JPH0598444A - 大気中で安定なアルカリ土類金属錯体 - Google Patents

大気中で安定なアルカリ土類金属錯体

Info

Publication number
JPH0598444A
JPH0598444A JP32496991A JP32496991A JPH0598444A JP H0598444 A JPH0598444 A JP H0598444A JP 32496991 A JP32496991 A JP 32496991A JP 32496991 A JP32496991 A JP 32496991A JP H0598444 A JPH0598444 A JP H0598444A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
earth metal
metal complex
dpm
alkaline
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP32496991A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08974B2 (ja
Inventor
Takashi Okazaki
高志 岡崎
Koichi Tokutome
功一 徳留
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tosoh Finechem Corp
Original Assignee
Tosoh Finechem Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tosoh Finechem Corp filed Critical Tosoh Finechem Corp
Priority to JP32496991A priority Critical patent/JPH08974B2/ja
Publication of JPH0598444A publication Critical patent/JPH0598444A/ja
Publication of JPH08974B2 publication Critical patent/JPH08974B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 一般式 (式中Mはアルカリ土類金属であり、R,R,R
及びRは同一又は異なる低級アルキル基及び/又は芳
香族基を示す)で示されるアルカリ土類金属錯体とオル
トフェナントロリン誘導体の付加体又はクラウンエーテ
ル類の付加体からなる金属錯体。 【効果】 上記金属錯体は大気中でも安定しており酸化
物薄膜形成用の材料として有用である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、アルカリ土類金属錯体
の付加体からなり、気相堆積法等で用いられる酸化物薄
膜形成用金属錯体に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
アルカリ土類金属のβ−ジケトン錯体について、Ino
rg−ganic Chemistry Vol.2N
o.1,P.73,1963にその合成方法及び精製
法、またAnalitical Chemistry
Vol.42No.14,P.1828,1970に熱
重量減少による気化特性等が報告されている。近年で
は、1990年春季第37回応用物理学関係連合講演会
講演番号29p−V−13,1990年秋季第51回応
用物理学会学術講演会講演番号27a−PB−12にお
いて気化特性に優れた高純度Ba(DPM),Sr
(DPM)について報告されている。この化合物は会
合するために保存中に気化特性が著しく劣化する事が見
いだされた。キャリヤーガス中にテトラヒドロフランも
しくは1,4−ジオキサンを混合させ原料ガスの供給量
を安定化する試みが1989年秋季第50回応用物理学
会学術講演会講演番号30a−M−2で報告されてい
る。
【0003】また、EUROPEAN PATENT
APPLICATION90201485.1にアルカ
リ土類金属β−ジケトン錯体と中性酸素もしくは中性窒
素供与体配位子からなる揮発性金属錯体により原料ガス
の供給量が安定化されることが報告されている。しか
し、テトラヒドロフランをキャリアーガス中に混合させ
る方法は多量のテトラヒドロフランが薄膜製造時に存在
するためにこの分解物が不純物として取り込まれ易い。
また、M(DPM)・L{M=Ba,Sr,Ca,
Mg:L=アルコール,環状エーテル、非環状エーテ
ル,ケトン,ジアミン,アルデヒド,ピリジン,アミ
ン,イミン,ジイミン}は、気化するのに必要な200
℃以上の温度に加熱すると付加させていた配位子Lが解
離してしまい初期の気化特性が継続できないことが解っ
た。さらにこれらの化合物は大気中で取り扱うと即座に
二酸化炭素と反応して炭酸塩に変質してしまう問題を有
していた。
【0004】本発明者は鋭意検討を行った結果、請求項
1にしめすアルカリ土類金属錯体とオルトフェナントロ
リン誘導体の付加体またはクラウンエーテル類の付加体
から成る化合物が大気中でも安定しており酸化物薄膜形
成用の材料として有用であることを見いだし本発明を完
成するに至った。
【0005】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、一般
(式中Mはアルカリ土類金属であり、R,R
,Rは同一か又は、異なる低級アルキル基および
/または芳香族基を示す)で示されるアルカリ土類金属
錯体とオルトフェナントロリン誘導体の付加体またはク
ラウンエーテル類の付加体から成ることを特徴とするも
のであり、該アルカリ土類金属がバリウム、ストロンチ
ウム、カルシウム、マグネシウムであるものは、有効で
ある。
【0006】
【作用】以下、本発明について更に詳しく説明する。本
発明は、アルカリ土類金属錯体とオルトフェナントロリ
ン誘導体の付加体またはクラウンエーテルの付加体から
成る化合物であることを最も重要な特徴とする。このよ
うに付加体としてアルカリ土類金属錯体は、酸化物薄膜
形成用原料として優れている。従来のものに比べて大気
中での安定性に優れており、特に化学気相堆積法で使用
する場合は、200℃以上の温度に加熱しても配位子が
解離せず長期間にわたり安定した原料供給が行なえる。
【0007】ここで、アルカリ土類金属錯体を例示すれ
ば、 ビス−2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタ
ンジオナトバリウム[Ba(DPM)] ビス−2,8−ジメチル−4,6−ノナンジオナトスト
ロンチウム[Sr(DIVM)] ビス−4,6−ノナンジオナトカルシウム[Ca(DB
M)] ビス−2,4−ペンタンジオナトマグネシウム[Mg
(acac)] ビス−1−フェニル−1,3−ブタンジオナトストロン
チウム ビス−1−(2−フリル)−1,3−ブタンジオナトカ
ルシウム ビス−2,2−ジメチル−3,5−オクタンジオナトマ
グネシウム などが挙げられる。
【0008】クラウンエーテル化合物を例示すれば、 1,4,7,10,13,16−ヘキサシクロオクタデ
カン [18−crown−6] 1,4,10,13−テトラオキサ−7,16−ジアザ
シクロオクタデカン[4,13−diaza−18−c
rown−6] 4,7,10,16,19,24−ヘプタオキサ−1,
13−ジアザビシクロ[11,8,8]ノナコサン
[クリプタンド[3,2,2]] 1,4,10,13−テトラチア−7,16−ジアザシ
クロオクタデカンロオクタデカン などが挙げられる。
【0009】オルトフェナントロリン誘導体としては、 1,10−フェナントロリン[phen] 4,7−ジメチル−1,10−フェナントロリン 4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン 4,7−ジフェニル−2,9−ジメチル−1,10−フ
ェナントロリン などが挙げられる。
【0010】気化特性は、熱天秤による熱重量減少で見
ることができる。熱重量減少とは真空15〜20tor
r付近で窒素キャリヤー約20ml/min.、5℃/
min.の一定昇温速度により室温から500℃に昇温
した際の重量減少の値である。
【0011】気化特性の安定性は,合成直後と6カ月後
(室温、大気中)の熱重量減少を比較することにより見
ることができる。
【0012】図1(a)にBa(DPM)の合成直
後、図1(b)に6カ月後の熱重量減少を示す。
【0013】図2(a)に[Ba(CFC(O)CH
C(O)CF(CHOCOCH
の合成直後、図2(b)に6カ月後の熱重量減少を示
す。
【0014】図3にBa(DPM)にいろいろな配位
子を付加させた化合物を大気中で保存したときの熱重量
減少の経時変化をまとめたものである。
【0015】これらの結果より、本発明で示している化
合物以外は著しく気化特性が劣化していることが分か
る。
【0016】本発明の酸化物薄膜形成用金属錯体を使用
して薄膜を形成する場合、液相堆積法または気相堆積法
があるが、特に気相堆積法が好ましい。本発明の酸化物
薄膜形成用金属錯体を使用して薄膜を形成する場合、加
圧下または常圧下または減圧下が好ましい。本発明の酸
化物薄膜形成用金属錯体を使用して薄膜を形成する場
合、同伴ガスはヘリウム、アルゴン、窒素などがあり、
反応ガスは、酸素、水、亜酸化窒素、オゾンなどがあ
る。
【0017】
【実施例】以下、本発明を詳細に説明するが、本発明は
これらの例によってなんら限定されるものではない。 製造および実施例1 [Ba(DPM)(phen)]の製造例 1.7gの水酸化バリウム8水和物を溶解させた水溶液
中に2.2g1,10−フェナントロリン1水和物を溶
解させたエタノール溶液を室温で滴下し、撹拌混合した
後DPM2.2gを室温で滴下し,約1時間で反応を終
了させた。次に、この反応溶液に水を加え晶析、漉過し
て目的化合物9.2gを得た。更に、この目的化合物を
エタノールを用いて再結晶精製を行い8.5gの目的化
合物を回収した。
【0018】図4(a),(b)に合成直後と6カ月間
大気中室温でサンプル瓶中に保存していた[Ba(DP
M)(phen)]の熱重量減少値を示す。また図
1(a),(b)に合成直後と6カ月間大気中室温でサ
ンプル瓶中に保存していたBa(DPM)の熱重量減
少値を示す。[Ba(DPM)(phen)]が、
99.8wt%から94.3wt%の変化に対し、Ba
(DPM)は91.6wt%から約45.3wt%に
変化している。
【0019】製造および実施例2 [Ba(DPM)(18−crown−6)]の製造
例 15gの水酸化バリウム8水和物を溶解させた水溶液と
13gの18−クラウン−6−エーテルを溶解させたメ
タノール溶液を室温で6時間撹拌混合した後、DPM2
0gを室温で滴下し約3時間で反応を終了させた。次
に、この反応溶液からメタノールを減圧除去し晶析した
後、漉過して目的化合29gを得た。更に、この目的化
合物をメタノールを用いて再結晶精製を行い20gの目
的化合物を回収した。[Ba(DPM)(18−cr
own−6)]は、合成直後の熱重量減少値が97.
5wt%に対して,6カ月間、大気中でサンプル瓶中に
保存していたものは熱重量減少値が90.5wt%であ
った。
【0020】製造および実施例3 [Sr(DBM)(クリプタンド[3,2,2])] 2gの水酸化ストロンチウム8水和物を溶解させた水溶
液と4.2gのクリプタンド[3,2,2]を溶解させ
たメタノール溶液を45℃で6間撹拌混合した後、DB
M2.9gを室温で滴下し約3時間で反応を終了させ
た。次に、この反応溶液からメタノールを減圧除去し晶
析した後、漉過して目的化合物5.3gを得た。更に、
この目的化合物をメタノールを用いて再結晶精製を行い
3.4gの目的化合物を回収した。[Sr(DBM)
(クリプタンド[3,2,2])]は、熱重量減少値が
79.5wt%に対して,6カ月間、大気中でサンプル
瓶中に保存していたものは熱重量減少値が74.1wt
%であった。
【0021】製造および実施例4 [Sr(DPM)(4,13−diaza−18−c
rown−6)] 2.1gの水酸化バリウム8水和物を溶解させた水溶液
と2.4gの4,13−diaza−18−crown
−6−ether溶解させたメタノール溶液を室温で約
4時間撹拌混合した後、DPM3.8gを室温で滴下し
約3時間で反応を終了させた。次に、この反応溶液から
メタノールを減圧除去し晶析した後、漉過して目的化合
物4.1gを得た。更に、この目的化合物をメタノール
を用いて再結晶精製を行い2.7gの目的化合物を回収
した。[Sr(DPM)(4,13−diaza−1
8−crown−6)]は、熱重量減少値が94,8w
t%に対して、6カ月間、大気中でサンプル瓶中に保存
していたものは熱重量減少値が90.6wt%であっ
た。
【0022】製造および実施例5 [Ca(DPM)(phen)]製造例 30gの水酸化ナトリウムを溶解させた水溶液中にDP
M163gのメタノール溶液を室温で滴下し約1時間撹
拌後41.6gの塩化カルシウムを投入し約1時間撹拌
する。この反応溶液中に150gの1,10−フェナン
トロリンを氷冷下で滴下撹拌し室温に戻した後、約2時
間で反応を終了させた。次にこの反応溶液からメタノー
ルを減圧除去し晶析した後、漉過して目的化合物370
gを得た。更に、この目的化合物をメタノールを用いて
再結晶精製を行い340gの目的化合物を回収した。
[Ca(DPM)(phen)]は、COとの接
触前の熱重量減少値が99.99wt%に対してCO
との接触後の熱重量減少値が96.73wt%であっ
た。
【0023】実験例1 有機金属化学気相堆積法(以下MOCVD法という)の
装置を用い、MgO基板を反応室で800℃に加熱して
アルゴンをキャリアーガスとしてBa(DPM)
(phen)を気化させて導入した。さらにこの反応
室に同時に酸素を導入することで良好なBaO薄膜を形
成することが出来た。成膜速度は1〜10μm/hであ
った。
【0024】 Ba(DPM)(Phen)容器温度;200〜220℃ キャリアーガス流量 ;150sccm 酸素ガス流量 ;200sccm *sccmとはStandard Cublc Cen
timeter perMinuieの略で0℃、1気
圧における1分間に流れるガスの容積(cm)であ
る。
【0025】実験例2 MOCVD法用の装置を用い、MgO基板を750℃に
加熱してアルゴンをキャリアーガスとしてBa(DP
M) (18−crown−6)を気化させて導入し
た。ここで同時に酸素を導入することで良好なBaO薄
膜を形成することが出来た。成膜速度は1〜10μm/
hであった。
【0026】 Ba(DPM)2−(18−crown−6)容器温度;210〜230℃ キャリアーガス流量 ;150sccm
【0027】実験例3 MOCVD法用の装置を用い、SrTiO基板を反応
室で750℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガス
としてSr(DBM)(クリプタンド[3,2,
2])を気化させて導入した。ここで同時に酸素を導入
することで良好なSrO薄膜を形成することができた。
成膜速度は3〜15μm/hであった。
【0028】 Sr(DBM)(クリプタンド[3,2,2])容器温度;180〜200℃ キャリアーガス流量 ;150sccm 酸素流量 ;200sccm
【0029】実験例4 MOCVD法用の装置を用い、SrTiO基板を反応
室で800℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガス
としてSr(DPM)(4.13−dizzz−18
−crown−6)を気化させて導入した。ここで同時
に水蒸気を導入することで良好なSrO薄膜を形成する
ことができた。成膜速度は5〜20μm/hであった。
【0030】 Sr(DPM)(4,13−dizzz−18−crown−6)容器温度; 180〜200℃ キャリアーガス流量 ;200sccm 水蒸気流量 ;150sccm
【0031】実験例 5 MOCVD法用の装置を用い、MgO基板を反応室で7
00℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガスとして
Ca(DPM)(phen)を気化させて導入し
た。ここで同時に酸素を導入するこで良好なCaO薄膜
を形成することができた。成膜速度は5〜15μm/h
であった。
【0032】 Ca(DPM)(phen)容器温度;180〜201℃ キャリアーガス流量 ;150sccm 酸素流量 ;200sccm
【0033】
【発明の効果】本発明のアルカリ土類金属錯体を用いる
ことにより、大気中での取り扱いが可能となった。ま
た、化学気相堆積法において安定かつ再現性の高い薄膜
形成が可能となり、産業上極めて有利である。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は、従来のBa(DPM)の合成直後
の熱重量減少(%)を示し、(b)は、6カ月間大気中
に室温でサンプル管中に保存していた同化合物の熱重量
減少(%)を示す線図である。
【図2】(a)は、EUROPIAN PATENT
APPLICATION90201485.1に記載さ
れている[Ba(CFC(O)CHC(O)CF
(CHOCOCHの合成直後の熱重量
減少(%)を示し、(b)は、6カ月間大気中に室温で
サンプル管中に保存していた同化合物の熱重量減少
(%)を示す線図である。
【図3】Ba(DPM)にいろいろな配位子を付加さ
せた化合物を大気中で保存したときの熱重量減少の経時
変化をまとめた線図である。
【図4】(a)は、本発明の製造例1における[Ba
(DPM)(phen)]の合成直後の熱重量減少
(%)を示し、(b)は、6カ月間大気中に室温でサン
プル管中に保存していた同化合物の熱重量減少(%)を
示す線図である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 (式中Mはアルカリ土類金属であり、R,R
    ,Rは同一か又は異なる低級アルキル基および/
    または芳香族基を示す)で示されるアルカリ土類金属錯
    体とオルトフェナントロリン誘導体の付加体またはクラ
    ウンエーテル類の付加体から成ることを特徴とする酸化
    物薄膜形成用金属錯体。
  2. 【請求項2】該アルカリ土類金属がバリウム、ストロン
    チウム、カルシウム、マグネシウムである請求項1の酸
    化物薄膜形成用金属錯体。
JP32496991A 1991-10-08 1991-10-08 大気中で安定なアルカリ土類金属錯体 Expired - Fee Related JPH08974B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32496991A JPH08974B2 (ja) 1991-10-08 1991-10-08 大気中で安定なアルカリ土類金属錯体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32496991A JPH08974B2 (ja) 1991-10-08 1991-10-08 大気中で安定なアルカリ土類金属錯体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0598444A true JPH0598444A (ja) 1993-04-20
JPH08974B2 JPH08974B2 (ja) 1996-01-10

Family

ID=18171653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32496991A Expired - Fee Related JPH08974B2 (ja) 1991-10-08 1991-10-08 大気中で安定なアルカリ土類金属錯体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08974B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6117487A (en) * 1998-04-02 2000-09-12 Asahi Denka Kogyo Kabushiki Kaisha Process for forming metal oxide film by means of CVD system
CN115838186A (zh) * 2022-10-26 2023-03-24 东部超导科技(苏州)有限公司 一种锶掺杂钡源及其制备方法与在制备高温超导带材中的应用

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6117487A (en) * 1998-04-02 2000-09-12 Asahi Denka Kogyo Kabushiki Kaisha Process for forming metal oxide film by means of CVD system
CN115838186A (zh) * 2022-10-26 2023-03-24 东部超导科技(苏州)有限公司 一种锶掺杂钡源及其制备方法与在制备高温超导带材中的应用
CN115838186B (zh) * 2022-10-26 2024-05-28 东部超导科技(苏州)有限公司 一种锶掺杂钡源及其制备方法与在制备高温超导带材中的应用

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08974B2 (ja) 1996-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1698614B1 (en) Metal compound, material for forming thin film and method for preparing thin film
US5248787A (en) Volatile organic barium, strontium and calcium compounds
US6111124A (en) Lewis base adducts of anhydrous mononuclear tris(β-diketonate) bismuth compositions for deposition of bismuth-containing films, and method of making the same
JP2000212744A (ja) ルテニウム系薄膜
EP1027358B1 (en) Anhydrous mononuclear tris(beta-diketonate) bismuth compositions for deposition of bismuth-containing films, and method of making the same
JP2004507551A5 (ja)
JP2004507551A (ja) ソース材料組成物および化学的蒸着法による基板上への金属膜形成方法
EP0527661A1 (en) Metal beta-diketonates
US5641540A (en) Preparation method for lead-zirconium-titanium based thin film
JP5214191B2 (ja) 薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
JP4823069B2 (ja) 金属化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
JPH0598444A (ja) 大気中で安定なアルカリ土類金属錯体
US5319118A (en) Volatile barium precursor and use of precursor in OMCVD process
US5786025A (en) Ba and/or Sr titanate films by organic chemical vapor deposition
JPH0822863B2 (ja) 新規薄膜形成用金属錯体
KR100648786B1 (ko) 화학 기상 성장용 구리 원료 및 이것을 이용한 박막의제조방법
JPH08975B2 (ja) 酸化物薄膜形成用金属アセチルアセトナト錯体
JP3505192B2 (ja) 化学気相析出法による薄膜形成用組成物
KR100186947B1 (ko) 이소프로필산디메틸알루미늄의 제조방법
JPH04134044A (ja) 薄膜形成用金属錯体
JPH05117855A (ja) 化学気相析出用の有機金属化合物溶液
KR100298129B1 (ko) (바륨,스트론튬)삼산화티탄박막의제조방법
JP2007290993A (ja) イソプロピル基又はイソブチル基を有するβ−ジケトナトを配位子とするストロンチウム錯体及び当該ストロンチウム錯体を用いた金属含有薄膜の製造法
JP3223800B2 (ja) タンタル化合物
KR20010091854A (ko) 바륨 또는 스트론튬 착체

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19960625

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees