JPH08204112A

JPH08204112A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH08204112A
Application number: JP3317795A
Authority: JP
Inventors: Akio Shiozaki; 章雄塩崎
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1995-01-30
Filing date: 1995-01-30
Publication date: 1996-08-09

Abstract

(57)【要約】【目的】検査用パッドを外部リードに千鳥状に設けた
半導体装置の不良発生を低減すること。【構成】外部リード群３'−１〜３'−４の隣接する外
部リードに千鳥状に幅広の検査パッド３ａを設けたリー
ドフレームを準備し、外部リード群３'−１〜３'−４を
曲げ加工して所定のリード形状にし、外部リード群３'
−１〜３'−４に表面処理を施し、外部リード群３'−１
〜３'−４に保護テープ１０を貼り付け、外部リード群
３'−１〜３'−４の各外部リードを切離し、検査用パツ
ド３ａにより電気的検査を行い、最後に、検査用パッド
３ａ及び保護テープ１０を外部リード群３'−１〜３'−
４から切離す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方
法、たとえば外部リードのピッチが０．４mm以下である
ＱＦＰ(Quad Flat Package) 型の樹脂封止型半導体装置
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のＱＦＰ型の樹脂封止型半導体装置
の製造方法は、図８，図９，図１０，図１１に示される
（参照: 特開平１−２１６５６４号公報）。なお、図８
〜図１１において、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図で
ある。

【０００３】始めに、図８に示すリードフレームを準備
する。このリードフレームは、半導体素子が封止される
樹脂封止部２、樹脂封止部２の四方向に設けられた４つ
の外部リード群３−１〜３−４、各外部リード群３−１
〜３−４の外部リードを連結するリード連結部４−１〜
４−４、樹脂封止部３−１〜３−４の４隅に設けられた
吊りリード５−１〜５−４、吊りリード５−１〜５−４
を介して樹脂封止部２を保持するフレーム６、フレーム
６とリード連結部４−１〜４−４との間に設けられた湾
曲接続部７を有する。なお、図８の（Ａ）においては、
半導体素子が樹脂封止部２に封止されていないが、図８
の（Ｂ）においては、半導体素子が樹脂封止部２に封止
されている半導体素子体１を図示してある。また、図８
の（Ａ）における８は搬送用孔である。

【０００４】次に、図９を参照すると、半導体素子を封
止したリードフレームの外部リード群３−１〜３−４の
各外部リードをダイ及びパンチ（図示せず）により曲げ
て加工して所定形状に加工する。このとき、湾曲接続部
７は撓む。次に、外部リードに半田メッキ等の表面処理
を施す。

【０００５】次に、図１０を参照すると、リード連結部
４−１〜４−４及び湾曲接続部７を切断除去する。な
お、７ａは切断金具のパンチ及びダイの形状を簡単にし
たために生ずる湾曲接続部７の０．０５〜０．１mm程度
の切り残し部である。

【０００６】最後に、図11を参照すると、吊りリード５
−１〜５−４を切断除去してフレーム６を外部リード群
３−１〜３−４から切離す。この状態で、検査用ソケッ
ト等の接触端子を外部リード群３−１〜３−４の外部リ
ードに接触させて電気的検査を行う。

【０００７】しかしながら、図８〜図１１に示す樹脂封
止型半導体装置の製造方法においては、特に、外部リー
ド群３−１〜３−４の外部リードのピッチが０．４mm以
下の場合に、以下の欠点が発生する。

【０００８】１）外部リードの強度が低下し、外部リー
ドが変形し易い。すなわち、検査用ソケット等への脱
着、工程間もしくは工程内での移送時に外部リードが変
形することがある。具体的には、外部リードの強度を示
す曲げ剛性は断面２次モーメントＩ＝ｂｈ／２（ｂはリ
ード幅、ｈはフレーム厚）に比例する。従って、外部リ
ードのピッチが０．５mmの場合、ｂ＝０．２２mm，ｈ＝
０．１５mmとし、外部リードのピッチが０．４mmの場
合、ｂ＝０．１８mm，ｈ＝０．１５mmとすれば、外部リ
ードのピッチが０．４mmのフレーム厚さ方向の強度は外
部リードのピッチが０．５mmのフレーム厚さ方向の強度
の約１／２となり、外部リードの強度は極端に低下す
る。

【０００９】２）検査用ソケット等の接触端子と外部リ
ードとの間で安定な接触が得られない。たとえば、検査
用ソケット等の接触端子と外部リードとを接触とさせる
際の位置決め制度は、樹脂封止部２の側面のテーパー部
2aの寸法精度±３０μｍ、外部リードの位置精度±２０
μｍ接触端子の位置精度±５０μｍとすれば、最大１０
０μｍとなる。従って、安定した接触が得られるための
接触寸法は接触端子幅の半分であり、接触端子の幅は外
部リード幅と同寸法で製造することから、外部リードの
０．５mmピッチの場合の接触寸法は最悪でも１２０μｍ
で接触端子幅の半分１１０μｍは確保できるものの、外
部リードの０．４mmピッチでは最悪８０μｍで接触端子
幅の半分９０μｍは確保できず、安定した接触が得られ
ない。

【００１０】３）外部リード間の電気的短絡が発生し易
い。すなわち、検査用ソケット等の接触端子と外部リー
ドとを接触させる方法としては、外部リード上を接触端
子が引っかいて外部リード上の半田メッキなどの表面処
理層のごく一部を削り取った形で接触端子と外部リード
とを接触させる方法が良く用いられるが、この方法では
削り取られた屑が髭状になり、外部リード間にまたがっ
て電気的短絡を起こすことがある。特に上記２）にも記
したように、外部リードが０．４mmピッチ以下の半導体
装置では外部リードと接触端子との位置精度が悪く、そ
れに伴い髭が発生する位置も外部リードの幅方向全体に
ばらつくこととなり、外部リードの端面付近で発生する
確立が増加するため、リード間の距離が近いことと相俟
って外部リード間の電気的短絡の可能性がさらに高くな
る。

【００１１】上述の欠点、つまり、外部リードの強度が
低下する、検査用ソケット等の接触端子と外部リードと
の間で安定な接触が得られない、外部リード間の電気的
短絡が発生し易いという欠点を除去するために、外部リ
ード群の隣接する外部リードに千鳥状に幅広の検査パッ
ドを設けたリードフレームを準備し、外部リード群に表
面処理を施し、外部リード群に保護テープを貼り付け、
外部リード群の各外部リードを切離し、検査用パッドに
より、電気的検査を行い、検査用パッド及び保護テープ
を外部リード群より切離し、最後に、外部リードを曲げ
加工して所定の形状にする樹脂封止型半導体装置の製造
方法が知られている（参照：発明協会公開技報９３−１
５１９号）。たとえば、外部リードが０．４mmピッチの
場合、検査用パッドの幅は０．３mm程度となり、接触端
子との接触寸法は安定して確保されるため安定した接触
が得られ、また同時に、接触位置もリード幅方向中央付
近となるため外部リード間の電気的短絡が発生する可能
性が少なく、また、検査用パッドを設けるために外部リ
ード長は検査用パッドがない場合に比べて約２mm長くな
りリード強度が落ちるものの、保護テープにて固定され
るためリード変形はほとんど発生しない。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
検査用パッドを外部リードに千鳥状に設けた樹脂封止型
半導体装置の製造方法においては、外部リードの曲げ加
工前に外部リードに表面処理を施すため、外部リードの
曲げ加工時に曲げ金型のダイ及びパンチと外部リードと
が接触しかつこすれて表面処理層が剥がれ屑となる。こ
の発生した屑は、外部リード先端が接触するダイ表面の
形状や摩擦抵抗が外部リードに付着する。ダイに堆積す
ると、ダイ表面の形状や摩擦抵抗が微妙に変化するため
に、外部リードの加工後の寸法が規格から外れる不良が
多発したり、堆積した屑が外部リードに転写し、上述の
外部リードへの付着と合わせて屑が外部リード間にまた
がる電気的短絡を招く等の不良発生の原因となる。な
お、この不良の発生頻度としては、外部リードが０．５
mmピッチの場合、外部リード形状によって差があるもの
の、１０００〜１００００ショット（１ショットで曲げ
加工１回）を境に不良がほぼ０％から急激に増加するの
に対し、外部リードが０．４mmピッチの場合、２ショッ
ト〜５ショットで不良が発生する。従って、本発明の目
的は、検査用パッドを外部リード千鳥状に設けた半導体
装置の不良発生を低減することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明は、外部リード群の隣接する外部リードに千
鳥状に幅尋広の検査ハッドを設けたリードフレームを準
備し、外部リード群を曲げ加工して所定のリード形状に
し、外部リード群に表面処理を施し、外部リード群に保
護テープを貼り付け、外部リード群の各外部リードを切
離し、検査用パッドにより電気的検査を行い、最後に、
検査用パッド及び保護テープを外部リード群より切離
す。あるいは、上記保護テープの代わりに、絶縁樹脂材
を滴下硬化させる。

【００１４】

【作用】上述の手段によれば、外部リードの曲げ加工後
に外部リードに表面処理を行うので、表面処理層の剥が
れ屑は発生しない。

【００１５】

【実施例】図１〜図６は本発明に係る半導体装置の製造
方法の第１の実施例を示す図である。なお、図２〜図６
において、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。

【００１６】始めに、図１，図２に示すリードフレーム
を準備する。なお、図２は図１の１つの半導体素子分を
拡大して示してある。このリードフレームにおいては、
外部リード群３'−１〜３'−４の各外部リードに検査用
パッド３ａが設けられている点及びフレーム６に位置決
め用孔９が設けられている点が、図８に示すリードフレ
ームと異なる。なお、図１においては、半導体素子が樹
脂封止部２に封止されていないが、図２においては、半
導体素子が樹脂封止部２に封止されている半導体素子封
止体１を図示してある。

【００１７】次に、図３を参照すると、半導体素子を封
止したリードフレームの外部リード群３'−１〜３'−４
の各外部リードをダイ及びパンチ（図示せず）により曲
げて加工して所定形状に加工する。このとき、湾曲接続
部７は撓む。次に、外部リードに半田メッキ等の表面処
理を施す。この場合、湾曲接続部７が変形して伸びて外
部リードの先端位置が水平方向及び垂直方向に変位した
後も、湾曲接続部７及びリード連結部４−１〜４−４が
外部リード群３'−１〜３'−４とフレーム６とを電気的
に接続している。これを利用して外部リードに半田メッ
キ等の表面処理を行うことができる。

【００１８】次に、図４を参照すると、外部リード群
３'−１〜３'−４毎に、検査用パッド３ａに保護テープ
１０を貼り付ける。

【００１９】次に、図５を参照すると、リード連結部４
−１〜４−４及び湾曲接続部７を切断除去する。なお、
７ａは切断金具のパンチ及びダイの形状を簡単にしたた
めに生ずる湾曲接続部７の０．０５〜０．１mm程度の切
り残し部である。この状態で、検査用ソケット等の接触
端子を外部リード群３'−１〜３'−４の外部リードに接
触させて電気的検査を行う。この場合、位置決め用孔９
を用いて位置決めを行う。

【００２０】最後に、図６を参照すると、良品について
のみ、吊りリード５−１〜５−４を切断除去してフレー
ム６を外部リード群３'−１〜３'−４から切離す。

【００２１】ここで、保護テープ１０の貼り付けいつい
て説明する。従来の製造方法では保護テープをフレーム
と検査用パッドとに貼り付けフレームに固定していたた
め、加熱により保護テープの接着剤を硬化させる際に保
護テープ自身が熱収縮してもフレームに引っ張られ変形
しないためにテープ選定が容易である利点があった。こ
れに対して、本発明の第１の実施例では、検査用パッド
３ａとフレーム６との間には段差があり、保護テープ１
０外部リード群３'−１〜３'−４毎に独立して貼り付け
る必要がある。このため、接着剤を硬化させるための加
熱によっても熱収縮しない保護テープを選定する必要が
ある。市販のテープを評価した結果、接着剤がコーティ
ングされたポリイミドテープであって、その基材のポリ
イミドの厚さが５０μｍ、接着剤層の厚さが２０μｍの
テープが加熱後の外部リード間ピッチの収縮率が小さい
ことが分かった。また、収縮率に影響を与えるのは基材
ではなく接着剤の材料又は厚さの要因の方が大きいこと
も分かった。

【００２２】さらに、電気的検査の際の位置決めについ
ては、図１１に示す従来の製造方法では樹脂封止部２の
テーパー部２ａをもちいて位置決めしていたが、本発明
の第１の実施例では、検査用パッド３ａを形成すること
で外部リード長が長くなる検査用ソケットの接触端子と
検査用パッドが接触する位置がより外側に移動したため
に（従来０.８mm〜１mm程度に対し、本発明の第１の実
施例では３mm〜４mm程度)、従来無視できていた回転方
向の位置ズレが無視できなくなり、より外側の位置決め
手段を用い位置決めする必要が生じる。従って、本発明
の第１の実施例では、検査用パッド３ａ近くのフレーム
６に設けた３つの位置決め用孔９を用いて位置決めして
いる。

【００２３】図７は本発明に係る半導体装置の製造方法
の第２の実施例を示す図であって、図４に対応する。す
なわち、本発明の第１の実施例における保護テープ１０
の代わりに、本発明の第２の実施例では、外部リード
３'−１〜３'−４の表面処理後に検査用パッド３ａを固
定するために液状の絶縁樹脂材を滴下硬化させて樹脂コ
ート部１１を形成したものである。従来の製造方法では
保護テープを貼り付ける面が平面であるため貼り付けの
機構が簡単で済む。これに対し、本発明の第１の実施例
では外部リードを所定の形状に曲げ加工後に保護テープ
１０を貼り付けるために、貼り付ける面は外部リードと
同じ３〜５度の角度を有しているのでテープ貼り付け機
構は複雑になる。たとえば、テープ供給ユニットからテ
ープ切断ユニット及びテープ圧着ユニットなどの全ユニ
ットを約４度傾けて配置する必要がある。他方、本発明
の第２の実施例では、液状の絶縁樹脂材を用い検査用パ
ッド３ａに滴下させることにより、検査用パッド３ａの
傾きを無視して固定することができる。

【００２４】なお、上述の第２の実施例では、樹脂の滴
下及び硬化の工程は外部リードの表面処理後に行うので
あるが、エポキシ樹脂等の外部リード表面処理工程でも
浸食や溶解しない樹脂を用いれば、リードフレーム製作
工程など外部リードの表面処理工程よりも前にも可能と
なる。たとえば、リードフレームの内部リード部にリー
ド変形等を押さえるためポリイミドテープの代わりにエ
ポキシ樹脂テープを貼り付けて使用する場合があるが、
このポリイミドテープの代わりにエポキシ樹脂を用い検
査用パッド部３ａの固定と同時に内部リード固定も行え
ば工程の短縮にもなる。

【００２５】また、保護テープまたは絶縁樹脂コート部
及び検査用パツドを切断する際に外部リードの形状を最
終形状に形成する。これは、保護テープ貼り付け工程ま
たは絶縁樹脂コート部の形成工程、電気的検査工程等で
形状変化がある可能性があるために、最終工程で必要寸
法を出すようにしたためである。

【００２６】さらに、上述の本発明の第１の実施例及び
第２の実施例において、保護テープまたは固定用絶縁樹
脂材は検査用パッドの上面に取り付けているのは電気的
検査に用いるソケットの接触端子を外部リード下面から
接触させるためである。従って、接触端子を外部リード
上面から接触させる場合には、保護テープ１０または固
定用絶縁樹脂コート部１１は検査用パッド３ａの下面に
取り付ける。

【００２７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、外
部リードの曲げ加工後に外部リードの表面処理を行うの
で、表面処理層の剥がれ屑は発生せず、従って、半導体
装置の不良発生を低減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体装置の製造方法の第１の実
施例を示す平面図である。

【図２】本発明に係る半導体装置の製造方法の第１の実
施例を示す図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面
図である。

【図３】本発明に係る半導体装置の製造方法の第１の実
施例を示す図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面
図である。

【図４】本発明に係る半導体装置の製造方法の第１の実
施例を示す図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面
図である。

【図５】本発明に係る半導体装置の製造方法の第１の実
施例を示す図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面
図である。

【図６】本発明に係る半導体装置の製造方法の第１の実
施例を示す図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面
図である。

【図７】本発明に係る半導体装置の製造方法の第２の実
施例を示す図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面
図である。

【図８】従来の半導体装置の製造方法を示す図であっ
て、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。

【図９】従来の半導体装置の製造方法を示す図であっ
て、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。

【図１０】従来の半導体装置の製造方法を示す図であっ
て、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。

【図１１】従来の半導体装置の製造方法を示す図であっ
て、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。

【符号の説明】

１半導体素子封止体２樹脂封止体３−１〜３−４，３'−１〜３'−４外部リード群３ａ検査用パッド４−１〜４−４リード連結部５−１〜５−４吊りリード６フレーム７湾曲接続部８搬送用孔９位置決め用孔１０保護テープ１１樹脂コート部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】外部リード群（３'−１〜３'−４）の隣
接する外部リードに千鳥状に幅広の検査用パッド（３
ａ）を設けたリードフレームを準備する第１の工程と、前記第１の工程の後に、前記外部リード群を曲げ加工し
て所定のリード形状にする第２の工程と、該第２の工程の後に、前記外部リード群に表面処理を施
す第３の工程と、該第３の工程の後に、前記外部リード群に保護テープ
（１０）を貼り付ける第４の工程と、該第４の工程の後に、前記外部リード群の各外部リード
間を切離す第５の工程と、該第５の工程の後に、前記検査パッドにより電気的検査
を行う第６の工程と、該第６の工程の後に、前記検査用パッド及び前記保護テ
ープを前記外部リード群から切離す第７の工程とを具備
する半導体装置の製造方法。
【請求項２】前記保護テープは接着剤がコーティング
されたポリイミドテープである請求項１に記載の半導体
装置の製造方法。
【請求項３】前記第６の工程は、前記リードフレーム
の前記検査用パッド近傍に設けられた位置決め孔（９）
を用いて前記リードフレームを位置決めする請求項１に
記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】外部リード群（３'−１〜３'−４）の隣
接する外部リードに千鳥状に幅広の検査用パッド（３
ａ）を設けたリードフレームを準備する第１の工程と、前記第１の工程の後に、前記外部リード群を曲げ加工し
て所定のリード形状にする第２の工程と、該第２の工程の後に、前記外部リード群に表面処理を施
す第３の工程と、該第３の工程の後に、前記外部リード群に絶縁樹脂材(1
1)を滴下硬化させる第４の工程と、該第４の工程の後に、前記外部リード群の各外部リード
間を切離す第５の工程と、該第５の工程の後に、前記検査パッドにより電気的検査
を行う第６の工程と、該第６の工程の後に、前記検査用パッド及び前記絶縁樹
脂材を前記外部リード群から切離す第７の工程とを具備
する半導体装置の製造方法。
【請求項５】前記第６の工程は、前記リードフレーム
の前記検査用パッド近傍に設けられた位置決め孔（９）
を用いて前記リードフレームを位置決めする請求項４に
記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】外部リード群（３'−１〜３'−４）の隣
接する外部リードに千鳥状に幅広の検査用パッド(3a)を
設けたリードフレームを準備する第１の工程と、前記第１の工程の後に、前記外部リード群を曲げ加工し
て所定のリード形状にする第２の工程と、該第２の工程の後に、前記外部リード群に絶縁樹脂材
（１１）を滴下硬化させる第３の工程と、該第３の工程の後に、前記外部リード群に表面処理を施
す第３の工程と、該第４の工程の後に、前記外部リード群の各外部リード
間を切離す第５の工程と、該第５の工程の後に、前記検査パッドにより電気的検査
を行う第６の工程と、該第６の工程の後に、前記検査用パッド及び前記絶縁樹
脂材を前記外部リード群から切離す第７の工程とを具備
する半導体装置の製造方法。
【請求項７】前記第６の工程は、前記リードフレーム
の前記検査用パッド近傍に設けられた位置決め孔（９）
を用いて前記リードフレームを位置決めする請求項６に
記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】半導体素子が封止される樹脂封止部
（２）と、該樹脂封止部の四方向に設けられ、千鳥状に
隣接する幅広検査用パッド（３ａ）を有する４つの外部
リード群（３'−１〜３'−４）と、該各外部リード群の
外部リードを連結するリード連結部（４−１〜４−４）
と、前記樹脂封止部の４隅に設けられた吊りリード（５
−１〜５−４）と、該吊りリードを介して前記樹脂封止
部を保持するフレーム（６）と、該フレームと前記リー
ド連結部との間に設けられた湾曲接続部（７）とを有す
る半導体装置において、前記外部リード群を曲げ加工して所定のリード形状にす
る工程と、該曲げ加工後に前記外部リード群に表面処理を施す工程
と、該表面処理後に前記外部リード群に保護テープ（１０）
を貼り付ける工程と、該貼付後に前記リード接続部及び前記湾曲接続部を切断
除去する工程と、該切断除去後に前記検査用パッドを用いて前記半導体装
置の電気的検査を実行する工程と、該電気的検査後に前記保護テープが貼り付けられた外部
リード群の部分及び前記吊りリードを切断除去する工程
とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】前記保護テープは接着剤がコーティング
されたポリイミドテープである請求項８に記載の半導体
装置の製造方法。
【請求項１０】前記電気的検査を実行する工程は、前
記フレームの前記検査用パッド近傍に設けられた位置決
め孔（９）を用いて前記半導体装置を位置決めする請求
項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】半導体素子が封止される樹脂封止部
（２）と、該樹脂封止部の四方向に設けられ、千鳥状に
隣接する幅広検査用パッド（３ａ）を有する４つの外部
リード群（３'−１〜３'−４）と、該各外部リード群の
外部リードを連結するリード連結部（４−１〜４−４）
と、前記樹脂封止部の４隅に設けられた吊りリード（５
−１〜５−４）と、該吊りリードを介して前記樹脂封止
部を保持するフレーム（６）と、該フレームと前記リー
ド連結部との間に設けられた湾曲接続部（７）とを有す
る半導体装置において、前記外部リード群を曲げ加工して所定のリード形状にす
る工程と、該曲げ加工後に前記外部リード群に表面処理を施す工程
と、該表面処理後に前記外部リード群に絶縁樹脂材（１１）
を滴下硬化させる工程と、該滴下硬化後に前記リード接続部及び前記湾曲接続部を
切断除去する工程と、該切断除去後に前記検査用パッドを用いて前記半導体装
置の電気的検査を実行する工程と、該電気的検査後に前記保護テープが貼り付けられた外部
リード群の部分及び前記吊りリードを切断除去する工程
とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】前記電気的検査を実行する工程は、前
記フレームの前記検査用パッド近傍に設けられた位置決
め孔（９）を用いて前記半導体装置を位置決めする請求
項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】半導体素子が封止される樹脂封止部
（２）と、該樹脂封止部の四方向に設けられ、千鳥状に
隣接する幅広検査用パッド（３ａ）を有する４つの外部
リード群（３'−１〜３'−４）と、該各外部リード群の
外部リードを連結するリード連結部（４−１〜４−４）
と、前記樹脂封止部の４隅に設けられた吊りリード（５
−１〜５−４）と、該吊りリードを介して前記樹脂封止
部を保持するフレーム（６）と、該フレームと前記リー
ド連結部との間に設けられた湾曲接続部（７）とを有す
る半導体装置において、前記外部リード群を曲げ加工して所定のリード形状にす
る工程と、該曲げ加工後に前記外部リード群に絶縁樹脂材（１１）
を滴下硬化させる工程と、該滴下硬化後に前記外部リード群に表面処理を施す工程
と、該表面処理後に前記リード接続部及び前記湾曲接続部を
切断除去する工程と、該切断除去後に前記検査用パッドを用いて前記半導体装
置の電気的検査を実行する工程と、該電気的検査後に前記保護テープが貼り付けられた外部
リード群の部分及び前記吊りリードを切断除去する工程
とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】前記電気的検査を実行する工程は、前
記フレームの前記検査用パッド近傍に設けられた位置決
め孔（９）を用いて前記半導体装置を位置決めする請求
項１３に記載の半導体装置の製造方法。