b)は、セル110とTAB−IC111の圧着部分
の取り込み画像121におけるリード122の拡大図で
ある。
【0117】まず、圧着されたTAB−ICの毎の両端
のリード画像は、CCDカメラにより画像処理装置に取
り込まれる。図16は、セルのリードのずれ量を測定す
るため取り込まれたセルの左側圧着部における画像を示
す図である。
【0118】以下、図16を参照してセルのリードのず
れ量を測定する方法について説明する。 1.まず、ウインドウ幅サイズE、リードピッチnのウ
インドウ131を設定する。
【0119】2.図17に示すようなウインドウ131
内の濃淡ヒストグラムデータを取り込む。 3.濃淡ヒストグラムデータからヒストグラムレベルの
最大レベル値MAXHST、最小レベル値MINHST
を検出する。
【0120】4.濃淡ヒストグラムデータの最小レベル
値MINHSTから最大レベル値MAXHST間を前半
後半の2つに分けて、それぞれのデータピーク値PEA
KLとPEAKHを検出する。
【0121】5.データピーク値PEAKLとPEAK
H間の最小データ値CENLVLを検出する。 6.CENLVLを境界にヒストグラムデータの前半、
後半のデータ数を求めて、前半後半のデータ比率を演算
する。(前半:背景画像、後半:リード画像) 7.演算した比率値と設計上のリードピッチ値から求め
たリードずれがない状態の比率とからリードのずれ量を
演算する。
【0122】8.演算されたリードのずれ量から圧着ず
れを検出する。 従って、本実施例の液晶基板製造用画像処理装置によれ
ば、濃淡ヒストグラムデータから電極のずれ量を演算す
ることにより圧着ずれを測定するので、不良品の判定を
確実に行なうことができる。 <第9の実施例>本実施例の液晶基板製造用画像処理装
置は、液晶ディスプレイの製造工程において、セルにT
AB−ICを圧着した後に、圧着ずれを自動検査するた
めにリード部分を照明で照らし、CCDカメラによりこ
のリード部分の2次元濃淡画像を画像処理装置に取り込
み、この取り込まれた画像から図18に示すような特定
のリードが抜けているタイプのセルリード135のずれ
量を測定するものである。
【0123】図15(a)は、セル110にTAB−I
C111を圧着したときの部分断面図であり、図15
(b)は、セル110とTAB−IC111の圧着部分
の取り込み画像121におけるリード122の拡大図で
ある。
【0124】まず、圧着されたTAB−ICの両端のリ
ード画像は、CCDカメラにより取り込まれる。図19
は、セルのリードのずれ量を測定するため取り込まれた
セルの左側圧着部における画像を示す図である。
【0125】以下、図19を参照してセルのリードのず
れ量を測定する方法について説明する。 1.まず、図19に示すように、ずれ検出ウインドウ1
41内のY方向の濃淡射影データを取り込む。
【0126】2.この濃淡射影データのMIN,MAX
値を検出する。 3.検出した濃淡射影データのMIN,MAX値から下
式に基づいてリード位置検出用閾値を演算する。
【0127】 閾値=(MAX_MIN)×(2/3)+MIN …(3) 4.求めた閾値と濃淡射影データとを比較して閾値以上
のデータをリードとしてリードの始まりX1と終わりX
2を検出する。
【0128】5.設定されているリード幅、リードピッ
チサイズデータと検出されたリードデータを比較してリ
ード以外の画像を取り除く。 6.検出したリードの位置データと濃淡射影データから
各リードの重心を演算する。
【0129】7.各リードの重心位置からリードピッチ
を求め、セルリードが抜けていない部分のリードピッチ
の平均値とセルリードが抜けている部分のリードピッチ
からセルリードとタブリードのずれ量とずれ方向を測定
する。
【0130】8.演算されたリードのずれ量及びずれ方
向から圧着ずれを検出する。 従って、本実施例の液晶基板製造用画像処理装置によれ
ば、セル及びTAB−ICの電極位置を測定することに
より、各々の位置ずれを検出することができるので、不
良品の判定を確実に行なうことができる。
【0131】
【発明の効果】以上詳記したように、本発明によれば、
安定して高精度に、液晶基板表面の位置決め用マークを
認識することのできる液晶基板製造用画像処理装置を提
供することができる。
【0132】また、本発明によれば、安定して高精度
に、駆動用集積回路及び液晶基板の電極を認識すること
ができる。さらに、本発明によれば、安定して高精度
に、駆動用集積回路と液晶基板の電極の圧着後のズレ量
を計測し、良品/不良品の判定を行なうことができる画
像処理装置を提供することができる。
【0133】さらに、本発明によれば、駆動用集積回路
と液晶基板の電極がずれた位置に圧着されるのを未然に
防ぐことができる。さらに、本発明によれば、認識エラ
ー発生時にも、認識位置を教え込むことにより、認識処
理を継続して行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例にかかる液晶基板製造用
画像処理装置の概略構成を示す図である。
【図2】液晶用ガラス基板の表面に設けられた位置決め
用マークセル及びTAB−ICを示す図である。
【図3】液晶用ガラス基板の表面に設けられたセルマー
クを示す図である。
【図4】液晶用ガラス基板上のセルマーク面積チェック
を行なうウインドウを示す図である。
【図5】液晶用ガラス基板上のセルマーク初期検索ウイ
ンドウを示す図である。
【図6】本発明の第2の実施例にかかる液晶基板製造用
画像処理装置のセルマーク初期検索ウインドウの位置を
示す図である。
【図7】X−Y−θテーブルで所定カメラ位置へ搬送さ
れたTAB−IC及びセルの電極を画像処理する際のカ
メラ画像を示す図である。
【図8】本発明の第4の実施例にかかる液晶基板製造用
画像処理装置のTAB−ICとセルの左側電極を画像処
理する際の2値化閾値を計算する領域を示す図である。
【図9】同実施例における液晶基板製造用画像処理装置
のTAB−ICとセルの右側電極を画像処理する際の2
値化閾値を計算する領域を示す図である。
【図10】本発明の第5の実施例にかかる液晶基板製造
用画像処理装置のTAB−IC及びセルの最外端の電極
の位置を求める機能を説明するための図である。
【図11】同実施例における液晶基板製造用画像処理装
置の動作を説明するためのフロチャートである。
【図12】本発明の第6の実施例に係る液晶基板製造用
画像処理装置のTAB−ICとセル電極位置の認識位置
のずれをチェックする機能を説明するための図である。
【図13】本発明の第7の実施例に係る液晶基板製造用
画像処理装置の動作を説明するための図である。
【図14】セルのリードを説明するための図である。
【図15】セルとTAB−ICを圧着した部分を示す図
である。
【図16】本発明の第8の実施例に係る液晶基板製造用
画像処理装置においてセルのリードのずれ量を測定する
ため取り込まれた画像を示す図である。
【図17】同実施例における液晶基板製造用画像処理装
置の濃淡ヒストグラムの解析図である。
【図18】特定のリードが抜けているタイプのセルリー
ドを示す図である。
【図19】セルのリードのずれ量を測定するため取り込
まれたセルの左側圧着部における画像を示す図である。
【図20】液晶用ガラス基板(セル)に、TAB−IC
を圧着したときの構成を示す図である。
【図21】予め定められたセルマークの外接長方形の垂
直方向サイズ及び水平方向サイズを説明するための図で
ある。
【図22】模擬マークの構成を示す図である。
【図23】液晶基板製造用画像処理装置の制御ブロック
図である。
【符号の説明】
11、12…光源、13…斜光照明器、14…同軸照明
器、15…同軸照明式鏡筒、16…CCDカメラ、17
…画像処理装置、21…TAB−IC、22…液晶用ガ
ラス基板(セル)、23…位置決め用マークセル、31
…2値化画像情報ラベル、32…ウインドウ、41…画
像、42…セルマーク初期検索ウインドウ、43…位置
決め用セルマーク、51…TAB−ICの電極、52…
セルの電極、61…電極、62…ウインドウ、72,7
7…TAB−IC、73,79…セル電極、91…セル
マーク、93…縦カーソル、94…横カーソル、95…
重心位置、101…セルのリード、110…セル、11
1…TAB−IC、122…リード、131…ウインド
ウ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 向井 真治 東京都府中市東芝町1番地 株式会社東芝 府中工場内

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 周縁部に少なくとも1つの電極を有し、
    且つ位置決め用マークが表面に設けられた液晶基板の電
    極に、前記位置決め用マークを基に位置決めを行ない駆
    動用集積回路を連続的に接続する液晶基板製造用画像処
    理装置において、 前記液晶基板表面を撮像する撮像手段と、 前記撮像手段にて撮像された前記液晶基板表面の画像情
    報を予め定められたしきい値により2値化画像情報に変
    換する2値化画像情報変換手段と、 前記2値化画像情報変換手段にて変換された各2値化画
    像情報に対してラベル付けを行なうラベル付け手段と、 前記ラベル付け手段にてラベル付けされた各2値化画像
    情報の外接長方形を演算する外接長方形演算手段と、 前記外接長方形演算手段にて演算された各外接長方形
    と、予め定められた前記位置決め用マークの外接長方形
    とから所定の条件を満たす2値化画像情報のラベルを選
    択する2値化画像情報ラベル選択手段と、 前記2値化画像情報ラベル選択手段により選択されたラ
    ベルに対応する2値化画像情報の外接長方形の重心座標
    を算出する重心座標算出手段と、 前記重心座標算出手段により算出された2値化画像情報
    ラベルの外接長方形の重心座標近傍の所定範囲内の面積
    と、前記所定範囲内における選択されたラベルに対応す
    る2値化画像情報の面積との比率を示す第1の比率と、
    予め定められた前記位置決め用マークの外接長方形の重
    心座標を中心とした所定範囲内の面積と、前記所定範囲
    内における前記位置決め用マークとの比率を示す第2の
    比率とから前記位置決め用マークの位置を決定する位置
    決め用マーク位置決定手段とを具備したことを特徴とす
    る液晶基板製造用画像処理装置。
  2. 【請求項2】 前回位置決め用マーク位置検出時に前記
    重心座標算出手段にて算出された重心座標を記憶する重
    心座標記憶手段とを備え、前記位置決め用マーク位置決
    定手段における第1の比率は、前記重心座標記憶手段に
    て記憶された重心座標を中心とした所定範囲内の面積
    と、前記所定範囲内における選択されたラベルに対応す
    る2値化画像情報の面積との比率であることを特徴とす
    る請求項1記載の液晶基板製造用画像処理装置。
  3. 【請求項3】 周縁部に少なくとも1つの電極を有し、
    且つ位置決め用マークが表面に設けられた液晶基板の電
    極に、前記位置決め用マークを基に位置決めを行ない駆
    動用集積回路を連続的に接続する液晶基板製造用画像処
    理装置において、 前記液晶基板表面を撮像する撮像手段と、 前記撮像手段にて撮像された前記液晶基板表面の画像情
    報を圧縮する画像情報圧縮手段と、 前記画像情報圧縮手段にて圧縮された圧縮画像情報を予
    め定められたしきい値により2値化圧縮画像情報に変換
    する2値化圧縮画像情報変換手段と、 前記2値化圧縮画像情報変換手段にて変換された各2値
    化圧縮画像情報に対してラベル付けを行なうラベル付け
    手段と、 前記ラベル付け手段にてラベル付けされた各2値化圧縮
    画像情報の外接長方形を演算する外接長方形演算手段
    と、 前記外接長方形演算手段にて演算された各外接長方形
    と、予め定められた前記位置決め用マークの外接長方形
    とから所定の条件を満たす2値化圧縮画像情報のラベル
    を選択する2値化圧縮画像情報ラベル選択手段と、 前記2値化圧縮画像情報ラベル選択手段により選択され
    たラベルに対応する2値化圧縮画像情報の外接長方形の
    重心座標を算出する重心座標算出手段と、 前記2値化圧縮画像情報を2値化画像情報に復元する画
    像情報復元手段と、 前記画像情報復元手段にて復元された2値化画像情報で
    あって、且つ前記重心座標算出手段により算出された2
    値化圧縮画像情報ラベルの外接長方形の重心座標近傍の
    所定範囲内の面積と、前記所定範囲内における選択され
    たラベルに対応する2値化画像情報の面積との比率を示
    す第1の比率と、予め定められた前記位置決め用マーク
    の外接長方形の重心座標を中心とした所定範囲内の面積
    と、前記所定範囲内における前記位置決め用マークとの
    比率を示す第2の比率とから前記位置決め用マークの位
    置を決定する位置決め用マーク位置決定手段とを具備し
    たことを特徴とする液晶基板製造用画像処理装置。
  4. 【請求項4】 前回位置決め用マーク位置検出時に前記
    重心座標算出手段にて算出された重心座標を記憶する重
    心座標記憶手段とを備え、前記位置決め用マーク位置決
    定手段における第1の比率は、前記重心座標記憶手段に
    て記憶された重心座標を中心とした所定範囲内の面積
    と、前記所定範囲内における選択されたラベルに対応す
    る2値化圧縮画像情報の面積との比率であることを特徴
    とする請求項3記載の液晶基板製造用画像処理装置。
  5. 【請求項5】 液晶基板の濃淡画像情報及び駆動用集積
    回路の濃淡画像情報から各濃淡画像情報を2値化するた
    めの各2値化レベルを算出し、この各2値化レベルに基
    づいて濃淡画像情報を2値化し、この2値化された濃淡
    画像情報に基づいて液晶基板の電極と駆動用集積回路の
    電極との位置ずれを検出する液晶基板製造用画像処理装
    置において、 前記液晶基板表面を撮像する第1の撮像手段と、 前記駆動用集積回路を撮像する第2の撮像手段と、 前記第1の撮像手段により撮像された前記液晶基板表面
    の画像情報の内、前記液晶基板に設けられた電極が存在
    する領域の画像情報から前記液晶基板に設けられた電極
    を判別するための第1の2値化レベルを決定する第1の
    2値化レベル決定手段と、 前記第2の撮像手段により撮像された前記駆動用集積回
    路の画像情報の内、前記駆動用集積回路の電極が存在す
    る領域の画像情報から前記駆動用集積回路の電極を判別
    するための第2の2値化レベルを決定する第2の2値化
    レベル決定手段とを具備したことを特徴とする液晶基板
    製造用画像処理装置。
  6. 【請求項6】 前記液晶基板の電極が存在すると想定さ
    れる前記液晶基板の電極位置における2値化された画像
    情報の第1の所定範囲内に存在する前記液晶基板の電極
    の内、前記液晶基板の最外周側に存在する電極と前記第
    1の所定範囲の最外周間との距離を算出する第1の最外
    周側電極距離算出手段と、 前記第1の所定範囲内に存在する前記液晶基板の電極相
    互の間隔を算出する第1の電極間隔算出手段と、 前記第1の最外周側電極距離算出手段により算出された
    距離と、前記第1の電極間隔算出手段により算出された
    前記液晶基板の電極間隔とに基づいて前記液晶基板の最
    外周側に存在する前記液晶基板の電極を検出する第1の
    最外周側電極検出手段とを付加したことを特徴とする請
    求項5記載の液晶基板製造用画像処理装置。
  7. 【請求項7】 前記駆動用集積回路の電極が存在すると
    想定される前記駆動用集積回路の電極位置における2値
    化された画像情報の第2の所定範囲内に存在する前記駆
    動用集積回路の電極の内、前記液晶基板の最外周側に存
    在する電極と前記第2の所定範囲の最外周側間との距離
    を算出する第2の最外周側電極距離算出手段と、 前記第2の所定範囲内に存在する前記駆動用集積回路の
    電極相互の間隔を算出する第2の電極間隔算出手段と、 前記第2の最外周側電極距離算出手段により算出された
    距離と、前記第2の電極間隔算出手段により算出された
    前記駆動用集積回路の電極間隔とに基づいて前記液晶基
    板の最外周側に存在する前記駆動用集積回路の電極を検
    出する第2の最外周側電極検出手段とを付加したことを
    特徴とする請求項5記載の液晶基板製造用画像処理装
    置。
  8. 【請求項8】 前記駆動用集積回路と前記液晶基板の電
    極位置との相互関係が予め定められた許容範囲以内にあ
    るか否かを判定する相互位置判定手段と、 を付加したことを特徴とする請求項5記載の液晶基板製
    造用画像処理装置。
  9. 【請求項9】 液晶基板表面に設けられた位置決め用マ
    ークの画像情報から前記位置決め用マークの重心座標を
    算出し、この算出された重心座標に基づいて前記位置決
    め用マークの位置を認識する液晶基板製造用画像処理装
    置において、 前記液晶基板表面を撮像する撮像手段と、 前記撮像手段にて撮像された前記液晶基板の画像を表示
    する画像表示手段と、 前記画像表示手段に前記重心座標位置を決定するための
    カーソルを表示するカーソル表示手段と、 前記カーソル表示手段にて表示されたカーソルの位置を
    移動させるカーソル移動手段と、 前記カーソル移動手段にて移動させられたカーソルの位
    置を決定するカーソル位置決定手段と、 前記カーソル位置決定手段により決定された前記カーソ
    ルの位置を前記位置決め用マークの重心座標とする重心
    座標決定手段とを具備したことを特徴とする液晶基板製
    造用画像処理装置。
  10. 【請求項10】 周縁部に少なくとも1つの電極を有
    し、且つ位置決め用マークが表面に設けられた液晶基板
    の電極に、前記位置決め用マークを基に位置決めを行な
    い駆動用集積回路を連続的に接続する液晶基板製造用画
    像処理装置において、 前記駆動用集積回路を前記液晶基板の電極が圧着部を撮
    像する撮像手段と、 前記撮像手段により撮像された前記圧着部の画像情報の
    ヒストグラムデータから前記液晶基板の電極及び前記駆
    動用集積回路の電極相互間の間隔を算出する電極間隔算
    出手段と、 前記電極間隔算出手段により算出された電極間隔に基づ
    いて、前記液晶基板と前記駆動用集積回路の圧着ずれを
    検出する圧着ずれ検出手段と、 を具備したことを特徴とする液晶基板製造用画像処理装
    置。
  11. 【請求項11】 周縁部に少なくとも1つの電極を有
    し、且つ位置決め用マークが表面に設けられた液晶基板
    の電極に、前記位置決め用マークを基に位置決めを行な
    い駆動用集積回路を連続的に接続する液晶基板製造用画
    像処理装置において、 前記駆動用集積回路を前記液晶基板の電極が圧着部のリ
    ード部分を撮像する撮像手段と、 前記撮像手段により撮像された前記圧着部のリード部分
    の画像情報から前記液晶基板の電極側のリード位置と前
    記駆動用集積回路側の電極の位置を検出する位置検出手
    段と、 前記位置検出手段で検出された前記液晶基板の電極側の
    リード位置と前記駆動用集積回路側の電極の位置との相
    互関係に基づいて、前記液晶基板と前記駆動用集積回路
    の圧着ずれを検出する圧着ずれ検出手段と、 を具備したことを特徴とする液晶基板製造用画像処理装
    置。
JP7040657A 1995-02-28 1995-02-28 液晶基板製造用画像処理装置 Pending JPH08234226A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7040657A JPH08234226A (ja) 1995-02-28 1995-02-28 液晶基板製造用画像処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7040657A JPH08234226A (ja) 1995-02-28 1995-02-28 液晶基板製造用画像処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08234226A true JPH08234226A (ja) 1996-09-13

Family

ID=12586623

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7040657A Pending JPH08234226A (ja) 1995-02-28 1995-02-28 液晶基板製造用画像処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08234226A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005222058A (ja) * 2004-02-06 2005-08-18 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置の製造システム及びこれを利用した製造方法
JP2011102873A (ja) * 2009-11-10 2011-05-26 Hitachi High-Technologies Corp アライメントマーク管理装置、アライメントマーク管理システム及びプログラム
JP2016090444A (ja) * 2014-11-06 2016-05-23 キヤノン株式会社 計測装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
JP2017049036A (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 株式会社ミツトヨ 画像測定装置及びその制御プログラム
CN106990573A (zh) * 2017-06-05 2017-07-28 京东方科技集团股份有限公司 光学测量装置及方法
JPWO2017081736A1 (ja) * 2015-11-09 2018-08-23 株式会社Fuji リード先端位置画像認識方法及びリード先端位置画像認識システム

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005222058A (ja) * 2004-02-06 2005-08-18 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置の製造システム及びこれを利用した製造方法
JP4642495B2 (ja) * 2004-02-06 2011-03-02 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 液晶表示装置の製造システム及びこれを利用した製造方法
JP2011102873A (ja) * 2009-11-10 2011-05-26 Hitachi High-Technologies Corp アライメントマーク管理装置、アライメントマーク管理システム及びプログラム
JP2016090444A (ja) * 2014-11-06 2016-05-23 キヤノン株式会社 計測装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
JP2017049036A (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 株式会社ミツトヨ 画像測定装置及びその制御プログラム
JPWO2017081736A1 (ja) * 2015-11-09 2018-08-23 株式会社Fuji リード先端位置画像認識方法及びリード先端位置画像認識システム
CN106990573A (zh) * 2017-06-05 2017-07-28 京东方科技集团股份有限公司 光学测量装置及方法
WO2018223903A1 (zh) * 2017-06-05 2018-12-13 京东方科技集团股份有限公司 光学测量装置及方法
CN106990573B (zh) * 2017-06-05 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 光学测量装置及方法
US11300507B2 (en) 2017-06-05 2022-04-12 Hefei Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Optical measurement device and method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3051279B2 (ja) バンプ外観検査方法およびバンプ外観検査装置
JP4484844B2 (ja) 画像二値化処理方法、画像処理装置及びコンピュータプログラム
JPH08234226A (ja) 液晶基板製造用画像処理装置
JP2000163579A (ja) 外観検査方法およびその装置
JP2000009447A (ja) テープキャリアの欠陥検出装置および欠陥検出方法
JPH08210820A (ja) 部品実装基板の外観検査装置における被検査部の認識方法及び装置
JP2002207996A (ja) パターン欠陥検出方法および装置
JPH09147107A (ja) 画像位置評価方法およびその装置
CN114441554B (zh) 检测方法
JP2000321038A (ja) パターン欠陥検出方法
JP2658405B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH1114317A (ja) 外観検査方法及びその装置
JP4288922B2 (ja) 接合部材の検査方法およびその検査装置
JP2000121495A (ja) 画面検査方法
CN117571721B (zh) 一种电路板焊盘表面缺陷检测方法、装置及存储介质
JP3665587B2 (ja) 半導体素子の検査方法並びに半導体素子の検査プログラムおよびその半導体素子の検査プログラムが記録された記録媒体
JPH01250806A (ja) 幅寸法測定方法及びその装置
JP3473114B2 (ja) 画像処理方法
JP2000258353A (ja) 欠陥検査方法及びその装置
JP2001209793A (ja) パターン欠陥分別検出方法
JPH08166355A (ja) 欠陥検査装置
KR20240020463A (ko) 전자 부품의 리드 팁을 검사하는 검사 장치
JP2001183119A (ja) パターン検査装置
CN117576366A (zh) 图像中目标的定位方法和缺陷检测方法、系统、电子设备
JPH09106459A (ja) 電子部品の位置ずれ検査方法