JPS63107124A - Manufacture of semiconductor device and molding die used therein - Google Patents

Manufacture of semiconductor device and molding die used therein

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JPS63107124A
JPS63107124A JP25168086A JP25168086A JPS63107124A JP S63107124 A JPS63107124 A JP S63107124A JP 25168086 A JP25168086 A JP 25168086A JP 25168086 A JP25168086 A JP 25168086A JP S63107124 A JPS63107124 A JP S63107124A
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JP
Japan
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dam
resin
lead frame
burr
lead
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Application number
JP25168086A
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Japanese (ja)
Inventor
Tomoo Sakamoto
友男 坂本
Yasuhiro Koyama
泰弘 小山
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS63107124A publication Critical patent/JPS63107124A/en
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Abstract

PURPOSE:To facilitate removal of dam burr yielded in the inside of a dam and to ensure the removal, by forming resin burr yielded by molding so that the central part is thick and mechanical strength is large with respect to the boundary part between a lead frame part and a package. CONSTITUTION:When a semiconductor device is manufactured by using a lead frame 1, a thin region 18, whose thickness is the same as that of the lead frame 1, consists of the following parts of dam burr 7 yielded in resin molding in the lead frame 1: leads 3; an outer frame 5; the boundary parts with dams 6; and the boundary part with a package 2 formed by resin molding. The inner central part of the region 18 is formed as a thin protruding part 19. When an external force is applied to the dam burr at the time of removal of the dam burr, stress is concentrated on the end of the thin region 18, i.e., the leads 3, the outer frame 5, the lead frame part of the dam 6 and the boundary surface with the package 2. Thus the dam burr 7 is cut and separated from the interface without the remaining part.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体デバイスの製造方法およびその方法にお
いて用いられるモールド型に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device and a mold used in the method.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

レジンモールド型半導体デバイス(半導体装置とも称す
る。)は、その製造において、リードフレームと呼称さ
れる金属板をバターニングした基板が使用されている。
2. Description of the Related Art Resin-molded semiconductor devices (also referred to as semiconductor devices) use a substrate formed by patterning a metal plate called a lead frame.

レジンモールド型半導体デバイスの製造にあっては、最
初に、このリードフレームのチップ取付部にチップ(半
4体素子)が固定(チップボンディング)されるととも
に、このチップの各電極とリードフレームの各リードの
内端がワイヤで電気的に接続(ワイヤボンディング)さ
れる。その後、チップおよびリード内端部等の被モール
ド領域がレジンでモールド(封止)され、チップ等はレ
ジンからなるパッケージで被われる。さらに、前記リー
ドフレームの不要部分は切断除去されてレジンモールド
型半導体デバイスが製造される。また、前記不要リード
フレーム除去後、必要ならばパッケージから突出するリ
ードは成形され、たとえばインライン形となる。
In manufacturing a resin molded semiconductor device, first, a chip (half-quad element) is fixed (chip bonding) to the chip mounting part of this lead frame, and each electrode of this chip and each electrode of the lead frame are The inner ends of the leads are electrically connected (wire bonding) with wires. Thereafter, the chip and the molded areas such as the inner ends of the leads are molded (sealed) with resin, and the chip and the like are covered with a package made of resin. Further, unnecessary portions of the lead frame are cut and removed to produce a resin molded semiconductor device. Further, after the unnecessary lead frame is removed, the leads protruding from the package are molded, for example, into an in-line type, if necessary.

前記封止は、一般にトランスファモールドプレスが用い
られている。この半導体デバイスでは、前述のように、
チップ搭載、ワイヤ張りが終了したリードフレームをモ
ールド金型の上型と下型との間に挟んだ(型締め)後、
上型中央のポット内に投入されかつ下型中央のカル上に
載るレジンタブレットを、プランジャで加圧加熱して溶
融させ、溶けたレジンを上・下型によって形成されたレ
ジン流路(メインランナ、サブランナ、ゲート)を通し
てキャビティ内に送り込み、キャビティ内に位置するリ
ードフレーム部分をレジンで被うようになっている。ま
た、キャビティおよびレジン流路内のレジンはキュア処
理されて硬化するので、硬化した成形品は上型と下型と
が引き離された(型開き)後取り出される。
A transfer mold press is generally used for the sealing. In this semiconductor device, as mentioned above,
After the lead frame with the chip mounted and wire tensioned is sandwiched between the upper and lower parts of the mold (mold clamping),
The resin tablet placed in the pot in the center of the upper mold and placed on the cull in the center of the lower mold is heated under pressure with a plunger to melt it, and the melted resin is passed through the resin flow path (main runner) formed by the upper and lower molds. , sub-runner, and gate) into the cavity, and the lead frame portion located inside the cavity is covered with resin. Further, since the resin in the cavity and the resin flow path is cured and hardened, the cured molded product is taken out after the upper mold and lower mold are separated (mold opening).

このようなトランスファモールドプレスでは、レジンモ
ールド時にリードフラッシュ等のパリ (レジンバリ)
が発生するため、レジンモールド後にこれらのパリは除
去される。たとえば、工業調査会発行「電子材料419
81年別冊号、昭和56年11月10日発行、P170
−P175には、成形後、ICのアウターリードのハン
ダ付は性を保証するために、表面処理を行うが、その前
処理として、モールド時に発生したリードフラッシュを
あらかじめ除去する必要がある旨記載されている。また
、同文献には、このパリを除去するデフラッシュ方法と
して、機械的に行うブラスト法と、薬品による化学処理
法があり、品質保持から、ガラスピーズ、アルミナ、ポ
リスチレンなどの粒子(メディア)を高圧エアで吹き付
ける乾式プラス□ ト法、水などの溶剤と粒子を混合さ
せて吹き付ける湿式ブラスト法が広く用いられている旨
記載されている。
In this type of transfer mold press, resin burrs such as lead flash occur during resin molding.
These particles are removed after resin molding. For example, see “Electronic Materials 419” published by Kogyo Research Council.
1981 special issue, published November 10, 1981, P170
- P175 states that after molding, surface treatment is performed to ensure solderability of the outer leads of the IC, but as a pretreatment, lead flash generated during molding must be removed in advance. ing. The same document also mentions the mechanical blasting method and the chemical treatment method using chemicals as deflashing methods for removing this paris, and in order to maintain quality, particles (media) such as glass beads, alumina, and polystyrene are used. It is stated that the dry blasting method, in which particles are sprayed with high-pressure air, and the wet blasting method, in which particles are mixed with a solvent such as water, are widely used.

また、以下は、公知どされた技術ではないが、本発明者
によって検討されたレジンバリ除去技術であり、その概
要は次のとおりである。
Further, although the following is not a publicly known technique, it is a resin burr removal technique studied by the present inventor, and its outline is as follows.

すなわち、レジンバリはリードフレーム表面に発生する
フラッシュとダムの内側に発生するダムバリとがある。
That is, resin burrs include flashes that occur on the surface of the lead frame and dam burrs that occur inside the dam.

これらのレジンバリは、前述のようなデフラッシュ方法
で除去されている。前記ダムバリを除去する方法として
、本出願人は、金型を使用してプレスでレジンバリを打
ち抜くようにしている。
These resin burrs are removed by the deflashing method described above. As a method for removing the dam burr, the present applicant uses a mold to punch out the resin burr with a press.

第9図は、半導体デバイスの製造におけるモールド後の
リードフレーム1を示すものである。同図で示されるよ
うに、モールドによって形成されたレジンからなるパッ
ケージ2は、リード3の内端側およびタブ吊りリード4
の内端側を封止している。一般に、リードフレーム1を
モールド上下型で型締した場合、リードフレーム1の表
裏面は、モールド上下型のパーティング面に密着するが
、パターンの抜けの部分は、リードフレーム1の板厚程
空隙が生じる。したがって、モールド時、前記キャビテ
ィと連通状態にある空隙部分にはレジンが流入する。こ
の流入したレジンは、実際には、キャビティの外側に延
在するリードフレーム1の一対の対面する外枠5と、こ
れら外枠5から延在しかつ各リード3を連結する一対の
対面するダム6によって構成される無端状の枠部で初め
て遮られる。同図では、この流入レジンの硬化によって
形成されたレジンバリ、すなわち、ダムバリアがクロス
ハツチングによって示されている。
FIG. 9 shows the lead frame 1 after molding in the manufacture of semiconductor devices. As shown in the same figure, the package 2 made of resin formed by molding is arranged on the inner end side of the lead 3 and on the tab hanging lead 4.
The inner end side is sealed. Generally, when the lead frame 1 is clamped with the upper and lower molds, the front and back surfaces of the lead frame 1 are in close contact with the parting surfaces of the upper and lower molds, but the gaps in the pattern are the same as the thickness of the lead frame 1. occurs. Therefore, during molding, resin flows into the gap that communicates with the cavity. This inflowing resin actually flows into a pair of facing outer frames 5 of the lead frame 1 extending outside the cavity, and a pair of facing dams extending from these outer frames 5 and connecting each lead 3. It is first obstructed by the endless frame formed by 6. In the figure, a resin burr, ie, a dam barrier, formed by the curing of this inflowing resin is shown by crosshatching.

そこで、これらのダムバリアを除去するために、第10
図に示されるように、櫛状に打抜刃8を有するポンチ9
によってリード3間に存在するダムバリアを打ち抜くよ
うにして蕗としている。
Therefore, in order to remove these dam barriers, the 10th
As shown in the figure, a punch 9 having a comb-shaped punching blade 8
By punching out the dam barrier that exists between the three reeds, it is used as a bush.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

ダムバリアを除去するためにダムバリアを直接 −打ち
抜く方法は、以下に記すような点で好ましくないことが
多々あることが、本発明者によってあきらかにされた。
The present inventor has revealed that the method of directly punching out the dam barrier for removing the dam barrier is often undesirable due to the following points.

前記ポンチ9の打抜刃8は、打ち抜き時に、リード3部
分を打ち抜かないように、リード3の間隔よりも狭い幅
となっている。このため、打抜刃8でダムバリアを打ち
抜いた場合、第11図に示されるように、ダムバリアの
周囲の部分が残留し易い傾向にある。この残留ダムバリ
10は、薄くかつ僅かにしか付いていないため、その後
除去し難い。この残留ダムバリ10は、リード3の半田
付は性を阻害する。
The punching blade 8 of the punch 9 has a width narrower than the interval between the leads 3 so as not to punch out the lead 3 portion during punching. For this reason, when the dam barrier is punched out with the punching blade 8, the surrounding portion of the dam barrier tends to remain as shown in FIG. 11. Since this residual dam burr 10 is thin and only slightly attached, it is difficult to remove it afterwards. This residual dam burr 10 impairs the soldering of the leads 3.

また、残留ダムバリ10は、第12図に示されるように
、パッケージ2と一部が繋がる不安定な状態の不安定バ
リ11ともなる。
Further, the residual dam burr 10 also becomes an unstable burr 11 in an unstable state that is partially connected to the package 2, as shown in FIG.

前記のような残留ダムバリ10や不安定バリ11は落下
し易い。落下したバリは、製造装置各部の慴動部に噛み
合って製造装置の駆動に支障を来したり、あるいはリー
ドの切断成形時、リード上に載ってそのままプレスされ
、リード面にレジン打痕が発生し、外観不良の原因とな
る。
The residual dam burrs 10 and unstable burrs 11 as described above are likely to fall. Fallen burrs can mesh with the sliding parts of various parts of the manufacturing equipment, causing problems with the driving of the manufacturing equipment, or, when the lead is being cut and formed, it can rest on the lead and be pressed, resulting in resin dents on the lead surface. This may cause poor appearance.

本発明の目的は、ダムの内側に生じるダムバリを確実に
除去できる半導体デバイスの製造方法を提供することに
ある。
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device that can reliably remove dam burrs that occur inside a dam.

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
The above and other objects and novel features of the present invention include:
It will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を節単に説明すれば、下記のとおりである。
A brief summary of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、本発明の半導体デバイスの製造方法にあって
は、リードフレームのダムおよび外枠の内側のレジンバ
リが発生する領域に対応するモールド型のパーティング
面に窪みを設け、モールドによって発生するレジンバリ
にあっては、その周縁に対して中央が厚くなるように形
成することによって、レジンバリ除去時、レジンバリが
リードフレーム部分およびパッケージから分断し易くな
るようになっている。また、前記レジンバリは、その−
面がリードフレームの一面から突出する構造となってい
るため、ローラを転動させながらリードフレーム面から
突出したレジンバリを押し下げることによって、レジン
バリはリードフレーム部分およびパッケージから分離し
て外れる。
That is, in the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, a recess is provided in the parting surface of the mold corresponding to the area where resin burrs occur inside the dam of the lead frame and the outer frame, so that the resin burr generated by the mold can be prevented. In some cases, the resin burr is formed to be thicker at the center than at the periphery, so that the resin burr is easily separated from the lead frame portion and the package when removing the resin burr. Moreover, the resin burr is
Since the surface protrudes from one surface of the lead frame, by rolling the roller and pushing down the resin burr protruding from the lead frame surface, the resin burr is separated from the lead frame portion and the package.

〔作用〕[Effect]

上記した手段によれば、モールドによって生じたレジン
バリは、リードフレーム部分およびパッケージとの境界
部分に対して中央部分が厚く機械的強度が大きくなって
いるため、レジンバリに外力を加えた際、レジンバリは
リードフレーム部分およびパッケージから残留部分を残
すことなく良好に分離する。また、レジンバリの除去は
、リードフレーム面から突出するレジンバリを押し下げ
るだけでよいことから、ローラの転勤接触による押し下
げで確実にレジンバリを分離させることができ、高価で
破損し易い櫛状のポンチの使用も不要となり、設備費が
安くなる。
According to the above-mentioned method, the resin burr generated by molding is thicker in the center and has greater mechanical strength than the boundary between the lead frame and the package, so when an external force is applied to the resin burr, the resin burr is removed. Good separation from lead frame parts and packages without leaving any residual parts. In addition, since resin burrs can be removed simply by pushing down the resin burrs protruding from the lead frame surface, the resin burrs can be reliably separated by pushing down due to rolling contact of the rollers, instead of using a comb-shaped punch that is expensive and easily damaged. is no longer necessary, reducing equipment costs.

〔実施例〕〔Example〕

以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例による半導体デバイスの製造
方法を示すフローチャート、第2図は同じくチンプボン
ディング、ワイヤボンディングが施されたリードフレー
ムの平面図、第3図は同じくモールド後のリードフレー
ムの平面図、第4図は同じくモールド型の一部を示す斜
視図、第5図は同じくダムバリ部分を示す断面図、第6
図は同じくダムバリを除去する状態を示す断面図、第7
図は同じく完成状態の半導体デバイスを示す正面図であ
る。
FIG. 1 is a flowchart showing a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of a lead frame subjected to chimp bonding and wire bonding, and FIG. 3 is a lead frame after molding. FIG. 4 is a perspective view showing a part of the mold, FIG. 5 is a sectional view showing the dam burr, and FIG.
The figure is also a cross-sectional view showing the state in which the dam burr is removed.
The figure is also a front view showing the semiconductor device in a completed state.

半導体デバイスは、第1図のフローチャートに示される
ように、リードフレーム用意、チップボンディング、ワ
イヤボンディング、モールド、レジンバリ除去、切断成
形の各工程を経て製造される。
As shown in the flowchart of FIG. 1, a semiconductor device is manufactured through the following steps: lead frame preparation, chip bonding, wire bonding, molding, resin burr removal, and cutting.

半導体デバイスの製造に用いられるリードフレーム1は
、たとえば、第2図に示されるようなパターンとなって
いる。リードフレーム1は、一対の平行に延在する外枠
5と、これら外枠5を所定間隔で連結する細い内枠12
と、対面する一対の内枠12の内縁から前記外枠5に対
して平行に延在する片持梁構造の複数のり−ド3と、前
記内枠12に平行に延在し、端のリード3と外枠5およ
び各リード3間をそれぞれ連結するダム6とからなって
いる。また、外枠5と内枠12とで形成されるリードフ
レームパターンの中心部分には、矩形のタブ13が配設
されている。このタブ13は、その両端を外枠5に一端
が連結された細いタブ吊りリード4で支持されている。
A lead frame 1 used for manufacturing semiconductor devices has a pattern as shown in FIG. 2, for example. The lead frame 1 includes a pair of parallel outer frames 5 and a thin inner frame 12 that connects the outer frames 5 at predetermined intervals.
, a plurality of cantilever-structured leads 3 extending parallel to the outer frame 5 from the inner edges of the pair of inner frames 12 facing each other, and a plurality of leads 3 extending parallel to the inner frame 12 at the ends. 3, an outer frame 5, and a dam 6 that connects each lead 3. Further, a rectangular tab 13 is provided at the center of the lead frame pattern formed by the outer frame 5 and the inner frame 12. This tab 13 is supported at both ends by a thin tab suspension lead 4 whose one end is connected to the outer frame 5.

一方、前記ダム6から外側のリード3部分、すなわち、
アウターリード14は等間隔に配設されるとともに、い
ずれも平行となって延在しているが、ダム6よりも内側
のリード3部分、すなわち、インナーリード15は途中
迄は相互に平行となっているが、その先端は前記タブ1
3に向かって屈曲して延在している。
On the other hand, the portion of the lead 3 outside the dam 6, that is,
The outer leads 14 are arranged at equal intervals and extend parallel to each other, but the parts of the leads 3 inside the dam 6, that is, the inner leads 15, are parallel to each other up to the middle. However, its tip is connected to the tab 1 mentioned above.
It extends and bends towards 3.

このようなリードフレーム1を用いて半導体デバイスを
製造する場合には、最初にチップボンディングが行われ
、第2図において一点鎖線で示されるように、前記タブ
13上に半導体素子(チップ)16がボンディングされ
る。
When manufacturing a semiconductor device using such a lead frame 1, chip bonding is first performed, and a semiconductor element (chip) 16 is placed on the tab 13 as shown by a dashed line in FIG. Bonded.

つぎに、ワイヤボンディングが行われ、前記チップ16
の電極と、これら電極に対応するリード3の内端とがワ
イヤ17で接続される。
Next, wire bonding is performed, and the chip 16
The electrodes and the inner ends of the leads 3 corresponding to these electrodes are connected by wires 17.

つぎに、レジンモールドが行われる。このモールドは、
第2図に示されるように、リードフレーム1の外枠5と
ダム6によって囲まれた領域、すなわち、二点鎖線で取
り囲まれる領域に対して行われる。この結果、第3図の
ように、レジンからなるパッケージ2によって、チップ
16.ワイヤ17、リード3の内端部分が被われる。こ
の際、前記リード3とダム6とによって取り囲まれる領
域およびタブ吊りリード4とダム6ならびに外枠5によ
って取り囲まれる領域には、第4図のハツチングで示さ
れるように、レジンが埋め込まれてレジンバリ、すなわ
ち、ダムバリアが発生してしまう。
Next, resin molding is done. This mold is
As shown in FIG. 2, this is performed on the area surrounded by the outer frame 5 and dam 6 of the lead frame 1, that is, the area surrounded by the two-dot chain line. As a result, as shown in FIG. 3, the chip 16. The inner end portions of the wire 17 and the lead 3 are covered. At this time, resin is embedded in the area surrounded by the lead 3 and the dam 6, the area surrounded by the tab suspension lead 4, the dam 6, and the outer frame 5, as shown by the hatching in FIG. In other words, a dam barrier will occur.

また、これが本発明の特徴的なことであるが、前記モー
ルドによって発生するダムバリアは、リードフレーム1
部分、すなわちリード3.外枠5゜ダム6との境界部分
、およびレジンモールドによって形成されたパッケージ
2との境界部分は、第5図に示されるように、リードフ
レーム1の厚さと同一となる薄い領域18となっている
が、その内側の中央部分は厚い突部19として形成され
ていることから、ダムバリアの除去時、ダムバリアに外
力が加わると、前記薄い領域18の端、すなわち、リー
ド3.外枠5.ダム6のリードフレーム部分およびパッ
ケージ2との境界面には応力集中が働き、ダムバリアは
その界面から残留部分を残すことなく分断分離するよう
になっている。
Moreover, this is a characteristic feature of the present invention, but the dam barrier generated by the mold is
part, i.e. lead 3. As shown in FIG. 5, the boundary between the outer frame 5° and the dam 6 and the boundary between the resin molded package 2 and the lead frame 1 form a thin region 18 having the same thickness as the lead frame 1. However, since the inner center portion is formed as a thick protrusion 19, when an external force is applied to the dam barrier during removal of the dam barrier, the end of the thin region 18, that is, the lead 3. Outer frame 5. Stress concentration acts on the interface between the lead frame portion of the dam 6 and the package 2, and the dam barrier is separated from the interface without leaving any residual parts.

このように、ダムバリアの一面中央にメサ状の突部19
を形成するためには、この部分に対応するモールド型の
パーティング面にはレジンが流れ込む窪みを設けておく
必要がある。たとえば、第4図に示されるように、この
実施例では、前記窪み20は、モールド型の下型(モー
ルド型)21の上型と密着するパーティング面22に設
けられる。同図に示されるように、下型21のパーティ
ング面22には9矩形状のキャビティ23が設けられて
いる。このキャビティ23はモールド上型と対面密着し
た際、上型のキャビティとによってパッケージ2を形成
するためのモールド空間を構成するようになっている。
In this way, there is a mesa-shaped protrusion 19 in the center of one side of the dam barrier.
In order to form this part, it is necessary to provide a recess into which the resin flows on the parting surface of the mold corresponding to this part. For example, as shown in FIG. 4, in this embodiment, the recess 20 is provided on the parting surface 22 that comes into close contact with the upper mold of the lower mold (mold mold) 21. As shown in the figure, nine rectangular cavities 23 are provided on the parting surface 22 of the lower mold 21. As shown in FIG. This cavity 23 is configured to form a mold space for forming the package 2 together with the cavity of the upper mold when it is brought into close contact with the upper mold.

また、前記キャビティ23の一端には、レジンが送り込
まれるゲート24が設けられている。そして、前記キャ
ビティ23の周囲には、ダムバリアが生じる部分に対応
して窪み20が設けられている。この窪み20は第4図
に示されるように、具体的には、リード相互間の領域お
よびリードとタブリード間の領域等に対面して設けられ
ている。また、前記窪み20はその周壁が皿状に傾斜し
ている。このため、離型性も良い。このような下型21
を用いる結果、ダムバリア部分は第す図に示されるよう
に、ダムバリアの“−面中央がリードフレーム1の一面
から突出した突部19と、その周囲に拡がる薄い領域1
8とによって構成される。
Furthermore, a gate 24 through which resin is fed is provided at one end of the cavity 23. A depression 20 is provided around the cavity 23 corresponding to a portion where a dam barrier is formed. As shown in FIG. 4, this depression 20 is specifically provided facing the area between the leads and the area between the leads and the tab lead. Further, the circumferential wall of the recess 20 is inclined in a dish-like manner. Therefore, the mold releasability is also good. Such a lower mold 21
As a result of using the dam barrier, as shown in FIG.
8.

つぎに、レジンバリの除去、すなわちダムバリアの除去
が行われる。この実施例では、前述のように、ダムバリ
アの突部19がリードフレーム1の表面よりも突出して
いることから、ダムバリア部分のみを押し下げる櫛状の
ポンチを用意することなく、突出した突部19の面をリ
ードフレーム1の面まで押し下げるだけでダムバリアは
、リードフレーム部分およびパッケージ2から確実に分
離する。
Next, resin burrs are removed, ie, the dam barrier is removed. In this embodiment, as mentioned above, since the protrusion 19 of the dam barrier protrudes beyond the surface of the lead frame 1, the protrusion 19 can be removed without preparing a comb-shaped punch to push down only the dam barrier portion. The dam barrier is reliably separated from the lead frame portion and the package 2 by simply pressing the surface down to the surface of the lead frame 1.

そこで、この実施例では、第6図に示されるように、パ
ッケージ2を有するリードフレーム1を裏返しにしてテ
ーブル25上にリードフレーム1を載置するとともに、
ローラ26を転勤させながらダムバリアの突部19を押
し下げ、この押し下げによってダムバリアを除去するよ
うになっている。前記テーブル25はパッケージ2部分
が入る孔を有していて、ダムバリアの除去時、パッケー
ジ2に外力が加わらないようになっている。また、この
テーブル25には、多数の抜は孔27が設けられている
。この抜は孔27は、載置されるリードフレーム1のダ
ムバリアに対面し、ダムバリアが押し下げられた際、リ
ードフレーム部分およびパンケージ2から分離したダム
バリアが引っ掛かることなく通過して落下できるように
なっている。
Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 6, the lead frame 1 having the package 2 is turned over and placed on the table 25, and
The protrusion 19 of the dam barrier is pushed down while the roller 26 is moved, and the dam barrier is removed by this pushing down. The table 25 has a hole into which the package 2 part is inserted, so that no external force is applied to the package 2 when the dam barrier is removed. Further, this table 25 is provided with a large number of punch holes 27. This extraction hole 27 faces the dam barrier of the lead frame 1 to be placed, and when the dam barrier is pushed down, the dam barrier separated from the lead frame portion and the pan cage 2 can pass through and fall without being caught. There is.

つぎに、プレスによる切断形成によって、第7図に示さ
れるように、デュアルインライン型の半導体デバイス2
8が製造される。
Next, by cutting and forming with a press, a dual in-line type semiconductor device 2 is formed as shown in FIG.
8 is produced.

このような実施例によれば、つぎのような効果が得られ
る。
According to such an embodiment, the following effects can be obtained.

(1)本発明によれば、モールド時に発生するリードや
ダム等の間に形成されるレジンバリは、中央が厚べかつ
その周縁がリードフレームの厚さと同じとなる薄い部分
となっていることから、レジンバリ除去時、応力集中が
レジンバリ周囲とリードフレーム部分との間に働き、か
つレジンバリ全体は機械的強度が大きいため、レジンバ
リは残留することなく除去されるという効果が得られる
(1) According to the present invention, resin burrs formed between leads, dams, etc. that occur during molding are thick at the center and thin at the periphery, which is the same thickness as the lead frame. When removing the resin burr, stress concentration acts between the periphery of the resin burr and the lead frame portion, and the resin burr as a whole has high mechanical strength, so that the resin burr can be removed without remaining.

(2)上記(1)により、本発明によれば、モールド後
、リードフレーム部分にレジンバリが残留していないた
め、残留レジンバリに起因するリードの半田付は性不良
は起きず品質が向上するという効果が得られる。
(2) According to (1) above, according to the present invention, no resin burrs remain on the lead frame part after molding, so lead soldering caused by residual resin burrs does not cause defects in quality and improves quality. Effects can be obtained.

(3)上記(1)により、本発明によれば、リードフレ
ーム部分にレジンバリが残留していないため、後工程で
リードフレームからレジンバリが脱落するようなことも
なく、レジンバリ落下によって発生する製造装置の駆動
不良が防止できるという効果が得られる。
(3) According to the above (1), according to the present invention, there is no resin burr remaining in the lead frame portion, so there is no resin burr falling off from the lead frame in the subsequent process, and the manufacturing device This has the effect that driving defects can be prevented.

(4)上記(1)により、本発明によれば、リードフレ
ーム部分にレジンバリが残留していないため、後工程で
リードフレームからレジンバリが脱落するようなことも
なく、リード上に載ったレジンバリを一緒にプレスする
結果リード面に圧痕が生じる等の不良の発生はなく、外
観不良発生率の低減が達成できるという効果が得られる
(4) According to the above (1), according to the present invention, since no resin burrs remain on the lead frame portion, there is no possibility that the resin burrs will fall off from the lead frame in the subsequent process, and the resin burrs placed on the leads can be removed. As a result of pressing together, defects such as indentation on the lead surface do not occur, and the effect of reducing the incidence of appearance defects is achieved.

(5)本発明によれば、レジンバリの除去を容易にする
ために、モールド型にレジンバリ発生部に対応して窪み
を設けているが、これら窪みは、キャビティ内で発生す
るボイドが抜ける空間ともなることから、パンケージ内
でのボイドの残留がなくなり、半導体デバイス封止の信
頼度が高くなるという効果が得られる。
(5) According to the present invention, in order to facilitate the removal of resin burrs, depressions are provided in the mold corresponding to resin burr occurrence areas, but these depressions are also spaces through which voids generated within the cavity can escape. As a result, voids do not remain in the pan cage, and the reliability of semiconductor device sealing is increased.

(6)上記(1)〜(5)により、本発明によれば、品
質の優れた半導体デバイスを安価に製造することができ
るという相乗効果が得られる。
(6) According to the above (1) to (5), according to the present invention, a synergistic effect is obtained in that semiconductor devices of excellent quality can be manufactured at low cost.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもなく、たとえば、第8図に示さ
れるように、レジンバリ、すなわち、ダムバリアを除去
するには、ダムバリアの突部19をリードフレーム1の
表面迄押し下げれば充分行えることから、矩形のブロッ
ク体からなるポンチ29でダムバリアを押し下げてダム
バリアの除去を行う。この実施例では、ポンチ29は押
圧面が平坦な面素な構造であることから、ポンチ29の
製作コストが安くなる。また、このポンチ29は機械的
強度も高いことから、このような実施例によれば、設備
費が安くなり、結果的に半ぷ体デバイスの製造コストの
低減が達成できることになる。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. For example, as shown in FIG. 8, in order to remove a resin burr, that is, a dam barrier, it is sufficient to push down the protrusion 19 of the dam barrier to the surface of the lead frame 1. The dam barrier is removed by pushing down the dam barrier with a punch 29. In this embodiment, the punch 29 has a planar structure with a flat pressing surface, so the manufacturing cost of the punch 29 is reduced. Further, since the punch 29 has high mechanical strength, according to this embodiment, the equipment cost is reduced, and as a result, the manufacturing cost of the half-body device can be reduced.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体デバイスの製
造技術に適用した場合について説明したが、それに限定
されるものではない。
In the above description, the invention made by the present inventor is mainly applied to the manufacturing technology of semiconductor devices, which is the background field of application, but the invention is not limited thereto.

本発明はレジンバリが発生するモールド技術には適用で
きる。
The present invention can be applied to molding techniques where resin burrs occur.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.

本発明によれば、レジンバリはその周縁に比較して中央
が厚くなるように、モールド型にあっては、そのパーテ
ィング面にレジンが流れ込む窪みが設けられていること
から、モールドによって生じたレジンバリは、外力を加
えることによって、リードフレーム部分およびパッケー
ジとの境界で残留部分を残すことなく確実に分離する。
According to the present invention, the mold is provided with a recess into which the resin flows into the parting surface so that the resin burr is thicker at the center than the periphery. By applying an external force, the lead frame portion and the package are reliably separated at the interface without leaving any residual portions.

この結果、レジンバリ残留に起因する弊害は解消される
As a result, the adverse effects caused by residual resin burrs are eliminated.

また、レジンバリの除去は、リードフレーム面から突出
するレジンバリをリードフレーム面迄押し下げるだけで
確実に行えるため、ローラの転勤接触や単なるブロック
状ポンチによるプレスによってレジンバリ除去が行え、
設備費用の低減が図れる。
In addition, resin burrs can be reliably removed by simply pushing the resin burrs protruding from the lead frame surface down to the lead frame surface, so resin burrs can be removed by rolling contact with rollers or simply pressing with a block-shaped punch.
Equipment costs can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例による半導体デバイスの製造
方法を示すフローチャート、 第2図は同じくチップボンディング、ワイヤボンディン
グが施されたリードフレームの平面図、第3図は同じく
モールド後のリードフレームの平面図、 第4図は同じくモールド型の一部を示す斜視図、第5図
は同じくダムバリ部分を示す断面図、第6図は同じくダ
ムバリを除去する状態を示す断面図、 第7図は同じく完成状態の半導体デバイスを示す正面図
、 第8図は本発明の他の実施例によるダムバリの除去方法
を示す断面図、 第9図はダムバリの発生状態を示す一部を示す模式的平
面図、 第10図は本出願人によるダムバリ除去方法を示す断面
図、 第11図はダムバリの残留状態を示す模式図、第12図
はダムバリの他の残留状態を示す模式%式% 3・・・リード、4・・・タブ吊りリード、5・・・外
枠、6・・・ダム、7・・・ダムバリ、8・・・打抜刃
、9・・・ポンチ、10・・・残留ダムバリ、11・・
・不安定バリ、12・・・内枠、13・・・タブ、14
・・・アウターリード、15・・・インナーリード、1
6・・・チップ、17・・・ワイヤ、18・・・薄い令
頁域、19・・・突部、20・・・窪み、21・・・下
型、22・・・パーティング面、23・・・キャビティ
、24・・・ゲート、25・・・テーブル、26・・・
ローラ、27・・・抜は孔、28・・・半oO 第  5  図 第  7  図 2r−爪・〉ブ
FIG. 1 is a flowchart showing a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of a lead frame subjected to chip bonding and wire bonding, and FIG. 3 is a lead frame after molding. 4 is a perspective view showing a part of the mold, FIG. 5 is a sectional view showing the dam burr, FIG. 6 is a sectional view showing the dam burr being removed, and FIG. 7 is a sectional view showing the dam burr removed. FIG. 8 is a cross-sectional view showing a method for removing dam burrs according to another embodiment of the present invention; FIG. 9 is a schematic plan view showing a part of the state in which dam burrs are generated; FIG. , Fig. 10 is a cross-sectional view showing the dam burr removal method by the present applicant, Fig. 11 is a schematic diagram showing the remaining state of dam burrs, and Fig. 12 is a schematic diagram showing other remaining states of dam burrs. Lead, 4... Tab hanging lead, 5... Outer frame, 6... Dam, 7... Dam burr, 8... Punching blade, 9... Punch, 10... Residual dam burr, 11...
・Unstable burr, 12...Inner frame, 13...Tab, 14
...Outer lead, 15...Inner lead, 1
6... Chip, 17... Wire, 18... Thin page area, 19... Protrusion, 20... Hollow, 21... Lower die, 22... Parting surface, 23 ...Cavity, 24...Gate, 25...Table, 26...
Roller, 27...Drilling hole, 28...Half oO Fig. 5 Fig. 7 Fig. 2r-claw/〉b

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 チップボンディングおよびワイヤボンディングが終
了したリードフレームを用意する工程と、前記リードフ
レームのダムの内側領域をレジンでモールドしてレジン
からなるパッケージで前記チップ、ワイヤ、リード内端
等を封止する工程と、前記モールドによって生じたダム
の内側のレジンバリを除去する工程と、を有し、前記モ
ールド時、レジンバリ面の少なくとも一部をリードフレ
ーム表面よりも突出させるように厚く形成し、その後前
記リードフレーム表面に到達する押圧体でレジンバリを
押し出してレジンバリを除去することを特徴とする半導
体デバイスの製造方法。 2 前記レジンバリはリードフレームおよびパッケージ
との境界が薄く形成されることを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の半導体デバイスの製造方法。 3 チップボンディングおよびワイヤボンディングが終
了したリードフレームのダムの内側領域をレジンでパッ
ケージするモールド型であって、前記モールドによって
レジンバリが発生するダムの内側領域に対応するモール
ド主面部分に少なくとも部分的にレジンが充填される窪
みが設けられていることを特徴とするモールド型。
[Claims] 1. A step of preparing a lead frame on which chip bonding and wire bonding have been completed, and molding the inner region of the dam of the lead frame with resin, and molding the inner ends of the chip, wire, and lead with a resin package. and a step of removing resin burrs on the inside of the dam caused by the molding, and during the molding, the resin burr surface is formed so as to be thick so as to protrude from at least a part of the surface of the lead frame. and then removing the resin burr by pushing out the resin burr with a pressing body that reaches the surface of the lead frame. 2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the resin burr is formed thin at a border between the lead frame and the package. 3. A mold for packaging an inner region of a dam of a lead frame on which chip bonding and wire bonding have been completed with resin, wherein at least a portion of the main surface of the mold corresponding to the inner region of the dam where resin burrs are generated by the mold is packaged with resin. A mold type characterized by being provided with a depression that is filled with resin.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US20150001691A1 (en) * 2013-06-27 2015-01-01 Leo M. Higgins, III Packaged semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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