JPH08222807A - 窒化物半導体レーザ素子の光共振面の形成方法 - Google Patents
窒化物半導体レーザ素子の光共振面の形成方法Info
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- JPH08222807A JPH08222807A JP2284895A JP2284895A JPH08222807A JP H08222807 A JPH08222807 A JP H08222807A JP 2284895 A JP2284895 A JP 2284895A JP 2284895 A JP2284895 A JP 2284895A JP H08222807 A JPH08222807 A JP H08222807A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 サファイア基板の上に成長させた窒化物半導
体層から光共振面となるような劈開面を形成して、レー
ザ素子を実現する。 【構成】 サファイア基板の上に少なくとも窒化物半導
体よりなるｎ型層と、活性層と、ｐ型層とが順に積層さ
れたウェーハから窒化物半導体レーザ素子の光共振面を
形成する方法であって、前記ｐ型層側を活性層に達しな
い深さでエッチングして第一の割り溝を形成する工程
と、積層された窒化物半導体層面と対向するサファイア
基板側に第二の割り溝を形成する工程と、前記第一の割
り溝、および前記第二の割り溝に沿ってウェーハを割
り、割った窒化物半導体層面を光共振面とする工程とを
備える。
体層から光共振面となるような劈開面を形成して、レー
ザ素子を実現する。 【構成】 サファイア基板の上に少なくとも窒化物半導
体よりなるｎ型層と、活性層と、ｐ型層とが順に積層さ
れたウェーハから窒化物半導体レーザ素子の光共振面を
形成する方法であって、前記ｐ型層側を活性層に達しな
い深さでエッチングして第一の割り溝を形成する工程
と、積層された窒化物半導体層面と対向するサファイア
基板側に第二の割り溝を形成する工程と、前記第一の割
り溝、および前記第二の割り溝に沿ってウェーハを割
り、割った窒化物半導体層面を光共振面とする工程とを
備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は窒化物半導体（ＩｎXＡ
ｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりなるレ
ーザ素子の製造方法に係り、特に窒化物半導体レーザ素
子の光共振面の形成方法に関する。
ｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりなるレ
ーザ素子の製造方法に係り、特に窒化物半導体レーザ素
子の光共振面の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化物半導体はバンドギャップが１．９
５ｅＶ〜６．０ｅＶまであり、直接遷移型であるので、
紫外〜赤色までのレーザダイオード（ＬＤ）、発光ダイ
オード（ＬＥＤ）等の発光素子の材料として従来より注
目されており、最近この材料を用いた青色ＬＥＤ、青緑
色ＬＥＤが実用化されたばかりである。またＬＥＤばか
りでなく、窒化物半導体を用いた紫外、青色発光の半導
体レーザ素子の研究も進められている。
５ｅＶ〜６．０ｅＶまであり、直接遷移型であるので、
紫外〜赤色までのレーザダイオード（ＬＤ）、発光ダイ
オード（ＬＥＤ）等の発光素子の材料として従来より注
目されており、最近この材料を用いた青色ＬＥＤ、青緑
色ＬＥＤが実用化されたばかりである。またＬＥＤばか
りでなく、窒化物半導体を用いた紫外、青色発光の半導
体レーザ素子の研究も進められている。
【０００３】一般にレーザ素子を作製する場合、半導体
層に光共振面を形成する必要がある。従来のＧａＡｓ系
の化合物半導体よりなる赤外域に発振する半導体レーザ
は結晶の性質上、劈開性を有しており、その劈開面がレ
ーザ素子の光共振面とされていることが多い。
層に光共振面を形成する必要がある。従来のＧａＡｓ系
の化合物半導体よりなる赤外域に発振する半導体レーザ
は結晶の性質上、劈開性を有しており、その劈開面がレ
ーザ素子の光共振面とされていることが多い。
【０００４】一方、窒化物半導体は六方晶系という結晶
の性質上劈開性を有していない。さらに、窒化物半導体
はサファイア基板の表面に成長されることが多く、サフ
ァイアもまた結晶の性質上劈開性を有していない。従っ
て、従来では窒化物半導体でレーザ素子を作製する場
合、劈開面を光共振面とすることが困難であったので、
レーザ発振まで至らなかった。
の性質上劈開性を有していない。さらに、窒化物半導体
はサファイア基板の表面に成長されることが多く、サフ
ァイアもまた結晶の性質上劈開性を有していない。従っ
て、従来では窒化物半導体でレーザ素子を作製する場
合、劈開面を光共振面とすることが困難であったので、
レーザ発振まで至らなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
とするところは、サファイア基板の上に成長させた窒化
物半導体層から光共振面となるような劈開面を形成し
て、レーザ素子を実現することにある。
とするところは、サファイア基板の上に成長させた窒化
物半導体層から光共振面となるような劈開面を形成し
て、レーザ素子を実現することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の光共振面の形成
方法は、サファイア基板の上に少なくとも窒化物半導体
よりなるｎ型層と、活性層と、ｐ型層とが順に積層され
たウェーハから窒化物半導体レーザ素子の光共振面を形
成する方法であって、前記ｐ型層側を活性層に達しない
深さでエッチングして第一の割り溝を形成する工程と、
積層された窒化物半導体層面と対向するサファイア基板
側に第二の割り溝を形成する工程と、前記第一の割り
溝、および前記第二の割り溝に沿ってウェーハを割り、
割った窒化物半導体層面を光共振面とする工程とを備え
ることを特徴とする。
方法は、サファイア基板の上に少なくとも窒化物半導体
よりなるｎ型層と、活性層と、ｐ型層とが順に積層され
たウェーハから窒化物半導体レーザ素子の光共振面を形
成する方法であって、前記ｐ型層側を活性層に達しない
深さでエッチングして第一の割り溝を形成する工程と、
積層された窒化物半導体層面と対向するサファイア基板
側に第二の割り溝を形成する工程と、前記第一の割り
溝、および前記第二の割り溝に沿ってウェーハを割り、
割った窒化物半導体層面を光共振面とする工程とを備え
ることを特徴とする。
【０００７】本発明の方法を図面を用いて説明する。図
１は本発明の方法の一工程で得られるウェーハの一部分
の構造を示す模式的な断面図であり、図２は図１のウェ
ーハの形状を示す斜視図である。図１は図２の斜視図を
矢印の方向からみた際の断面を示している。このウェー
ハの基本的にはサファイア基板１の上にそれぞれ窒化物
半導体よりなるｎ型層２と、活性層３と、ｐ型層を順に
積層した構造を有している。さらに、図２に示すよう
に、これらの窒化物半導体層は予めストライプ状にエッ
チングされており、後は窒化物半導体層面に反射鏡とな
る光共振面を形成することにより、電極ストライプ型の
レーザ素子が作製できるようになっている。なおｐ型層
の上にはストライプに沿って絶縁体よりなる電流狭窄層
と、正電極とが形成されており、ｎ型層の上には同じく
ストライプ状の負電極が形成されているが、特に図示し
ていない。
１は本発明の方法の一工程で得られるウェーハの一部分
の構造を示す模式的な断面図であり、図２は図１のウェ
ーハの形状を示す斜視図である。図１は図２の斜視図を
矢印の方向からみた際の断面を示している。このウェー
ハの基本的にはサファイア基板１の上にそれぞれ窒化物
半導体よりなるｎ型層２と、活性層３と、ｐ型層を順に
積層した構造を有している。さらに、図２に示すよう
に、これらの窒化物半導体層は予めストライプ状にエッ
チングされており、後は窒化物半導体層面に反射鏡とな
る光共振面を形成することにより、電極ストライプ型の
レーザ素子が作製できるようになっている。なおｐ型層
の上にはストライプに沿って絶縁体よりなる電流狭窄層
と、正電極とが形成されており、ｎ型層の上には同じく
ストライプ状の負電極が形成されているが、特に図示し
ていない。
【０００８】ストライプ状のｐ型層４を活性層３に達し
ない深さでエッチングして第一の割り溝１０を形成す
る。この第一の割り溝１０を形成するためのエッチング
手段としては、エッチングレートを制御するためにドラ
イエッチングを好ましく用い、例えば、反応性イオンエ
ッチング、イオンミリング、イオンビームアシストエッ
チング、集束イオンビームエッチング等の手段を用いる
ことができる。
ない深さでエッチングして第一の割り溝１０を形成す
る。この第一の割り溝１０を形成するためのエッチング
手段としては、エッチングレートを制御するためにドラ
イエッチングを好ましく用い、例えば、反応性イオンエ
ッチング、イオンミリング、イオンビームアシストエッ
チング、集束イオンビームエッチング等の手段を用いる
ことができる。
【０００９】一方、窒化物半導体層を形成していないサ
ファイア基板１側には第二の割り溝２０を形成する。第
二の割り溝２０は例えばスクライバー、ダイシング、エ
ッチング等、所定の位置のサファイア基板に傷を付けら
れる手段であればどのような方法を用いてもよい。例え
ば図１および図２では、第二の割り溝２０はスクライバ
ーを用いたスクライブラインを示している。また、図３
は本発明の他の実施例に係る一工程で得られたウェーハ
の構造を示す模式的な断面図であるが、図３では第二の
割り溝２０は、サファイア基板１をまずダイサーでハー
フカットして幅の広い溝を形成した後、その溝をさらに
スクライブして、より幅の狭い割り溝を形成しているこ
とを示している。
ファイア基板１側には第二の割り溝２０を形成する。第
二の割り溝２０は例えばスクライバー、ダイシング、エ
ッチング等、所定の位置のサファイア基板に傷を付けら
れる手段であればどのような方法を用いてもよい。例え
ば図１および図２では、第二の割り溝２０はスクライバ
ーを用いたスクライブラインを示している。また、図３
は本発明の他の実施例に係る一工程で得られたウェーハ
の構造を示す模式的な断面図であるが、図３では第二の
割り溝２０は、サファイア基板１をまずダイサーでハー
フカットして幅の広い溝を形成した後、その溝をさらに
スクライブして、より幅の狭い割り溝を形成しているこ
とを示している。
【００１０】第一の割り溝１０、および第二の割り溝２
０を形成する順はどちらの工程が先でもよい。さらに第
一の割り溝の中心と、第二の割り溝の中心とを一致させ
ると割った面の端面同士が平行面、つまり互いに平行な
光共振面が得られるので非常に好ましい。
０を形成する順はどちらの工程が先でもよい。さらに第
一の割り溝の中心と、第二の割り溝の中心とを一致させ
ると割った面の端面同士が平行面、つまり互いに平行な
光共振面が得られるので非常に好ましい。
【００１１】次に第一の割り溝および第二の割り溝を形
成した後、例えばローラー等を用いてウェーハをそれら
の割り溝に沿った位置で圧し割ることにより、割られた
窒化物半導体層面が劈開面のような状態となり光共振面
を形成できる。
成した後、例えばローラー等を用いてウェーハをそれら
の割り溝に沿った位置で圧し割ることにより、割られた
窒化物半導体層面が劈開面のような状態となり光共振面
を形成できる。
【００１２】
【作用】図４は本発明の方法と比較した方法により、共
振面を形成した際のウェーハの構造を示す模式的な断面
図である。図４のようにサファイア基板側のみに第二の
割り溝２０を形成してウェーハを割った場合、図４の破
線に示すように、割られた窒化物半導体面が傾斜して割
れたり、欠け等が発生して、平行な端面を形成すること
が困難であった。さらに図３の枝分かれした破線に示す
ように、ウェーハを割った際に発生する衝撃、応力等の
要因により、窒化物半導体層の端面にダメージを与え、
結晶性を悪くしてしまう。ところが、本発明では第二の
割り溝２０に対向した第一の割り溝１０をｐ型層の表面
に形成しているので、図１、および図３の破線に示すよ
うに第一の割り溝１０と第二の割り溝２０との間で真っ
直ぐに割れやすくなるので、劈開性のない窒化物半導体
層でも割られた面が劈開面のような状態となり、互いに
平行な光共振面ができやすくなる。さらに第一の割り溝
をエッチングにより活性層に達しない深さで形成してい
る。エッチングはｐ型層の端面に与えるダメージが少な
いので、同時にｐ型層に接している活性層のダメージが
少なくなる。従って、ダメージの少ない活性層の端面が
互いに平行な方向で得られやすくなり光共振器として作
用する。
振面を形成した際のウェーハの構造を示す模式的な断面
図である。図４のようにサファイア基板側のみに第二の
割り溝２０を形成してウェーハを割った場合、図４の破
線に示すように、割られた窒化物半導体面が傾斜して割
れたり、欠け等が発生して、平行な端面を形成すること
が困難であった。さらに図３の枝分かれした破線に示す
ように、ウェーハを割った際に発生する衝撃、応力等の
要因により、窒化物半導体層の端面にダメージを与え、
結晶性を悪くしてしまう。ところが、本発明では第二の
割り溝２０に対向した第一の割り溝１０をｐ型層の表面
に形成しているので、図１、および図３の破線に示すよ
うに第一の割り溝１０と第二の割り溝２０との間で真っ
直ぐに割れやすくなるので、劈開性のない窒化物半導体
層でも割られた面が劈開面のような状態となり、互いに
平行な光共振面ができやすくなる。さらに第一の割り溝
をエッチングにより活性層に達しない深さで形成してい
る。エッチングはｐ型層の端面に与えるダメージが少な
いので、同時にｐ型層に接している活性層のダメージが
少なくなる。従って、ダメージの少ない活性層の端面が
互いに平行な方向で得られやすくなり光共振器として作
用する。
【００１３】また、本発明の方法において、第一の割り
溝または第二の割り溝を形成する前に、サファイア基板
の厚さを１５０μｍ以下に調整することが望ましい。さ
らにまた、第一の割り溝の底部と、前記第二の割り溝の
底部との距離を１５０μｍ以下に調整することが望まし
い。割り溝の底部の距離とは、図３（ａ）の長さであっ
て、第一の割り溝１０と第二の割り溝２０との深さを調
整して、実質的に割られるウェーハの厚さを指すものと
する。なぜなら、このように基板の厚さ、または実質的
に割られるウェーハの厚さを１５０μｍ以下に調整する
と、割り溝の間で真っ直ぐにウェーハが割れやすくな
り、その劈開面が窒化物半導体層の共振面となりやすく
なるからである。逆に１５０μｍよりも大きくなるに従
って、斜めに割れるウェーハが多くなったり、また窒化
物半導体層の端面にダメージを多く与える傾向にある。
溝または第二の割り溝を形成する前に、サファイア基板
の厚さを１５０μｍ以下に調整することが望ましい。さ
らにまた、第一の割り溝の底部と、前記第二の割り溝の
底部との距離を１５０μｍ以下に調整することが望まし
い。割り溝の底部の距離とは、図３（ａ）の長さであっ
て、第一の割り溝１０と第二の割り溝２０との深さを調
整して、実質的に割られるウェーハの厚さを指すものと
する。なぜなら、このように基板の厚さ、または実質的
に割られるウェーハの厚さを１５０μｍ以下に調整する
と、割り溝の間で真っ直ぐにウェーハが割れやすくな
り、その劈開面が窒化物半導体層の共振面となりやすく
なるからである。逆に１５０μｍよりも大きくなるに従
って、斜めに割れるウェーハが多くなったり、また窒化
物半導体層の端面にダメージを多く与える傾向にある。
【００１４】
【実施例】厚さ３５０μｍのサファイア基板上に、Ｇａ
Ｎよりなるバッファ層を２００オングストローム、Ｓｉ
ドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層を５μｍ、
Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなるｎ型クラッド
層を０．１μｍ、Ｓｉドープｎ型Ｉｎ0.01Ｇａ0.99Ｎよ
りなる第二のｎ型クラッド層を５００オングストロー
ム、ノンドープＩｎ0.08Ｇａ0.92Ｎよりなる活性層を１
００オングストローム、Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7
Ｎよりなるｐ型クラッド層を０．１μｍ、Ｍｇドープｐ
型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を０．５μｍの膜厚
で順に成長させたウェーハを用意する。
Ｎよりなるバッファ層を２００オングストローム、Ｓｉ
ドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層を５μｍ、
Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなるｎ型クラッド
層を０．１μｍ、Ｓｉドープｎ型Ｉｎ0.01Ｇａ0.99Ｎよ
りなる第二のｎ型クラッド層を５００オングストロー
ム、ノンドープＩｎ0.08Ｇａ0.92Ｎよりなる活性層を１
００オングストローム、Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7
Ｎよりなるｐ型クラッド層を０．１μｍ、Ｍｇドープｐ
型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を０．５μｍの膜厚
で順に成長させたウェーハを用意する。
【００１５】次にこのウェーハのｐ型コンタクト層の表
面をＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を用いて、窒化
物半導体層がストライプ幅２０μｍとなるように、ｐ型
コンタクト層側からエッチングしてｎ型コンタクト層を
露出させる。
面をＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を用いて、窒化
物半導体層がストライプ幅２０μｍとなるように、ｐ型
コンタクト層側からエッチングしてｎ型コンタクト層を
露出させる。
【００１６】エッチング後、ストライプ状のｐ型コンタ
クト層の表面全面に、電流狭窄層となるＳｉＯ2膜を形
成した後、電流狭窄層とｐ型コンタクト層の全面に正電
極を形成し、一方露出したｎ型コンタクト層にはストラ
イプ状の負電極を形成する。
クト層の表面全面に、電流狭窄層となるＳｉＯ2膜を形
成した後、電流狭窄層とｐ型コンタクト層の全面に正電
極を形成し、一方露出したｎ型コンタクト層にはストラ
イプ状の負電極を形成する。
【００１７】次に、正電極の表面にマスクを形成した
後、図２に示すような形状の第一の割り溝をＲＩＥで形
成する。但し、第一の割り溝は幅５μｍで、深さはｐ型
コンタクト層の中間までとする。
後、図２に示すような形状の第一の割り溝をＲＩＥで形
成する。但し、第一の割り溝は幅５μｍで、深さはｐ型
コンタクト層の中間までとする。
【００１８】第一の割り溝形成後、サファイア基板を１
００μｍの厚さまで研磨する。研磨後、サファイア基板
側をスクライブして第二の割り溝を形成する。但し、第
二の割り溝は第一の割り溝幅の中央にあたるサファイア
基板をスクライブする。一方、第二の割り溝と直交する
スクライブラインを電極と平行な方向で同じくサファイ
ア基板側に形成する。
００μｍの厚さまで研磨する。研磨後、サファイア基板
側をスクライブして第二の割り溝を形成する。但し、第
二の割り溝は第一の割り溝幅の中央にあたるサファイア
基板をスクライブする。一方、第二の割り溝と直交する
スクライブラインを電極と平行な方向で同じくサファイ
ア基板側に形成する。
【００１９】以上のようにして形成したウェーハをロー
ラで押し割り、第一の割り溝および第二の割り溝が一致
した位置でウェーハを割った窒化物半導体層面を光共振
器とする共振器長５００μｍ、チップ幅４００μｍの電
極ストライプ型のレーザチップとする。
ラで押し割り、第一の割り溝および第二の割り溝が一致
した位置でウェーハを割った窒化物半導体層面を光共振
器とする共振器長５００μｍ、チップ幅４００μｍの電
極ストライプ型のレーザチップとする。
【００２０】次に劈開した窒化物半導体層面にマスクを
施したのち、スパッタ装置で劈開面にＳｉＯ2とＺｒＯ2
よりなる誘電体多層膜を形成する。この誘電体多層膜は
活性層の波長を９０％以上反射させる作用を有してい
る。
施したのち、スパッタ装置で劈開面にＳｉＯ2とＺｒＯ2
よりなる誘電体多層膜を形成する。この誘電体多層膜は
活性層の波長を９０％以上反射させる作用を有してい
る。
【００２１】このようにして得られたレーザチップをヒ
ートシンクに設置した後、液体窒素温度でレーザ発振を
試みたところ、ウェーハから得られたレーザ素子の９０
％以上が、しきい値電流密度１．３ｋＡ／cm2で発振波
長４２０ｎｍの発振が確認された。
ートシンクに設置した後、液体窒素温度でレーザ発振を
試みたところ、ウェーハから得られたレーザ素子の９０
％以上が、しきい値電流密度１．３ｋＡ／cm2で発振波
長４２０ｎｍの発振が確認された。
【００２２】［実施例２］実施例１において、基板を研
磨する際、基板の厚さを１５０μｍとする他は同様にし
てレーザ素子を得たところ、ウェーハから得られたレー
ザ素子の６０％以上でレーザ発振が確認された。
磨する際、基板の厚さを１５０μｍとする他は同様にし
てレーザ素子を得たところ、ウェーハから得られたレー
ザ素子の６０％以上でレーザ発振が確認された。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によ
ると、従来劈開性のないサファイア基板の上に積層され
た窒化物半導体層でも、劈開により共振器が形成できる
のでレーザ素子が実現可能となった。さらにまた、その
共振器の表面に誘電体多層膜よりなる反射鏡を形成する
と、効果的に光り閉じ込めが可能となる。このように、
本発明の方法で短波長のレーザが実現できたことによ
り、書き込み、読み取り光源として窒化物半導体レーザ
素子はその産業状の利用価値は多大である。
ると、従来劈開性のないサファイア基板の上に積層され
た窒化物半導体層でも、劈開により共振器が形成できる
のでレーザ素子が実現可能となった。さらにまた、その
共振器の表面に誘電体多層膜よりなる反射鏡を形成する
と、効果的に光り閉じ込めが可能となる。このように、
本発明の方法で短波長のレーザが実現できたことによ
り、書き込み、読み取り光源として窒化物半導体レーザ
素子はその産業状の利用価値は多大である。
【図１】 本発明の方法の一工程により得られるウェー
ハの部分的な構造を示す模式断面図。
ハの部分的な構造を示す模式断面図。
【図２】 図１のウェーハの部分的な形状を示す斜視
図。
図。
【図３】 本発明の他の方法の一工程により得られるウ
ェーハの部分的な構造を示す模式断面図。
ェーハの部分的な構造を示す模式断面図。
【図４】 本発明の方法と比較した方法の一工程により
得られるウェーハの部分的な構造を示す模式断面図。
得られるウェーハの部分的な構造を示す模式断面図。
１・・・・サファイア基板 ２・・・・ｎ型窒化物半導体層 ３・・・・活性層 ４・・・・ｐ型窒化物半導体層 １０・・・・第一の割り溝 ２０・・・・第二の割り溝
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年２月２３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】次に劈開した窒化物半導体面にスパッタ装
置でＳｉＯ2とＺｒＯ2よりなる誘電体多層膜を形成す
る。この誘電体多層膜は活性層の波長を９０％以上反射
させる作用を有している。
置でＳｉＯ2とＺｒＯ2よりなる誘電体多層膜を形成す
る。この誘電体多層膜は活性層の波長を９０％以上反射
させる作用を有している。
Claims (3)
- 【請求項１】 サファイア基板の上に少なくとも窒化物
半導体よりなるｎ型層と、活性層と、ｐ型層とが順に積
層されたウェーハから窒化物半導体レーザ素子の光共振
面を形成する方法であって、前記ｐ型層側を活性層に達
しない深さでエッチングして第一の割り溝を形成する工
程と、積層された窒化物半導体層面と対向するサファイ
ア基板側に第二の割り溝を形成する工程と、前記第一の
割り溝、および前記第二の割り溝に沿ってウェーハを割
り、割った窒化物半導体層面を光共振面とする工程とを
備えることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の光共
振面の形成方法。 - 【請求項２】 前記第一の割り溝、または前記第二の割
り溝を形成する前にサファイア基板を研磨して、基板の
厚さを１５０μｍ以下に調整することを特徴とする請求
項１に記載の形成方法。 - 【請求項３】 前記第一の割り溝の底部と、前記第二の
割り溝の底部との距離を１５０μｍ以下に調整すること
を特徴とする請求項１に記載の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2284895A JP3199594B2 (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 窒化物半導体レーザ素子の光共振面の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2284895A JP3199594B2 (ja) | 1995-02-10 | 1995-02-10 | 窒化物半導体レーザ素子の光共振面の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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