JPH08234168A - 強誘電性液晶電気光学装置 - Google Patents
強誘電性液晶電気光学装置Info
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- JPH08234168A JPH08234168A JP28159195A JP28159195A JPH08234168A JP H08234168 A JPH08234168 A JP H08234168A JP 28159195 A JP28159195 A JP 28159195A JP 28159195 A JP28159195 A JP 28159195A JP H08234168 A JPH08234168 A JP H08234168A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 交流パルスを印加して駆動する双安定性強誘
電性液晶電気光学装置の最大コントラストが得られる駆
動方法を提供する。 【解決手段】 選択画素に印加される波高値と、非選択
画素に印加される波高値との比が、強誘電性液晶薄膜が
双安定状態のいずれか一方を書き込むことができる最小
の波高値と、書き込むことができない最大の波高値の比
より大きいか、または等しい範囲内であって、選択画素
に印加される波高値と非選択画素に印加される波高値の
比が、５以上に設定する。
電性液晶電気光学装置の最大コントラストが得られる駆
動方法を提供する。 【解決手段】 選択画素に印加される波高値と、非選択
画素に印加される波高値との比が、強誘電性液晶薄膜が
双安定状態のいずれか一方を書き込むことができる最小
の波高値と、書き込むことができない最大の波高値の比
より大きいか、または等しい範囲内であって、選択画素
に印加される波高値と非選択画素に印加される波高値の
比が、５以上に設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、強誘電性液晶の双
安定状態を相互に切り換えて駆動する電気光学変換装置
に関し、特に該電気光学変換装置を最適駆動することを
目的とする。本発明は、強誘電性液晶の双安定状態を閾
値電圧以上の波高値を有するパルスで切り換え駆動しか
つ双安定状態を交流パルスで保持する駆動方式の強誘電
性液晶電気光学装置において、液晶材料の電圧一透過光
強度特性によって決まる駆動可能範囲内において、選択
画素に印加される電圧の波高値と非選択画素に印加され
る電圧の波高値との比を最大に選ぶことによって、最大
のコントラストを得ることができるというものである。
安定状態を相互に切り換えて駆動する電気光学変換装置
に関し、特に該電気光学変換装置を最適駆動することを
目的とする。本発明は、強誘電性液晶の双安定状態を閾
値電圧以上の波高値を有するパルスで切り換え駆動しか
つ双安定状態を交流パルスで保持する駆動方式の強誘電
性液晶電気光学装置において、液晶材料の電圧一透過光
強度特性によって決まる駆動可能範囲内において、選択
画素に印加される電圧の波高値と非選択画素に印加され
る電圧の波高値との比を最大に選ぶことによって、最大
のコントラストを得ることができるというものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から強誘電性液晶の双安定状態を閾
値電圧以上の波高値を有するパルスで切り換え駆動し、
かつ切り換えた後の安定状態を交流パルスで保持する駆
動方式の強誘電性液晶電気光学装置は知られていた。
値電圧以上の波高値を有するパルスで切り換え駆動し、
かつ切り換えた後の安定状態を交流パルスで保持する駆
動方式の強誘電性液晶電気光学装置は知られていた。
【０００３】まず、図２に従来の強誘電性液晶セル（以
下液晶セルという）の構造を示す。１−１は対向配置さ
れた一対の基板である。３は基板１−１間に挟持された
強誘電性液晶、例えばカイラルスメクチックＣ液晶（以
下ＳｍＣ* という）薄膜である。
下液晶セルという）の構造を示す。１−１は対向配置さ
れた一対の基板である。３は基板１−１間に挟持された
強誘電性液晶、例えばカイラルスメクチックＣ液晶（以
下ＳｍＣ* という）薄膜である。
【０００４】２−２は基板１−１とＳｍＣ* 薄膜３の界
面に存在する一軸性及びランダム性の水平配向膜であ
り、液晶分子の双安定状態を実現する。液晶分子の長軸
（以下分子軸という）は基板１に対して水平に配向しか
つ層をなす。これを上部から観察すると液晶分子は２つ
のドメインに区分される。第１のドメインでは分子軸は
層の法線４に対して＋θ傾いている。これが第１の安定
状態５である。液晶分子の自発分極７は上方を向いてい
る。第２のドメインでは分子軸は層の法線４に対して、
−θ傾いている。これが第２の安定状態６である。
面に存在する一軸性及びランダム性の水平配向膜であ
り、液晶分子の双安定状態を実現する。液晶分子の長軸
（以下分子軸という）は基板１に対して水平に配向しか
つ層をなす。これを上部から観察すると液晶分子は２つ
のドメインに区分される。第１のドメインでは分子軸は
層の法線４に対して＋θ傾いている。これが第１の安定
状態５である。液晶分子の自発分極７は上方を向いてい
る。第２のドメインでは分子軸は層の法線４に対して、
−θ傾いている。これが第２の安定状態６である。
【０００５】この時自発分極７は下を向いている。両安
定状態で自発分極７の方向が互いに逆であることを利用
して正負直流パルスにより双安定状態のいずれか一方を
選択するのである。８−８は偏光軸を直交させて、対向
配置された一対の偏光板であって複屈折により、第１の
安定状態と第２の安定状態を光学的に識別するものであ
る。例えば、第１の安定状態を光遮断状態（以下黒とい
う）に、又第２の安定状態を光通過状態（以下白とい
う）に変換する。９及び１０はＳｍＣ* 薄膜３に駆動電
圧を印加するためのマトリクス電極で、図３に示すよう
に９は走査電極（以下コモンという）、１０は信号電極
（以下セグメントという）である。
定状態で自発分極７の方向が互いに逆であることを利用
して正負直流パルスにより双安定状態のいずれか一方を
選択するのである。８−８は偏光軸を直交させて、対向
配置された一対の偏光板であって複屈折により、第１の
安定状態と第２の安定状態を光学的に識別するものであ
る。例えば、第１の安定状態を光遮断状態（以下黒とい
う）に、又第２の安定状態を光通過状態（以下白とい
う）に変換する。９及び１０はＳｍＣ* 薄膜３に駆動電
圧を印加するためのマトリクス電極で、図３に示すよう
に９は走査電極（以下コモンという）、１０は信号電極
（以下セグメントという）である。
【０００６】図４（ａ）は交流バイアス平均化法を用い
た線順次駆動において１つのマトリクス画素（以下ドッ
トという）に印加される駆動波形を示す。第１フレーム
において選択画素には選択期間中閾値以上の波高値を有
する正負（コモン９基準）のパルスＰ1 及びＰ2 が連続
して加えられる。正パルスＰ1 により液晶分子は第２の
安定状態に整列し、続く負パルスＰ2 でスイッチングし
第１の安定状態に整列する。この状態が非選択期間中交
流パルス印加により持続する。交流パルスの波高値は閾
値以下だからである。よって、第１フレームでは第１の
安定状態の黒が書き込まれる。続いて第２フレームでは
パルスの極性が逆であるから白が書き込まれる。ただ
し、本図では、パルスＰ4 及びパルスＰ5 は閾値以下な
ので白は書き込まれず、第１フレームで書き込まれた黒
が保存される。このパルスＰ4 及びパルスＰ5 の期間を
半選択期間と呼ぶ。またこの時の透過光強度の変化をフ
ォトマルで測定した結果を図４（ｂ）に示す。
た線順次駆動において１つのマトリクス画素（以下ドッ
トという）に印加される駆動波形を示す。第１フレーム
において選択画素には選択期間中閾値以上の波高値を有
する正負（コモン９基準）のパルスＰ1 及びＰ2 が連続
して加えられる。正パルスＰ1 により液晶分子は第２の
安定状態に整列し、続く負パルスＰ2 でスイッチングし
第１の安定状態に整列する。この状態が非選択期間中交
流パルス印加により持続する。交流パルスの波高値は閾
値以下だからである。よって、第１フレームでは第１の
安定状態の黒が書き込まれる。続いて第２フレームでは
パルスの極性が逆であるから白が書き込まれる。ただ
し、本図では、パルスＰ4 及びパルスＰ5 は閾値以下な
ので白は書き込まれず、第１フレームで書き込まれた黒
が保存される。このパルスＰ4 及びパルスＰ5 の期間を
半選択期間と呼ぶ。またこの時の透過光強度の変化をフ
ォトマルで測定した結果を図４（ｂ）に示す。
【０００７】ところで、選択画素の選択期間中のパルス
Ｐ1及びパルスＰ2、非選択期間のパルスＰ3 、半選択期
間のパルスＰ4及びパルスＰ5の波高値の関係は、パルス
Ｐ1及びパルスＰ2 の波高値の絶対値をＶとすれば、｜
Ｐ3 ｜＝Ｖ／Ｎ，｜Ｐ4 ｜＝｜Ｐ5 ｜＝Ｖ・（Ｎ−２）
／Ｎに選ばれる。ここでＮはバイアス値と呼ばれるもの
である。
Ｐ1及びパルスＰ2、非選択期間のパルスＰ3 、半選択期
間のパルスＰ4及びパルスＰ5の波高値の関係は、パルス
Ｐ1及びパルスＰ2 の波高値の絶対値をＶとすれば、｜
Ｐ3 ｜＝Ｖ／Ｎ，｜Ｐ4 ｜＝｜Ｐ5 ｜＝Ｖ・（Ｎ−２）
／Ｎに選ばれる。ここでＮはバイアス値と呼ばれるもの
である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来から知
られているツイスティドネマチック液晶を時分割駆動す
る場合には、Alt and Pleshko (IEEE Trans ED, 197
4, ED21,PP146-155)らが提案した電圧平均化法があり、
さらに彼らは、この方法において最適駆動条件を提唱し
ている。
られているツイスティドネマチック液晶を時分割駆動す
る場合には、Alt and Pleshko (IEEE Trans ED, 197
4, ED21,PP146-155)らが提案した電圧平均化法があり、
さらに彼らは、この方法において最適駆動条件を提唱し
ている。
【０００９】しかし、この手法をＳｍＣ* に適用させる
ことはできない。なぜなら、ツイスティドネマチック液
晶の透過光強度の変化は実効電圧値に依存しているが、
ＳｍＣ* 液晶は、電圧の絶対値に依存している。従っ
て、駆動方式及び回路も両者では異なるし、当然駆動条
件も異なる。
ことはできない。なぜなら、ツイスティドネマチック液
晶の透過光強度の変化は実効電圧値に依存しているが、
ＳｍＣ* 液晶は、電圧の絶対値に依存している。従っ
て、駆動方式及び回路も両者では異なるし、当然駆動条
件も異なる。
【００１０】現在までに、ＳｍＣ* を時分割駆動した場
合の最適駆動条件の発表はなく、実際に駆動する場合に
最適な表示を得ることが難しかった。
合の最適駆動条件の発表はなく、実際に駆動する場合に
最適な表示を得ることが難しかった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は前述した従来技
術の問題点を解決することを目的とし、最適駆動条件す
なわち最大コンストラストを得る条件として、選択され
た走査電極上でｏｎ信号が印加される信号電極との交点
である選択画素の選択期間中のパルスＰ1 及びパルスＰ
2 の波高値Ｖ・Ｎ／Ｎと、選択された走査電極上でｏｆ
ｆ信号が印加される信号電極との交点である半選択画素
の半選択期間中のパルスＰ4 及びパルスＰ5 の波高値Ｖ
・（Ｎ−２）／Ｎの比、Ｎ／（Ｎ−２）を液晶材料が許
容できる範囲内において、できるだけ小さくするよう
に、できるだけ大きなバイアス値Ｎを選んだ。特に、５
以上のバイアス値Ｎを選んだ。
術の問題点を解決することを目的とし、最適駆動条件す
なわち最大コンストラストを得る条件として、選択され
た走査電極上でｏｎ信号が印加される信号電極との交点
である選択画素の選択期間中のパルスＰ1 及びパルスＰ
2 の波高値Ｖ・Ｎ／Ｎと、選択された走査電極上でｏｆ
ｆ信号が印加される信号電極との交点である半選択画素
の半選択期間中のパルスＰ4 及びパルスＰ5 の波高値Ｖ
・（Ｎ−２）／Ｎの比、Ｎ／（Ｎ−２）を液晶材料が許
容できる範囲内において、できるだけ小さくするよう
に、できるだけ大きなバイアス値Ｎを選んだ。特に、５
以上のバイアス値Ｎを選んだ。
【００１２】
【発明の実施の形態】図４（ａ）の波形においてパルス
Ｐ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 Ｐ4 ，Ｐ5 の波高値は前述のように
Ｖ，Ｖ／Ｎ，Ｖ・（Ｎ−２）／Ｎであるが、これらの値
とＳｍＣ* の特性との関係を図１を用いて説明する。
Ｐ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 Ｐ4 ，Ｐ5 の波高値は前述のように
Ｖ，Ｖ／Ｎ，Ｖ・（Ｎ−２）／Ｎであるが、これらの値
とＳｍＣ* の特性との関係を図１を用いて説明する。
【００１３】図１において、パルス波高値を増加するに
したがって、前述の如く第１の状態から第２の状態へと
安定状態が切り換わるため、透過光強度も変化する。
今、第１の安定状態を維持する電圧、即ち閾値電圧をＶ
1 とし、第２の安定状態へ変化する最小電圧をＶ2 とす
る。このＶ1 とＶ2 の電圧は液晶固有のものであり、液
晶の弾性定数や粘性などにより変化する。ここで前述し
たようにパルスＰ1 及びＰ2 は安定状態を変化させるパ
ルスであるため、その最小パルス波高値は、Ｖ2の電圧
値に選ばれなければならない。一方半選択画素の半選択
期間中に印加されるパルスＰ4 及びパルスＰ5 の波高値
は、閾値電圧以下であるので、その最大パルス波高値
は、Ｖ1 の電圧値に選ばれなければならない。
したがって、前述の如く第１の状態から第２の状態へと
安定状態が切り換わるため、透過光強度も変化する。
今、第１の安定状態を維持する電圧、即ち閾値電圧をＶ
1 とし、第２の安定状態へ変化する最小電圧をＶ2 とす
る。このＶ1 とＶ2 の電圧は液晶固有のものであり、液
晶の弾性定数や粘性などにより変化する。ここで前述し
たようにパルスＰ1 及びＰ2 は安定状態を変化させるパ
ルスであるため、その最小パルス波高値は、Ｖ2の電圧
値に選ばれなければならない。一方半選択画素の半選択
期間中に印加されるパルスＰ4 及びパルスＰ5 の波高値
は、閾値電圧以下であるので、その最大パルス波高値
は、Ｖ1 の電圧値に選ばれなければならない。
【００１４】即ち、次式の関係が成立すればＳｍＣ* を
図４（Ａ）の波形で駆動することができる。 Ｖ2 ／Ｖ1 ≦Ｎ／（Ｎ−２） ・・・・（１） 例えば、Ｎ＝４とすると、Ｖ2／Ｖ1≦２の特性を持つ、
ＳｍＣ* 液晶材料を使用しなければならないということ
になる。実際には、Ｎを大きくすればするほど、この条
件を満足するＳｍＣ* 液晶を作ることは難しくなる。一
例として、フェニルピリミジン系化合物を主成分とした
ＳｍＣ* 液晶を使用して式（１）で表される関係を測定
した図を図５に示す。実線（ａ）が式（１）の左辺を求
めたものであり、Ｖ2／Ｖ1＝ １．４３である。一方右
辺の計算式において、Ｎの値を変化させたものが実線
（ｂ）で示されている。図５において式（１）を満たす
領域は斜線を施した部分であり、バイアス値Ｎは６以下
でなければならないことがわかる。
図４（Ａ）の波形で駆動することができる。 Ｖ2 ／Ｖ1 ≦Ｎ／（Ｎ−２） ・・・・（１） 例えば、Ｎ＝４とすると、Ｖ2／Ｖ1≦２の特性を持つ、
ＳｍＣ* 液晶材料を使用しなければならないということ
になる。実際には、Ｎを大きくすればするほど、この条
件を満足するＳｍＣ* 液晶を作ることは難しくなる。一
例として、フェニルピリミジン系化合物を主成分とした
ＳｍＣ* 液晶を使用して式（１）で表される関係を測定
した図を図５に示す。実線（ａ）が式（１）の左辺を求
めたものであり、Ｖ2／Ｖ1＝ １．４３である。一方右
辺の計算式において、Ｎの値を変化させたものが実線
（ｂ）で示されている。図５において式（１）を満たす
領域は斜線を施した部分であり、バイアス値Ｎは６以下
でなければならないことがわかる。
【００１５】ところで、この状態において、コントラス
トについて説明する。図１の閾値電圧Ｖ1以下の波高値
を持った交流パルスをＳｍＣ*に印加した時の透過光強
度の変化を図６に示す。ここで、注意すべきことは、図
１は、あくまで第１の安定状態から第２の安定状態へ切
り換わる時の電圧特性であって、閾値電圧Ｖ1 以下でも
透過光強度は変化する。即ち、Ｖ1 以下の電圧を印加し
た時には透過光強度は瞬間増加するが、パルス印加後に
は、また元の安定状態に戻ってしまうのである。
トについて説明する。図１の閾値電圧Ｖ1以下の波高値
を持った交流パルスをＳｍＣ*に印加した時の透過光強
度の変化を図６に示す。ここで、注意すべきことは、図
１は、あくまで第１の安定状態から第２の安定状態へ切
り換わる時の電圧特性であって、閾値電圧Ｖ1 以下でも
透過光強度は変化する。即ち、Ｖ1 以下の電圧を印加し
た時には透過光強度は瞬間増加するが、パルス印加後に
は、また元の安定状態に戻ってしまうのである。
【００１６】この様子が図４（Ｂ）の半選択期間中の透
過光強のゆれΔＩがある。ここがツイスティドネマチッ
ク液晶と大きく異なるところである。図６から、透過光
強度のふれΔＩは交流パルスの電圧を大きくすると大き
くなることがわかる。ところで、この透過光強度のふれ
ΔＩはコントラストの低下の原因になる。すなわち、Δ
Ｉのふれの周波数が人間の目にフリッカーを感じさせる
周波数以上に設定された時は、ΔＩの変化の平均値が人
間の目に透過光強度として感じられる。これは、ΔＩの
ふれが大きくなればなるほど、この平均値の値も増加す
るわけで、黒レベルは白レベルへ、逆に白レベルは、黒
レベルへと近づき、その比で定義されるコントラスト比
は低下することになる。
過光強のゆれΔＩがある。ここがツイスティドネマチッ
ク液晶と大きく異なるところである。図６から、透過光
強度のふれΔＩは交流パルスの電圧を大きくすると大き
くなることがわかる。ところで、この透過光強度のふれ
ΔＩはコントラストの低下の原因になる。すなわち、Δ
Ｉのふれの周波数が人間の目にフリッカーを感じさせる
周波数以上に設定された時は、ΔＩの変化の平均値が人
間の目に透過光強度として感じられる。これは、ΔＩの
ふれが大きくなればなるほど、この平均値の値も増加す
るわけで、黒レベルは白レベルへ、逆に白レベルは、黒
レベルへと近づき、その比で定義されるコントラスト比
は低下することになる。
【００１７】従って、コントラスト比を最大にするに
は、ΔＩのふれをゼロにすべきである。このためには、
図６からわかるようにこのふれΔＩはパルス波高値に依
存しているため、このパルス波高値をより小さくしてい
けば良い。今、該パルス波高値、即ち、図４（ａ）の非
選択期間に印加されるパルスＰ3 の波高値は前述の如く
Ｖ／Ｎであるため、この値を小さくするためには、Ｎを
大きくすれば良い。
は、ΔＩのふれをゼロにすべきである。このためには、
図６からわかるようにこのふれΔＩはパルス波高値に依
存しているため、このパルス波高値をより小さくしてい
けば良い。今、該パルス波高値、即ち、図４（ａ）の非
選択期間に印加されるパルスＰ3 の波高値は前述の如く
Ｖ／Ｎであるため、この値を小さくするためには、Ｎを
大きくすれば良い。
【００１８】このバイアス値Ｎによるコントラスト比の
依存性を測定したものが図７である。コントラスト比１
が理想的なコントラストを意味するが、バイアス値Ｎを
小さくするとコントラスト比は低下していくことがわか
る。バイアス値Ｎが３から５までは、バイアス値Ｎの変
化に対し、コントラスト比は急峻な変化を示し、バイア
ス値Ｎが５以上になると、バイアス値Ｎの増大に伴っ
て、徐々に理想的なコントラストであるコントラスト比
１に近づいていく。従って、バイアス値Ｎを大きくとれ
ば、コントラストは最大に近づいて行くが、バイアス値
Ｎを５以上に設定すれば、理想的なコントラストである
コントラスト比１に近いコントラストが得られることが
判る。
依存性を測定したものが図７である。コントラスト比１
が理想的なコントラストを意味するが、バイアス値Ｎを
小さくするとコントラスト比は低下していくことがわか
る。バイアス値Ｎが３から５までは、バイアス値Ｎの変
化に対し、コントラスト比は急峻な変化を示し、バイア
ス値Ｎが５以上になると、バイアス値Ｎの増大に伴っ
て、徐々に理想的なコントラストであるコントラスト比
１に近づいていく。従って、バイアス値Ｎを大きくとれ
ば、コントラストは最大に近づいて行くが、バイアス値
Ｎを５以上に設定すれば、理想的なコントラストである
コントラスト比１に近いコントラストが得られることが
判る。
【００１９】しかし、前述の如くバイアス値Ｎは式
（１）によって制約されており、無制限にバイアス値Ｎ
の値を大きく選ぶことができない。従って、両者の関係
から、式（１）を満たす範囲のバイアス値Ｎで、該バイ
アス値Ｎが最大な数値を選べば、その材料の最適駆動条
件になる。例えば、図５で示したフェニルピリミジン系
化合物を主成分としたＳｍＣ* 液晶では、バイアス値Ｎ
＝６とすれば良いことがわかる。
（１）によって制約されており、無制限にバイアス値Ｎ
の値を大きく選ぶことができない。従って、両者の関係
から、式（１）を満たす範囲のバイアス値Ｎで、該バイ
アス値Ｎが最大な数値を選べば、その材料の最適駆動条
件になる。例えば、図５で示したフェニルピリミジン系
化合物を主成分としたＳｍＣ* 液晶では、バイアス値Ｎ
＝６とすれば良いことがわかる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、選択時のパルス波高値
と、半選択時のパルス波高値との比が、強誘電性液晶の
安定状態が完全に他方の安定状態に変化する最小のパル
ス波高値と、該変化が起こらない閾値の波高値との比以
上になる範囲内で、できるだけ大きなバイアス値を選択
することによって、大きなコントラスト比が得られると
いう効果がある。
と、半選択時のパルス波高値との比が、強誘電性液晶の
安定状態が完全に他方の安定状態に変化する最小のパル
ス波高値と、該変化が起こらない閾値の波高値との比以
上になる範囲内で、できるだけ大きなバイアス値を選択
することによって、大きなコントラスト比が得られると
いう効果がある。
【図１】図１は液晶のパルス波高値と透過光強度の関係
を表す図である。
を表す図である。
【図２】図２は従来の液晶セルの斜視図である。
【図３】図３は従来の液晶セルの電極配置図である。
【図４】（ａ），（ｂ）はそれぞれ従来の液晶セルの駆
動波形及び透過光特性を示す図である。
動波形及び透過光特性を示す図である。
【図５】図５はＶ2 ／Ｖ1 とバイアス値Ｎとの関係を示
す図である。
す図である。
【図６】図６は閾値電圧以下の交流パルスを印加した時
の透過光強度のふれを測定した図である。
の透過光強度のふれを測定した図である。
【図７】図７はコントラスト比のバイアス値依存性を測
定した図である。
定した図である。
１−１ 基板 ２−２ 配向膜 ３ カイラルスメクチックＣ液晶 ８−８ 偏光板 ９ 走査電極 １０ 信号電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 耕吉 千葉県千葉市美浜区中瀬１丁目８番地 セ イコー電子工業株式会社内
Claims (1)
- 強誘電性液晶薄膜と、該薄膜に接し液晶分子の双安定整
列を実現する配向膜と、双安定整列状態を光学的明暗に
変換する部材と、双安定状態を切り換えるための電圧を
該薄膜に印加するマトリクス電極よりなる液晶セルと、
選択された走査電極上でｏｎ信号が印加される信号電極
との交点である選択画素に対して双安定状態のいずれか
一方を書き込む電圧を印加し、選択された走査電極上で
ｏｆｆ信号が印加される信号電極との交点である半選択
画素に対しては、書き込みが行われない電圧を印加し、
さらに選択されない走査電極上で信号電極との交点であ
る非選択画素に対しては、双安定状態を保持する交流パ
ルスを印加して駆動する強誘電性液晶電気光学装置にお
いて、該選択画素に印加される波高値と、該非選択画素
に印加される波高値との比が、該強誘電性液晶薄膜が双
安定状態のいずれか一方を書き込むことができる最小の
波高値と、書き込むことができない最大の波高値の比よ
り大きいか、または等しい範囲内であって、該選択画素
に印加される波高値と非選択画素に印加される波高値の
比が、５以上に設定されていることを特徴とする強誘電
性液晶電気光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7281591A JP2626973B2 (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7281591A JP2626973B2 (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61121861A Division JP2519421B2 (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08234168A true JPH08234168A (ja) | 1996-09-13 |
| JP2626973B2 JP2626973B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=17641287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7281591A Expired - Lifetime JP2626973B2 (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2626973B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6031121A (ja) * | 1983-07-30 | 1985-02-16 | Canon Inc | 液晶装置 |
| JPS6118931A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-27 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶表示装置 |
| JPS6155630A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Seiko Epson Corp | 液晶素子の駆動方法 |
| JPS6194026A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-12 | Seiko Instr & Electronics Ltd | カイラルスメクティック液晶電気光学装置 |
-
1995
- 1995-10-30 JP JP7281591A patent/JP2626973B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6031121A (ja) * | 1983-07-30 | 1985-02-16 | Canon Inc | 液晶装置 |
| JPS6118931A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-27 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶表示装置 |
| JPS6155630A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Seiko Epson Corp | 液晶素子の駆動方法 |
| JPS6194026A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-12 | Seiko Instr & Electronics Ltd | カイラルスメクティック液晶電気光学装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2626973B2 (ja) | 1997-07-02 |
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