JP2704128B2 - Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing the same - Google Patents

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing the same

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JP2704128B2
JP2704128B2 JP7032221A JP3222195A JP2704128B2 JP 2704128 B2 JP2704128 B2 JP 2704128B2 JP 7032221 A JP7032221 A JP 7032221A JP 3222195 A JP3222195 A JP 3222195A JP 2704128 B2 JP2704128 B2 JP 2704128B2
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semiconductor device
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用リードフレ
ームに係わり、特にモールド樹脂封入時の樹脂溜りの除
去方法を改善した半導体装置用リードフレームに関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame for a semiconductor device, and more particularly to a lead frame for a semiconductor device having an improved method of removing a resin pool when a molding resin is filled.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の半導体装置は、微細加工技術の進
展に伴いその集積度も向上するとともに、利用分野も工
業用機器、民生用機器を含む幅広い分野の機器に使用さ
れるようになってきた。そのため、小型化、薄型化およ
び多ピン化等のそれぞれの機器に使用し易い形状のパッ
ケージを備えた半導体装置が製品化されている。
2. Description of the Related Art In recent years, the degree of integration of semiconductor devices has been improved with the development of microfabrication technology, and the application fields have been used in a wide range of equipment including industrial equipment and consumer equipment. Was. For this reason, a semiconductor device having a package with a shape that is easy to use for each device such as miniaturization, thinning, and increase in the number of pins has been commercialized.

【0003】これらの半導体装置に用いられるパッケー
ジ形態のなかに樹脂封止によるDIP(dual in
−line package)型、QFP(quad
flat package)型、およびQUIP(qu
ad in−line)型等がある。
[0003] Among the package forms used in these semiconductor devices, DIP (dual in
-Line package) type, QFP (quad)
flat package) and QUIP (qu
ad in-line) type.

【0004】これらのパッケージを構成する場合には、
導電性の金属材料を用いたリードフレームが使用され
る。リードフレームは薄い金属板をプレス加工により打
ち抜いて所望の形状を得る方法とエッチング処理による
方法とがある。このリードフレームのアイランドに半導
体チップを搭載し、その電極とアイランド周辺に配設さ
れたインナリードとを金属細線(ワイヤ)を用いてワイ
ヤボンディングすることによって電気的接続を行ない、
これらを樹脂で封止する構造がとられている。
When constructing these packages,
A lead frame using a conductive metal material is used. The lead frame includes a method of punching a thin metal plate by press working to obtain a desired shape and a method of etching. A semiconductor chip is mounted on the island of the lead frame, and its electrodes and inner leads arranged around the island are electrically connected by wire bonding using a thin metal wire (wire).
These are sealed with a resin.

【0005】上述した樹脂封止時においては、所定のパ
ッケージの形状に合せて形成されたキャビティ内に半導
体装置が搭載されたリードフレームが収容され、半導体
装置を搭載するアイランドの吊りピンの一方側から樹脂
が封入される。その場合、リードフレームの上下両面に
均等に樹脂を封入するために開発された方法の一つに樹
脂流動ホールと称する穴部を吊りピン部とコーナー部と
を含む領域に形成し、吊りピンの下面側から注入した樹
脂がこの樹脂流動ホールを通って上面にも流入し、上下
両面に万遍なく樹脂が注入されるように工夫されてい
る。
At the time of the above-described resin sealing, a lead frame on which a semiconductor device is mounted is housed in a cavity formed in accordance with the shape of a predetermined package, and one side of a suspension pin of an island on which the semiconductor device is mounted. Is filled with resin. In that case, one of the methods developed for uniformly encapsulating the resin on both the upper and lower surfaces of the lead frame is to form a hole called a resin flow hole in an area including the suspension pin and the corner, and The resin injected from the lower surface side also flows into the upper surface through the resin flow holes, and the resin is injected uniformly on both upper and lower surfaces.

【0006】その一例のリードフレームの平面図を示し
た図5(a)、樹脂封入後のリードフレームを平面図で
示した図5(b)、およびこのリードフレームを樹脂封
止する工程であって、封入前のリードフレームの断面図
を示した図6(a)、樹脂封入開始状態を断面図で示し
た図6(b)、樹脂封入後の状態を断面図で示した図6
(c)、封入後のパッケージをゲートブレイクにより個
別のパッケージに分離した状態を断面図で示した図6
(d)をそれぞれ併せて参照すると、導電性材料を用い
たリードフレーム1は、アイランド2と、インナリード
3と、アウタリード4と、インナリード3およびアウタ
リード4の間にあってこれらのリード群を支持するタイ
バー5と、4辺のコーナー部分でアウタリード4が配置
されていないスペースであるコーナー部領域のゲート部
6と、コーナー部分に接続された吊りピン7のうちの一
つの幅が部分的に拡張され、その拡張部分とゲート部6
とを含む領域に開口された樹脂流動ホール8とを有し、
アイランド2に半導体チップ21が搭載され、その入出
力電極とインナリード3とがワイヤ22で接続されてい
る。
FIG. 5A shows a plan view of an example of a lead frame, FIG. 5B shows a plan view of a lead frame after resin encapsulation, and a step of sealing the lead frame with resin. 6 (a) showing a cross-sectional view of a lead frame before encapsulation, FIG. 6 (b) showing a cross-sectional view of a resin encapsulation start state, and FIG. 6 showing a state after encapsulation of resin.
(C) FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state where the package after encapsulation is separated into individual packages by gate break.
Referring to (d) together, the lead frame 1 using a conductive material is located between the island 2, the inner lead 3, the outer lead 4, and between the inner lead 3 and the outer lead 4, and supports these lead groups. The width of one of the tie bar 5, the gate portion 6 in the corner portion area where the outer lead 4 is not arranged in the four corner portions, and the hanging pin 7 connected to the corner portion is partially expanded. , Its expanded part and gate part 6
And a resin flow hole 8 opened in a region including
A semiconductor chip 21 is mounted on the island 2, and its input / output electrodes and the inner leads 3 are connected by wires 22.

【0007】樹脂封入は、半導体チップ21を搭載した
リードフレーム1が複数個同時に行なわれるのが一般的
である。すなわち、リードフレームの複数個が、150
°〜180°Cの高温に加熱したパッケージ下金型23
および上金型24で挟まれてセットされ、モールドプレ
スで型締めし、流動性のある熱可塑性樹脂を60〜12
0Kg/cm2 の低圧で金型内に注入してパッケージを
トランスファ成形する。
In general, resin encapsulation is performed simultaneously for a plurality of lead frames 1 on which a semiconductor chip 21 is mounted. That is, when a plurality of lead frames
Mold lower mold 23 heated to a high temperature of ° to 180 ° C
And set by being sandwiched between upper molds 24, and clamped by a mold press.
The package is transfer molded by injecting into a mold at a low pressure of 0 Kg / cm 2 .

【0008】このとき、両方のパッケージを挟む金型の
キャビティは樹脂流入路により連結されており、その中
間部に設けられたカル部26に樹脂投入部27があって
樹脂が投入される(図6(a)および(b))。
[0008] At this time, the mold sandwiching both packages <br/> Cavity I is connected by the resin inlet path, the intermediate portion cull part 26 by a resin feeding section 27 resin provided on (FIGS. 6A and 6B).

【0009】熱可塑性樹脂は注入圧力により樹脂流は樹
脂流入路内のリードフレーム1の下側を流れ、インナリ
ード3間のスキ間、あるいはインナリード3とダイパッ
ド2間のスキ間からリードフレーム1の上面のキャビテ
ィ内にも充填される。このとき上述した樹脂流動ホール
8からも樹脂流がリードフレーム1の上面に流入するの
で、キャビティ内には樹脂が均等に充填されることにな
る。
Due to the injection pressure of the thermoplastic resin, the resin flows under the lead frame 1 in the resin inflow passage and flows between the inner leads 3 or between the inner leads 3 and the die pad 2. Cavite on top of
It is also filled in the space . Since this time the resin flow from resin flow hole 8 described above flows into the upper surface of the lead frame 1, is in the cavitation I would resin is uniformly filled.

【0010】リードフレーム1が封入されたパッケージ
は樹脂により複数個が連結された状態にあり、その中間
部に形成されるカル部26の樹脂を成形ポンチ28で上
下から挟んで固定し、パッケージに下向きの圧力を加え
ることによって個別のパッケージに分離(ゲートブレイ
ク)する(図5(c))。
The package in which the lead frame 1 is enclosed is in a state where a plurality of packages are connected by a resin, and the resin of the cull portion 26 formed in the middle portion thereof is fixed by sandwiching the resin from above and below with a molding punch 28, and is fixed to the package. The package is separated into individual packages (gate break) by applying downward pressure (FIG. 5C).

【0011】この樹脂封止されたパッケージの外側には
インナリード3が延長されたアウタリード4、タイバー
5、ゲート部6および樹脂流動ホール8部分が露出した
状態にあり、樹脂流動ホール8の個所にはホールの上下
面にその周縁部からはみ出した状態で樹脂溜り部29が
形成されている(図5(b)および図6(d))。
Outside the resin-sealed package, the outer leads 4, the tie bars 5, the gate portions 6, and the resin flow holes 8 where the inner leads 3 are extended are exposed. A resin reservoir 29 is formed on the upper and lower surfaces of the hole so as to protrude from the peripheral edge thereof (FIGS. 5B and 6D).

【0012】上述した樹脂溜り部29は、パッケージと
しては不要な部分であるから、除去する必要がある。こ
の樹脂溜り除去工程であって、その封入後のパッケージ
の部分断面図を示した図7(a)、ゲートブレイクを行
なった後のパッケージの部分断面図を示した図7
(b)、樹脂溜り部29の切断を説明するパッケージの
部分断面図を示した図7(c)、樹脂溜り部29の切断
後のパッケージの部分断面図を示した図7(d)を参照
すると、樹脂封入後のパッケージをゲートブレイクによ
り個別のパッケージに分離し、樹脂溜り部29が残った
状態にする(図7(a)および(b))。この樹脂溜り
部29をポンチ30により打ち落して製品に仕上げる
(図7(c)および(d))。なお、この図では図示し
ていないがタイバー5の切断も同時に行なわれる。
The above-mentioned resin reservoir 29 is an unnecessary part for a package, and therefore needs to be removed. FIG. 7 (a) showing a partial cross-sectional view of the package after the encapsulation in the resin pool removing step, and FIG. 7 showing a partial cross-sectional view of the package after performing a gate break.
(B), FIG. 7 (c) showing a partial cross-sectional view of the package illustrating cutting of the resin reservoir 29, and FIG. 7 (d) showing a partial cross-sectional view of the package after cutting the resin reservoir 29. Then, the package after resin encapsulation is separated into individual packages by gate break, leaving a resin reservoir 29 (FIGS. 7A and 7B). The resin reservoir 29 is shot down with a punch 30 to finish the product (FIGS. 7C and 7D). Although not shown in the figure, the tie bar 5 is cut at the same time.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】前述した従来の半導体
装置用リードフレームは、リードフレーム1に搭載され
た半導体チップ21を樹脂封止する際に、パッケージキ
ャビティ25内に封入する樹脂をリードフレーム1の上
面側および下面側の両面から注入する手段として樹脂流
動ホール8を有している。そのため、この樹脂流動ホー
ル8部分に樹脂溜り部29が樹脂封入後に形成される。
この樹脂溜り部29はリードフレームとしては不要であ
り、かつ後工程における搬送時にこの樹脂溜り部が搬送
治具に接触して搬送の流れを止める要因にもなってい
た。
In the above-described conventional lead frame for a semiconductor device, when the semiconductor chip 21 mounted on the lead frame 1 is sealed with a resin, the resin sealed in the package cavity 25 is filled with the lead frame 1. A resin flow hole 8 is provided as a means for injecting the resin from both upper and lower surfaces. Therefore, a resin reservoir 29 is formed in the resin flow hole 8 after the resin is filled.
The resin reservoir 29 is not necessary as a lead frame, and also causes the resin reservoir to come into contact with a transport jig during transportation in a later step, thereby stopping the flow of transportation.

【0014】したがって、樹脂封止後はタイバー切断と
同時にこの樹脂溜り部分の打ち落しを行なうが、このと
き、樹脂流動ホール8からはみ出した樹脂が樹脂流動ホ
ール8の周縁部を挟み込む状態で密着している。リード
フレーム1と樹脂の密着性が良いため、図7(e)に示
したように、成形ポンチ30で打ち落しても樹脂溜り部
29が樹脂流動ホール8の周縁部のリードフレームコー
ナー部に密着したまま周縁部を折り曲げた状態で残り、
この残った樹脂溜り部29を除去しても周縁部の折れ曲
り部分31はバリ状の突起として残るので、上述した後
工程におけるパッケージ搬送での送りミス等のトラブル
が発生し易い。
Therefore, after the resin is sealed, the resin pool portion is shot down simultaneously with the cutting of the tie bar. At this time, the resin overflowing from the resin flow hole 8 comes into close contact with the resin flow hole 8 while sandwiching the peripheral edge thereof. ing. Since the adhesiveness between the lead frame 1 and the resin is good, as shown in FIG. 7E, even if the resin punch 29 is shot down with the forming punch 30, the resin reservoir 29 closely adheres to the lead frame corner of the peripheral portion of the resin flowing hole 8. Remains in a state where the peripheral part is bent with
Even if the remaining resin pool portion 29 is removed, the bent portion 31 of the peripheral portion remains as a burr-like projection, so that troubles such as a feeding error in the package transport in the post-process described above are likely to occur.

【0015】さらにパッケージ側の打ち落された部分に
クラック32あるいは欠損個所33を生じ、パッケージ
不良が発生する場合が多い。
Further, cracks 32 or defective portions 33 are formed in the shot-down portions on the package side, and package defects often occur.

【0016】本発明の目的は、上述した欠点に鑑みなさ
れたものであり、樹脂封止後における樹脂溜り部除去の
工程で、樹脂流動ホールの周縁部にバリが生じることな
く、さらに樹脂溜り部を打ち落した後のパッケージ側の
クラックおよび樹脂の欠損を生じない構造を有する半導
体装置用リードフレームを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks. In the step of removing a resin pool after resin sealing, no burr is formed on the periphery of the resin flow hole, and the resin pool is further removed. An object of the present invention is to provide a lead frame for a semiconductor device having a structure in which cracks on the package side and resin loss after knocking down are not generated.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置用リ
ードフレームの特徴は、半導体素子を搭載するリードフ
レームの吊りピンの幅が一部拡張され、その拡張領域と
コーナー部領域とを含む領域に開口されて封入樹脂をリ
ードフレームの上下面に均等に流入させるための樹脂流
動ホールを有する半導体装置用リードフレームにおい
て、前記封入により前記樹脂流動ホールに形成された樹
脂溜まり部によって挟み込まれた前記周縁部金属を、前
記周縁部を囲んで設けた断面がV字状の溝または方形の
スリット列に沿って密着状態の前記樹脂諸共打ち落とす
構造を有することにある。
A feature of the lead frame for a semiconductor device according to the present invention is that a width of a suspension pin of a lead frame on which a semiconductor element is mounted is partially expanded, and an area including the expanded area and a corner area is provided. are opened in the lead frame for a semiconductor device having a resin flow holes for the uniform flow into the sealed resin on the upper and lower surfaces of the lead frame is sandwiched by the resin reservoir formed earlier SL resin flow holes encapsulated The peripheral metal
The cross-section provided around the peripheral portion has a V-shaped groove or a rectangular shape.
Along the slit row, the above resin in close contact is shot down
It has a structure .

【0018】[0018]

【0019】[0019]

【0020】[0020]

【0021】[0021]

【0022】本発明の半導体装置用リードフレームの製
造方法の特徴は、半導体素子を搭載するリードフレーム
の吊りピンの幅が一部拡張され、その拡張領域とコーナ
ー部領域とを含む領域に樹脂流動ホールが開口されて封
入樹脂がリードフレームの上下面に均等に流入させるよ
うにしたリードフレームであって、エッチング加工工程
またはプレス加工工程のいずれかにより形成される半導
体装置用リードフレームの製造方法において;前記コー
ナー部領域に形成された前記樹脂流動ホールの周縁部の
金属を囲むように所定形状のスリットまたはV字状の溝
の開口工程が前記エッチング加工工程または前記プレ
ス加工工程のいずれかに含まれ、前記エッチングによる
前記開口工程は、前記拡張領域の表裏両面または一方面
にレジストを塗布する第1の工程と、前記スリットを開
口するためのパターンが含まれたパターンマスクを用い
て、前記流動ホール周縁部の金属のうち前記コーナー
部領域の前記両面または前記一方面に露光および焼き付
けをする第2の工程と、前記露光および焼き付けをした
前記スリットまたは前記溝形成個所の前記レジストを
現像して除去する第3の工程と、前記現像により露出さ
れた前記スリットまたは前記溝形成個所の表面を、エ
ッチングにより裏面まで開口するスリット形成工程また
は前記一方面から所定の深さまで開口する溝形成工程か
らなる第4の工程とからなり、前記プレス加工による前
記開口工程は、所定の打抜きパンチにより前記スリット
の形状に合せて前記コーナー領域を打抜く打抜き加工、
または前記溝の形状に合せて所定の深さまで開口する
切り込み加工のいずれかの工程からなることにある。
The method of manufacturing a lead frame for a semiconductor device according to the present invention is characterized in that the width of a suspension pin of a lead frame on which a semiconductor element is mounted is partially expanded, and the resin flows into a region including the expanded region and a corner region. A method of manufacturing a lead frame for a semiconductor device, wherein a hole is opened so that an encapsulating resin flows evenly into the upper and lower surfaces of the lead frame. A peripheral portion of the resin flow hole formed in the corner region;
Predetermined shape of the slit or V-shaped groove <br/> opening process so as to surround the metal is included in one of the etching process or the pressing process, the opening process by the etching, the extension A first step of applying a resist to both front and back surfaces or one surface of the region, and using a pattern mask including a pattern for opening the slit, the corner region of the metal at the periphery of the flow hole ; wherein the second step of the two-sided or exposure and baking on the one surface of the slit Thomas other that the exposure and baking a third step of removing by developing the resist formation positions of the grooves , said the said slit enriched other exposed by developing the surface of the formation positions of the grooves, slits forming step or the one surface opened by etching to the back surface Consists of a fourth step consisting of a groove forming step of opening to the Luo predetermined depth, said opening step by the press working, punching for punching the corner area to the shape of the slit by a predetermined punch,
Or a groove that opens to a predetermined depth according to the shape of the groove
In any one of the cutting processes.

【0023】[0023]

【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0024】図1は本発明の半導体装置用リードフレー
ムの第1の実施例の平面図を示す図である。図1を参照
すると、リードフレーム1は、半導体チップを搭載する
アイランド2と、半導体チップの電極とボンディングワ
イヤで接続されるインナリード3と、アウタリード4
と、インナリード3およびアウタリード4の間にあって
これらのリード群を支持するタイバー5と、4辺のコー
ナー部分でアウタリード4が配置されていない領域であ
るゲート部5と、コーナー部分に接続された吊りピン7
のうちの一つの幅が部分的に拡張され、その拡張部分と
ゲート部5とを含む領域に開口され、かつゲート部5領
域の開口部が所定の大きさで、吊りピン6の拡張領域の
ホールよりも広く開口された脂流動ホール8とを有し、
ゲート部5領域の開口部を囲むように周縁部にエッチン
グ処理またはプレス加工処理による溝状の開口部(Vノ
ッチ)9が開口されている。
FIG. 1 is a plan view of a first embodiment of a semiconductor device lead frame according to the present invention. Referring to FIG. 1, a lead frame 1 includes an island 2 on which a semiconductor chip is mounted, an inner lead 3 connected to an electrode of the semiconductor chip by a bonding wire, and an outer lead 4.
A tie bar 5 between the inner lead 3 and the outer lead 4 for supporting these leads; a gate portion 5 where four outer corners are not provided with the outer leads 4; Pin 7
Is partially expanded, and is opened to a region including the expanded portion and the gate portion 5, and the opening of the gate portion 5 region has a predetermined size, and A fat flow hole 8 opened wider than the hole,
A groove-shaped opening (V notch) 9 is formed in the periphery by etching or pressing to surround the opening in the gate portion 5 region.

【0025】このVノッチ9を設けたことにより、パッ
ケージキャビティ内のアイランド2および半導体チップ
の位置が、樹脂流でずれて変形しないようにリードフレ
ーム1の両面に均等に樹脂を充填するべく開口された樹
脂流動ホール8には、前述したように、封入後に樹脂溜
り部が形成される。ゲートブレイクによって樹脂注入路
で連結された他のパッケージと分離した後、樹脂流動ホ
ール8に残った樹脂溜り部をタイバー5とともに成形ポ
ンチで打ち落す。
By providing the V-notch 9, the positions of the island 2 and the semiconductor chip in the package cavity are opened so that both sides of the lead frame 1 are uniformly filled with resin so as not to be displaced and deformed by the resin flow. As described above, a resin reservoir is formed in the resin flow hole 8 after the sealing. After being separated from other packages connected by a resin injection path by a gate break, the resin pool remaining in the resin flow hole 8 is shot down together with the tie bar 5 with a molding punch.

【0026】このとき、Vノッチ9の無い従来のリード
フレームでは樹脂流動ホール8の周縁部にくい込んだ樹
脂溜り部が打ち落されたときに、樹脂と周縁部金属との
密着性が良いために樹脂が剥離せず、周縁部をも同時に
折り曲げてしまい、樹脂を取り去っても残った周縁部を
バリ状に変形させていた。
At this time, in the conventional lead frame without the V notch 9, when the resin pool portion, which is hardly inserted into the peripheral portion of the resin flowing hole 8, is shot down, the adhesion between the resin and the peripheral portion metal is good. The resin did not peel off, and the peripheral portion was also bent at the same time, and the peripheral portion remaining after the resin was removed was deformed into a burr shape.

【0027】そのため、Vノッチ9をあらかじめ開口し
ておくことによってそのノッチ部分のリードフレームの
厚みが薄くなっているので、樹脂流動ホール8に形成さ
れた樹脂溜り部の打ち落しに伴なってVノッチ9によっ
て囲まれた領域(すき間)10も一緒に打ち落すことが
出来る。
Since the V-notch 9 is opened in advance to reduce the thickness of the lead frame in the notch, the V-notch 9 is cut down by the resin pool formed in the resin flow hole 8. The area (gap) 10 surrounded by the notch 9 can be shot down together.

【0028】したがって、周縁部がバリ状に変形するこ
ともなく樹脂溜り部9のパッケージ側の接続部にも余分
な圧力もかからないので、パッケージ側の打ち落された
側面部分にクラック、あるいはパッケージ欠損も生じな
い。
Therefore, the peripheral portion is not deformed into a burr shape, and no extra pressure is applied to the connection portion of the resin reservoir 9 on the package side. Does not occur.

【0029】なお、上述したVノッチ9はリードフレー
ム1の表裏両面のうちいずれの面に形成してもよい。
The above-described V notch 9 may be formed on any one of the front and back surfaces of the lead frame 1.

【0030】本発明の第2の実施例を平面図で示した図
2を参照すると、第1の実施例との相違点は、第1の実
施例におけるVノッチ9に代えてエッチング処理または
プレス加工処理によるスリット11が開口されているこ
とである。このスリット11はリードフレーム1の裏面
まで貫通され、短かいスリット11を樹脂流動ホール7
の周縁を囲むように複数個所一列に並べて開口してあ
る。
Referring to FIG. 2, which is a plan view of a second embodiment of the present invention, the difference from the first embodiment is that an etching process or a pressing process is performed in place of the V notch 9 in the first embodiment. That is, the slit 11 is opened by the processing. This slit 11 penetrates to the back surface of the lead frame 1, and the short slit 11 is inserted into the resin flow hole 7.
A plurality of openings are arranged in a line so as to surround the periphery of.

【0031】それ以外の構成要素は第1の実施例と同様
であるから、同一の構成要素には同一の符号を付して構
成の説明は省略する。
The other components are the same as those of the first embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals and description of the configuration will be omitted.

【0032】このスリット11を設けたことにより、こ
のリードフレーム1を樹脂封止したパッケージは、ゲー
トブレイクによって樹脂注入路で連結された他のパッケ
ージと分離された後、樹脂流動ホール8に残った樹脂溜
り部をタイバー5とともに成形ポンチで打ち落す。
By providing the slit 11, the package in which the lead frame 1 is sealed with a resin is separated from other packages connected by a resin injection path by a gate break, and remains in the resin flowing hole 8. The resin pool is shot down together with the tie bar 5 with a forming punch.

【0033】このとき、前述したように、スリット11
の無い従来のリードフレームではホール7の周縁部にく
い込んだ樹脂溜り部が周縁部をバリ状に変形させていた
が、スリット11があらかじめ開口され、成形ポンチで
容易に打ち落せる程度までスリット間隔を狭めてあるの
で、樹脂流動ホール8に形成された樹脂溜り部の打ち落
しに伴ないスリット11によって囲まれたすき間12も
一緒に打ち落すことが出来る。
At this time, as described above, the slit 11
In the conventional lead frame having no hole, the resin pool portion which was hardly inserted into the peripheral portion of the hole 7 deformed the peripheral portion into a burr-like shape. Is reduced, the gap 12 surrounded by the slit 11 can be shot down together with the shot down of the resin reservoir formed in the resin flow hole 8.

【0034】したがって、第1の実施例同様に、周縁部
がバリ状に変形することもなく樹脂溜り部9のパッケー
ジ側の接続部にも余分な圧力もかからないので、パッケ
ージ側の打ち落された側面部分にクラック、あるいはパ
ッケージ欠損も生じない。
Therefore, similarly to the first embodiment, the peripheral portion is not deformed into a burr-like shape, and no extra pressure is applied to the connection portion of the resin reservoir 9 on the package side. No cracks or package defects occur on the side surfaces.

【0035】上述した本発明の半導体装置用リードフレ
ームの製造方法は、通常のリードフレーム形成工程であ
るエッチング加工工程による製造工程であって、スリッ
トおよびVノッチ部分に係わる工程のうち、加工前のリ
ードフレーム金属材料を断面図で示した図3(a)、レ
ジスト塗布を断面図で示した図3(b)、露光および焼
付けを断面図で示した図3(c)、現像処理の断面図を
示した図(d)、エッチング処理の断面図を示した図
(e)、レジスト除去を断面図で示した図3(f)を併
せて参照すると、それぞれの図毎に、左側にスリット形
成工程を、右側にVノッチ形成工程を各々対比させて示
してある。
The above-described method for manufacturing a lead frame for a semiconductor device according to the present invention is a manufacturing process based on an etching process which is a normal lead frame forming process, and includes a process related to a slit and a V-notch portion before processing. FIG. 3 (a) showing a lead frame metal material in a sectional view, FIG. 3 (b) showing a resist coating in a sectional view, FIG. 3 (c) showing exposure and baking in a sectional view, and a sectional view of a developing process. (D), FIG. 3 (e) showing a cross-sectional view of the etching process, and FIG. 3 (f) showing the resist removal in a cross-sectional view. The steps are shown on the right side in comparison with the V-notch forming steps.

【0036】まず、リードフレームの金属材料13の表
裏両面にそれぞれレジスト14を塗布する(図3(a)
および(b))。
First, a resist 14 is applied to each of the front and back surfaces of the metal material 13 of the lead frame (FIG. 3A).
And (b)).

【0037】次に、リードフレーム1に必要なアイラン
ド2、インナリード3、アウタリード4、タイバー5、
樹脂流動ホール8等の形成に必要なパターンとともに本
発明のVノッチ9およびスリット11形成のためのパタ
ーンがあらかじめ形成されたパターンマスク15を用い
て、金属材料13の表裏両面または片面に露光と焼き付
けを行なう(図3(c))。
Next, the islands 2, inner leads 3, outer leads 4, tie bars 5,
Using a pattern mask 15 in which patterns for forming the V notches 9 and slits 11 of the present invention are formed in advance together with patterns necessary for forming the resin flow holes 8 and the like, exposure and printing are performed on both front and back surfaces or one surface of the metal material 13. (FIG. 3 (c)).

【0038】すなわち、パターンマスク15は、Vノッ
チ9の場合、例えば50μm〜500μmの幅の穴を開
口するためのリードフレーム金属材料13の片面だけに
適用するパターンマスクであり、スリット11の場合
も、例えば50μm〜500μmの幅の穴を開口するた
めの両面にかけるパターンマスクである。
That is, the pattern mask 15 is a pattern mask applied to only one surface of the lead frame metal material 13 for opening a hole having a width of, for example, 50 μm to 500 μm in the case of the V notch 9. For example, it is a pattern mask to be applied to both surfaces for opening holes having a width of 50 μm to 500 μm.

【0039】次に、現像処理により先に露光・焼付け処
理をした部分のレジストを除去した後、例えば塩化第二
鉄からなる溶剤により先にレジスト除去処理をした部分
のリードフレーム1をエッチング処理して表裏両面の開
口(スリット)、またはハーフエッチング(Vノッチ)
する。このときのVノッチ9のエッチングで開口する深
さは、少くともリードフレーム厚の約半分の深さがあれ
ば、樹脂溜り部の打ち落しとともにすき間12の打ち落
しも容易である(図3(d)および(e))。
Next, after removing the resist in the portion which has been previously exposed and baked by a developing process, the lead frame 1 in the portion where the resist has been removed beforehand is etched with a solvent comprising, for example, ferric chloride. Opening (slit) on both sides, or half etching (V notch)
I do. At this time, if the depth of the opening formed by etching the V notch 9 is at least about half the thickness of the lead frame, the gap between the resin pool and the gap 12 can be easily cut off (FIG. 3 ( d) and (e)).

【0040】最後に、リードフレーム1全面のレジスト
14の除去処理を行なうことによりVノッチ9およびス
リット11を有するリードフレーム1が得られる(図3
(f)。
Finally, the lead frame 1 having the V notch 9 and the slit 11 is obtained by removing the resist 14 from the entire surface of the lead frame 1 (FIG. 3).
(F).

【0041】一方、プレス金型による製造工程であっ
て、プレス加工前のリードフレーム金属材料を断面図で
示した図4(a)、ポンチによるプレス加工の断面図を
示した図4(b)、プレス加工の状態を断面図で示した
図4(c)、プレス加工後の断面図を示した図4(d)
を参照すると、この場合もそれぞれの図毎に、左側にス
リット形成工程を、右側にVノッチ形成工程を各々対比
させて示してある。
On the other hand, FIG. 4A is a cross-sectional view of a lead frame metal material before press working in a manufacturing process using a press die, and FIG. 4B is a cross-sectional view of press work using a punch. FIG. 4 (c) showing the state of the press working in a sectional view, and FIG. 4 (d) showing the sectional view after the press working.
In this case, the slit forming step is shown on the left side and the V-notch forming step is shown on the right side in each case.

【0042】まず、リードフレーム13の金属材料を成
形ダイ16およびホルダ17により上下からホールドす
る。成形ダイ16はスリット加工の場合はスリット形状
に合せて型が作製されている(図4(a)および
(b))。
First, the metal material of the lead frame 13 is held by the forming die 16 and the holder 17 from above and below. In the case of the slit processing, the forming die 16 is formed with a mold according to the slit shape (FIGS. 4A and 4B).

【0043】次に、スリット形成の場合は打ち抜きポン
チ18により不要部分20を打ち抜き、Vノッチ形成の
場合は、ポンチ19によりリードフレーム厚の少なくと
も約半分の深さまで溝を開口することにより、Vノッチ
9およびスリット11を有するリードフレームが得られ
る(図4(c)および(d))。
Next, in the case of forming a slit, the unnecessary portion 20 is punched out by a punching punch 18, and in the case of forming a V notch, a groove is opened to a depth of at least about half of the lead frame thickness by a punch 19, thereby forming a V notch. A lead frame having a slit 9 and a slit 11 is obtained (FIGS. 4C and 4D).

【0044】上述した2つの実施例では、樹脂流動ホー
ル8の周縁をぐるりと囲む「C字型」のスリットおよび
ノッチを形成したが、これらは「コの字型」でもよく、
要は打ち落し可能な形状であればよく、少なくとも湾曲
した周縁部頂点近辺を囲むことが出来るだけの形状を有
することが必要である。
In the two embodiments described above, the "C-shaped" slits and notches surrounding the periphery of the resin flow hole 8 are formed, but these may be "U-shaped".
In short, it is only necessary to have a shape that can be knocked down, and it is necessary to have a shape that can surround at least the vicinity of the curved peripheral portion vertex.

【0045】また、Vノッチ9で囲まれた樹脂流動ホー
ル7との狭いすき間10およびスリット11で囲まれた
狭いすき間12の幅は、封入樹脂が樹脂流動ホール8の
周縁部からはみ出る幅よりも広い幅にあらかじめ設定さ
れ、少なくとも0.1mm幅分のスペースが開いていれ
ば充分である。
The width of the narrow gap 10 between the resin flow hole 7 surrounded by the V notch 9 and the narrow gap 12 surrounded by the slit 11 is larger than the width of the sealed resin protruding from the periphery of the resin flow hole 8. It is sufficient if the width is set in advance to be wide and at least a space of 0.1 mm width is opened.

【0046】[0046]

【発明の効果】上述したように、本発明の半導体装置用
リードフレームおよびその製造方法は、吊りピンの幅が
一部拡張され、その拡張領域とコーナー部領域とを含む
領域に樹脂流動ホールが開口されて封入樹脂がリードフ
レームの上下面に均等に流入させるようにしたリードフ
レームであって、コーナー部領域の樹脂流動ホール周縁
部または周縁部先端近辺を囲むように開口されたスリッ
ト、または所定の深さで掘られたノッチを有し、これ等
所定形状のスリットまたはノッチが開口される工程が通
常のエッチング加工工程またはプレス加工工程のいずれ
かに含まれて形成されるので、スリットまたはノッチの
無い従来のリードフレームでは樹脂流動ホールの周縁部
を挟み込むように密着した樹脂溜り部を打ち落す時に、
樹脂の密着性が良いために樹脂が剥れにくく周縁部をも
折り曲げてしまい、樹脂除去後はバリ状になって残って
いた。しかし、本発明のスリットまたはノッチをあらか
じめ開口しておくことによって、その複数のスリット部
分によって部分的に切り離され、ノッチ部分は厚みが薄
くなっているので、樹脂流動ホールに形成された樹脂溜
り部の打ち落しに伴なってスリットまたはノッチによっ
て囲まれた領域も一緒に打ち落すことが容易に出来る。
As described above, in the semiconductor device lead frame and the method of manufacturing the same according to the present invention, the width of the suspension pin is partially expanded, and the resin flow hole is formed in the area including the expanded area and the corner area. opening has been sealed resin is a lead frame so as to uniformly flow into the upper and lower surfaces of the lead frame, the opened slits so as to surround the resin flow hole peripheral portion or the peripheral tip near the corner area or, It has a notch dug at a predetermined depth, and a step of opening a slit or notch of such a predetermined shape is formed by being included in either a normal etching processing step or a pressing processing step. In a conventional lead frame without a notch, when the resin puddle that adheres so as to sandwich the periphery of the resin flow hole is shot down,
Because of the good adhesion of the resin, the resin was not easily peeled, and the peripheral portion was also bent. After the resin was removed, the resin remained in a burr shape. However, by previously opening the slit or notch of the present invention, the slit or notch is partially cut off by the plurality of slit portions, and the notch portion is thinner, so that the resin reservoir formed in the resin flow hole is formed. The area surrounded by the slit or the notch can be easily shot down together with the shot down.

【0047】したがって、周縁部がバリ状に変形するこ
ともなく樹脂溜り部のパッケージ側の接続部にも余分な
圧力もかからないので、パッケージ側の打ち落された側
面部分にはクラック、あるいはパッケージ欠損も生じな
い半導体装置用のリドフレームを提供することが出来
る。
Therefore, the peripheral portion is not deformed into a burr-like shape, and no extra pressure is applied to the connection portion of the resin reservoir portion on the package side. It is possible to provide a lid frame for a semiconductor device which does not cause any problem.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例によるリードフレームの
平面図を示す図である。
FIG. 1 is a plan view showing a lead frame according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例によるリードフレームの
平面図を示す図である。
FIG. 2 is a plan view showing a lead frame according to a second embodiment of the present invention.

【図3】(a)スリットおよびVノッチ部分に係わる工
程のうち、エッチング加工前のリードフレーム金属材料
を示した断面図である。 (b)レジスト塗布を示した断面図である。 (c)露光および焼付を示した断面図である。 (d)現像処理を示したの断面図である。 (e)エッチング処理を示した断面図図である。 (f)レジスト除去を示した断面図である。
FIG. 3A is a cross-sectional view showing a lead frame metal material before etching in a process relating to a slit and a V-notch portion. FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating resist application. (C) is a sectional view showing exposure and printing. FIG. 4D is a cross-sectional view illustrating the developing process. (E) is a sectional view showing an etching process. FIG. 4F is a cross-sectional view showing the removal of the resist.

【図4】(a)スリットおよびVノッチ部分に係わる工
程のうち、プレス加工前のリードフレーム金属材料を示
した断面図である。 (b)ポンチによるプレス加工を示した断面図である。 (c)プレス加工の状態を示した断面図である。 (d)プレス加工後の状態を示した断面図である。
FIG. 4A is a cross-sectional view showing a lead frame metal material before press working in a process relating to a slit and a V-notch portion. (B) It is sectional drawing which showed the press work by a punch. (C) It is sectional drawing which showed the state of press working. (D) is a sectional view showing a state after press working.

【図5】(a)樹脂流動ホールをもつ従来のリードフレ
ームの一例を示す平面図である。 (b)樹脂封入後のリードフレームの平面図である。
FIG. 5A is a plan view showing an example of a conventional lead frame having resin flow holes. (B) It is a top view of the lead frame after resin encapsulation.

【図6】(a)従来のリードフレームを樹脂封止する工
程であって、封入前のリードフレームの主要部の断面図
である。 (b)樹脂封入開始状態を示した断面図である。 (c)樹脂封入後の状態を示した断面図である。 (d)封入後のパッケージをートブレイクにより個別の
パッケージに分離した状態を示した断面図である。
FIG. 6A is a cross-sectional view of a main part of a lead frame before encapsulation, in a step of sealing a conventional lead frame with a resin. FIG. 4B is a cross-sectional view illustrating a resin encapsulation start state. FIG. 3C is a cross-sectional view showing a state after resin sealing. (D) is a cross-sectional view showing a state in which the package after encapsulation is separated into individual packages by a break.

【図7】(a)樹脂溜り除去工程であって、その封入後
のパッケージの部分断面図である。 (b)ゲートブレイクを行なった後のパッケージの部分
断面図である。 (c)樹脂溜り部の切断を説明するパッケージの部分断
面図である。 (d)樹脂溜り部の切断後のパッケージの部分断面図で
ある。 (e)樹脂溜り部除去時の不具合パッケージの一例の部
分断面図である。
FIG. 7A is a partial cross-sectional view of the package after the encapsulation in the resin pool removing step. FIG. 2B is a partial cross-sectional view of the package after performing a gate break. FIG. 3C is a partial cross-sectional view of the package for explaining the cutting of the resin reservoir. FIG. 4D is a partial cross-sectional view of the package after cutting the resin reservoir. FIG. 5E is a partial cross-sectional view of an example of the defective package at the time of removing the resin reservoir.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 リードフレーム 2 アイランド 3 インナリード 4 アウタリード 5 タイバー 6 ゲート部 7 吊りピン 8 樹脂流動ホール 9 Vノッチ 10 Vノッチおよび樹脂流動ホール間のすき間 11 スリット 12 スリットおよび樹脂流動ホール間のすき間 13 リドフレームの金属材料 14 レジスト 15 パターンマスク 16a,16b 成形ダイ 17a 打ち抜きポンチ 17b ポンチ 18 打ち抜かれた不要部 21 半導体チップ 22 ワイヤ 23 下金型 24 上金型 25 キャビティ 26 カル部 27 樹脂投入部 28,30 成形ポンチ 29 樹脂溜り部 31 折れ曲り部分 32 クラック 33 欠損個所 REFERENCE SIGNS LIST 1 lead frame 2 island 3 inner lead 4 outer lead 5 tie bar 6 gate section 7 suspension pin 8 resin flow hole 9 V notch 10 gap between V notch and resin flow hole 11 slit 12 gap between slit and resin flow hole 13 lid frame Metal material 14 resist 15 pattern mask 16a, 16b forming die 17a punching punch 17b punch 18 punched unnecessary portion 21 semiconductor chip 22 wire 23 lower die 24 upper die 25 cavity 26 cull portion 27 resin input portion 28,30 forming punch 29 Resin pool part 31 Bent part 32 Crack 33 Missing part

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体素子を搭載するリードフレームの
吊りピンの幅が一部拡張され、その拡張領域とコーナー
部領域とを含む領域に開口されて封入樹脂をリードフレ
ームの上下面に均等に流入させるための樹脂流動ホール
を有する半導体装置用リードフレームにおいて、前記封
入により前記樹脂流動ホールに形成された樹脂溜まり部
によって挟み込まれた前記周縁部金属を、前記周縁部を
囲んで設けた断面がV字状の溝または方形のスリット列
に沿って密着状態の前記樹脂諸共打ち落とす構造を有す
ことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
1. A width of a suspension pin of a lead frame on which a semiconductor element is mounted is partially expanded, and an opening is opened in a region including the expanded region and a corner region so that an encapsulating resin flows uniformly into the upper and lower surfaces of the lead frame. the lead frame for a semiconductor device having a resin flow hole for the resin reservoir portion formed in earlier SL resin flow holes sealed
The peripheral metal sandwiched by
V-shaped groove or square slit array provided so as to surround it
Has a structure to drop down the resin together in close contact along
Lead frame for a semiconductor device, characterized in that that.
【請求項2】 半導体素子を搭載するリードフレームの
吊りピンの幅が一部拡張され、その拡張領域とコーナー
部領域とを含む領域に樹脂流動ホールが開口されて封入
樹脂がリードフレームの上下面に均等に流入させるよう
にしたリードフレームであって、エッチング加工工程ま
たはプレス加工工程のいずれかにより形成される半導体
装置用リードフレームの製造方法において;前記コーナ
ー部領域に形成された前記樹脂流動ホールの周縁部を囲
むように所定形状のスリットまたはV字状の溝の開口工
程が、前記エッチング加工工程または前記プレス加工工
程のいずれかに含まれ、前記エッチングによる前記開口
工程は、前記拡張領域の表裏両面または一方面にレジス
トを塗布する第1の工程と、前記スリットを開口するた
めのパターンが含まれたパターンマスクを用いて、前記
流動ホールの周縁部のうち前記コーナー部領域の前記両
面または前記一方面に露光および焼き付けをする第2の
工程と、前記露光および焼き付けをした前記スリットま
たは前記溝の形成個所の前記レジストを現像して除去す
る第3の工程と、前記現像により露出された前記スリッ
トまたは前記溝の形成個所の表面を、エッチングにより
裏面まで開口するスリット形成工程または前記一方面か
ら所定の深さまで開口する溝形成工程からなる第4の工
程とからなり、前記プレス加工による前記開口工程は、
所定の打抜きパンチにより前記スリットの形状に合せて
前記コーナー領域を打抜く打抜き加工、または前記溝の
形状に合せて所定の深さまで開口する溝の切り込み加工
のいずれかの工程からなることを特徴とする半導体装置
用リードフレームの製造方法。
2. The width of a suspension pin of a lead frame on which a semiconductor element is mounted is partially expanded, and a resin flow hole is opened in a region including the expanded region and a corner region, so that a sealing resin is formed on upper and lower surfaces of the lead frame. A method of manufacturing a lead frame for a semiconductor device formed by either an etching process or a press process; wherein the resin flowing hole formed in the corner region is provided. An opening step of a slit or a V-shaped groove having a predetermined shape so as to surround a peripheral portion of the expansion area is included in either the etching step or the press processing step. Includes a first step of applying a resist on both sides or one side, and a pattern for opening the slit A second step of exposing and printing the both sides or the one side of the corner area of the peripheral portion of the flow hole using the patterned mask, and the slit or the groove subjected to the exposure and printing A third step of developing and removing the resist at the formation location, and a slit formation step of opening the surface of the formation location of the slit or the groove exposed by the development to the back surface by etching or from the one surface. A fourth step including a groove forming step of opening to a predetermined depth, wherein the opening step by the press working includes:
A punching process of punching the corner region in accordance with the shape of the slit by a predetermined punching punch, or a cutting process of a groove opening to a predetermined depth in accordance with the shape of the groove. Of manufacturing a semiconductor device lead frame.
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