JPH08222404A - チップ型電子部品およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 各種チップ型電子部品の端子電極構造を共通
化し、低コストで電気的特性に優れたチップ部品の製造
方法を実現するとともに、端子電極としての高い密着
力、ハンダ濡れ性を有する各種チップ部品の端子電極構
造を提供することにある。 【構成】 ハンダ濡れ性に優れた金属と、ハンダ耐熱性
に優れた金属が混合された複数の導電性金属粉末に硬化
型樹脂を混練した導電性樹脂ペーストを塗布して形成さ
れた厚さ１０μｍ以上の下地電極層の上に有機酸鉛と金
属スズの錯体反応により生成された膜厚３μｍ以上のハ
ンダ層とで構成したものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は各種電子機器に利用され
るチップ型電子部品とその製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電話、ムービー、ノートパソ
コンなどに代表されるように、小型電子機器の需要は高
まる一方であり、今後これらの電子機器の小型化、高性
能化はこれに用いられるチップ型電子部品の小型化、高
性能化に依存していると言って過言でない。

【０００３】これらのチップ型電子部品は、機能素子は
内部に構成され、引き出し部から端子電極へ接続する構
造がとられる。この構造は小型化を実現するためには最
も効率的であり、この構造は特にセラミック電子部品に
おいて一般的である。

【０００４】このセラミック材料を基材に用いた各種チ
ップ型電子部品（例えば、チップ抵抗器、チップコンデ
ンサ、チップコイルなどの単体部品、あるいは水晶振動
子、ＳＡＷフィルタ、ＬＣフィルタ、ＲＣネットワーク
などの複合部品）の端子電極を形成するために、セラミ
ック基材の所定の端部にガラスフリット、金属粉末、有
機ビヒクルを混練してなる貴金属ペースト（通常、銀、
銀−パラジウムなどのペーストが用いられる）を数１０
μｍの厚みに印刷塗布した後、４００〜９００℃の温度
条件にて焼成し、抵抗、キャパシタンス、インダクタン
スなどの各機能素子部と接続形成することが通常行われ
ている。

【０００５】そして、この電極層のままでは実装時にハ
ンダ食われが発生するために、ハンダ耐熱性に優れたニ
ッケル層を上記電極層の上に被覆するとともに、さらに
ハンダ濡れ性を高めるために、ハンダ合金層あるいはス
ズ層を形成することが行われている。このニッケル層、
ハンダ層、スズ層を形成する方法として一般的には電気
メッキ法がとられている。

【０００６】上記従来例の代表的な例として角チップ抵
抗器の構造の一例を図４、図５に示す。図４は斜視図、
図５は断面図である。

【０００７】従来の角チップ抵抗器は９６％アルミナ基
板１０の上に形成された一対の銀系厚膜電極による一対
の上面電極１１と前記上面電極１１と接続するように形
成された酸化ルテニウム系厚膜抵抗体による抵抗層１２
とこの抵抗層１２を完全に覆うガラスによる保護層１４
と、上面電極層１１の一部と重なる銀系厚膜の側面下地
電極層１３とからなっている。

【０００８】なお、露出電極面にはハンダ付け性を確保
するためにＮｉメッキ層１５とハンダメッキ層１６を形
成している。

【０００９】上記従来例は角チップ抵抗器の端子電極の
形成方法について説明してきたが、積層セラミックコン
デンサの場合にはパラジウムを主体とする内部電極層が
あり、側面に導出された両端部に接続が必要となるだけ
であり、ほぼ同じような考え方で端子電極が形成され
る。さらにはチップコイルの場合にも内部電極構造はス
パイラル構造を有しながらも、端子電極構造は角チップ
抵抗器、積層セラミックコンデンサと同じような構造を
とる。

【００１０】上記従来方法と別の方法として、導電性金
属粉末に熱硬化型樹脂ポリマーにて混練したペーストを
印刷塗布した後硬化させて形成した電極の上にハンダ層
を形成する端子電極の構造などが提案されている（特公
平５−６３９２７号公報参照）。

【００１１】さらには、焼き付け電極の上に熱硬化型樹
脂電極を構成した後、ハンダメッキにてハンダ層を形成
する方法などが考えられている（特公昭５８−４６１６
１号公報参照）。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構造、製造方法ではいくつかの課題を有している。
それぞれの課題について代表的なチップ型電子部品を例
に挙げながら詳述する。

【００１３】角チップ抵抗器の端子電極は銀系厚膜ペー
ストを、約６００℃前後の温度で焼成し、形成する。こ
の時、すでに抵抗体の酸化ルテニウムは８００〜９００
℃の温度で焼成された後に、抵抗値のばらつきを修正す
るためのレーザーによるトリミング工程を完了している
のに、前記６００℃の端子電極の加熱工程中で抵抗値が
ドリフトを起こしてしまう。この抵抗値ドリフトは近年
市場が大きくなってきている精密級（±１％品、±０．
５％品）のチップ抵抗器の製造歩留まりを大きく悪化さ
せている。

【００１４】この課題を解決するためには低温で端子電
極を作成できる製造方法を採用すればよい。この端子電
極の形成を低温にて行う方法として、薄膜法が一般的で
あり、そのなかでも蒸着法、スパッタ法などが考えられ
てきた。しかしながら、薄膜法は生産性が乏しいこと
と、設備コストがかかるために、角チップ抵抗器などの
単価の低いチップ部品では、製造コストが非常に高くな
ってしまうという課題を有していた。

【００１５】また、従来工法を積層セラミックコンデン
サの端子電極として用いた場合、セラミックコンデンサ
はもともとチタン酸バリウムなどを主原料とする誘電体
セラミック材料と内部電極のパラジウム電極との積層構
造を形成しており、基本物性として抗折強度はチップ抵
抗器に用いられるアルミナ基板などに比較して、あまり
高くない。また、端子電極として焼き付け電極を形成す
るとき、焼き付け電極の密着性を高くするために通常金
属粉末とガラスフリットの混合物となっている。そし
て、コンデンサ素子の焼き付け工程時に、ガラスフリッ
トが焼き付け温度にて溶融し、セラミック誘電体中に拡
散をすることによって密着力を得ている。この誘電体と
ガラスフリットの拡散層は、更に抗折強度の弱い結晶構
造になり、コンデンサ素子のたわみ強度を低下させる。

【００１６】通常、チップ部品はプリント配線基板の上
に実装配置されてハンダ付け固着される。このとき、端
子電極としてのたわみ強度は端子電極の密着力、セラミ
ック素体の抗折強度によって大きく左右されるので素体
の抗折強度、たわみ強度が高いことが必要であるが、上
記の従来工法では抗折強度の強いものは得られない。

【００１７】チップ状の電子部品における下地電極のつ
ぎの工程として、一般的に行われているニッケル層、ハ
ンダ層あるいはスズ層を形成する方法としてメッキ法が
とられている。このメッキ法には電気メッキ法と無電解
メッキ法がある。

【００１８】無電解メッキ法は電極の上だけに選択的に
メッキ層を形成することが困難であり、レジスト塗布な
どの工程を得なければならないので、コスト、メッキ膜
の密着性の安定性の観点から、あまり大規模な量産ライ
ンでは採用されていない。

【００１９】一方、電気メッキ法は端子電極の上だけに
選択的にメッキできること、量産性に優れ、性能の安定
性が高いことから、角チップ抵抗器、積層セラミックコ
ンデンサなど主要なチップ部品のニッケル層、ハンダ／
スズ層の形成に広く用いられている。

【００２０】この電気メッキ時における課題はメッキ液
のＰＨ（酸性度）である。特にハンダメッキを行うとき
のＰＨは２以下となり、かなりの強酸下に電子部品素体
がさらされることになる。このためメッキ液の悪影響が
一方では課題としてあげられる。

【００２１】この課題について積層セラミックコンデン
サを例にして述べる。コンデンサ素子を電気メッキする
ときに、メッキ液がセラミック素体の焼成中に発生する
隙間、空孔などから侵入し、内部電極と反応して電極を
腐食させたり、あるいはセラミック素体内部に残留し、
連続通電状態で電気化学的変化が発生して、故障の原因
に上げられることが多々ある。

【００２２】さらに他の課題として、チップ抵抗器など
の場合には抵抗層形成用に用いられる酸化ルテニウムな
どはこの耐メッキ性に弱く、そのための保護膜が必要で
ある。この強酸環境に耐えられる保護膜にはかなり制約
があり、コスト的にも課題を有していた。

【００２３】本発明は以上のような従来の欠点を除去
し、信頼性に富み安価で量産性に優れたチップ型電子部
品を供給することを目的とするものである。

【００２４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明のチップ型電子部品は電子部品素子の両端にハ
ンダ濡れ性に優れた金属と、ハンダ耐熱性に優れた金属
が混合された複数の導電性金属粉末に硬化型樹脂を混練
した導電性樹脂ペーストを、塗布して形成された厚さ１
０μｍ以上の下地電極層の上に、有機酸鉛と金属スズの
錯体反応により生成された膜厚３μｍ以上のハンダ層よ
り構成したものである。

【００２５】

【作用】本発明は以上の構成とすることにより、セラミ
ック素体と接合する下地電極層をハンダ濡れ性に優れた
金属と、ハンダ食われの少ない導電性金属粉末と硬化型
樹脂材料とから構成することと、その上に錯体反応から
形成されたハンダ層を被覆することにより、下地電極層
とハンダ形成膜との接合面積が増大する。このために両
者間は高い密着性が得られる。

【００２６】さらには、このハンダ形成方法はイオン化
傾向の反応を利用するために不必要な場所にハンダが析
出することもなく、電極の表面だけを被覆するという特
性を有している。その結果、無電解メッキの欠点であっ
た素子全面に膜が付いてしまうということもなく、電解
メッキの欠点であった腐食性のあるメッキ液が侵入する
ということもなく、安価で信頼性に優れた製造方法を提
供することが可能となる。

【００２７】

【実施例】

（実施例１）以下、本発明の一実施例について図１、図
２を用いて説明する。図１は本発明の一実施例を示すチ
ップ型電子部品の斜視図であり、図２は断面図である。

【００２８】図１、図２は本発明によるチップ型電子部
品の一例としての角チップ抵抗器である。この角チップ
抵抗器は９６％アルミナ基板１と、前記９６％アルミナ
基板１上の銀系厚膜の一対の上面電極層２と、前記上面
電極層２の一部に重なるルテニウム系厚膜の抵抗層４
と、前記抵抗層４を完全に覆う樹脂による保護層５と、
前記上面電極層２を完全に覆う厚さ１０〜５０μｍの導
電性樹脂材料から構成した下地電極層３と、前記下地電
極層３の露出部分に形成された有機酸鉛とスズ粉の錯体
反応から析出させたハンダ層６より構成される。

【００２９】次に、この本発明の実施例の製造方法につ
いて説明する。まず、耐熱性および絶縁性に優れた９６
％アルミナ基板１を用意する。このアルミナ基板１には
短冊状および個片状に分割するために、分割のためのブ
レーク溝（グリーンシート時に金型成形）が形成されて
いる。次に前記９６％アルミナ基板１の表面に厚膜銀系
ペーストをスクリーン印刷し、ベルト式トンネル炉によ
って８５０℃の温度でピーク時間１０分、ＩＮ−ＯＵＴ
６０分の焼成プロファイルにて焼成し、上面電極層２を
形成する。次に上面電極層２の一部に重なるように酸化
ルテニウムを主成分とする厚膜抵抗体ペーストをスクリ
ーン印刷し、ベルト炉によって８５０℃の温度でピーク
時間１０分、ＩＮ−ＯＵＴ６０分の焼成プロファイルに
て焼成し抵抗層４を形成する。次に抵抗値を調整するた
めに抵抗層４の一部をＹＡＧレーザーによって切断溝を
入れることによってトリミングし、抵抗値修正を行っ
た。続いて抵抗層４を覆うようにエポキシ系樹脂をスク
リーン印刷し、２００℃の温度条件の硬化炉にて硬化
し、保護層５を形成した。

【００３０】次に、下地電極層３を形成するための準備
工程として、アルミナ基板１を個片に分割し、端子電極
を形成する箇所を露出させる。前記個片状アルミナ基板
１を保持治具を用いて下地電極層３を形成するために、
ここで、比較例も含め、導電性金属粉末として、粒径１
〜２μｍの銅粉と粒径３〜５μｍのニッケル粉の混合比
をそれぞれ１００／０，８０／２０，５０／５０，２０
／８０，０／１００の混合された導電性金属粉末に、容
量比で８５〜９０％の金属含有量になるように、それぞ
れ所定量のフェノール樹脂を混合したペーストを塗布し
た後、１５０℃−３０分の硬化条件にて硬化させる。こ
の時の下地電極層３の厚みは５，１０，１５，２５，５
０，１００μｍとして作成した。この時、金属粉末の粒
径は１μｍ以下であれば比表面積が増大するので樹脂量
を増大させなければならず、導電率が低下する。また、
粒径が２０μｍ以上であれば下地電極層の形状が滑らか
にはならず形状的に問題があるので最適粒子径としては
１〜２０μｍが良い。

【００３１】そして、下地電極層３上にハンダ層６を形
成するために、有機酸鉛とスズ粉との混合物からなるハ
ンダ形成用ペーストを上記下地電極層３の表面に塗布し
た後、温度２００℃にて５分間ハンダ析出のための錯体
反応を行う。この時、下地電極に含まれる金属粉の表面
が触媒作用をし、それによって被着金属の表面において
分解反応が生じ、遊離した金属中のスズが被着金属の金
属中に溶解する。さらに未分解の有機酸鉛が被着金属の
表面に移行して分解を重ねて金属を遊離し、銅−スズ合
金の表面にハンダ組成を析出形成し、反応が進むにつれ
て、ついには被着金属間をハンダ合金で被覆し、被着金
属を接合する。また、被着金属から離れた場所において
も錯体の分解反応が進行して、遊離した金属もまた被着
金属の表面に移行して接合に寄与する。さらに有機酸鉛
の分解にて生成されたロジン誘導体はフラックスとして
作用し、被着金属表面を還元して接合を促進する。

【００３２】上記錯体反応のハンダコート層の厚みは反
応温度、反応時間、前記ハンダ形成用ペーストの供給量
によって制御することができる。本実施例ではこのハン
ダ層６の厚みを１〜２，３，５，１０，３０μｍに各々
制御して比較例を含めハンダ層６を形成した。

【００３３】以上の方法にて作成された角チップ抵抗器
は抵抗層４を焼成してからの温度履歴は２００℃以下な
ので抵抗値はドリフトしなかった。しかしながら、従来
工法の焼き付け法では５００℃以上の熱履歴が加わるの
でトリミング後の抵抗値が±数％の範囲で変動する。

【００３４】そして、比較例として作成した銅粉１００
％にて形成された下地電極層の上にハンダ層を形成され
た端子電極層は３００℃−３０秒のハンダ耐熱試験を満
足できなかった。また、逆にニッケル１００％にて形成
された下地電極層の上にハンダ層を形成された端子電極
層はハンダ濡れ性が十分ではなかった。

【００３５】さらに、別の比較例として共晶ハンダを２
４０℃にて溶融したハンダ槽に上記下地電極層３を形成
したチップ抵抗器をハンダディップしてハンダ層を形成
してみたが十分にハンダ被覆を行うことはできなかっ
た。また、共晶組成を有するハンダペーストを塗布し
て、ハンダリフロー処理をしてハンダ層６を形成してみ
たが、これも、本発明方法のようなハンダ被覆性は得ら
れなかった。

【００３６】下地電極層３の厚みに関しては５μｍでは
薄いためにアルミナ基板１との密着強度が十分ではなか
った。そして、後でつけるべきハンダ層６の被覆性が下
地電極層３の厚みに依存していることも判明し、完全に
被覆するためには１０μｍ以上必要であることが分かっ
た。

【００３７】さらに錯体反応にて析出させたハンダ層６
の被膜は、厚み１〜２μｍでは完全に下地電極層３を被
覆することが困難であり、完全に下地電極層３を被覆す
るためには３μｍ以上必要であることが分かった。

【００３８】以上のような条件を満たして形成されたハ
ンダ層６はハンダ濡れ性に優れるとともに、ハンダ層の
被覆性にも優れたものであった。さらにこのハンダ形成
反応は、金属のイオン化傾向を利用して析出させる工法
であるので、原理的にイオン化傾向を有した金属の上に
のみ析出するので、ガラス層あるいはアルミナ基板の上
などにはいっさい析出することはないので無電解メッキ
などのようにレジスト処理することもなく、所定の部分
のみにハンダ被覆することができるので、量産性に優れ
るとともに被覆性が優れるという特徴をも有している。

【００３９】（実施例２）以下に本発明の第２の実施例
として、積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
について図３を用いて説明する。図３は積層セラミック
コンデンサの断面を表わす。

【００４０】図３において、チタン酸バリウムを主体と
する誘電体材料をグリーンシート法により数μｍ〜数１
０μｍの膜厚に成形されたグリーンシート２１の表面に
パラジウムを主体とする電極ペーストをスクリーン印刷
して内部電極２２を形成した誘電体シート２３を内部電
極２２が両端部２４，２５から導出するように複数枚積
層し、コンデンサ素子寸法の個片に切断し、１０００〜
１４００℃の焼成温度で焼成して形成したコンデンサ素
子２６の両端部２４，２５に導出されている内部電極２
２に対し、下地電極層２８、およびハンダ層２７よりな
る外部電極と電気的に接続形成する。

【００４１】印刷されたグリーンシートを積層した後、
個片に切断して焼成したものが素子２６である。その積
層コンデンサ素子２６の両端部２４，２５に導出されて
いる内部電極２２に対して、下地電極層２８を電気的に
接続する。

【００４２】具体的には焼成された積層コンデンサ素子
の下地電極を形成する箇所をバレル研磨などの方法で内
部電極２２の両端部２４，２５に露出させる。前記個片
状積層のコンデンサ素子２６を保持治具を用いて下地電
極層２８を塗布して形成する。この時の下地電極形成用
ペーストとして、導電性金属粉末として、粒径３〜７μ
ｍの銀パラジウム合金粉（パラジウム含有率；１５％）
と粒径３〜５μｍのニッケル粉の混合比を、比較例も含
め、それぞれ１００／０，８０／２０，５０／５０，２
０／８０，０／１００の混合された導電性金属粉末に、
容量比で８５〜９０％の金属含有量になるように、所定
量のフェノール樹脂を混合したペーストを塗布した後、
１５０℃−３０分の硬化条件にてフェノール樹脂を硬化
させた。この時の下地電極層２８の厚みは５，１０，１
５，２５μｍとして作成した。そして、ハンダ層を形成
するために有機酸鉛とスズ粉との混合物からなるハンダ
形成用ペースト（「スーパーソルダーペースト」）を、
導電性金属粉末と熱硬化型樹脂との混合物からなる下地
電極層２８の表面に、上記ペーストを塗布した後ハンダ
層２７の厚みを比較例を含め１〜２，３，５，１０μｍ
に制御して、ハンダ層２７を形成した。厚みの制御は実
施例１にて先に述べた方法によってなされている。端子
電極としての性能も金属粉末にニッケル粉を用いている
ことによって、ハンダ耐熱性が向上するとともに、更に
銀／パラジウム合金を用いていることによってハンダと
の濡れ性が向上しており実施例１と同様な効果が得られ
た。

【００４３】本実施例において、下地電極層２８の厚み
は５μｍでは薄いために、コンデンサ素子２６との密着
強度が十分ではなかった。さらに、後でつけるべきハン
ダ層２７の被覆性が下地電極層２８の厚みに依存してお
り、完全に被覆するためには１０μｍ以上必要であっ
た。

【００４４】さらに錯体反応にて析出させたハンダコー
ト層２７の被膜は、厚み１〜２μｍでは、下地電極層２
８を完全に被覆することが困難であり、完全に下地電極
層２８を被覆するためには３μｍ以上必要であることが
分かった。

【００４５】（実施例３）つぎに絶縁処理された３５μ
ｍφの銅線を直径１ｍｍφのフェライトボビンに所望の
ターン数まで巻き回された後、エポキシ樹脂にて射出成
形されたチップコイルの一対の端面に前記銅線の端部が
露出した構造を基本として、次に下地電極を形成するた
めの準備工程として、上記成形体の端子電極を形成する
箇所を露出させる。つぎに端子電極の形成として、実施
例１と同じ方法にて導電性金属粉末として、粒径２〜７
μｍの銅粉と粒径３〜５μｍのニッケル粉の混合比を、
５０／５０ｗｔ％に混合された導電性金属粉末に、金、
パラジウム、銀メッキを行う。それぞれにメッキ被覆さ
れた導電性金属粉末に対して容量比で８５〜９０％の金
属含有量になるように、所定量のフェノール樹脂を混合
したペーストを塗布した後、１５０℃−３０分の硬化条
件にて硬化させる。この時の下地電極層３の厚みは比較
例を含め、５，１０，１５，２５μｍとして作成した。
下地電極層が形成されたチップ１０，１５，２５μｍと
して作成した。下地電極層が形成されたチップコイルの
表面に実施例１，２と同じ方法にてハンダ層６を形成し
た。

【００４６】上記のような銅線を切断加工して端子とす
るような構造を両端部に有したチップ部品の構造におい
ても、本発明方法の端子電極構造および製造方法にてハ
ンダ濡れ性とハンダ耐熱性に優れた端子電極が形成でき
ることが確認できた。比較例との差も同様であった。

【００４７】

【発明の効果】以上の説明からわかるように、本発明に
よれば下地電極をハンダ濡れ性に優れた金属とハンダ耐
熱性に優れた金属が複合された導電性金属粉末と熱硬化
型樹脂材料とから構成することと、その上に錯体反応か
ら形成されたハンダ層を被覆することにより、端子強度
とハンダ濡れ性に優れた端子電極が得られる。

【００４８】またこの方法であれば、ハンダ層を簡単な
工程でハンダ被膜の形成が可能であり、密着力、膜厚の
管理が十分行われるとともに、ハンダメッキの際に問題
となる強酸環境にさらされることがなくなり、メッキ液
の素体、機能素子材料へのエッチング作用、あるいは素
体へのメッキ液の残留などがなくなり、チップ部品の品
質が飛躍的に改善されるとともに、耐メッキ性の材料を
必要としなくなるために、低コスト化も可能とする。

【００４９】さらには、それぞれの実施例の中で述べて
きたようにこの方法は各種チップ部品の端子構造を共通
の構造、そして製造ラインにて構成することができるた
めに設備費、材料の共通化が可能となるなどの特徴を有
するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例のチップ型電子部品としての
角チップ抵抗器の構造を示す斜視図

【図２】同断面図

【図３】本発明の他の実施例の積層コンデンサの構造を
示す断面図

【図４】従来の角チップ抵抗器の構造を示す斜視図

【図５】同断面図

【符号の説明】

１ ９６％アルミナ基板 ２ 上面電極層 ３ 下地電極層 ４ 抵抗層 ５ 樹脂保護層 ６ ハンダ層

フロントページの続き (72)発明者 柏木 吉成 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子部品素子の端部に、ハンダ濡れ性に
   優れた金属と、ハンダ耐熱性に優れた金属が混合された
   複数の導電性金属粉末に硬化型樹脂を混練した導電性樹
   脂ペーストを塗布して形成された厚さ１０μｍ以上の下
   地電極層の上に、有機酸鉛と金属スズの錯体反応により
   生成された膜厚３μｍ以上のハンダ層よりなる端子電極
   を形成したチップ型電子部品。
2. 【請求項２】 導電性樹脂ペーストのうちハンダ濡れ性
   に優れた金属として粒径が１〜２０μｍの銅粉と、ハン
   ダ耐熱性に優れた金属として粒径が１〜２０μｍのニッ
   ケル粉を含む導電性金属粉末を用いた請求項１記載のチ
   ップ型電子部品。
3. 【請求項３】 導電性樹脂ペーストのうちハンダ濡れ性
   に優れた金属として粒径が１〜２０μｍの銀／パラジウ
   ム合金粉と、ハンダ耐熱性に優れた金属として粒径が１
   〜２０μｍのニッケル粉を含む導電性金属粉末を用いた
   請求項１記載のチップ型電子部品。
4. 【請求項４】 導電性樹脂ペーストのうちハンダ濡れ性
   に優れた金属として粒径が１〜２０μｍのパラジウム粉
   と、ハンダ耐熱性に優れた金属として粒径が１〜２０μ
   ｍのニッケル粉を含む導電性金属粉末を用いた請求項１
   記載のチップ型電子部品。
5. 【請求項５】 導電性樹脂ペーストとして表面に金、パ
   ラジウム、銀のうち少なくとも１種類を含んだ薄層の金
   属膜を被覆した粒径１〜２０μｍの金属粉末を用いた請
   求項１記載のチップ型電子部品。
6. 【請求項６】 導電性金属粉末の粒径が１〜２０μｍの
   ハンダ濡れ性に優れた金属粉とハンダ耐熱性に優れたニ
   ッケル粉の混合電極材料に結合材として硬化性樹脂を混
   合した電極ペーストを、電子部品素子の端部に塗布硬化
   させて下地電極層を形成した後、この上に金属スズ粉と
   有機酸鉛よりなるペーストを塗布し、１８３℃以上の温
   度にて錯体反応によりハンダ層を３μｍ以上の厚みに生
   成するチップ型電子部品の製造方法。