JPH0822834B2 - 2−ケト−3−デオキシアルドン酸誘導体,およびその製造方法 - Google Patents

2−ケト−3−デオキシアルドン酸誘導体,およびその製造方法

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JPH0822834B2
JPH0822834B2 JP61310304A JP31030486A JPH0822834B2 JP H0822834 B2 JPH0822834 B2 JP H0822834B2 JP 61310304 A JP61310304 A JP 61310304A JP 31030486 A JP31030486 A JP 31030486A JP H0822834 B2 JPH0822834 B2 JP H0822834B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は2−ケト−3−デオキシアルドン酸誘導体お
よびその製造方法に関するものである。
2−ケト−3−デオキシアルドン酸は天然にも見ら
れ、生理活性のある糖、例えばシアル酸,2−ケト−3−
デオキシ−D−マンノ−オクトン酸(KDO)などにその
製造が見られる。このうちKDOがグラム陰性菌等のリポ
多糖中に多く見られ、その生理活性が注目されている。
従来知られている製造方法としてKuhnらの方法(R,Ku
hn and G.Baschang,Ann.Chem.,659巻,156頁(1962
年)),Collinsらの方法(P.M.Collins,W.G.Overend,an
d T.Shing,J.Chem.Soc.,Chem.Commun.,1981年,1139頁)
などがあるが、いずれも目的とは異なる立体異性体が同
時に生成する、生成物の収率が低い、製造工程が多い等
の欠点があり、工業的製造は困難である。
本発明者らは上記の事情に鑑み鋭意研究した結果、特
定のリン化合物を用いることにより目的に達し得ること
を知り本発明に到達した。
すなわち、本発明の要旨は、2−ケト−3−デオキシ
アルドン酸誘導体(I)、およびアルドース誘導体(I
I)と特定のリン化合物(III)を反応させることを特徴
とする2−ケト−3−デオキシアルドン酸誘導体の製造
方法に関するものである。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明で原料のひとつとして使用されるアルドース誘
導体(II)としては、周知のアルドース誘導体を使用す
ることが出来る。これらアルドース誘導体にはC−1位
がヘミアセタール結合している誘導体と、アルデヒド遊
離の誘導体が存在するが、そのいずれも使用できる。具
体的にこれらの糖としてはリボース,アラビノース,ガ
ラクトース,マンノース,グリコース等を使用すること
が出来る。また水酸基以外にアミノ基,アジド基を含む
アルドースを使用することも出来る。具体的にこれらの
糖としてはグルコサミン,マンノサミン等を使用するこ
とが出来る。これらのアルドースはD−,L−,およびそ
れらの混合物のいずれも使用することが出来る。これら
のアルドースは有機溶媒に溶解しやすくするため、およ
びアルデヒドが遊離しているアルドースではC−1位の
アルデヒドを遊離させるため水酸基,あるいはアミノ基
を保護することが好ましい。保護には周知の方法を使用
することが出来る。水酸基の保護基としてはアシル基,
アセタール基,エーテル基,カーボネート基,アルキル
基,シリル基等を挙げることが出来る。具体的にはアセ
チル基,イソプロピリデン基,ベンジル基,t−ブチルジ
メチルシリル基,ベンジリデン基,エトキシエチル基,
メトキシメチル基,メトキシエチル基,トリクロロ−t
−ブチロキシカルボニル基等が使用することが出来る。
またアミノ基の保護基としてはアミド基,ウレタン基等
を挙げることが出来る。具体的にはアセチル基,ベンジ
ルオキシカルボニル基,フタロイル基等を使用出来る。
本発明の原料のひとつであるリン化合物(III)ではR
1およびR3はメチル基,エチル基,n−プロピル基,イソ
プロピル基,n−ブチル基,t−ブチル基等のアルキル基,
フェニル基等のアリール基,あるいはベンジル基等のア
ラルキル基を用いることが出来る。またR2は前記した周
知の水酸基の保護基を用いることが出来る。
アルドース誘導体(II)とリン化合物(III)の反応
の際に用いる塩基としては周知の無機,有機塩基を用い
ることが出来る。具体的には炭酸カリウム,炭酸水素カ
リウム,フッ化カリウム等のカリウム塩,炭酸ナトリウ
ム,炭酸水素ナトリウム,水素化ナトリウム、ナトリウ
ムメチラート,ナトリウムエチラート等のナトリウム
塩,リチウムビストリメチルシリルアミド,リチウムジ
イソプロピルアミド,水酸化リチウム等のリチウム塩,
1,8−ジアザビシクロ〔5,4,0〕ウンデセン−7,トリエチ
ルアミン等の3級アミン等を用いることが出来る。好ま
しくはアルドース誘導体(II)としてC−1位がヘミア
セタール結合の場合には炭酸カリウムを、またアルデヒ
ドが遊離の場合にはリチウムビストリメチルシリルアミ
ド,リチウムジイソプロピルアミド,1,8−ジアザビシク
ロ〔5,4,0〕ウンデセン−7を使用する。また3級アミ
ン類を用いる場合には反応系にアルカリ金属塩を加える
ことにより収率を上げることが可能である。アルカリ金
属塩としては、塩化リチウム,フッ化リチウム,過塩素
酸リチウム等のリチウム塩,塩化カリウム,フッ化カリ
ウム,臭化カリウム等のカリウム塩,塩化ナトリウム,
フッ化ナトリウム,臭化ナトリウム等のナトリウム塩等
を挙げることが出来るが、好ましくはリチウム塩を使用
する。特に塩化リチウムが有効である。
化合物(II)とリン化合物(III)を反応させる条件
には特に制限はない。通常この両者を反応させる際の両
者、および塩基のモル比は化合物(II)に対して、化合
物(III),および塩基を過剰量使用するが、2〜3倍
モル以下程度使用することが好ましい。
反応の際、使用する溶媒としては周知のものを使用出
来る。具体的にはメタノール,エタノール,イソプロパ
ノール,プロパノール,t−ブタノール,3−ペンタノー
ル,シクロヘキサノール,シクロペンタノール,ベンゼ
ン,トルエン,キシレン,ジエチルエーテル,ジオキサ
ン,テトラハイドロフラン(THF),クロロホルム,塩
化メチレン,アセトニトリル,酢酸エチル,ジメチルホ
ルムアミド(DMF),ジメチルアセトアミド(DMAc),
ジメチルスルホキサイド(DMSO)等が挙げることが出来
る。特に化合物(II)としてC−1位がヘミアセタール
結合のアルドース誘導体を用いる場合にはアルコール系
溶媒,あるいはO−キシレンが好ましい。一方化合物
(II)としてアルデヒドが遊離のアルドース誘導体を使
用する場合にはエーテル系溶媒,特にTHF,ジエチルエー
テルが好ましい。
ここでアルコール系溶媒を使用した際には、リン化合
物(III)のR1がエステル交換され、得られた化合物
(I)のR1と異なっている場合があるが、何ら支障はな
い。
反応温度は−100℃から180℃まで特に制限はない。し
かし好ましい反応温度は使用する塩基の種類に依存して
いる。例えばリチウムビストリメチルシリルアミド,リ
チウムジイソプロピルアミドでは−80℃から室温程度、
1,8−ジアザビシクロ〔5,4,0〕ウンデセン−7では−20
℃から50℃程度、特に室温付近が好ましい。また無機塩
基では50℃から180℃程度の範囲が好ましい。
反応時間は、10分から20時間まで特に制限はない。し
かし好ましい反応時間は使用する塩基の種類に依存して
いる。例えばリチウムビストリメチルシリルアミド,リ
チウムジイソプロピルアミドでは30分から3時間程度、
1,8−ジアザビシクロ〔5,4,0〕ウンデセン−7では12時
間から20時間程度が好ましい。また無機塩基では30分か
ら20時間程度が好ましい。
前記した様に2−ケト−3−デオキシアルドン酸は生
理的に重要な糖であり、かつ医薬品、あるいは農薬品等
の有用な合成中間原料として重要である。本発明はこの
様な2−ケト−3−デオキシアルドン酸を収率良く、安
定な誘導体として一段階で生成出来、立体異性体の生成
もないという利点を有する。また生成した化合物(I)
は容易に、例えば加水分解等により2−ケト−3−デオ
キシアルドン酸になることが出来るばかりか、合成中間
原料としても価値の高い誘導体である。この様に本発明
は多くの利点を有しており、その工業的価値は大であ
る。
以下に実施例,参考例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例
により何等の限定も受けるものではない。
参考例1. 〔メチル(ジメトキシホスホリル)ヒドロキシアセテー
トの合成〕 酒石酸ジメチル(24.4g,117mmole)をTHF(100ml)に
溶解し、氷冷下メタ過ヨウ素酸129.58g,128mmole)を加
える。1時間後室温にもどした後に沈澱を別し、液
を硫酸マグネシウム,炭酸カリウムで乾燥する。乾燥剤
を別後液を濃縮し残渣を減圧蒸留(50〜55℃/30mmH
g)してメチルグリオキザレート(12.79g)を得る。こ
れを亜リン酸ジメチル(13.49g,119mmole),p−トルエ
ンスルホン酸(0.067g)といっしょにベンゼン(110m
l)に溶解し、ディーン・スタークセパレーター下2時
間還流する。さらに亜リン酸ジメチル(1.18g)を加
え、12時間還流後、溶液を濃縮し残渣を酢酸エチル−エ
ーテルより結晶化し、メチル(ジメトキシホスホリル)
ヒドロキシアセテート(13.85g,51%)を得る。 1H−N
MR(CDCl3)δ2.70(3H,S),2.77(3H,S),2.88(3H,
S),4.57(1H,d,J=11.0Hz),6.90(1H,m) 参考例2. 参考例1で得たリン化合物(8g,40.0mmole)をピリジ
ン(5ml)と塩化メチレン(25ml)との混合溶液に溶解
し、氷冷下トリクロロ−t−ブチロキシカルボニルクロ
ライド(12.5g)の塩化メチレン(5ml)溶液を20分で滴
下する。滴下後15分攪拌した後、有機層を10%HCl,5%N
aHCO3,食塩水で洗い、硫酸ナトリウムで乾燥する。乾
燥剤を別した後、生成物をカラムクロマトで精製し、
メチル(ジメトキシホスホリル)トリクロロ−t−ブチ
ロキシカルボニルオキシアセテート(13.23g,85%)を
得る。
1H−NMR(CDCl3)δ1.93(6H,S),3.77(3H,S),3.83
(3H,S),3.95(3H,S),5.35(1H,d,J=18.0Hz) 参考例3. 参考例1で得たリン化合物(0.198g,1mmole)をシク
ロヘキサン−塩化メチレン(8ml−4ml)に加えた後、ベ
ンジルトリクロロアセトイミデート(0.505g,2mmol
e),トリフルオロメタンスルホン酸(0.05ml)を加え1
8時間室温で攪拌する。反応液を塩化メチレン−水で抽
出し、有機層を硫酸ナトリウムで乾燥する。乾燥剤を除
去した後生成物はカラムクロマトで精製し、メチル(ジ
メトキシホスホリル)ベンジルオキシアセテート(0.15
8g,55%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ3.67(3H,S),3.73(3H,S),3.83
(3H,S),4.22−4.85(3H,m),7.25(5H,S) 参考例4. 参考例1で得たリン化合物(0.198g,1mmole)をジメ
チルホルムアミド(DMF)(1ml)に溶解した後、t−ブ
チルジメチルシリルクロライド(0.181g,1.2mmole)お
よびイミダゾール(0.0816g,1.2mmole)を加え、室温で
16時間攪拌する。その後反応液をエーテル−水で抽出
し、有機層を硫酸ナトリウムで乾燥する。乾燥剤を別
後、生成物をカラムクロマトで精製し、メチル(ジメト
キシホスホリル)−t−ブチルジメチルシロキシアセテ
ート(0.255g,82%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ0.13(6H,S),0.93(9H,S),3.70
(3H,S),3.77(3H,S),3.88(3H,S),4.58(1H,d,J=1
8.0Hz) 参考例5. 参考例1で得たリン化合物(0.792g,4mmole),無水
酢酸(10ml)に、酸性イオン交換樹脂を加え、55℃で一
晩加熱する。加熱後反応溶液を氷水に注いだ後、これを
エーテルで抽出する。有機層を10%HCl,5%NaHCO3,水
で洗い、硫酸ナトリウムで乾燥する。乾燥剤を別した
後、生成物をカラムクロマトで精製し、メチル(ジメト
キシホスホリル)アセトキシアセテート(0.126g,13
%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ2.20(3H,S),3.75(3H,S),3.78
(3H,S),3.92(3H,S),5.43(1H,d,J=17.0Hz) 参考例6. 参考例1で得たリン化合物(24g,121.2mmole)をクロ
ロホルム(150ml)とジメトキシメタン(200ml)との混
合溶液に溶解し、氷冷下五酸化リン(200g)を加える。
室温で15分間振とうし、ろ過後冷水で洗い、硫酸ナトリ
ウムで乾燥する。乾燥剤を別した後、生成物をカラム
クロマトで精製し、メチル(ジメトキシホスホリル)メ
トキシメトキシアセテート(16.5g,56%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ3.43(3H,S),3.78(3H,S),3.83
(3H,S),3.97(3H,S),4.63(1H,d,J=19.0Hz),4.73
(2H,S) 参考例7. 参考例1で得たリン化合物(2g,10.1mmole)をエチル
ビニルエーテル(20ml)に溶解し、触媒量のp−トルエ
ンスルホン酸を加え、1時間攪拌する。反応液を塩化メ
チレン−水で抽出し、有機層を硫酸ナトリウムで乾燥す
る。乾燥剤を別した後、生成物をカラムクロマトで精
製し、メチル(ジメトキシホスホリル)2−エトキシエ
トキシアセテート(1.77g,65%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ0.97〜1.47(6H,m),3.73(3H,
S),3.78(3H,S),3.90(3H,S),4.20〜5.0(2H,m) 参考例8. 参考例1で得たリン化合物(1.18g,6mmole)を塩化メ
チレン(20ml)に溶解し、3,4−ジヒドロピラン(2.5
g)の塩化メチレン溶液(5ml)を加える。氷冷下触媒量
のp−トルエンスルホン酸を加え、1時間攪拌する。反
応液を塩化メチレン−水で抽出し、有機層を硫酸ナトリ
ウムで乾燥する。乾燥剤を別した後、生成物をカラム
クロマトで精製し、メチル(ジメトキシホスホリル)テ
トラヒドロピラニルオキシアセテート(0.82g,49%)を
得る。
1H−NMR(CDCl3)δ1.30〜2.00(6H,m),3.30〜4.10
(11H,m),4.47〜5.10(2H,m) 参考例9. 参考例3で得たリン化合物(0.136g,0.47mmole)をア
ルゴン雰囲気下、2−プロパノール(3ml)、チタン(I
V)イソプロポキシドを触媒量加えた後、2時間加熱還
流を行なう。反応液を塩化メチレン−水で抽出し、有機
層を硫酸ナトリウムで乾燥する。乾燥剤を別した後、
生成物を薄層クロマトで精製し、2−プロピル(ジメト
キシホスホリル)ベンジルオキシアセテート(0.083g,5
6%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ1.25(6H,d,J=6Hz),3.60(3H,
S),3.78(3H,S),4.25(1H,d,J=19Hz),4.60(2H,d,J
=5Hz),5.02(1H,m),7.17(5H,S) 参考例10 参考例3で得たリン化合物(0.091g,0.32mmole)をア
ルゴン雰囲気下、1−プロパノール(3ml)、チタン(I
V)イソプロポキシドを触媒量加えた後、3時間加熱還
流を行なう。以後は参考例9と同様の処理を行ない、1
−プロピル(ジメトキシホスホリル)ベンジルオキシア
セテート(0.094g,94%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ0.93(3H,t),1.63(2H,m),3.67
(3H,S),3.85(3H,S),4.17(2H,t),4.32(1H,d,J=1
9Hz),4.63(2H,d,J=5Hz)7.23(5H,S) 実施例1 (式中Bnがベンジル基を示す。) リチウムビストリメチルシリルアミド(0.776mmole)
のTHF(2ml)溶液を−78℃とした後に参考例4で得たリ
ン化合物(0.846mmole)のTHF(1ml)溶液を加え10分間
攪拌する。その−78℃の溶液に2,3,4,5,6−ペンタ−O
−ベンジル−アルデヒド−D−マンノース(0.705mmol
e)のTHF(7ml)溶液を10分間で滴下する。−78℃で2
時間、0℃で3時間攪拌の後、反応液をエーテル−水で
抽出し、有機層を硫酸ナトリウムで乾燥する。乾燥剤を
別後生成物をカラムクロマトで精製し、メチル3−デ
オキシ−2−O−t−ブチルジメチルシリル−4,5,6,7,
8−ペンタ−O−ベンジル−D−マンノオクト−2−エ
ン−アルドネート(0.465mmole,66%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ5.58(d,J=9Hz) 実施例2 リチウムビストリメチルシリルアミド(0.221mmol
e),参考例2で得たリン化合物(0.225mmole)、2,3,
4,5,6−ペンタ−O−ベンジル−アルデヒド−D−マン
ノース(0.201mmole)を用い、実施例1と同様の操作に
よりメチル3−デオキシ−2−O−トリクロロ−t−ブ
チロキシカルボニル−4,5,6,7,8−ペンタ−O−ベンジ
ル−D−マンノオクト−2−エン−アルドネート(0.46
5mmole,56%)を得る。
1H−NMR,δ6.15(d,J=10Hz),6.57(d,J=8Hz) 実施例3 参考例3で得たリン化合物(0.173mmole),塩化リチ
ウム(0.173mmole)をTHF(2ml)に溶解した後に1,8−
ジアザビシクロ〔5,4,0〕ウンデセン−7(0.159mmol
e)のTHF(0.6ml)溶液を加え室温で10分攪拌する。こ
れに2,3,4,5,6−ペンタ−O−ベンジル−アルデヒド−
D−マンノース(0.144mmole)のTHF(1.2ml)溶液を加
えた後、室温で16時間攪拌する。反応液をエーテル−水
で抽出し、有機層を硫酸ナトリウムで乾燥する。乾燥剤
を別後生成物をカラムクロマトで精製し、メチル3−
デオキシ−2,4,5,6,7,8−ヘキサ−O−ベンジル−D−
マンノオクト−2−エン−アルドネート(0.072mmole,5
0%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ5.31(d,J=8Hz) 実施例4 リチウムビストリメチルシリルアミド(0.660mmole)
参考例2で得たリン化合物(0.720mmole)2,3,4,5,6−
ペンタ−O−アセチル−アルデヒド−D−マンノース
(0.600mmole)を用い、実施例1と同様の操作により、
メチル3−デオキシ−2−O−トリクロロ−t−ブチロ
キシカルボニル−4,5,6,7,8−ペンタ−O−アセチル−
D−マンノオクト−2−エン−アルドネート(0.336mmo
le,56%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ6.17(d,J=6Hz),6.31(d,J=7H
z) 実施例5 リチウムビストリメチルシリルアミド(0.660mmol
e),参考例4で得たリン化合物(0.720mmole),2,3,4,
5,6−ペンタ−O−アセチル−アルデヒド−D−マンノ
ース(0.600mmole)を用い、実施例1と同様の操作によ
りメチル3−デオキシ−2−O−t−ブチルジメチルジ
リル−4,5,6,7,8−ペンタ−O−アセチル−D−マンノ
オクト−2−エン−アルドネート(0.408mmole,68%)
を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ6.10(d,J=7Hz)6.24(d,J=7H
z) 実施例6 参考例3で得たリン化合物(0.248mmole)をエタノー
ル(2ml)に溶解し、炭酸カリウム(0.599mmole)及び
2,3,4,6−テトラ−O−ベンジル−D−グルコース(0.1
96mmole)を加える。16時間加熱還流後、反応液を塩化
メチレン−水で抽出し、有機層を硫酸ナトリウムで乾燥
する。乾燥剤を別後生成物を薄層クロマトで精製し、
エチル3−デオキシ−2,4,5,6,8−ペンタ−O−ベンジ
ル−D−グルコオクト−2−エン−アルドネート(0.06
8mmole,35%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ5.45(1H,d,J=9Hz) 実施例7 参考例3で得たリン化合物(0.27mmole)を1−プロ
パノール(2ml)に溶解し、炭酸カリウム(0.649mmol
e)及び2,3,4,6−テトラ−O−ベンジル−D−グルコー
ス(0.214mmole)を加える。以後実施例6と同様の操
作,処理を行ない、1−プロピル3−デオキシ−2,4,5,
6,8−ペンタ−O−ベンジル−D−グルコオクト−2−
エン−アルドネート(0.089mmole,42%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ5.48(1H,d,J=10Hz) 実施例8 参考例3で得たリン化合物(0.332mmole)を2−プロ
パノール(2ml)に溶解し、炭酸カリウム(0.796mmol
e)及び2,3,4,6−テトラ−O−ベンジル−D−グルコー
ス(0.26mmole)を加える。以後実施例6と同様の操
作,処理を行ない、2−プロピル3−デオキシ−2,4,5,
6,8−ペンタ−O−ベンジル−D−グルコオクト−2−
エン−アルドネート(0.121mmole,46%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ5.50(1H,d,J=9Hz) 実施例9 参考例3で得たリン化合物(0.213mmole)を1−ブタ
ノール(2ml)に溶解し、炭酸カリウム(0.522mmole)
及び2,3,4,6−テトラ−O−ベンジル−D−グルコース
(0.169mmole)を加える。以後実施例6と同様の操作,
処理を行ない、1−ブチル3−デオキシ−2,4,5,6,8−
ペンタ−O−ベンジル−D−グルコオクト−2−エン−
アルドネート(0.068mmole,46%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ5.42(1H,d,J=10Hz) 実施例10 参考例3で得たリン化合物(0.312mmole)を2−メチ
ル−2−プロパノール(2ml)に溶解し、炭酸カリウム
(0.761mmole)及び2,3,4,6−テトラ−O−ベンジル−
D−グルコース(0.247mmole)を加える。以後実施例6
と同様の操作,処理を行ない、メチル3−デオキシ−2,
4,5,6,8−ペンタ−O−ベンジル−D−グルコオクト−
2−エン−アルドネート(0.048mmole,20%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ5.48(1H,d,J=9Hz) 実施例11 参考例3で得たリン化合物(0.354mmole)を2−メチ
ル−2−プロパノール(2ml)に溶解し、水素化ナトリ
ウム(1.04mmole)及び2,3,4,6−テトラ−O−ベンジル
−D−グルコース(0.282mmole)を加え、30℃で1時間
30分攪拌する。水(3ml)を加え、以後実施例6と同様
の操作,処理を行ない2−メチル−2−プロピル3−デ
オキシ−2,4,5,6,8−ペンタ−O−ベンジル−D−グル
コオクト−2−エン−アルドネート(0.036mmole,13
%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ5.47(1H,d,J=9Hz) 実施例12 参考例4で得たリン化合物(0.263mmole)を2−プロ
パノール(2ml)に溶解し、炭酸カリウム(0.64mmole)
及び2,3,4,6−テトラ−O−ベンジル−D−グルコース
(0.206mmole)を加え、3時間加熱還流する。以後実施
例6と同様の操作,処理を行ない、メチル3−デオキシ
−2−O−t−ブチルジメチルシリル−4,5,6,8−テト
ラ−O−ベンジル−D−グルコオクト−2−エン−アル
ドネート(0.022mmole,10%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ5.38(1H,d,J=9Hz) 実施例13 参考例6で得たリン化合物(0.714mmole)を2−プロ
パノール(8ml)に溶解し、炭酸カリウム(1.08mmole)
及び2,3:5,6−ジ−O−イソプロピリデン−D−マンノ
ース(0.355mmole)を加える。以後実施例6と同様の操
作,処理を行ない2−プロピル3−デオキシ−2−O−
メトキシメチル−4,5:7,8−ジ−O−イソプロピリデン
−D−マンノオクト−2−エン−アルドネート(0.121m
mole,34%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ6.12(1H,d,J=8Hz) 実施例14 参考例7で得たリン化合物(0.615mmole)を2−プロ
パノール(8ml)に溶解し、炭酸カリウム(0.935mmol
e)及び2,3:5,6−ジ−O−イソプロピリデン−D−マン
ノース(0.311mmole)を加える。以後実施例6と同様の
操作,処理を行ない、2−プロピル3−デオキシ−2−
O−2−エトキシエチル−4,5:7,8−ジ−O−イソプロ
ピリデン−D−マンノオクト−2−エン−アルドネート
(0.066mmole,21%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ6.10(1H,d,J=9Hz) 実施例15 参考例6で得たリン化合物(0.465mmole)をシクロヘ
キサノール(3ml)に溶解し、炭酸カリウム(0.7mmol
e)及び2,3:5,6−ジ−O−イソプロピリデン−D−マン
ノース(0.358mmole)を加えて20分加熱還流する。以後
実施例6と同様の操作,処理を行ない、シクロヘキシル
3−デオキシ−2−O−メトキシメチル−4,5:7,8−ジ
−O−イソプロピリデン−D−マンノオクト−2−エン
−アルドネート(0.137mmole,38%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ6.23(1H,d,J=9Hz) 実施例16 参考例6で得たリン化合物(0.404mmole)をシクロペ
ンタノール(2ml)に溶解し、炭酸カリウム(0.612mmol
e)及び2,3:5,6−ジ−O−イソプロピリデン−D−マン
ノース(0.317mmole)を加えて30分加熱還流する。以後
実施例6と同様の操作,処理を行ない、シクロペンチル
3−デオキシ−2−O−メトキシメチル−4,5:7,8−ジ
−O−イソプロピリデン−D−マンノオクト−2−エン
−アルドネート(0.177mmole,58%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ6.18(1H,d,J=9Hz) 実施例17 参考例3で得たリン化合物(0.249mmole)を2−プロ
パノール(2ml)に溶解し、炭酸カリウム(0.608mmol
e)及び2,3:5,6−ジ−O−イソプロピリデン−D−マン
ノース(0.2mmole)を加える。以後実施例6と同様の操
作,処理を行ない、2−プロピル3−デオキシ−2−O
−ベンジル−4,5:7,8−ジ−O−イソプロピリデン−D
−マンノオクト−2−エン−アルドネート(0.043mmol
e,22%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ6.08(1H,d,J=9Hz) 実施例18 参考例8で得たリン化合物(0.949mmole)をシクロペ
ンタノール(3ml)に溶解し、炭酸カリウム(1.48mmol
e)及び2,3:5,6−ジ−O−イソプロピリデン−D−マン
ノース(0.73mmole)を加えて30分加熱還流する。以後
実施例6と同様の操作,処理を行ないシクロペンチル3
−デオキシ−2−O−テトラヒドロピラリル−4,5:7,8
−ジ−O−イソプロピリデン−D−マンノオクト−2−
エン−アルドネート(0.179mmole,25%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ6.05(1H,d,J=9Hz) 実施例19 参考例9で得たリン化合物(0.271mmole)を2−プロ
パノール(2ml)に溶解し、炭酸カリウム(0.523mmol
e)及び2,3,4,6−テトラ−O−ベンジル−D−グリコー
ス(0.172mmole)を加える。以後実施例6と同様の操
作,処理を行ない、2−プロピル3−デオキシ−2,4,5,
6,8−ペンタ−O−ベンジル−D−グルコオクト−2−
エン−アルドネート(0.118mmole,69%)を得る。物性
値は実施例8と一致した。
実施例20 参考例10で得たリン化合物(0.275mmole)を1−プロ
パノール(3ml)に溶解し、炭酸カリウム(0.666mmol
e)及び2,3,4,6−テトラ−O−ベンジル−D−グリコー
ス(0.218mmole)を加える以後実施例6と同様の操作,
処理を行ない、1−プロピル3−デオキシ−2,4,5,6,8
−ペンタ−O−ベンジル−D−グルコオクト−2−エン
−アルドネート(0.11mmole,50%)を得る。物性値は実
施例7と一致した。
実施例21 リチウムビストリメチルシリルアミド(2.38mmol
e),参考例7で得たリン化合物(2.60mmole),2,3,4,
5,6−ペンタ−O−アセチル−アルデヒド−D−マンノ
ース(2.17mmole)を用い、実施例1と同様の操作によ
りメチル3−デオキシ−4,5,6,7,8−ペンタ−O−アセ
チル−2−O−エトキシエチル−D−マンノオクト−2
−エン−アルドネート(0.888mmole,41%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ6.10(d,J=10Hz)
δ6.26(d,J=8Hz) 実施例22 リチウムビストリメチルシリルアミド(0.310mmol
e),参考例4で得たリン化合物(0.338mmole),4,6−
ジ−O−アセチル−2,3,5−トリ−O−ベンジル−アル
デヒド−D−マンノース(0.282mmole)を用い、実施例
1と同様の操作によりメチル3−デオキシ−6,8−ジ−
O−アセチル−5,6,7−トリ−O−ベンジル−2−O−
t−ブチルジメチルシリル−D−マンノオクト−2−エ
ン−アルドネート(0.192mmole,68%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ5.73(1H,d,J=9Hz) 実施例23 リチウムビストリメチルシリルアミド(1.88mmol
e),参考例2で得たリン化合物(1.71mmole),4,6−ジ
−O−アセチル−3,4,6−トリ−O−ベンジル−アルデ
ヒド−D−マンノース(1.55mmole)を用い、実施例1
と同様の操作によりメチル3−デオキシ−6,8−ジ−O
−アセチル−4,5,7−トリ−O−ベンジル−2−O−ト
リクロロ−t−ブチロキシカルボニル−D−マンノオク
ト−2−エン−アルドネート(0.961mmole,62%)を得
る。
1H−NMRδ6.20(d,J=9Hz) δ6.55(d,J=9Hz) 実施例24 リチウムビストリメチルシリルアミド(0.373mmol
e),参考例4で得たリン化合物(0.407mmole),2,3,5
−トリ−O−ベンジル−4,6−ジ−O−クロロアセチル
−アルデヒド−D−マンノース(0.369mmole)を用い、
実施例1と同様の操作によりメチル3−デオキシ−4,5,
7−トリ−O−ベンジル−6,8−ジ−O−クロロアセチル
−2−O−t−ブチルジメチルシリル−D−マンノオク
ト−2−エン−アルドネート(0.118mmole,32%)を得
る。
1H−NMR(CDCl3)δ5.70(d,J=9Hz) 実施例25 リチウムビストリメチルシリルアミド(0.665mmol
e),参考例4で得たリン化合物(0.610mmole)、4−
デオキシ−4−アジド−2,3:5,6−ジ−O−イソプロピ
リデン−アルデヒド−D−ガラクトース(0.554mmole)
を用い、実施例1と同様の操作によりメチル3,6−ジ−
デオキシ−6−アジド−4,6:7,8−ジ−O−イソプロピ
リデン−2−O−t−ブチルジメチルシリル−D−ガラ
クトオクト−2−エン−アルドネート(0.418mmole,77
%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ5.39(d,J=9Hz) 実施例26 参考例4で得たリン化合物(0.638mmole)、塩化リチ
ウム(0.584mmole)、1,8−ジアザビシクロ〔5,4,0〕ウ
ンデセン−7(0.584mmole)、2−ベンジルオキシカル
ボニルアミノ−2−デオキシ−3,4:5,6−ジ−O−イソ
プロピリデン−アルデヒド−D−グルコース(0.531mmo
le)を用い、実施例3と同様の操作によりメチル3,4−
ジ−デオキシ−4−ベンジルオキシカルボニルアミノ−
5,6:7,8−ジ−O−イソプロピリデン−2−O−t−ブ
チルジメチルシリル−D−グルコオクト−2−エン−ア
ルドネート(0.0608mmole,11%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ5.17(d,J=14Hz) 実施例27 リチウムビストリメチルシリルアミド(1.76mmole)
参考例4で得たリン化合物(1.88mmole),2−O−アセ
チル−3,4:5,6−ジ−O−イソプロピリデン−アルデヒ
ド−D−マンノース(1.16mmole)を用い、実施例1と
同様の操作によりメチル3−デオキシ−4−O−アセチ
ル−5,6:7,8−ジ−O−イソプロピリデン−2−O−t
−ブチルジメチルシリル−D−マンノオクト−2−エン
−アルドネート(0.289mmole,25%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ5.40(d,J=10Hz) 実施例28 リチウムビストリメチルシリルアミド(0.624mmol
e)、参考例4で得たリン化合物(0.682mole)、2,3,5
−トリ−O−ベンジル−4,6−O−ベンジリデン−アル
デヒド−D−マンノース(0.496mmole)を用い、実施例
1と同様の操作によりメチル3−デオキシ−4,5,7−ト
リ−O−ベンジル−6,8−O−ベンジリデン−2−O−
t−ブチルジメチルシリル−D−マンノオクト−2−エ
ン−アルドネート(0.312mmole,63%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ5.57(d,J=10Hz) 実施例29 リチウムビストリメチルシリルアミド(0.675mmol
e)、参考例2で得たリン化合物(0.737mole)、2,3,4,
5−テトラ−O−ベンジル−アルデヒド−D−アラビノ
ース(0.533mmole)、THFの代りにジエチルエーテルを
用い、実施例1と同様の操作によりメチル3−デオキシ
−4,5,6,7−テトラ−O−ベンジル−2−O−トリクロ
ロ−t−ブチロキシカルボニル−D−アラビノヘプタ−
2−エン−アルドネート(0.341mmole,64%)を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ6.41(d,J=10Hz) 実施例30 リチウムビストリメチルシリルアミド(0.733mmol
e)、参考例4で得たリン化合物(0.799mole)、2,3,4,
5−テトラ−O−ベンジル−アルデヒド−D−アラビノ
ース(0.666mmole)を用い、実施例1と同様の操作によ
りメチル3−デオキシ−4,5,6,7−テトラ−O−ベンジ
ル−2−O−t−ブチルジメチルシリル−D−アラビノ
ヘプタ−2−エン−アルドネート(0.453mmole,68%)
を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ5.60(d,J=10Hz) 実施例31 リチウムビストリメチルシリルアミド(1.01mmol
e)、参考例4で得たリン化合物(0.957mole)、4−デ
オキシ−4−ベンジルオキシカルボニルアミノ−2,3:5,
6−ジ−O−イソプロピリデン−アルデヒド−D−ガラ
クトース(0.870mmole)を用い、実施例1と同様の操作
によりメチル3,6−ジ−デオキシ−6−ベンジルオキシ
カルボニルアミノ−4,5:7,8−ジ−O−イソプロピリデ
ン−2−O−t−ブチルジメチルシリル−D−ガラクト
オクト−2−エン−アルドネート(0.209mmole,24%)
を得る。
1H−NMR(CDCl3)δ5.21(d,J=10Hz) 実施例32 リチウムビストリメチルシリルアミド(0.660mol
e)、参考例4で得たリン化合物(0.720mole),4−O−
アセチル−2,3:5,6−ジ−O−イソプロピリデン−アル
デヒド−D−グルコース(0.600mmole)を用い、実施例
1と同様の操作によりメチル3−デオキシ−6−O−ア
セチル−4,5:7,8−ジ−O−イソプロピリデン−2−O
−t−ブチルジメチルシリル−D−グルコオクト−2−
エン−アルドネート(0.246mmole,41%)を得る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07C 247/12 8829−4H C07D 209/48 317/30 407/12 309 C07F 7/18 A // C07H 7/02

Claims (41)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式(I) (R1シクロペンチル基,シクロヘキシル基のいずれかを表わ
    す。R2テトラヒドロピラニル基,-COCH3 のいずれかを表わす。R3、R4、R5及びR6 のいずれかを表わす。但し、すべて‐Hのものは除外す
    る。 R7 のいずれかを表わす。あるいはそれぞれが結合した のいずれかで表わせられる2−ケト−3−デオキシアル
    ドン酸誘導体。)
  2. 【請求項2】式 (式中Bnはベンジル基を示す。)で表わされる化合物で
    ある特許請求の範囲第1項記載の2−ケト−3−デオキ
    シアルドン酸誘導体。
  3. 【請求項3】式 (式中Acはアセチル基を示す。)で表わされる化合物で
    ある特許請求の範囲第1項記載の2−ケト−3−デオキ
    シアルドン酸誘導体。
  4. 【請求項4】式 (式中Bnはベンジル基、Phはフェニル基を示す。)で表
    わされる化合物である特許請求の範囲第1項記載の2−
    ケト−3−デオキシアルドン酸誘導体。
  5. 【請求項5】式 (式中Bnはベンジル基を示す。)で表わされる化合物で
    ある特許請求の範囲第1項記載の2−ケト−3−デオキ
    シアルドン酸誘導体。
  6. 【請求項6】式 (式中Acはアセチル基を示す。)で表わされる化合物で
    ある特許請求の範囲第1項記載の2−ケト−3−デオキ
    シアルドン酸誘導体。
  7. 【請求項7】式 (式中Acはアセチル基を示す。)で表わされる化合物で
    ある特許請求の範囲第1項記載の2−ケト−3−デオキ
    シアルドン酸誘導体。
  8. 【請求項8】式 (式中Bnはベンジル基、Phはフェニル基を示す。)で表
    わされる化合物である特許請求の範囲第1項記載の2−
    ケト−3−デオキシアルドン酸誘導体。
  9. 【請求項9】式 (式中Bnはベンジル基、Acはアセチル基を示す。)で表
    わされる化合物である特許請求の範囲第1項記載の2−
    ケト−3−デオキシアルドン酸誘導体。
  10. 【請求項10】式 (式中Bnはベンジル基、Acはアセチル基を示す。)で表
    わされる化合物である特許請求の範囲第1項記載の2−
    ケト−3−デオキシアルドン酸誘導体。
  11. 【請求項11】式 (式中Acはアセチル基を示す。)で表わされる化合物で
    ある特許請求の範囲第1項記載の2−ケト−3−デオキ
    シアルドン酸誘導体。
  12. 【請求項12】式 (式中Bnはベンジル基を示す。)で表わされる化合物で
    ある特許請求の範囲第1項記載の2−ケト−3−デオキ
    シアルドン酸誘導体。
  13. 【請求項13】式 で表わされる化合物である特許請求の範囲第1項記載の
    2−ケト−3−デオキシアルドン酸誘導体。
  14. 【請求項14】式 (式中Phはフェニル基を示す。)で表わされる化合物で
    ある特許請求の範囲第1項記載の2−ケト−3−デオキ
    シアルドン酸誘導体。
  15. 【請求項15】式 (式中Bnはベンジル基を示す。)で表わされる化合物で
    ある特許請求の範囲第1項記載の2−ケト−3−デオキ
    シアルドン酸誘導体。
  16. 【請求項16】式 (式中Bnはベンジル基を示す。)で表わされる化合物で
    ある特許請求の範囲第1項記載の2−ケト−3−デオキ
    シアルドン酸誘導体。
  17. 【請求項17】式 (式中Phはフェニル基を示す。)で表わされる化合物で
    ある特許請求の範囲第1項記載の2−ケト−3−デオキ
    シアルドン酸誘導体。
  18. 【請求項18】式 (式中Bnはベンジル基を示す。)で表わされる化合物で
    ある特許請求の範囲第1項記載の2−ケト−3−デオキ
    シアルドン酸誘導体。
  19. 【請求項19】式 (式中Bnはベンジル基、Prはn−プロピル基を示す。)
    で表わされる化合物である特許請求の範囲第1項記載の
    2−ケト−3−デオキシアルドン酸誘導体。
  20. 【請求項20】式 (式中Bnはベンジル基を示す。)で表わされる化合物で
    ある特許請求の範囲第1項記載の2−ケト−3−デオキ
    シアルドン酸誘導体。
  21. 【請求項21】式 (式中Bnはベンジル基、Buはn−ブチル基を示す。)で
    表わされる化合物である特許請求の範囲第1項記載の2
    −ケト−3−デオキシアルドン酸誘導体。
  22. 【請求項22】式 (式中Bnはベンジル基を示す。)で表わされる化合物で
    ある特許請求の範囲第1項記載の2−ケト−3−デオキ
    シアルドン酸誘導体。
  23. 【請求項23】式 (式中Bnはベンジル基を示す。)で表わされる化合物で
    ある特許請求の範囲第1項記載の2−ケト−3−デオキ
    シアルドン酸誘導体。
  24. 【請求項24】式 (式中Bnはベンジル基を示す。)で表わされる化合物で
    ある特許請求の範囲第1項記載の2−ケト−3−デオキ
    シアルドン酸誘導体。
  25. 【請求項25】式 で表わされる化合物である特許請求の範囲第1項記載の
    2−ケト−3−デオキシアルドン酸誘導体。
  26. 【請求項26】式 で表わされる化合物である特許請求の範囲第1項記載の
    2−ケト−3−デオキシアルドン酸誘導体。
  27. 【請求項27】式 (式中 はシクロヘキシル基を示す。)で表わされる化合物であ
    る特許請求の範囲第1項記載の2−ケト−3−デオキシ
    アルドン酸誘導体。
  28. 【請求項28】式 (式中 はシクロペンチル基を示す。)で表わされる化合物であ
    る特許請求の範囲第1項記載の2−ケト−3−デオキシ
    アルドン酸誘導体。
  29. 【請求項29】式 (式中Bnはベンジル基を示す。)で表わされる化合物で
    ある特許請求の範囲第1項記載の2−ケト−3−デオキ
    シアルドン酸誘導体。
  30. 【請求項30】式 (式中 はテトラヒドロピラニル基を示す。)で表わされる化合
    物である特許請求の範囲第1項記載の2−ケト−3−デ
    オキシアルドン酸誘導体。
  31. 【請求項31】式 (式中Acはアセチル基を示す。)で表わされる化合物で
    ある特許請求の範囲第1項記載の2−ケト−3−デオキ
    シアルドン酸誘導体。
  32. 【請求項32】アルドース誘導体(II) R3、R4、R5及びR6 のいずれかを表わす。但し、すべて‐Hのものは除外す
    る。 R7 のいずれかを表わす。あるいはそれぞれが結合した のいずれかで表わせられるアルドース誘導体。)とリン
    化合物 (式中R8、R9はアルキル基、アリール基、シクロアルキ
    ル基、アラルキル基、R10はアルコシキカルボニル基、
    アリロキシカルボニル基、アルキル基、アリール基、脂
    肪族シリル基、芳香族シリル基、脂肪族アシル基、芳香
    族アシル基、アセタール基、アラルキル基を示す。)を
    塩基共存下に反応させることを特徴とする2−ケト−3
    −デオキシアルドン酸誘導体の製造方法。
  33. 【請求項33】アルドース誘導体(II)としてC−1位
    がヘミアセタール結合のアルドースを用いて、反応する
    ことを特徴とする特許請求の範囲第32項記載の製造方
    法。
  34. 【請求項34】アルドース誘導体(II)として、アルデ
    ヒド遊離のアルドースを用いて反応することを特徴とす
    る特許請求の範囲第32項記載の製造方法。
  35. 【請求項35】塩基として炭酸カリウムを用いて反応す
    ることを特徴とする特許請求の範囲第33項記載の製造方
    法。
  36. 【請求項36】塩基としてリチウムビストリメチルシリ
    ルアミド、リチウムジイソプロピルアミド、あるいは1,
    8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデセン−7を用いて反
    応することを特徴とする特許請求の範囲第34項記載の製
    造方法。
  37. 【請求項37】塩基として1,8−ジアザビシクロ[5,4,
    0]ウンデセン−7を用いるとき、これとともにアルカ
    リ金属塩を加えることを特徴とする特許請求の範囲第36
    項記載の製造方法。
  38. 【請求項38】アルカリ金属塩としてリチウム塩を用い
    ることを特徴とする特許請求の範囲第37項記載の製造方
    法。
  39. 【請求項39】リチウム塩としては塩化リチウムを用い
    ることを特徴とする特許請求の範囲第38項記載の製造方
    法。
  40. 【請求項40】アルコール系溶媒中、反応させることを
    特徴とする特許請求の範囲第33項記載の製造方法。
  41. 【請求項41】テトラヒドロフラン(THF)、あるいは
    ジエチルエーテル中反応させることを特徴とする特許請
    求の範囲第34項記載の製造方法。
JP61310304A 1986-01-10 1986-12-25 2−ケト−3−デオキシアルドン酸誘導体,およびその製造方法 Expired - Fee Related JPH0822834B2 (ja)

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