JPH08227961A - Lead frame for semiconductor device and its manufacture - Google Patents

Lead frame for semiconductor device and its manufacture

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JPH08227961A
JPH08227961A JP3222195A JP3222195A JPH08227961A JP H08227961 A JPH08227961 A JP H08227961A JP 3222195 A JP3222195 A JP 3222195A JP 3222195 A JP3222195 A JP 3222195A JP H08227961 A JPH08227961 A JP H08227961A
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resin
opening
flow hole
slit
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

PURPOSE: To provide a lead frame having a structure wherein burr is not gener ated in a hole circumferential edge part and cracks and chipping of resin do not take out at a package side when removing a resin accumulated part of resin fluid hole. CONSTITUTION: This lead frame has an island 2, an inner lead 3 connected to an electrode of a semiconductor chip by a wire, an outer lead 4, a tie bar 5 which is between the inner lead 3 and the outer lead 4 and holds the lead group, a gate part 6 which is a space wherein the outer lead 4 is not arranged in a corner part of four sides and a resin fluid hole 8 which is opened ranging over a partial extension part of a width of one of hanging pins 7 connected to a corner part and a region of the gate part 6. A V-notch 9 is opened by etching treatment or press processing treatment in a circumferential edge part to enclose an opening part of a region of the gate part 6. The part of a clearance 10 enclosed with the opening part is knocked down together with a resin accumulated part.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用リードフレ
ームに係わり、特にモールド樹脂封入時の樹脂溜りの除
去方法を改善した半導体装置用リードフレームに関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device lead frame, and more particularly to a semiconductor device lead frame having an improved method for removing a resin pool when a mold resin is filled.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の半導体装置は、微細加工技術の進
展に伴いその集積度も向上するとともに、利用分野も工
業用機器、民生用機器を含む幅広い分野の機器に使用さ
れるようになってきた。そのため、小型化、薄型化およ
び多ピン化等のそれぞれの機器に使用し易い形状のパッ
ケージを備えた半導体装置が製品化されている。
2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor devices have been improved in the degree of integration with the progress of fine processing technology, and have been used in a wide range of fields including industrial equipment and consumer equipment. It was Therefore, a semiconductor device including a package having a shape that is easy to use for each device such as miniaturization, thinning, and multi-pinning has been commercialized.

【0003】これらの半導体装置に用いられるパッケー
ジ形態のなかに樹脂封止によるDIP(dual in
−line package)型、QFP(quad
flat package)型、およびQUIP(qu
ad in−line)型等がある。
Among the package forms used for these semiconductor devices, resin-sealed DIP (dual in
-Line package) type, QFP (quad)
flat package) type and QUIIP (qu
ad in-line) type.

【0004】これらのパッケージを構成する場合には、
導電性の金属材料を用いたリードフレームが使用され
る。リードフレームは薄い金属板をプレス加工により打
ち抜いて所望の形状を得る方法とエッチング処理による
方法とがある。このリードフレームのアイランドに半導
体チップを搭載し、その電極とアイランド周辺に配設さ
れたインナリードとを金属細線(ワイヤ)を用いてワイ
ヤボンディングすることによって電気的接続を行ない、
これらを樹脂で封止する構造がとられている。
When constructing these packages,
A lead frame using a conductive metal material is used. For the lead frame, there are a method of punching a thin metal plate by press working to obtain a desired shape and a method of etching treatment. A semiconductor chip is mounted on the island of the lead frame, and the electrode and the inner lead arranged around the island are wire-bonded by using a fine metal wire (wire) to perform electrical connection,
A structure is adopted in which these are sealed with resin.

【0005】上述した樹脂封止時においては、所定のパ
ッケージの形状に合せて形成されたキャビティ内に半導
体装置が搭載されたリードフレームが収容され、半導体
装置を搭載するアイランドの吊りピンの一方側から樹脂
が封入される。その場合、リードフレームの上下両面に
均等に樹脂を封入するために開発された方法の一つに樹
脂流動ホールと称する穴部を吊りピン部とコーナー部と
を含む領域に形成し、吊りピンの下面側から注入した樹
脂がこの樹脂流動ホールを通って上面にも流入し、上下
両面に万遍なく樹脂が注入されるように工夫されてい
る。
At the time of resin sealing as described above, a lead frame having a semiconductor device mounted therein is housed in a cavity formed in conformity with a predetermined package shape, and one side of a hanging pin of an island mounting the semiconductor device is accommodated. The resin is sealed from. In that case, one of the methods developed for uniformly encapsulating the resin on the upper and lower surfaces of the lead frame is to form a hole portion called a resin flow hole in a region including the hanging pin portion and the corner portion, and It is devised that the resin injected from the lower surface side also flows into the upper surface through the resin flow hole, and the resin is evenly injected into the upper and lower surfaces.

【0006】その一例のリードフレームの平面図を示し
た図5(a)、樹脂封入後のリードフレームを平面図で
示した図5(b)、およびこのリードフレームを樹脂封
止する工程であって、封入前のリードフレームの断面図
を示した図6(a)、樹脂封入開始状態を断面図で示し
た図6(b)、樹脂封入後の状態を断面図で示した図6
(c)、封入後のパッケージをゲートブレイクにより個
別のパッケージに分離した状態を断面図で示した図6
(d)をそれぞれ併せて参照すると、導電性材料を用い
たリードフレーム1は、アイランド2と、インナリード
3と、アウタリード4と、インナリード3およびアウタ
リード4の間にあってこれらのリード群を支持するタイ
バー5と、4辺のコーナー部分でアウタリード4が配置
されていないスペースであるコーナー部領域のゲート部
6と、コーナー部分に接続された吊りピン7のうちの一
つの幅が部分的に拡張され、その拡張部分とゲート部6
とを含む領域に開口された樹脂流動ホール8とを有し、
アイランド2に半導体チップ21が搭載され、その入出
力電極とインナリード3とがワイヤ22で接続されてい
る。
FIG. 5A shows a plan view of a lead frame of the example, FIG. 5B shows a plan view of the lead frame after resin encapsulation, and a step of sealing the lead frame with resin. 6A is a sectional view of the lead frame before encapsulation, FIG. 6B is a sectional view showing a resin encapsulation start state, and FIG. 6A is a sectional view showing a state after resin encapsulation.
FIG. 6C is a sectional view showing a state in which the package after encapsulation is separated into individual packages by a gate break.
Referring to (d) together, the lead frame 1 made of a conductive material is provided between the island 2, the inner lead 3, the outer lead 4, and between the inner lead 3 and the outer lead 4 to support these lead groups. The width of one of the tie bar 5, the gate portion 6 in the corner portion area, which is a space where the outer lead 4 is not arranged in the corner portions of the four sides, and the hanging pin 7 connected to the corner portion is partially expanded. , Its extension and gate 6
And a resin flow hole 8 opened in a region including
A semiconductor chip 21 is mounted on the island 2, and its input / output electrodes and the inner leads 3 are connected by wires 22.

【0007】樹脂封入は、半導体チップ21を搭載した
リードフレーム1が複数個同時に行なわれるのが一般的
である。すなわち、リードフレームの複数個が、150
°〜180°Cの高温に加熱したパッケージ下金型23
および上金型24で挟まれてセットされ、モールドプレ
スで型締めし、流動性のある熱可塑性樹脂を60〜12
0Kg/cm2 の低圧で金型内に注入してパッケージを
トランスファ成形する。
Resin encapsulation is generally carried out simultaneously with a plurality of lead frames 1 each having a semiconductor chip 21 mounted thereon. That is, a plurality of lead frames are
Package lower mold 23 heated to a high temperature of ° to 180 ° C
And sandwiched between the upper mold 24, clamped with a mold press, and a flowable thermoplastic resin of 60-12
It is injected into the mold at a low pressure of 0 Kg / cm 2 to transfer-mold the package.

【0008】このとき、両方のパッケージを挟む金型の
キャビティ25は樹脂流入路により連結されており、そ
の中間部に設けられたカル部26に樹脂投入部27があ
って樹脂が投入される(図6(a)および(b))。
At this time, the cavities 25 of the mold sandwiching both packages are connected by the resin inflow path, and the resin injection portion 27 is provided in the cull portion 26 provided in the middle portion thereof (the resin is injected ( 6 (a) and (b)).

【0009】熱可塑性樹脂は注入圧力により樹脂流は樹
脂流入路内のリードフレーム1の下側を流れ、インナリ
ード3間のスキ間、あるいはインナリード3とダイパッ
ド2間のスキ間からリードフレーム1の上面のキャビテ
ィ25内にも充填される。このとき上述した樹脂流動ホ
ール8からも樹脂流がリードフレーム1の上面に流入す
るので、キャビティ25内には樹脂が均等に充填される
ことになる。
The resin flow of the thermoplastic resin flows under the lead frame 1 in the resin inflow path due to the injection pressure, and the lead frame 1 comes from between the gaps between the inner leads 3 or between the gaps between the inner leads 3 and the die pad 2. Is also filled in the cavity 25 on the upper surface of the. At this time, the resin flow also flows into the upper surface of the lead frame 1 from the resin flow hole 8 described above, so that the cavity 25 is uniformly filled with the resin.

【0010】リードフレーム1が封入されたパッケージ
は樹脂により複数個が連結された状態にあり、その中間
部に形成されるカル部26の樹脂を成形ポンチ28で上
下から挟んで固定し、パッケージに下向きの圧力を加え
ることによって個別のパッケージに分離(ゲートブレイ
ク)する(図5(c))。
The package in which the lead frame 1 is enclosed is in a state in which a plurality of packages are connected by a resin, and the resin of the cull portion 26 formed in the middle thereof is fixed by sandwiching it with a molding punch 28 from above and below to form a package. Separated (gate break) into individual packages by applying downward pressure (FIG. 5C).

【0011】この樹脂封止されたパッケージの外側には
インナリード3が延長されたアウタリード4、タイバー
5、ゲート部6および樹脂流動ホール8部分が露出した
状態にあり、樹脂流動ホール8の個所にはホールの上下
面にその周縁部からはみ出した状態で樹脂溜り部29が
形成されている(図5(b)および図6(d))。
Outside the resin-sealed package, the outer lead 4, the tie bar 5, the gate portion 6 and the resin flow hole 8 portion, in which the inner lead 3 is extended, are exposed, and at the position of the resin flow hole 8. A resin reservoir portion 29 is formed on the upper and lower surfaces of the hole so as to protrude from the peripheral portion thereof (FIGS. 5B and 6D).

【0012】上述した樹脂溜り部29は、パッケージと
しては不要な部分であるから、除去する必要がある。こ
の樹脂溜り除去工程であって、その封入後のパッケージ
の部分断面図を示した図7(a)、ゲートブレイクを行
なった後のパッケージの部分断面図を示した図7
(b)、樹脂溜り部29の切断を説明するパッケージの
部分断面図を示した図7(c)、樹脂溜り部29の切断
後のパッケージの部分断面図を示した図7(d)を参照
すると、樹脂封入後のパッケージをゲートブレイクによ
り個別のパッケージに分離し、樹脂溜り部29が残った
状態にする(図7(a)および(b))。この樹脂溜り
部29をポンチ30により打ち落して製品に仕上げる
(図7(c)および(d))。なお、この図では図示し
ていないがタイバー5の切断も同時に行なわれる。
The above-mentioned resin reservoir portion 29 is an unnecessary portion as a package and therefore needs to be removed. In this resin puddle removal step, FIG. 7A is a partial cross-sectional view of the package after the encapsulation, and FIG. 7A is a partial cross-sectional view of the package after the gate break.
(B), FIG. 7 (c) showing a partial sectional view of the package for explaining the cutting of the resin reservoir 29, and FIG. 7 (d) showing a partial sectional view of the package after the resin reservoir 29 is cut. Then, the package after resin encapsulation is separated into individual packages by the gate break, and the resin reservoir 29 remains (FIGS. 7A and 7B). The resin reservoir 29 is punched down by the punch 30 to finish the product (FIGS. 7C and 7D). Although not shown in this figure, the tie bar 5 is also cut at the same time.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】前述した従来の半導体
装置用リードフレームは、リードフレーム1に搭載され
た半導体チップ21を樹脂封止する際に、パッケージキ
ャビティ25内に封入する樹脂をリードフレーム1の上
面側および下面側の両面から注入する手段として樹脂流
動ホール8を有している。そのため、この樹脂流動ホー
ル8部分に樹脂溜り部29が樹脂封入後に形成される。
この樹脂溜り部29はリードフレームとしては不要であ
り、かつ後工程における搬送時にこの樹脂溜り部が搬送
治具に接触して搬送の流れを止める要因にもなってい
た。
In the conventional lead frame for a semiconductor device described above, when the semiconductor chip 21 mounted on the lead frame 1 is resin-sealed, the resin sealed in the package cavity 25 is used. The resin flow hole 8 is provided as means for injecting from both the upper surface side and the lower surface side. Therefore, the resin reservoir 29 is formed in the resin flow hole 8 after the resin is filled.
The resin reservoir 29 is not necessary as a lead frame, and also causes the resin reservoir to come into contact with the transport jig during transport in a subsequent process to stop the transport flow.

【0014】したがって、樹脂封止後はタイバー切断と
同時にこの樹脂溜り部分の打ち落しを行なうが、このと
き、樹脂流動ホール8からはみ出した樹脂が樹脂流動ホ
ール8の周縁部を挟み込む状態で密着している。リード
フレーム1と樹脂の密着性が良いため、図7(e)に示
したように、成形ポンチ30で打ち落しても樹脂溜り部
29が樹脂流動ホール8の周縁部のリードフレームコー
ナー部に密着したまま周縁部を折り曲げた状態で残り、
この残った樹脂溜り部29を除去しても周縁部の折れ曲
り部分31はバリ状の突起として残るので、上述した後
工程におけるパッケージ搬送での送りミス等のトラブル
が発生し易い。
Therefore, after the resin is sealed, the tie bar is cut off and the resin pool portion is knocked down. At this time, the resin protruding from the resin flow hole 8 adheres to the resin flow hole 8 with the peripheral portion thereof being sandwiched. ing. Since the adhesion between the lead frame 1 and the resin is good, as shown in FIG. 7 (e), the resin reservoir portion 29 adheres to the lead frame corner portion of the peripheral edge portion of the resin flow hole 8 even if the molding punch 30 knocks it down. It remains with the peripheral part bent,
Even if the remaining resin reservoir 29 is removed, the bent portion 31 at the peripheral edge remains as a burr-shaped protrusion, and thus a problem such as an error in feeding the package during the post-process described above is likely to occur.

【0015】さらにパッケージ側の打ち落された部分に
クラック32あるいは欠損個所33を生じ、パッケージ
不良が発生する場合が多い。
Further, in many cases, a crack 32 or a defective portion 33 is generated in the part that is knocked down on the package side, resulting in a package defect.

【0016】本発明の目的は、上述した欠点に鑑みなさ
れたものであり、樹脂封止後における樹脂溜り部除去の
工程で、樹脂流動ホールの周縁部にバリが生じることな
く、さらに樹脂溜り部を打ち落した後のパッケージ側の
クラックおよび樹脂の欠損を生じない構造を有する半導
体装置用リードフレームを提供することにある。
The object of the present invention was made in view of the above-mentioned drawbacks. In the step of removing the resin reservoir after resin sealing, burrs do not occur at the peripheral edge of the resin flow hole, and the resin reservoir is further removed. It is an object of the present invention to provide a lead frame for a semiconductor device having a structure that does not cause a crack on the package side and a loss of resin after the semiconductor chip is knocked down.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置用リ
ードフレームの特徴は、半導体素子を搭載するリードフ
レームの吊りピンの幅が一部拡張され、その拡張領域と
コーナー部領域とを含む領域に開口されて封入樹脂をリ
ードフレームの上下面に均等に流入させるための樹脂流
動ホールを有する半導体装置用リードフレームにおい
て、前記コーナー部領域に形成された前記樹脂流動ホー
ルの周縁を囲むように所定の幅と深さとで開口された溝
状の開口部を有することにある。
A feature of a lead frame for a semiconductor device according to the present invention is that a width of a hanging pin of a lead frame on which a semiconductor element is mounted is partially expanded, and an area including an expanded area and a corner area is included. In a lead frame for a semiconductor device having a resin flow hole that is opened at the same time to allow the encapsulation resin to flow evenly into the upper and lower surfaces of the lead frame, a predetermined shape is provided so as to surround the peripheral edge of the resin flow hole formed in the corner area. To have a groove-shaped opening formed by the width and the depth.

【0018】また、前記溝状の開口部に代えて、前記コ
ーナー部領域に形成された樹脂流動ホールの周縁を囲む
ように所定の幅で開口されたスリットを有することこと
ができる。
Further, instead of the groove-shaped opening, it is possible to have a slit opened with a predetermined width so as to surround the periphery of the resin flow hole formed in the corner area.

【0019】さらに、前記コーナー部領域に形成された
前記樹脂流動ホール先端部近辺を囲む周縁部の一部領域
にのみ前記スリットまたは溝状の開口部を形成してもよ
い。
Further, the slit-shaped or groove-shaped opening may be formed only in a partial area of the peripheral edge portion surrounding the tip of the resin flow hole formed in the corner area.

【0020】さらにまた、前記スリットはエチング加工
またはプレス加工の一方を用いて複数個一列状態で開口
されてもよい。
Furthermore, the slits may be opened in a single row by using one of etching and pressing.

【0021】また、前記溝状の開口部は、前記リードフ
レーム厚の略半分の深さまでエッチングされるハーフエ
ッチング加工、またはパンチにより略半分の深さまで開
口するプレス加工のいずれか一方を用いて開口されても
よい。
Further, the groove-shaped opening is opened by using either one of a half etching process for etching to a depth of about half of the lead frame thickness and a press process for opening to a depth of about half by a punch. May be done.

【0022】本発明の半導体装置用リードフレームの製
造方法の特徴は、半導体素子を搭載するリードフレーム
の吊りピンの幅が一部拡張され、その拡張領域とコーナ
ー部領域とを含む領域に樹脂流動ホールが開口されて封
入樹脂がリードフレームの上下面に均等に流入させるよ
うにしたリードフレームであって、エッチング加工工程
またはプレス加工工程のいずれかにより形成される半導
体装置用リードフレームの製造方法において;前記コー
ナー部領域に形成された前記樹脂流動ホールの周縁を囲
むように所定形状のスリットまたは溝状の開口部の開口
工程が前記エッチング加工工程または前記プレス加工工
程のいずれかに含まれ、前記エッチングによる前記開口
工程は、前記拡張領域の表裏両面または一方面にレジス
トを塗布する第1の工程と、前記スリットを開口するた
めのパターンが含まれたパターンマスクを用いて、前記
流動ホール周縁部のうち前記コーナー部領域の前記両面
または前記一方面に露光および焼き付けをする第2の工
程と、前記露光および焼き付けをした前記スリット状ま
たは前記溝状の開口部形成個所の前記レジストを現像し
て除去する第3の工程と、前記現像により露出された前
記スリット状または前記溝状の開口部形成個所の表面
を、エッチングにより裏面まで開口するスリット形成工
程または前記一方面から所定の深さまで開口する溝形成
工程からなる第4の工程とからなり、前記プレス加工に
よる前記開口工程は、所定の打抜きパンチにより前記ス
リットの形状に合せて前記コーナー領域を打抜く打抜き
加工、または前記溝状の開口部の形状に合せて所定の深
さまで開口する溝状の切り込み加工のいずれかの工程か
らなることにある。
A feature of the method for manufacturing a lead frame for a semiconductor device of the present invention is that the width of the hanging pin of the lead frame on which the semiconductor element is mounted is partially expanded, and the resin flow is applied to a region including the expanded region and the corner region. A method of manufacturing a lead frame for a semiconductor device, which is a lead frame in which holes are opened to allow the encapsulating resin to flow evenly into the upper and lower surfaces of the lead frame and which is formed by either an etching process or a press process. A step of opening a slit or a groove-shaped opening having a predetermined shape so as to surround the periphery of the resin flow hole formed in the corner area is included in either the etching step or the pressing step, In the opening step by etching, a resist is applied to both front and back surfaces or one surface of the extension region. And a second step of exposing and baking the both surfaces or the one surface of the corner area of the flow hole peripheral portion using a pattern mask including a pattern for opening the slits, A third step of developing and removing the resist at the exposed or baked slit-shaped or groove-shaped opening forming portion, and the slit-shaped or groove-shaped opening exposed by the development The fourth step comprises a slit forming step of opening the front surface of the forming portion to the back surface by etching or a groove forming step of opening the one surface to a predetermined depth. A punching process for punching the corner area according to the shape of the slit by a punching punch, or the shape of the groove-shaped opening. Lies in comprising any one of the steps of the grooved rebated to open to a predetermined depth together.

【0023】[0023]

【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings.

【0024】図1は本発明の半導体装置用リードフレー
ムの第1の実施例の平面図を示す図である。図1を参照
すると、リードフレーム1は、半導体チップを搭載する
アイランド2と、半導体チップの電極とボンディングワ
イヤで接続されるインナリード3と、アウタリード4
と、インナリード3およびアウタリード4の間にあって
これらのリード群を支持するタイバー5と、4辺のコー
ナー部分でアウタリード4が配置されていない領域であ
るゲート部5と、コーナー部分に接続された吊りピン7
のうちの一つの幅が部分的に拡張され、その拡張部分と
ゲート部5とを含む領域に開口され、かつゲート部5領
域の開口部が所定の大きさで、吊りピン6の拡張領域の
ホールよりも広く開口された脂流動ホール8とを有し、
ゲート部5領域の開口部を囲むように周縁部にエッチン
グ処理またはプレス加工処理による溝状の開口部(Vノ
ッチ)9が開口されている。
FIG. 1 is a plan view of a first embodiment of a semiconductor device lead frame according to the present invention. Referring to FIG. 1, a lead frame 1 includes an island 2 on which a semiconductor chip is mounted, an inner lead 3 connected to an electrode of the semiconductor chip by a bonding wire, and an outer lead 4.
A tie bar 5 between the inner lead 3 and the outer lead 4 for supporting these lead groups, a gate portion 5 which is a region where the outer lead 4 is not arranged in the corner portion of the four sides, and a suspension connected to the corner portion. Pin 7
One of the widths is partially expanded and opened in a region including the expanded portion and the gate portion 5, and the opening of the gate portion 5 region has a predetermined size, and the width of the extended region of the hanging pin 6 is increased. Has a fat flow hole 8 that is wider than the hole,
A groove-shaped opening (V notch) 9 formed by etching or pressing is formed in the peripheral edge so as to surround the opening in the region of the gate portion 5.

【0025】このVノッチ9を設けたことにより、パッ
ケージキャビティ内のアイランド2および半導体チップ
の位置が、樹脂流でずれて変形しないようにリードフレ
ーム1の両面に均等に樹脂を充填するべく開口された樹
脂流動ホール8には、前述したように、封入後に樹脂溜
り部が形成される。ゲートブレイクによって樹脂注入路
で連結された他のパッケージと分離した後、樹脂流動ホ
ール8に残った樹脂溜り部をタイバー5とともに成形ポ
ンチで打ち落す。
By providing the V notch 9, the positions of the island 2 and the semiconductor chip in the package cavity are opened so that both surfaces of the lead frame 1 are uniformly filled with resin so as not to be displaced and deformed by the resin flow. As described above, the resin flow hole 8 is provided with the resin reservoir portion after the sealing. After separating from the other packages connected by the resin injection path by the gate break, the resin reservoir remaining in the resin flow hole 8 is knocked down by the molding punch together with the tie bar 5.

【0026】このとき、Vノッチ9の無い従来のリード
フレームでは樹脂流動ホール8の周縁部にくい込んだ樹
脂溜り部が打ち落されたときに、樹脂と周縁部金属との
密着性が良いために樹脂が剥離せず、周縁部をも同時に
折り曲げてしまい、樹脂を取り去っても残った周縁部を
バリ状に変形させていた。
At this time, in the conventional lead frame having no V-notch 9, when the resin pool portion which is hard to fill the peripheral portion of the resin flow hole 8 is blown off, the adhesion between the resin and the peripheral metal is good. The resin did not peel off, and the peripheral edge was also bent at the same time, and the residual peripheral edge was deformed into a burr even after the resin was removed.

【0027】そのため、Vノッチ9をあらかじめ開口し
ておくことによってそのノッチ部分のリードフレームの
厚みが薄くなっているので、樹脂流動ホール8に形成さ
れた樹脂溜り部の打ち落しに伴なってVノッチ9によっ
て囲まれた領域(すき間)10も一緒に打ち落すことが
出来る。
Therefore, the thickness of the lead frame at the notch portion is made thin by opening the V notch 9 in advance, so that the V accommodating portion formed in the resin flow hole 8 is blown down. An area (gap) 10 surrounded by the notch 9 can also be shot down.

【0028】したがって、周縁部がバリ状に変形するこ
ともなく樹脂溜り部9のパッケージ側の接続部にも余分
な圧力もかからないので、パッケージ側の打ち落された
側面部分にクラック、あるいはパッケージ欠損も生じな
い。
Therefore, since the peripheral edge portion is not deformed into a burr shape and no extra pressure is applied to the package side connection portion of the resin reservoir portion 9, a crack or a package defect is formed on the side surface portion of the package side which has been knocked down. Does not occur.

【0029】なお、上述したVノッチ9はリードフレー
ム1の表裏両面のうちいずれの面に形成してもよい。
The above-described V notch 9 may be formed on either of the front and back surfaces of the lead frame 1.

【0030】本発明の第2の実施例を平面図で示した図
2を参照すると、第1の実施例との相違点は、第1の実
施例におけるVノッチ9に代えてエッチング処理または
プレス加工処理によるスリット11が開口されているこ
とである。このスリット11はリードフレーム1の裏面
まで貫通され、短かいスリット11を樹脂流動ホール7
の周縁を囲むように複数個所一列に並べて開口してあ
る。
Referring to FIG. 2 which is a plan view of the second embodiment of the present invention, the difference from the first embodiment is that the V notch 9 in the first embodiment is replaced by an etching treatment or a press. That is, the slit 11 formed by the processing is opened. The slit 11 is penetrated to the back surface of the lead frame 1, and the short slit 11 is passed through the resin flow hole 7
A plurality of openings are arranged in a line so as to surround the periphery of the opening.

【0031】それ以外の構成要素は第1の実施例と同様
であるから、同一の構成要素には同一の符号を付して構
成の説明は省略する。
Since the other constituents are the same as those in the first embodiment, the same constituents are designated by the same reference numerals and the description of the structure will be omitted.

【0032】このスリット11を設けたことにより、こ
のリードフレーム1を樹脂封止したパッケージは、ゲー
トブレイクによって樹脂注入路で連結された他のパッケ
ージと分離された後、樹脂流動ホール8に残った樹脂溜
り部をタイバー5とともに成形ポンチで打ち落す。
Due to the provision of the slits 11, the package in which the lead frame 1 is sealed with resin remains in the resin flow hole 8 after being separated from other packages connected by the resin injection path by the gate break. The resin pool and the tie bar 5 are shot down with a molding punch.

【0033】このとき、前述したように、スリット11
の無い従来のリードフレームではホール7の周縁部にく
い込んだ樹脂溜り部が周縁部をバリ状に変形させていた
が、スリット11があらかじめ開口され、成形ポンチで
容易に打ち落せる程度までスリット間隔を狭めてあるの
で、樹脂流動ホール8に形成された樹脂溜り部の打ち落
しに伴ないスリット11によって囲まれたすき間12も
一緒に打ち落すことが出来る。
At this time, as described above, the slit 11
In a conventional lead frame without a hole, the resin pool portion that is hard to fit into the peripheral portion of the hole 7 deforms the peripheral portion into a burr shape. Since the gap is narrowed, the gap 12 surrounded by the slit 11 can be also shot down together with the shot down of the resin reservoir portion formed in the resin flow hole 8.

【0034】したがって、第1の実施例同様に、周縁部
がバリ状に変形することもなく樹脂溜り部9のパッケー
ジ側の接続部にも余分な圧力もかからないので、パッケ
ージ側の打ち落された側面部分にクラック、あるいはパ
ッケージ欠損も生じない。
Therefore, as in the first embodiment, the peripheral edge portion is not deformed into a burr shape, and no extra pressure is applied to the package-side connecting portion of the resin reservoir portion 9, so that the package side is knocked down. No cracks or package defects occur on the side surface.

【0035】上述した本発明の半導体装置用リードフレ
ームの製造方法は、通常のリードフレーム形成工程であ
るエッチング加工工程による製造工程であって、スリッ
トおよびVノッチ部分に係わる工程のうち、加工前のリ
ードフレーム金属材料を断面図で示した図3(a)、レ
ジスト塗布を断面図で示した図3(b)、露光および焼
付けを断面図で示した図3(c)、現像処理の断面図を
示した図(d)、エッチング処理の断面図を示した図
(e)、レジスト除去を断面図で示した図3(f)を併
せて参照すると、それぞれの図毎に、左側にスリット形
成工程を、右側にVノッチ形成工程を各々対比させて示
してある。
The above-described method for manufacturing a lead frame for a semiconductor device according to the present invention is a manufacturing process by an etching processing step which is a normal lead frame forming step, and is one of the steps related to the slit and the V notch portion before processing. FIG. 3 (a) showing a cross-sectional view of the lead frame metal material, FIG. 3 (b) showing a cross-sectional view of resist coating, FIG. 3 (c) showing a cross-sectional view of exposure and baking, and a cross-sectional view of development processing. (D) showing a cross-sectional view of the etching process, (e) showing a cross-sectional view of the etching process, and FIG. 3 (f) showing a cross-sectional view of the resist removal together, a slit is formed on the left side for each view. The process is shown on the right side in contrast to the V notch forming process.

【0036】まず、リードフレームの金属材料13の表
裏両面にそれぞれレジスト14を塗布する(図3(a)
および(b))。
First, a resist 14 is applied to both the front and back surfaces of the metallic material 13 of the lead frame (FIG. 3 (a)).
And (b)).

【0037】次に、リードフレーム1に必要なアイラン
ド2、インナリード3、アウタリード4、タイバー5、
樹脂流動ホール8等の形成に必要なパターンとともに本
発明のVノッチ9およびスリット11形成のためのパタ
ーンがあらかじめ形成されたパターンマスク15を用い
て、金属材料13の表裏両面または片面に露光と焼き付
けを行なう(図3(c))。
Next, an island 2, an inner lead 3, an outer lead 4, a tie bar 5, which are necessary for the lead frame 1,
Using the pattern mask 15 in which the pattern for forming the V notch 9 and the slit 11 of the present invention is formed together with the pattern necessary for forming the resin flow hole 8 and the like, exposure and baking are performed on both front and back surfaces or one surface of the metal material 13. (FIG. 3C).

【0038】すなわち、パターンマスク15は、Vノッ
チ9の場合、例えば50μm〜500μmの幅の穴を開
口するためのリードフレーム金属材料13の片面だけに
適用するパターンマスクであり、スリット11の場合
も、例えば50μm〜500μmの幅の穴を開口するた
めの両面にかけるパターンマスクである。
That is, in the case of the V notch 9, the pattern mask 15 is a pattern mask applied to only one side of the lead frame metal material 13 for opening a hole having a width of, for example, 50 μm to 500 μm, and also in the case of the slit 11. , A pattern mask applied on both sides to open a hole having a width of, for example, 50 μm to 500 μm.

【0039】次に、現像処理により先に露光・焼付け処
理をした部分のレジストを除去した後、例えば塩化第二
鉄からなる溶剤により先にレジスト除去処理をした部分
のリードフレーム1をエッチング処理して表裏両面の開
口(スリット)、またはハーフエッチング(Vノッチ)
する。このときのVノッチ9のエッチングで開口する深
さは、少くともリードフレーム厚の約半分の深さがあれ
ば、樹脂溜り部の打ち落しとともにすき間12の打ち落
しも容易である(図3(d)および(e))。
Next, after removing the resist of the portion which was previously exposed and baked by the developing treatment, the lead frame 1 of the portion which was previously subjected to the resist removing treatment is etched by a solvent such as ferric chloride. Opening (slit) on both front and back sides, or half etching (V notch)
To do. At this time, if the depth of the V notch 9 opened by etching is at least about half the thickness of the lead frame, it is easy to knock down the resin reservoir and the clearance 12 (FIG. 3 ( d) and (e)).

【0040】最後に、リードフレーム1全面のレジスト
14の除去処理を行なうことによりVノッチ9およびス
リット11を有するリードフレーム1が得られる(図3
(f)。
Finally, the resist 14 on the entire surface of the lead frame 1 is removed to obtain the lead frame 1 having the V notches 9 and the slits 11 (FIG. 3).
(F).

【0041】一方、プレス金型による製造工程であっ
て、プレス加工前のリードフレーム金属材料を断面図で
示した図4(a)、ポンチによるプレス加工の断面図を
示した図4(b)、プレス加工の状態を断面図で示した
図4(c)、プレス加工後の断面図を示した図4(d)
を参照すると、この場合もそれぞれの図毎に、左側にス
リット形成工程を、右側にVノッチ形成工程を各々対比
させて示してある。
On the other hand, in a manufacturing process using a press die, a lead frame metal material before press working is shown in a sectional view of FIG. 4 (a), and a sectional view of press working by a punch is shown in FIG. 4 (b). 4C showing a cross-sectional view of the state of press working, and FIG. 4D showing a cross-sectional view after the press working.
Also in this case, in each case, the left side shows the slit forming step and the right side shows the V notch forming step.

【0042】まず、リードフレーム13の金属材料を成
形ダイ16およびホルダ17により上下からホールドす
る。成形ダイ16はスリット加工の場合はスリット形状
に合せて型が作製されている(図4(a)および
(b))。
First, the metal material of the lead frame 13 is held from above and below by the molding die 16 and the holder 17. In the case of slit processing, the molding die 16 is manufactured as a mold according to the slit shape (FIGS. 4A and 4B).

【0043】次に、スリット形成の場合は打ち抜きポン
チ18により不要部分20を打ち抜き、Vノッチ形成の
場合は、ポンチ19によりリードフレーム厚の少なくと
も約半分の深さまで溝を開口することにより、Vノッチ
9およびスリット11を有するリードフレームが得られ
る(図4(c)および(d))。
Next, in the case of forming the slit, the unnecessary portion 20 is punched out by the punching punch 18, and in the case of forming the V notch, the groove is opened by the punch 19 to a depth of at least about half of the lead frame thickness to form the V notch. A lead frame having 9 and slits 11 is obtained (FIGS. 4 (c) and (d)).

【0044】上述した2つの実施例では、樹脂流動ホー
ル8の周縁をぐるりと囲む「C字型」のスリットおよび
ノッチを形成したが、これらは「コの字型」でもよく、
要は打ち落し可能な形状であればよく、少なくとも湾曲
した周縁部頂点近辺を囲むことが出来るだけの形状を有
することが必要である。
In the above-mentioned two embodiments, the "C-shaped" slits and notches surrounding the periphery of the resin flow hole 8 are formed, but these may be "U-shaped".
The point is that the shape can be knocked down, and it is necessary to have a shape that can surround at least the curved peripheral edge apex.

【0045】また、Vノッチ9で囲まれた樹脂流動ホー
ル7との狭いすき間10およびスリット11で囲まれた
狭いすき間12の幅は、封入樹脂が樹脂流動ホール8の
周縁部からはみ出る幅よりも広い幅にあらかじめ設定さ
れ、少なくとも0.1mm幅分のスペースが開いていれ
ば充分である。
Further, the width of the narrow gap 10 with the resin flow hole 7 surrounded by the V notch 9 and the width of the narrow gap 12 surrounded by the slit 11 are larger than the width of the enclosed resin protruding from the peripheral portion of the resin flow hole 8. It is sufficient if the width is preset and a space of at least 0.1 mm is opened.

【0046】[0046]

【発明の効果】上述したように、本発明の半導体装置用
リードフレームおよびその製造方法は、吊りピンの幅が
一部拡張され、その拡張領域とコーナー無聊域とを含む
領域に樹脂流動ホールが開口されて封入樹脂がリードフ
レームの上下面に均等に流入させるようにしたリードフ
レームであって、コーナー部領域の樹脂流動ホール周縁
部または周縁部先端近辺を囲むように開口されたスリッ
ト、または所定の深さで掘られたノッチを有し、これ等
所定形状のスリットまたはノッチが開口される工程が通
常のエッチング加工工程またはプレス加工工程のいずれ
かに含まれて形成されるので、スリットまたはノッチの
無い従来のリードフレームでは樹脂流動ホールの周縁部
を挟み込むように密着した樹脂溜り部を打ち落す時に、
樹脂の密着性が良いために樹脂が剥れにくく周縁部をも
折り曲げてしまい、樹脂除去後はバリ状になって残って
いた。しかし、本発明のスリットまたはノッチをあらか
じめ開口しておくことによって、その複数のスリット部
分によって部分的に切り離され、ノッチ部分は厚みが薄
くなっているので、樹脂流動ホールに形成された樹脂溜
り部の打ち落しに伴なってスリットまたはノッチによっ
て囲まれた領域も一緒に打ち落すことが容易に出来る。
As described above, in the lead frame for a semiconductor device and the manufacturing method thereof according to the present invention, the width of the hanging pin is partially expanded, and the resin flow hole is formed in the area including the expanded area and the corner-free area. A lead frame which is opened to allow the encapsulating resin to evenly flow into the upper and lower surfaces of the lead frame, and which has a slit opened so as to surround the periphery of the resin flow hole in the corner region or the vicinity of the tip of the periphery, or a predetermined slit. Slits or notches are formed because they have notches dug at the depth of, and the process of opening slits or notches of these predetermined shapes is included in either the normal etching process or the press working process. With a conventional lead frame that does not have a
Due to the good adhesion of the resin, the resin was difficult to peel off and the peripheral portion was also bent, and remained in a burr-like shape after the resin was removed. However, by opening the slit or notch of the present invention in advance, the slit or notch is partially separated by the plurality of slit portions, and the notch portion is thin, so that the resin pool portion formed in the resin flow hole is formed. The area surrounded by the slits or notches can be easily removed together with the removal of.

【0047】したがって、周縁部がバリ状に変形するこ
ともなく樹脂溜り部のパッケージ側の接続部にも余分な
圧力もかからないので、パッケージ側の打ち落された側
面部分にはクラック、あるいはパッケージ欠損も生じな
い半導体装置用のリドフレームを提供することが出来
る。
Therefore, since the peripheral edge portion is not deformed into a burr shape and no extra pressure is applied to the package-side connecting portion of the resin reservoir portion, a crack or a package defect is formed on the packaged side surface portion. It is possible to provide a lid frame for a semiconductor device that does not occur.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例によるリードフレームの
平面図を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a plan view of a lead frame according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例によるリードフレームの
平面図を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a plan view of a lead frame according to a second embodiment of the present invention.

【図3】(a)スリットおよびVノッチ部分に係わる工
程のうち、エッチング加工前のリードフレーム金属材料
を示した断面図である。 (b)レジスト塗布を示した断面図である。 (c)露光および焼付を示した断面図である。 (d)現像処理を示したの断面図である。 (e)エッチング処理を示した断面図図である。 (f)レジスト除去を示した断面図である。
FIG. 3 (a) is a cross-sectional view showing a lead frame metal material before etching processing in a step related to a slit and a V notch portion. (B) It is sectional drawing which showed resist coating. (C) A cross-sectional view showing exposure and printing. FIG. 7D is a cross-sectional view showing the developing process. (E) It is sectional drawing which showed the etching process. (F) It is sectional drawing which showed resist removal.

【図4】(a)スリットおよびVノッチ部分に係わる工
程のうち、プレス加工前のリードフレーム金属材料を示
した断面図である。 (b)ポンチによるプレス加工を示した断面図である。 (c)プレス加工の状態を示した断面図である。 (d)プレス加工後の状態を示した断面図である。
FIG. 4 (a) is a cross-sectional view showing a lead frame metal material before press working in a process related to a slit and a V notch portion. (B) It is sectional drawing which showed the press processing by a punch. (C) It is sectional drawing which showed the state of press working. (D) It is sectional drawing which showed the state after press processing.

【図5】(a)樹脂流動ホールをもつ従来のリードフレ
ームの一例を示す平面図である。 (b)樹脂封入後のリードフレームの平面図である。
FIG. 5 (a) is a plan view showing an example of a conventional lead frame having a resin flow hole. (B) It is a top view of the lead frame after resin sealing.

【図6】(a)従来のリードフレームを樹脂封止する工
程であって、封入前のリードフレームの主要部の断面図
である。 (b)樹脂封入開始状態を示した断面図である。 (c)樹脂封入後の状態を示した断面図である。 (d)封入後のパッケージをートブレイクにより個別の
パッケージに分離した状態を示した断面図である。
FIG. 6A is a cross-sectional view of a main part of the lead frame before encapsulation, which is a step of resin-sealing the conventional lead frame. (B) It is sectional drawing which showed the resin sealing start state. (C) It is sectional drawing which showed the state after resin sealing. (D) A sectional view showing a state in which the package after encapsulation is separated into individual packages by a break.

【図7】(a)樹脂溜り除去工程であって、その封入後
のパッケージの部分断面図である。 (b)ゲートブレイクを行なった後のパッケージの部分
断面図である。 (c)樹脂溜り部の切断を説明するパッケージの部分断
面図である。 (d)樹脂溜り部の切断後のパッケージの部分断面図で
ある。 (e)樹脂溜り部除去時の不具合パッケージの一例の部
分断面図である。
FIG. 7 (a) is a partial cross-sectional view of the package after the resin puddle removal step and the encapsulation thereof. (B) It is a fragmentary sectional view of a package after performing a gate break. (C) It is a fragmentary sectional view of a package explaining cutting of a resin pool part. (D) It is a partial cross-sectional view of the package after cutting the resin reservoir. (E) It is a partial cross-sectional view of an example of a defective package at the time of removing a resin reservoir.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 リードフレーム 2 アイランド 3 インナリード 4 アウタリード 5 タイバー 6 ゲート部 7 吊りピン 8 樹脂流動ホール 9 Vノッチ 10 Vノッチおよび樹脂流動ホール間のすき間 11 スリット 12 スリットおよび樹脂流動ホール間のすき間 13 リドフレームの金属材料 14 レジスト 15 パターンマスク 16a,16b 成形ダイ 17a 打ち抜きポンチ 17b ポンチ 18 打ち抜かれた不要部 21 半導体チップ 22 ワイヤ 23 下金型 24 上金型 25 キャビティ 26 カル部 27 樹脂投入部 28,30 成形ポンチ 29 樹脂溜り部 31 折れ曲り部分 32 クラック 33 欠損個所 1 Lead Frame 2 Island 3 Inner Lead 4 Outer Lead 5 Tie Bar 6 Gate Part 7 Hanging Pin 8 Resin Flow Hole 9 V Notch 10 V Gap Between V Notch and Resin Flow Hole 11 Slit 12 Gap Between Slit and Resin Flow Hole 13 Led Frame Metal material 14 Resist 15 Pattern mask 16a, 16b Molding die 17a Punch punch 17b Punch 18 Unnecessary punched part 21 Semiconductor chip 22 Wire 23 Lower mold 24 Upper mold 25 Cavity 26 Cull part 27 Resin injection part 28, 30 Molding punch 29 Resin Reservoir Part 31 Bent Part 32 Crack 33 Missing Point

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体素子を搭載するリードフレームの
吊りピンの幅が一部拡張され、その拡張領域とコーナー
部領域とを含む領域に開口されて封入樹脂をリードフレ
ームの上下面に均等に流入させるための樹脂流動ホール
を有する半導体装置用リードフレームにおいて、前記コ
ーナー部領域に形成された前記樹脂流動ホールの周縁を
囲むように所定の幅と深さとで開口された溝状の開口部
を有することを特徴とする半導体装置用リードフレー
ム。
1. A width of a hanging pin of a lead frame on which a semiconductor element is mounted is partially expanded, and an opening is made in a region including the expanded region and a corner region to allow the encapsulating resin to evenly flow into the upper and lower surfaces of the lead frame. In a lead frame for a semiconductor device having a resin flow hole for allowing the resin flow hole to have a groove-shaped opening formed with a predetermined width and depth so as to surround the periphery of the resin flow hole formed in the corner region. A lead frame for a semiconductor device, which is characterized in that
【請求項2】 前記溝状の開口部に代えて、前記コーナ
ー部領域に形成された樹脂流動ホールの周縁を囲むよう
に所定の幅で開口されたスリットを有することを特徴と
する請求項1記載の半導体装置用リードフレーム。
2. A slit having a predetermined width is provided instead of the groove-shaped opening so as to surround the periphery of the resin flow hole formed in the corner portion region. A lead frame for a semiconductor device as described above.
【請求項3】 前記コーナー部領域に形成された前記樹
脂流動ホール先端部近辺を囲む周縁部の一部領域にのみ
前記スリットまたは溝状の開口部を形成することを特徴
とする請求項1または2記載の半導体装置用リードフレ
ーム。
3. The slit-shaped or groove-shaped opening is formed only in a partial region of a peripheral portion surrounding the tip of the resin flow hole formed in the corner region. 2. The lead frame for a semiconductor device according to 2.
【請求項4】 前記スリットはエチング加工またはプレ
ス加工の一方を用いて複数個一列状態で開口される請求
項1または3記載の半導体装置用リードフレーム。
4. The lead frame for a semiconductor device according to claim 1, wherein a plurality of the slits are opened in one row by using one of an etching process and a press process.
【請求項5】 前記溝状の開口部は、前記リードフレー
ム厚の略半分の深さまでエッチングされるハーフエッチ
ング加工、またはパンチにより略半分の深さまで開口す
るプレス加工のいずれか一方を用いて開口される請求項
2または3記載の半導体装置用リードフレーム。
5. The groove-shaped opening is formed by using either one of a half etching process for etching to a depth of about half of the lead frame thickness and a press process for opening to a depth of about half by a punch. The lead frame for a semiconductor device according to claim 2 or 3.
【請求項6】 半導体素子を搭載するリードフレームの
吊りピンの幅が一部拡張され、その拡張領域とコーナー
部領域とを含む領域に樹脂流動ホールが開口されて封入
樹脂がリードフレームの上下面に均等に流入させるよう
にしたリードフレームであって、エッチング加工工程ま
たはプレス加工工程のいずれかにより形成される半導体
装置用リードフレームの製造方法において;前記コーナ
ー部領域に形成された前記樹脂流動ホールの周縁を囲む
ように所定形状のスリットまたは溝状の開口部の開口工
程が前記エッチング加工工程または前記プレス加工工程
のいずれかに含まれ、前記エッチングによる前記開口工
程は、前記拡張領域の表裏両面または一方面にレジスト
を塗布する第1の工程と、前記スリットを開口するため
のパターンが含まれたパターンマスクを用いて、前記流
動ホール周縁部のうち前記コーナー部領域の前記両面ま
たは前記一方面に露光および焼き付けをする第2の工程
と、前記露光および焼き付けをした前記スリット状また
は前記溝状の開口部形成個所の前記レジストを現像して
除去する第3の工程と、前記現像により露出された前記
スリット状または前記溝状の開口部形成個所の表面を、
エッチングにより裏面まで開口するスリット形成工程ま
たは前記一方面から所定の深さまで開口する溝形成工程
からなる第4の工程とからなり、前記プレス加工による
前記開口工程は、所定の打抜きパンチにより前記スリッ
トの形状に合せて前記コーナー領域を打抜く打抜き加
工、または前記溝状の開口部の形状に合せて所定の深さ
まで開口する溝状の切り込み加工のいずれかの工程から
なることを特徴とする半導体装置用リードフレームの製
造方法。
6. A width of a hanging pin of a lead frame on which a semiconductor element is mounted is partially expanded, a resin flow hole is opened in a region including the expansion region and a corner region, and encapsulating resin is formed on the upper and lower surfaces of the lead frame. In a method of manufacturing a lead frame for a semiconductor device, which is a lead frame that is made to uniformly flow into a corner of the resin flow hole, wherein the resin flow hole is formed in the corner region. A step of opening a slit or a groove-shaped opening having a predetermined shape so as to surround the periphery of is included in either the etching process or the pressing process, and the opening process by the etching is performed on both front and back surfaces of the expansion region. Alternatively, a first step of applying a resist on one surface and a pattern for opening the slit are included. Second step of exposing and baking the both surfaces or the one surface of the corner area of the flow hole peripheral edge portion using the patterned mask, and the slit shape or the groove shape exposed and baked. A third step of developing and removing the resist at the opening forming portion, and the surface of the slit-shaped or groove-shaped opening forming portion exposed by the development,
It comprises a fourth step consisting of a slit forming step of opening up to the back surface by etching or a groove forming step of opening up to a predetermined depth from the one surface. A semiconductor device, comprising either a punching process for punching the corner region according to the shape or a groove-shaped cutting process for opening to a predetermined depth according to the shape of the groove-shaped opening. For manufacturing lead frames for automobiles.
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