JPH08204180A - 大容量半導体装置 - Google Patents
大容量半導体装置Info
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- JPH08204180A JPH08204180A JP7010274A JP1027495A JPH08204180A JP H08204180 A JPH08204180 A JP H08204180A JP 7010274 A JP7010274 A JP 7010274A JP 1027495 A JP1027495 A JP 1027495A JP H08204180 A JPH08204180 A JP H08204180A
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- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
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- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
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Abstract
(57)【要約】
【目的】複数個の電圧駆動型素子（ＩＧＢＴなど）と過
電流保護回路とを同一パッケージに収納する大容量半導
体装置において、オン電圧の低い素子の電流を検出し、
過電圧保護回路に信号として与え、全素子を一括制御す
ることで、負荷短絡時の過電流を確実に遮断し、負荷短
絡耐量の向上を図る。 【構成】コレクタ基板１上に電流検出用の付属エミッタ
４を有する複数個のＩＧＢＴが搭載され、一個の過電流
保護回路８が絶縁板７を介して搭載される。過電流保護
回路８はＭＯＳＦＥＴ、ダイオードおよび抵抗で構成さ
れ、ＭＯＳＦＥＴのゲート９、ソース１０はオン電圧の
最も低いＩＧＢＴ２の付属エミッタ４、主エミッタ５に
それぞれ接続され、ダイオードのアノード１１はゲート
配線膜１３を介してＩＧＢＴ２のゲート６に接続され
る。各ＩＧＢＴのコレクタ（コレクタ基板１に接する側
にある）、主エミッタ５およびゲート６はコレクタ基板
１、エミッタ配線膜１２およびゲート配線膜１３にボン
デングワイヤー１４でそれぞれ接続される。
電流保護回路とを同一パッケージに収納する大容量半導
体装置において、オン電圧の低い素子の電流を検出し、
過電圧保護回路に信号として与え、全素子を一括制御す
ることで、負荷短絡時の過電流を確実に遮断し、負荷短
絡耐量の向上を図る。 【構成】コレクタ基板１上に電流検出用の付属エミッタ
４を有する複数個のＩＧＢＴが搭載され、一個の過電流
保護回路８が絶縁板７を介して搭載される。過電流保護
回路８はＭＯＳＦＥＴ、ダイオードおよび抵抗で構成さ
れ、ＭＯＳＦＥＴのゲート９、ソース１０はオン電圧の
最も低いＩＧＢＴ２の付属エミッタ４、主エミッタ５に
それぞれ接続され、ダイオードのアノード１１はゲート
配線膜１３を介してＩＧＢＴ２のゲート６に接続され
る。各ＩＧＢＴのコレクタ（コレクタ基板１に接する側
にある）、主エミッタ５およびゲート６はコレクタ基板
１、エミッタ配線膜１２およびゲート配線膜１３にボン
デングワイヤー１４でそれぞれ接続される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、複数個の電圧駆動型
素子（ＩＧＢＴなど）と一個の過電流保護回路とをモジ
ュール構造もしくは加圧接触構造のパッケージに収納す
る大容量半導体装置に関する。
素子（ＩＧＢＴなど）と一個の過電流保護回路とをモジ
ュール構造もしくは加圧接触構造のパッケージに収納す
る大容量半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば絶縁ゲート型バイポーラトランジ
スタ（ＩＧＢＴ）などの電力用スイッチング素子におい
て、負荷短絡などによって素子が破壊することを防ぐ回
路として過電流保護回路がある。図３は従来から良く知
られている過電流保護回路とＩＧＢＴとの接続図を示
す。この過電流保護回路８はＭＯＳＦＥＴ１５、ダイオ
ード１６および抵抗１７で構成され、ＭＯＳＦＥＴ１５
のドレイン１８とダイオード１６のカソード１９とが接
続され、ＭＯＳＦＥＴ１５のゲート９・ソース１０間に
抵抗１７が接続される。ＩＧＢＴ３のゲート６にはダイ
オード１６のアノード１１が接続される。ＩＧＢＴ３は
電流検出用の付属エミッタ４を有し、この付属エミッタ
４がＭＯＳＦＥＴ１５のゲート９に接続され、ＩＧＢＴ
３の主エミッタ５がＭＯＳＦＥＴ１５のソース１０に接
続される。
スタ（ＩＧＢＴ）などの電力用スイッチング素子におい
て、負荷短絡などによって素子が破壊することを防ぐ回
路として過電流保護回路がある。図３は従来から良く知
られている過電流保護回路とＩＧＢＴとの接続図を示
す。この過電流保護回路８はＭＯＳＦＥＴ１５、ダイオ
ード１６および抵抗１７で構成され、ＭＯＳＦＥＴ１５
のドレイン１８とダイオード１６のカソード１９とが接
続され、ＭＯＳＦＥＴ１５のゲート９・ソース１０間に
抵抗１７が接続される。ＩＧＢＴ３のゲート６にはダイ
オード１６のアノード１１が接続される。ＩＧＢＴ３は
電流検出用の付属エミッタ４を有し、この付属エミッタ
４がＭＯＳＦＥＴ１５のゲート９に接続され、ＩＧＢＴ
３の主エミッタ５がＭＯＳＦＥＴ１５のソース１０に接
続される。
【０００３】ＩＧＢＴ３がオン状態で負荷短絡するとＩ
ＧＢＴ３に過電流が流れる。この過電流の一部が付属エ
ミッタ４からも流出し、この流出電流は正常動作時より
当然大きくなる。この流出電流は抵抗１７に流れ、抵抗
１７の両端の電圧は正常動作時より大きくなる。正常動
作時にはＭＯＳＦＥＴ１５のゲート電圧がしきい値以下
のため、ＭＯＳＦＥＴ１５は動作せずオフ状態である
が、抵抗１７の電圧が上昇してＭＯＳＦＥＴ１５のゲー
ト電圧がしきい値を越えるとＭＯＳＦＥＴ１５はオン状
態となる。このときドレイン１８・ソース１０間の電圧
は急激に低下し、ＩＧＢＴ３のゲート電圧も低下する。
ＩＧＢＴ３のゲート電圧が低下するとＩＧＢＴ３に流れ
ていた過電流は急激に低下し、ＩＧＢＴ３の破壊が防止
される。
ＧＢＴ３に過電流が流れる。この過電流の一部が付属エ
ミッタ４からも流出し、この流出電流は正常動作時より
当然大きくなる。この流出電流は抵抗１７に流れ、抵抗
１７の両端の電圧は正常動作時より大きくなる。正常動
作時にはＭＯＳＦＥＴ１５のゲート電圧がしきい値以下
のため、ＭＯＳＦＥＴ１５は動作せずオフ状態である
が、抵抗１７の電圧が上昇してＭＯＳＦＥＴ１５のゲー
ト電圧がしきい値を越えるとＭＯＳＦＥＴ１５はオン状
態となる。このときドレイン１８・ソース１０間の電圧
は急激に低下し、ＩＧＢＴ３のゲート電圧も低下する。
ＩＧＢＴ３のゲート電圧が低下するとＩＧＢＴ３に流れ
ていた過電流は急激に低下し、ＩＧＢＴ３の破壊が防止
される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記のような過電流保
護回路は、通常ＩＧＢＴと同一半導体チップ内に集積さ
れる。しかし、ＩＧＢＴなどの電圧駆動型素子を複数個
並列にして構成する大容量半導体装置では、負荷短絡な
どが発生し過電流が流れる場合、各ＩＧＢＴが過電流保
護回路を内蔵していると、各々が独自に保護機能を働か
せ、保護特性のばらつきのため、保護機能が働いている
ＩＧＢＴと働いていないＩＧＢＴとが同時に存在するよ
うになり、各ＩＧＢＴ間で電流分担が不均一となり、破
壊するＩＧＢＴが発生する恐れがある。
護回路は、通常ＩＧＢＴと同一半導体チップ内に集積さ
れる。しかし、ＩＧＢＴなどの電圧駆動型素子を複数個
並列にして構成する大容量半導体装置では、負荷短絡な
どが発生し過電流が流れる場合、各ＩＧＢＴが過電流保
護回路を内蔵していると、各々が独自に保護機能を働か
せ、保護特性のばらつきのため、保護機能が働いている
ＩＧＢＴと働いていないＩＧＢＴとが同時に存在するよ
うになり、各ＩＧＢＴ間で電流分担が不均一となり、破
壊するＩＧＢＴが発生する恐れがある。
【０００５】またＩＧＢＴのスイッチング動作での電流
遮断において、電流遮断に要する時間はＩＧＢＴ毎にば
らつきがあり、特に電流分担に不均一があると、特定の
ＩＧＢＴに電流が集中し益々そのＩＧＢＴは、遮断時間
が長くなり、過大な電流を遮断することになり、破壊を
起こす可能性がある。この発明は、前記の課題を解決す
るために、複数個の電圧駆動型素子と一個の過電流保護
回路とを同一パッケージに収納し、この過電流保護回路
で複数個の電圧駆動型素子を一括制御することで負荷短
絡耐量の高い大容量半導体装置を提供することにある。
遮断において、電流遮断に要する時間はＩＧＢＴ毎にば
らつきがあり、特に電流分担に不均一があると、特定の
ＩＧＢＴに電流が集中し益々そのＩＧＢＴは、遮断時間
が長くなり、過大な電流を遮断することになり、破壊を
起こす可能性がある。この発明は、前記の課題を解決す
るために、複数個の電圧駆動型素子と一個の過電流保護
回路とを同一パッケージに収納し、この過電流保護回路
で複数個の電圧駆動型素子を一括制御することで負荷短
絡耐量の高い大容量半導体装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、前記の目的
を達成するために、電流検出用の付属エミッタを有する
電圧駆動型素子を複数個並設し、かつＭＯＳＦＥＴのド
レインとダイオードのカソードとが接続し、ＭＯＳＦＥ
Ｔのゲート・ソース間に抵抗が接続される過電流保護回
路を、収納した大容量半導体装置において、飽和電圧
（オン電圧）の最も低い電圧駆動型素子の付属エミッ
タ、主エミッタおよびゲートが過電流保護回路を構成す
るＭＯＳＦＥＴのゲート、ソースおよびダイオードのア
ノードとそれぞれ接続されることである。この複数個の
電圧駆動型素子を一個の過電流保護回路で制御するよう
に電圧駆動型素子と過電流保護回路とが個別に構成され
る。また複数個の電圧駆動型素子および一個の過電流保
護回路が一個のモジュール構造のパッケージに収納され
るか、もしくは一個の加圧接触構造のパッケージに収納
されるとよい。
を達成するために、電流検出用の付属エミッタを有する
電圧駆動型素子を複数個並設し、かつＭＯＳＦＥＴのド
レインとダイオードのカソードとが接続し、ＭＯＳＦＥ
Ｔのゲート・ソース間に抵抗が接続される過電流保護回
路を、収納した大容量半導体装置において、飽和電圧
（オン電圧）の最も低い電圧駆動型素子の付属エミッ
タ、主エミッタおよびゲートが過電流保護回路を構成す
るＭＯＳＦＥＴのゲート、ソースおよびダイオードのア
ノードとそれぞれ接続されることである。この複数個の
電圧駆動型素子を一個の過電流保護回路で制御するよう
に電圧駆動型素子と過電流保護回路とが個別に構成され
る。また複数個の電圧駆動型素子および一個の過電流保
護回路が一個のモジュール構造のパッケージに収納され
るか、もしくは一個の加圧接触構造のパッケージに収納
されるとよい。
【０００７】
【作用】ＩＧＢＴなどの電圧駆動型素子は電流を通電し
た時のコレクタ・エミッタ間の電圧つまりオン電圧が低
いＩＧＢＴほど大きな負荷電流が流れ、そのため負荷短
絡時などで流れる過電流値も大きくなり破壊しやすい。
複数個のＩＧＢＴを並列に接続する大容量半導体装置で
は、最も負荷短絡耐量が小さい、つまりオン電圧が最も
小さいＩＧＢＴに設けられた電流検出用の付属エミッタ
を過電流保護回路に接続し、この過電流保護回路で全Ｉ
ＧＢＴを同時に制御することにより、負荷短絡等の異常
動作時でもオン電圧の低いＩＧＢＴに負荷電流が過大に
集中することなく、全ＩＧＢＴを確実に負荷電流を遮断
でき、大容量半導体装置の破壊を防止できる。
た時のコレクタ・エミッタ間の電圧つまりオン電圧が低
いＩＧＢＴほど大きな負荷電流が流れ、そのため負荷短
絡時などで流れる過電流値も大きくなり破壊しやすい。
複数個のＩＧＢＴを並列に接続する大容量半導体装置で
は、最も負荷短絡耐量が小さい、つまりオン電圧が最も
小さいＩＧＢＴに設けられた電流検出用の付属エミッタ
を過電流保護回路に接続し、この過電流保護回路で全Ｉ
ＧＢＴを同時に制御することにより、負荷短絡等の異常
動作時でもオン電圧の低いＩＧＢＴに負荷電流が過大に
集中することなく、全ＩＧＢＴを確実に負荷電流を遮断
でき、大容量半導体装置の破壊を防止できる。
【０００８】また複数個のＩＧＢＴと一個の過電流保護
回路とを一個のモジュール構造のパッケージもしくは一
個の加圧接触構造（例えば平形構造）のパッケージに収
納することで、大容量半導体装置を小型化および軽量化
できる。
回路とを一個のモジュール構造のパッケージもしくは一
個の加圧接触構造（例えば平形構造）のパッケージに収
納することで、大容量半導体装置を小型化および軽量化
できる。
【０００９】
【実施例】図１は第１実施例を示し、同図（ａ）はモジ
ュール構造の平面図、同図（ｂ）はＡ−Ａで切断した断
面図を示す。コレクタ基板１上に電流検出用の付属エミ
ッタ４を有する複数個のＩＧＢＴ（ＩＧＢＴ２が１個と
ＩＧＢＴ３が複数個）が搭載され、一個の過電流保護回
路８が絶縁板７を介して搭載される。コレクタ基板１上
に図示されていない絶縁膜を介してエミッタ配線膜１２
およびゲート配線膜１３が金属膜で形成される。過電流
保護回路８は図示されていないＭＯＳＦＥＴ、ダイオー
ドおよび抵抗で構成され、これら部品は個別で構成され
るか、または１チップに集積される。同図にはＭＯＳＦ
ＥＴのゲート９、ソース１０およびダイオードのアノー
ド１１の各電極のみが示されている。ＭＯＳＦＥＴのゲ
ート９、ソース１０はオン電圧の最も低いＩＧＢＴ２の
付属エミッタ４、主エミッタ５にそれぞれボンデングワ
イヤー１４で接続され、ダイオードのアノード１１はゲ
ート配線膜１３にボンデングワイヤー１４で接続され
る。各ＩＧＢＴ（ＩＧＢＴ２および複数個のＩＧＢＴ
３）のコレクタ（コレクタ基板１に接する側にある）、
主エミッタ５およびゲート６はコレクタ基板１、エミッ
タ配線膜１２およびゲート配線膜１３にボンデングワイ
ヤー１４でそれぞれ接続する。同図（ｂ）において、コ
レクタ基板１上に絶縁板７を配置し、その上に過電流保
護回路８を構成する。
ュール構造の平面図、同図（ｂ）はＡ−Ａで切断した断
面図を示す。コレクタ基板１上に電流検出用の付属エミ
ッタ４を有する複数個のＩＧＢＴ（ＩＧＢＴ２が１個と
ＩＧＢＴ３が複数個）が搭載され、一個の過電流保護回
路８が絶縁板７を介して搭載される。コレクタ基板１上
に図示されていない絶縁膜を介してエミッタ配線膜１２
およびゲート配線膜１３が金属膜で形成される。過電流
保護回路８は図示されていないＭＯＳＦＥＴ、ダイオー
ドおよび抵抗で構成され、これら部品は個別で構成され
るか、または１チップに集積される。同図にはＭＯＳＦ
ＥＴのゲート９、ソース１０およびダイオードのアノー
ド１１の各電極のみが示されている。ＭＯＳＦＥＴのゲ
ート９、ソース１０はオン電圧の最も低いＩＧＢＴ２の
付属エミッタ４、主エミッタ５にそれぞれボンデングワ
イヤー１４で接続され、ダイオードのアノード１１はゲ
ート配線膜１３にボンデングワイヤー１４で接続され
る。各ＩＧＢＴ（ＩＧＢＴ２および複数個のＩＧＢＴ
３）のコレクタ（コレクタ基板１に接する側にある）、
主エミッタ５およびゲート６はコレクタ基板１、エミッ
タ配線膜１２およびゲート配線膜１３にボンデングワイ
ヤー１４でそれぞれ接続する。同図（ｂ）において、コ
レクタ基板１上に絶縁板７を配置し、その上に過電流保
護回路８を構成する。
【００１０】また図には示さないが、第２実施例として
加圧接触構造の平形パッケージに複数個のＩＧＢＴと１
個の過電圧保護回路を収納することもできる。この場
合、ＩＧＢＴの主エミッタとコレクタ基板が平形パッケ
ージの電極と加圧により接触する。その他の部分はモジ
ュール構造と同様にボンデングワイヤーによって接続さ
れる。
加圧接触構造の平形パッケージに複数個のＩＧＢＴと１
個の過電圧保護回路を収納することもできる。この場
合、ＩＧＢＴの主エミッタとコレクタ基板が平形パッケ
ージの電極と加圧により接触する。その他の部分はモジ
ュール構造と同様にボンデングワイヤーによって接続さ
れる。
【００１１】図２は図１の過電流保護回路とＩＧＢＴと
の接続図を示す。過電流保護回路８がＭＯＳＦＥＴ１
５、ダイオード１６および抵抗１７で構成される。この
過電流保護回路８がＩＧＢＴとは別に構成され、点線内
に示される。複数個のＩＧＢＴのうちオン電圧の低いＩ
ＧＢＴ２の電流検出用の付属エミッタ４が過電流保護回
路８のＭＯＳＦＥＴ１５のゲート９に接続される。この
ＩＧＢＴ２のゲート６および主エミッタ５がダイオード
１６のアノード１１およびＭＯＳＦＥＴ１５のソース１
０にそれぞれ接続される。またＭＯＳＦＥＴ１５のゲー
ト９・ソース１０間に抵抗１７が接続され、ドレイン１
８がダイオード１６のカソード１９に接続され過電流保
護回路８が構成される。複数個のＩＧＢＴが並列接続さ
れ、一個の大容量半導体装置として動作する。この大容
量半導体装置はコレクタ端子２２、エミッタ端子２０お
よびゲート端子２１で外部回路と接続する。また過電流
保護回路８の動作の説明で触れなかったダイオード１５
の働きについて説明する。大容量半導体装置のゲート端
子２１とエミッタ端子２０に負ゲート電圧を印加すると
き、ゲート端子２１が寄生ダイオード（図示されていな
いが、ＭＯＳＦＥＴのソース１０側がアノード、ドレイ
ン１８側がカソードの寄生ダイオードが構造上内蔵され
ている）を介してエミッタ端子２０と短絡することを防
止するためにダイオード１６が必要であり、このダイオ
ード１６の存在でゲート端子２１にゲート逆電圧を確実
に印加できる。
の接続図を示す。過電流保護回路８がＭＯＳＦＥＴ１
５、ダイオード１６および抵抗１７で構成される。この
過電流保護回路８がＩＧＢＴとは別に構成され、点線内
に示される。複数個のＩＧＢＴのうちオン電圧の低いＩ
ＧＢＴ２の電流検出用の付属エミッタ４が過電流保護回
路８のＭＯＳＦＥＴ１５のゲート９に接続される。この
ＩＧＢＴ２のゲート６および主エミッタ５がダイオード
１６のアノード１１およびＭＯＳＦＥＴ１５のソース１
０にそれぞれ接続される。またＭＯＳＦＥＴ１５のゲー
ト９・ソース１０間に抵抗１７が接続され、ドレイン１
８がダイオード１６のカソード１９に接続され過電流保
護回路８が構成される。複数個のＩＧＢＴが並列接続さ
れ、一個の大容量半導体装置として動作する。この大容
量半導体装置はコレクタ端子２２、エミッタ端子２０お
よびゲート端子２１で外部回路と接続する。また過電流
保護回路８の動作の説明で触れなかったダイオード１５
の働きについて説明する。大容量半導体装置のゲート端
子２１とエミッタ端子２０に負ゲート電圧を印加すると
き、ゲート端子２１が寄生ダイオード（図示されていな
いが、ＭＯＳＦＥＴのソース１０側がアノード、ドレイ
ン１８側がカソードの寄生ダイオードが構造上内蔵され
ている）を介してエミッタ端子２０と短絡することを防
止するためにダイオード１６が必要であり、このダイオ
ード１６の存在でゲート端子２１にゲート逆電圧を確実
に印加できる。
【００１２】
【発明の効果】ＩＧＢＴなどの電圧駆動型素子が複数個
並列に収納された大容量半導体装置において、オン電圧
の最も低い電圧駆動型素子を使って、同一パッケージに
収納された一個の共通の過電流保護回路を動作させ、全
電圧駆動型素子を同時に制御することによって、負荷短
絡時の過電流による破壊を防止し、負荷短絡耐量の向上
を図る。また複数個の電圧駆動型素子と一個の過電流保
護回路とを一個のモジュール構造のパッケージもしくは
一個の加圧接触構造（例えば平形構造）のパッケージに
収納することで、大容量半導体装置を小型化および軽量
化できる。
並列に収納された大容量半導体装置において、オン電圧
の最も低い電圧駆動型素子を使って、同一パッケージに
収納された一個の共通の過電流保護回路を動作させ、全
電圧駆動型素子を同時に制御することによって、負荷短
絡時の過電流による破壊を防止し、負荷短絡耐量の向上
を図る。また複数個の電圧駆動型素子と一個の過電流保
護回路とを一個のモジュール構造のパッケージもしくは
一個の加圧接触構造（例えば平形構造）のパッケージに
収納することで、大容量半導体装置を小型化および軽量
化できる。
【図１】図１は第１実施例を示し、（ａ）はモジュール
構造の平面図、（ｂ）はＡ−Ａで切断した断面図
構造の平面図、（ｂ）はＡ−Ａで切断した断面図
【図２】第１実施例の過電流保護回路とＩＧＢＴとの接
続図
続図
【図３】従来の過電流保護回路とＩＧＢＴとの接続図
１ コレクタ基板 ２ 低オン電圧ＩＧＢＴ ３ ＩＧＢＴ ４ 付属エミッタ ５ 主エミッタ ６ ゲート（ＩＧＢＴ） ７ 絶縁板 ８ 過電流保護回路 ９ ゲート（ＭＯＳＦＥＴ） １０ ソース １１ アノード １２ エミッタ配線膜 １３ ゲート配線膜 １４ ボンデングワイヤー １５ ＭＯＳＦＥＴ １６ ダイオード １７ 抵抗 １８ ドレイン １９ カソード ２０ エミッタ端子 ２１ ゲート端子 ２２ コレクタ端子
Claims (4)
- 【請求項１】電流検出用の付属エミッタを有する電圧駆
動型素子を複数個並設し、かつＭＯＳＦＥＴのドレイン
とダイオードのカソードとが接続し、ＭＯＳＦＥＴのゲ
ート・ソース間に抵抗が接続される過電流保護回路を、
収納した大容量半導体装置において、飽和電圧（オン電
圧）の最も低い電圧駆動型素子の付属エミッタ、主エミ
ッタおよびゲートが過電流保護回路を構成するＭＯＳＦ
ＥＴのゲート、ソースおよびダイオードのアノードとそ
れぞれ接続されることを特徴とする大容量半導体装置。 - 【請求項２】電圧駆動型素子と過電流保護回路とが個別
に構成されることを特徴とする請求項１記載の大容量半
導体装置 - 【請求項３】複数個の電圧駆動型素子および一個の過電
流保護回路が一個のモジュール構造のパッケージに収納
されることを特徴とする請求項１記載の大容量半導体装
置。 - 【請求項４】複数個の電圧駆動型素子および一個の過電
流保護回路が一個の加圧接触構造のパッケージに収納さ
れることを特徴とする請求項１記載の大容量半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01027495A JP3284809B2 (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | 大容量半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01027495A JP3284809B2 (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | 大容量半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08204180A true JPH08204180A (ja) | 1996-08-09 |
| JP3284809B2 JP3284809B2 (ja) | 2002-05-20 |
Family
ID=11745743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01027495A Expired - Fee Related JP3284809B2 (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | 大容量半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3284809B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6236110B1 (en) | 1999-04-05 | 2001-05-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Power semiconductor module |
| CN110504258A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-11-26 | 江苏中科君芯科技有限公司 | 一种igbt组件及其版图 |
| CN112582394A (zh) * | 2019-09-27 | 2021-03-30 | 万国半导体国际有限合伙公司 | 开关速度可调的igbt与超结mosfet组合器件 |
-
1995
- 1995-01-26 JP JP01027495A patent/JP3284809B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6236110B1 (en) | 1999-04-05 | 2001-05-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Power semiconductor module |
| EP1043591A3 (en) * | 1999-04-05 | 2004-05-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Power semiconductor module |
| CN110504258A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-11-26 | 江苏中科君芯科技有限公司 | 一种igbt组件及其版图 |
| CN110504258B (zh) * | 2019-08-21 | 2021-05-14 | 江苏中科君芯科技有限公司 | 一种igbt组件及其版图 |
| CN112582394A (zh) * | 2019-09-27 | 2021-03-30 | 万国半导体国际有限合伙公司 | 开关速度可调的igbt与超结mosfet组合器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3284809B2 (ja) | 2002-05-20 |
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