JPH08225371A - 誘電体磁器 - Google Patents
誘電体磁器Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波用途に応用した場合でも、信頼性の高
い誘電体磁器を提供する。 【構成】 比誘電率が位置の関数として連続的あるいは
段階的に変化する傾斜機能構造を有する誘電体磁器であ
って、Ｍｇと、Ｓｉ、Ｔｉのうち少なくとも１種類の元
素と、酸素と、から構成されるとともに、比誘電率εが
６≦ε≦２０の範囲で変化することを特徴とする誘電体
磁器。
い誘電体磁器を提供する。 【構成】 比誘電率が位置の関数として連続的あるいは
段階的に変化する傾斜機能構造を有する誘電体磁器であ
って、Ｍｇと、Ｓｉ、Ｔｉのうち少なくとも１種類の元
素と、酸素と、から構成されるとともに、比誘電率εが
６≦ε≦２０の範囲で変化することを特徴とする誘電体
磁器。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体磁器、詳しく
は、高周波用電子部品等に用いられる誘電体磁器に関す
るものである。
は、高周波用電子部品等に用いられる誘電体磁器に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば、比誘電率εが位置の
関数として変化する傾斜機能構造を有する誘電体磁器
に、（Ｍｇ1-XＣａX）ＴｉＯ3で示される材料を用いる
と、Ｘの値を変えることによって、１７≦ε≦６０の範
囲の任意の比誘電率εを得ることができる。
関数として変化する傾斜機能構造を有する誘電体磁器
に、（Ｍｇ1-XＣａX）ＴｉＯ3で示される材料を用いる
と、Ｘの値を変えることによって、１７≦ε≦６０の範
囲の任意の比誘電率εを得ることができる。
【０００３】そのため、Ｘの値の異なる材料を複合化す
ることによって、１７≦ε≦６０の範囲で比誘電率εが
変化する傾斜機能構造を有する誘電体磁器を容易に得る
ことができる。
ることによって、１７≦ε≦６０の範囲で比誘電率εが
変化する傾斜機能構造を有する誘電体磁器を容易に得る
ことができる。
【０００４】図９は従来の誘電体磁器を用いたストリッ
プライン電極を形成した状態を示す平面図である。
プライン電極を形成した状態を示す平面図である。
【０００５】この誘電体基板１は、図９の点線で示され
る部分よりも内側の中央部分３と、点線で示された部分
よりも外側部分５とで構成されている。誘電体基板１上
には、ストリップライン電極７が形成される。この誘電
体基板１の中央部分３の比誘電率εは一定である。
る部分よりも内側の中央部分３と、点線で示された部分
よりも外側部分５とで構成されている。誘電体基板１上
には、ストリップライン電極７が形成される。この誘電
体基板１の中央部分３の比誘電率εは一定である。
【０００６】また、（Ｍｇ1-XＣａX）ＴｉＯ3のＸの値
を変えることによって、外側部分５は、中央部分３から
端部に向かうにしたがって、比誘電率εが１７≦ε≦６
０の範囲で小さくなる。
を変えることによって、外側部分５は、中央部分３から
端部に向かうにしたがって、比誘電率εが１７≦ε≦６
０の範囲で小さくなる。
【０００７】比誘電率εが大きくなると、ある特性イン
ピーダンスを達成するのに必要なストリップライン幅は
小さくなる。そのため、誘電体基板１上に特性インピー
ダンスがストリップライン上のすべての点で同じになる
ようなストリップライン電極７を形成する場合、図に示
すように、その端部でストリップライン電極７の寸法が
大きくなる構造となる。
ピーダンスを達成するのに必要なストリップライン幅は
小さくなる。そのため、誘電体基板１上に特性インピー
ダンスがストリップライン上のすべての点で同じになる
ようなストリップライン電極７を形成する場合、図に示
すように、その端部でストリップライン電極７の寸法が
大きくなる構造となる。
【０００８】従って、ストリップライン電極７の寸法が
大きくなった導体部７ａに同軸ケーブル等をボンディン
グすることができる。
大きくなった導体部７ａに同軸ケーブル等をボンディン
グすることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の誘電
体磁器を高周波用途に応用しようとした場合には、次の
ような問題点があった。 （１）比誘電率が大きいため、例えば、この誘電体磁器
を基板上に加工し、その上にストリップライン電極を形
成すると、表１に示すように、特性インピーダンス５０
Ωを満足させるためのストリップライン幅が高周波にな
るにしたがって減少してしまい、よって、外部回路との
接続が困難となる。
体磁器を高周波用途に応用しようとした場合には、次の
ような問題点があった。 （１）比誘電率が大きいため、例えば、この誘電体磁器
を基板上に加工し、その上にストリップライン電極を形
成すると、表１に示すように、特性インピーダンス５０
Ωを満足させるためのストリップライン幅が高周波にな
るにしたがって減少してしまい、よって、外部回路との
接続が困難となる。
【００１０】（２）また、ストリップラインの導体損失
も大きく、よって、ストリップライン電極を用いた平面
回路の特性が劣化する。
も大きく、よって、ストリップライン電極を用いた平面
回路の特性が劣化する。
【００１１】
【表１】
【００１２】本発明は、高周波用途に応用した場合で
も、信頼性の高い誘電体磁器を提供することを目的とす
る。
も、信頼性の高い誘電体磁器を提供することを目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段および作用】本発明は、上
記のような問題点を解決するべく、誘電体磁器を完成す
るに至った。本発明の誘電体磁器は、比誘電率が位置の
関数として連続的あるいは段階的に変化する傾斜機能構
造を有する誘電体磁器であって、Ｍｇと、Ｓｉ、Ｔｉの
うち少なくとも１種類の元素と、酸素と、から構成され
るとともに、比誘電率εが６≦ε≦２０の範囲で変化す
ること、に特徴がある。
記のような問題点を解決するべく、誘電体磁器を完成す
るに至った。本発明の誘電体磁器は、比誘電率が位置の
関数として連続的あるいは段階的に変化する傾斜機能構
造を有する誘電体磁器であって、Ｍｇと、Ｓｉ、Ｔｉの
うち少なくとも１種類の元素と、酸素と、から構成され
るとともに、比誘電率εが６≦ε≦２０の範囲で変化す
ること、に特徴がある。
【００１４】すなわち、Ｍｇ元素と、Ｓｉ元素あるいは
Ｔｉ元素と、酸素との配合により、比誘電率εが６≦ε
≦２０という低い範囲内での値をとることができるの
で、本発明の誘電体磁器を高周波用途に用いても、特性
インピーダンスのストリップライン幅が外部回路と接続
するのに十分な大きさとなる。
Ｔｉ元素と、酸素との配合により、比誘電率εが６≦ε
≦２０という低い範囲内での値をとることができるの
で、本発明の誘電体磁器を高周波用途に用いても、特性
インピーダンスのストリップライン幅が外部回路と接続
するのに十分な大きさとなる。
【００１５】また、導体損失が少なく、このストリップ
ライン電極を用いた平面回路の特性も劣化しない。
ライン電極を用いた平面回路の特性も劣化しない。
【００１６】しかも、傾斜機能構造により、比誘電率ε
を６≦ε≦２０の範囲内で連続的あるいは段階的に変化
させることができるので、特性インピーダンスのストリ
ップライン幅を比誘電率に応じて自在に形成することが
できる。
を６≦ε≦２０の範囲内で連続的あるいは段階的に変化
させることができるので、特性インピーダンスのストリ
ップライン幅を比誘電率に応じて自在に形成することが
できる。
【００１７】また、本発明の誘電体磁器は、前記比誘電
率εの範囲内で、前記誘電体磁器のＱ値にその測定周波
数ｆ（ＧＨｚ）を掛けた値Ｑ×ｆが、１００００（ＧＨ
ｚ）以上であることが望ましい。
率εの範囲内で、前記誘電体磁器のＱ値にその測定周波
数ｆ（ＧＨｚ）を掛けた値Ｑ×ｆが、１００００（ＧＨ
ｚ）以上であることが望ましい。
【００１８】なぜなら、このＱ×ｆの値が１００００
（ＧＨｚ）であれば、より一層高周波用途に適した誘電
体磁器となるからである。
（ＧＨｚ）であれば、より一層高周波用途に適した誘電
体磁器となるからである。
【００１９】なお、本発明の誘電体磁器は、前記Ｍｇ元
素、前記Ｓｉ元素、および前記Ｔｉ元素の合計１００ｍ
ｏｌ％のうち、前記Ｍｇが４０〜５５．５ｍｏｌ％、前
記Ｓｉが０〜５６ｍｏｌ％、前記Ｔｉが０〜５７ｍｏｌ
％であることが好ましい。
素、前記Ｓｉ元素、および前記Ｔｉ元素の合計１００ｍ
ｏｌ％のうち、前記Ｍｇが４０〜５５．５ｍｏｌ％、前
記Ｓｉが０〜５６ｍｏｌ％、前記Ｔｉが０〜５７ｍｏｌ
％であることが好ましい。
【００２０】なぜなら、これらの範囲内で組み合わせる
ことによって、比誘電率が６≦ε≦２０の範囲になる誘
電体磁器が形成されるからである。
ことによって、比誘電率が６≦ε≦２０の範囲になる誘
電体磁器が形成されるからである。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の誘電体磁器の一実施例につい
て説明する。図１は本発明の一実施例を示す図解図であ
る。誘電体基板１は、直方体状あるいは平板状を有して
おり、図１の点線Ａの間に挟まれた部分である中央部９
と、点線Ａと点線Ｂとの間に挟まれた部分である中間部
１１と、点線Ｂの外側の部分である外側部１３とから構
成されている。また、これらの中央部９と中間部１１と
外側部１３とは、一体的に形成されている。
て説明する。図１は本発明の一実施例を示す図解図であ
る。誘電体基板１は、直方体状あるいは平板状を有して
おり、図１の点線Ａの間に挟まれた部分である中央部９
と、点線Ａと点線Ｂとの間に挟まれた部分である中間部
１１と、点線Ｂの外側の部分である外側部１３とから構
成されている。また、これらの中央部９と中間部１１と
外側部１３とは、一体的に形成されている。
【００２２】中央部９および外側部１３は、その組成が
それぞれ均一であり、中間部１１は、その組成が場所に
よって異なるように形成される。
それぞれ均一であり、中間部１１は、その組成が場所に
よって異なるように形成される。
【００２３】すなわち、中間部１１は、誘電体基板１の
中央部９から外側部１３に向かうにしたがって、比誘電
率がεが６≦ε≦２０の範囲で小さくなるように、組成
が配分される。この組成配分は、段階的に変化してもよ
いし、連続的に変化してもよい。
中央部９から外側部１３に向かうにしたがって、比誘電
率がεが６≦ε≦２０の範囲で小さくなるように、組成
が配分される。この組成配分は、段階的に変化してもよ
いし、連続的に変化してもよい。
【００２４】従って、図１中の矢印Ｘで示す方向におい
て、誘電体基板１の一端から多端までの比誘電率εの分
布状態は、図２に示すように、中央部９および外側部１
３が一定であり、中間部１１が傾斜している。
て、誘電体基板１の一端から多端までの比誘電率εの分
布状態は、図２に示すように、中央部９および外側部１
３が一定であり、中間部１１が傾斜している。
【００２５】比誘電率εが大きくなると、ある特性イン
ピーダンスを達成するのに必要なストリップライン幅は
小さくなる。そのため、誘電体基板１上に特性インピー
ダンスがストリップライン上のすべての点で同じになる
ようなストリップライン電極７形成する場合、図３に示
すように、その端部でストリップライン電極７の寸法が
大きくなる構造となる。
ピーダンスを達成するのに必要なストリップライン幅は
小さくなる。そのため、誘電体基板１上に特性インピー
ダンスがストリップライン上のすべての点で同じになる
ようなストリップライン電極７形成する場合、図３に示
すように、その端部でストリップライン電極７の寸法が
大きくなる構造となる。
【００２６】従って、ストリップライン電極７の寸法が
大きくなった導体部７ａに同軸ケーブル等をボンディン
グすることができる。なお、図示していないが、誘電体
基板１の裏面の全面にはアース電極が形成されている。
大きくなった導体部７ａに同軸ケーブル等をボンディン
グすることができる。なお、図示していないが、誘電体
基板１の裏面の全面にはアース電極が形成されている。
【００２７】この誘電体基板１が、本発明の誘電体磁器
で構成された電子部品である。
で構成された電子部品である。
【００２８】次に、本発明の誘電体磁器と比較例の誘電
体磁器とを用いて作製した誘電体基板の特性比較を示
す。まず、本発明のＭｇ−Ｓｉ−Ｔｉ−Ｏ系の誘電体磁
器を用いた誘電体基板の作製方法について説明する。素
原料として、Ｍｇ（ＯＨ）2、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、を用
意し、表２に示す割合で素原料を秤量し、湿式ボールミ
ルで混合粉砕して、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．９の９種類の粉末
状の混合原料を得た。
体磁器とを用いて作製した誘電体基板の特性比較を示
す。まず、本発明のＭｇ−Ｓｉ−Ｔｉ−Ｏ系の誘電体磁
器を用いた誘電体基板の作製方法について説明する。素
原料として、Ｍｇ（ＯＨ）2、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、を用
意し、表２に示す割合で素原料を秤量し、湿式ボールミ
ルで混合粉砕して、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．９の９種類の粉末
状の混合原料を得た。
【００２９】
【表２】
【００３０】それぞれの混合原料を空気中において１１
５０℃で３時間仮焼し、得られた仮焼粉末を湿式ボール
ミルを用いて、平均粒径が１μｍ程度になるように粉砕
した。
５０℃で３時間仮焼し、得られた仮焼粉末を湿式ボール
ミルを用いて、平均粒径が１μｍ程度になるように粉砕
した。
【００３１】十分に乾燥させた粉砕粉末に対して、粉末
と有機溶剤（エタノール／トルエン＝１／１、ただし体
積比）、バインダー（ポリビニルブチラール系）、可塑
剤（ジオクチルブタレート系）、分散剤（ソルビタン脂
肪酸エステル系）を混合して、スラリーを得た。これら
のスラリーを用いて、ドクターブレード法によって厚み
６０μｍのグリーンシートを９種類作製した。
と有機溶剤（エタノール／トルエン＝１／１、ただし体
積比）、バインダー（ポリビニルブチラール系）、可塑
剤（ジオクチルブタレート系）、分散剤（ソルビタン脂
肪酸エステル系）を混合して、スラリーを得た。これら
のスラリーを用いて、ドクターブレード法によって厚み
６０μｍのグリーンシートを９種類作製した。
【００３２】次に、本発明の誘電体基板１を得るため
に、表２のＮｏ．１〜Ｎｏ．９の原料で形成したグリー
ンシートを図４に示すような成形体２になるように、積
層したのち熱圧着した。
に、表２のＮｏ．１〜Ｎｏ．９の原料で形成したグリー
ンシートを図４に示すような成形体２になるように、積
層したのち熱圧着した。
【００３３】このとき、成形体２の中央部９は、Ｎｏ．
９の原料で形成したグリーンシートで形成し、中間部１
１は、図１に示すように、Ｎｏ．２〜Ｎｏ．８の原料で
形成したグリーンシートを順次積層した。さらに、外側
部１３は、Ｎｏ．１の原料で形成したグリーンシートで
形成した。
９の原料で形成したグリーンシートで形成し、中間部１
１は、図１に示すように、Ｎｏ．２〜Ｎｏ．８の原料で
形成したグリーンシートを順次積層した。さらに、外側
部１３は、Ｎｏ．１の原料で形成したグリーンシートで
形成した。
【００３４】この成形体２では、Ｎｏ．９の原料で形成
した部分の長さＬ1が７．２ｍｍであり、また、Ｎｏ．
２〜Ｎｏ．８の原料で形成した部分の長さＬ2が１．９
２ｍｍであり、さらに、Ｎｏ．１の原料で形成した部分
の長さＬ3が１．２ｍｍであった。
した部分の長さＬ1が７．２ｍｍであり、また、Ｎｏ．
２〜Ｎｏ．８の原料で形成した部分の長さＬ2が１．９
２ｍｍであり、さらに、Ｎｏ．１の原料で形成した部分
の長さＬ3が１．２ｍｍであった。
【００３５】得られた成形体２をダイヤモンドカッター
を用いて成形体２の積層方向に沿って厚さ３ｍｍに切断
した後、成形体の有機成分を空気中において５００℃で
燃焼させたのち、空気中において１３７０℃で２時間の
焼成を行い、焼結体を得た。
を用いて成形体２の積層方向に沿って厚さ３ｍｍに切断
した後、成形体の有機成分を空気中において５００℃で
燃焼させたのち、空気中において１３７０℃で２時間の
焼成を行い、焼結体を得た。
【００３６】さらに、得られた焼結体を、厚さ１．２ｍ
ｍ、表面の粗さが１μｍ程度になるように研磨し、ダイ
ヤモンドカッターで形を整え、図１に示すような構造の
誘電体基板１を得た。
ｍ、表面の粗さが１μｍ程度になるように研磨し、ダイ
ヤモンドカッターで形を整え、図１に示すような構造の
誘電体基板１を得た。
【００３７】なお、この焼結体が図２に示すような比誘
電率傾斜構造を有していることは、Ｘ線マイクロアナラ
イザを用いて組成分析を行い、確認している。
電率傾斜構造を有していることは、Ｘ線マイクロアナラ
イザを用いて組成分析を行い、確認している。
【００３８】次に、この誘電体基板１の裏面の全面にＡ
ｕのアース電極を形成した。そして、誘電体基板１の比
誘電率特性と組成傾斜とを考慮し、特性インピーダンス
が概ね５０Ωとなるように、誘電体基板１の表面に図３
のようなＡｕのストリップライン電極７を形成した。な
お、ストリップライン電極７は、誘電体基板１にＡｕを
蒸着した後、フォトリソグラフィの手法を用いて、エッ
チングで行った。
ｕのアース電極を形成した。そして、誘電体基板１の比
誘電率特性と組成傾斜とを考慮し、特性インピーダンス
が概ね５０Ωとなるように、誘電体基板１の表面に図３
のようなＡｕのストリップライン電極７を形成した。な
お、ストリップライン電極７は、誘電体基板１にＡｕを
蒸着した後、フォトリソグラフィの手法を用いて、エッ
チングで行った。
【００３９】ここで、図３に示すように、誘電体基板１
の中央層９に形成されたストリップライン電極７の幅Ｗ
1は０．３９６ｍｍであり、外側層７に形成されたスト
リップ電極の幅Ｗ2は１．６０３ｍｍである。そして、
中間部５に形成されたストリップ電極は、中央部９から
外側部１３に向かって広がる形状で形成されている。
の中央層９に形成されたストリップライン電極７の幅Ｗ
1は０．３９６ｍｍであり、外側層７に形成されたスト
リップ電極の幅Ｗ2は１．６０３ｍｍである。そして、
中間部５に形成されたストリップ電極は、中央部９から
外側部１３に向かって広がる形状で形成されている。
【００４０】次に、比較例のＭｇ−Ｃａ−Ｔｉ−Ｏ系の
誘電体磁器を用いた誘電体基板の作製方法について説明
する。素原料として、Ｍｇ（ＯＨ）2、ＣａＣＯ3、Ｔｉ
Ｏ2、を用意し、表３に示す割合で素原料を秤量し、湿
式ボールミルで混合粉砕して、Ｎｏ．１０〜Ｎｏ．１８
の９種類の粉末状の混合原料を得た。
誘電体磁器を用いた誘電体基板の作製方法について説明
する。素原料として、Ｍｇ（ＯＨ）2、ＣａＣＯ3、Ｔｉ
Ｏ2、を用意し、表３に示す割合で素原料を秤量し、湿
式ボールミルで混合粉砕して、Ｎｏ．１０〜Ｎｏ．１８
の９種類の粉末状の混合原料を得た。
【００４１】
【表３】
【００４２】それぞれの混合原料を空気中において１１
５０℃で３時間仮焼し、得られた仮焼粉末を湿式ボール
ミルを用いて、平均粒径が１μｍ程度になるように粉砕
した。
５０℃で３時間仮焼し、得られた仮焼粉末を湿式ボール
ミルを用いて、平均粒径が１μｍ程度になるように粉砕
した。
【００４３】十分に乾燥させた粉砕粉末に対して、粉末
と有機溶剤（エタノール／トルエン＝１／１、ただし体
積比）、バインダー（ポリビニルブチラール系）、可塑
剤（ジオクチルブタレート系）、分散剤（ソルビタン脂
肪酸エステル系）を混合して、スラリーを得た。これら
のスラリーを用いて、ドクターブレード法によって厚み
６０μｍのグリーンシートを９種類作製した。
と有機溶剤（エタノール／トルエン＝１／１、ただし体
積比）、バインダー（ポリビニルブチラール系）、可塑
剤（ジオクチルブタレート系）、分散剤（ソルビタン脂
肪酸エステル系）を混合して、スラリーを得た。これら
のスラリーを用いて、ドクターブレード法によって厚み
６０μｍのグリーンシートを９種類作製した。
【００４４】次に、比較例の誘電体基板１を得るため
に、表３のＮｏ．１０〜Ｎｏ．１８の原料で形成したグ
リーンシートを図５に示すような成形体２になるよう
に、積層したのち熱圧着した。
に、表３のＮｏ．１０〜Ｎｏ．１８の原料で形成したグ
リーンシートを図５に示すような成形体２になるよう
に、積層したのち熱圧着した。
【００４５】このとき、成形体２の中央部９は、Ｎｏ．
１８の原料で形成したグリーンシートで形成し、中間部
１１は、図１に示すように、Ｎｏ．１１〜Ｎｏ．１７の
原料で形成したグリーンシートを順次積層した。さら
に、外側部１３は、Ｎｏ．１０の原料で形成したグリー
ンシートで形成した。
１８の原料で形成したグリーンシートで形成し、中間部
１１は、図１に示すように、Ｎｏ．１１〜Ｎｏ．１７の
原料で形成したグリーンシートを順次積層した。さら
に、外側部１３は、Ｎｏ．１０の原料で形成したグリー
ンシートで形成した。
【００４６】この成形体２では、Ｎｏ．１８の原料で形
成した部分の長さＬ4が７．２ｍｍであり、また、Ｎ
ｏ．１１〜Ｎｏ．１７の原料で形成した部分の長さＬ5
が１．９２ｍｍであり、さらに、Ｎｏ．１０の原料で形
成した部分の長さＬ6が１．２ｍｍであった。
成した部分の長さＬ4が７．２ｍｍであり、また、Ｎ
ｏ．１１〜Ｎｏ．１７の原料で形成した部分の長さＬ5
が１．９２ｍｍであり、さらに、Ｎｏ．１０の原料で形
成した部分の長さＬ6が１．２ｍｍであった。
【００４７】得られた成形体２をダイヤモンドカッター
を用いて積層方向に沿って厚さ３ｍｍに切断した後、成
形体の有機成分を空気中において５００℃で燃焼させた
のち、空気中において１３７０℃で２時間の焼成を行
い、焼結体を得た。
を用いて積層方向に沿って厚さ３ｍｍに切断した後、成
形体の有機成分を空気中において５００℃で燃焼させた
のち、空気中において１３７０℃で２時間の焼成を行
い、焼結体を得た。
【００４８】さらに、得られた焼結体を、厚さ１．２ｍ
ｍ、表面の粗さが１μｍ程度になるように研磨し、ダイ
ヤモンドカッターで形を整え、図６に示すような構造の
誘電体基板１を得た。
ｍ、表面の粗さが１μｍ程度になるように研磨し、ダイ
ヤモンドカッターで形を整え、図６に示すような構造の
誘電体基板１を得た。
【００４９】なお、この焼結体が図７に示すような比誘
電率傾斜構造を有していることは、Ｘ線マイクロアナラ
イザを用いて組成分析を行い、確認している。
電率傾斜構造を有していることは、Ｘ線マイクロアナラ
イザを用いて組成分析を行い、確認している。
【００５０】次に、この誘電体基板１の裏面の全面にＡ
ｕのアース電極を形成した。そして、誘電体基板１の比
誘電率特性と組成傾斜とを考慮し、特性インピーダンス
が概ね５０Ωとなるように、誘電体基板１の表面に図８
のようなＡｕのストリップライン電極７を形成した。な
お、ストリップライン電極７は、誘電体基板１にＡｕを
蒸着した後、フォトリソグラフィの手法を用いて、エッ
チングで行った。
ｕのアース電極を形成した。そして、誘電体基板１の比
誘電率特性と組成傾斜とを考慮し、特性インピーダンス
が概ね５０Ωとなるように、誘電体基板１の表面に図８
のようなＡｕのストリップライン電極７を形成した。な
お、ストリップライン電極７は、誘電体基板１にＡｕを
蒸着した後、フォトリソグラフィの手法を用いて、エッ
チングで行った。
【００５１】ここで、図８に示すように、誘電体基板１
の中央部９に形成されたストリップライン電極７の幅Ｗ
3は０．０４３ｍｍであり、外側部１３に形成されたス
トリップライン電極７の幅Ｗ4は０．５０５ｍｍであ
る。そして、中間部１１に形成されたストリップライン
電極７は、それらの端部を繋ぐように傾斜して形成され
ている。
の中央部９に形成されたストリップライン電極７の幅Ｗ
3は０．０４３ｍｍであり、外側部１３に形成されたス
トリップライン電極７の幅Ｗ4は０．５０５ｍｍであ
る。そして、中間部１１に形成されたストリップライン
電極７は、それらの端部を繋ぐように傾斜して形成され
ている。
【００５２】次に、本発明にかかる誘電体磁器を用いた
誘電体基板と、従来の誘電体磁器を用いた誘電体基板と
の特性比較を行った。本発明にかかる誘電体磁器を用い
た誘電体基板を実施例１とし、従来の誘電体磁器を用い
た誘電体基板を比較例１とした。
誘電体基板と、従来の誘電体磁器を用いた誘電体基板と
の特性比較を行った。本発明にかかる誘電体磁器を用い
た誘電体基板を実施例１とし、従来の誘電体磁器を用い
た誘電体基板を比較例１とした。
【００５３】そして、この２種類の誘電体基板に対し
て、伝送損失であるＳ21の周波数特性を評価した。得ら
れた結果を表４に示す。
て、伝送損失であるＳ21の周波数特性を評価した。得ら
れた結果を表４に示す。
【００５４】
【表４】
【００５５】この結果から、実施例１の方が比較例１に
比べて高周波域での伝送損失が小さくなっていることが
わかる。
比べて高周波域での伝送損失が小さくなっていることが
わかる。
【００５６】ところで、本発明は、上記実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲にお
ける変更が可能である。
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲にお
ける変更が可能である。
【００５７】
【発明の効果】本発明は、高周波用途に応用した場合で
も、信頼性の高いストリップライン電極を形成すること
ができることにより、信頼性の高い誘電体磁器を形成す
ることが可能である。
も、信頼性の高いストリップライン電極を形成すること
ができることにより、信頼性の高い誘電体磁器を形成す
ることが可能である。
【図１】本発明の誘電体磁器を用いた誘電体基板の一実
施例を示す図解図。
施例を示す図解図。
【図２】図１に示す誘電体基板の比誘電率の分布状態を
示すグラフ。
示すグラフ。
【図３】図１に示す誘電体基板にストリップライン電極
を形成した状態を示す平面図。
を形成した状態を示す平面図。
【図４】本発明の誘電体磁器を用いた誘電体基板を作製
するためにグリーンシートを積層した成形体を示す図解
図。
するためにグリーンシートを積層した成形体を示す図解
図。
【図５】比較例の誘電体磁器を用いた誘電体基板を作製
するためにグリーンシートを積層した成形体を示す図解
図。
するためにグリーンシートを積層した成形体を示す図解
図。
【図６】比較例の誘電体磁器を用いた誘電体基板を示す
図解図。
図解図。
【図７】図６に示す誘電体基板の比誘電率の分布状態を
示すグラフ。
示すグラフ。
【図８】図６に示す誘電体基板にストリップライン電極
を形成した状態を示す平面図。
を形成した状態を示す平面図。
【図９】従来の誘電体磁器を用いた誘電体基板にストリ
ップライン電極を形成した状態を示す平面図。
ップライン電極を形成した状態を示す平面図。
１ 誘電体基板 ２ 成形体 ３ 中央部分 ５ 外側部分 ７ ストリップライン電極 ７ａ 導体部 ９ 中央部 １１ 中間部 １３ 外側部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｐ 11/00 Ｃ０４Ｂ 35/46 Ｆ
Claims (2)
- 【請求項１】 比誘電率が位置の関数として連続的ある
いは段階的に変化する傾斜機能構造を有する誘電体磁器
であって、 Ｍｇと、 Ｓｉ、Ｔｉのうち少なくとも１種類の元素と、 酸素と、から構成されるとともに、 比誘電率εが６≦ε≦２０の範囲で変化すること、 を特徴とする誘電体磁器。 - 【請求項２】 前記比誘電率εの範囲内で、前記誘電体
磁器のＱ値にその測定周波数ｆ（ＧＨｚ）を掛けた値Ｑ
×ｆが、１００００（ＧＨｚ）以上であることを特徴と
する請求項１に記載の誘電体磁器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7034012A JPH08225371A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | 誘電体磁器 |
| EP96102686A EP0728716A1 (en) | 1995-02-22 | 1996-02-22 | Dielectric ceramic |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7034012A JPH08225371A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | 誘電体磁器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08225371A true JPH08225371A (ja) | 1996-09-03 |
Family
ID=12402514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7034012A Pending JPH08225371A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | 誘電体磁器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0728716A1 (ja) |
| JP (1) | JPH08225371A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6737932B2 (en) | 2002-06-27 | 2004-05-18 | Harris Corporation | Broadband impedance transformers |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1984002521A1 (en) * | 1982-12-22 | 1984-07-05 | Tam Ceramics Inc | Low firing ceramic dielectric for temperature compensating capacitors |
| US4882650A (en) * | 1988-12-05 | 1989-11-21 | Sprague Electric Company | Magnesium titanate ceramic and dual dielectric substrate using same |
-
1995
- 1995-02-22 JP JP7034012A patent/JPH08225371A/ja active Pending
-
1996
- 1996-02-22 EP EP96102686A patent/EP0728716A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0728716A1 (en) | 1996-08-28 |
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