JPH08197397A - ワークの研削方法 - Google Patents
ワークの研削方法Info
- Publication number
- JPH08197397A JPH08197397A JP3016495A JP3016495A JPH08197397A JP H08197397 A JPH08197397 A JP H08197397A JP 3016495 A JP3016495 A JP 3016495A JP 3016495 A JP3016495 A JP 3016495A JP H08197397 A JPH08197397 A JP H08197397A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding
- work
- distortion
- finish
- rough
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハ、及び、半導体チップ等のワー
クの高品質化、極薄化、拡径化に充分に対処できるもの
で、特に、粗研削されたワークの歪、反り、ダメージの
解消させる研削方法を提供する。 【構成】 ワークの研削面を粗研削する粗研削工程と、
粗研削工程の後に研削面を仕上研削する仕上研削工程と
を含むワークの研削方法であって、粗研削工程と仕上研
削工程と間にワークの研削面の歪を解消する化学的蝕刻
法による歪解消工程を経るものである。
クの高品質化、極薄化、拡径化に充分に対処できるもの
で、特に、粗研削されたワークの歪、反り、ダメージの
解消させる研削方法を提供する。 【構成】 ワークの研削面を粗研削する粗研削工程と、
粗研削工程の後に研削面を仕上研削する仕上研削工程と
を含むワークの研削方法であって、粗研削工程と仕上研
削工程と間にワークの研削面の歪を解消する化学的蝕刻
法による歪解消工程を経るものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ、半導体
チップ等の様な硬質で脆性のワークの研削方法に関する
もので、詳しくは、仕上り面の超高精度化が要求される
ワークを信頼性の高い高品質の仕上げ研削する方法に関
するものである。
チップ等の様な硬質で脆性のワークの研削方法に関する
もので、詳しくは、仕上り面の超高精度化が要求される
ワークを信頼性の高い高品質の仕上げ研削する方法に関
するものである。
【０００２】
【従来技術】本発明に係るこの種のワークは、コンピュ
ータ等の電子関連機器、所謂ＯＡ機器等の集積回路に使
用され、その開発は日々進歩しており、更に、より高度
な応用技術の開発に鎬を削っている現にあり、この為、
ワークはより超高精度の平坦精度と鏡面精度が求められ
てきている。
ータ等の電子関連機器、所謂ＯＡ機器等の集積回路に使
用され、その開発は日々進歩しており、更に、より高度
な応用技術の開発に鎬を削っている現にあり、この為、
ワークはより超高精度の平坦精度と鏡面精度が求められ
てきている。
【０００３】周知の如く、この種のワークの内、シリコ
ン結晶体である半導体ウエハは表面に数回の製造工程を
加えて、導電性の金属による例えばアルミ蒸着させて写
真蝕刻法によってアルミ等の所要な金属配線やトランジ
スターや抵抗等の回路素子を１，０００個以上も含んだ
集積回路を７０ｍｍφの半導体ウエハの中に数百個も製
造することができ、然も、写真蝕刻の技術によって、精
密なネガを作成することによって、無限に複製すること
が可能であり、該半導体ウエハをスライスして多数の集
積回路が搭載された半導体チップを形成しているもので
ある。
ン結晶体である半導体ウエハは表面に数回の製造工程を
加えて、導電性の金属による例えばアルミ蒸着させて写
真蝕刻法によってアルミ等の所要な金属配線やトランジ
スターや抵抗等の回路素子を１，０００個以上も含んだ
集積回路を７０ｍｍφの半導体ウエハの中に数百個も製
造することができ、然も、写真蝕刻の技術によって、精
密なネガを作成することによって、無限に複製すること
が可能であり、該半導体ウエハをスライスして多数の集
積回路が搭載された半導体チップを形成しているもので
ある。
【０００４】更に、半導体ウエハにおいては、歩留まり
の関係から仕上り面の超高精度化と、作業性の観点から
の拡径化、更には、小型化につながる極薄化、品質の面
からの均一化が要求されており、又、半導体チップは余
剰部分を研削加工してより小型化を図り、更に、品質の
面からの均一化を求められている実情にある。
の関係から仕上り面の超高精度化と、作業性の観点から
の拡径化、更には、小型化につながる極薄化、品質の面
からの均一化が要求されており、又、半導体チップは余
剰部分を研削加工してより小型化を図り、更に、品質の
面からの均一化を求められている実情にある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】つまり、従来の方法で
従来レベルの品質の半導体ウエハ、半導体チップであれ
ば問題は無かったものの、昨今要求されるような超高精
度の平坦精度と鏡面精度、及び、均一化、極薄化が要求
されるワークでは対処できなく成ってきており課題と成
っている。
従来レベルの品質の半導体ウエハ、半導体チップであれ
ば問題は無かったものの、昨今要求されるような超高精
度の平坦精度と鏡面精度、及び、均一化、極薄化が要求
されるワークでは対処できなく成ってきており課題と成
っている。
【０００６】
【発明の目的】本発明は前述の事由に鑑みて、前述の課
題を解決すべく鋭意研鑽の結果、半導体ウエハ、及び、
半導体チップ等のワークの高品質化、極薄化、拡径化に
充分に対処できるもので、特に、粗研削されたワークの
歪、反り、ダメージの解消させる研削方法に創達し、こ
れを供する目的のものである。
題を解決すべく鋭意研鑽の結果、半導体ウエハ、及び、
半導体チップ等のワークの高品質化、極薄化、拡径化に
充分に対処できるもので、特に、粗研削されたワークの
歪、反り、ダメージの解消させる研削方法に創達し、こ
れを供する目的のものである。
【０００７】
【発明の実施例】本発明は、半導体ウエハ、半導体チッ
プ等の様な硬質で脆性のワークの研削方法に関するもの
で、詳しくは、仕上り面の超高精度化が要求されるワー
クを信頼性の高い高品質の仕上げ研削する方法に関する
ものであり、ワークの研削面を粗研削する粗研削工程
と、該粗研削工程の後に該研削面を仕上研削する仕上研
削工程とを含むワークの研削方法であって、前記粗研削
工程と仕上研削工程と間にワークの研削面の歪を解消す
る化学的蝕刻法による歪解消工程を経るものである。
プ等の様な硬質で脆性のワークの研削方法に関するもの
で、詳しくは、仕上り面の超高精度化が要求されるワー
クを信頼性の高い高品質の仕上げ研削する方法に関する
ものであり、ワークの研削面を粗研削する粗研削工程
と、該粗研削工程の後に該研削面を仕上研削する仕上研
削工程とを含むワークの研削方法であって、前記粗研削
工程と仕上研削工程と間にワークの研削面の歪を解消す
る化学的蝕刻法による歪解消工程を経るものである。
【０００８】即ち、本発明の研削方法を実施する平面自
動研削盤のワークはは収納部から搬送機構によって搬送
され、間欠的に回動、停止を繰返すロータリーテーブル
に設けられた自回転する円形状の複数のチャック機構に
乗載され、チャック機構の上面にバキューム吸着された
状態で最初の粗研削工程を施すものである。
動研削盤のワークはは収納部から搬送機構によって搬送
され、間欠的に回動、停止を繰返すロータリーテーブル
に設けられた自回転する円形状の複数のチャック機構に
乗載され、チャック機構の上面にバキューム吸着された
状態で最初の粗研削工程を施すものである。
【０００９】前記ロータリーテーブルの上方には複数の
スピンドル軸を垂下させ、夫々のスピンドル軸の下端へ
は粗研削用のカップホイール型研削砥石が取着されてい
るもので、該スピンドル軸は設定された一定の速度で降
下して設定された削り代を研削するものである。
スピンドル軸を垂下させ、夫々のスピンドル軸の下端へ
は粗研削用のカップホイール型研削砥石が取着されてい
るもので、該スピンドル軸は設定された一定の速度で降
下して設定された削り代を研削するものである。
【００１０】そして、一定の削り代の研削が終了すると
スピンドル軸は上昇し、ロータリーテーブルは設定され
た次の研削位置まで回動し、次の位置で仕上研削用のカ
ップホイール型砥石によって仕上研削が施されるもので
ある。
スピンドル軸は上昇し、ロータリーテーブルは設定され
た次の研削位置まで回動し、次の位置で仕上研削用のカ
ップホイール型砥石によって仕上研削が施されるもので
ある。
【００１１】夫々の削り代の設定はスピンドル軸の降下
量によって決定されるものであり、降下量を予め設定し
た数値まで一気に切り込んで研削するワンパス方式で切
り込んでいくものや、切り込み量を複数回に別けて切り
込んでいく連続ダウンフィード方式が取られているが、
何れの場合もチャック機構の上面やウエハの上面を絶え
ず計測しながら切り込み量の確認を行っているものであ
る。
量によって決定されるものであり、降下量を予め設定し
た数値まで一気に切り込んで研削するワンパス方式で切
り込んでいくものや、切り込み量を複数回に別けて切り
込んでいく連続ダウンフィード方式が取られているが、
何れの場合もチャック機構の上面やウエハの上面を絶え
ず計測しながら切り込み量の確認を行っているものであ
る。
【００１２】そして、ワークが半導体チップの場合はチ
ャック機構の上面に複数個同心状に配列されて研削され
るものである。
ャック機構の上面に複数個同心状に配列されて研削され
るものである。
【００１８】前述のような工程において、ワークと研削
砥石との研削の際の抵抗や摩擦、及び、摩擦熱等によ
り、ワークの表面に歪、反り、ダメージが残り、以後の
仕上研削の障害と成っており、特に、削り代が多い程こ
れ等の障害は多くなっている。
砥石との研削の際の抵抗や摩擦、及び、摩擦熱等によ
り、ワークの表面に歪、反り、ダメージが残り、以後の
仕上研削の障害と成っており、特に、削り代が多い程こ
れ等の障害は多くなっている。
【００１３】本発明は、粗研削工程が終了後これ等の
歪、反り、ダメージを解消するために、酢酸、硼酸等の
酸の化学的蝕刻法による歪解消工程を施すものであり、
該化学的蝕刻法はバキューム吸着させたまま行っても、
移送機構等で一旦持ち上げて、酸等の液体の中に含浸さ
せて実施さても構わないものである。
歪、反り、ダメージを解消するために、酢酸、硼酸等の
酸の化学的蝕刻法による歪解消工程を施すものであり、
該化学的蝕刻法はバキューム吸着させたまま行っても、
移送機構等で一旦持ち上げて、酸等の液体の中に含浸さ
せて実施さても構わないものである。
【００１４】つまり、ワークの研削面を粗研削工程を施
した後の、仕上研削工程との間にワークの研削面の歪、
反り、ダメージを解消するために、化学的触刻法を施
し、エッチングによる歪、反り、ダメージを解消させる
ものである。
した後の、仕上研削工程との間にワークの研削面の歪、
反り、ダメージを解消するために、化学的触刻法を施
し、エッチングによる歪、反り、ダメージを解消させる
ものである。
【００１５】ワークを研削する研削盤は平面自動研削盤
に限定されることなく、ラッピングマシン等や割り出し
式のインデックステーブル等のチャック機構にも適応す
るものである。
に限定されることなく、ラッピングマシン等や割り出し
式のインデックステーブル等のチャック機構にも適応す
るものである。
【００１６】
【発明の効果】本発明の効果は、昨今要求される超高精
度化の平坦精度、鏡面精度、及び、、拡径化、極薄化、
均一化に対処でき、且つ、硬質、脆性の特性を有する半
導体ウエハ、半導体チップ等のワークの研削加工の歪、
ダメージ、反り等を防止することができ、ワークの仕上
面の精度を向上させた画期的な研削方法であり、信頼度
も高く、極めて有意義な効果を奏することができるもの
である。
度化の平坦精度、鏡面精度、及び、、拡径化、極薄化、
均一化に対処でき、且つ、硬質、脆性の特性を有する半
導体ウエハ、半導体チップ等のワークの研削加工の歪、
ダメージ、反り等を防止することができ、ワークの仕上
面の精度を向上させた画期的な研削方法であり、信頼度
も高く、極めて有意義な効果を奏することができるもの
である。
Claims (1)
- 【請求項１】ワークの研削面を粗研削する粗研削工程
と、該粗研削工程の後に該研削面を仕上研削する仕上研
削工程とを含むワークの研削方法であって、前記粗研削
工程と仕上研削工程と間にワークの研削面の歪を解消す
る化学的蝕刻法による歪解消工程を経ることを特徴とす
るワークの研削方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3016495A JPH08197397A (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | ワークの研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3016495A JPH08197397A (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | ワークの研削方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08197397A true JPH08197397A (ja) | 1996-08-06 |
Family
ID=12296122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3016495A Pending JPH08197397A (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | ワークの研削方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08197397A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007201518A (ja) * | 2007-05-14 | 2007-08-09 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体ウェハの製造方法 |
| JP2016201551A (ja) * | 2016-06-20 | 2016-12-01 | 株式会社東京精密 | 半導体基板の微小亀裂形成方法及び微小亀裂形成装置 |
-
1995
- 1995-01-27 JP JP3016495A patent/JPH08197397A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007201518A (ja) * | 2007-05-14 | 2007-08-09 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体ウェハの製造方法 |
| JP4541382B2 (ja) * | 2007-05-14 | 2010-09-08 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体ウェハの製造方法 |
| JP2016201551A (ja) * | 2016-06-20 | 2016-12-01 | 株式会社東京精密 | 半導体基板の微小亀裂形成方法及び微小亀裂形成装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7462094B2 (en) | Wafer grinding method | |
| JP2008098351A (ja) | ウエーハの研削加工方法 | |
| JP7234317B2 (ja) | ツルーイング方法及び面取り装置 | |
| JPS61164773A (ja) | ウエハ研削方法および装置 | |
| US6406357B1 (en) | Grinding method, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
| JP2007335521A (ja) | ウェーハ外周部研削方法 | |
| JPH08197397A (ja) | ワークの研削方法 | |
| JP4530479B2 (ja) | 精密加工装置 | |
| JP4941636B2 (ja) | 基板の研削加工方法 | |
| CN112720120A (zh) | 一种12英寸硅片精密磨削加工的装置和方法 | |
| JPH08197396A (ja) | ワークの両面研削加工方法 | |
| JPH0758068A (ja) | ウェーハ研削装置と研削方法 | |
| JP2001071244A (ja) | 半導体ウェーハの精密面取り法 | |
| JP2021065991A (ja) | 被加工物の研削方法 | |
| CN110919467A (zh) | 晶圆抛光方法 | |
| US20010023082A1 (en) | Grind and single wafer etch process to remove metallic contamination in silicon wafers | |
| JPS61114813A (ja) | 切断方法 | |
| JP2014226767A (ja) | ウェーハ面取り装置及びウェーハ面取り方法 | |
| JPS62264835A (ja) | 薄基板製造用の複合加工機 | |
| JPS62224537A (ja) | 薄基板製造用の複合加工機 | |
| JPH08170912A (ja) | 半導体ウエハの計測方法及び研削方法 | |
| JPS61166133A (ja) | ウエハおよびその製造方法 | |
| JPH05318294A (ja) | Ｓｉウエハの研削方法 | |
| JP2604089Y2 (ja) | 研削盤 | |
| JP2001205548A (ja) | 片面研削装置および片面研削方法 |