JPH0822863B2 - 新規薄膜形成用金属錯体 - Google Patents
新規薄膜形成用金属錯体Info
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- JPH0822863B2 JPH0822863B2 JP10219191A JP10219191A JPH0822863B2 JP H0822863 B2 JPH0822863 B2 JP H0822863B2 JP 10219191 A JP10219191 A JP 10219191A JP 10219191 A JP10219191 A JP 10219191A JP H0822863 B2 JPH0822863 B2 JP H0822863B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アルカリ土類金属錯体
の付加体からなり、気相堆積法等で用いられる薄膜形成
用金属錯体に関する。
の付加体からなり、気相堆積法等で用いられる薄膜形成
用金属錯体に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
アルカリ土類金属のβ−ジケトン錯体（以下アルカリ土
類金属錯体という）について、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃ
ｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｖｏｌ．２ Ｎｏ．１，Ｐ．７３，
１９６３にその合成法及び精製法が報告されているが、
アルカリ土類金属錯体に配位子を付加させた化合物につ
いては未だかつて報告されていない。
アルカリ土類金属のβ−ジケトン錯体（以下アルカリ土
類金属錯体という）について、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃ
ｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｖｏｌ．２ Ｎｏ．１，Ｐ．７３，
１９６３にその合成法及び精製法が報告されているが、
アルカリ土類金属錯体に配位子を付加させた化合物につ
いては未だかつて報告されていない。
【０００３】一方、アルカリ土類金属錯体の気化特性に
ついて、Ａｎａｌｉｔｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ
Ｖｏ１．４２，Ｎｏ．１４，Ｐ．１８２８（１９７０）
に、また、非常に優れた気化特性を示すバリウム錯体に
ついて１９９０年春季第３７回応用物理学関係連合講演
会（２９ｐ−Ｖ−１３）で報告されている。しかし、従
来のアルカリ土類金属錯体は、初期には優れた気化特性
を示すが、時間とともに急激に気化特性が劣化するた
め、安定して薄膜を形成することが困難であるなどの問
題を有する。
ついて、Ａｎａｌｉｔｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ
Ｖｏ１．４２，Ｎｏ．１４，Ｐ．１８２８（１９７０）
に、また、非常に優れた気化特性を示すバリウム錯体に
ついて１９９０年春季第３７回応用物理学関係連合講演
会（２９ｐ−Ｖ−１３）で報告されている。しかし、従
来のアルカリ土類金属錯体は、初期には優れた気化特性
を示すが、時間とともに急激に気化特性が劣化するた
め、安定して薄膜を形成することが困難であるなどの問
題を有する。
【０００４】本発明者らは、鋭意検討を行った結果、ア
ルカリ土類金属錯体と配位子の付加体が薄膜形成用錯体
として有用であることを見いだし本発明を完成するに至
った。
ルカリ土類金属錯体と配位子の付加体が薄膜形成用錯体
として有用であることを見いだし本発明を完成するに至
った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】即ち本発明は、一般式
（Ｉ） （式中、Ｍはアルカリ土類金属であり、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ
３，Ｒ４は同一か又は異なる低級アルキル基および／ま
たは置換されあるいは置換されないフェニル基およびフ
リル基より選ばれた芳香族基を示す）で表わされるアル
カリ土類金属錯体とポリエーテル化合物およびキレート
剤より選ばれた配位子の付加体からなることを特徴とす
る新規薄膜形成用金属錯体。
（Ｉ） （式中、Ｍはアルカリ土類金属であり、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ
３，Ｒ４は同一か又は異なる低級アルキル基および／ま
たは置換されあるいは置換されないフェニル基およびフ
リル基より選ばれた芳香族基を示す）で表わされるアル
カリ土類金属錯体とポリエーテル化合物およびキレート
剤より選ばれた配位子の付加体からなることを特徴とす
る新規薄膜形成用金属錯体。
【０００６】該配位子が一般式 （ＲＲ′）ｎＯ，｛（ＲＲ′）ｎＯ｝ｍ，Ｒ′′′Ｏ
｛（ＲＲ′）ｎＯ｝ｍＲ″ （但し式中Ｒ，Ｒ′，Ｒ″，Ｒ′′′は同一または異な
る炭素数１〜４のアルキル基またはアルコキシ基を示
し、ｎ，ｍは夫々１〜６の整数を示す）で表されるポリ
エーテル化合物である上記の新規薄膜形成用金属錯体、
｛（ＲＲ′）ｎＯ｝ｍＲ″ （但し式中Ｒ，Ｒ′，Ｒ″，Ｒ′′′は同一または異な
る炭素数１〜４のアルキル基またはアルコキシ基を示
し、ｎ，ｍは夫々１〜６の整数を示す）で表されるポリ
エーテル化合物である上記の新規薄膜形成用金属錯体、
【０００７】該配位子がキレート剤であり、このキレー
ト剤が下記式で表わされるオルトフェナンスロリン誘
導体またはビピリジル誘導体である所の新規薄膜形成
用金属錯体、 式中ＲはＨまたは同一または異なる炭素数１〜４のアル
キル基またはフェニル基を示す。 式中ＲはＨまたは同一または異なる炭素数１〜４のアル
キル基を示す。
ト剤が下記式で表わされるオルトフェナンスロリン誘
導体またはビピリジル誘導体である所の新規薄膜形成
用金属錯体、 式中ＲはＨまたは同一または異なる炭素数１〜４のアル
キル基またはフェニル基を示す。 式中ＲはＨまたは同一または異なる炭素数１〜４のアル
キル基を示す。
【０００８】該アルカリ土類金属がバリウム，ストロン
チウム，カルシウム，マグネシウムである請求項１〜３
までのいずれか１項記載の新規薄膜形成用金属錯体に存
する。
チウム，カルシウム，マグネシウムである請求項１〜３
までのいずれか１項記載の新規薄膜形成用金属錯体に存
する。
【０００９】
【作用】以下、本発明について更に詳しく説明する。本
発明は、アルカリ土類金属錯体と配位子の付加体である
ことを最も重要な特徴とする。このように付加体として
アルカリ土類金属錯体は、薄膜形成用原料として優れて
いる。特に化学気相堆積法で使用する場合は、気化特性
に優れ長期間にわたり安定した原料供給が行える。
発明は、アルカリ土類金属錯体と配位子の付加体である
ことを最も重要な特徴とする。このように付加体として
アルカリ土類金属錯体は、薄膜形成用原料として優れて
いる。特に化学気相堆積法で使用する場合は、気化特性
に優れ長期間にわたり安定した原料供給が行える。
【００１０】ここで、アルカリ土類金属錯体を例示すれ
ば、 ビス−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタ
ンジオナトバリウム ［Ｂａ（ＤＰＭ）２］ ビス−２，８−ジメチル−４，６−ノナンジオナトバリ
ウム ［Ｂａ（ＤＩＶＭ）２］ ビス−４，６−ノナンジオナトバリウム ［Ｂａ（ＤＢＭ）２］ ビス−２，４−ペンタンジオナトバリウム ［Ｂａ（ａｃａｃ）２］ ビス−１−フェニル−１，３−ブタンジオナトストロン
チウム ビス−１−（２−フリル）−１，３−ブタンジオナトカ
ルシウム ビス−２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオナトマ
グネシウム などが挙げられる。
ば、 ビス−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタ
ンジオナトバリウム ［Ｂａ（ＤＰＭ）２］ ビス−２，８−ジメチル−４，６−ノナンジオナトバリ
ウム ［Ｂａ（ＤＩＶＭ）２］ ビス−４，６−ノナンジオナトバリウム ［Ｂａ（ＤＢＭ）２］ ビス−２，４−ペンタンジオナトバリウム ［Ｂａ（ａｃａｃ）２］ ビス−１−フェニル−１，３−ブタンジオナトストロン
チウム ビス−１−（２−フリル）−１，３−ブタンジオナトカ
ルシウム ビス−２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオナトマ
グネシウム などが挙げられる。
【００１１】ポリエーテル化合物を例示すれば、 ビス−（２−エトキシエチル）エーテル １，２ビス（２−メトキシエトキシ）エタン ２，５，８，１１，１４−ペンタオキサペンタデカン ビス（２−ブトキシエチル）エーテル １，４，７，１０，１３，１６−ヘキサオキサシクロオ
クタデカン［１８−ｃｒｏｗｎ−６］ １，４，１０，１３−テトラオキサ−７，１６−ジアザ
シクロオクタデカン［４，１３−ｄｉａｚａ−１８−ｃ
ｒｏｗｎ−６］ ４，７，１０，１６，１９，２４，２７−ヘプタオキサ
−１，１３−ジアザ−ビシクロ［１１，８，８］ノナコ
サン［クリプタンド［３，２，２］］ １，４，１０，１３−テトラチア−７，１６−ジアザシ
クロオクタデカン ２，３，１１，１２−ジシクロヘキサノ−１，４，７，
１０，１３，１６−ヘキサオキサシクロオクタデカン などが挙げられる。
クタデカン［１８−ｃｒｏｗｎ−６］ １，４，１０，１３−テトラオキサ−７，１６−ジアザ
シクロオクタデカン［４，１３−ｄｉａｚａ−１８−ｃ
ｒｏｗｎ−６］ ４，７，１０，１６，１９，２４，２７−ヘプタオキサ
−１，１３−ジアザ−ビシクロ［１１，８，８］ノナコ
サン［クリプタンド［３，２，２］］ １，４，１０，１３−テトラチア−７，１６−ジアザシ
クロオクタデカン ２，３，１１，１２−ジシクロヘキサノ−１，４，７，
１０，１３，１６−ヘキサオキサシクロオクタデカン などが挙げられる。
【００１２】キレート剤としては、 ２，２′−ビフラン ２，２′−ビチオフェン ２，２′−ジピリジルメタン ２，２′−ビオキサゾール などが挙げられる。
【００１３】オルトフェナンスロリン誘導体としては、 １，１０−フェナンスロリン［ｐｈｅｎ］、４，７−ジ
フェニル−２，９−ジメチル−１，１０−フェナンスロ
リン、４，７−ジメチル−１，１０−フェナンスロリ
ン、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナンスロリン などが挙げられる。
フェニル−２，９−ジメチル−１，１０−フェナンスロ
リン、４，７−ジメチル−１，１０−フェナンスロリ
ン、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナンスロリン などが挙げられる。
【００１４】ビピリジル誘導体としては、 ビピリジン［ｂｐｙ］ ２，２′−ビキノリン ２，２′−ビピリジン などが挙げられる。
【００１５】アルカリ土類金属錯体と配位子のモル比
は、配位子によって異なるが、１又は２である。
は、配位子によって異なるが、１又は２である。
【００１６】気化特性は、熱天秤による熱重量減少で見
ることができる。熱重量減少とは、窒素気流化で５℃／
分の一定温度で室温より５００℃に昇温した際の重量減
少の値である。 気化特性の安定性は、合成直後と６ヶ月後（室温，空気
中）の熱重量減少を比較することにより見ることができ
る。
ることができる。熱重量減少とは、窒素気流化で５℃／
分の一定温度で室温より５００℃に昇温した際の重量減
少の値である。 気化特性の安定性は、合成直後と６ヶ月後（室温，空気
中）の熱重量減少を比較することにより見ることができ
る。
【００１７】図１（ａ）にＢａ（ＤＰＭ）２の合成直
後、図１（ｂ）に６ヶ月後の熱重量減少を示す。これら
の図より、気化特性が劣化していることがわかる。
後、図１（ｂ）に６ヶ月後の熱重量減少を示す。これら
の図より、気化特性が劣化していることがわかる。
【００１８】本発明の薄膜形成用金属錯体を使用して薄
膜を形成する場合、液相堆積法または気相堆積法がある
が、特に気相堆積法が好ましい。本発明の薄膜形成用金
属錯体を使用して薄膜を形成する場合、加圧下または常
圧下または減圧下のいずれも可能であるが、常圧下また
は減圧下が好ましい。
膜を形成する場合、液相堆積法または気相堆積法がある
が、特に気相堆積法が好ましい。本発明の薄膜形成用金
属錯体を使用して薄膜を形成する場合、加圧下または常
圧下または減圧下のいずれも可能であるが、常圧下また
は減圧下が好ましい。
【００１９】本発明の薄膜形成用金属錯体を使用して薄
膜を形成する場合、同伴ガスはヘリウム，アルゴン，窒
素などがあり、反応ガスは、酸素，水，亜酸化窒素，オ
ゾンなどがある。
膜を形成する場合、同伴ガスはヘリウム，アルゴン，窒
素などがあり、反応ガスは、酸素，水，亜酸化窒素，オ
ゾンなどがある。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を詳細に説明するが、本発明は
これらの例によって何ら限定されるものではない。 ［Ｂａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２］の製造例 １．７ｇの水酸化バリウム８水和物を溶解させた水溶液
中に２．２ｇの１，１０−フェナンスロリン１水和物を
溶解させたエタノール溶液を室温で滴下し、撹拌混合し
た後ＤＰＭ２．２ｇを室温で滴下し、約１時間で反応を
終了させた。次に、この反応溶液に水を加え晶析、濾過
して目的化合物９．２ｇを得た。更に、この目的化合物
をエタノールを用いて再結晶精製を行い８．５ｇの目的
化合物を回収した。
これらの例によって何ら限定されるものではない。 ［Ｂａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２］の製造例 １．７ｇの水酸化バリウム８水和物を溶解させた水溶液
中に２．２ｇの１，１０−フェナンスロリン１水和物を
溶解させたエタノール溶液を室温で滴下し、撹拌混合し
た後ＤＰＭ２．２ｇを室温で滴下し、約１時間で反応を
終了させた。次に、この反応溶液に水を加え晶析、濾過
して目的化合物９．２ｇを得た。更に、この目的化合物
をエタノールを用いて再結晶精製を行い８．５ｇの目的
化合物を回収した。
【００２１】図２（ａ），（ｂ）に合成直後と６ヶ月間
大気中室温でサンプル瓶中に保存していた［Ｂａ（ＤＰ
Ｍ）２（ｐｈｅｎ）２］の熱重量減少値を示す。又、図
１（ａ），（ｂ）に合成直後と６ヶ月間、大気中・室温
でサンプル瓶中に保存していたＢａ（ＤＰＭ）２の熱重
量減少値を示す。［Ｂａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２］
が９２ｗｔ％から９０．８ｗｔ％の変化に対し、Ｂａ
（ＤＰＭ）２は、８９ｗｔ％から５３ｗｔ％に変化して
いる。
大気中室温でサンプル瓶中に保存していた［Ｂａ（ＤＰ
Ｍ）２（ｐｈｅｎ）２］の熱重量減少値を示す。又、図
１（ａ），（ｂ）に合成直後と６ヶ月間、大気中・室温
でサンプル瓶中に保存していたＢａ（ＤＰＭ）２の熱重
量減少値を示す。［Ｂａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２］
が９２ｗｔ％から９０．８ｗｔ％の変化に対し、Ｂａ
（ＤＰＭ）２は、８９ｗｔ％から５３ｗｔ％に変化して
いる。
【００２２】製造および実験例２ ［Ｂａ（ＤＰＭ）２（１８−ｃｒｏｗｎ−６）］の製造
例 １５ｇの水酸化バリウム８水和物を溶解させた水溶液と
１３ｇの１８−クラウン−６−エーテルを溶解させたメ
タノール溶液を室温で６時間撹拌混合した後、ＤＰＭ２
０ｇを室温で滴下し約３時間で反応を終了させた。次
に、この反応溶液からメタノールを減圧除去し晶析した
後、濾過して目的化合物２９ｇを得た。更に、この目的
化合物をメタノールを用いて再結晶精製を行い２０ｇの
目的化合物を回収した。
例 １５ｇの水酸化バリウム８水和物を溶解させた水溶液と
１３ｇの１８−クラウン−６−エーテルを溶解させたメ
タノール溶液を室温で６時間撹拌混合した後、ＤＰＭ２
０ｇを室温で滴下し約３時間で反応を終了させた。次
に、この反応溶液からメタノールを減圧除去し晶析した
後、濾過して目的化合物２９ｇを得た。更に、この目的
化合物をメタノールを用いて再結晶精製を行い２０ｇの
目的化合物を回収した。
【００２３】［Ｂａ（ＤＰＭ）２（１８−ｃｒｏｗｎ−
６）２］は、合成直後の熱重量減少値が９３．５ｗｔ％
に対して、６ヶ月間、大気中室温でサンプル瓶中に保存
していたものは、９２．３ｗｔ％であった。
６）２］は、合成直後の熱重量減少値が９３．５ｗｔ％
に対して、６ヶ月間、大気中室温でサンプル瓶中に保存
していたものは、９２．３ｗｔ％であった。
【００２４】製造および実験例３ ［Ｂａ（ＤＩＶＭ）２（ｂｐｙ）２］の製造例 ７．５ｇの水酸化バリウム８水和物を溶解させた水溶液
と７．８ｇの２，２′−ビピリジンを溶解させたエタノ
ール溶液を４０℃で約３時間撹拌混合し室温まで冷却し
た後、ＤＩＶＭ８．６ｇを室温で滴下し約２時間で反応
を終了させた。次に、この反応溶液からエタノールを減
圧除去し晶析した後、濾過して目的化合物１６．８ｇを
得た。更に、この目的化合物をエタノールを用いて再結
晶精製を行い１２ｇの目的化合物を回収した。
と７．８ｇの２，２′−ビピリジンを溶解させたエタノ
ール溶液を４０℃で約３時間撹拌混合し室温まで冷却し
た後、ＤＩＶＭ８．６ｇを室温で滴下し約２時間で反応
を終了させた。次に、この反応溶液からエタノールを減
圧除去し晶析した後、濾過して目的化合物１６．８ｇを
得た。更に、この目的化合物をエタノールを用いて再結
晶精製を行い１２ｇの目的化合物を回収した。
【００２５】［Ｂａ（ＤＩＶＭ）２（ｂｐｙ）２］は、
合成直後の熱重量減少値が８６．５ｗｔ％に対して、６
ヶ月間、大気中室温でサンプル瓶中に保存していたもの
は、８４．６ｗｔ％であった。
合成直後の熱重量減少値が８６．５ｗｔ％に対して、６
ヶ月間、大気中室温でサンプル瓶中に保存していたもの
は、８４．６ｗｔ％であった。
【００２６】製造および実験例４ ［Ｓｒ（ＤＢＭ）２（クリプタンド［３，２，２）］ ２ｇの水酸化ストロンチウム８水和物を溶解させた水溶
液と３．５ｇのクリプタンド［３，２，２］を溶解させ
たメタノール溶液を４５℃で６時間撹拌混合した後、Ｄ
ＢＭ２．９ｇを室温で滴下し約３時間で反応を終了させ
た。次に、この反応溶液からメタノールを減圧除去し晶
析した後、濾過して目的化合物５．３ｇを得た。更に、
この目的化合物をメタノールを用いて再結晶精製を行い
３．４ｇの目的化合物を回収した。
液と３．５ｇのクリプタンド［３，２，２］を溶解させ
たメタノール溶液を４５℃で６時間撹拌混合した後、Ｄ
ＢＭ２．９ｇを室温で滴下し約３時間で反応を終了させ
た。次に、この反応溶液からメタノールを減圧除去し晶
析した後、濾過して目的化合物５．３ｇを得た。更に、
この目的化合物をメタノールを用いて再結晶精製を行い
３．４ｇの目的化合物を回収した。
【００２７】［Ｓｒ（ＤＢＭ）２（クリプタンド［３，
２，２］）］は、合成直後の熱重量減少値が７９．５ｗ
ｔ％に対して、６ヶ月間、大気中室温でサンプル瓶中に
保存していたものは、７７．９ｗｔ％であった。
２，２］）］は、合成直後の熱重量減少値が７９．５ｗ
ｔ％に対して、６ヶ月間、大気中室温でサンプル瓶中に
保存していたものは、７７．９ｗｔ％であった。
【００２８】製造および実施例５ ［Ｓｒ（ＤＰＭ）２（４，１３−ｄｉａｚａ−１８−ｃ
ｒｏｗｎ−６）］ ２．１ｇの水酸化ストロンチウム８水和物を溶解させた
水溶液と２．４ｇの４，１３−ジアザ−１８クラウン−
６−エーテルを溶解させたメタノール溶液を室温で約４
時間撹拌混合した後、ＤＰＭ３．８ｇを室温で滴下し約
３時間で反応を終了させた。次に、この反応溶液からメ
タノールを減圧除去し晶析した後、濾過して目的化合物
４．１ｇを得た。更に、この目的化合物をメタノールを
用いて再結晶精製を行い２．７ｇの目的化合物を回収し
た。
ｒｏｗｎ−６）］ ２．１ｇの水酸化ストロンチウム８水和物を溶解させた
水溶液と２．４ｇの４，１３−ジアザ−１８クラウン−
６−エーテルを溶解させたメタノール溶液を室温で約４
時間撹拌混合した後、ＤＰＭ３．８ｇを室温で滴下し約
３時間で反応を終了させた。次に、この反応溶液からメ
タノールを減圧除去し晶析した後、濾過して目的化合物
４．１ｇを得た。更に、この目的化合物をメタノールを
用いて再結晶精製を行い２．７ｇの目的化合物を回収し
た。
【００２９】［Ｓｒ（ＤＰＭ）２（４，１３−ｄｉａｚ
ａ−１８−ｃｒｏｗｎ−６）］は、合成直後の熱重量減
少値が９３．２ｗｔ％に対して、６ヶ月間、大気中室温
でサンプル瓶中に保存していたものは、９２．１ｗｔ％
であった。
ａ−１８−ｃｒｏｗｎ−６）］は、合成直後の熱重量減
少値が９３．２ｗｔ％に対して、６ヶ月間、大気中室温
でサンプル瓶中に保存していたものは、９２．１ｗｔ％
であった。
【００３０】製造および実験例６ ［Ｃａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２］の製造例 ３０ｇの水酸化ナトリウムを溶解させた水溶液中にＤＰ
Ｍ１６３ｇのメタノール溶液を室温で滴下し約１時間攪
拌後、４１．６ｇの塩化カルシウムを投入し約１時間攪
拌する。この反応溶液中に１５０ｇの１，１０−フェナ
ンスロリンを氷冷下で滴下攪拌し室温に戻した後、約２
時間で反応を終了させた。次に、この反応溶液からメタ
ノールを減圧除去し晶析した後、濾過して目的化合物３
７０ｇを得た。更に、この目的化合物をメタノールを用
いて再結晶精製を行い３４０ｇの目的化合物を回収し
た。
Ｍ１６３ｇのメタノール溶液を室温で滴下し約１時間攪
拌後、４１．６ｇの塩化カルシウムを投入し約１時間攪
拌する。この反応溶液中に１５０ｇの１，１０−フェナ
ンスロリンを氷冷下で滴下攪拌し室温に戻した後、約２
時間で反応を終了させた。次に、この反応溶液からメタ
ノールを減圧除去し晶析した後、濾過して目的化合物３
７０ｇを得た。更に、この目的化合物をメタノールを用
いて再結晶精製を行い３４０ｇの目的化合物を回収し
た。
【００３１】［Ｃａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２］は、
合成直後の熱重量減少値が９７．６ｗｔ％に対して、６
ヶ月間、大気中室温でサンプル瓶中に保存していたもの
は、９５．３ｗｔ％であった。
合成直後の熱重量減少値が９７．６ｗｔ％に対して、６
ヶ月間、大気中室温でサンプル瓶中に保存していたもの
は、９５．３ｗｔ％であった。
【００３２】実施例１ 有機金属化学気相堆積法（以下ＭＯＣＶＤ法という）の
装置を用い、ＭｇＯ基板を反応室で８００℃に加熱して
アルゴンをキャリアーガスとしてＢａ（ＤＰＭ）２・
（ｐｈｅｎ）２を気化させて導入した。さらにこの反応
室に同時に酸素を導入することで良好なＢａＯ薄膜を形
成することが出来た。成膜速度は１〜１０μｍ／ｈであ
った。
装置を用い、ＭｇＯ基板を反応室で８００℃に加熱して
アルゴンをキャリアーガスとしてＢａ（ＤＰＭ）２・
（ｐｈｅｎ）２を気化させて導入した。さらにこの反応
室に同時に酸素を導入することで良好なＢａＯ薄膜を形
成することが出来た。成膜速度は１〜１０μｍ／ｈであ
った。
【００３３】 Ｂａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２容器温度；２００〜２２０℃ キャリアーガス流量 ；１５０ｓｃｃｍ 酸素ガス流量 ；２００ｓｃｃｍ ＊ｓｃｃｍとはＳｔａｎｄａｒｄ Ｃｕｂｉｃ Ｃｅｎ
ｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒ Ｍｉｎｕｔｅの略で０℃、１
気圧における１分間に流れるガスの容積（ｃｍ３）であ
る。
ｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒ Ｍｉｎｕｔｅの略で０℃、１
気圧における１分間に流れるガスの容積（ｃｍ３）であ
る。
【００３４】実施例２ ＭＯＣＶＤ法用の装置を用い、ＭｇＯ基板を７５０℃に
加熱してアルゴンをキャリアーガスとしてＢａ（ＤＰ
Ｍ）２（１８−ｃｒｏｗｎ−６）を気化させて導入し
た。ここで同時に酸素を導入することで良好なＢａＯ薄
膜を形成することが出来た。成膜速度は１〜１０μｍ／
ｈであった。
加熱してアルゴンをキャリアーガスとしてＢａ（ＤＰ
Ｍ）２（１８−ｃｒｏｗｎ−６）を気化させて導入し
た。ここで同時に酸素を導入することで良好なＢａＯ薄
膜を形成することが出来た。成膜速度は１〜１０μｍ／
ｈであった。
【００３５】 Ｂａ（ＤＰＭ）２（１８−ｃｒｏｗｎ−６）容器温度；２１０〜２３０℃ キャリアーガス流量 ；１５０ｓｃｃｍ 酸素ガス流量 ；２００ｓｃｃｍ
【００３６】実施例３ ＭＯＣＶＤ法用の装置を用い、ＳｒＴｉＯ３基板を反応
室で８００℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガス
としてＢａ（ＤＩＶＭ）２（ｂｐｙ）２を気化させて導
入した。ここで同時に亜酸化窒素を導入することで良好
なＢａＯ薄膜を形成することができた。成膜速度は２〜
８μｍ／ｈであった。
室で８００℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガス
としてＢａ（ＤＩＶＭ）２（ｂｐｙ）２を気化させて導
入した。ここで同時に亜酸化窒素を導入することで良好
なＢａＯ薄膜を形成することができた。成膜速度は２〜
８μｍ／ｈであった。
【００３７】 Ｂａ（ＤＩＶＭ）２（ｂｐｙ）２容器温度；１９０〜２２０℃ キャリアーガス流量 ；１５０ｓｃｃｍ 亜酸化窒素流量 ；２５０ｓｃｃｍ
【００３８】実施例４ ＭＯＣＶＤ法用の装置を用い、ＳｒＴｉＯ３基板を反応
室で７５０℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガス
としてＳｒ（ＤＢＭ）２（クリプタンド［３，２，
２］）を気化させて導入した。ここで同時に酸素を導入
することで良好なＳｒＯ薄膜を形成することができた。
成膜速度は３〜１５μｍ／ｈであった。
室で７５０℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガス
としてＳｒ（ＤＢＭ）２（クリプタンド［３，２，
２］）を気化させて導入した。ここで同時に酸素を導入
することで良好なＳｒＯ薄膜を形成することができた。
成膜速度は３〜１５μｍ／ｈであった。
【００３９】 Ｓｒ（ＤＢＭ）２（クリプタンド［３，２，２］）容器温度；１８０〜２００ ℃ キャリアーガス流量 ；１５０ｓｃｃｍ 酸素流量 ；２００ｓｃｃｍ
【００４０】実施例５ ＭＯＣＶＤ法用の装置を用い、ＳｒＴｉＯ３基板を反応
室で８００℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガス
としてＳｒ（ＤＰＭ）２（４，１３−ｄｉａｚａ−１８
−ｃｒｏｗｎ−６）を気化させて導入した。ここで同時
に水蒸気を導入することで良好なＳｒＯ薄膜を形成する
ことができた。成膜速度は５〜２０μｍ／ｈであった。
室で８００℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガス
としてＳｒ（ＤＰＭ）２（４，１３−ｄｉａｚａ−１８
−ｃｒｏｗｎ−６）を気化させて導入した。ここで同時
に水蒸気を導入することで良好なＳｒＯ薄膜を形成する
ことができた。成膜速度は５〜２０μｍ／ｈであった。
【００４１】 Ｓｒ（ＤＰＭ）２（４，１３−ｄｉａｚａ−１８−ｃｒｏｗｎ−６）容器温度 ；１８０〜２００℃ キャリアーガス流量 ；２００ｓｃｃｍ 水蒸気流量 ；１５０ｓｃｃｍ
【００４２】実施例６ ＭＯＣＶＤ法用の装置を用い、ＭｇＯ基板を反応室で７
００℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガスとして
Ｃａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２を気化させて導入し
た。ここで同時に酸素を導入することで良好なＣａＯ薄
膜を形成することができた。成膜速度は５〜１５μｍ／
ｈであった。
００℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガスとして
Ｃａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２を気化させて導入し
た。ここで同時に酸素を導入することで良好なＣａＯ薄
膜を形成することができた。成膜速度は５〜１５μｍ／
ｈであった。
【００４３】 Ｃａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２容器温度；１８０〜２００℃ キャリアーガス流量 ；１５０ｓｃｃｍ 酸素流量 ；２００ｓｃｃｍ
【００４４】
【発明の効果】本発明のアルカリ土類金属錯体を用いる
ことにより、化学気相堆積法において長期間安定かつ再
現性の高い薄膜形成が可能となり、産業上極めて有利で
ある。
ことにより、化学気相堆積法において長期間安定かつ再
現性の高い薄膜形成が可能となり、産業上極めて有利で
ある。
【図１】（ａ）は、従来のＢａ（ＤＰＭ）２の合成直後
の熱重量減少（％）を示し、（ｂ）は、６ヶ月間大気中
に室温でサンプル瓶中に保存していた同化合物の熱重量
減少（％）を示している。
の熱重量減少（％）を示し、（ｂ）は、６ヶ月間大気中
に室温でサンプル瓶中に保存していた同化合物の熱重量
減少（％）を示している。
【図２】（ａ）は、本発明の製造例１における［Ｂａ
（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２］の合成直後の熱重量減少
（％）を示し、（ｂ）は、６ヶ月間大気中に室温でサン
プル瓶中に保存していた同化合物の熱重量減少（％）を
示している。
（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２］の合成直後の熱重量減少
（％）を示し、（ｂ）は、６ヶ月間大気中に室温でサン
プル瓶中に保存していた同化合物の熱重量減少（％）を
示している。
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） （式中、Ｍはアルカリ土類金属であり、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ
３，Ｒ４は同一か又は異なる低級アルキル基および／ま
たは置換されあるいは置換されないフェニル基およびフ
リル基より選ばれた芳香族基を示す）で表わされるアル
カリ土類金属錯体と ビス−（２−エトキシエチル）エーテル， １，２ビス（２−メトキシエトキシ）エタン， ２，５，８，１１，１４−ペンタオキサペンタデカン， ビス（２−ブトキシエチル）エーテル， １，４，７，１０，１３，１６−ヘキサオキサシクロオ
クタデカン， １，４，１０，１３−テトラオキサ−７，１６−ジアザ
シクロオクタデカン， ４，７，１０，１６，１９，２４，２７−ヘプタオキサ
−１，１３−ジアザ−ビシクロ［１１，８，８］ノナコ
サン， １，４，１０，１３−テトラチア−７，１６−ジアザシ
クロオクタデカン， ２，３，１１，１２−ジシクロヘキサノ−１，４，７，
１０，１３，１６−ヘキサオキサシクロオクタデカンか
らなる鎖中に２個以上のＣ−Ｏ−Ｃ結合を有する鎖式又
は環式飽和炭化水素系ポリエーテル化合物および ２，２’−ビフラン， ２，２’−ビチオフェン， ２，２’−ジピリジルメタン， ２，２’−ビオキサゾール， オルトフェナンスロリン誘導体， ビピリジル誘導体からなるキレート剤より選ばれた配位
子の付加体からなることを特徴とする新規薄膜形成用金
属錯体。 - 【請求項２】 ポリエーテル化合物は鎖中に更にＣ−Ｎ
−Ｃ結合および／またはＣ−Ｓ−Ｃ結合を有している請
求項１記載の新規薄膜形成用金属錯体
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10219191A JPH0822863B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 新規薄膜形成用金属錯体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10219191A JPH0822863B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 新規薄膜形成用金属錯体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04257592A JPH04257592A (ja) | 1992-09-11 |
| JPH0822863B2 true JPH0822863B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=14320778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10219191A Expired - Fee Related JPH0822863B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 新規薄膜形成用金属錯体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0822863B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100372844B1 (ko) * | 2000-03-14 | 2003-02-25 | 학교법인 포항공과대학교 | 바륨 또는 스트론튬 착체 |
-
1991
- 1991-02-07 JP JP10219191A patent/JPH0822863B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04257592A (ja) | 1992-09-11 |
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