JPH08206094A - 核スピン断層撮影装置 - Google Patents
核スピン断層撮影装置Info
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- JPH08206094A JPH08206094A JP7271012A JP27101295A JPH08206094A JP H08206094 A JPH08206094 A JP H08206094A JP 7271012 A JP7271012 A JP 7271012A JP 27101295 A JP27101295 A JP 27101295A JP H08206094 A JPH08206094 A JP H08206094A
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- shim
- slice plane
- slice
- excited
- currents
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
- G01R33/28—Details of apparatus provided for in groups G01R33/44 - G01R33/64
- G01R33/38—Systems for generation, homogenisation or stabilisation of the main or gradient magnetic field
- G01R33/387—Compensation of inhomogeneities
- G01R33/3875—Compensation of inhomogeneities using correction coil assemblies, e.g. active shimming
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
- G01R33/44—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance using nuclear magnetic resonance [NMR]
- G01R33/446—Multifrequency selective RF pulses, e.g. multinuclear acquisition mode
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 著しく大きな領域における測定であっても改
善された均一性が得られるようにした核スピン断層撮影
装置を提供し、励起されるスライス面における均一性を
グローバルなシミングよりも改善する。 【解決手段】 1つのスライス面S1〜S4の励起およ
び読みだ使用の1つのパルスシーケンスのための繰り返
し時間TR内に少なくとも1つの別のスライス面が励起
されるマルチスライス方式において、そのつど測定され
るスライス面S1〜S4に依存してシミングが行われ
る。
善された均一性が得られるようにした核スピン断層撮影
装置を提供し、励起されるスライス面における均一性を
グローバルなシミングよりも改善する。 【解決手段】 1つのスライス面S1〜S4の励起およ
び読みだ使用の1つのパルスシーケンスのための繰り返
し時間TR内に少なくとも1つの別のスライス面が励起
されるマルチスライス方式において、そのつど測定され
るスライス面S1〜S4に依存してシミングが行われ
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基底磁場マグネッ
トと該マグネットに組み込まれたシムコイルとを備え、
前記シムコイルは、被検ボリュームにおいて該被検ボリ
ュームよりも小さい1つのスライス面(断層面)内で均
一な磁場が生じるよう、シム電流によって制御されるよ
うに構成されている、核スピン断層撮影装置に関する。
トと該マグネットに組み込まれたシムコイルとを備え、
前記シムコイルは、被検ボリュームにおいて該被検ボリ
ュームよりも小さい1つのスライス面(断層面)内で均
一な磁場が生じるよう、シム電流によって制御されるよ
うに構成されている、核スピン断層撮影装置に関する。
【0002】
【従来の技術】核スピン断層撮影装置における画像生成
品質にとって、磁場均一性は1つの重要な要因である。
均一な状態から逸脱すると、たとえば空間的な歪みが生
じる。
品質にとって、磁場均一性は1つの重要な要因である。
均一な状態から逸脱すると、たとえば空間的な歪みが生
じる。
【0003】核スピンの励起および読み出しのためのパ
ルスシーケンスは、磁場不均一性に対し種々異なる度合
いで影響を受けやすい。たとえば単純なスピンエコー方
式によれば、比較的大きな磁場不均一性を許容できる。
これに対し勾配エコーに基づく方式の場合には、均一性
に対し著しく高度な要求が課される。殊に高度な要求
は、たとえばエコー・プラナー映像法(EPI)につい
てあてはまる。この方式の場合、1つの勾配を何度も切
り替えることにより励起後、短期間のうちに多数の核共
鳴信号が得られ、あるいは励起に続いて複数の180゜
パルスが生じるターボ勾配スピンエコーの場合、それら
のパルスの間に極性の変化を伴いながら1つの読み出し
勾配が加えられる。さらに、検査領域における基底磁場
の均一性に対する著しく高度な要求は、スペクトルのシ
フトを十分に分解できるようにする目的で、機能的画像
生成および局在的スペクトロスコピーにおいて課され
る。
ルスシーケンスは、磁場不均一性に対し種々異なる度合
いで影響を受けやすい。たとえば単純なスピンエコー方
式によれば、比較的大きな磁場不均一性を許容できる。
これに対し勾配エコーに基づく方式の場合には、均一性
に対し著しく高度な要求が課される。殊に高度な要求
は、たとえばエコー・プラナー映像法(EPI)につい
てあてはまる。この方式の場合、1つの勾配を何度も切
り替えることにより励起後、短期間のうちに多数の核共
鳴信号が得られ、あるいは励起に続いて複数の180゜
パルスが生じるターボ勾配スピンエコーの場合、それら
のパルスの間に極性の変化を伴いながら1つの読み出し
勾配が加えられる。さらに、検査領域における基底磁場
の均一性に対する著しく高度な要求は、スペクトルのシ
フトを十分に分解できるようにする目的で、機能的画像
生成および局在的スペクトロスコピーにおいて課され
る。
【0004】磁場均一性に対する要求が比較的僅かであ
れば、基底磁場マグネットを1度だけシミングすれば十
分であるのに対し、要求が比較的高ければ、個々の測定
対象物に依存してシミングを行わなければならない。た
とえばアメリカ合衆国特許第5,345,178号には
1つの適切な方法が述べられている。この場合、検査領
域におけるそのつどの画像データ測定の前に核共鳴信号
が励起され、読み出される。シミングのために専用のシ
ムコイルが設けられており、その際、このシムコイルに
対するシム電流が上述の核共鳴信号の評価により求めら
れる。
れば、基底磁場マグネットを1度だけシミングすれば十
分であるのに対し、要求が比較的高ければ、個々の測定
対象物に依存してシミングを行わなければならない。た
とえばアメリカ合衆国特許第5,345,178号には
1つの適切な方法が述べられている。この場合、検査領
域におけるそのつどの画像データ測定の前に核共鳴信号
が励起され、読み出される。シミングのために専用のシ
ムコイルが設けられており、その際、このシムコイルに
対するシム電流が上述の核共鳴信号の評価により求めら
れる。
【0005】全般的にあてはまるのは、特定の領域に対
する均一性は、この領域が小さくなればなるほどいっそ
う良好に調節できるということである。均一性に対する
尺度としてたとえば、1つのMR共鳴線の半値幅を用い
ることができる。MR共鳴線は、磁場が均一になればな
るほどいっそう狭くなる。
する均一性は、この領域が小さくなればなるほどいっそ
う良好に調節できるということである。均一性に対する
尺度としてたとえば、1つのMR共鳴線の半値幅を用い
ることができる。MR共鳴線は、磁場が均一になればな
るほどいっそう狭くなる。
【0006】通常、均一性を調節するためには、非局在
化励起後に核共鳴装置のアンテナにより受信される核共
鳴信号すべてが用いられる。この”グローバルな”シミ
ングによって、専用の頭部アンテナを用いた頭部での適
用において約15〜25HzのMR信号の線幅が得られ
る。この場合、頭部内部で均一性をさらに強く変化させ
ることができる。
化励起後に核共鳴装置のアンテナにより受信される核共
鳴信号すべてが用いられる。この”グローバルな”シミ
ングによって、専用の頭部アンテナを用いた頭部での適
用において約15〜25HzのMR信号の線幅が得られ
る。この場合、頭部内部で均一性をさらに強く変化させ
ることができる。
【0007】しかしながらアメリカ合衆国特許第4,7
00,136号から公知であるのは、あとになって本来
の測定も行われる領域(スライス面またはボリューム部
分)からの信号だけを均一性の調節に利用すれば、均一
性を局在的にいっそう改善できることである。したがっ
てこの場合、磁場は局在的にしかシミングされない。た
とえば、頭部において10×10×1cmの大きさのボ
リュームエレメント(ボクセル)だけをシミングする
と、約8Hzの線幅が得られる。しかしこの既知の方式
は、1つのボリュームエレメントないし1つのスライス
面に制限されている。
00,136号から公知であるのは、あとになって本来
の測定も行われる領域(スライス面またはボリューム部
分)からの信号だけを均一性の調節に利用すれば、均一
性を局在的にいっそう改善できることである。したがっ
てこの場合、磁場は局在的にしかシミングされない。た
とえば、頭部において10×10×1cmの大きさのボ
リュームエレメント(ボクセル)だけをシミングする
と、約8Hzの線幅が得られる。しかしこの既知の方式
は、1つのボリュームエレメントないし1つのスライス
面に制限されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の課
題は、よりいっそう大きな領域における測定であっても
改善された均一性が得られるようにした核スピン断層撮
影装置を提供することにある。
題は、よりいっそう大きな領域における測定であっても
改善された均一性が得られるようにした核スピン断層撮
影装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段および利点】本発明によれ
ばこの課題は、1つのスライス面の励起および読み出し
用の1つのパルスシーケンスのための繰り返し時間内
で、少なくとも1つの別のスライス面が励起され、その
つど励起されるスライス面に依存してシムコイルの制御
が行われることにより解決される。
ばこの課題は、1つのスライス面の励起および読み出し
用の1つのパルスシーケンスのための繰り返し時間内
で、少なくとも1つの別のスライス面が励起され、その
つど励起されるスライス面に依存してシムコイルの制御
が行われることにより解決される。
【0010】次に、図1〜図7を参照して本発明の実施
例について詳細に説明する。
例について詳細に説明する。
【0011】
【実施例】周知のように、核スピン断層撮影における核
スピン共鳴信号の局所分解は、均一な静磁場に線形の磁
場勾配を重畳することにより行われる。3次元での局所
分解のためには、磁場勾配を3つの有利には互いに垂直
を成す方向で発生させる必要がある。図1および図2に
は座標軸x,y,zがそれぞれ書き込まれており、これ
は個々の勾配の方向を表すものとする。図1には、y方
向における磁場勾配Gyを生成するための慣用の勾配コ
イル装置が略示されている。勾配コイル2は鞍型コイル
として構成されており、これは支持管1上に取り付けら
れている。導体区間2aにより球状の被検ボリューム1
1内に、y方向における十分に一定の磁場勾配Gyが生
成される。x−磁場勾配用の勾配コイルは、y−磁場勾
配用の勾配コイル2と同じように構成されており、支持
管1上で90゜だけ方位方向にずらされているだけであ
る。したがってこの勾配コイルは、見やすくするために
図1中には示されていない。
スピン共鳴信号の局所分解は、均一な静磁場に線形の磁
場勾配を重畳することにより行われる。3次元での局所
分解のためには、磁場勾配を3つの有利には互いに垂直
を成す方向で発生させる必要がある。図1および図2に
は座標軸x,y,zがそれぞれ書き込まれており、これ
は個々の勾配の方向を表すものとする。図1には、y方
向における磁場勾配Gyを生成するための慣用の勾配コ
イル装置が略示されている。勾配コイル2は鞍型コイル
として構成されており、これは支持管1上に取り付けら
れている。導体区間2aにより球状の被検ボリューム1
1内に、y方向における十分に一定の磁場勾配Gyが生
成される。x−磁場勾配用の勾配コイルは、y−磁場勾
配用の勾配コイル2と同じように構成されており、支持
管1上で90゜だけ方位方向にずらされているだけであ
る。したがってこの勾配コイルは、見やすくするために
図1中には示されていない。
【0012】さらに図1にはシムコイル4〜6が示され
ており、それらもやはり鞍型コイルとして構成されてい
る。シムコイル4〜6は略示されているだけであり、シ
ムコイルの設計に関する詳細はたとえばアメリカ合衆国
特許第3,569,823号を参照されたい。各シムコ
イル4〜6にはそれぞれ1つの電流給電部SH1〜SH
3が配属されており、それらの給電部は個々のシムコイ
ル4〜6へ電流I4〜I6を供給する。電流I4〜I6
は計算ユニットCにより制御可能である。
ており、それらもやはり鞍型コイルとして構成されてい
る。シムコイル4〜6は略示されているだけであり、シ
ムコイルの設計に関する詳細はたとえばアメリカ合衆国
特許第3,569,823号を参照されたい。各シムコ
イル4〜6にはそれぞれ1つの電流給電部SH1〜SH
3が配属されており、それらの給電部は個々のシムコイ
ル4〜6へ電流I4〜I6を供給する。電流I4〜I6
は計算ユニットCにより制御可能である。
【0013】図2には、z方向における磁場勾配用の勾
配コイル3が略示されている。各コイルはリング状に構
成されており、被検ボリューム11の中心点に対して対
称に配置されている。両方の個別コイル3aおよび3b
には図2に示されているように互いに逆方向に電流が貫
流するので、これらのコイルによってz方向における磁
場勾配が引き起こされる。さらに図2には−ここでも略
示であるが−この事例ではリング状であるさらに別のシ
ムコイル7〜9が示されており、これらのシムコイルへ
も電流給電部SH4〜SH6を介してやはり電流I4〜
I6が印加される。電流I4〜I6はやはり計算ユニッ
トCにより制御可能である。
配コイル3が略示されている。各コイルはリング状に構
成されており、被検ボリューム11の中心点に対して対
称に配置されている。両方の個別コイル3aおよび3b
には図2に示されているように互いに逆方向に電流が貫
流するので、これらのコイルによってz方向における磁
場勾配が引き起こされる。さらに図2には−ここでも略
示であるが−この事例ではリング状であるさらに別のシ
ムコイル7〜9が示されており、これらのシムコイルへ
も電流給電部SH4〜SH6を介してやはり電流I4〜
I6が印加される。電流I4〜I6はやはり計算ユニッ
トCにより制御可能である。
【0014】さらに図1および図2には、勾配コイル2
ないし3のための電流給電部Vも示されている。個々の
勾配コイル2ないし3中を流れる電流Iは、1つの測定
シーケンスをまえもって与えるパルス発生器Pにより定
められる。発生器O−その出力信号がパルス発生器の出
力信号に加算される−により、パルス制御回路Pにより
プリセットされる電流に加えてさらに勾配オフセット電
流を定めることができる。
ないし3のための電流給電部Vも示されている。個々の
勾配コイル2ないし3中を流れる電流Iは、1つの測定
シーケンスをまえもって与えるパルス発生器Pにより定
められる。発生器O−その出力信号がパルス発生器の出
力信号に加算される−により、パルス制御回路Pにより
プリセットされる電流に加えてさらに勾配オフセット電
流を定めることができる。
【0015】勾配オフセット電流を加えることにより、
基底磁場の非線形性の線形項を消去できる。付加的なシ
ムコイル4〜9により高次の障害項を除くこともでき、
その結果、均一性をいっそう改善できる。不均一性を求
め必要な勾配オフセット電流ないしシム電流を算出する
方法については、冒頭で述べたアメリカ合衆国特許第
5,345,178号において詳しく説明されている。
もっともこの文献中では、球状の被検ボリューム11全
体において均一性を最適化しようというグローバルなシ
ム方式について述べられている。最適化のために、まず
はじめに検査対象物が検査空間中に入れられ、次に種々
異なるパルスシーケンスにより存在する不均一性が測定
され、その結果から勾配に対するオフセット電流も含め
てシム電流が求められる。そしてこのようにして求めら
れた電流は、検査対象物の測定全体にわたり加えられ
る。
基底磁場の非線形性の線形項を消去できる。付加的なシ
ムコイル4〜9により高次の障害項を除くこともでき、
その結果、均一性をいっそう改善できる。不均一性を求
め必要な勾配オフセット電流ないしシム電流を算出する
方法については、冒頭で述べたアメリカ合衆国特許第
5,345,178号において詳しく説明されている。
もっともこの文献中では、球状の被検ボリューム11全
体において均一性を最適化しようというグローバルなシ
ム方式について述べられている。最適化のために、まず
はじめに検査対象物が検査空間中に入れられ、次に種々
異なるパルスシーケンスにより存在する不均一性が測定
され、その結果から勾配に対するオフセット電流も含め
てシム電流が求められる。そしてこのようにして求めら
れた電流は、検査対象物の測定全体にわたり加えられ
る。
【0016】検査に際してはたいてい、検査対象物の互
いに連続する複数のスライス面が時間的に別個に励起さ
れる。この場合、”グローバルな”シミングであるとシ
ム電流は一定値に設定調整されたままである。
いに連続する複数のスライス面が時間的に別個に励起さ
れる。この場合、”グローバルな”シミングであるとシ
ム電流は一定値に設定調整されたままである。
【0017】複数のスライス面を測定する場合、1つの
スライス面における測定の繰り返し時間中に少なくとも
1つの別のスライス面を励起し測定することで、測定時
間全体を著しく低減することができる。この場合、以下
のことを利用する。すなわち、1つのスライス面におけ
る核スピンの励起ならびに核共鳴信号の読み出し後、核
スピンが基底磁場によりまえもって与えられているそれ
らの静止位置に再び収まるまで待たないと、同じ核スピ
ンを用いて次の測定を行えない。ここで、2つの測定プ
ロセスの間の時間を繰り返し時間と称する。しかしこの
場合、最初のスライス面における核スピンの緩和を待っ
ている間に別のスライス面において核スピンを励起で
き、つまり第1のスライス面における測定の繰り返し時
間中に、第2のスライス面および場合によってはさらに
別のスライス面における測定を始めることができるので
ある。これはマルチスライス方式と呼ばれる。図3に
は、4つのスライス面のためのこの種のマルチスライス
方式が略示されている。この場合、各スライス面S1〜
S4において繰り返し時間TRを伴いながら測定M1〜
Mxが実行され、その際、4つのスライス面のための測
定は繰り返し時間内でオーバラップしている。したがっ
てこの形式のマルチスライス方式によればたとえば、こ
の方式によらなければ1つのスライス面の測定に必要と
されるであろう程度の時間で4つのスライス面を測定で
きる。
スライス面における測定の繰り返し時間中に少なくとも
1つの別のスライス面を励起し測定することで、測定時
間全体を著しく低減することができる。この場合、以下
のことを利用する。すなわち、1つのスライス面におけ
る核スピンの励起ならびに核共鳴信号の読み出し後、核
スピンが基底磁場によりまえもって与えられているそれ
らの静止位置に再び収まるまで待たないと、同じ核スピ
ンを用いて次の測定を行えない。ここで、2つの測定プ
ロセスの間の時間を繰り返し時間と称する。しかしこの
場合、最初のスライス面における核スピンの緩和を待っ
ている間に別のスライス面において核スピンを励起で
き、つまり第1のスライス面における測定の繰り返し時
間中に、第2のスライス面および場合によってはさらに
別のスライス面における測定を始めることができるので
ある。これはマルチスライス方式と呼ばれる。図3に
は、4つのスライス面のためのこの種のマルチスライス
方式が略示されている。この場合、各スライス面S1〜
S4において繰り返し時間TRを伴いながら測定M1〜
Mxが実行され、その際、4つのスライス面のための測
定は繰り返し時間内でオーバラップしている。したがっ
てこの形式のマルチスライス方式によればたとえば、こ
の方式によらなければ1つのスライス面の測定に必要と
されるであろう程度の時間で4つのスライス面を測定で
きる。
【0018】これらの測定自体については一連のパルス
シーケンスが知られている。ここでは実例としてエコー
・プラナー映像(EPI)方式だけを挙げておく。この
方式は磁場不均一性に対しきわめて影響を受けやすく、
したがってこの方式については基底磁場の均一性条件を
改善するためのここで述べた方式によって著しい利点が
もたらされる。図4〜図8にはこの形式の測定方式が略
示されており、たとえばヨーロッパ特許出願第0076
054号明細書において詳細な説明がなされている。E
PI方式の場合、まずはじめに図5によるスライス選択
勾配SSのもとで図4による高周波パルスRFが投射さ
れる。次に、スライス選択勾配SSにより引き起こされ
るディフェージングは負のパルス成分によりリフェージ
ングされる。図6によるような読み出し勾配ROの度重
なる反転により核スピンはそのつどリフェージングさ
れ、その結果、核共鳴信号SIは図8のようにして発生
する。読み出し時相中、図7による位相エンコード勾配
PCが同時に加えられ、これにより読み出された核共鳴
信号が様々に位相コード化される。
シーケンスが知られている。ここでは実例としてエコー
・プラナー映像(EPI)方式だけを挙げておく。この
方式は磁場不均一性に対しきわめて影響を受けやすく、
したがってこの方式については基底磁場の均一性条件を
改善するためのここで述べた方式によって著しい利点が
もたらされる。図4〜図8にはこの形式の測定方式が略
示されており、たとえばヨーロッパ特許出願第0076
054号明細書において詳細な説明がなされている。E
PI方式の場合、まずはじめに図5によるスライス選択
勾配SSのもとで図4による高周波パルスRFが投射さ
れる。次に、スライス選択勾配SSにより引き起こされ
るディフェージングは負のパルス成分によりリフェージ
ングされる。図6によるような読み出し勾配ROの度重
なる反転により核スピンはそのつどリフェージングさ
れ、その結果、核共鳴信号SIは図8のようにして発生
する。読み出し時相中、図7による位相エンコード勾配
PCが同時に加えられ、これにより読み出された核共鳴
信号が様々に位相コード化される。
【0019】既述のようにこの方式では新たな励起を行
う前に、核スピンが緩和し得る期間だけ待つ必要があ
る。2つの励起の間の間隔は繰り返し時間TRと呼ばれ
る。複数のスライス面に対する測定は、図3のようにし
て互いに重なり合わせることができる。
う前に、核スピンが緩和し得る期間だけ待つ必要があ
る。2つの励起の間の間隔は繰り返し時間TRと呼ばれ
る。複数のスライス面に対する測定は、図3のようにし
て互いに重なり合わせることができる。
【0020】そして本発明による着想は、スライス面か
らスライス面への移り変わりに際してシミングを一定に
保持するのではなくスライス面ごとにダイナミックに調
節する点にある。このことは図9によるフローチャート
に略示されている。まずはじめに、勾配電流に対する最
適なシム電流ないしオフセット電流を各スライス面ごと
に個別に求める。これは、たとえばアメリカ合衆国特許
第5,345,178号に記載されている方式に基づい
て行える。個々のスライス面に対し最適なシム電流/オ
フセット電流が記憶される。そして個々のスライス面S
1〜S4における測定を実行する前に、最適なシム電流
/オフセット電流がそのつどダイナミックに調節され
る。課されている要求が比較的簡単であるときには、線
形の不均一性項だけを補正すればよい。この場合には、
そのつどスライス面S1〜S4に対し適切な勾配オフセ
ット電流をいずれにせよダイナミックに加えられる勾配
に重畳すればよい。課されている要求が著しく高度であ
れば、まずはじめにシムコイルに対する最適なシム電流
をスライス面ごとにダイナミックに調節する。
らスライス面への移り変わりに際してシミングを一定に
保持するのではなくスライス面ごとにダイナミックに調
節する点にある。このことは図9によるフローチャート
に略示されている。まずはじめに、勾配電流に対する最
適なシム電流ないしオフセット電流を各スライス面ごと
に個別に求める。これは、たとえばアメリカ合衆国特許
第5,345,178号に記載されている方式に基づい
て行える。個々のスライス面に対し最適なシム電流/オ
フセット電流が記憶される。そして個々のスライス面S
1〜S4における測定を実行する前に、最適なシム電流
/オフセット電流がそのつどダイナミックに調節され
る。課されている要求が比較的簡単であるときには、線
形の不均一性項だけを補正すればよい。この場合には、
そのつどスライス面S1〜S4に対し適切な勾配オフセ
ット電流をいずれにせよダイナミックに加えられる勾配
に重畳すればよい。課されている要求が著しく高度であ
れば、まずはじめにシムコイルに対する最適なシム電流
をスライス面ごとにダイナミックに調節する。
【0021】既述の方式によれば、そのつど測定される
スライス面内において磁場不均一性が存在するときに著
しく改善された均一性の値を達成できる。このことは以
下の理由でとりわけ重要である。すなわち、一方ではた
とえばエコー・プラナー映像法、ターボ勾配スピンエコ
ーおよび化学シフト映像法のような新しい技術ではきわ
めて高度な均一性を要求されるが、他方ではグローバル
な均一性の値に対する高度な要求は不都合だからであ
る。つまり、これらの高度な要求は著しく長いマグネッ
トを用いることによってしか実現できないが、それらは
高価であるし閉所恐怖症的現象ゆえに患者にとって不快
なものだからである。
スライス面内において磁場不均一性が存在するときに著
しく改善された均一性の値を達成できる。このことは以
下の理由でとりわけ重要である。すなわち、一方ではた
とえばエコー・プラナー映像法、ターボ勾配スピンエコ
ーおよび化学シフト映像法のような新しい技術ではきわ
めて高度な均一性を要求されるが、他方ではグローバル
な均一性の値に対する高度な要求は不都合だからであ
る。つまり、これらの高度な要求は著しく長いマグネッ
トを用いることによってしか実現できないが、それらは
高価であるし閉所恐怖症的現象ゆえに患者にとって不快
なものだからである。
【図1】シムコイルの実施例をxないしy勾配とともに
示す図である。
示す図である。
【図2】別のシムコイルの実施例をz勾配コイルととも
に示す図である。
に示す図である。
【図3】画像生成シーケンスとして本発明による方式に
適したパルスシーケンスを示す図である。
適したパルスシーケンスを示す図である。
【図4】画像生成シーケンスとして本発明による方式に
適したパルスシーケンスを示す図である。
適したパルスシーケンスを示す図である。
【図5】画像生成シーケンスとして本発明による方式に
適したパルスシーケンスを示す図である。
適したパルスシーケンスを示す図である。
【図6】画像生成シーケンスとして本発明による方式に
適したパルスシーケンスを示す図である。
適したパルスシーケンスを示す図である。
【図7】画像生成シーケンスとして本発明による方式に
適したパルスシーケンスを示す図である。
適したパルスシーケンスを示す図である。
【図8】画像生成シーケンスとして本発明による方式に
適したパルスシーケンスを示す図である。
適したパルスシーケンスを示す図である。
【図9】マルチスライス技術のためのフローチャートで
ある。
ある。
1 支持管 2,3 勾配コイル 4〜9 シムコイル 11 被検ボリューム SH1〜SH6 シムコイル用電流給電部 I4,I5,I6 シム電流 C 計算ユニット P パルス発生器 O 発生器 V 勾配コイル用電流給電部
Claims (4)
- 【請求項1】 基底磁場マグネットと該マグネットに組
み込まれたシムコイル(4〜9)とを備え、 前記シムコイル(4〜9)は、被検ボリューム(11)
において該被検ボリューム(11)よりも小さい1つの
スライス面(S1〜S4)内で均一な磁場が生じるよ
う、シム電流(I4〜I12)によって制御されるよう
に構成されている、 核スピン断層撮影装置において、 1つのスライス面(S1〜S4)の励起および読み出し
用の1つのパルスシーケンスのための繰り返し時間(T
R)内で、少なくとも1つの別のスライス面が励起さ
れ、 そのつど励起されるスライス面(S1〜S4)に依存し
てシムコイル(4〜9)の制御が行われることを特徴と
する、 核スピン断層撮影装置。 - 【請求項2】 隣り合う各スライス面(S1〜S4)の
グループに対しシム電流(I4〜I9)が共通に定めら
れる、請求項1記載の核スピン断層撮影装置。 - 【請求項3】 画像データを得る前に、各スライス面
(S1〜S4)ないしスライス面グループごとに調節す
べきシム電流(I4〜I9)が測定され記憶される、請
求項1または2記載の核スピン断層撮影装置。 - 【請求項4】 オフセット電流の印加により勾配コイル
(2,3)がシムコイルとして用いられ、励起される各
スライス面のグループのうち励起されるスライス面に応
じてオフセット電流が加えられる、請求項1〜3のいず
れか1項記載の核スピン断層撮影装置。
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---|---|---|---|
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-
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