JPH0823136A - 多重量子井戸半導体レーザ - Google Patents
多重量子井戸半導体レーザInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザのしきい値電流の温度依存性を
小さくする。 【構成】 ＭＱＷ活性層１０３を含むストライプ構造１
１２の幅が正孔の拡散長の２倍程度以下であり、かつＭ
ＱＷ活性層１０３に正孔を注入するためのｐ型半導体１
０５がストライプ構造１１２の側面の両側に形成されて
いる。しきい値電流温度依存性減少のためにどのような
ＭＱＷ構造をＭＱＷ活性層として採用した場合に於いて
も、ＭＱＷ活性層１０３内の全てのＱＷ層に直接接して
いるｐ型半導体１０５からＱＷ層へ正孔が注入されるた
め、一部のＱＷ層への正孔の局在という問題は生じな
い。また、ストライプ構造１１１の幅が正孔の拡散長の
２倍程度以下であるため、正孔はＱＷ面と平行な方向に
も均一に注入される。即ち、正孔の局在を回避しつつ、
従来の構造では正孔の局在を伴うような、しきい値電流
の温度依存性減少のためのＭＱＷ活性層１０３の改良を
行うことができる。
小さくする。 【構成】 ＭＱＷ活性層１０３を含むストライプ構造１
１２の幅が正孔の拡散長の２倍程度以下であり、かつＭ
ＱＷ活性層１０３に正孔を注入するためのｐ型半導体１
０５がストライプ構造１１２の側面の両側に形成されて
いる。しきい値電流温度依存性減少のためにどのような
ＭＱＷ構造をＭＱＷ活性層として採用した場合に於いて
も、ＭＱＷ活性層１０３内の全てのＱＷ層に直接接して
いるｐ型半導体１０５からＱＷ層へ正孔が注入されるた
め、一部のＱＷ層への正孔の局在という問題は生じな
い。また、ストライプ構造１１１の幅が正孔の拡散長の
２倍程度以下であるため、正孔はＱＷ面と平行な方向に
も均一に注入される。即ち、正孔の局在を回避しつつ、
従来の構造では正孔の局在を伴うような、しきい値電流
の温度依存性減少のためのＭＱＷ活性層１０３の改良を
行うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、しきい値電流の温度依
存性の小さい多重量子井戸（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａ
ｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ、以下ＭＱＷ）半導体レーザ（以下
単にＭＱＷレーザ）に関するものである。
存性の小さい多重量子井戸（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａ
ｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ、以下ＭＱＷ）半導体レーザ（以下
単にＭＱＷレーザ）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＭＱＷ構造を活性層に用い、かつ
その量子井戸（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ、以下ＱＷ）
層に圧縮性の面内歪を加えて、ＱＷ１層当たりのしきい
値２次元キャリア密度（以下Ｎ2D th）を低減することに
よって、しきい値電流の温度依存性の小さいＭＱＷレー
ザの実現がなされている。
その量子井戸（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ、以下ＱＷ）
層に圧縮性の面内歪を加えて、ＱＷ１層当たりのしきい
値２次元キャリア密度（以下Ｎ2D th）を低減することに
よって、しきい値電流の温度依存性の小さいＭＱＷレー
ザの実現がなされている。
【０００３】従来技術による、しきい値電流の温度依存
性が小さい発振波長１．３μm のＭＱＷレーザの構造を
図７に、そのＭＱＷ活性層の構造を図８に示す（Ａ．Ｏ
ｉｓｈｉ ｅｔ ａｌ．，１９回ヨーロッパ光通信会
議、講演論文集 １９ｔｈ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｏｎ
ｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎ
ｉｃａｔｉｏｎ，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ，Ｖｏｌ．
３，ｐ．２１）。図７に於いて、ＭＱＷレーザの構造
は、ｐ型ＩｎＰ基板７０１と、その上に形成されたｐ型
ＩｎＰクラッド層７０２およびＭＱＷ活性層７０３およ
びｎ型ＩｎＰクラッド層７０４からなる幅１．５μm の
ストライプ構造７１２と、ストライプ構造７１２の両側
面に形成されたｐ型ＩｎＰ層７０５およびｎ型ＩｎＰ電
流ブロック層７０６およびｐ型ＩｎＰ層７０７とからな
る電流ブロック構造と、ｎ型ＩｎＰ層７０８と、ｎ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰコンタクト層７０９と、ｎ電極７１０と、
ｐ電極７１１とからなる。図８に於いて、活性層は、層
厚４nmの１．４％圧縮歪ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層８０
２と層厚１０nmかつバンドギャップ波長１．１５μm の
ＩｎＧａＡｓＰ障壁層８０３を１周期とする５周期のＭ
ＱＷを、層厚２０nmかつバンドギャップ波長１．１５μ
m のｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層８０１と、層厚１５
０nmかつバンドギャップ波長１．１５μm のｎ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ光ガイド層８０４で挟んだＭＱＷ構造となって
いる。
性が小さい発振波長１．３μm のＭＱＷレーザの構造を
図７に、そのＭＱＷ活性層の構造を図８に示す（Ａ．Ｏ
ｉｓｈｉ ｅｔ ａｌ．，１９回ヨーロッパ光通信会
議、講演論文集 １９ｔｈ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｏｎ
ｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎ
ｉｃａｔｉｏｎ，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ，Ｖｏｌ．
３，ｐ．２１）。図７に於いて、ＭＱＷレーザの構造
は、ｐ型ＩｎＰ基板７０１と、その上に形成されたｐ型
ＩｎＰクラッド層７０２およびＭＱＷ活性層７０３およ
びｎ型ＩｎＰクラッド層７０４からなる幅１．５μm の
ストライプ構造７１２と、ストライプ構造７１２の両側
面に形成されたｐ型ＩｎＰ層７０５およびｎ型ＩｎＰ電
流ブロック層７０６およびｐ型ＩｎＰ層７０７とからな
る電流ブロック構造と、ｎ型ＩｎＰ層７０８と、ｎ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰコンタクト層７０９と、ｎ電極７１０と、
ｐ電極７１１とからなる。図８に於いて、活性層は、層
厚４nmの１．４％圧縮歪ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層８０
２と層厚１０nmかつバンドギャップ波長１．１５μm の
ＩｎＧａＡｓＰ障壁層８０３を１周期とする５周期のＭ
ＱＷを、層厚２０nmかつバンドギャップ波長１．１５μ
m のｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層８０１と、層厚１５
０nmかつバンドギャップ波長１．１５μm のｎ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ光ガイド層８０４で挟んだＭＱＷ構造となって
いる。
【０００４】従来技術によるこのＭＱＷレーザでは、２
５℃でしきい値電流１．８ｍＡ、８０℃でしきい値電流
４．７ｍＡという温度特性が得られている。
５℃でしきい値電流１．８ｍＡ、８０℃でしきい値電流
４．７ｍＡという温度特性が得られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しきい値電流の温度依
存性を従来よりも更に下げるためには、Ｎ2D thの低減が
重要である。何故なら、しきい値電流に温度依存性があ
ることの主な要因はオージェ再結合の割合の温度依存性
が大きいことであるが、Ｎ2D thを低減することによって
オージェ再結合の割合を小さくすることが出来るからで
ある。そして、理論的にはＮ2D thの低減のためには障壁
層組成の短波長化が有効である（例えばＭ．Ｎｉｄｏ
ｅｔ ａｌ．，アイトリプルイー ジャーナル オブ
カンタムエレクトロニクス ＩＥＥＥ Ｊ．Ｑｕａｎｔ
ｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｖｏｌ．２９，ｐ．８８５，
１９９３）。
存性を従来よりも更に下げるためには、Ｎ2D thの低減が
重要である。何故なら、しきい値電流に温度依存性があ
ることの主な要因はオージェ再結合の割合の温度依存性
が大きいことであるが、Ｎ2D thを低減することによって
オージェ再結合の割合を小さくすることが出来るからで
ある。そして、理論的にはＮ2D thの低減のためには障壁
層組成の短波長化が有効である（例えばＭ．Ｎｉｄｏ
ｅｔ ａｌ．，アイトリプルイー ジャーナル オブ
カンタムエレクトロニクス ＩＥＥＥ Ｊ．Ｑｕａｎｔ
ｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｖｏｌ．２９，ｐ．８８５，
１９９３）。
【０００６】ところが、図７に示したような従来構造の
ＭＱＷレーザでは、ＭＱＷ活性層７０３へキャリアを注
入するためのｐ型ＩｎＰクラッド層７０２やｎ型ＩｎＰ
クラッド層７０４が各ＱＷ層８０２に直接接していな
い。ｐ型ＩｎＰ層７０５は各ＱＷ層８０２に直接接して
いるが、ｐ型ＩｎＰ層７０５の厚さはストライプ構造７
１２から十分離れたところで１μm 程度、ストライプ構
造７１２の側面では１μm 程度以下と薄いためｐ型Ｉｎ
Ｐ層７０５は抵抗が大きい。また、ＭＱＷ活性層７０３
の厚さに比べストライプ構造７１２の幅の方が大きい。
即ち、正孔のＱＷ層８０２への注入は、ｐ型ＩｎＰ層７
０５からではなく、主にｐ型ＩｎＰクラッド層７０２か
ら行われる。よって、キャリアは光ガイド層８０１や障
壁層８０３とＱＷ層８０２の間で捕獲と熱励起を繰り返
しながらＭＱＷ構造内を拡散し、各ＱＷ層に注入され
る。
ＭＱＷレーザでは、ＭＱＷ活性層７０３へキャリアを注
入するためのｐ型ＩｎＰクラッド層７０２やｎ型ＩｎＰ
クラッド層７０４が各ＱＷ層８０２に直接接していな
い。ｐ型ＩｎＰ層７０５は各ＱＷ層８０２に直接接して
いるが、ｐ型ＩｎＰ層７０５の厚さはストライプ構造７
１２から十分離れたところで１μm 程度、ストライプ構
造７１２の側面では１μm 程度以下と薄いためｐ型Ｉｎ
Ｐ層７０５は抵抗が大きい。また、ＭＱＷ活性層７０３
の厚さに比べストライプ構造７１２の幅の方が大きい。
即ち、正孔のＱＷ層８０２への注入は、ｐ型ＩｎＰ層７
０５からではなく、主にｐ型ＩｎＰクラッド層７０２か
ら行われる。よって、キャリアは光ガイド層８０１や障
壁層８０３とＱＷ層８０２の間で捕獲と熱励起を繰り返
しながらＭＱＷ構造内を拡散し、各ＱＷ層に注入され
る。
【０００７】正孔のＱＷ内束縛状態から非束縛状態への
熱励起の割合は小さいため、このようにキャリアが注入
される場合、正孔はＭＱＷ活性層７０３内でｐ型ＩｎＰ
クラッド層７０２側に近い一部のＱＷ層に局在するとい
う傾向がある。また、正孔が局在する場合、電子は有効
質量が軽いため、電子も正孔とのクーロン引力により正
孔の局在している付近に局在する傾向がある（例えば
Ｎ．Ｔｅｓｓｌｅｒ ｅｔ ａｌ．，アイトリプルイー
ジャーナル オブ カンタム エレクトロニクス Ｉ
ＥＥＥ Ｊ．Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｖｏ
ｌ．２９，ｐ．１５８６，１９９３）。
熱励起の割合は小さいため、このようにキャリアが注入
される場合、正孔はＭＱＷ活性層７０３内でｐ型ＩｎＰ
クラッド層７０２側に近い一部のＱＷ層に局在するとい
う傾向がある。また、正孔が局在する場合、電子は有効
質量が軽いため、電子も正孔とのクーロン引力により正
孔の局在している付近に局在する傾向がある（例えば
Ｎ．Ｔｅｓｓｌｅｒ ｅｔ ａｌ．，アイトリプルイー
ジャーナル オブ カンタム エレクトロニクス Ｉ
ＥＥＥ Ｊ．Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｖｏ
ｌ．２９，ｐ．１５８６，１９９３）。
【０００８】このキャリアの局在は、図７に示した従来
技術によるレーザのように障壁層組成が長波長（図７の
例では１．１５μm ）である場合はさほど問題とならな
いが、障壁層組成をさらに短波長化した場合は顕著にな
る。何故なら、障壁層組成をさらに短波長化した場合、
正孔のＱＷ内束縛状態から非束縛状態への熱励起の割合
が、ＱＷ層８０２内での電子と正孔の再結合による自然
放出の割合と同程度となるためである。このキャリアの
局在に起因するＮ2D thの上昇は無視出来ず、現実には、
必ずしも障壁層組成の短波長化がしきい値電流の温度依
存性の減少に結び付かない。
技術によるレーザのように障壁層組成が長波長（図７の
例では１．１５μm ）である場合はさほど問題とならな
いが、障壁層組成をさらに短波長化した場合は顕著にな
る。何故なら、障壁層組成をさらに短波長化した場合、
正孔のＱＷ内束縛状態から非束縛状態への熱励起の割合
が、ＱＷ層８０２内での電子と正孔の再結合による自然
放出の割合と同程度となるためである。このキャリアの
局在に起因するＮ2D thの上昇は無視出来ず、現実には、
必ずしも障壁層組成の短波長化がしきい値電流の温度依
存性の減少に結び付かない。
【０００９】即ち、図７に示した従来の構造のままでＭ
ＱＷ活性層７０３の障壁層組成のみを短波長化しても、
しきい値電流の温度依存性の減少は不可能であった。本
発明は、従来構造のＭＱＷレーザにみられるキャリアの
局在を解消する構造を提供することにより、ＭＱＷ活性
層７０３の障壁層組成を短波長化して、しきい値の温度
依存性を減少させることを可能にするものである。
ＱＷ活性層７０３の障壁層組成のみを短波長化しても、
しきい値電流の温度依存性の減少は不可能であった。本
発明は、従来構造のＭＱＷレーザにみられるキャリアの
局在を解消する構造を提供することにより、ＭＱＷ活性
層７０３の障壁層組成を短波長化して、しきい値の温度
依存性を減少させることを可能にするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、ＭＱＷレ
ーザに於いて、活性層を含むストライプ構造の幅が正孔
の拡散長の２倍程度以下であり、かつＱＷ層に正孔を注
入するためのｐ型半導体が、活性層を含むストライプの
両側に、活性層内の全ての量子井戸層に接するよう形成
されており、かつストライプの両側からの活性層への正
孔の注入が他からの注入に比べ同程度以上となるよう前
記ｐ型半導体層がストライプの側面で厚くその抵抗が低
いことを特徴とする。
ーザに於いて、活性層を含むストライプ構造の幅が正孔
の拡散長の２倍程度以下であり、かつＱＷ層に正孔を注
入するためのｐ型半導体が、活性層を含むストライプの
両側に、活性層内の全ての量子井戸層に接するよう形成
されており、かつストライプの両側からの活性層への正
孔の注入が他からの注入に比べ同程度以上となるよう前
記ｐ型半導体層がストライプの側面で厚くその抵抗が低
いことを特徴とする。
【００１１】第２の発明は、ＭＱＷレーザに於いて、活
性層を含むストライプ構造の幅が正孔の拡散長の２倍程
度以下であり、かつＱＷ層に正孔を注入するためのｐ型
半導体が、活性層を含むストライプの両側に、活性層内
の全ての量子井戸層に接するよう形成されており、かつ
ＭＱＷ構造活性層の両側に形成された、活性層よりも禁
制帯幅が広く、かつ活性層よりも屈折率が小さいクラッ
ド層のうち、一方が電子を活性層に注入するためのｎ型
半導体で、他方が半絶縁型半導体層または絶縁体層であ
ることを特徴とする。
性層を含むストライプ構造の幅が正孔の拡散長の２倍程
度以下であり、かつＱＷ層に正孔を注入するためのｐ型
半導体が、活性層を含むストライプの両側に、活性層内
の全ての量子井戸層に接するよう形成されており、かつ
ＭＱＷ構造活性層の両側に形成された、活性層よりも禁
制帯幅が広く、かつ活性層よりも屈折率が小さいクラッ
ド層のうち、一方が電子を活性層に注入するためのｎ型
半導体で、他方が半絶縁型半導体層または絶縁体層であ
ることを特徴とする。
【００１２】
【実施例】本発明を適用した発振波長１．３μm のＭＱ
Ｗレーザ３種の構造を図１および図２および図３に、そ
れらのレーザのＭＱＷ活性層の構造を図４に示す。
Ｗレーザ３種の構造を図１および図２および図３に、そ
れらのレーザのＭＱＷ活性層の構造を図４に示す。
【００１３】図１は請求項２の発明の実施例を示す図で
ある。図１に於いて、ＭＱＷレーザは、濃度３×１０18
cm-3でＺｎをドープした面方位（１００）のｐ型ＩｎＰ
基板１０１と、その上に形成されたＴｉとＦｅをそれぞ
れ濃度５×１０16cm-3でドープした半絶縁型ＩｎＰクラ
ッド層１０２およびＭＱＷ活性層１０３および濃度１×
１０18cm-3でＳｉをドープしたｎ型ＩｎＰクラッド層１
０４からなる幅０．５μm のストライプ構造１１２と、
ＭＱＷ活性層１０３に接してストライプ構造１１２の側
面に形成された濃度１×１０18cm-3でＺｎをドープした
ｐ型ＩｎＰ層１０５と、濃度１×１０18cm-3でＳｉをド
ープしたｎ型ＩｎＰ電流ブロック層１０６と、濃度１×
１０18cm-3でＺｎをドープしたｐ型ＩｎＰ層１０７と、
濃度１×１０18cm-3でＳｉをドープしたｎ型ＩｎＰ層１
０８と、濃度１×１０19cm-3でＳｉをドープしたｎ型Ｉ
ｎＧａＡｓコンタクト層１０９と、厚さ５００オングス
トロームのＴｉと厚さ４００オングストロームのＡｕか
らなるｎ電極１１０と、同じく厚さ５００オングストロ
ームのＴｉと厚さ４００オングストロームのＡｕからな
るｐ電極１１１とからなる。ｐ型ＩｎＰ層１０５はスト
ライプ構造１１２の側面で十分に厚いため抵抗が低く、
正孔はストライプ構造１１２の両側のｐ型ＩｎＰ層１０
５からＭＱＷ活性層１０３へ注入される。
ある。図１に於いて、ＭＱＷレーザは、濃度３×１０18
cm-3でＺｎをドープした面方位（１００）のｐ型ＩｎＰ
基板１０１と、その上に形成されたＴｉとＦｅをそれぞ
れ濃度５×１０16cm-3でドープした半絶縁型ＩｎＰクラ
ッド層１０２およびＭＱＷ活性層１０３および濃度１×
１０18cm-3でＳｉをドープしたｎ型ＩｎＰクラッド層１
０４からなる幅０．５μm のストライプ構造１１２と、
ＭＱＷ活性層１０３に接してストライプ構造１１２の側
面に形成された濃度１×１０18cm-3でＺｎをドープした
ｐ型ＩｎＰ層１０５と、濃度１×１０18cm-3でＳｉをド
ープしたｎ型ＩｎＰ電流ブロック層１０６と、濃度１×
１０18cm-3でＺｎをドープしたｐ型ＩｎＰ層１０７と、
濃度１×１０18cm-3でＳｉをドープしたｎ型ＩｎＰ層１
０８と、濃度１×１０19cm-3でＳｉをドープしたｎ型Ｉ
ｎＧａＡｓコンタクト層１０９と、厚さ５００オングス
トロームのＴｉと厚さ４００オングストロームのＡｕか
らなるｎ電極１１０と、同じく厚さ５００オングストロ
ームのＴｉと厚さ４００オングストロームのＡｕからな
るｐ電極１１１とからなる。ｐ型ＩｎＰ層１０５はスト
ライプ構造１１２の側面で十分に厚いため抵抗が低く、
正孔はストライプ構造１１２の両側のｐ型ＩｎＰ層１０
５からＭＱＷ活性層１０３へ注入される。
【００１４】図２は請求項１の発明の実施例を示す図で
ある。図２に於いて、ＭＱＷレーザは、濃度３×１０18
cm-3でＺｎをドープした面方位（１００）のｐ型ＩｎＰ
基板２０１と、その上に形成された濃度１×１０18cm-3
でＺｎをドープしたｐ型ＩｎＰクラッド層２０２および
ＭＱＷ活性層２０３および濃度１×１０18cm-3でＳｉを
ドープしたｎ型ＩｎＰクラッド層２０４からなる幅０．
５μm のストライプ構造２１２と、ＭＱＷ活性層２０３
に接してストライプ構造２１２の側面に形成された濃度
１×１０18cm-3でＺｎをドープしたｐ型ＩｎＰ層２０５
と、濃度１×１０18cm-3でＳｉをドープしたｎ型ＩｎＰ
電流ブロック層２０６と、濃度１×１０18cm-3でＺｎを
ドープしたｐ型ＩｎＰ層２０７と、濃度１×１０18cm-3
でＳｉをドープしたｎ型ＩｎＰ層２０８と、濃度１×１
０19cm-3でＳｉをドープしたｎ型ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層２０９と、厚さ５００オングストロームのＴｉと厚
さ４００オングストロームのＡｕからなるｎ電極２１０
と、同じく厚さ５００オングストロームのＴｉと厚さ４
００オングストロームのＡｕからなるｐ電極２１１とか
らなる。ｐ型ＩｎＰ層２０５はストライプ構造２１２の
側面で十分に厚く抵抗が低いため、ＭＱＷ活性層２０３
への正孔の注入は、ｐ型ＩｎＰクラッド層２０２および
ストライプ構造２１２の両側のｐ型ＩｎＰ層２０５から
行われる。
ある。図２に於いて、ＭＱＷレーザは、濃度３×１０18
cm-3でＺｎをドープした面方位（１００）のｐ型ＩｎＰ
基板２０１と、その上に形成された濃度１×１０18cm-3
でＺｎをドープしたｐ型ＩｎＰクラッド層２０２および
ＭＱＷ活性層２０３および濃度１×１０18cm-3でＳｉを
ドープしたｎ型ＩｎＰクラッド層２０４からなる幅０．
５μm のストライプ構造２１２と、ＭＱＷ活性層２０３
に接してストライプ構造２１２の側面に形成された濃度
１×１０18cm-3でＺｎをドープしたｐ型ＩｎＰ層２０５
と、濃度１×１０18cm-3でＳｉをドープしたｎ型ＩｎＰ
電流ブロック層２０６と、濃度１×１０18cm-3でＺｎを
ドープしたｐ型ＩｎＰ層２０７と、濃度１×１０18cm-3
でＳｉをドープしたｎ型ＩｎＰ層２０８と、濃度１×１
０19cm-3でＳｉをドープしたｎ型ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層２０９と、厚さ５００オングストロームのＴｉと厚
さ４００オングストロームのＡｕからなるｎ電極２１０
と、同じく厚さ５００オングストロームのＴｉと厚さ４
００オングストロームのＡｕからなるｐ電極２１１とか
らなる。ｐ型ＩｎＰ層２０５はストライプ構造２１２の
側面で十分に厚く抵抗が低いため、ＭＱＷ活性層２０３
への正孔の注入は、ｐ型ＩｎＰクラッド層２０２および
ストライプ構造２１２の両側のｐ型ＩｎＰ層２０５から
行われる。
【００１５】図３は請求項２の発明の別の実施例を示す
図である。図３に於いて、ＭＱＷレーザは、濃度２×１
０18cm-3でＳｎをドープした面方位（１００）のｎ型Ｉ
ｎＰ基板３０１と、その上に形成された濃度１×１０18
cm-3でＳｉをドープしたｎ型ＩｎＰクラッド層３０２お
よびＭＱＷ活性層３０３およびＴｉとＦｅをそれぞれ濃
度５×１０16cm-3でドープした半絶縁型ＩｎＰクラッド
層３０４からなる幅０．５μm のストライプ構造３１０
と、ＭＱＷ活性層３０３に接してストライプ構造３１０
の側面に形成された濃度１×１０18cm-3でＺｎをドープ
したｐ型ＩｎＰ層３０５と、濃度１×１０18cm-3でＺｎ
をドープしたｐ型ＩｎＰ層３０６と、濃度１×１０19cm
-3でＺｎをドープしたｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３
０７と、厚さ５００オングストロームのＴｉと厚さ４０
０オングストロームのＡｕからなるｐ電極３０８と、同
じく厚さ５００オングストロームのＴｉと厚さ４００オ
ングストロームのＡｕからなるｎ電極３０９とからな
る。正孔はストライプ構造３１０の両側のｐ型ＩｎＰ層
３０５からＭＱＷ活性層３０３へ注入される。
図である。図３に於いて、ＭＱＷレーザは、濃度２×１
０18cm-3でＳｎをドープした面方位（１００）のｎ型Ｉ
ｎＰ基板３０１と、その上に形成された濃度１×１０18
cm-3でＳｉをドープしたｎ型ＩｎＰクラッド層３０２お
よびＭＱＷ活性層３０３およびＴｉとＦｅをそれぞれ濃
度５×１０16cm-3でドープした半絶縁型ＩｎＰクラッド
層３０４からなる幅０．５μm のストライプ構造３１０
と、ＭＱＷ活性層３０３に接してストライプ構造３１０
の側面に形成された濃度１×１０18cm-3でＺｎをドープ
したｐ型ＩｎＰ層３０５と、濃度１×１０18cm-3でＺｎ
をドープしたｐ型ＩｎＰ層３０６と、濃度１×１０19cm
-3でＺｎをドープしたｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３
０７と、厚さ５００オングストロームのＴｉと厚さ４０
０オングストロームのＡｕからなるｐ電極３０８と、同
じく厚さ５００オングストロームのＴｉと厚さ４００オ
ングストロームのＡｕからなるｎ電極３０９とからな
る。正孔はストライプ構造３１０の両側のｐ型ＩｎＰ層
３０５からＭＱＷ活性層３０３へ注入される。
【００１６】図４は、図１および図２および図３に示し
た実施例のＭＱＷ活性層１０３、２０３、３０３の内部
構造を示す図である。図４に於いて、活性層は、層厚４
nmの１．４％圧縮歪ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層４０２と
層厚１０nmかつバンドギャップ波長１．０５μm のＩｎ
ＧａＡｓＰ障壁層４０３を１周期とする５周期のＭＱＷ
を、層厚２００nmかつバンドギャップ波長１．０５μm
のＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層４０１と、層厚２００nmか
つバンドギャップ波長１．０５μm のＩｎＧａＡｓＰ光
ガイド層４０４で挟んだＭＱＷ構造となっている。
た実施例のＭＱＷ活性層１０３、２０３、３０３の内部
構造を示す図である。図４に於いて、活性層は、層厚４
nmの１．４％圧縮歪ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層４０２と
層厚１０nmかつバンドギャップ波長１．０５μm のＩｎ
ＧａＡｓＰ障壁層４０３を１周期とする５周期のＭＱＷ
を、層厚２００nmかつバンドギャップ波長１．０５μm
のＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層４０１と、層厚２００nmか
つバンドギャップ波長１．０５μm のＩｎＧａＡｓＰ光
ガイド層４０４で挟んだＭＱＷ構造となっている。
【００１７】本発明を適用した構造を持つＭＱＷレーザ
では、ＭＱＷ構造内の全てのＱＷ層に接しているｐ型半
導体からＱＷ層へ正孔が注入されるため（図１および図
２および図３参照）、ｐ型ＩｎＰクラッド層側に近いＱ
Ｗ層への正孔の局在という問題は生じない。また、本発
明を適用したＭＱＷレーザのストライプ構造の幅は図１
および図２および図３に示した実施例では０．５μm と
狭く、正孔の拡散長（０．５μm 程度）の２倍程度以下
であるため、正孔はＱＷ層内でＱＷ面と平行な方向にも
均一に注入される。電子は正孔に比べ熱励起の割合が大
きく、また拡散長も長いので、正孔が局在しなければ電
子も局在しない。
では、ＭＱＷ構造内の全てのＱＷ層に接しているｐ型半
導体からＱＷ層へ正孔が注入されるため（図１および図
２および図３参照）、ｐ型ＩｎＰクラッド層側に近いＱ
Ｗ層への正孔の局在という問題は生じない。また、本発
明を適用したＭＱＷレーザのストライプ構造の幅は図１
および図２および図３に示した実施例では０．５μm と
狭く、正孔の拡散長（０．５μm 程度）の２倍程度以下
であるため、正孔はＱＷ層内でＱＷ面と平行な方向にも
均一に注入される。電子は正孔に比べ熱励起の割合が大
きく、また拡散長も長いので、正孔が局在しなければ電
子も局在しない。
【００１８】本発明の適用は図４に示される活性層を持
つＭＱＷレーザにのみ限定されるものではない。本発明
は、図４に示された活性層とは異なるＩｎＧａＡｓＰ組
成で異なる層厚を持つＱＷ層と、異なるＩｎＧａＡｓＰ
組成で異なる層厚を持つ障壁層と、異なるＩｎＧａＡｓ
Ｐ組成で異なる層厚を持つ光ガイド層からなる、異なる
ＱＷ層数のＭＱＷ構造の活性層を持つＭＱＷレーザに於
いても、支障なく実施することが出来る。よって当然、
本発明の適用は発振波長が１．３μm のＭＱＷレーザに
のみ限定されるものではなく、ＱＷ層がＩｎＧａＡｓＰ
で障壁層がＩｎＧａＡｓＰのＭＱＷ構造を活性層とする
ＭＱＷレーザであれば、いかなる発振波長のＭＱＷレー
ザであっても、支障なく実施することが出来る。また、
各半導体層のドーパントおよびドーピング濃度は、必ず
しも図１および図２および図３に示した実施例の通りで
ある必要はなく、キャリアの活性層への注入および漏れ
電流のブロックという各半導体層の役割を果たすもので
あれば、本発明の実施に支障はない。さらに、本発明の
実施のためには、図１および図２および図３に示した３
種の実施例のようにＩｎＰ基板の面方位は（１００）で
ある必要はない。本発明は（１００）とは異なる面方位
を持つＩｎＰ基板上に形成されたＭＱＷレーザに於いて
も支障なく実施することが出来る。また、活性層のＭＱ
ＷのＱＷ層または障壁層または光ガイド層がＩｎＧａＡ
ｓＰ以外であるようなＭＱＷレーザに於いても、それが
ＩｎＰ基板上に形成されたものであれば、本発明が支障
なく実施出来ることは明らかである。さらに、ＩｎＰ以
外の基板上に形成されたＭＱＷレーザに於いても本発明
の実施は可能である。その実施例として、本発明をＧａ
Ａｓ基板上に形成された発振波長６９０nmのＭＱＷレー
ザに適用したものを図５に、そのＭＱＷ活性層の構造を
図６に示す。これは請求項１の発明の別の実施例であ
る。
つＭＱＷレーザにのみ限定されるものではない。本発明
は、図４に示された活性層とは異なるＩｎＧａＡｓＰ組
成で異なる層厚を持つＱＷ層と、異なるＩｎＧａＡｓＰ
組成で異なる層厚を持つ障壁層と、異なるＩｎＧａＡｓ
Ｐ組成で異なる層厚を持つ光ガイド層からなる、異なる
ＱＷ層数のＭＱＷ構造の活性層を持つＭＱＷレーザに於
いても、支障なく実施することが出来る。よって当然、
本発明の適用は発振波長が１．３μm のＭＱＷレーザに
のみ限定されるものではなく、ＱＷ層がＩｎＧａＡｓＰ
で障壁層がＩｎＧａＡｓＰのＭＱＷ構造を活性層とする
ＭＱＷレーザであれば、いかなる発振波長のＭＱＷレー
ザであっても、支障なく実施することが出来る。また、
各半導体層のドーパントおよびドーピング濃度は、必ず
しも図１および図２および図３に示した実施例の通りで
ある必要はなく、キャリアの活性層への注入および漏れ
電流のブロックという各半導体層の役割を果たすもので
あれば、本発明の実施に支障はない。さらに、本発明の
実施のためには、図１および図２および図３に示した３
種の実施例のようにＩｎＰ基板の面方位は（１００）で
ある必要はない。本発明は（１００）とは異なる面方位
を持つＩｎＰ基板上に形成されたＭＱＷレーザに於いて
も支障なく実施することが出来る。また、活性層のＭＱ
ＷのＱＷ層または障壁層または光ガイド層がＩｎＧａＡ
ｓＰ以外であるようなＭＱＷレーザに於いても、それが
ＩｎＰ基板上に形成されたものであれば、本発明が支障
なく実施出来ることは明らかである。さらに、ＩｎＰ以
外の基板上に形成されたＭＱＷレーザに於いても本発明
の実施は可能である。その実施例として、本発明をＧａ
Ａｓ基板上に形成された発振波長６９０nmのＭＱＷレー
ザに適用したものを図５に、そのＭＱＷ活性層の構造を
図６に示す。これは請求項１の発明の別の実施例であ
る。
【００１９】図５に於いて、ＭＱＷレーザは、濃度１×
１０19cm-3でＺｎをドープした面方位（１００）のｐ型
ＧａＡｓ基板５０１と、その上に形成されたＴｉとＦｅ
をそれぞれ濃度５×１０16cm-3でドープした半絶縁型
（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層５０２
およびＭＱＷ活性層５０３および濃度２×１０17cm-3で
Ｓｉをドープしたｎ型（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐクラッド層５０４からなる幅０．５μm のストラ
イプ構造５１２と、ＭＱＷ活性層５０３に接してストラ
イプ構造５１２の側面に形成された濃度１×１０18cm-3
でＺｎをドープしたｐ型（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐ層５０５と、濃度２×１０18cm-17 でＳｉをドー
プしたｎ型（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ電流ブ
ロック層５０６と、濃度１×１０18cm-3でＺｎをドープ
したｐ型（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層５０７
と、濃度１×１０18cm-3でＳｉをドープしたｎ型（Ａｌ
0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層５０８と、厚さ５００
オングストロームのＴｉＧｅＮｉと厚さ１０００オング
ストロームのＡｕＮｉと厚さ５００オングストロームの
Ｃｒと厚さ４０００オングストロームのＡｕからなるｎ
電極５１０と、厚さ７００オングストロームのＴｉと厚
さ１０００オングストロームのＴｉと厚さ４０００オン
グストロームのＡｕからなるｐ電極５１１とからなる。
ｐ型（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層５０５はス
トライプ構造５１２の側面で十分に厚く抵抗が低いた
め、ＭＱＷ活性層５０３への正孔の注入は、ストライプ
構造５１２の両側のｐ型（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐ層５０５から行われる。
１０19cm-3でＺｎをドープした面方位（１００）のｐ型
ＧａＡｓ基板５０１と、その上に形成されたＴｉとＦｅ
をそれぞれ濃度５×１０16cm-3でドープした半絶縁型
（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層５０２
およびＭＱＷ活性層５０３および濃度２×１０17cm-3で
Ｓｉをドープしたｎ型（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐクラッド層５０４からなる幅０．５μm のストラ
イプ構造５１２と、ＭＱＷ活性層５０３に接してストラ
イプ構造５１２の側面に形成された濃度１×１０18cm-3
でＺｎをドープしたｐ型（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐ層５０５と、濃度２×１０18cm-17 でＳｉをドー
プしたｎ型（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ電流ブ
ロック層５０６と、濃度１×１０18cm-3でＺｎをドープ
したｐ型（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層５０７
と、濃度１×１０18cm-3でＳｉをドープしたｎ型（Ａｌ
0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層５０８と、厚さ５００
オングストロームのＴｉＧｅＮｉと厚さ１０００オング
ストロームのＡｕＮｉと厚さ５００オングストロームの
Ｃｒと厚さ４０００オングストロームのＡｕからなるｎ
電極５１０と、厚さ７００オングストロームのＴｉと厚
さ１０００オングストロームのＴｉと厚さ４０００オン
グストロームのＡｕからなるｐ電極５１１とからなる。
ｐ型（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層５０５はス
トライプ構造５１２の側面で十分に厚く抵抗が低いた
め、ＭＱＷ活性層５０３への正孔の注入は、ストライプ
構造５１２の両側のｐ型（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐ層５０５から行われる。
【００２０】図６は、図５に示した実施例のＭＱＷ活性
層５０３の内部構造を示す図である。図６に於いて、活
性層は、層厚１０nmの０．３％圧縮歪Ｇａ0.47Ｉｎ0.53
Ｐ量子井戸層６０２と層厚５nmの（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ障壁層５０３を１周期とする４周期のＭ
ＱＷ構造となっている。
層５０３の内部構造を示す図である。図６に於いて、活
性層は、層厚１０nmの０．３％圧縮歪Ｇａ0.47Ｉｎ0.53
Ｐ量子井戸層６０２と層厚５nmの（Ａｌ0.6 Ｇａ0.4 ）
0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ障壁層５０３を１周期とする４周期のＭ
ＱＷ構造となっている。
【００２１】なお、本発明の実施例はＩＩＩ族とＶ族の
元素からなる活性層を持つＭＱＷレーザにのみ限られる
ものではなく、その他の元素、例えばＩＩ族とＶＩ族の
元素からなる活性層を持つＭＱＷレーザに於いても支障
なく実施することが出来る。
元素からなる活性層を持つＭＱＷレーザにのみ限られる
ものではなく、その他の元素、例えばＩＩ族とＶＩ族の
元素からなる活性層を持つＭＱＷレーザに於いても支障
なく実施することが出来る。
【００２２】
【発明の効果】本発明を適用したＭＱＷレーザに於いて
は、ＭＱＷ活性層内の全てのＱＷ層に直接接しているｐ
型半導体からＱＷ層へ正孔が注入されるため（図１およ
び図２および図３および図５参照）、一部のＱＷ層への
正孔の局在という問題は生じない。また、ストライプ構
造の幅が正孔の拡散長（０．５μm 程度）の２倍程度以
下のため、正孔はＱＷ層内でＱＷ面と平行な方向にも均
一に注入される。即ち、本発明を適用したＭＱＷレーザ
に於いて正孔は局在しない。電子は正孔に比べ熱励起の
割合が大きく、また拡散長も長いため、正孔が局在しな
ければ電子も局在しない。よって、本発明を適用したＭ
ＱＷレーザに於いては、短波長組成の障壁層を持つＭＱ
Ｗ構造を活性層として採用した場合でも、キャリアの局
在は生じない。そのため、従来構造のＭＱＷレーザより
も低いＮ2D thの実現が可能であり、よってしきい値電流
の温度依存性を小さくすることが出来る。
は、ＭＱＷ活性層内の全てのＱＷ層に直接接しているｐ
型半導体からＱＷ層へ正孔が注入されるため（図１およ
び図２および図３および図５参照）、一部のＱＷ層への
正孔の局在という問題は生じない。また、ストライプ構
造の幅が正孔の拡散長（０．５μm 程度）の２倍程度以
下のため、正孔はＱＷ層内でＱＷ面と平行な方向にも均
一に注入される。即ち、本発明を適用したＭＱＷレーザ
に於いて正孔は局在しない。電子は正孔に比べ熱励起の
割合が大きく、また拡散長も長いため、正孔が局在しな
ければ電子も局在しない。よって、本発明を適用したＭ
ＱＷレーザに於いては、短波長組成の障壁層を持つＭＱ
Ｗ構造を活性層として採用した場合でも、キャリアの局
在は生じない。そのため、従来構造のＭＱＷレーザより
も低いＮ2D thの実現が可能であり、よってしきい値電流
の温度依存性を小さくすることが出来る。
【００２３】なお、従来構造のレーザの場合、障壁層の
短波長化のみならず、ＭＱＷの多周期化によってもまた
ｐ型クラッド層に近い一部のＱＷ層へのキャリアの局在
によるＮ2D thの上昇が顕著になるが、本発明を適用した
ＭＱＷレーザでは、ＭＱＷの多周期化に伴うキャリアの
局在も回避出来ることは言うまでもない。ＭＱＷの多周
期化もまたしきい値電流の温度依存性の減少に有効であ
るため、本発明を適用してＭＱＷを多周期化したレーザ
はしきい値電流の温度特性に優れている。
短波長化のみならず、ＭＱＷの多周期化によってもまた
ｐ型クラッド層に近い一部のＱＷ層へのキャリアの局在
によるＮ2D thの上昇が顕著になるが、本発明を適用した
ＭＱＷレーザでは、ＭＱＷの多周期化に伴うキャリアの
局在も回避出来ることは言うまでもない。ＭＱＷの多周
期化もまたしきい値電流の温度依存性の減少に有効であ
るため、本発明を適用してＭＱＷを多周期化したレーザ
はしきい値電流の温度特性に優れている。
【００２４】さらに、正孔の局在という問題が回避でき
る場合、障壁層組成の短波長化やＭＱＷの多周期化は、
しきい値電流の温度依存性の減少のみならずＭＱＷレー
ザのその他の特性の向上、即ちしきい値電流の低減・変
調帯域の拡大・発振線幅の狭線幅化に対してもまた有効
であり、本発明を適用して正孔の局在を解決し、ＭＱＷ
活性層の障壁層組成の短波長化やＭＱＷの多周期化を行
ったＭＱＷレーザはこれらの特性にも優れている。
る場合、障壁層組成の短波長化やＭＱＷの多周期化は、
しきい値電流の温度依存性の減少のみならずＭＱＷレー
ザのその他の特性の向上、即ちしきい値電流の低減・変
調帯域の拡大・発振線幅の狭線幅化に対してもまた有効
であり、本発明を適用して正孔の局在を解決し、ＭＱＷ
活性層の障壁層組成の短波長化やＭＱＷの多周期化を行
ったＭＱＷレーザはこれらの特性にも優れている。
【図１】本発明を適用したＭＱＷレーザの構造の断面図
である。
である。
【図２】本発明の他の実施例を示すＭＱＷレーザの構造
の断面図である。
の断面図である。
【図３】本発明の他の実施例の示すＭＱＷレーザの構造
の断面図である。
の断面図である。
【図４】本発明を適用したＭＱＷレーザ（図１および図
２および図３）の活性層の断面図である。
２および図３）の活性層の断面図である。
【図５】本発明の他の実施例を示すＭＱＷレーザの構造
の断面図である。
の断面図である。
【図６】本発明を適用したＭＱＷレーザ（図５）の活性
層の断面図である。
層の断面図である。
【図７】従来技術によるしきい値電流の温度依存性が小
さいＭＱＷレーザの構造の断面図である。
さいＭＱＷレーザの構造の断面図である。
【図８】従来技術によるしきい値電流の温度依存性が小
さいＭＱＷレーザの活性層の断面図である。
さいＭＱＷレーザの活性層の断面図である。
１０１ ｐ型ＩｎＰ基板 １０２ 半絶縁性ＩｎＰクラッド層 １０３ ＭＱＷ活性層 １０４ ｎ型ＩｎＰクラッド層 １０５ ｐ型ＩｎＰ層 １０６ ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層 １０７ ｐ型ＩｎＰ層 １０８ ｎ型ＩｎＰ層 １０９ ｎ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層 １１０ ｎ電極 １１１ ｐ電極 １１２ ストライプ構造 ２０１ ｐ型ＩｎＰ基板 ２０２ ｐ型ＩｎＰクラッド層 ２０３ ＭＱＷ活性層 ２０４ ｎ型ＩｎＰクラッド層 ２０５ ｐ型ＩｎＰ層 ２０６ ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層 ２０７ ｐ型ＩｎＰ層 ２０８ ｎ型ＩｎＰ層 ２０９ ｎ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層 ２１０ ｎ電極 ２１１ ｐ電極 ２１２ ストライプ構造 ３０１ ｎ型ＩｎＰ基板 ３０２ ｎ型ＩｎＰクラッド層 ３０３ ＭＱＷ活性層 ３０４ 半絶縁性ＩｎＰクラッド層 ３０５ ｐ型ＩｎＰ層 ３０６ ｐ型ＩｎＰ層 ３０７ ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層 ３０８ ｐ電極 ３０９ ｎ電極 ３１０ ストライプ構造 ４０１ ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層 ４０２ ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層 ４０３ ＩｎＧａＡｓＰ障壁層 ４０４ ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層 ５０１ ｐ型ＧａＡｓ基板 ５０２ 半絶縁性ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ５０３ ＭＱＷ活性層 ５０４ ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ５０５ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層 ５０６ ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ電流ブロック層 ５０７ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層 ５０８ ｎ型ＧａＡｓ層 ５１０ ｎ電極 ５１１ ｐ電極 ５１２ ストライプ構造 ６０２ ＧａＩｎＰ量子井戸層 ６０３ ＡｌＧａＩｎＰ障壁層 ７０１ ｐ型ＩｎＰ基板 ７０２ ｐ型ＩｎＰクラッド層 ７０３ ＭＱＷ活性層 ７０４ ｎ型ＩｎＰクラッド層 ７０５ ｐ型ＩｎＰ層 ７０６ ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層 ７０７ ｐ型ＩｎＰ層 ７０８ ｎ型ＩｎＰ層 ７０９ ｎ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層 ７１０ ｎ電極 ７１１ ｐ電極 ７１２ ストライプ構造 ８０１ ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層 ８０２ ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層 ８０３ ＩｎＧａＡｓＰ障壁層 ８０４ ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 明 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】多重量子井戸半導体レーザに於いて、活性
層を含むストライプ構造の幅が正孔の拡散長の２倍程度
以下であり、かつ量子井戸層に正孔を注入するためのｐ
型半導体が、活性層を含むストライプの両側に、活性層
内の全ての量子井戸層に接するよう形成されており、か
つストライプの両側からの活性層への正孔の注入が他か
らの注入に比べ同程度以上となるよう前記ｐ型半導体層
がストライプの側面で厚くその抵抗が低いことを特徴と
する多重量子井戸半導体レーザ。 - 【請求項２】多重量子井戸半導体レーザに於いて、活性
層を含むストライプ構造の幅が正孔の拡散長の２倍程度
以下であり、かつ量子井戸層に正孔を注入するためのｐ
型半導体が、活性層を含むストライプの両側に、活性層
内の全ての量子井戸層に接するよう形成されており、か
つＭＱＷ構造活性層の両側に形成された、活性層よりも
禁制帯幅が広く、かつ活性層よりも屈折率が小さいクラ
ッド層のうち、一方が電子を活性層に注入するためのｎ
型半導体で、他方が半絶縁型半導体層または絶縁体層で
あることを特徴とする多重量子井戸半導体レーザ。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP6155920A JP2697615B2 (ja) | 1994-07-07 | 1994-07-07 | 多重量子井戸半導体レーザ |
| US08/499,661 US5559820A (en) | 1994-07-07 | 1995-07-07 | Multiple quantum well semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6155920A JP2697615B2 (ja) | 1994-07-07 | 1994-07-07 | 多重量子井戸半導体レーザ |
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Family Applications (1)
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|---|---|
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-
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- 1994-07-07 JP JP6155920A patent/JP2697615B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-07-07 US US08/499,661 patent/US5559820A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Publication date |
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| US5559820A (en) | 1996-09-24 |
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